KR20110083521A - 금속 산화물 다결정체 - Google Patents

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KR20110083521A
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가오루 다카사키
마사토 사이다
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우베 마테리알즈 가부시키가이샤
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Abstract

과제
흡습성이 낮고, 전자빔 증착법 등의 물리 기상 성장법에 의해 안정된 조건에서 스트론튬과 칼슘을 함유하는 산화물막을 제조하기 위한 증착재로서 유리하게 사용할 수 있는 금속 산화물 다결정체를 제공한다.
해결 수단
스트론튬과 칼슘을 몰비로 0.2 : 0.8 ∼ 0.8 : 0.2 의 범위가 되는 비율로 함유하는 결정 입자로 형성된 금속 산화물 다결정체로서, 규소, 알루미늄, 티탄, 지르코늄 및 희토류 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 금속 원소를, 스트론튬과 칼슘의 합계 몰량을 100 몰로 했을 때에 0.0005 ∼ 20 몰의 범위가 되는 양으로 함유하고, 또한 평균 세공 직경이 0.01 ∼ 0.50 ㎛ 의 범위에 있는 금속 산화물 다결정체.

Description

금속 산화물 다결정체{POLYCRYSTALLINE METAL OXIDE MATERIAL}
본 발명은 스트론튬과 칼슘을 함유하는 산화물막을 특히 전자빔 증착법에 의해 제조할 때에 유리하게 사용할 수 있는 다공질체, 즉 증착재 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한 전자빔 증착법에 의해 스트론튬과 칼슘을 함유하는 산화물막을 제조하는 방법에 관한 것이기도 하다.
교류형 플라즈마 디스플레이 패널 (이하, AC 형 PDP 라고 한다) 은 일반적으로 화상 표시면이 되는 전면판과, 방전 가스가 충전된 방전 공간을 사이에 두고 대향하여 배치된 배면판으로 이루어진다. 전면판은 전면 유리 기판, 전면 유리 기판 상에 형성된 1 쌍의 방전 전극, 방전 전극을 피복하는 유전체층, 그리고 유전체층의 표면에 형성된 유전체층 보호막으로 이루어진다. 배면판은 배면 유리 기판, 배면 유리 기판 상에 형성된 어드레스 전극, 배면 유리 기판과 어드레스 전극을 피복하고, 또한 방전 공간을 구획하는 격벽, 그리고 격벽의 표면에 배치된 적색, 녹색, 청색의 형광체로 형성된 형광체층으로 이루어진다.
AC 형 PDP 에서는 전면판의 방전 전극에 전압을 인가하면, 다음의 (1) ∼ (4) 의 과정을 반복함으로써 방전 공간 내의 하전 입자 수가 증가하여 하전 입자의 방전에 의해 진공 자외광이 발생한다. 그리고, 발생된 진공 자외광에 의해 적색, 녹색, 청색의 형광체가 여기되어 가시광이 발생하고, 이 가시광의 조합에 의해 화상을 형성한다.
(1) 방전 전극 간에 전계가 발생하여 방전 가스 중에 존재하는 이온이나 전자 등의 하전 입자가 가속되어 유전체층 보호막에 충돌한다.
(2) 하전 입자의 충돌에 의해 유전체층 보호막으로부터 2차 전자가 방출된다.
(3) 방출된 2차 전자가 이온화되지 않은 방전 가스 원자에 충돌하여 방전 가스 이온을 생성한다.
(4) 생성된 방전 가스 이온이 상기 (1) 의 과정에 의해 유전체층 보호막에 충돌한다.
상기 (1) ∼ (4) 의 과정에 있어서, 유전체층 보호막은 유전체층을 하전 입자의 충돌에 의한 충격으로부터 보호할 뿐만 아니라, 2차 전자 방출막으로서도 기능한다. 일반적으로 유전체층 보호막의 2차 전자 방출 계수가 높은 쪽이 AC 형 PDP 의 방전 개시 전압이나 방전 유지 전압이 저감되는 경향이 있다. 이 때문에, 유전체층 보호막은 하전 입자에 대한 내충격성이 높고 (즉, 내스퍼터성이 높고), 또한 2차 전자 방출 계수가 높을 (즉, 방전 개시 전압이나 방전 유지 전압의 저감 효과가 높을) 것이 요구된다.
유전체층 보호막에는 산화마그네슘막이 널리 이용되었지만, 최근에는 산화마그네슘보다 2차 전자 방출 계수가 높은 스트론튬과 칼슘을 함유하는 산화물막이 주목받고 있다.
유전체층 보호막의 제조 방법에는 전자빔 증착법이 널리 이용되고 있다. 전자빔 증착법에 의해 산화물막을 제조할 때에 사용하는 증착재는 잘 흡습(吸濕)하지 않는 것이 바람직하다. 증착재가 수분을 다량으로 함유하고 있으면, 전자빔 증착법을 사용하여 산화물막을 제조할 때에, 증착재 중의 수분이 기화되어 전자빔 증착 장치의 진공 챔버 내의 압력이 불안정해져, 얻어지는 산화물막이 불균일해질 우려가 있기 때문이다. 그러나, 스트론튬과 칼슘을 함유하는 산화물은 흡습성이 높다고 하는 문제가 있다.
특허문헌 1 에는 흡습성이 낮은 스트론튬과 칼슘을 함유하는 산화물막 제조용 증착재의 제조 방법으로서, 평균 입자 직경이 0.01 ∼ 15 ㎛ 의 범위에 있는 탄산스트론튬 분말과, 평균 입자 직경이 0.01 ∼ 15 ㎛ 의 범위에 있는 탄산칼슘 분말 및/또는 수산화칼슘 분말을 함유하는 성형체(成型體)를 소결시키는 방법이 기재되어 있다. 단, 이 특허문헌 1 의 실시예에 기재되어 있는 상기 방법을 사용하여 제조된 다결정체는, 온도 20 ℃, 습도 50 ％ 의 조건하에서의 48 시간 후의 질량 증가율이 0.20 ∼ 0.50 질량％ 이다. 또한, 이 특허문헌 1 에는 추가로 성형체에 소결 보조제로서 산화이트륨 분말, 산화세륨 분말, 산화지르코늄 분말, 산화스칸듐 분말, 산화알루미늄 분말, 산화크롬 분말 등의 금속 산화물 분말을 첨가하는 것도 기재되어 있다.
특허문헌 2 에는 증착재의 표면을 불화물층으로 피복함으로써 증착재의 흡습성이 저감되는 것이 기재되어 있다. 이 특허문헌 2 의 실시예의 기재에 의하면, 표면을 불화물층으로 피복한 스트론튬과 칼슘을 함유하는 산화물로 이루어지는 증착재는, 7 일간 대기 중에 방치했을 때의 질량 증가율이 0.2 ％ 이다.
특허문헌 3 에는 증착재의 표면을 황산화물 및/또는 황화물로 피복함으로써 증착재의 흡습성이 저감되는 것이 기재되어 있다. 이 특허문헌 3 의 실시예의 기재에 의하면, 표면을 황산화물층 (황화물층) 으로 피복한 스트론튬과 칼슘을 함유하는 산화물로 이루어지는 증착재는, 7 일간 대기 중에 방치했을 때의 질량 증가율이 0.2 ％ 이다.
일본 공개특허공보 2009-256195호 일본 공개특허공보 2002-294432호 일본 공개특허공보 2004-281276호
특허문헌 1 에 기재되어 있는 방법에 의해 얻어지는 증착재는 흡습성이 여전히 높다고 하는 문제가 있다. 특허문헌 2 및 특허문헌 3 에 기재되어 있는 증착재는, 증착재 표면을 피복하고 있는 불화물이나 황산화물 및/또는 황화물이 기화되기 때문에, 전자빔 증착법이나 스퍼터법 등의 물리 기상 성장법으로는 안정된 조건에서 산화물막을 제조하기 어렵다고 하는 문제가 있다.
본 발명의 목적은 흡습성이 낮고, 전자빔 증착법 등의 물리 기상 성장법에 의해 안정된 조건에서 스트론튬과 칼슘을 함유하는 산화물막을 제조하기 위한 증착재로서 유리하게 사용할 수 있는 다결정체를 제공하는 것에 있다.
본 발명자는 스트론튬과 칼슘을 몰비로 0.2 : 0.8 ∼ 0.8 : 0.2 의 범위가 되는 비율로 함유하는 산화물의 결정 입자로 형성된 다결정체로서, 규소, 알루미늄, 티탄, 지르코늄 및 희토류 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 금속 원소를, 스트론튬의 몰량과 칼슘의 몰량의 합계를 100 몰로 했을 때에 0.0005 ∼ 20 몰의 범위가 되는 양으로 함유하고, 또한 평균 세공 직경이 0.01 ∼ 0.50 ㎛ 의 범위에 있는 다결정체는, 흡습성이 낮고, 또한 이 다결정체를 증착재에 사용하여 전자빔 증착법에 의해 제조한 산화물막은, AC 형 PDP 의 유전체층 보호막에 사용하면, AC 형 PDP 의 방전 개시 전압을 저감시키는 효과가 높은 것을 확인하여 본 발명을 완성시켰다.
따라서, 본 발명은 스트론튬과 칼슘을 몰비로 0.2 : 0.8 ∼ 0.8 : 0.2 의 범위가 되는 비율로 함유하는 결정 입자로 형성된 금속 산화물 다결정체로서, 규소, 알루미늄, 티탄, 지르코늄 및 희토류 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 금속 원소를, 스트론튬과 칼슘의 합계 몰량을 100 몰로 했을 때에 0.0005 ∼ 20 몰의 범위가 되는 양으로 함유하고, 또한 평균 세공 직경이 0.01 ∼ 0.50 ㎛ 의 범위에 있는 금속 산화물 다결정체에 있다.
본 발명의 다결정체의 바람직한 양태는 다음과 같다.
(1) 상대 밀도가 90 ％ 이상이다.
(2) 금속 원소가 규소, 알루미늄, 티탄, 디스프로슘으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 금속 원소이다.
본 발명은 또한, 상기 본 발명의 금속 산화물 다결정체에, 감압하에서 전자빔을 조사하여 스트론튬과 칼슘을 함유하는 산화물을 기화시키고, 기화된 산화물을 기판 상에 퇴적시켜 이루어지는 스트론튬과 칼슘을 함유하는 금속 산화물막의 제조 방법에도 있다.
본 발명의 금속 산화물 다결정체는, 탄산스트론튬 입자와 탄산칼슘 입자가 스트론튬과 칼슘의 몰비가 0.2 : 0.8 ∼ 0.8 : 0.2 의 범위가 되는 비율로 분산되어 있고, 규소, 알루미늄, 티탄, 지르코늄 및 희토류 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 금속 원소의 화합물을, 스트론튬과 칼슘의 합계 몰량을 100 몰로 했을 때에 0.0005 ∼ 20 몰의 범위가 되는 양으로 함유하는, 평균 입자 직경이 0.05 ∼ 2.0 ㎛ 의 범위에 있는 수성 분산액을 분무 건조시켜 건조 입상물을 얻는 공정, 그 건조 입상물을 펠릿 형상으로 성형(成形)하는 공정, 그리고 얻어진 펠릿 형상 성형물을 소성하는 공정을 포함하는 방법에 의해 제조할 수 있다.
본 발명의 금속 산화물 다결정체는 또한, 스트론튬과 칼슘을 몰비로 0.2 : 0.8 ∼ 0.8 : 0.2 의 범위로 함유하는 탄산염의 입자가 분산되어 있고, 규소, 알루미늄, 티탄, 지르코늄 및 희토류 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 금속 원소의 화합물을, 스트론튬과 칼슘의 합계 몰량을 100 몰로 했을 때에 0.0005 ∼ 20 몰의 범위가 되는 양으로 함유하는, 평균 입자 직경이 0.05 ∼ 2.0 ㎛ 의 범위에 있는 수성 분산액을 분무 건조시켜 건조 입상물을 얻는 공정, 그 건조 입상물을 펠릿 형상으로 성형하는 공정, 그리고 얻어진 펠릿 형상 성형물을 소성하는 공정을 포함하는 방법에 의해 제조할 수 있다.
본 발명의 다결정체는, 온도 25 ℃ 이고, 상대 습도 47 ％ 인 분위기하에서 168 시간 정치 (靜置) 했을 때의 질량 증가율이 통상은 0.5 질량％ 이하, 특히 0.01 ∼ 0.5 질량％ 의 범위에 있고, 흡습성이 낮기 때문에, 본 발명의 다결정체를 증착재로서 사용함으로써 전자빔 증착법이나 스퍼터법 등의 물리 기상 성장법에 의해 안정된 조건에서 스트론튬과 칼슘을 함유하는 산화물막을 제조할 수 있다. 또, 본 발명의 다결정체는 흡습성이 낮고, 또한 특정 금속 원소를 소정의 양으로 함유하기 때문에, 본 발명의 다결정체를 증착재로서 사용하여 제조한 스트론튬과 칼슘을 함유하는 산화물막은, AC 형 PDP 의 방전 개시 전압을 저감시키는 효과가 크다. 또, 본 발명의 제조 방법을 이용함으로써, AC 형 PDP 의 유전체층 보호막으로서 유용한 스트론튬과 칼슘을 함유하는 산화물막을 제조하기 위한 증착재로서 사용할 수 있는 다결정체를 공업적으로 유리하게 제조할 수 있다.
도 1 은 실시예 1 및 실시예 5 에서 제조한 다결정체를 온도 25 ℃, 상대 습도 47 ％ 로 조제한 항온 항습기 내에 정치했을 때의 질량 증가율의 시간의 경과에 따른 변화를 나타내는 그래프이다.
본 발명의 다결정체는 스트론튬과 칼슘을 몰비로 0.2 : 0.8 ∼ 0.8 : 0.2 의 범위, 바람직하게는 0.3 : 0.7 ∼ 0.7 : 0.3 의 범위로 함유하는 산화물의 결정 입자로 형성되어 있다.
본 발명의 다결정체는, 하기 일반식에 의해 나타낼 수 있다.
Sr1 - xCaxO:M
상기 일반식에 있어서, M 은 규소, 알루미늄, 티탄, 지르코늄 및 희토류 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 금속 원소를 의미한다. x 는 0.2 ∼ 0.8 의 범위, 바람직하게는 0.3 ∼ 0.7 의 범위의 수를 의미한다.
단, M 으로 나타내는 금속 원소는 다결정체를 형성하고 있는 결정 입자의 내부에 존재하고 있어도 되고, 결정 입자 사이의 입계에 존재하고 있어도 된다. 금속 원소가 결정 입자 사이의 입계에 존재하는 경우에는, 금속 원소는 통상적으로 산화물 상태로 존재한다. 금속 원소의 함유량은 스트론튬의 몰량과 칼슘의 몰량의 합계를 100 몰로 했을 때에 0.0005 ∼ 20 몰의 범위가 되는 양이다.
금속 원소가 결정 입자의 내부에 존재하고 있어도 결정 입자 사이의 입계에 존재하고 있어도 다결정체에 전자빔을 조사하면, 스트론튬과 칼슘과 함께 금속 원소도 기화되기 때문에, 얻어지는 산화물막 내로 금속 원소가 들어간다. 이 금속 원소가 산화물막 내로 들어감으로써, 산화물막의 2차 전자 방출 계수가 향상된다. 이 때문에, 본 발명의 다결정체를 증착재로서 사용하여 전자빔 증착법에 의해 제조한 산화물막을 AC 형 PDP 의 유전체층 보호막에 사용하면, AC 형 PDP 의 방전 개시 전압이 저감될 것으로 생각된다.
M 으로 나타내는 금속 원소는 규소, 알루미늄, 티탄 및 희토류 원소가 바람직하다. 희토류 원소는 스칸듐, 이트륨, 세륨 및 디스프로슘인 것이 바람직하고, 디스프로슘인 것이 특히 바람직하다.
스트론튬의 몰량과 칼슘의 몰량의 합계를 100 몰로 했을 때의 금속 원소의 함유량은, 금속 원소가 규소인 경우에는 0.051 ∼ 5.2 몰의 범위에 있는 것이 바람직하다. 금속 원소가 알루미늄인 경우에는 0.10 ∼ 11 몰의 범위에 있는 것이 바람직하다. 금속 원소가 티탄인 경우에는 0.0044 ∼ 0.45 몰의 범위에 있는 것이 바람직하다. 금속 원소가 지르코늄인 경우에는 0.031 ∼ 3.2 몰의 범위에 있는 것이 바람직하다. 금속 원소가 희토류 원소인 경우에는 0.0041 ∼ 1.6 몰의 범위에 있는 것이 바람직하다. 특히 희토류 원소가 디스프로슘인 경우에는 0.0044 ∼ 0.45 몰의 범위에 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 다결정체는 평균 세공 직경이 0.01 ∼ 0.50 ㎛ 의 범위, 바람직하게는 0.01 ∼ 0.40 ㎛ 의 범위에 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 평균 세공 직경은 수은 압입법에 의해 측정한 값이다.
본 발명의 다결정체의 형상은 특별히 한정되는 것은 아니지만 원판 형상인 것이 바람직하다. 원판 형상 다결정체는 직경이 2.0 ∼ 10 ㎜ 의 범위인 것이 바람직하고, 두께가 1.0 ∼ 5.0 ㎜ 의 범위인 것이 바람직하다. 원판 형상 다결정체의 애스펙트비 (두께/직경) 는 1.0 이하인 것이 바람직하다.
본 발명의 다결정체는 상대 밀도가 90 ％ 이상인 것이 바람직하고, 95 ％ 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서, 상대 밀도는 하기 식에 의해 산출된 값이다.
상대 밀도 = 100 × 부피 밀도/진밀도
또한, 다결정체의 진밀도는 산화칼슘의 진밀도와 산화스트론튬의 진밀도와, 합계 몰량을 1 로 했을 때의 다결정체 중의 칼슘과 스트론튬의 몰비로부터 하기 식을 사용하여 산출된 값이다.
진밀도 (g/㎤) = 3.350 g/㎤ (산화칼슘의 진밀도) × 다결정체 중의 칼슘의 몰비 + 5.009 g/㎤ (산화스트론튬의 진밀도) × 다결정체 중의 스트론튬의 몰비
본 발명의 다결정체는 스트론튬과 칼슘을 함유하는 산화물막을 전자빔 증착법에 의해 제조할 때의 증착재로서 유리하게 사용할 수 있다. 즉, 본 발명의 다결정체를 전자빔 증착 장치의 증착 챔버에 배치하고, 감압하에서 다결정체에 전자빔을 조사하여 스트론튬과 칼슘을 함유하는 산화물을 기화시키고, 기화된 산화물을 기판 상에 퇴적시키는 방법에 의해 기판 상에 스트론튬과 칼슘을 함유하는 산화물막을 유리하게 제조할 수 있다. 막 제조시의 증착 챔버 내의 압력은, 전체 압력으로 6.00 × 10-2 ㎩ 이하인 것이 바람직하다. 또, 증착 챔버 내에는 산소 가스가 산소 분압으로 0.10 ∼ 5.99 × 10-2 ㎩ 의 범위, 특히 0.50 ∼ 4.00 × 10-2 ㎩ 의 범위에서 존재하고 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 다결정체는 또한 이온 플레이팅법이나 스퍼터법 등의 전자빔 증착법 이외의 물리 기상 성장법에 의해 산화물막을 제조할 때의 증착재로서도 사용할 수 있다.
본 발명의 다결정체는 액체 매체 중에 탄산스트론튬 입자와 탄산칼슘 입자가, 이들 입자 중의 스트론튬과 칼슘의 몰비가 0.2 : 0.8 ∼ 0.8 : 0.2 의 범위가 되는 비율로 분산되고, 규소, 알루미늄, 티탄, 지르코늄 및 희토류 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 금속 원소가, 그 탄산스트론튬 입자 중의 스트론튬의 몰량과 그 탄산칼슘 입자 중의 칼슘의 몰량의 합계를 100 몰로 했을 때에 0.0005 ∼ 20 몰의 범위가 되는 양으로 용해 또는 그 금속 원소를 함유하는 화합물 입자 상태로 분산되어 있고, 그 액체 매체 중의 전체 입자의 평균 입자 직경이 0.05 ∼ 2.0 ㎛ 의 범위에 있는 분산액을 조제하고, 이 분산액을 분무 건조시켜 건조 입상물을 얻고, 이어서 그 건조 입상물을 펠릿 형상으로 성형한 후, 얻어진 펠릿 형상 성형물을 소성하는 방법에 의해 제조할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서 액체 매체 중의 전체 입자의 평균 입자 직경이란, 금속 원소가 화합물 입자로서 분산되어 있는 경우에는 그 금속 원소의 화합물 입자를 함유하는 전체 입자의 평균 입자 직경을 의미한다. 또, 평균 입자 직경은 그 값이 0.1 ㎛ 이상인 경우에는 레이저 회절법에 의해 측정한 값을 의미하고, 0.1 ㎛ 미만인 경우에는 동적 광산란법에 의해 측정한 값을 의미한다.
분산액은 탄산스트론튬 입자와 탄산칼슘 입자와 액체 매체를 혼합하여 얻은 혼합액에 규소, 알루미늄, 티탄, 지르코늄 및 희토류 원소 등의 금속 원소의 수용성 염 혹은 그 금속 원소를 함유하는 화합물 입자를 첨가한 후, 그 혼합액을 볼 밀 혹은 미디어 밀 (교반 밀) 등의 혼합 분쇄 장치를 사용하여 액체 매체 중의 전체 입자의 평균 입자 직경이 0.05 ∼ 2.0 ㎛ 의 범위가 되도록 혼합하면서 분쇄함으로써 조제할 수 있다.
분산액의 조제에 사용하는 탄산스트론튬 입자는, 평균 입자 직경이 0.03 ∼ 100 ㎛ 의 범위에 있는 것이 바람직하고, 0.05 ∼ 100 ㎛ 의 범위에 있는 것이 보다 바람직하다. 탄산스트론튬 입자는 BET 비표면적이 0.1 ∼ 70 ㎡/g 의 범위에 있는 것이 바람직하다. 탄산스트론튬 입자는 입자 형상이 바늘 형상 혹은 입상인 것이 바람직하다. 탄산스트론튬 입자의 순도는 99 질량％ 이상인 것이 바람직하다.
분산액의 조제에 사용하는 탄산칼슘 입자는, 평균 입자 직경이 0.03 ∼ 100 ㎛ 의 범위에 있는 것이 바람직하고, 0.05 ∼ 100 ㎛ 의 범위에 있는 것이 보다 바람직하다. 탄산칼슘 입자는 BET 비표면적이 0.1 ∼ 60 ㎡/g 의 범위에 있는 것이 바람직하다. 탄산칼슘 입자는 입자 형상이 정육면체 형상인 것이 바람직하고, 애스펙트비가 1 ∼ 2 의 범위에 있는 정육면체 형상인 것이 보다 바람직하다. 탄산칼슘 입자의 순도는 99 질량％ 이상인 것이 바람직하다.
분산액의 조제에 사용하는 금속 원소의 수용성 염의 예로는, 금속 원소의 질산염 및 염화물을 들 수 있다. 금속 원소의 수용성 염은 수용액 상태에서 혼합액에 첨가해도 된다.
분산액의 조제에 사용하는 금속 원소를 함유하는 화합물 입자는, 평균 입자 직경이 0.01 ∼ 2 ㎛ 의 범위에 있는 것이 바람직하다. 화합물 입자로는 산화물 입자, 수산화물 입자 및 탄산염 입자를 들 수 있다.
분산액의 조제에 사용하는 액체 매체에는 물, 1 가 알코올 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 1 가 알코올의 예로는 에탄올, 프로판올 및 부탄올을 들 수 있다. 액체 매체는 물인 것이 바람직하다.
분산액에는 폴리카르복실산염을 첨가해도 된다. 폴리카르복실산염은 분산제로서 작용한다. 폴리카르복실산염은 암모늄염 및 알킬암모늄염인 것이 바람직하다. 폴리카르복실산염의 첨가량은 혼합물 분산액 중의 고형분 100 질량부에 대해 0.5 ∼ 20 질량부의 범위, 특히 1 ∼ 10 질량부의 범위에 있는 것이 바람직하다. 폴리카르복실산염은 혼합물 분산액에 첨가해도 되고, 원료인 탄산스트론튬 입자 및 탄산칼슘 입자의 양방 혹은 일방의 표면에 미리 부착시켜 두어도 된다.
분산액에는 추가로 액체 매체와 상용성을 갖는 폴리머 및/또는 폴리우레탄 에멀션을 첨가하는 것이 바람직하다. 당해 폴리머는 건조 혼합 입상물로부터 펠릿 형상 성형물을 얻을 때의 바인더로서 작용한다. 물과 상용성을 갖는 폴리머의 예로는, 폴리에틸렌글리콜, 폴리비닐알코올, 폴리비닐부티랄 및 아크릴계 공중합물을 들 수 있다. 폴리머의 첨가량은 혼합물 분산액 중의 고형분 100 질량부에 대해 0.10 ∼ 10 질량부의 범위에 있는 것이 바람직하다. 폴리머는 혼합 분쇄를 실시하기 전에 첨가해도 되고, 혼합 분쇄를 실시한 후, 분산액의 분무 건조 전에 첨가해도 된다.
분산액의 분무 건조는 통상의 스프레이 드라이어를 사용하여 실시할 수 있다. 분무 건조 온도는 150 ∼ 280 ℃ 의 범위에 있는 것이 바람직하다.
분산액의 분무 건조에 의해 얻어진 건조 혼합 입상물은, 프레스 성형법 등의 방법에 의해 펠릿 형상으로 성형한다. 성형 압력은 0.3 ∼ 3 톤/㎠ 의 범위에 있는 것이 바람직하다.
펠릿 형상 성형물의 소성은 1400 ∼ 1800 ℃ 의 온도에서 실시하는 것이 바람직하다. 소성 시간은 성형물의 사이즈 (특히 두께) 나 소성 온도 등의 요건에 따라 변화하기 때문에 일률적으로 정할 수는 없지만, 일반적으로 1 ∼ 7 시간이다.
본 발명의 다결정체는 또한, 액체 매체 중에 스트론튬과 칼슘을 몰비로 0.2 : 0.8 ∼ 0.8 : 0.2 의 범위로 함유하는 탄산염의 입자가 분산되고, 규소, 알루미늄, 티탄, 지르코늄 및 희토류 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 금속 원소가, 그 탄산염 입자 중의 스트론튬의 몰량과 칼슘의 몰량의 합계를 100 몰로 했을 때에 0.0005 ∼ 20 몰의 범위가 되는 양으로 용해 혹은 그 금속 원소를 함유하는 화합물 입자 상태에서 분산되어 있고, 그 액체 매체 중의 전체 입자의 평균 입자 직경이 0.05 ∼ 2.0 ㎛ 의 범위에 있는 분산액을 조제하고, 이 분산액을 분무 건조시켜 건조 입상물을 얻고, 이어서 그 건조 입상물을 펠릿 형상으로 성형한 후, 얻어진 펠릿 형상 성형물을 소성하는 방법에 의해서도 제조할 수 있다.
분산액은 액체 매체에 물을 사용하여, 수중에서 스트론튬과 칼슘을 함유하는 탄산염 입자를 생성시키기 전 혹은 생성시킨 후에, 규소, 알루미늄, 티탄, 지르코늄 및 희토류 원소 등의 금속 원소의 수용성 염 혹은 그 금속 원소를 함유하는 화합물 입자를 첨가한 후, 그 혼합액을 볼 밀 혹은 미디어 밀 (교반 밀) 등의 혼합 분쇄 장치를 사용하여 액체 매체 중의 전체 입자의 평균 입자 직경이 0.05 ∼ 2.0 ㎛ 의 범위가 되도록 혼합하면서 분쇄함으로써 조제하는 것이 바람직하다.
수중에서 스트론튬과 칼슘을 함유하는 탄산염 입자를 생성시키는 방법으로는, 질산스트론튬이나 염화스트론튬 등의 스트론튬 수용성 염과, 질산칼슘이나 염화칼슘 등의 칼슘 수용성 염을 수성 매체에 용해시키고, 이어서 그 수용액에 암모니아 수용액을 첨가하여 그 수용액의 pH 를 7 ∼ 14 의 범위로 조정한 후, 그 수용액에 이산화탄소 가스를 공급하는 방법, 혹은 수산화칼슘 입자와 수산화스트론튬 입자를 물에 분산시키고, 이어서 그 수성 분산액에 이산화탄소 가스를 공급하는 방법을 사용할 수 있다.
분산액을 분무 건조시켜 건조 입상물을 얻고, 이어서 그 건조 입상물을 펠릿 형상으로 성형한 후, 얻어진 펠릿 형상 성형물을 소성하는 공정에 대해서는, 원료에 탄산스트론튬 입자와 탄산칼슘 입자를 사용한 경우와 동일하게 할 수 있다.
실시예
[실시예 1]
(1) 탄산스트론튬 입자와 탄산칼슘 입자와 이산화규소 입자가 분산된 분산액의 조제
탄산칼슘 입자 (순도 : 99.5 질량％, BET 비표면적 : 44 ㎡/g, 평균 입자 직경 : 6.9 ㎛, 1차 입자 형상 : 정육면체 형상) 202 g, 탄산스트론튬 입자 (순도 99.5 질량％, BET 비표면적 : 20 ㎡/g, 평균 입자 직경 : 1.2 ㎛, 1차 입자 형상 : 바늘 형상) 298 g, 그리고 물 1167 ㎖ 를 혼합하여 혼합액을 얻었다. 이 혼합액에 이산화규소 입자 (순도 : 99 질량％, 평균 입자 직경 : 0.5 ㎛) 0.1861 g 을 첨가한 후, 그 혼합액을 철심이 들어 있는 나일론 볼 (직경 : 11 ㎜) 이 충전되어 있는 볼 밀에 투입하여 25 시간 혼합 분쇄하여 탄산스트론튬 입자와 탄산칼슘 입자와 이산화규소 입자가 분산된 분산액을 조제하였다. 이 분산액 중의 전체 입자의 평균 입자 직경을 하기 방법에 의해 측정한 결과 0.74 ㎛ 였다. 또한, 분산액 중의 스트론튬, 칼슘, 규소의 몰비는 50 : 50 : 0.078 (Sr : Ca : Si) 이다.
[평균 입자 직경의 측정 방법]
레이저 회절식 입도 분포 측정 장치 (마이크로트랙 9320HRA, 닛키소 (주) 제조) 혹은 동적 광산란식 입도 분포 측정 장치 (나노트랙 UPA-150, 닛키소 (주) 제조) 를 사용하여 측정하였다. 평균 입자 직경 측정용 시료는 분산액을 분산액 중의 고형분 0.5 g 에 대해 50 g 의 물로 희석시킨 후, 초음파 분산 처리를 3 분간 실시하여 조제하였다.
(2) 다결정체의 제조
상기 (1) 에서 조제된 분산액에 폴리비닐알코올을 고형분 100 질량부에 대해 2.5 질량부가 되는 양으로, 폴리에틸렌글리콜을 고형분 100 질량부에 대해 0.4 질량부가 되는 양으로 첨가하여 교반하였다. 이어서, 분산액을 스프레이 드라이어를 사용하여 분무 건조 (건조 온도 : 200 ℃) 시켜 건조 입상물을 얻었다. 얻어진 건조 입상물을 성형압 0.6 톤/㎠ 로 펠릿 형상 (직경 : 8 ㎜, 두께 : 3.0 ㎜, 성형체 밀도 : 1.85 g/㎤) 으로 성형하였다. 이어서, 얻어진 펠릿 형상 성형물을 1650 ℃ 의 온도에서 5 시간 소성하여 다결정체를 얻었다.
(3) 평가
얻어진 다결정체의 평균 세공 직경, 상대 밀도 및 수증기 존재하에서의 질량 증가율을 하기 방법에 의해 측정하였다. 또, 얻어진 다결정체를 사용하여 하기 방법에 의해 AC 형 PDP 의 전면판의 모의 패널을 제조하고, 그 모의 패널의 방전 개시 전압을 측정하였다.
도 1 에 수증기 존재하에서의 다결정체의 정치 시간과 질량 증가율의 관계를 나타낸다. 도 1 의 결과로부터 질량 증가율은 시간이 경과함에 따라 증가하는 것을 알 수 있다. 또한, 48 시간 정치 후의 질량 증가율은 0.008 질량％ 이다. 하기의 표 1 에 다결정체의 평균 세공 직경, 상대 밀도, 168 시간 정치 후의 질량 증가율 및 모의 패널의 방전 개시 전압의 측정 결과를 나타낸다.
[평균 세공 직경의 측정 방법]
수은 포로시미터 (Quntachrome 제조, PoreMaster 60-GT) 를 사용하여 세공 직경이 0.0036 ∼ 400 ㎛ 의 범위에 있는 세공의 누적 세공 용적과 누적 비표면적을 측정하고, 하기 식에 의해 평균 세공 직경을 산출하였다.
평균 세공 직경 = 4 × 누적 세공 용적/누적 비표면적
[상대 밀도의 측정 방법]
부피 밀도를 케로신을 매액으로 사용한 아르키메데스법에 의해 측정하고, 진밀도는 4.18 g/㎤ [Sr0 .5Ca0 .5O = 3.350 g/㎤ (산화칼슘의 진밀도) × 0.5 + 5.009 g/㎤ (산화스트론튬의 진밀도) × 0.5] 로 하여, 하기 식에 의해 산출하였다.
상대 밀도 = 100 × 부피 밀도/진밀도
[질량 증가율의 측정 방법]
미리 질량을 측정한 다결정체를 온도 25 ℃, 상대 습도 47 ％ 로 조제한 항온 항습기 내에 정치하였다. 정치 후의 질량 증가량을 24 시간마다 측정하고, 하기 식에 의해 산출하였다.
질량 증가율 = 100 × 질량 증가량/정치 전의 질량
[모의 패널의 제조와 방전 개시 전압의 측정 방법〕
(1) 석영 기판 상에 서로 0.2 ㎜ 의 간격으로 평행하게 배치된 1 쌍의 방전 전극이 10 세트 형성되어 있고, 그 방전 전극의 표면이 유전체층으로 덮여 있는 기판을 준비하였다. 이 기판의 유전체층 상에, 다결정체를 증착재로 하여 전자빔 증착 장치 (EX-50-D10 형, ULVAC 사 제조) 를 사용하여 증착 전압 8 ㎸, 증착 속도 2 ㎚/초, 산소 분압 2 × 10-2 ㎩, 기판 온도 200 ℃ 의 조건에서 두께 1000 ㎚ 의 스트론튬과 칼슘을 함유하는 산화물막을 제조하여 모의 패널을 제조하였다.
(2) 방전 개시 전압
모의 패널의 방전 전극을 전원에 접속시켰다. 모의 패널을 밀폐 용기에 넣고, 그 밀폐 용기 내의 압력을 1 ㎪ 이하로까지 감압한 후, 그 밀폐 용기 내에 네온 가스를 95 체적％, 크세논 가스를 5 체적％ 의 비율로 함유하는 혼합 가스를 60 ㎪ (450 토르) 의 압력이 되도록 봉입하였다. 이 조작을 3 회 반복한 후, 모의 패널의 방전 전극 사이에 전압을 인가하고, 서서히 전압을 상승시켜 10 세트의 방전 전극이 모두 점등되었을 때의 전압을 오실로스코프로 판독하여, 이 전압을 방전 개시 전압으로 하였다.
[실시예 2]
이산화규소 입자의 첨가량을 1.8629 g 으로 한 것 이외에는, 실시예 1 의 (1) 과 동일하게 하여 탄산스트론튬 입자와 탄산칼슘 입자와 이산화규소 입자가 분산된 분산액을 조제하였다. 이 분산액 중의 전체 입자의 평균 입자 직경은 0.76 ㎛ 였다. 또한, 분산액 중의 스트론튬, 칼슘, 규소의 몰비는 50 : 50 : 0.78 (Sr : Ca : Si) 이다. 이어서, 이 분산액을 사용한 것 이외에는, 실시예 1 의 (2) 와 동일하게 하여 다결정체를 제조하였다.
얻어진 다결정체의 평균 세공 직경, 상대 밀도 및 질량 증가율을 실시예 1 과 동일하게 하여 측정하였다. 또, 얻어진 다결정체를 사용하고, 실시예 1 과 동일하게 하여 AC 형 PDP 의 전면판의 모의 패널을 제조하고, 그 모의 패널의 방전 개시 전압을 측정하였다. 그 결과를 하기의 표 1 에 나타낸다.
[실시예 3]
이산화규소 입자의 첨가량을 4.3469 g 으로 한 것 이외에는, 실시예 1 의 (1) 과 동일하게 하여 탄산스트론튬 입자와 탄산칼슘 입자와 이산화규소 입자가 분산된 분산액을 조제하였다. 이 분산액 중의 전체 입자의 평균 입자 직경은 0.77 ㎛ 였다. 또한, 분산액 중의 스트론튬, 칼슘, 규소의 몰비는 50 : 50 : 1.8 (Sr : Ca : Si) 이다. 이어서, 이 분산액을 사용한 것 이외에는, 실시예 1 의 (2) 와 동일하게 하여 다결정체를 제조하였다.
얻어진 다결정체의 평균 세공 직경, 상대 밀도 및 질량 증가율을 실시예 1 과 동일하게 하여 측정하였다. 또, 얻어진 다결정체를 사용하고, 실시예 1 과 동일하게 하여 AC 형 PDP 의 전면판의 모의 패널을 제조하고, 그 모의 패널의 방전 개시 전압을 측정하였다. 그 결과를 하기의 표 1 에 나타낸다.
[실시예 4]
이산화규소 입자 대신에 질산알루미늄 수용액 (알루미늄 농도 : 4 질량％) 을 3.6285 g 첨가한 것 이외에는, 실시예 1 의 (1) 과 동일하게 하여 탄산스트론튬 입자와 탄산칼슘 입자가 분산되어 있고, 질산알루미늄이 용해되어 있는 분산액을 조제하였다. 이 분산액 중의 전체 입자의 평균 입자 직경은 0.92 ㎛ 였다. 또한, 분산액 중의 스트론튬, 칼슘, 알루미늄의 몰비는 50 : 50 : 0.13 (Sr : Ca : Al) 이다. 이어서, 이 분산액을 사용한 것 이외에는, 실시예 1 의 (2) 와 동일하게 하여 다결정체를 제조하였다.
얻어진 다결정체의 평균 세공 직경, 상대 밀도 및 질량 증가율을 실시예 1 과 동일하게 하여 측정하였다. 또, 얻어진 다결정체를 사용하고, 실시예 1 과 동일하게 하여 AC 형 PDP 의 전면판의 모의 패널을 제조하고, 그 모의 패널의 방전 개시 전압을 측정하였다. 그 결과를 하기의 표 1 에 나타낸다.
[실시예 5]
이산화규소 입자 대신에 질산알루미늄 수용액 (알루미늄 농도 : 4 질량％) 을 43.5410 g 첨가한 것 이외에는, 실시예 1 의 (1) 과 동일하게 하여 탄산스트론튬 입자와 탄산칼슘 입자가 분산되어 있고, 질산알루미늄이 용해되어 있는 분산액을 조제하였다. 이 분산액 중의 전체 입자의 평균 입자 직경은 0.68 ㎛ 였다. 또한, 분산액 중의 스트론튬, 칼슘, 알루미늄의 몰비는 50 : 50 : 1.6 (Sr : Ca : Al) 이다. 이어서, 이 분산액을 사용한 것 이외에는, 실시예 1 의 (2) 와 동일하게 하여 다결정체를 제조하였다.
얻어진 다결정체의 평균 세공 직경, 상대 밀도 및 질량 증가율을 실시예 1 과 동일하게 하여 측정하였다. 또, 얻어진 다결정체를 사용하고, 실시예 1 과 동일하게 하여 AC 형 PDP 의 전면판의 모의 패널을 제조하고, 그 모의 패널의 방전 개시 전압을 측정하였다. 그 결과를 하기의 표 1 에 나타낸다. 또, 도 1 에 다결정체의 정치 시간과 질량 증가율의 관계를 나타낸다. 도 1 의 결과로부터 질량 증가율은 시간이 경과함에 따라 증가하는 것을 알 수 있다. 또한, 48 시간 정치 후의 질량 증가율은 0.005 질량％ 이다.
[실시예 6]
이산화규소 입자 대신에 질산알루미늄 수용액 (알루미늄 농도 : 4 질량％) 을 108.8528 g 첨가한 것 이외에는, 실시예 1 의 (1) 과 동일하게 하여 탄산스트론튬 입자와 탄산칼슘 입자가 분산되어 있고, 질산알루미늄이 용해되어 있는 분산액을 조제하였다. 이 분산액 중의 전체 입자의 평균 입자 직경은 0.70 ㎛ 였다. 또한, 분산액 중의 스트론튬, 칼슘, 알루미늄의 몰비는 50 : 50 : 4.0 (Sr : Ca : Al) 이다. 이어서, 이 분산액을 사용한 것 이외에는, 실시예 1 의 (2) 와 동일하게 하여 다결정체를 제조하였다.
얻어진 다결정체의 평균 세공 직경, 상대 밀도 및 질량 증가율을 실시예 1 과 동일하게 하여 측정하였다. 또, 얻어진 다결정체를 사용하고, 실시예 1 과 동일하게 하여 AC 형 PDP 의 전면판의 모의 패널을 제조하고, 그 모의 패널의 방전 개시 전압을 측정하였다. 그 결과를 하기의 표 1 에 나타낸다.
[실시예 7]
이산화규소 입자 대신에 이산화티탄 입자 (순도 : 98 질량％, 평균 입자 직경 : 0.05 ㎛) 를 4.8432 g 첨가한 것 이외에는, 실시예 1 의 (1) 과 동일하게 하여 탄산스트론튬 입자와 탄산칼슘 입자와 이산화티탄 입자가 분산된 분산액을 조제하였다. 이 분산액 중의 전체 입자의 평균 입자 직경은 0.77 ㎛ 였다. 또한, 분산액 중의 스트론튬, 칼슘, 티탄의 몰비는 50 : 50 : 1.5 (Sr : Ca : Ti) 이다. 이어서, 이 분산액을 사용한 것 이외에는, 실시예 1 의 (2) 와 동일하게 하여 다결정체를 제조하였다.
얻어진 다결정체의 평균 세공 직경, 상대 밀도 및 질량 증가율을 실시예 1 과 동일하게 하여 측정하였다. 또, 얻어진 다결정체를 사용하고, 실시예 1 과 동일하게 하여 AC 형 PDP 의 전면판의 모의 패널을 제조하고, 그 모의 패널의 방전 개시 전압을 측정하였다. 그 결과를 하기의 표 1 에 나타낸다.
[실시예 8]
이산화규소 입자 대신에 이산화티탄 입자 (순도 : 98 질량％, 평균 입자 직경 : 0.05 ㎛) 를 7.2648 g 첨가한 것 이외에는, 실시예 1 의 (1) 과 동일하게 하여 탄산스트론튬 입자와 탄산칼슘 입자와 이산화티탄 입자가 분산된 분산액을 조제하였다. 이 분산액 중의 전체 입자의 평균 입자 직경은 0.78 ㎛ 였다. 또한, 분산액 중의 스트론튬, 칼슘, 티탄의 몰비는 50 : 50 : 2.3 (Sr : Ca : Ti) 이다. 이어서, 이 분산액을 사용한 것 이외에는, 실시예 1 의 (2) 와 동일하게 하여 다결정체를 제조하였다.
얻어진 다결정체의 평균 세공 직경, 상대 밀도 및 질량 증가율을 실시예 1 과 동일하게 하여 측정하였다. 또, 얻어진 다결정체를 사용하고, 실시예 1 과 동일하게 하여 AC 형 PDP 의 전면판의 모의 패널을 제조하고, 그 모의 패널의 방전 개시 전압을 측정하였다. 그 결과를 하기의 표 1 에 나타낸다.
[실시예 9]
이산화규소 입자 대신에 질산디스프로슘 수용액 (디스프로슘 농도 : 4 질량％) 을 0.7257 g 첨가한 것 이외에는, 실시예 1 의 (1) 과 동일하게 하여 탄산스트론튬 입자와 탄산칼슘 입자가 분산되어 있고, 질산디스프로슘이 용해되어 있는 분산액을 조제하였다. 이 분산액 중의 전체 입자의 평균 입자 직경은 0.71 ㎛ 였다. 또한, 분산액 중의 스트론튬, 칼슘, 디스프로슘의 몰비는 50 : 50 : 0.0045 (Sr : Ca : Dy) 이다. 이어서, 이 분산액을 사용한 것 이외에는, 실시예 1 의 (2) 와 동일하게 하여 다결정체를 제조하였다.
얻어진 다결정체의 평균 세공 직경, 상대 밀도 및 질량 증가율을 실시예 1 과 동일하게 하여 측정하였다. 또, 얻어진 다결정체를 사용하고, 실시예 1 과 동일하게 하여 AC 형 PDP 의 전면판의 모의 패널을 제조하고, 그 모의 패널의 방전 개시 전압을 측정하였다. 그 결과를 하기의 표 1 에 나타낸다.
[실시예 10]
이산화규소 입자 대신에 질산디스프로슘 수용액 (디스프로슘 농도 : 4 질량％) 을 21.7700 g 첨가한 것 이외에는, 실시예 1 의 (1) 과 동일하게 하여 탄산스트론튬 입자와 탄산칼슘 입자가 분산되어 있고, 질산디스프로슘이 용해되어 있는 분산액을 조제하였다. 이 분산액 중의 전체 입자의 평균 입자 직경은 0.73 ㎛ 였다. 또한, 분산액 중의 스트론튬, 칼슘, 디스프로슘의 몰비는 50 : 50 : 0.13 (Sr : Ca : Dy) 이다. 이어서, 이 분산액을 사용한 것 이외에는, 실시예 1 의 (2) 와 동일하게 하여 다결정체를 제조하였다.
얻어진 다결정체의 평균 세공 직경, 상대 밀도 및 질량 증가율을 실시예 1 과 동일하게 하여 측정하였다. 또, 얻어진 다결정체를 사용하고, 실시예 1 과 동일하게 하여 AC 형 PDP 의 전면판의 모의 패널을 제조하고, 그 모의 패널의 방전 개시 전압을 측정하였다. 그 결과를 하기의 표 1 에 나타낸다.
[비교예 1]
이산화규소 입자를 첨가하지 않은 것, 볼 밀에 의한 혼합 분쇄 시간을 5 시간으로 한 것 이외에는, 실시예 1 의 (1) 과 동일하게 하여 탄산스트론튬 입자와 탄산칼슘 입자가 분산되어 있는 분산액을 조제하였다. 이 분산액 중의 전체 입자의 평균 입자 직경은 2.2 ㎛ 였다. 이어서, 이 분산액을 사용한 것 이외에는, 실시예 1 의 (2) 와 동일하게 하여 다결정체를 제조하였다.
얻어진 다결정체의 평균 세공 직경, 상대 밀도 및 질량 증가율을 실시예 1 과 동일하게 하여 측정하였다. 또, 얻어진 다결정체를 사용하고, 실시예 1 과 동일하게 하여 AC 형 PDP 의 전면판의 모의 패널을 제조하고, 그 모의 패널의 방전 개시 전압을 측정하였다. 그 결과를 하기의 표 1 에 나타낸다.
Figure pat00001
상기 표 1 의 결과로부터 명백한 바와 같이, 특정 금속 원소를 본 발명의 범위로 함유하고, 또한 평균 세공 직경이 본 발명의 범위에 있는 다결정체 (실시예 1 ∼ 10) 는 흡습성 (질량 증가율) 이 낮고, 또한 이 다결정체를 사용하여 전자빔 증착법에 의해 제조한 산화물막은, 모의 패널의 방전 개시 전압을 저감시키는 효과가 높다.

Claims (6)

  1. 스트론튬과 칼슘을 몰비로 0.2 : 0.8 ∼ 0.8 : 0.2 의 범위가 되는 비율로 함유하는 결정 입자로 형성된 금속 산화물 다결정체로서, 규소, 알루미늄, 티탄, 지르코늄 및 희토류 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 금속 원소를, 스트론튬과 칼슘의 합계 몰량을 100 몰로 했을 때에 0.0005 ∼ 20 몰의 범위가 되는 양으로 함유하고, 또한 평균 세공 직경이 0.01 ∼ 0.50 ㎛ 의 범위에 있는 금속 산화물 다결정체.
  2. 제 1 항에 있어서, 상대 밀도가 90 ％ 이상인 금속 산화물 다결정체.
  3. 제 1 항에 있어서, 금속 원소가 규소, 알루미늄, 티탄, 디스프로슘으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 금속 원소인 금속 산화물 다결정체.
  4. 제 1 항에 기재된 금속 산화물 다결정체에, 감압하에서 전자빔을 조사하여 스트론튬과 칼슘을 함유하는 산화물을 기화시키고, 기화된 산화물을 기판 상에 퇴적시켜 이루어지는 스트론튬과 칼슘을 함유하는 금속 산화물막의 제조 방법.
  5. 탄산스트론튬 입자와 탄산칼슘 입자가 스트론튬과 칼슘의 몰비가 0.2 : 0.8 ∼ 0.8 : 0.2 의 범위가 되는 비율로 분산되어 있고, 규소, 알루미늄, 티탄, 지르코늄 및 희토류 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 금속 원소의 화합물을, 스트론튬과 칼슘의 합계 몰량을 100 몰로 했을 때에 0.0005 ∼ 20 몰의 범위가 되는 양으로 함유하는, 평균 입자 직경이 0.05 ∼ 2.0 ㎛ 의 범위에 있는 수성 분산액을 분무 건조시켜 건조 입상물을 얻는 공정, 그 건조 입상물을 펠릿 형상으로 성형하는 공정, 그리고 얻어진 펠릿 형상 성형물을 소성하는 공정을 포함하는 제 1 항에 기재된 금속 산화물 다결정체의 제조 방법.
  6. 스트론튬과 칼슘을 몰비로 0.2 : 0.8 ∼ 0.8 : 0.2 의 범위로 함유하는 탄산염의 입자가 분산되어 있고, 규소, 알루미늄, 티탄, 지르코늄 및 희토류 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 금속 원소의 화합물을, 스트론튬과 칼슘의 합계 몰량을 100 몰로 했을 때에 0.0005 ∼ 20 몰의 범위가 되는 양으로 함유하는, 평균 입자 직경이 0.05 ∼ 2.0 ㎛ 의 범위에 있는 수성 분산액을 분무 건조시켜 건조 입상물을 얻는 공정, 그 건조 입상물을 펠릿 형상으로 성형하는 공정, 그리고 얻어진 펠릿 형상 성형물을 소성하는 공정을 포함하는 제 1 항에 기재된 금속 산화물 다결정체의 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10291854A (ja) * 1997-04-22 1998-11-04 Mitsubishi Materials Corp 多結晶ＭｇＯ蒸着材及びその製造方法
JP2000103614A (ja) * 1998-09-28 2000-04-11 Daiichi Kigensokagaku Kogyo Co Ltd プラズマディスプレイ用ＭｇＯ材料及びその製造方法ならびにプラズマディスプレイ
JP4419343B2 (ja) * 2001-01-25 2010-02-24 三菱マテリアル株式会社 Ｆｐｄの保護膜用蒸着材及びその製造方法
JP2002110048A (ja) * 2000-10-02 2002-04-12 Mitsubishi Materials Corp Ｆｐｄ用保護膜及びこれを用いたｆｐｄ
JP4360926B2 (ja) * 2004-02-03 2009-11-11 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル
WO2006049121A1 (ja) * 2004-11-05 2006-05-11 Ulvac, Inc. プラズマディスプレイパネル用保護膜及びその保護膜の製造方法、プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
JP5129772B2 (ja) * 2008-03-28 2013-01-30 タテホ化学工業株式会社 Ｓｒ−Ｃａ−Ｏ焼結体
JP4818318B2 (ja) * 2008-06-13 2011-11-16 宇部マテリアルズ株式会社 酸化マグネシウム蒸着材及びその製造方法
CN102159502A (zh) * 2008-07-15 2011-08-17 宇部材料工业株式会社 用于制备锶钙复合氧化物膜的蒸镀材料

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