KR20110081955A - 리드 프레임 기판의 제조 방법과 반도체 장치 - Google Patents

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KR20110081955A
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substrate
resin
connection
post
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KR1020117006757A
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스스무 마니와
다께히또 쯔까모또
준꼬 도다
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도판 인사츠 가부시키가이샤
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Abstract

제1면과 제2면을 갖는 금속판과, 상기 제1면에 형성된 접속용 포스트와, 상기 제2면에 형성된 배선과, 프리 몰드용 수지층을 구비한 리드 프레임 기판으로서, 상기 프리 몰드용 수지의 두께가, 상기 접속용 포스트의 높이와 동일한 것을 특징으로 하는 리드 프레임 기판이 제공된다.

Description

리드 프레임 기판의 제조 방법과 반도체 장치{LEAD FRAME SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은, 반도체 소자를 실장할 때 바람직한 반도체 기판의 기술에 관한 것으로, 특히 리드 프레임 기판의 제조 방법과 반도체 장치에 관한 것이다.
본원은, 2008년 9월 29일에, 일본에 출원된 특원 제2008-250860호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
웨이퍼 프로세스로 제조되는 각종의 메모리, CMOS, CPU 등의 반도체 소자는, 전기적 접속용 단자를 갖는다. 그 전기적 접속용 단자의 피치와, 반도체 소자가 장착되는 프린트 기판측의 접속부의 피치는, 그 스케일이 수배 내지 수백배 정도 다르다. 그 때문에, 반도체 소자와 프린트 기판을 접속하고자 하는 경우, 인터포저(interposer)라 불리우는 피치 변환을 위한 중개용 기판(반도체 소자 실장용 기판)이 사용된다.
이 인터포저의 한쪽의 면에, 반도체 소자를 실장하고, 다른 쪽의 면 혹은 인터포저의 주변에서 프린트 기판과의 접속이 취해진다. 인터포저는 내부 혹은 표면에 금속 리드 프레임을 갖고 있고, 리드 프레임에 의해 전기적 접속 경로를 끌어 당겨, 프린트 기판과의 접속을 행하는 외부 접속 단자의 피치를 확장하고 있다.
도 2a∼도 2c에, 인터포저의 일례로서, QFN(Quad Flat Non-Lead)식 리드 프레임 기판의 구조를 모식적으로 도시하였다.
도 2a에 도시한 바와 같이, 알루미늄 혹은 구리로 이루어지는 리드 프레임의 중앙부에 반도체 소자(22)를 탑재하는 리드 프레임의 평탄 부분(21)을 형성하고, 리드 프레임의 외주부에 피치가 넓은 리드(23)를 배설한다. 리드(23)와 반도체 소자(22)의 전기적 접속용 단자와의 접속은, 금선 등의 메탈 와이어(24)에 의한 본딩법을 적용한다. 도 2b에 도시한 바와 같이, 최종적으로는 전체를 몰드용 수지(25)로 몰드하여 일체화한다.
또한, 도 2a 및 도 2b 중의 유지재(27)는, 리드 프레임을 유지하는 것으로, 몰드용 수지(25)에 의한 몰드 후에 도 2c에 도시한 바와 같이 제거된다.
도 2a∼도 2c에 도시한 인터포저에서는, 전기적 접속이 반도체 소자(22)의 외주부와 리드 프레임의 외주부에 있는 리드(23)에서만 행할 수 있기 때문에, 단자수가 많은 반도체 소자에는 부적합하다고 할 수 있다.
프린트 기판과 인터포저의 접속은, 단자수가 적은 경우에는, 인터포저의 외주 부분에 있는 취출 전극(26)에 금속 핀을 장착하여 행해진다. 또한, 단자수가 많은 경우에는, 땜납 볼을 인터포저의 외주 부분의 외부 접속 단자에 어레이 형상으로 배치한 BGA(Ball Grid Array)로 한다.
면적이 좁고 단자수가 많은 반도체 소자에 대해서는, 배선층이 한층만의 인터포저에서는, 피치의 변환이 곤란하기 때문에, 배선층을 다층화하여 적층하는 방법이 취해진다.
면적이 좁고 단자수가 많은 반도체 소자의 경우에는, 반도체 소자의 접속 단자는, 반도체 소자의 저면에 어레이 형상으로 배치하여 형성되는 경우가 많다. 그 때문에, 인터포저측의 외부 접속 단자도 어레이 형상의 배치로서, 인터포저와 프린트 기판과의 접속에는 미소한 땜납 볼을 이용하는 플립 칩 접속 방식이 채용된다. 인터포저 내의 배선은, 상부로부터 수직 방향으로 드릴 혹은 레이저로 구멍을 뚫어, 구멍 내에 금속 도금을 행함으로써, 인터포저의 상하의 전기적 도통이 취해진다.
상기의 방식에 의한 인터포저에서는, 외부 접속 단자의 피치는 150∼200㎛ 정도까지 미세화할 수 있기 때문에, 접속 단자수를 늘릴 수는 있지만, 접합의 신뢰성이나 안정성은 저하하여, 높은 신뢰성이 요구되는 차량 탑재 용도 등에는 적합하지 않다.
이러한 인터포저는 사용하는 재료나 구조에 의해, 리드 프레임 부분이 유지되는 구조가 세라믹인 것, 혹은, P-BGA(Plastic Ball Grid Array), CSP(Chip Size Package), 또는 LGA(Land Grid Array)와 같이 기재가 유기물인 것 등 수종류 있고, 목적 용도에 따라서 구분하여 사용되고 있다.
어떠한 경우라도, 반도체 소자의 소형화, 다핀화, 고속화에 대응하여, 인터포저의 반도체 소자와의 접속 부분의 파인 피치화 및 고속 신호 대응이 진행되고 있다. 미세화의 진전을 고려하면, 단자 부분의 피치는 80∼100㎛가 필요하다.
그런데, 도통부 겸 지지 부재이기도 한 리드 프레임은, 얇은 금속을 에칭하여 형성되지만, 안정된 에칭 처리와, 그 후의 가공에서의 핸들링 때문에, 금속판은 120㎛ 정도의 두께를 갖고 있는 것이 바람직하다. 또한, 와이어 본딩 시에 충분한 접합 강도를 얻기 위해서는, 일정 정도의 금속층의 두께와 랜드 면적이 필요하게 된다. 이들 쌍방의 점을 고려하여, 금속판의 두께로서는 100∼120㎛ 정도가 최저로 필요하다고 할 수 있다. 그 경우, 금속판의 양측으로부터 에칭하는 것으로 하여, 리드의 피치로 120㎛, 리드 선폭으로 60㎛ 정도의 파인화가 한계이다.
또 다른 문제로서, 리드 프레임 제조의 프로세스에 있어서, 유지재를 사용 한 후에 유지재를 폐기하게 되어, 코스트 업이 생긴다고 하는 경우가 있다.
이 점에 대해서, 도 2a∼도 2c를 이용하여 설명한다.
리드 프레임은 폴리이미드 테이프로 이루어지는 유지재(27)에 접착된다. 리드 프레임의 평탄 부분(21)에 반도체 소자(22)를 고정용 수지(28) 혹은 고정용 테이프(28)로 고정한다. 그 후, 와이어 본딩을 행하고, 트랜스퍼 몰드법으로 복수의 반도체 소자(22)를 일괄적으로 몰드용 수지(25)에 의해 몰드한다. 마지막으로, 외장 가공을 실시하고, 반도체 소자(22)마다 절단, 재단하여 완성된다. 리드 프레임의 이면(29)이 프린트 기판과의 접속면으로 되는 경우, 몰드 시에 몰드용 수지(25)가 리드(23) 이면의 접속 단자면에 감돌아 들어가 부착되지 않도록 하기 위해, 유지재(27)는 불가결하다.
그러나, 최종적으로는, 유지재(27)는 불필요하므로, 몰드 가공을 한 후에, 제거하여 버리게 되어, 코스트 업으로 이어진다.
이 분야의 발명으로서, 예를 들면 특허 문헌 1에는, 동일한 리드 프레임에 반도체 소자와 수동 소자를 동시에 실장하고, 그것을 몰드함으로써 부품 내장 반도체 장치를 제공하는 발명도 이미 개시되어 있다.
또한, 상기 문제를 해결하고, 초파인 피치의 배선의 형성을 할 수 있어, 안정된 와이어 본딩 가공이 가능하고, 게다가 경제성에도 우수한 리드 프레임 기판을 제공하는 하나의 대책으로서, (특허 문헌 1에는 개시되어 있지 않지만) 예를 들면, 프리 몰드용 수지를 배선의 지지체로 한 구조의 리드 프레임 기판이 상정된다.
이 하나의 대책은, 리드 프레임 기판을 제조하는 것에 대하여, 금속판의 제1면에는 접속용 포스트 형성용의 제1 레지스트 패턴, 제2면에는 배선 패턴 형성용의 제2 레지스트 패턴을 형성하고, 제1면 상으로부터 구리를 원하는 두께까지 에칭한 후, 제1면에 프리 몰드용 수지를 도포하여 프리 몰드층을 형성하고, 그 후에, 제2면의 에칭을 행하고, 배선을 형성하여, 그 후에 양면의 제1 및 제2 레지스트 패턴을 박리한다고 하는 것으로 된다.
이와 같이 하여 제조한 리드 프레임 기판은, 다음과 같은 메리트를 기대할 수 있다고 추찰된다. 즉, 금속의 두께를, 파인 에칭이 가능한 레벨까지 작게 하여도, 프리 몰드용 수지가 지지체로 되어 있기 때문에, 안정된 에칭이 가능하고, 또한 초음파 에너지의 확산이 작으므로, 와이어 본딩성에도 우수하다. 또한, 폴리이미드 테이프로 이루어지는 유지재(27)를 사용하지 않으므로, 그것에 의한 코스트 업도 억제할 수 있다.
특허 문헌 1 : 일본 특허 공개 제2006-245618호 공보
그러나, 상기의 하나의 대책에 의하면, 공정상의 문제점이 염려된다.
즉, 상기의 하나의 대책에 있어서, 금속판의 두께 방향 도중까지 에칭한 면에 프리 몰드용 수지를 도포하는 공정은 기술적으로 곤란하다. 도포의 두께는, 리드 프레임에 필요한 강성을 주는 데 충분한 정도가 필요하며, 게다가, 접속용 포스트의 저면은, 완전히 노출되어 있지 않으면 안된다.
이와 같이 두께를 제어하여 도포하는 방법으로서는, 예를 들면, 실린지 등을 이용하여, 도포면 바닥의 일점으로부터 수지를 유입하고, 그것이 도포면 전체까지 널리 퍼져 도포되는 것을 기다리는 것을 들 수 있지만, 프리 몰드용 수지는, 어느 정도의 점성을 갖고 있어, 그 때문에, 전체에 널리 퍼져 도포되는 데에는 시간이 걸려, 생산성의 점에서 문제가 걱정된다.
또한, 표면 장력 때문에, 수지가 구형으로 되어, 좁은 범위에 머무르는 경우도 있고, 그 경우는 주입한 수지가 소량이어도, 높이가 커지고, 접속용 포스트의 저면에 도달하게 되는 불량도 발생하기 쉽다.
그리고, 디스펜서 등의 장치를 이용하여, 도포면 바닥에 복수의 주입 개소를 설정하는 것도 생각되지만, 역시 프리 몰드용 수지의 점성 때문에, 어느 주입 개소로부터 다른 개소로 이동하는 사이에, 수지가 계속 흘러나와, 그것이 접속용 포스트의 저면에 부착된다고 하는 불량도 발생하기 쉽다.
본 발명은 상기의 종래 기술이 갖는 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 프리 몰드 리드 프레임의 제조 과정에서, 프리 몰드용 수지를 적절한 두께로 간편하게 배치할 수 있는 리드 프레임 기판의 제조 방법과 반도체 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명의 제1 양태는,
(가) 금속판의 제1면과 제2면에, 감광성 레지스트를 코트하거나, 또는 드라이 필름을 첨부하는 것 중 어느 하나를 행하는 것과,
(나) 상기 제1면과 제2면에, 상기 감광성 레지스트 또는 상기 드라이 필름에 패턴 노광을 행한 후에 현상함으로써, 상기 제1면에는 접속용 포스트 형성용의 제1 레지스트 패턴을, 또한, 상기 제2면에는 배선 패턴 형성용의 제2 레지스트 패턴을 형성하는 것과,
(다) 상기 금속판의 상기 제1면의 측을, 상기 금속판의 중도까지 에칭하고, 상기 접속용 포스트를 형성하는 것과,
(라) 상기 금속판의 상기 제1면의 측에, 프리 몰드용 수지를, 상기 에칭이 이루어진 면이 매몰되는 두께까지 충전하는 것과,
(마) 상기 프리 몰드용 수지를, 상기 접속용 포스트의 저면이 노출될 때까지, 상기 프리 몰드용 수지의 두께 방향으로 균일하게 제거하는 것과,
(바) 상기 금속판의 상기 제2면의 측을 에칭함으로써 배선 패턴을 형성하는 것
을 포함하는 리드 프레임 기판의 제조 방법이다.
이에 의해, 프리 몰드용 수지의 상면의 높이는, 접속용 포스트의 저면과 거의 동일한 높이로 되고, 리드 프레임 기판의 강성을 유지하고, 게다가 접속용 포스트 저면이 완전히 노출된다고 하는 목표를, 확실하게 달성할 수 있다.
본 발명의 제2 양태는, 상기 프리 몰드용 수지가 필름 형상인 본 발명의 제1 양태에 기재된 리드 프레임 기판의 제조 방법이다.
이에 의해, 액상 수지를 이용하는 것보다도, 간편하게 원하는 리드 프레임 기판을 제조할 수 있다.
본 발명의 제3 양태는, 상기 프리 몰드용 수지의 충전이, 진공 챔버 내에서 행해지는 본 발명의 제1 양태 또는 본 발명의 제2 양태 중 어느 하나에 기재된 리드 프레임 기판의 제조 방법이다.
이에 의해, 프리 몰드용 수지를 충전할 때의, 기포 등의 발생을 저감할 수 있고, 보다 고품질의 리드 프레임 기판을 제조할 수 있다.
본 발명의 제4 양태는, 제1면과 제2면을 갖는 금속판과, 상기 제1면에 형성된 접속용 포스트와, 상기 제2면에 형성된 배선과, 프리 몰드용 수지층을 구비한 리드 프레임 기판으로서, 상기 프리 몰드용 수지층의 두께는, 상기 접속용 포스트의 높이와 동일한 리드 프레임 기판이다.
본 발명의 제5 양태는, 제1면과 제2면을 갖는 금속판과, 상기 제1면에 형성된 접속용 포스트와, 상기 제2면에 형성된 배선과, 프리 몰드용 수지층을 구비한 리드 프레임 기판으로서, 상기 프리 몰드용 수지층의 두께는, 상기 접속용 포스트의 높이와 동일한 리드 프레임 기판에, 반도체가 실장되어 있고, 상기 리드 프레임형 기판과 상기 반도체 소자가 와이어 본딩에 의해 전기적 접속되어 있는 반도체 장치이다.
본 발명에 따르면, 프리 몰드 리드 프레임 기판을 제조할 때에, 간편하게, 프리 몰드용 수지의 두께를, 접속용 포스트의 높이와 거의 동일하게 할 수 있다.
이에 의해, 상기 프리 몰드용 수지는, 리드 프레임 기판의 지지체로서, 충분한 강성을 갖고, 게다가, 접속용 포스트가, 완전히 노출된다고 하는 조건을 겸하여 구비하고 있다. 그 때문에, 충분한 기계적 강도를 갖고, 게다가 접속에서도 높은 신뢰성을 갖는 접합 강도를 얻어진다.
도 1a는 본 발명의 리드 프레임 기판의 제조 공정에 따른 일례에 대해서 도시하는 모식적인 단면도.
도 1b는 본 발명의 리드 프레임 기판의 제조 공정에 따른 일례에 대해서 도시하는 모식적인 단면도.
도 1c는 본 발명의 리드 프레임 기판의 제조 공정에 따른 일례에 대해서 도시하는 모식적인 단면도.
도 1d는 본 발명의 리드 프레임 기판의 제조 공정에 따른 일례에 대해서 도시하는 모식적인 단면도.
도 1e는 본 발명의 리드 프레임 기판의 제조 공정에 따른 일례에 대해서 도시하는 모식적인 단면도.
도 1f는 본 발명의 리드 프레임 기판의 제조 공정에 따른 일례에 대해서 도시하는 모식적인 단면도.
도 1g는 본 발명의 리드 프레임 기판의 제조 공정에 따른 일례에 대해서 도시하는 모식적인 단면도.
도 1h는 본 발명의 리드 프레임 기판의 제조 공정에 따른 일례에 대해서 도시하는 모식적인 단면도.
도 1i는 본 발명의 리드 프레임 기판의 제조 공정에 따른 일례에 대해서 도시하는 모식적인 단면도.
도 2a는 종래의 리드 프레임 기판의 일례를 도시하는 모식적인 단면도.
도 2b는 종래의 리드 프레임 기판의 일례를 도시하는 모식적인 단면도.
도 2c는 종래의 리드 프레임 기판의 일례를 도시하는 모식적인 단면도.
이하에서는, 본 발명의 리드 프레임 기판의 제조 방법을 적용한 일례로서, LGA(Land Grid Array) 타입의 리드 프레임 기판에 대해서 도 1a∼도 1i를 이용하여 설명한다. 도 1a∼도 1i는, 본 발명의 리드 프레임 기판의 제조 공정에 따른 일례에 대해서 도시하는 모식적인 단면도이다.
제조한 개개의 단위의 LGA의 사이즈는 10㎜×10㎜로, 168핀의 평면에서 보아 어레이 형상의 외부 접속부를 갖는 것으로, 기판에 다면 부착하여, 이하의 제조 공정을 거친 후에 절단, 재단을 행하고, 개개의 LGA 타입의 리드 프레임 기판을 얻었다.
우선, 도 1a에 도시한 바와 같이, 폭이 150㎜ 두께가 150㎛의 긴 띠 형상의 구리 기판(1)을 준비하였다.
다음으로, 도 1b에 도시한 바와 같이, 구리 기판(1)의 양면 롤 코터로 감광성 레지스트(2)(동경 오우카(주)제, OFPR4000)를 5㎛의 두께가 되도록 코팅한 후, 90℃에서 프리 베이크를 하였다. 또한, 감광성 레지스트(2)의 코팅 대신에, 드라이 필름(2)의 접착이어도 된다.
다음으로, 원하는 패턴을 갖는 패턴 노광용 포토마스크를 통하여, 양면으로부터 패턴 노광하고, 그 후 1％ 수산화나트륨 용액으로 현상 처리를 행한 후에, 수세 및 포스트 베이크를 행하고, 도 1c에 도시한 바와 같이 레지스트 패턴(3)을 얻었다. 또한, 구리 기판의 한쪽의 면측(반도체 소자가 탑재되는 면과는 반대측의 면이며, 본 실시예에서는 이하, 제1면측이라고 기재함)에는, 접속용 포스트를 형성하기 위한 제1 레지스트 패턴(3)을 형성하고, 다른 쪽의 면측(반도체 소자가 탑재되는 면이며, 본 실시예에서는 이하, 제2면측이라고 기재함)에는, 배선 패턴을 형성하기 위한 제2 레지스트 패턴(3)을 형성하였다.
또한, 도 1i에 도시한 바와 같이, 반도체 소자(10)는 기판 중앙부의 리드 상면에 탑재된다. 반도체 소자(10)의 외주의 리드 상면에는, 와이어 본딩용 랜드(4)가 형성되어 있다. 리드의 이면에는, 상부 배선으로부터의 전기 신호를 이면으로 유도하기 위한 접속용 포스트(5)가, 예를 들면, 평면에서 보아 어레이 상에 배치된다.
이 밖에, 반도체 소자(10)의 주위의 랜드(4) 중 몇 개를, 반도체 소자의 하면에 위치하는 접속용 포스트(5)에 전기적으로 접속시킬 필요가 있다. 이를 위해, 반도체 소자(10) 주변의 랜드(4)의 몇 개와 각각 접속한 배선 패턴(6)을 반도체 소자 하면에 위치하는 접속용 포스트(5)와 접속하도록 기판의 외주로부터 중심 방향을 향하여, 예를 들면, 방사상으로 형성하고 있다(도시 생략).
다음으로, 구리 기판(1)의 제2면측을 백 시트로 덮여서 보호한 후, 염화제2철용액을 이용하여, 구리 기판(1)의 제1면측으로부터, 제1회째의 에칭 처리를 행하고, 제1면측의 제1 레지스트 패턴(3)으로부터 노출된 구리 기판(1) 부위의 두께를 30㎛까지 얇게 하였다(도 1d).
염화제2철용액의 비중은 1.38, 액체 온도 50℃로 하였다. 제1회째의 에칭 시, 접속용 포스트 형성용의 제1 레지스트 패턴(3)이 형성된 부위의 구리 기판(1)에는, 에칭 처리가 행해지지 않는다. 그 때문에, 구리 기판(1)의 두께 방향으로, 제1회째의 에칭 처리에서 형성된 에칭면으로부터 구리 기판(1)의 하측면까지의 높이를 갖고 연장되는, 프린트 기판과의 외부 접속을 가능하게 한 접속용 포스트(5)를 형성할 수 있다.
또한, 제1회째의 에칭에서는, 에칭 처리를 행하는 부위의 구리 기판(1)을 에칭 처리에서 완전히 용해 제거하는 것이 아니라, 소정의 두께의 구리 기판(1)으로 된 단계에서 에칭 처리를 종료하도록, 중도까지 에칭 처리를 행한다.
다음으로, 도 1e에 도시한 바와 같이, 제1면에 관하여, 20％ 수산화나트륨 수용액에 의해서, 제1 레지스트 패턴(3)의 박리를 행하였다. 박리액의 온도는 100℃로 하였다.
다음으로, 도 1f에 도시한 바와 같이, 필름 형상의 열가소성 수지(신닛찌테쯔카가꾸제, NEX-130)를 이용하여, 프레스 가공에 의해 프리 몰드용 수지층(11)을 형성하였다. 필름 형상의 열가소성 수지의 두께에 대해서는, 프리 몰드용 수지층(11)이 접속용 포스트(5)의 저면보다 20㎛ 높은 위치까지 충전되도록 조정하여, 130㎛로 하였다.
프레스 시에는, 진공 가압식 라미네이트 장치를 이용하여, 프레스부의 온도는 100℃, 진공 챔버 내의 진공도는 0.2torr, 프레스 시간은 30초로 하여 프리 몰드용 수지층(11)의 프레스 가공을 행하였다.
이와 같이, 프리 몰드용 수지층(11)으로서, 필름 형상의 열가소성 수지를 이용하는 것은, 가공을 간편하게 하는 점에서 효과적이다.
또한, 진공 챔버 내에서의 프레스 가공을 행하는 것은, 프리 몰드용 수지층(11) 내에 생긴 공극을 해소하는 효과가 있고, 프리 몰드용 수지층(11) 내의 보이드의 발생을 억제할 수 있다.
그리고, 프리 몰드용 수지층(11)을 프레스 가공한 후에는, 포스트 베이크로서, 180℃에서 60분간의 가열을 행하였다. 이 단계에서, 제1면은 에칭한 개소와 에칭하지 않은 개소와의 구별없이, 프리 몰드용 수지층(11)으로 덮여진 상태로 되어 있고, 그것이 보호층의 역할을 다하므로, 후술하는, 제2면의 에칭 가공 시에, 제1면이 에칭되는 일은 없다.
프리 몰드용 수지층(11)의 포스트 베이크 후에는, 제2면의 백 시트를 제거한 후, 에칭을 행하였다. 에칭액으로서는, 염화제2철용액을 이용하고, 액의 비중은 1.32, 액체 온도는 50℃로 하였다. 에칭은, 제2면에 배선 패턴을 형성하는 것을 목적으로 하고 있고, 제2면 상의 제2 레지스트 패턴(3)으로부터 노출된 구리를 용해 제거하였다.
그 후에, 도 1g에 도시한 바와 같이, 제1면을 덮고 있는 프리 몰드용 수지층(11)을, 접속용 포스트(5)의 저면이 노출될 때까지 연마 제거하였다. 장치로서는, 버프 롤 회전식 연마 장치를 이용하고, 버프 롤의 번수는, 800번 상당을 사용하였다.
다음으로, 도 1h에 도시한 바와 같이, 제2면의 제2 레지스트 패턴(3)의 박리를 행하고, 원하는 LGA 타입의 리드 프레임 기판을 얻었다.
다음으로, 제2 레지스트 패턴(3)의 박리 후, 전술한 연마 제거에 의해 저면이 노출된 접속용 포스트(5)의 금속면에 대해, 무전해 니켈/팔라듐/금도금 형성법에 의한 표면 처리를 실시하고, 도금층(12)을 형성하였다. 도금층(12)의 형성은, 전해 도금법이 적용 가능하다. 그러나, 전해 도금법에서는, 도금 전류를 공급하기 위한 도금 전극의 형성이 필요하게 되고, 도금 전극을 형성하는 만큼, 배선 영역이 좁아져, 배선의 라우팅이 곤란하게 된다. 그 때문에, 본 실시예에서는, 공급용 전극이 불필요한, 무전해 니켈/팔라듐/금도금 형성법을 채용하였다.
즉, 접속용 포스트(5)의 금속면에 산성 탈지, 소프트 에칭, 산세정, 백금 촉매 활성 처리, 프리딥(pre-dip), 무전해 백금 도금, 무전해 금도금을 실시함으로써, 도금층(12)을 형성하였다. 도금층(12)의 두께는 니켈이 3㎛, 백금이 0.2㎛, 금을 0.03㎛로 하였다. 사용한 도금액은, 니켈이 엔플레이트 NI(멜텍스사제), 백금이 파우로본드 EP(롬앤하스사제), 금이 파우로본드 IG(롬앤하스사제)이다.
다음으로, 리드 프레임 상에 반도체 소자(10)를 고정용 접착제(13) 또는 고정용 테이프(13)로 접착, 탑재한 후, 반도체 소자(10)의 전기적 접속용 단자와 배선 패턴의 소정의 부위(와이어 본딩용 랜드(4))를 금세선(14)을 이용하여 와이어 본딩을 행한 후, 리드 프레임과 반도체 소자(10)를 피복하도록 프리 몰드용 수지(15)에 의해 몰딩을 행하고, 개개의 반도체 기판을 얻었다.
다음으로, 면이 부착된 반도체 기판에 재단을 행하고, 개개의 반도체 기판을 얻었다.
충분한 기계적 강도를 갖고, 게다가 접속에 있어서도 높은 신뢰성을 갖는 리드 프레임 기판을, 간편하게 제조할 수 있다.
1 : 구리 기판
2 : 감광성 레지스트 또는 드라이 필름
3 : 레지스트 패턴
4 : 와이어 본딩용 랜드
5 : 접속용 포스트
6 : 배선 패턴
10 : 반도체 소자
11 : 프리 몰드층
12 : 도금층
13 : 고정용 접착제 또는 고정용 테이프
14 : 금세선
15 : 프리 몰드용 수지
21 : 리드 프레임의 평탄 부분
22 : 반도체 소자
23 : 리드
24 : 메탈 와이어
25 : 몰드용 수지
26 : 취출 전극
27 : 유지재
28 : 고정용 수지 또는 고정용 테이프
29 : 리드 프레임의 이면

Claims (6)

  1. 금속판의 제1면과 제2면에 감광성 레지스트를 코트하거나 또는 드라이 필름을 첨부하는 것 중 어느 하나를 행하는 것과,
    상기 제1면과 제2면에 상기 감광성 레지스트 또는 상기 드라이 필름에 패턴 노광을 행한 후에 현상함으로써, 상기 제1면에는 접속용 포스트 형성용의 제1 레지스트 패턴을 형성하고, 또한 상기 제2면에는 배선 패턴 형성용의 제2 레지스트 패턴을 형성하는 것과,
    상기 금속판의 상기 제1면의 측을 상기 금속판의 중도까지 에칭하고 상기 접속용 포스트를 형성하는 것과,
    상기 금속판의 상기 제1면의 측에 프리 몰드용 수지를 상기 에칭이 이루어진 면이 매몰되는 두께까지 충전하는 것과,
    상기 프리 몰드용 수지를 상기 접속용 포스트의 저면이 노출될 때까지 상기 프리 몰드용 수지의 두께 방향으로 균일하게 제거하는 것과,
    상기 금속판의 상기 제2면의 측을 에칭함으로써 배선 패턴을 형성하는 것
    을 포함하는 리드 프레임 기판의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 프리 몰드용 수지가 필름 형상인 리드 프레임 기판의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 프리 몰드용 수지의 충전이 진공 챔버 내에서 행해지는 리드 프레임 기판의 제조 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 프리 몰드용 수지의 충전이 진공 챔버 내에서 행해지는 리드 프레임 기판의 제조 방법.
  5. 제1면과 제2면을 갖는 금속판과,
    상기 제1면에 형성된 접속용 포스트와,
    상기 제2면에 형성된 배선과,
    프리 몰드용 수지층을 구비한 리드 프레임 기판으로서,
    상기 프리 몰드용 수지층의 두께가 상기 접속용 포스트의 높이와 동일한 리드 프레임 기판.
  6. 제1면과 제2면을 갖는 금속판과,
    상기 제1면에 형성된 접속용 포스트와,
    상기 제2면에 형성된 배선과,
    프리 몰드용 수지층을 구비한 리드 프레임 기판으로서,
    상기 프리 몰드용 수지층의 두께가 상기 접속용 포스트의 높이와 동일한 리드 프레임형 기판에 반도체가 실장되어 있고, 상기 리드 프레임형 기판과 상기 반도체 소자가 와이어 본딩에 의해 전기적 접속되어 있는 반도체 장치.
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