KR20110020863A - 전류 감지 회로를 위한 장치 및 집적 전류 센서 - Google Patents

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KR20110020863A
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마이클 씨. 두그
리차드 디킨슨
윌리엄 피. 테일러
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알레그로 마이크로시스템스 인코포레이티드
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Abstract

전류를 감지하기 위한 전자 회로는 대향하는 제1 및 제2 표면들을 갖는 회로 기판 및 전류를 운반하는 전류 전도체를 포함한다. 상기 전류 전도체는 상기 회로 기판 상에 배치되는 회로 트레이스를 포함한다. 상기 전자 회로는 또한 상기 전류 전도체를 스트래들 하는 위치에서 상기 회로 기판에 전기적으로 연결되며 상기 회로 기판 상에 배치되는 집적 회로를 포함한다.

Description

전류 감지 회로를 위한 장치 및 집적 전류 센서{ARRANGEMENTS FOR A CURRENT SENSING CIRCUIT AND INTEGRATED CURRENT SENSOR}
본 발명은 대체로 전류 감지 회로에 관한 것이며, 보다 상세하게는 각각의 집적 전류 센서를 갖는 전류 감지 회로에 관한 것이다.
선행 기술에 공지된 바와 같이, 종래의 전류 센서의 일 형태는 전도체를 통과해 흐르는 전류와 연관된 자기장에 응답하여 전압을 발생시키는 홀 효과 소자(Hall effect element)를 사용하는 것이다. 상기 형태의 전형적인 전류 센서는 유전 물질, 예를 들면 회로 기판 상에 장착된 홀 효과 소자를 포함한다. 일부의 응용례들에서, 상기 홀 효과 소자의 근접부에 철강 코어(자속집중기)가 사용된다.
다른 형태의 전류 센서는 전도체를 통과해 흐르는 전류와 연관된 자기장에 응답하여 저항을 변화시키는 자기 저항 소자를 사용한다. 고정된 전류가 상기 자기저항 소자를 통해 인가되며, 따라서 상기 자기장에 비례한 전압 출력 신호가 발생된다. 상기 형태의 일부 종래의 전류 센서들은 유전 물질, 예를 들면 회로 기판 상에 장착된 이방성 자기저항(anisotropic magnetoresistance, AMR) 소자를 사용한다.
감도(sensitivity) 및 선형성(linearity)을 포함하는 다양한 변수들이 전류 센서의 성능을 특징짓는다. 감도는 상기 자기저항 소자의 변화 혹은 자기장 변화에 응답하여 발생하는 상기 홀 효과 소자로부터의 출력 전압 변화와 연관된다. 선형성은 상기 자기저항 소자의 저항 혹은 상기 홀 효과 소자로부터의 출력 전압이 자기장에 비례하여 직선형으로 변화하는 정도와 연관된다.
전류 센서를 특징짓는 또 다른 변수는 상기 전류 센서와 전도체 내의 전류를 측정하기 위해 상기 전류 센서가 인접하여 배치되는 전도체 사이의 최소한 소정의 브레이크다운(breakdown) 전압에 대한 내전압 능력이 포함된다.
전류 센서의 감도와 상술한 브레이크다운 전압사이에는 트레이드 오프(trade off) 관계가 존재한다. 즉, 고감도를 획득하기 위해서는 상기 전류 센서, 특히 상기 전류 센서 내의 전류(자기장) 감지 소자가 상기 전도체에 가능한 한 근접하여 배치되는 것이 바람직하다. 그러나, 상기와 같은 근접성은 상기 브레이크다운 전압을 감소시키는 경향이 있다.
전류 센서에 사용되는 다양한 형태의 자기장 감지 소자들(예를 들면, 홀 효과 소자 및 자기저항 소자)은 상이한 특성들을 갖는 것으로 알려져 있다. 상기 특성들은 상이한 감도, 상이한 선형성 및 자기장에 응답하는 상이한 히스테리시스(hysteresis) 특성들을 포함하며, 이에 한정되지 않는다. 또한, 다수의 형태의 자기저항 소자들이 홀 효과 소자 보다 고감도를 갖는 것으로 알려져 있다. 또한, 자기장 감지 소자의 특정 형태, 예를 들면 홀 효과 소자는 기판(즉, 감지막)이 상이한 물질들, 예를 들면 실리콘(Si) 및 갈륨비소화물(GaAs)을 포함할 때 실질적으로 상이한 감도를 갖는 것으로 알려져 있다.
상대적으로 고감도를 가지면서 또한 상대적으로 높은 브레이크다운 전압을 모두 갖는 전류 센서를 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 전류를 감지하기 위한 전자 회로는 대향하는 제1 및 제2 표면들을 갖는 회로 기판 및 전류를 운반하는 전류 전도체를 포함한다. 상기 전류 전도체는 상기 회로 기판 상에 배치된 회로 트레이스(trace)를 포함한다. 상기 전자 회로는 또한 상기 전류 전도체를 스트래들(straddle) 하는 위치에서 상기 회로 기판 상에 배치되고 상기 회로 기판과 전기적으로 연결되는 집적 회로를 포함한다. 상기 집적 회로는 상기 전류에 수반된 자기장을 감지하기 위한 자기저항 소자를 포함한다.
상기 장치에서, 상기 전자 회로는 상기 자기저항 소자 대신에 홀 효과 소자를 사용하는 경우에 얻어지는 감도에 비해 상기 전류에 대해 상대적으로 고감도를 갖는다.
상기 전류 전도체는 전류와 이에 수반되는 전압을 모두 운반하는 것으로 이해된다. 일부 장치들에서는, 상기 전류 전도체가 상기 회로 기판의 제2 면 상에 배치되고 상기 집적 회로는 상기 회로 기판의 제1 면 위로 배치된다. 상기와 같은 특정한 배열에 의해, 상기 전자 회로는 상대적으로 전류에 고감도를 가지며 또한 상기 전류 전도체 상의 전압에 대해 특히 높은 브레이크다운 전압을 갖는다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 전류를 감지하기 위한 전자 회로는 대향하는 제1 및 제2 표면들을 갖는 회로 기판 및 상기 전류를 운반하는 전류 전도체를 포함한다. 상기 전류 전도체는 회로 트레이스를 포함한다. 상기 전자 회로는 또한 상기 회로 기판 상에 배치되어 상기 회로 기판과 전기적으로 연결되는 집적 회로를 포함한다. 상기 집적 회로는 상기 전류에 수반되는 자기장을 감지하는 홀 효과 소자를 포함한다. 상기 전류 전도체는 상기 회로 기판의 제2 표면 상에 배치되고 상기 집적 회로는 상기 회로 기판의 제1 표면 상에 배치된다.
본 발명의 상기의 측면들 및 다른 측면들과 이점들은 수반하는 도면들과 함께 하기의 본 발명의 상세한 설명으로부터 더욱 완전히 이해될 수 있을 것이다.
도 1a는 기판의 표면 위로 배치된 자기장 감지 소자를 구비하는 집적 회로 전류 센서를 포함하며, 또한 전류 전도체를 포함하는 전자 회로를 나타내는 도면이다.
도 1b는 도 1a에 도시된 상기 전자 회로를 나타내는 단면도이다.
도 2a는 제1 및 제2 기판들을 구비하는 집적 회로 전류 센서, 상기 제2 기판의 표면 위로 배치된 자기장 감지 소자 및 전류 전도체를 포함하는 전자 회로를 나타내는 도면이다.
도 2b는 도 2a에 도시된 상기 전자 회로를 나타내는 단면도이다.
도 3a는 제1 및 제2 기판들을 구비하는 집적 회로 전류 센서, 상기 제2 기판의 표면 위로 배치된 자기장 감지 소자 및 전류 전도체를 포함하는 또 다른 전자 회로를 나타내는 도면이다.
도 3b는 도 3a에 도시된 상기 전자 회로를 나타내는 단면도이다.
도 4a는 제1 및 제2 기판들을 구비하는 집적 회로 전류 센서, 상기 제2 기판의 표면 위로 배치된 자기장 감지 소자 및 전류 전도체를 포함하는 또 다른 전자 회로를 나타내는 도면이다.
도 4b는 도 4a에 도시된 상기 전자 회로를 나타내는 단면도이다.
도 5a는 제1, 제2 및 제3 기판들을 구비하는 집적 회로 전류 센서, 상기 제2 기판의 표면 위로 배치된 자기장 감지 소자 및 전류 전도체를 포함하는 또 다른 전자 회로를 나타내는 도면이다.
도 5b는 도 5a에 도시된 상기 전자 회로를 나타내는 단면도이다.
도 6a는 제1, 제2 및 제3 기판들을 구비하는 집적 회로 전류 센서, 상기 제3 기판의 표면 위로 배치된 자기장 감지 소자 및 전류 전도체를 포함하는 전자 회로를 나타내는 도면이다.
도 6b는 도6a에 도시된 전자 회로를 나타내는 단면도이다.
본 발명에 대해 설명하기 전에, 일부 용어 및 개념들에 대해 소개한다. 본 명세서에 사용되는 용어로서, "자기장 감지 소자"는 자기장에 응답하며 자기장을 측정하는 데 사용될 수 있는 전자 부품을 설명하는데 사용된다. 상기 자기장 감지 소자는 비제한적인 예로서, 홀 효과 소자 및 자기저항 소자를 포함한다. 상기 홀 효과 소자는 수평 혹은 수직형 타입일 수 있다. 상기 자기저항 소자는 비제한적인 예로서 거대 자기저항(giant magnetoresistance, GMR) 소자, 이방성 자기저항(anisotropic magnetoresistance, AMR) 소자, 자기 터널 정션(magnetic tunnel juction, MJT) 소자 및 터널링 자기저항(tunneling magnetoresistance, TMR) 소자의 타입을 포함할 수 있다.
본 명세서에 사용된 용어로서, "자기장 센서"는 자기장 감지 소자를 포함하며, 자기장에 응답하고 자기장을 측정하는데 사용될 수 있는 전자 회로를 설명하는데 사용된다. "전류 센서"는 자기장 감지 소자를 포함하며, 전도체 내의 전류에 응답하고 이를 측정하는데 사용될 수 있는 전자 집적 회로를 설명하는데 사용된다.
전도체 내의 전류는 전류의 방향 주위로 배치되는 자기장을 생성함이 본 명세서에서 이해될 수 있다. 따라서, 전류 센서 내에 사용되는 상기 자기장 감지 소자는 전도체 내를 흐르는 전류를 측정하는데 사용될 수 있다,
본 명세서에서 사용되는 용어로서, "회로 기판"은 인쇄회로기판(printed circuit boards, PCBS), 예를 들면, 도전성 회로 트레이스를 갖는 섬유 유리 회로 기판 및 도전성 트레이스를 갖는 세라믹 기판을 설명하기 위해 사용된다.
유사한 구성은 유사한 참조 번호를 사용한 도 1a 및 도 1b를 참조하면, 전자 회로(10)는 전류 센서(11)에 인접한 회로 기판(40)의 제1 표면(40a) 상에 배치된 제1 전류 전도체(28) 혹은 전류 센서(11)로부터 멀리 위치한 회로 기판(40)의 제2 표면(40b) 위로 배치되는 제2 전류 전도체(32) 위로 배치되며, 제1 전류 전도체(28) 혹은 제2 전류 전도체(32) 중 하나 혹은 모두를 스트래들링(straddling)하는 집적회로 전류 센서(11)를 포함한다. 전류 센서(11)는 베이스 플레이트(12) 및 부속 리드들(14a-14h)을 구비하는 리드 프레임(14)을 포함한다.
전류 센서(11)는 또한 대향하는 제1 및 제2 표면들(16a,16b)을 각각 구비하는 기판(16)을 포함한다. 기판(16)은 리드 프레임의 베이스 플레이트(12) 위로 배치되어 기판(16)의 제2 표면(16b)이 베이스 플레이트(12) 위에 위치하고 기판(16)의 제1 표면(16a)이 기판(16)의 제2 표면(16b)에 위치한다.
전류 센서(11)는 또한 기판(16)의 제1 표면(16a) 위로 배치되는 자기장 감지 소자(18)를 포함한다.
일 실시예에서, 자기장 감지 소자(18)는 예를 들면, 거대 자기저항(GMR) 소자 혹은 이방성 자기저항(AMR) 소자 중에서 선택된 자기저항 소자이다. 다른 실시예에서, 자기장 감지 소자(18)는 홀 효과 소자이다. 그러나, 자기저항 소자가 일반적으로 홀 효과 소자 보다 고감도를 갖는다고 이해되며, 따라서 도시된 바와 같이 자기장 감지 소자(18)가 전류 전도체(28)로부터 다소 멀리 위치한 전자 회로(10)는 자기장 감지 소자(18)가 홀 효과 소자인 전자 회로(10)보다 고감도를 획득할 수 있다.
더욱이, 자기저항 소자는 일반적으로 표면, 예를 들면 기판(16)의 제1 표면(16a)에 평행한 최대 응답 축(20)을 갖는다고 이해된다. 이와 달리, 대부분의 홀 효과 소자들은 기판(16)의 제1 표면(16a)에 수직인 최대 응답 축을 갖는다.
홀 효과 소자에 대해서는 감지막이 될 수 있는 기판(16)은 비제한적인 예로서, Si, GaAs, InP, InSb, InGaAs, InGaAsP, SiGe, 세라믹 혹은 유리를 포함하는 다양한 물질들로 구성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 기판(16)은 실리콘(Si)을 포함할 수 있다.
전류 센서(11)는 또한 기판(16)의 제1 표면(16a) 상에 배치된 최소한 하나의 전자 부품(22)을 포함할 수 있다. 전자 부품(22)은 비제한적인 예로서, 예를 들면 저항기, 커패시터 혹은 인덕터와 같은 수동 전자 부품 및 예를 들면 트랜지스터, 증폭기 혹은 또 다른 집적 회로와 같은 능동 전자 부품을 포함할 수 있다.
기판(16)은 또한 대표적으로 본딩 패드(24a-24c)로 표시한 복수의 본딩 패드들을 포함할 수 있다. 본드 와이어들(26a-26c)은 기판(16)을 리드들, 예를 들면 리드들(14a, 14b, 14d)에 연결시킬 수 있다. 그러나, 집적 회로(11)는 3개 보다 많거나 적은 상기의 연결들을 포함할 수 있다고 이해될 수 있다.
도시된 배열에 있어서, 예를 들면 플라스틱의 몸체(30)가 기판(16)을 감싸는데 사용될 수 있다.
다양한 절연막들(도시되지 않음)이 전류 센서(11) 부분들을 전류 센서(11)의 다른 부분들과 전기적으로 분리시키는데 사용될 수 있음을 이해해야 한다. 예를 들면, 절연막(도시되지 않음)은 기판(16)의 제1 표면(16a)과 자기장 감지 소자(18) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 절연막(도시되지 않음)은 기판(16)의 제2 표면(16b) 및 베이스 플레이트(12) 사이에 배치될 수 있다.
기판(16)이 베이스 플레이트(12)에 종래의 방식대로, 즉 기판(16)의 제1 표면(16a)이 베이스 플레이트(12)로부터 멀어지게 향하도록 장착되는 것으로 도시된 반면, 다른 배열에 있어서, 기판(16)은 베이스 플레이트(12)에 대해 플립-칩(flip-chip) 방식으로 플립될 수 있다. 상기의 배열에서, 기판(16)의 제1 표면(16a)은 베이스 플레이트(12)와 인접하며, 솔더 볼(solder ball), 골드 범프(gold bump), 공융(eutectic) 혹은 고농도 납 솔더 범프, 납성분을 포함하지 않은 솔더 범프, 골드 스터드 범프(gold stud bump), 중합체 전도성 범프, 전도성 페이스트 또는 전도성 필름 중에서 선택된 하나로 리드들(14a-14h)과 연결된다.
제1 전류 전도체(28)를 통해 흐르는 전류에 응답하여 동작시, 라인(34)으로 표시되는 자속(magnetic flux)이 생성된다. 자기장 감지 소자(18)가 자기저항 소자인 실시예들에 있어서, 라인(34)으로 표시되는 상기 자속은 자기장 감지 소자(18)의 최대 응답 축(20)에 실질적으로 평행한 방향으로 자기장 감지 소자(18)를 통해 통과한다. 따라서, 자기장 감지 소자(18)는 전류 전도체(28)내에 흐르는 전류에 응답한다.
자기장 감지 소자(18)가 상술한 바와 같이 기판(16)의 제1 표면(16a)에 실질적으로 수직인 최대 응답축을 갖는 홀 효과 소자인 실시예들에 있어서, 자기장 감지 소자(18)는 라인(34)으로 표시된 상기 자속이 자기장 감지 소자(18)를 통해 기판(16)의 제1 표면(16a)에 대해 보다 수직하게 통과할 수 있도록 도시된 위치의 좌측 혹은 우측에 배치될 수 있다.
자기장 감지 소자(18)가 홀 효과 소자인 다른 실시예들에 있어서, 전체 전류 센서(11)는 전류 전도체(28 또는 32)의 우측 또는 좌측에 배치되어 전류 센서(11)가 전류 전도체(28 또는 32)를 스트래들(straddle) 하지 않을 수 있다.
제1 표면(40a)에 대향하는 회로 기판(40)의 제2 표면(40b) 상에 배치된 제2 전류 전도체(32)가 제1 전류 전도체(28)를 대신하여 혹은 이에 부가하여 사용되어, 전류 센서(11)는 제1 전류 전도체(28)를 통과하여 흐르는 전류 대신에 혹은 이에 부가하여 제2 전류 전도체(32)를 통과해 흐르는 전류를 감지할 수 있다. 라인(36)으로 표시된 자속은 자기장 감지 소자(18)의 최대 응답 축(20)에 실질적으로 평행한 방향으로 자기장 감지 소자(18)를 통해 통과할 수 있다. 따라서, 자기장 감지 소자(18)는 제2 전류 전도체(32) 내에 흐르는 전류에 응답한다. 그러나, 제2 전류 전도체(32)는 제1 전류 전도체(28) 보다 자기장 감지 소자(18)로부터 멀리 위치하므로, 자기장 감지 소자(18) 및 전류 센서(11)는 제1 전류 전도체(28)를 통해 흐르는 전류보다 제2 전류 전도체(32)를 통해 흐르는 전류에 감도가 낮다는 것을 이해할 수 있다. 그러므로, 제1 전류 전도체(28) 보다 제2 전류 전도체(32)를 사용하는 장치에 있어서, 자기장 감지 소자(18)는 홀 효과 소자보다 고감도를 갖는 자기저항 소자인 것이 유리하다.
집적 회로(11)로부터 회로 기판(40)의 반대 측면 상에 제2 전류 전도체(32)를 구비한 전자 회로(10)는 제2 전류 전도체(32) 및 집적 회로(11) 사이에서 매우 높은 브레이크다운 전압(또는 전기적 절연)을 제공한다. 이는 대부분의 종래 회로 기판들(40), 예를 들면 에폭시 유리 회로 기판들은 높은 브레이크다운 전압을 갖는 절연체이므로 가능하다.
전류 센서(11)는 제1 전도체(28) 뿐만 아니라 제2 전도체(32)를 스트래들함이 명백히 나타난다. 본 명세서에 쓰인 용어로서, "스트래들(straddle)"은 회로 기판(40)에 수직하며, 전류 센서(10)의 일 측면 상의 리드들, 예를 들면 리드들(14a-14d)의 말단을 통과하는 평면과, 회로 기판(40)에 수직하며 전류 센서(10)의 타 측면 상의 리드들, 예를 들면 리드들(14a-14d)의 말단을 통과하는 또 다른 평면이 전도체(28 또는 32)의 반대 측면 상에 있는 배열을 나타낸다.
유사한 구성에 유사한 참조 번호를 사용하며 도 1a 및 도 1b의 구성과 유사한 구성에 역시 유사한 참조번호를 사용한 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 전자 회로(50)는 집적 회로 전류 센서(51)를 포함한다. 전자 회로(50)는 도 1a 및 도 1b에 도시된 전자 회로(10)와 유사한 측면 및 기능을 포함한다.
전류 센서(51)는 각각 대향하는 제1 및 제2 표면들(52a,52b)을 갖는 제1 기판(52)을 포함한다. 제1 기판(52)은 베이스 플레이트(12) 상에 배치되어, 제1 기판(52)의 제2 표면(52b)은 베이스 플레이트(12) 위에 위치하고 제1 기판(52)의 제1 표면(52a)은 제1 기판(52)의 제2 표면(52b) 위에 위치한다.
집적 회로(51)는 또한 대향하는 제1 및 제2 표면들(54a, 54b)을 각각 갖는 제2 기판(54)을 포함한다. 제1 기판(52)과 제2 기판(54)은 제2 기판(54)의 제1 표면(54a)이 제1 기판(52)의 제1 표면(52a) 위에 위치하고, 제2 기판(54)의 제2 표면(54b)이 제2 기판(54)의 제1 표면(54a) 위에 위치하도록 연결된다. 제2 기판(54)은 제1 기판(52)과 플립-칩 배열로 배치됨이 명백하다.
제1 및 제2 기판들(52, 54)은 각각 비제한적인 예로서, Si, GaAs, InP, InSb, InGaAs, InGaAsP, SiGe, 세라믹 혹은 유리를 포함하는 다양한 물질들로 구성될 수 있다. 제1 및 제2 기판들(52, 54)은 각각 동일하거나 상이한 물질들을 포함할 수 있다.
제2 기판(54)의 제1 표면(54a)은 제1 기판(52)의 제1 표면(52a)에 본드들, 일 예에 의하면 본드(60)로 연결된다. 상기 본드들(예를 들면, 본드(60))은 솔더 볼, 골드 범프, 공융 혹은 고농도 납 솔더 범프, 납성분을 포함하지 않은 솔더 범프, 골드 스터드 범프, 중합체 전도성 범프, 전도성 페이스트 또는 전도성 필름 중에서 선택된 하나일 수 있다.
전류 센서(51)는 또한 제1 기판(52)의 제1 표면(52a) 상에 배치된 최소한 하나의 전자 부품(62)을 포함할 수 있다. 전자 부품(62)은 비제한적인 예로서, 예를 들면 저항기, 커패시터 혹은 인덕터와 같은 수동 전자 부품 및 예를 들면 트랜지스터, 증폭기 혹은 또 다른 집적 회로와 같은 능동 전자 부품을 포함할 수 있다.
전류 센서(51)는 또한 제2 기판(54)의 제1 표면(54a) 위로 배치되는 자기장 감지 소자(56)를 포함한다. 자기장 감지 소자(56)는 도 1a 및 도 1b에 도시된 자기장 감지 소자(18)와 동일하거나 유사할 수 있다. 자기장 감지 소자(56)는 제2 기판(54)의 제1 표면(54a)에 실질적으로 평행한 최대 응답 축(58)을 갖는다. 전류 센서(51)는 전류 전도체(28 혹은 32)를 스트래들할 수 있다.
자기장 감지 소자(56)가 홀 효과 소자이며, 제2 기판(54)의 제1 표면(54a)에 실질적으로 수직인 최대 응답 축을 갖는 실시예들에 있어서, 자기장 감지 소자(56)는 라인(34)으로 표시된 자속이 자기장 감지 소자(54)를 통해 제2 기판(54)의 제1 표면(54a)에 대해 보다 수직하게 통과할 수 있도록 도시된 위치의 좌측 혹은 우측에 배치될 수 있다.
자기장 감지 소자(56)가 홀 효과 소자인 다른 실시예들에 있어서, 전체 전류 센서(51)는 전류 전도체(28 또는 32)의 우측 또는 좌측에 배치되어 전류 센서(51)가 전류 전도체(28 또는 32)를 스트래들(straddle) 하지 않을 수 있다.
전류 센서(51)는 또한 대표적으로 본딩 패드들(64a-64c)로 표시한 복수의 본딩 패드들을 포함할 수 있다. 본드 와이어들(26a-26c)은 제1 기판(52)을 리드들, 예를 들면, 리드 프레임(14)의 리드들(14a, 14b, 14d)에 연결할 수 있다.
다양한 절연막들(도시되지 않음)이 전류 센서(51) 부분들을 전류 센서(51)의 다른 부분들로부터 전기적으로 분리시키는데 사용될 수 있음을 이해해야 한다. 예를 들면, 절연막(도시되지 않음)은 제1 기판(52)의 제1 표면(52a)과 제2 기판(54)의 제1 표면(54a) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 절연막(도시되지 않음)은 제2 기판(54)의 제1 표면(54a) 및 자기장 감지 소자(56) 사이에 배치될 수 있다.
전류 센서(51)는 제1 전도체(28) 뿐만 아니라 제2 전도체(32)를 스트래들함이 명백하다.
유사한 구성들에 유사한 참조부호를 사용하며, 도 1a 및 도 1b의 구성들과 유사한 구성들에 역시 유사한 참조부호를 사용한 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 전자 회로(100)는 집적 회로 전류 센서(101)를 포함한다. 전자 회로(100)는 도 1a 및 도 1b에 도시된 전자 회로(10)와 유사한 측면 및 기능을 포함한다.
전류 센서(101)는 대향하는 제1 및 제2 표면들(102a, 102b)을 각각 구비하는 제1 기판(102)을 포함한다. 제1 기판(102)은 베이스 플레이트(12) 상에 배치되어 제1 기판(102)의 제2 표면(102b)이 베이스 플레이트(12) 위에 위치하며, 제1 기판(102)의 제1 표면(102a)이 제1 기판(102)의 제2 표면(102b) 위에 위치한다.
집적 회로(101)는 또한 대향하는 제1 및 제2 표면들(104a, 104b)을 각각 갖는 제2 기판(104)을 포함한다. 제1 기판(102) 및 제2 기판(104)은 제2 기판(104)의 제2 표면(104b)이 제1 기판(102)의 제1 표면(102a) 위에 위치하고, 제2 기판(104)의 제1 표면(104a)이 제2 기판(104)의 제2 표면(104b) 위에 위치하도록 연결된다.
일부 실시예들에 있어서, 절연체(106)가 제1 및 제2 기판들(102, 104) 사이에 배치될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 절연체(106)는 제2 기판(104)을 제1 기판(102)에 부착시킬 수 있는 에폭시 물질일 수 있다.
제1 및 제2 기판들(102, 104)은 각각 비제한적인 예로서, Si, GaAs, InP, InSb, InGaAs, InGaAsP, SiGe, 세라믹 혹은 유리를 포함하는 다양한 물질들로 구성될 수 있다. 제1 및 제2 기판들(102, 104)은 각각 동일하거나 상이한 물질들을 포함할 수 있다.
제2 기판(104)의 제1 표면(104a)은 제1 기판(102)의 제1 표면(102a)에 와이어 본드들로 연결될 수 있으며, 상기 와이어 본드들의 일 예로서 본딩 패드들(110 및 112) 사이의 와이어 본드(114)를 들 수 있다.
전류 센서(101)는 또한 제1 기판(102)의 제1 표면(102a) 상에 배치된 최소한 하나의 전자 부품(116)을 포함할 수 있다. 전자 부품(116)은 비제한적인 예로서, 예를 들면 저항기, 커패시터 혹은 인덕터와 같은 수동 전자 부품 및 예를 들면 트랜지스터, 증폭기 혹은 또 다른 집적 회로와 같은 능동 전자 부품을 포함할 수 있다.
전류 센서(101)는 또한 제2 기판(104)의 제1 표면(104a) 위로 배치되는 자기장 감지 소자(108)를 포함한다. 자기장 감지 소자(108)는 도 1a 및 도 1b에 도시된 자기장 감지 소자(18)와 동일하거나 유사할 수 있다. 자기장 감지 소자(108)는 제2 기판(104)의 제1 표면(104a)에 실질적으로 평행한 최대 응답 축(109)을 갖는다. 전류 센서(101)는 전류 전도체(28 및/또는 32)를 스트래들할 수 있다.
자기장 감지 소자(108)가 홀 효과 소자이며, 제2 기판(104)의 제1 표면(104a)에 실질적으로 수직인 최대 응답 축을 갖는 실시예들에 있어서, 자기장 감지 소자(108)는 라인(34)으로 표시된 자속이 자기장 감지 소자(108)를 통해 제2 기판(104)의 제1 표면(104a)에 대해 보다 수직하게 통과할 수 있도록 도시된 위치의 좌측 혹은 우측에 배치될 수 있다.
자기장 감지 소자(108)가 홀 효과 소자인 다른 실시예들에 있어서, 전체 전류 센서(101)는 전류 전도체(28 또는 32)의 우측 또는 좌측에 배치되어 전류 센서(101)가 전류 전도체(28 또는 32)를 스트래들(straddle) 하지 않을 수 있다.
전류 센서(101)는 또한 대표적으로 본딩 패드들(118a-118c)로 표시한 복수의 본딩 패드들을 포함할 수 있다. 본드 와이어들(26a-26c)은 제1 기판(102)을 리드들, 예를 들면, 리드 프레임(14)의 리드들(14a, 14b, 14d)에 연결할 수 있다.
다양한 절연막들(도시되지 않음)이 전류 센서(101) 부분들을 전류 센서(101)의 다른 부분들로부터 전기적으로 분리시키는데 사용될 수 있음을 이해해야 한다. 예를 들면, 절연막(106)은 제1 기판(102)의 제1 표면(102a)과 제2 기판(104)의 제2 표면(104b) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 절연막(도시되지 않음)은 제2 기판(104)의 제1 표면(104a) 및 자기장 감지 소자(108) 사이에 배치될 수 있다.
전류 센서(101)는 제1 전도체(28) 뿐만 아니라 제2 전도체(32)를 스트래들함이 명백하다.
유사한 구성들에 유사한 참조부호를 사용하며, 도 1a 및 도 1b의 구성들과 유사한 구성들에 역시 유사한 참조부호를 사용한 도 4a 및 도 4b를 참조하면, 전자 회로(150)는 집적 회로 전류 센서(151)를 포함한다. 전자 회로(150)는 도 1a 및 도 1b에 도시된 전자 회로(10)와 유사한 측면 및 기능을 포함한다.
전류 센서(151)는 대향하는 제1 및 제2 표면들(152a, 152b)을 각각 구비하는 제1 기판(152)을 포함한다. 제1 기판(152)은 베이스 플레이트(12) 상에 배치되어 제1 기판(152)의 제2 표면(152b)이 베이스 플레이트(12) 위에 위치하며, 제1 기판(152)의 제1 표면(152a)이 제1 기판(152)의 제2 표면(152b) 위에 위치한다.
집적 회로(151)는 또한 대향하는 제1 및 제2 표면들(162a, 162b)을 각각 갖는 제2 기판(162)을 포함한다. 제2 기판(162)은 베이스 플레이트(12)에 연결되어 제2 기판(162)의 제2 표면(162b)이 베이스 플레이트(12) 위에 위치하고, 제2 기판(162)의 제1 표면(162a)이 제2 기판(162)의 제2 표면(162b) 위에 위치한다.
제1 및 제2 기판들(152, 162)은 각각 비제한적인 예로서, Si, GaAs, InP, InSb, InGaAs, InGaAsP, SiGe, 세라믹 혹은 유리를 포함하는 다양한 물질들로 구성될 수 있다. 제1 및 제2 기판들(152, 162)은 각각 동일하거나 상이한 물질들을 포함할 수 있다.
제2 기판(162)의 제1 표면(162a)은 제1 기판(152)의 제1 표면(152a)에 와이어 본드들로 연결될 수 있으며, 상기 와이어 본드들의 일 예로서 와이어 본드(160)를 들 수 있다.
전류 센서(151)는 또한 제1 기판(152)의 제1 표면(152a) 상에 배치된 최소한 하나의 전자 부품(154)을 포함할 수 있다. 전자 부품(154)은 비제한적인 예로서, 예를 들면 저항기, 커패시터 혹은 인덕터와 같은 수동 전자 부품 및 예를 들면 트랜지스터, 증폭기 혹은 또 다른 집적 회로와 같은 능동 전자 부품을 포함할 수 있다.
전류 센서(151)는 또한 제2 기판(162)의 제1 표면(162a) 위로 배치되는 자기장 감지 소자(164)를 포함한다. 자기장 감지 소자(164)는 도 1a 및 도 1b에 도시된 자기장 감지 소자(18)와 동일하거나 유사할 수 있다. 자기장 감지 소자(164)는 제2 기판(162)의 제1 표면(162a)에 실질적으로 평행한 최대 응답 축(168)을 갖는다. 전류 센서(151)는 전류 전도체(28 및/또는 32)를 스트래들할 수 있다.
자기장 감지 소자(164)가 홀 효과 소자이며, 제2 기판(162)의 제1 표면(162a)에 실질적으로 수직인 최대 응답 축을 갖는 실시예들에 있어서, 자기장 감지 소자(164)는 라인(34)으로 표시된 자속이 자기장 감지 소자(164)를 통해 제2 기판(162)의 제1 표면(162a)에 대해 보다 수직하게 통과할 수 있도록 도시된 위치의 좌측 혹은 우측에 배치될 수 있다.
자기장 감지 소자(164)가 홀 효과 소자인 다른 실시예들에 있어서, 전체 전류 센서(151)는 전류 전도체(28 또는 32)의 우측 또는 좌측에 배치되어 전류 센서(151)가 전류 전도체(28 또는 32)를 스트래들(straddle) 하지 않을 수 있다.
전류 센서(151)는 복수의 본딩 패드들을 포함할 수 있으며, 일 예로 본딩 패드(158)를 포함할 수 있다. 본드 와이어들, 예를 들면, 본드 와이어들(166a-166c)은 제1 기판(152)을 리드들, 예를 들면, 리드 프레임(14)의 리드들(14a, 14e, 14f)에 연결할 수 있다.
다양한 절연막들이 전류 센서(151) 부분들을 전류 센서(151)의 다른 부분들과 전기적으로 분리시키는데 사용될 수 있음을 이해해야 한다. 예를 들면, 절연막들(도시되지 않음)은 제1 및 제2 기판들(152, 162)의 제2 표면들(152b, 162b) 각각 및 베이스 플레이트(12) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 절연막(도시되지 않음)은 제2 기판(162)의 제1 표면(162a) 및 자기장 감지 소자(164) 사이에 배치될 수 있다.
전류 센서(151)는 제1 전도체(28) 뿐만 아니라 제2 전도체(32)를 스트래들함이 명백하다.
유사한 구성들에 유사한 참조부호를 사용하며, 도 1a 및 도 1b의 구성들과 유사한 구성들에 역시 유사한 참조부호를 사용한 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 전자 회로(200)는 집적 회로 전류 센서(201)를 포함한다. 전자 회로(200)는 도 1a 및 도 1b에 도시된 전자 회로(10)와 유사한 측면 및 기능을 포함한다.
전류 센서(201)는 대향하는 제1 및 제2 표면들(202a, 202b)을 각각 구비하는 제1 기판(202)을 포함한다. 제1 기판(202)은 베이스 플레이트(12) 상에 배치되어 제1 기판(202)의 제2 표면(202b)이 베이스 플레이트(12) 위에 위치하며, 제1 기판(202)의 제1 표면(202a)이 제1 기판(202)의 제2 표면(202b) 위에 위치한다.
집적 회로(201)는 또한 대향하는 제1 및 제2 표면들(204a, 204b)을 각각 구비한 제2 기판(204) 및 대향하는 제1 및 제2 표면들(210a, 210b)을 각각 구비한 제3 기판(210)을 포함한다. 제1 기판(202) 및 제2 기판(204)은 제2 기판(204)의 제1 표면(204a)이 제1 기판(202)의 제1 표면(202a) 위에 위치하고, 제2 기판(204)의 제2 표면(204b)은 제2 기판(204)의 제1 표면(204a) 위에 위치하도록 연결된다. 유사하게, 제1 기판(202) 및 제3 기판(210)은 제3 기판(210)의 제1 표면(210a)이 제1 기판(202)의 제1 표면(202a) 위에 위치하고, 제3 기판(210)의 제2 표면(210b)은 제3 기판(210)의 제1 표면(210a) 위에 위치하도록 연결된다. 제2 및 제3 기판들(204, 210)은 각각, 제1 기판(202)에 대해 플립-칩 배열방식에 의해 배치된다.
제2 기판(204)의 제1 표면(204a)은 제1 기판(202)의 제1 표면(202a)에 본드들로 연결될 수 있으며, 일 예로써 본드(208)로 연결될 수 있다. 유사하게, 제3 기판(210)의 제1 표면(210a)은 제1 기판(202)의 제1 표면(202a)에 본드들로 연결될 수 있으며, 일 예로써 본드(214)로 연결될 수 있다. 본드들(예를 들면 본드(208, 214))들은 솔더 볼, 골드 범프, 공융 혹은 고농도 납 솔더 범프, 납성분을 포함하지 않은 솔더 범프, 골드 스터드 범프, 중합체 전도성 범프, 전도성 페이스트 또는 전도성 필름 중에서 선택된 하나일 수 있다.
제1, 제2 및 제3 기판들(202, 204, 210)은 각각 비제한적인 예로서, Si, GaAs, InP, InSb, InGaAs, InGaAsP, SiGe, 세라믹 혹은 유리를 포함하는 다양한 물질들로 구성될 수 있다. 제1, 제2 및 제3 기판들(202, 204, 210)은 각각 동일하거나 상이한 물질들을 포함할 수 있다.
제2 및 제3 기판들(204, 210)은 각각, 제1 기판(202) 상의 또는 제1 기판(202) 내의 회로 트레이스들(도시되지 않음)과 함께 전기적으로 연결될 수 있음을 이해할 수 있다.
전류 센서(201)는 또한 제3 기판(210)의 제1 표면(210a) 상에 배치된 최소한 하나의 전자 부품(212)을 포함할 수 있다. 전자 부품(212)은 비제한적인 예로서, 예를 들면 저항기, 커패시터 혹은 인덕터와 같은 수동 전자 부품 및 예를 들면 트랜지스터, 증폭기 혹은 또 다른 집적 회로와 같은 능동 전자 부품을 포함할 수 있다.
전류 센서(201)는 또한 제2 기판(204)의 제1 표면(204a) 위로 배치되는 자기장 감지 소자(206)를 포함한다. 자기장 감지 소자(206)는 도 1a 및 도 1b에 도시된 자기장 감지 소자(18)와 동일하거나 유사할 수 있다. 자기장 감지 소자(206)는 제2 기판(204)의 제1 표면(204a)에 실질적으로 평행한 최대 응답 축(216)을 갖는다. 전류 센서(201)는 전류 전도체(28 및/또는 32)를 스트래들할 수 있다.
자기장 감지 소자(206)가 홀 효과 소자이며, 제2 기판(204)의 제1 표면(204a)에 실질적으로 수직인 최대 응답 축을 갖는 실시예들에 있어서, 자기장 감지 소자(206)는 라인(34)으로 표시된 자속이 자기장 감지 소자(206)를 통해 제2 기판(204)의 제1 표면(204a)에 대해 보다 수직하게 통과할 수 있도록, 도시된 위치의 좌측 혹은 우측에 배치될 수 있다.
자기장 감지 소자(206)가 홀 효과 소자인 다른 실시예들에 있어서, 전체 전류 센서(201)는 전류 전도체(28 또는 32)의 우측 또는 좌측에 배치되어 전류 센서(201)가 전류 전도체(28 또는 32)를 스트래들(straddle) 하지 않을 수 있다.
전류 센서(201)는 복수의 본딩 패드들을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 제1 기판(202)의 제1 표면(202a) 상에 본딩 패드들(220a-220c)을 포함할 수 있다. 본드 와이어들, 예를 들면, 본드 와이어들(26a-26c)은 제3 기판(210)을 리드들, 예를 들면, 리드 프레임(14)의 리드들(14a, 14e, 14f)에 연결할 수 있다.
다양한 절연막들이 전류 센서(201) 부분들을 전류 센서(201)의 다른 부분들과 전기적으로 분리시키는데 사용될 수 있음을 이해해야 한다.
전류 센서(201)는 제1 전도체(28) 뿐만 아니라 제2 전도체(32)를 스트래들함이 명백하다.
유사한 구성들에 유사한 참조부호를 사용하며, 도 1a 및 도 1b의 구성들과 유사한 구성들에 역시 유사한 참조부호를 사용한 도 6a 및 도 6b를 참조하면, 전자 회로(250)는 집적 회로 전류 센서(251)를 포함한다. 전자 회로(250)는 도 1a 및 도 1b에 도시된 전자 회로(10)와 유사한 측면 및 기능을 포함한다.
전류 센서(251)는 대향하는 제1 및 제2 표면들(252a, 252b)을 각각 구비하는 제1 기판(252)을 포함한다. 제1 기판(252)은 베이스 플레이트(12) 상에 배치되어 제1 기판(252)의 제2 표면(252b)이 베이스 플레이트(12) 위에 위치하며, 제1 기판(252)의 제1 표면(252a)이 제1 기판(252)의 제2 표면(252b) 위에 위치한다.
집적 회로(251)는 또한 대향하는 제1 및 제2 표면들(254a, 254b)을 각각 구비한 제2 기판(254) 및 대향하는 제1 및 제2 표면들(262a, 262b)을 각각 구비한 제3 기판(262)을 포함한다. 제1 기판(252) 및 제2 기판(254)은 제2 기판(254)의 제2 표면(254b)이 제1 기판(252)의 제1 표면(252a) 위에 위치하고, 제2 기판(254)의 제1 표면(254a)은 제2 기판(254)의 제2 표면(254b) 위에 위치하도록 연결된다. 유사하게, 제1 기판(252) 및 제3 기판(262)은 제3 기판(262)의 제2 표면(262b)이 제1 기판(252)의 제1 표면(252a) 위에 위치하고, 제3 기판(262)의 제1 표면(262a)은 제3 기판(262)의 제2 표면(262b) 위에 위치하도록 연결된다.
제2 기판(254)의 제1 표면(254a)은 본드 와이어들에 의해 제3 기판(262)의 제1 표면(262a)에 연결될 수 있으며, 일 예로써 본드 와이어(260)에 의해 연결될 수 있다. 제2 기판(254)의 제1 표면(254a) 또한 본드 와이어들에 의해 제1 기판(252)의 제1 표면(252a)에 연결될 수 있으며, 일 예로써 본드 와이어(270)에 의해 연결될 수 있다.
제1, 제2 및 제3 기판들(252, 254, 262)은 각각 비제한적인 예로서, Si, GaAs, InP, InSb, InGaAs, InGaAsP, SiGe, 세라믹 혹은 유리를 포함하는 다양한 물질들로 구성될 수 있다. 제1, 제2 및 제3 기판들(252, 254, 262)은 각각 동일하거나 상이한 물질들을 포함할 수 있다.
전류 센서(251)는 또한 제2 기판(254)의 제1 표면(254a) 상에 배치된 최소한 하나의 전자 부품(256)을 포함할 수 있다. 전자 부품(256)은 비제한적인 예로서, 예를 들면 저항기, 커패시터 혹은 인덕터와 같은 수동 전자 부품 및 예를 들면 트랜지스터, 증폭기 혹은 또 다른 집적 회로와 같은 능동 전자 부품을 포함할 수 있다.
전류 센서(251)는 또한 제3 기판(262)의 제1 표면(262a) 위로 배치되는 자기장 감지 소자(264)를 포함한다. 자기장 감지 소자(264)는 도 1a 및 도 1b에 도시된 자기장 감지 소자(18)와 동일하거나 유사할 수 있다. 자기장 감지 소자(264)는 제3 기판(262)의 제1 표면(262a)에 실질적으로 평행한 최대 응답 축(266)을 갖는다. 전류 센서(251)는 전류 전도체(28 및/또는 32)를 스트래들할 수 있다.
자기장 감지 소자(264)가 홀 효과 소자이며, 제3 기판(262)의 제1 표면(262a)에 실질적으로 수직인 최대 응답 축을 갖는 실시예들에 있어서, 자기장 감지 소자(264)는 라인(34)으로 표시된 자속이 자기장 감지 소자(264)를 통해 제3 기판(262)의 제1 표면(262a)에 대해 보다 수직하게 통과할 수 있도록 도시된 위치의 좌측 혹은 우측에 배치될 수 있다.
자기장 감지 소자(264)가 홀 효과 소자인 다른 실시예들에 있어서, 전체 전류 센서(251)는 전류 전도체(28 또는 32)의 우측 또는 좌측에 배치되어 전류 센서(251)가 전류 전도체(28 또는 32)를 스트래들하지 않을 수 있다.
다양한 절연막들이 전류 센서(251) 부분들을 전류 센서(251)의 다른 부분들과 전기적으로 분리시키는데 사용될 수 있음을 이해해야 한다.
전류 센서(251)는 제1 전도체(28) 뿐만 아니라 제2 전도체(32)를 스트래들함이 명백하다.
도 1a, 1b, 2a, 2b, 3a, 3b, 4a, 4b, 5a, 5b, 6a 및 6b를 참조로 상술한 바와 같이, 전자 부품들(22, 62, 116, 155, 212 및 256)은 각각 각 기판들의 표면들상에 배치될 수 있다. 상기 전자 부품들은 미합중국 등록 특허 7,075,287호(등록일자 2006. 7. 11)에 개시된 회로들을 포함할 수 있고, 이는 전체가 참조로서 포함되어 있다.
인용된 모든 참조문헌들은 전체가 참조로써 병합되어 있다.
본 발명의 바람직한 실시예들을 설명하였으며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 실시예들의 개념이 병합된 다른 실시예들이 사용될 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 상기 실시예들은 개시된 실시예들에만 한정되지 않으며, 오히려 첨부된 청구항들의 사상 및 범위에 의해서만 제한될 것이다.

Claims (18)

  1. 대향하는 제1 및 제2 표면들을 갖는 회로 기판;
    상기 회로 기판 상에 배치된 회로 트레이스를 포함하며 전류를 운반하는 전류 전도체; 및
    상기 전류 전도체를 스트래들(straddle)하는 위치에 상기 회로 기판과 전기적으로 연결되고 상기 회로 기판 상에 배치된 집적회로를 포함하며,
    상기 집적회로는 상기 전류에 수반되는 자기장을 감지하는 자기저항 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전류 감지를 위한 전자 회로.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 자기저항 소자는 상기 회로 기판의 대향하는 제1 및 제2 표면들에 대체로 평행한 최대 응답 축을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 자기저항 소자는 거대 자기저항 소자인 것을 특징으로 하는 전자 회로.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 자기저항 소자는 자기 터널 정션(magnetic tunnel juction, MJT) 또는 터널링 자기저항(tunneling magnetoresistance, TMR) 소자인 것을 특징으로 하는 전자 회로.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 전류 전도체는 상기 회로 기판의 제2 표면 상에 배치되며, 상기 집적 회로는 상기 회로 기판의 제1 표면 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 집적 회로는 최소한 하나의 증폭기를 지지하는 제1 기판 및 상기 자기저항 소자를 지지하는 제2 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 제2 기판은 상기 제1 기판에 대해 플립-칩(flip-chip) 방식으로 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 기판들은 제3 기판에 의해 지지되는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
  9. 제 6 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 기판들은 제3 기판에 의해 지지되고, 상기 제1 기판 또는 제2 기판 중 최소한 하나는 상기 제3 기판에 대해 플립-칩 방식으로 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 집적 회로는 최소한 하나의 증폭기를 지지하며, 또한 상기 자기저항 소자를 지지하는 표면을 갖는 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
  11. 대향하는 제1 및 제2 표면들을 갖는 회로 기판;
    회로 트레이스를 포함하며, 전류를 운반하는 전류 전도체; 및
    상기 회로 기판 상에 배치되며, 상기 회로 기판과 전기적으로 연결되는 집적회로를 포함하며,
    상기 집적 회로는 상기 전류에 수반하는 자기장을 감지하기 위한 홀 효과 소자를 포함하며,
    상기 전류 전도체는 상기 회로 기판의 상기 제2 표면 상에 배치되고, 상기 집적 회로는 상기 회로 기판의 상기 제1 표면 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 전류 감지를 위한 전자 회로.
  12. 제 12 항에 있어서, 상기 집적 회로는 상기 전류 전도체를 스트래들하는 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 홀 효과 소자는 상기 회로 기판의 대향하는 제1 및 제2 표면들과 대체로 수직인 최대 응답 축을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
  14. 제 12 항에 있어서, 상기 집적 회로는 최소한 하나의 증폭기를 지지하는 제1 기판 및 상기 홀 효과 소자를 지지하는 제2 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 제2 기판은 상기 제1 기판에 대해 플립-칩 방식으로 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
  16. 제 14 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 기판들은 제3 기판에 의해 지지되는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
  17. 제 14 항에 있어서, 제1 및 제2 기판들은 제3 기판에 의해 지지되며, 상기 제1 기판 또는 제2 기판 중 최소한 하나는 상기 제3 기판에 대해 플립-칩 방식으로 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
  18. 제 12 항에 있어서, 상기 집적 회로는 최소한 하나의 증폭기를 지지하며, 또한 상기 홀 효과 소자를 지지하는 표면을 갖는 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
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