KR20100124287A - 구리의 표면처리방법 및 프린트 배선판의 표면처리방법 - Google Patents

구리의 표면처리방법 및 프린트 배선판의 표면처리방법 Download PDF

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토시노리 카와무라
하루오 아카호시
쿠니오 아라이
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히다치 비아 메카닉스 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 기재 수지(1, 4)에 동박(3, 5)을 적층시킨 적층판의 외층의 동박(5) 표면에 산화제2구리(6)을 형성하는 프린트 배선판(10)의 표면처리방법으로서, 0.001[mol/l]을 초과하는 포화농도 이하의 산화구리 이온을 포함하는 알칼리성 수용액(30) 중에서 전해양극 처리함으로써, 산화제2구리(6)를 형성한다. 이 경우, 전해액으로서, 2[mol/l] ~ 6[mol/l]의 수산화나트륨 또는 수산화칼륨으로 하며, 액체온도를 50℃ ~ 90℃로 한다. 산화제2구리의 두께는 0.6 ~ 3.0㎛로 한다.

Description

구리의 표면처리방법 및 프린트 배선판의 표면처리방법{METHOD OF TREATING SURFACE OF COPPER AND METHOD OF TREATING SURFACE OF PRINTED WIRING BOARD}
본 발명은, 구리의 표면에 산화제2구리를 주(主)성분으로 하는 구리 산화물막을 형성하는 구리의 표면처리방법과, 기재(基材) 수지에 동박(銅箔)을 적층한 프린트 배선판의 표면처리방법에 관한 것이다.
최근, 전자기기의 소형경량화에 따라, 프린트 배선판의 배선의 고밀도화가 요구되고 있다. 이 때문에, 절연층과 배선층(도체층)을 서로 번갈아 적층한 소위 다층 프린트 배선판의 기술이 진전되고 있다. 다층 프린트 배선기판의 제조기술로서, 상하 방향의 배선층을 전기적으로 접속하는 층간 접속(inter-layer connection)이 중요한 요소로 되어 있다.
층간 접속방법으로서는, 스루홀(관통홀)이나 블라인드비아홀(blind via holes)(바닥부가 있는 홀)을 사용하는 방법, 인터스티셜비아홀(interstitial via holes)을 사용하는 방법 등이 있다.
홀(hole)의 형성방법으로는, 드릴 가공법, 레이저 가공법 등이 있지만, 가공홀의 소(小)지름화, 높은 가공속도 등의 면에서 레이저 가공법이 주류로 되고 있다. 그 중에서도, 높은 레이저 에너지를 갖는 CO2 레이저가 가장 널리 보급되어 있다.
CO2 레이저의 파장영역에서는 동박 표면에서 레이저광이 반사되기 때문에, 가공이 곤란하다. 따라서, 미리 홀형성 주변부의 동박만을 에칭 제거하고 나서 레이저 가공을 행하는 컨포멀 마스크법(conformal mask method)이나 라아지 윈도우법(large window method)이 채용되고 있다.
그러나, 컨포멀 마스크법이나 라아지 윈도우법에서는, 동박의 패터닝 공정이 필요하게 되거나, 홀의 위치어긋남(positional drift)을 수정하는 것이 곤란하기 때문에, 직접 레이저로 동박을 가공하기 위한 동박 표면처리기술이 검토되고 있다.
동박 표면의 레이저광의 흡수율을 높이기 위한 방법으로서, 동박 표면에 구리 산화물막을 화학적으로 형성하는 표면 흑화처리방법(surface blackening treatment method)이 있다(예컨대, 일본특허공개 2006-339259호 공보, 특허문헌 1).
그러나, 특허문헌 1의 경우, 처리에 시간을 요하기 때문에, 생산성을 향상시키는 것이 곤란하였다. 또, 처리에 사용하는 아염소산나트륨(sodium chlorite)은 고가이므로, 런닝코스트가 높아지고 있었다. 게다가, 강산화성의 아염소산나트륨은 반응성이 높기 때문에, 취급 및 보수관리가 불편하였다.
본 발명의 목적은, 생산성이 우수하고, 런닝코스트를 저감시킬 수 있으며, 취급 및 보수관리가 용이한 프린트 배선판의 표면처리방법(표면 흑화처리방법)을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제1 수단은, 구리의 표면에 산화제2구리(cupric oxide)를 주성분으로 하는 구리 산화물막을 형성하는 구리의 표면처리방법으로서, 0.001[mol/l]을 초과하는 포화농도 이하의 산화구리 이온을 포함하는 알칼리성 수용액 중에서 전해양극(electrolytic anodizing) 처리하는 것을 특징으로 한다.
이 경우, 상기 알칼리성 수용액은 2[mol/l] 내지 6[mol/l]의 수산화나트륨 (sodium hydroxide)또는 수산화칼륨(potassium hydroxide)을 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 알칼리성 수용액의 액체온도는, 50℃ ~ 90℃인 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 제2 수단은, 수지(1, 4)와 동박(3, 5)이 서로 번갈아 적층된 프린트 배선판(10)의 외층(外層)의 동박(5)과 내층(內層)의 동박(3)을 접속하는 홀을 레이저로 가공하기 위한 프린트 배선판의 표면처리방법으로서, 0.001[mol/l]을 초과하는 포화농도 이하의 산화구리 이온을 포함하는 알칼리성 수용액(30) 중에서 전해양극 처리함으로써 외층 동박의 표면에 산화제2구리를 주성분으로 하는 구리 산화물막(6)을 형성하는 것을 특징으로 한다.
이 경우, 상기 산화제2구리의 두께를 0.6 ㎛ 내지 3.0 ㎛로 하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 예컨대 프린트 배선판의 동박 표면에 구리 산화물막을 형성하는 작업 능률이 향상하는 동시에, 런닝코스트(running cost)를 저감할 수 있다.
또한, 괄호 내의 부호는, 편의상 도면과 대조하기 쉽게 하기 위해 붙인 것으로서, 본 발명을 한정하는 것이 아니다.
도 1은, 본 발명의 실시형태에서의 프린트 배선판의 표면처리공정을 나타내는 도면이다.
도 2는, 본 발명의 실시형태에 따르는 표면처리의 처리 조건과 그 결과를 나타내는 도면이다.
도 3은, 본 발명의 실시형태에 따르는 표면처리의 처리 조건과 그 결과를 나타내는 도면이다.
도 4는, 종래 기술의 처리 조건과 그 결과를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시형태에서의 프린트 배선판의 표면처리방법을 도 1 내지 3에 기초하여 설명한다.
도 1은, 본 실시형태의 표면처리공정을 나타내는 도면으로서, (A)는 표면처리 전의 단면을, (B)는 표면처리상태를, (C)는 표면처리 후의 단면을 각각 나타내고 있다.
도 1(A)에 나타내는 바와 같이, 표면처리 전의 프린트 배선판(10)은, 동박(3)으로 이루어지는 내층 회로가 형성된 수지인 내층 기재(1)의 표면(表面)측과 이면(裏面)측에 유리 포(glass fabrics)를 포함하지 않는 수지의 절연층(4)과 동박(5)이 일체인 수지부착 동박(copper foils with resin)(예컨대, 히타치화성공업주식회사제의 구리클래드 적층판(copper-clad laminates, MCL-E679))을 프레스(pressing)에 의해 적층한 것이며, 2개의 외층 동박(5)과 2개의 내층 회로(3)로 이루어지는 4층의 동박을 가지고 있다. 또한, 동박(5)의 두께는 9㎛이다.
우선, 표면처리에 앞서, 프린트 배선판(10)(또한, 이 경우, 동박(5)에는 패턴이 형성되어 있지 않지만, 프린트 배선판(10)이라고 함)의 전(前)처리를 다음의 (1) 내지 (3)의 순서로 행한다.
(1) 먼저, 액체온도 50℃, 농도 5%의 수산화나트륨 용액 중에 3분간 침지(浸漬)하여 동박(5)의 표면을 탈지(脫脂)하고, 그 후 물로 세정한다.
(2) 다음으로, 액체온도 30℃, 농도 20%의 과황산암모늄(ammonium persulfate)액 중에 1분간 침지하여 동박(5)의 표면을 에칭하고, 그 후 물로 세정한다.
(3) 또한, 액체온도 25℃, 농도 5%의 희황산(dilute sulfuric acid)액 중에 1분간 침지하고, 동박(5)의 표면을 더 에칭하여, 그 후 물로 세정한다.
또 (2), (3)의 처리는 동박(5)의 표면 세정(동박(5) 표면의 산화막 제거)을 위한 것이며, 동박(5)의 표면에 구리 산화물막이 형성되는 것이 아니다.
다음으로, 전처리가 종료한 프린트 배선판(10)에 전해양극 처리(표면 흑화처리)(surface blackening)를 행한다. 즉, 도 1(B)에 나타내는 바와 같이, 전처리를 행한 프린트 배선판(10)을 알칼리성 수용액인 전해액(30) 중에 배치하고, 직류전원(20)에 의해, 전극(21)을 음극, 동박(5)을 양극으로 하여 정전류(定電流) 밀도로 행한다. 또한, 도 1(B)에서는 수직형의 전해처리조(electrolytic treatment bath)로서 나타내고 있지만 수평형이어도 좋다. 그리고, 도 1(C)에 나타내는 바와 같이, 동박(5)의 표면에 구리 산화물(6)을 형성시킨 후, 물로 세정하고, 건조시킨다.
그 다음에, 표면처리의 구체적인 조건과 표면처리의 평가결과를 설명한다. 도 2는, 표면처리의 구체적인 조건과 그 결과를 나타내는 도면이며, 전해액으로서 수산화나트륨 용액을 이용한 경우이다.
표면처리(전해양극 처리)의 처리 조건은 이하에 나타내는 (a) ~ (e)이다.
(a) 전해액 : 수산화나트륨 용액. 농도 2 ~ 6[mol/l]
(b) 전해액 첨가제 : 산화구리 이온 농도 0.001[mol/l]을 초과
(c) 전해액의 액체온도 : 50 ~ 90℃
(d) 전류밀도 : 5 ~ 45mA/cm2
(e) 처리시간 : 0.5분 ~ 8분
또한, 전극(21)으로서는 스테인레스를 사용하였지만, 티탄이나 백금 또는 구리여도 좋다. 또, (b)의 전해액 첨가제인 산화구리 이온이란, 알칼리 중에 존재하는 (HCuO2)-나 (CuO2)2- 및 (CuO2)- 등의 산화구리 이온을 지칭한다. 본 실시형태에서는 산화구리 이온의 부여는 수산화구리(copper hydroxide)를 이용하였지만, 염화구리(copper chloride), 피로린산구리(copper pyrophosphate), 황산구리(copper sulfate), 산화구리(copper oxide), 구리여도 좋다.
그리고, 표면처리의 결과를 산화제2구리의 막두께와 CO2 레이저에 의한 천공 가공성(boring processability)으로 평가하였다. 평가의 상세는 이하에 나타내는 (f), (g)와 같다.
또한, 본 실시형태에서의 전해양극 처리에 의해 생성하는 구리 산화물은, 산화제1구리와 산화제2구리이며, 생성비율은 산화제1구리가 10% ~ 20%, 산화제2구리가 90% ~ 80%이다. 이와 같이, 구리 산화물(6)은, 산화제2구리가 대부분이기 때문에, 도 2 및 후술하는 도 3 및 도 4에서는 산화제2구리로 기재하고 있다.
(f) 산화제2구리의 막두께 : 전기화학적 환원전위법을 이용하여 기판 내의 3점에서 측정하였다. 전기화학적 환원전위법의 측정 조건은, 전극면적을 4.5 x 10-2 cm2 로 하고, 전해액을 0.1[mol/l] NaOH 수용액, 참조극(reference electrode)을 포화 KCL 은/염화은(saturated KCL silver/silver-chloride) 전극으로 하여 전류값 1mA로 행하였다.
(g) 천공 가공성의 평가 : CO2 레이저에 의해 400개의 홀 천공가공을 행하여, 목표 홀지름이 얻어진 가공홀 수(數)의 비율로 평가하였다. 홀가공 조건으로서는, 목표 홀지름을 80㎛로 하고, 레이저 에너지를 10mJ로 하여 1쇼트(one-shot)가공하였다. 여기서, 실용상 가공홀 지름이 목표 홀지름에 대하여 90% 이상이면 문제없으므로, 가공홀 지름이 목표 홀지름에 대하여 90% 이상인 경우를 천공 가공성이 양호한 것으로 하였다.
또한, 전해액 첨가제인 산화구리 이온의 효과를 확인하기 위하여, 비교예 1로서, 산화구리 이온을 첨가하지 않은 전해액으로 전해양극 처리를 행하였다.
또 도 3은, 전해액으로서 수산화칼륨 용액을 이용한 경우이며, 표면처리의 구체적인 조건은 전해액으로서 수산화나트륨 용액을 이용한 경우와 동일하다.
게다가, 본 실시형태를 종래 기술과 비교하기 위하여, 특허문헌 1에 기초한 화학적인 표면 흑화처리를 행한 데이터를 비교예 2 ~ 4에 나타내고 있다.
도 4는 종래 기술의 결과를 나타내는 도면이며, 전처리 및 평가 조건은 상기의 경우와 동일하다. 종래 기술에서의 처리 조건은, 이하에 나타내는 (h) ~ (j)이다.
(h) 처리액 : 아염소산나트륨 농도는 1.1[mol/l] ~ 1.8[mol/l], 수산화나트륨 농도는 0.75[mol/l] ~ 2.5[mol/l]
(i) 처리액 온도 : 70℃
(j) 처리시간 : 7분
또한, 전처리 및 평가 조건은 도 2, 3의 경우와 동일하다.
상기 전해법의 처리에 따른 결과를 정리하면 이하와 같이 된다.
(A) 구리 산화물의 막두께에 관하여
동박의 레이저 천공 가공성은, 구리 산화물의 막두께에 의존하고 있으며, 산화제2구리의 두께가 0.6㎛ 이상이면 양호하다. 도 2, 도 3으로부터 명백한 바와 같이, 본 실시형태의 경우, 수산화나트륨 농도 또는 수산화칼륨을 2[mol/l] ~ 6[mol/l], 산화구리 이온 농도가 0.001[mol/l]를 초과하는 것을 포함하는 전해액으로 하고, 액체온도를 50℃ ~ 90℃로 함으로써, 산화제2구리의 막두께를 0.6 ㎛ 이상(0.6 ㎛ ~ 3.0 ㎛)으로 할 수 있으며, 또한 기판 내의 막두께 편차범위를 0.1㎛ 이내로 할 수 있다는 것을 알 수 있다.
한편, 전해액에 산화구리 이온을 첨가하지 않는 경우에는, 기판 내에서 산화제2구리 막두께가 0.4㎛인 부분도 존재하며, 막두께 편차범위도 0.4㎛로 크고, 막두께 분포가 불균일하다. 이 결과, 후술하는 바와 같이, 레이저 천공 가공성이 저하한다. 즉, 산화구리 이온을 첨가함으로써, 산화제2구리의 막두께를 균일하게 생성시킬 수 있다.
(B) 가공성에 관하여
본 실시예 1 ~ 26과 비교예 2 ~ 4를 비교하면, 실시예 1 ~ 26 모두에 있어서 비교예 2 ~ 4와 마찬가지로 가공성 90% 이상이며, 양호한 결과가 얻어졌다. 또한, 비교예 1은, 산화구리 이온을 첨가하고 있지 않기 때문에 산화제2구리의 막두께 분포가 불균일하며 산화제2구리 막두께가 0.4㎛인 얇은 부분에서 홀지름이 작아져 가공성이 62%로 저하하였다.
(C) 처리시간에 관하여
본 실시형태에서는, 전류밀도를 높게 함으로써, 처리시간을 단축하는 것이 가능하다. 즉, 실시예 9, 10, 15, 16, 20, 21, 23, 24, 26의 경우에는 처리시간을 1분 이하로 할 수 있었다. 이 처리시간은, 종래 기술(비교예 2 ~ 4에서는 7분)에 비하여 7배 이상 고속화되어 있다.
또한, 본 발명의 처리방법에 있어서도, 수산화나트륨 또는 수산화칼륨의 농도와 액체온도가 낮을 경우에는, 산화제2구리 막두께를 0.6㎛ 이상으로 할 수 없다.
(D) 본 발명에 따르는 표면처리와 종래의 화학적인 표면 흑화처리 간의 런닝코스트 비교
(D1) 전해액을 수산화나트륨 용액 또는 수산화칼륨 용액으로 함으로써, 종래의 화학적인 표면 흑화처리액의 강산화성의 아염소산염과 비교하여, 저렴하며, 취급도 용이하게 된다.
(D2) 산화구리 이온은, 전해처리 중에 프린트 배선판의 동박으로부터 용출하는 Cu 이온으로도 생성된다. 또, 포화량을 초과할 경우에는 산화구리로서 침전(沈澱)되기 때문에, 전해액 중의 양은 변하지 않는다. 따라서, 작업에 따라서 보충할 필요는 없어 산화구리 이온 농도의 관리가 용이하다.
또한, 산화구리 이온 농도는 0.001[mol/l]을 초과하는 포화농도 이하라면, 도 2, 도 3과 동일한 결과가 얻어지는 것을 확인하였다.
또, 상기 가공성의 평가에서는, 파장이 9.3㎛ ~ 10.6㎛의 CO2 레이저를 이용하였지만, 본 발명은 자외선, 적외선의 파장영역의 레이저에 대해서도 유효하다.
또한, 산화제2구리의 막두께는, 외층의 동박(5)의 두께가 얇은 경우에는(예컨대, 9㎛), 상한을 3.0㎛ 이하로 하는 것이(즉, 0.6 ㎛ ~ 3.0 ㎛) 실용적이다.
또, 본 발명은, 수지 또는 유리 포를 포함하는 수지의 양면 또는 단면(片面)에 동박을 갖는 리지드 또는 플렉시블한(rigid or flexible) 일반에 공지된 프린트 배선판에 적용하는 것이 가능하다.
또한, 이상에 있어서는 프린트 배선판의 표면처리에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 프린트 배선판에 한정되지 않으며, 다른 용도(예컨대, 산화제2구리의 미세결정 형상(crystalline microstructure)을 활용하여, 높은 표면적을 필요로 하는 전지의 집전극(current collecting electrode)의 표면처리 또는 광의 고흡수율을 활용하여, 태양에너지 등의 열 집적장치의 표면처리 등)에도 적용할 수 있다.
(산업상 이용가능성)
본 발명에 관한 구리의 표면처리방법 및 프린트 배선판의 표면처리방법은, 휴대전화, 컴퓨터, 디지털 카메라, 텔레비젼 등의 전자기기, 간판, 자동차나 로봇 등의 기계장치의 부품 등에 사용되는 구리재의 가공에 사용가능하며, 특히 구리의 레이저광의 흡수율을 높이기 위한 처리, 예컨대 상기 전자기기의 프린트 기판에 층간 접속을 위한 홀을 레이저에 의해 가공할 때에 행해지는, 배선층의 동박 표면처리에 이용하는데 바람직하며, 그 생산성의 향상이나 보수관리의 용이화가 요구되고 있는 것에 적합하다.

Claims (5)

  1. 구리의 표면에 산화제2구리(cupric oxide)를 주성분으로 하는 구리 산화물막을 형성하는 구리의 표면처리방법으로서, 0.001[mol/l]을 초과하는 포화농도 이하의 산화구리 이온을 포함하는 알칼리성 수용액 중에서 전해양극(electrolytic anodizing) 처리하는 것을 특징으로 하는 구리의 표면처리방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 알칼리성 수용액은 2 [mol/l] 내지 6 [mol/l]의 수산화나트륨 또는 수산화칼륨을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리의 표면처리방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 알칼리성 수용액의 액체온도는, 50℃ ~ 90℃인 것을 특징으로 하는 구리의 표면처리방법.
  4. 수지와 동박이 서로 번갈아 적층된 프린트 배선판의 외층(外層)의 동박과 내층의 동박을 접속하는 홀을 레이저로 가공하기 위한 프린트 배선판의 표면처리방법으로서, 0.001[mol/l]을 초과하는 포화농도 이하의 산화구리 이온을 포함하는 알칼리성 수용액 중에서 전해양극 처리함으로써 외층 동박의 표면에 산화제2구리를 주성분으로 하는 구리 산화물막을 형성하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 표면처리방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 산화제2구리의 두께가 0.6 ㎛ 내지 3.0 ㎛인 것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 표면처리방법.
KR1020107020269A 2008-03-10 2009-02-25 구리의 표면처리방법 및 프린트 배선판의 표면처리방법 KR20100124287A (ko)

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