JP4862682B2 - プリント配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線基板とその製造方法に関し、特に層間接続用のビアホールへの導体形成の際に、導体厚を厚くすることなくビアホール内を均一な厚さで覆うもしくはビアホール内を充填することで、ファインパターン形成に有利で且つ信頼性に優れたプリント配線板及びその製造方法に関するものである。

近年、電子機器の小型化・高速化・高機能化に伴い、プリント配線板に対しても高密度化・多層化・多機能化が要求されてきている。特にビア・ランドの小径化、パターンのファイン化等に関する技術開発は加速しており、従来のスルーホール多層基板に代わる基板として、小型化・高速化・高機能化を実現するビルドアップ配線基板の需要が高まっている。

ビルドアップ配線基板の一般的な製造方法は、ベースとなるコア基板の表層にビルドアップ層として絶縁層を形成し、そこにレーザ等により小径の穴加工を施した後、めっきにより層間接続と表層配線パターンの形成を繰り返す工程からなる（例えば非特許文献１参照）。

そこで表層の導体を形成する方法として、抑制剤及び促進剤を添加した硫酸銅、硫酸、塩素イオンを主成分とするめっき液により均一な厚みでビアホールを覆うコンフォーマルビアめっき、もしくはビアホール内を充填するビアフィリングめっきが広く用いられている（例えば特許文献１参照）。
高木 清著 「ビルドアップ多層プリント配線板技術」日刊工業新聞社出版 特開２００２−１６４６５６号公報

しかしながら、前記従来の構成では、ビアホールを有するプリント配線基板において、そのビアホール内に均一な厚さで導体を形成しようとした場合、ビアホール開口部の導体厚は表層導体厚よりも薄くなる傾向があり、ビア接続信頼性に影響を及ぼすことが予想される。一方、開口部の導体厚を所望の厚さに設定すると、表層導体厚は開口部導体厚以上に厚くなってしまう。また、ビアホール内を導体で完全充填しようとした場合、特にビアホール径が大きく絶縁層厚みが大きい程、充填に要する時間は増加し、その分表層の導体厚も厚くなるためパターン形成の際のサイドエッチングの影響が大きく、パターン幅が細ってしまうことで所望のパターン形状が得られないといった課題を有していた。従来、ファインパターン形成を実現させるために表層導体厚が厚い場合においては、機械研磨もしくは化学研磨等で表層導体厚を薄くする工程が必要となっていた。

本発明は、前記従来の課題を解決するもので、表層導体の表面にマスク層を形成すると同時にビアホール側壁面の絶縁層部にのみ第３の導電層を形成した後、導電層表面及びビアホール内壁面全体を覆うように形成される第４の導電層をめっき形成するので、表層導体厚を厚くすることなくビアホール開口部の導体厚を所望の厚さに形成することが可能となるため、ビア接続信頼性に優れ、且つファインパターン形成に適したプリント配線板を提供することを目的としている。

前記従来の課題を解決するために、本発明は、第１の導電層と第２の導電層に挟まれた絶縁層に前記第１の導電層表面が露出するように穴加工を施した有底の穴内を導電体によって接続したビアホールを有するプリント配線基板において、前記絶縁層のビアホール側壁面にのみ形成される第３の導電層と、前記第２の導電層表面及び前記ビアホール内壁面全体を覆うように形成される第４の導電層を有することを特徴とするプリント配線基板であるので、表層導体厚を厚くすることなくビアホール開口部の導体厚を所望の厚さに形成することを可能としたものである。

本発明のプリント配線基板及びその製造方法によって、第１の導電層へのマスク層の形成とビアホール側壁面の絶縁層部への第３の導電層を選択的に形成し、その後導電層表面及びビアホール内壁面全体を覆うように形成される第４の導電層をめっき形成するので、表層導体厚を厚くすることなくビアホール開口部の導体厚を所望の厚さに形成することが可能となり、ビア接続信頼性に優れ、且つファインパターン形成にも有利である。

（実施の形態１）
以下本発明の実施の形態１について図面を参照しながら説明する。

図１は、本発明の実施の形態１における配線基板の断面図である。図１に示すように、本実施の形態のプリント配線基板は、第１の導電層１と第２の導電層２に挟まれた絶縁層３に第１の導電層１が露出するように形成された有底の穴５に対し、穴５の側壁面６へ、第３の導電層８が第１の導電層１及び第２の導電層２よりも厚く形成されている。第３の導電層８の形成によりビア側壁面６の導体厚が増したビアホール９に対し、内壁面全体及び第２の導電層２の表面を均一な厚さで覆うように第４の導電層１０が形成された構造である。

次に本発明の実施の形態１におけるプリント配線基板の製造方法の具体的な実施の形態について図２（ａ）〜（ｈ）を参照しながら説明する。

まず、図２（ａ）に示す様に、絶縁層３が第１の導電層１及び第２の導電層２で挟まれた両面基板を作製する。両面基板は第１の導電層１及び第２の導電層２である銅箔で絶縁層３を挟んで積層し、真空プレスにて加熱・加圧して両面銅張積層板（ａ）を形成することができる。本実施の形態では絶縁層３にガラスエポキシ基材を、第１の導電層１及び第２の導電層２には銅箔を使用している。絶縁層３は例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、もしくは感光性樹脂、或いは有機繊維、無機繊維の少なくとも１種類の繊維と樹脂の複合材料、或いは樹脂に無機フィラーを入れたものでもよい。

次に図２（ｂ）に示す様に、第１の導電層１を底とする穴５を形成する位置において第２の導電層２に開口部４を形成する。ここでは、第２の導電層２の表面にドライフィルムレジストをラミネートなどにより形成し、所望の開口部のパターンが描かれているマスクを通して紫外線露光により画像を焼きつけた後、現像にて開口部のレジストを剥離し、最後に現像で銅箔が露出した開口部４を塩化第２鉄、塩化第２銅、過酸化水素などによるエッチング液でエッチングする。開口部４は穴５の径と同じかもしくはそれより大きくなるように形成する。この時、同時に第２の導電層２と同様の方法で第１の導電層１にも所望の配線パターンを形成できる。

次に図２（ｃ）に示すように、図２（ｂ）で露出させた絶縁層３上から、第１の導電層１を底とする穴５を、炭酸ガスレーザで形成するが、ＹＡＧレーザやエキシマレーザによっても行うことができる。

その後第３の導電層８を無電解銅めっきで形成するための前処理を行う。以下前処理工程について説明する。レーザ加工後の穴の側壁面６及び第１の導電層１上の樹脂残渣を除去するためのデスミア処理を行う。デスミア処理は、エチレングリコールモノブチルエーテルなどグリコールエーテル系の溶剤及び水酸化ナトリウムの溶液により樹脂の分子鎖を切り易くした後、過マンガン酸カリウム及び水酸化ナトリウムの溶液でその樹脂成分をエッチングし、最後に酸で中和する３工程から成る。デスミアはＯ_２プラズマ、ＣＦ_４プラズマなどによるものでもよい。

次に脱脂工程にて基板表面の油脂や金属酸化物の除去を行い、その後過硫酸ナトリウムと硫酸もしくは過酸化水素と硫酸の溶液で第１の導電層１及び第２の導電層２の表面をソフトエッチングする。このソフトエッチング工程により、デスミアで完全に除去できなかったビアホール９の底部の樹脂を銅ごと除去して銅表面を露出させることができる。

次に基板表面にパラジウム、スズのコロイド溶液からなる溶液で触媒を付与した後、スズを除去し、金属パラジウムを析出させて無電解銅めっきを行うための核付けを行う。一般に樹脂に吸着するパラジウム量は銅上の吸着量の１０倍程度である。従って本製造プロセスにおいて無電解銅めっきの銅箔上への析出は起こりにくい。

前処理終了後、無電解銅めっき工程において、図２（ｄ）に示すように銅の酸化膜であるマスク層７を形成すると同時に、図２（ｅ）に示すように、穴の側壁面６にのみ第３の導電層８である無電解銅めっき層を、第１の導電層１及び第２の導電層２よりも厚く形成する。無電解銅めっきでは例えば、銅の供給源として硫酸銅を、還元剤としてホルムアルデヒドなどを、還元剤の機能を高めるためのアルカリ剤として水酸化ナトリウムなどを、その他に添加剤、安定剤などを加えた液を使用する。無電解銅めっきは金属パラジウムを核とし自己触媒的に反応を開始する。この時、めっきの析出は金属パラジウム量が多い穴の側壁面６からスタートし反応が進むが、前述のように第２の導電層２上においては金属パラジウムの吸着量が少ないために、穴の側壁面６に比べ反応が遅く銅の析出は極めて遅い。この無電解銅めっきでは、めっき液中のホルムアルデヒドが還元剤となりこれがギ酸に酸化される時に放出する電子により銅が還元析出する。

ここで、金属パラジウムの活性を抑え、銅とパラジウムの置換反応による第２の導電層２表面への銅の析出よりも第２の導電層２の酸化スピードの方が上回るようにホルムアルデヒド濃度を低く設定することにより、第２の導電層２には銅の酸化膜であるマスク層７を形成させて銅の析出を抑制しながら、且つ穴の側壁面６にのみ無電解銅めっきを厚く析出させることが可能となる。これにより、ビアホール９の体積は第３の導電層８である無電解銅めっき層形成前の穴５と比較し大きく減少している。

次に図２（ｆ）のように、後述の電解銅めっきの前処理として硫酸で酸活性を行うと同時に、前述の無電解銅めっき工程で形成され表面に露出した銅の酸化膜であるマスク層７を除去する。

次に、エチレングリコールモノブチルエーテルに代表されるポリエーテル化合物からなる抑制剤、ＳＰＳに代表される有機系硫黄化合物からなる促進剤などを添加した電解銅めっき液（硫酸銅７０ｇ／Ｌ 硫酸２００ｇ／Ｌ 塩素イオン５０ｍｇ／Ｌ）により、少なくとも第１の導電層１または第２の導電層２または第３の導電層８のいずれかを給電層としてビアホール９内を接続して、電解めっきにより図２（ｇ）のように第４の導電層１０を形成する。

無電解銅めっき工程で図２（ｅ）の様に、第３の導電層８を厚付けすることにより、ビアホール９の体積は第３の導電層８の形成前の穴５に比べ大きく減少しており、穴の側壁面６が十分に厚く形成されているので、第２の導電層２上への第４の導電層１０を薄く形成しても十分な接続信頼性が得られる。また、第２の導電層２上の導電層厚を薄く形成できることにより、ファインパターン形成には有利となる。

次に、図２（ｈ）に示すように、導電層表面にドライフィルムレジストをラミネートなどにより形成し、所望のパターンが描かれているマスクを通して紫外線露光により画像を焼きつけた後、現像にてパターン部以外のレジストを剥離し、最後に現像で露出した第４の導電層１０及び第２の導電層２を塩化第２鉄、塩化第２銅、過酸化水素などによるエッチング液でエッチングすることで図２（ｈ）に示すような配線パターン１１を形成することで、プリント配線基板が完成する。

以上のように、本実施の形態によれば、表層導体厚を厚くすることなくビアホール内の導体厚を所望の厚さに形成することが可能となり、ビア接続信頼性に優れ、且つファインパターン形成可能なプリント配線板を得ることができる。

（実施の形態２）
本発明の実施の形態２におけるプリント配線基板の製造方法の具体的な実施の形態について、図３を参照しながら説明する。なお、実施の形態１と同一の構成を有するものについては同一の符号を付し、その説明を省略する。

まず図３（ａ）において、絶縁層３が第１の導電層１及び第２の導電層２で挟まれた両面銅張積層板を作製する。次に図３（ｂ）において、第１の導電層１を底とする穴５を、第２の導電層２である銅箔の上から直接レーザなどで形成することもできる。例えばＹＡＧレーザで加工する場合は、第１の導電層１を貫通しない程度のエネルギーでそのまま加工可能であるが、炭酸ガスレーザで加工する場合は、炭酸ガスレーザの光を吸収できるような表面処理、例えば黒化処理などを行うことによってレーザ加工が可能となる。また、第２の導電層２をレーザ加工が可能な厚さ（例えば２〜１０μｍ）にまでエッチングする方がより好ましい。また、炭酸ガスレーザの場合、図３（ｂ）のように、レーザ加工の際にビアホール周辺の銅が溶融し盛り上がることで、後述のめっき工程において析出性を低下させる要因となるために、例えば過酸化水素及び硫酸からなるエッチング液によりビアホール周辺部の溶融部１２のみを、図３（ｃ）に示すように選択的にエッチングするか、機械研磨などによりこれを除去する。以下、第３の導電層８を無電解銅めっきで形成するための前処理工程及び図３（ｄ）〜（ｈ）は実施の形態１の図２（ｄ）〜（ｈ）と同様の工程によってプリント配線板を完成させる。

以上のように、本実施の形態によれば、銅箔の上から直接レーザ加工で穴を形成する方法であっても、ビア接続信頼性に優れ、且つファインパターン形成可能なプリント配線板を得ることができる。

（実施の形態３）
以下本発明の実施の形態３について図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態１と同一の構成を有するものについては同一の符号を付し、その説明を省略する。

図４は、本発明の実施の形態３における配線基板の断面図である。図４に示すように、本実施の形態３のプリント配線基板は、第１の導電層１と第２の導電層２に挟まれた絶縁層３に第１の導電層１が露出するように形成された有底の穴５に対し、第３の導電層８が第１の導電層１及び第２の導電層２よりも厚く形成されており、更に第４の導電層１０で充填形成されたビア、すなわちフィルドビア構造を有する両面配線板である。

以上のように第３の導電層８形成において、第２の導電層２及び穴５底部の第１の導電層１には銅の酸化膜であるマスク層７を、穴の側壁面６には第１の導電層１及び第２の導電層２よりも厚く無電解銅めっき層８を選択形成することを特徴としており、ここで電解銅めっきにてビアホール９内に第４の導電層１０を充填形成するが、本実施の形態では無電解銅めっき層である第３の導電層８の形成により、ビア側壁面の導体厚が増したビアホール９に対して充填形成を行うことで、通常よりも短時間で充填が可能になる。すなわち表層である第２の導電層２へのめっき厚は薄くすることが可能であり、このように表層を薄く形成した場合でもビアホールが充填されていることで接続信頼性に優れ、且つ表層の第４の導電層１０が薄いことでファインパターン形成に適した両面配線基板を実現することができる。

本発明の実施の形態３におけるプリント配線基板の製造方法の具体的な実施の形態について図５（ａ）〜（ｈ）を参照しながら説明する。

図５（ａ）〜（ｆ）については、実施の形態１で説明した図２の（ａ）〜（ｆ）と同様であるため、説明を省略する。図５（ｆ）以降、エチレングリコールモノブチルエーテルに代表されるポリエーテル化合物からなる抑制剤、ＳＰＳに代表される有機系硫黄化合物からなる促進剤などを添加し、且つ硫酸銅濃度が高く硫酸濃度が低いビアフィリング用の電解銅めっき液（硫酸銅２００ｇ／Ｌ 硫酸５０ｇ／Ｌ 塩素イオン５０ｍｇ／Ｌ）を使用し、図５（ｇ）に示す様に、ビアホール９内を充填すると同時に第２の導電層２上への第４の導電層１０の形成を行うことができる。

その後、図２（ｈ）と同様に導電層表面にドライフィルムレジストをラミネートなどにより形成し、所望のパターンが描かれているマスクを通して紫外線露光により画像を焼きつけた後、現像にてパターン部以外のレジストを剥離し、最後に現像で露出した第４の導電層１０及び第２の導電層２を塩化第２鉄、塩化第２銅、過酸化水素などによるエッチング液でエッチングすることで、図５（ｈ）に示すような配線パターン１１を形成し、両面プリント配線基板を完成させる。

本実施の形態では、ビアホール上にも部品を実装することが可能となるため、高密度化が可能である上に配線の自由度も大きくなる。通常ビアホール内部を完全充填しようとした場合、表層のめっき厚も厚くなってしまいファインパターン形成には不利となるが本実施の形態では穴の側壁面６に無電解めっきを厚付けし、充填に必要な穴の体積を小さくしておくことで表層めっき厚を厚くすることなく充填可能となることを特徴としている。

（実施の形態４）
以下本発明の実施の形態４について図面を参照しながら説明する。

図６は、本発明の実施の形態４における配線基板の断面図である。図６に示すように、本実施の形態のプリント配線基板は、例えば、コア基板２１に対し、そのコア基板の少なくとも一方の面に絶縁層２２と第５の導電層２３である銅箔が積層され、コア基板の表層の導電層２０が露出するように形成された有底の穴２５に対し、第６の導電層２８が第５の導電層２３よりも厚く形成されており、第７の導電層３０により穴の側壁面２６全体及び第５の導電層２３表面を均一な厚さで覆うように形成されたビアを有する構造である。図６においては両面銅張積層板をコア基板としているが、コア基板としては実施の形態１及び実施の形態２に示したような両面板、あるいはめっきや銅箔などにより配線パターンが形成され従来からプリント配線基板の製造に用いられている多層プリント配線基板、フレキシブルプリント配線基板や全層ＩＶＨ構造の例えばＡＬＩＶＨ基板などであってもよい。

以上のように、両面板もしくは多層板をコア基板としてその上に実施の形態１に示した構造を積層した多層配線基板とすることで配線密度の高い基板を実現可能となる。

次に、本発明の実施の形態４におけるプリント配線基板の製造方法の具体的な実施の形態について図７（ａ）〜（ｇ）を参照しながら説明する。

図７（ａ）に示すように、例えば、実施の形態１及び実施の形態２に示したような両面板、あるいはめっきや銅箔などにより配線パターンが形成され、従来からプリント配線基板の製造に用いられている多層プリント配線基板、フレキシブルプリント配線基板や全層ＩＶＨ構造の例えばＡＬＩＶＨ基板などをコア基板２１とし、このコア基板の少なくとも一方の面に絶縁層２２と第５の導電層２３、あるいは樹脂付き銅箔を積層し真空プレスで加熱・加圧し成型する。この時、絶縁層２２は例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、もしくは感光性樹脂、或いは有機繊維、無機繊維の少なくとも１種類の繊維と樹脂の複合材料、或いは樹脂に無機フィラーを入れたものなどである。

その後、図７（ｂ）〜（ｆ）は実施の形態１に示した図２（ｂ）〜（ｈ）と同様であるため詳細な説明は省略する。図７（ｂ）穴２５の開口部２４を形成、図７（ｃ）レーザによる穴２５の形成、無電解銅めっきの前処理を行い、図７（ｄ）無電解銅めっきによるマスク層２７形成及び穴の側壁面２６への無電解銅めっきにより、第６の導電層２８の厚付け形成、図７（ｅ）マスク層２７除去を行い、図７（ｆ）抑制剤、促進剤を添加した通常の電解銅めっき液（硫酸銅７０ｇ／Ｌ 硫酸２００ｇ／Ｌ 塩素イオン５０ｍｇ／Ｌ）によりビアホール２９内に電解銅めっきにて、第７の導電層３０の形成を行う。最後に図７（ｇ）配線パターン３１形成を行い、多層プリント配線基板が完成する。

以上のように、本実施の形態によれば、両面板もしくは多層板をコア基板としてその上に実施の形態１に示した構造を積層した多層配線基板とすることで配線密度の高い基板を実現可能となる。

（実施の形態５）
以下本発明の実施の形態５について図面を参照しながら説明する。

図８は、本発明の実施の形態５における配線基板の断面図である。図８に示すように、本実施の形態のプリント配線基板は、例えば、コア基板２１に対し、そのコア基板の少なくとも一方の面に絶縁層２２と第５の導電層２３である銅箔が積層され、コア基板の表層の導電層２０が露出するように形成された有底の穴２５に対し、第６の導電層２８が第５の導電層２３よりも厚く形成されており、第７の導電層３０により第５の導電層２３表面を覆い、ビアが充填形成されている、すなわちフィルドビア構造を有する多層配線基板である。

図８においては両面銅張積層板をコア基板としているが、コア基板としては実施の形態３に示したような両面板、あるいはめっきや銅箔などにより配線パターンが形成され従来からプリント配線基板の製造に用いられている多層プリント配線基板、フレキシブルプリント配線基板や全層ＩＶＨ構造の例えばＡＬＩＶＨ基板などであってもよい。

以上のように、両面板もしくは多層板をコア基板としてその上に実施の形態３に示したフィルドビア構造を有する基板を積層した多層配線基板とすることで、実施の形態４に示した多層配線基板よりも更に配線密度の高い基板を実現可能となる。

次に、本発明の実施の形態５におけるプリント配線基板の製造方法の具体的な実施の形態について、図９（ａ）〜（ｇ）を参照しながら説明する。

図９（ａ）〜（ｅ）については、実施の形態４で説明した図７（ａ）〜（ｅ）と同様であるため、詳細な説明は省略する。

図９（ａ）に示すように、例えば、実施の形態１及び実施の形態２に示したような両面板、あるいはめっきや銅箔などにより配線パターンが形成され、従来からプリント配線基板の製造に用いられている多層プリント配線基板、フレキシブルプリント配線基板や全層ＩＶＨ構造の例えばＡＬＩＶＨ基板などをコア基板２１とし、このコア基板の少なくとも一方の面に絶縁層２２と第５の導電層２３、あるいは樹脂付き銅箔を積層し真空プレスで加熱・加圧し成型する。この時、絶縁層２２は例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、もしくは感光性樹脂、或いは有機繊維、無機繊維の少なくとも１種類の繊維と樹脂の複合材料、或いは樹脂に無機フィラーを入れたものなどである。

その後、図９（ｂ）穴２５の開口部２４を形成、図９（ｃ）レーザによる穴２５の形成、無電解銅めっきの前処理を行い、図９（ｄ）無電解銅めっきによるマスク層２７形成及び穴の側壁面２６への無電解銅めっきにより第６の導電層２８の厚付け形成、図９（ｅ）マスク層２７除去を行う。次にエチレングリコールモノブチルエーテルに代表されるポリエーテル化合物からなる抑制剤、ＳＰＳに代表される有機系硫黄化合物からなる促進剤などを添加し、且つ硫酸銅濃度が高く硫酸濃度が低いビアフィリング用の電解銅めっき液（硫酸銅２００ｇ／Ｌ 硫酸５０ｇ／Ｌ 塩素イオン５０ｍｇ／Ｌ）を使用し、図９（ｆ）に示す様に、穴２５内を充填すると同時に第５の導電層２３上への第７の導電層３０の形成を行った後、図９（ｇ）に示すように配線パターン３１を形成し完成となる。

以上のように、本実施の形態によれば、両面板もしくは多層板をコア基板としてその上に実施の形態３に示したフィルドビア構造を有する基板を積層した多層配線基板とすることで実施の形態４に示した多層配線基板よりも更に配線密度の高い基板が実現可能となる。

本発明にかかる多層プリント配線基板の層間接続構造は高い接続信頼性を得ることができるため、微細な配線パターンや半導体実装等のより高い信頼性基準を満足する必要のある半導体パッケージや小型モジュール部品等の実装基板に関する用途に適用できる。

本発明の実施の形態１におけるプリント配線板を示す断面図 本発明の実施の形態１におけるプリント配線板の製造方法を示す工程断面図 本発明の実施の形態２におけるプリント配線板の製造方法を示す工程断面図 本発明の実施の形態３におけるプリント配線板を示す断面図 本発明の実施の形態３におけるプリント配線板の製造方法を示す工程断面図 本発明の実施の形態４におけるプリント配線板を示す断面図 本発明の実施の形態４におけるプリント配線板の製造方法を示す工程断面図 本発明の実施の形態５におけるプリント配線板を示す断面図 本発明の実施の形態５におけるプリント配線板の製造方法を示す工程断面図

符号の説明

１ 第１の導電層
２ 第２の導電層
３ 絶縁層
４ 開口部
５ 穴
６ 穴の側壁面
７ マスク層
８ 第３の導電層
９ ビアホール
１０ 第４の導電層
１１ 配線パターン
１２ レーザ加工に伴う銅箔溶融部
２０ コア基板表層の配線パターン
２１ コア基板
２２ 絶縁層
２３ 第５の導電層
２４ 開口部
２５ 穴
２６ 穴の側壁面
２７ マスク層
２８ 第６の導電層
２９ ビアホール
３０ 第７の導電層
３１ 表層配線パターン

Claims (9)

1. 第１の導電層と第２の導電層に挟まれた絶縁層に前記第１の導電層表面が露出するように穴加工を施した有底の穴内を導電体によって接続したビアホールを有するプリント配線基板において、前記絶縁層のビアホール側壁面にのみ形成される第３の導電層と、前記第２の導電層表面及び前記ビアホール内壁面全体を覆うように形成される第４の導電層を有することを特徴とするプリント配線基板。
2. 第３の導電層は、前記ビアホール内壁面の絶縁層に形成され、かつ第１及び第２の導電層よりも厚く形成されることを特徴とする請求項１記載のプリント配線基板。
3. 第４の導電層は、第２の導電層表面及びビアホール内壁面全体に均一な厚さで覆われるように形成されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプリント配線基板。
4. 第４の導電層は、第２の導電層表面を覆い、且つビアホール内に充填形成されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプリント配線基板。
5. 第１の導電層と第２の導電層に挟まれた絶縁層に第１の導電層表面が露出するように穴加工を施し、有底の穴内を導電体によって接続するようにビアホールを形成する工程と、前記第２の導電層表面にマスク層を形成する工程と、前記ビアホール内に選択的に第３の導電層を形成する工程と、前記マスク層を除去する工程と、前記ビアホール内および前記第２の導電層の表面に第４の導電層を形成する工程を備えることを特徴としたプリント配線基板の製造方法。
6. 第３の導電層を無電解めっきで形成することを特徴とした請求項５記載のプリント配線基板の製造方法。
7. 第２の導電層表面へのマスク層形成と絶縁層のビアホール側壁面への第３の導電層の選択的形成とを同一の工程で行うことを特徴とする請求項５または請求項６に記載のプリント配線基板の製造方法。
8. 前記第２の導電層表面に形成されたマスク層を、第２の導電層を酸化させることで得られることを特徴とした請求項５〜７のいずれか一つに記載のプリント配線基板の製造方法。
9. 少なくとも第１の導電層または第２の導電層または第３の導電層のいずれかを給電層として、第４の導電層を電解めっきにて形成することを特徴としたプリント配線基板の製造方法。

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