KR20100114936A - 웨이퍼 지지 부재와 그 제조 방법, 및 이것을 사용한 정전 척 - Google Patents

웨이퍼 지지 부재와 그 제조 방법, 및 이것을 사용한 정전 척 Download PDF

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Abstract

균열성이 양호한 웨이퍼 지지부를 제공한다. 그 웨이퍼 지지 부재는 기체와, 절연체와, 기체와 절연체를 접합하는 접합층을 구비한 웨이퍼 지지 부재이고, 접합층은 제 1 층과 상기 제 1 층보다 절연체측에 위치하는 제 2 층을 포함하는 복수 층의 적층 구조이며, 제 1 층과 상기 제 2 층의 두께가 다르다.

Description

웨이퍼 지지 부재와 그 제조 방법, 및 이것을 사용한 정전 척{WAFER-SUPPORTING MEMBER, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND ELECTROSTATIC CHUCK USING THE SAME}
본 발명은, 예를 들면 CVD, PVD 및 스퍼터링을 사용한 성막 장치나 에칭 장치에 사용되는 웨이퍼 지지 부재에 관한 것이다.
종래부터 CVD, PVD 및 스퍼터링을 사용한 성막 장치나 에칭 장치에는, 예를 들면 반도체 웨이퍼 또는 유리를 지지하기 위한 웨이퍼 지지 부재가 사용되고 있다. 이러한 웨이퍼 지지 부재를 사용하면서 반도체 웨이퍼 등을 가열할 경우, 반도체 웨이퍼 등에 가해지는 열의 불균일을 작게 할 것이 요구되고 있다. 그 때문에, 절연체와 기체를 접합하는 접합재의 균열성(均熱性)을 향상시키는 것이 요구되고 있다.
그래서, 특허문헌 1에 개시되어 있는 바와 같이, 접합재에 스페이서를 끼워 넣음으로써 접합재의 두께 불균일을 작게 한 웨이퍼 지지 부재를 구비한 정전 척이 제안되어 있다.
또한, 특허문헌 2에 개시되어 있는 바와 같이, 접합재와 절연체의 접합면에 있어서 접합재를 복수의 영역으로 나누고, 각 영역에 있어서의 접합재의 열전도율을 서로 다르도록 구성한 웨이퍼 지지 부재를 구비한 정전 척이 제안되어 있다.
일본 특허 공개 2003-258072호 공보 일본 특허 공개 2006-13302호 공보
그러나, 특허문헌 1에 개시되어 있는 바와 같은 스페이서를 사용했을 경우에 복수의 스페이서를 사용할 필요가 있으므로, 이들 스페이서 자체의 두께 불균일이 문제가 된다. 복수의 스페이서에 있어서의 두께 불균일이 접합재에 있어서의 두께의 불균일 이상인 경우에 접합재의 두께 불균일을 작게 할 수 없고, 오히려 반도체 웨이퍼 등에 가해지는 열의 불균일을 크게 해버린다. 또한, 스페이서의 두께 불균일을 작게 하려고 하면 높은 정밀도의 가공이 요구되기 때문에 제조 비용의 상승을 초래해 버린다.
또한, 특허문헌 2에 개시되어 있는 바와 같은 웨이퍼 지지 부재를 사용했을 경우, 절연체와 접합재의 접합성을 향상시킬 것이 요구된다. 이것은 접합재와 절연체의 접합면에 있어서 각 영역에 있어서의 접합재의 열전도율이 서로 다르기 때문에 열분포가 불균일해질 뿐만 아니라, 열팽창에 차이가 생겨 각 영역간에서 절연체와의 접합성에 불균일이 발생하기 때문이다.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로서, 균열성을 향상시키면서도 절연체와 접합재의 접합성의 불균일을 작게 한 웨이퍼 지지부와 그 제조 방법,및 이것을 사용한 정전 척을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 의한 제 1 웨이퍼 지지 부재는 기체와, 절연체와, 상기 기체와 상기 절연체를 접합하는 접합층을 구비한 웨이퍼 지지 부재로서, 상기 접합층은 제 1 층과 상기 제 1 층보다 상기 절연체측에 위치하는 제 2층을 포함하는 복수 층의 적층 구조이고, 상기 제 1 층과 상기 제 2 층의 두께가 다른 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 제 2 웨이퍼 지지 부재는 기체와, 절연체와, 상기 기체와 상기 절연체를 접합하는 접합층을 구비한 웨이퍼 지지 부재로서, 상기 접합층은 제 1 층과 상기 제 1 층보다 상기 절연체측에 위치하는 제 2 층을 갖는 복수 층의 적층 구조이고, 상기 제 1 층과 상기 제 2 층의 열전도율이 다른 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 웨이퍼 지지 부재의 제 1 제조 방법은 제 1 층 및 제 2 층을 갖는 접합층을 개재해서 기체와 절연체를 접합하는 공정을 구비한 웨이퍼 지지 부재의 제조 방법으로서, 상기 접합하는 공정은 제 1 층을 상기 기체 상에 배치하는 공정과, 상기 제 1 층보다 두께가 작은 제 2 층을 상기 제 1 층 상에 배치하는 공정과, 상기 절연체를 상기 제 2 층 상에 배치하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 웨이퍼 지지 부재의 제 2 제조 방법은 제 1 층 및 제 2 층을 갖는 접합층을 개재해서 기체와 절연체를 접합하는 공정을 구비한 웨이퍼 지지 부재의 제조 방법으로서, 상기 접합하는 공정은 제 2 층을 상기 절연체 상에 배치하는 공정과, 상기 제 2 층보다 두께가 작은 제 1 층을 상기 제 2 층 상에 배치하는 공정과, 상기 기체를 상기 제 1 층 상에 배치하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 정전 척은 본 발명에 의한 제 1 또는 제 2 웨이퍼 지지 부재와, 상기 절연체 내에 위치하여 웨이퍼를 정전 흡착하는 전극을 구비한 것을 특징으로 한다.
(발명의 효과)
이상과 같이 구성된 본 발명에 의한 제 1 웨이퍼 지지 부재는 상기 접합층을 제 1 층과 상기 제 1 층보다 상기 절연체측에 위치하는 제 2 층을 포함하는 복수 층의 적층 구조로 하고 상기 제 1 층과 상기 제 2 층의 두께를 다르게 함으로써 상기 접합층의 막두께를 균일하게 할 수 있고, 그 결과 웨이퍼를 적재하는 면의 균열성을 양호하게 할 수 있다.
또한, 본 발명에 의한 제 2 웨이퍼 지지 부재는 상기 접합층을 제 1 층과 상기 제 1 층보다 상기 절연체측에 위치하는 제 2 층을 갖는 복수 층의 적층 구조로 하고 상기 제 1 층과 상기 제 2 층의 열전도율을 다르게 하고 있으므로, 웨이퍼를 적재하는 면의 균열성을 양호하게 할 수 있다.
본 발명에 의한 웨이퍼 지지 부재의 제 1 및 제 2 제조 방법에 의하면, 본 발명에 의한 제 1 웨이퍼 지지 부재를 제조할 수 있다.
본 발명에 의한 정전 척은 본 발명에 의한 제 1 또는 제 2 웨이퍼 지지 부재를 구비하고 있으므로, 웨이퍼를 적재하는 면의 균열성이 높은 정전 척을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 실시형태에 있어서의 종단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재를 나타내는 단면도이다.
도 6a는 제 1 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재의 제조 방법에 있어서의 제 1 층을 기체 상에 배치하는 공정을 나타내는 단면도이다.
도 6b는 제 1 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재의 제조 방법에 있어서의 제 2 층을 제 1 층 상에 배치하는 공정을 나타내는 단면도이다.
도 6c는 제 1 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재의 제조 방법에 있어서의 절연체를 제 2 층 상에 배치하는 공정을 나타내는 단면도이다.
도 7a는 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재의 제조 방법에 있어서의 제 2 층을 절연체 상에 배치하는 공정을 나타내는 단면도이다.
도 7b는 제 2 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재의 제조 방법에 있어서의 제 1 층을 제 2 층 상에 배치하는 공정을 나타내는 단면도이다.
도 7c는 제 2 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재의 제조 방법에 있어서의 기체를 제 1 층 상에 배치하는 공정을 나타내는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재를 나타내는 평면도이다.
도 9는 도 8에 나타내는 제 5 실시형태에 있어서의 종단면도이다.
도 10a는 본 발명의 제 5 실시형태에 있어서의 변형예에 의한 제 2 층의 확대 단면도이다.
도 10b는 본 발명의 제 5 실시형태에 있어서의 변형예에 의한 제 1 층의 확대 단면도이다.
도 11은 본 발명의 제 7 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재를 나타내는 단면도이다.
도 12는 본 발명의 제 8 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재를 나타내는 단면도이다.
도 13a는 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재의 제조 방법에 있어서의 제 1 층을 기체 상에 배치하는 공정을 나타내는 단면도이다.
도 13b는 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재의 제조 방법에 있어서의 제 2 층을 제 1 층 상에 배치하는 공정을 나타내는 단면도이다.
도 13c는 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재의 제조 방법에 있어서의 절연체를 제 2 층 상에 배치하는 공정을 나타내는 단면도이다.
도 14a는 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재의 변형예의 제조 방법에 있어서의 제 2 층을 절연체 상에 배치하는 공정을 나타내는 단면도이다.
도 14b는 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재의 변형예의 제조 방법에 있어서의 제 1 층을 제 2 층 상에 배치하는 공정을 나타내는 단면도이다.
도 14c는 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재의 변형예의 제조 방법에 있어서의 기체를 제 1 층 상에 배치하는 공정을 나타내는 단면도이다.
도 15는 본 발명의 일실시형태에 의한 정전 척을 나타내는 단면도이다.
도 16은 본 발명의 일실시형태에 의한 정전 척의 변형예를 나타내는 단면도이다.
이하, 본 발명의 웨이퍼 지지 부재에 대해서 도면을 이용하여 상세하게 설명한다.
<제 1 실시형태>
도 1, 2에 나타내는 바와 같이, 본 발명에 의한 제 1 실시형태의 웨이퍼 지지 부재(1)는 기체(3)와, 절연체(5)와, 기체(3)와 절연체(5)를 접합하는 접합층(9)을 구비하고 있다. 접합층(9)은 제 1 층(11)과 제 1 층(11)보다 절연체(5)측에 위치하는 제 2 층(13)을 포함하는 복수 층의 적층 구조이다. 그리고, 제 1 층(11)의 두께(L1)와 제 2 층(13)의 두께(L2)가 다르다. 또한, 절연체(5)에 있어서의 제 2 층(13)과의 접합면과 반대측의 면에는 균열판(15)이 배치되어 있다.
이 웨이퍼 지지 부재(1)에 있어서, 절연체(5)의 한쪽 주면(principal surface)이 웨이퍼가 적재되는 적재면으로 되어 있고, 절연체(5)의 다른쪽 주면이 접합층(9)을 개재해서 기재(3)와 접합된다. 이하, 다른 실시형태의 웨이퍼 지지 부재에 대해서도 마찬가지이다.
이렇게, 접합층(9)이 서로 두께가 다른 제 1 층(11)과 제 2 층(13)을 갖고 있음으로써 접합층(9)이 1개의 층으로 이루어지는 경우와 비교해서 접합층(9)의 두께를 확보하면서도 접합층(9)의 두께 불균일을 작게 할 수 있다.
예를 들면, 제 1 실시형태의 웨이퍼 지지 부재(1)에서는 제 1 층(11)과 제 2 층(13) 중 한쪽을 접합층(9)의 두께를 확보하기 위해서 비교적 두꺼운 층으로 하고, 다른쪽 층을 막두께 조정층으로서 형성할 수 있게 되어 접합층(9) 전체의 두께 불균일을 작게 할 수 있게 된다.
또한, 제 1 실시형태에서는 도 2에 나타내는 바와 같이, 제 1 층(11)의 두께(L1)가 제 2 층(13)의 두께(L2)보다 큰 것이 바람직하다. 제 1 층(11)보다 절연체(5)측에 위치하는 제 2 층(13)의 두께(L2)가 제 1 층(11)의 두께(L1)보다 작을 경우에는 절연체(5)에 면하는 접합층(9) 표면의 요철을 작게 할 수 있기 때문이다. 그 때문에, 접합층(9)과 절연체(5)의 접합성을 보다 높일 수 있다. 절연체(5)와 접합층(9)의 접합성을 보다 높이고 싶을 경우에는 상기 구성이 유효하게 된다.
본 실시형태의 웨이퍼 지지 부재(1)를 구성하는 기체(3)로서는, 예를 들면 알루미늄 및 초경과 같은 금속, 또는 이들 금속과 세라믹스의 복합재를 사용할 수 있다. 절연체(5)로서는, 예를 들면 세라믹 소결체를 사용할 수 있다. 구체적으로는 Al2O3, SiC, AlN 및 Si3N4를 사용할 수 있다. 특히, 내부식성의 관점에서 기체(3)로서는 Al2O3 또는 AlN을 사용하는 것이 바람직하다.
접합층(9)으로서는 절연체(5)와 기체(3)를 접합할 수 있는 것이면 되고, 예를 들면 수지를 사용할 수 있다. 구체적으로는 실리콘 수지, 에폭시 수지 및 아크릴 수지를 사용할 수 있다. 또한, 접합층(9)을 구성하는 복수의 층이 대략 동일한 성분을 함유하고 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 접합층(9)을 구성하는 각 층간의 접합성이 높아지므로 접합층(9)의 형상을 안정되게 유지할 수 있다. 특히, 접합층(9)을 구성하는 복수의 층이 대략 동일한 수지를 주성분으로 하는 것이 바람직하다.
또한, 접합층(9)은 필러를 함유하고 있는 것이 바람직하다. 필러를 함유하고 있음으로써 접합층(9)의 균열성을 향상시킬 수 있으므로 절연체(5) 및 기체(3)의 균열성을 향상시킬 수 있다.
필러로서는 절연체(5) 및 기체(3)와 동등 이상의 열전도성을 갖고 있는 것이면 되고, 예를 들면 금속 입자나 세라믹스 입자를 사용할 수 있다. 구체적으로는 금속의 경우에 알루미늄 또는 알루미늄합금을 사용할 수 있다. 또한, 세라믹스의 경우에 Al2O3, SiC, AlN 또는 Si3N4를 사용할 수 있다.
또한, 접합층(9)을 구성하는 각 층의 경계 부분에 필러의 일부가 존재하는 것이 바람직하다. 필러가 앵커로서 작용하므로 각 층의 접합성을 보다 높일 수 있기 때문이다.
또한, 접합층(9)의 두께는 0.2~1.5㎜인 것이 바람직하다. 접합층(9)의 두께가 0.2㎜ 이상인 경우에는 절연체(5)와 기체(3) 사이에 생기는 열응력 및 물리적인 응력을 완화하여 절연체(5) 또는 기체(3)에 크랙이 생길 가능성을 작게 할 수 있다. 또한, 접합층(9)의 두께가 1.5㎜ 이하인 경우에는 접합층(9)의 두께 불균일을 억제할 수 있다.
또한, 접합층(9)이 필러를 함유하고 있을 경우에 접합층(9)을 구성하는 각 층 중에서 가장 두께가 작은 층[본 실시형태에 있어서는 제 2 층(13)]의 두께는 필러의 지름보다 큰 것이 바람직하다. 이것에 의해, 필러 자체에 의해 접합층(9)의 두께 불균일이 생기는 것을 억제할 수 있다. 정량적으로는 접합층(9)을 구성하는 각 층 중에서 가장 두께가 작은 층의 두께가 0.03㎜ 이상인 것이 바람직하다.
또한, 제 1 실시형태에 있어서의 제 1 층(11)과 같이 상대적으로 두께가 큰 층이 본 실시형태에 있어서의 제 2 층(13)과 같이 상대적으로 두께가 작은 층보다 탄성률이 높은 것이 바람직하다. 상대적으로 두께가 작은 층에 있어서 절연체(5)[또는 기체(3)]와의 강고한 접합성이 확보되는 한편, 상대적으로 두께가 큰 층에 있어서 열응력에 대한 높은 응력 완화의 효과가 얻어지기 때문이다.
(제조 방법)
이어서, 제 1 실시형태의 웨이퍼 지지 부재(1)의 제조 방법에 대해서 도면을 이용하여 상세하게 설명한다.
도 6a~도 6c에 나타내는 바와 같이, 제 1 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재(1)의 제조 방법은 제 1 층(11) 및 제 2 층(13)을 갖는 접합층(9)을 개재해서 기체(3)와 절연체(5)를 접합하는 공정을 구비하고 있다. 그리고, 이 기체(3)와 절연체(5)를 접합하는 공정이 제 1 층(11)을 기체(3) 상에 배치하는 공정과, 제 1 층(11)보다 두께가 작은 제 2 층(13)을 제 1 층(11) 상에 배치하는 공정(도 6a)과, 절연체(5)를 제 2 층(13) 상에 배치하는 공정(도 6b)을 구비하고 있다.
이렇게, 상대적으로 두께가 큰 제 1 층(11) 상에 상대적으로 두께가 작은 제 2 층(13)을 배치하는 공정을 구비함으로써 제 2 층(13)이 제 1 층(11)의 두께 불균일을 억제하도록 작용한다. 환언하면, 제 2 층(13)이 접합층(9) 전체의 두께 불균일을 억제하기 때문에 제 1 층(11)의 두께 불균일을 흡수하는 막두께 조정층으로서의 기능을 하도록 형성된다. 그 때문에, 접합층(9)이 1개의 층으로 이루어지는 경우와 비교하여 접합층(9)의 두께를 확보하면서도 접합층(9)의 두께 불균일을 작게 할 수 있다. 결과적으로 절연체(5)의 표면에 있어서의 균열성을 향상시킬 수 있다.
이때, 제 1 층(11)을 기체(3) 상에 배치하는 공정 후이고 제 2 층(13)을 제 1 층(11) 상에 배치하는 공정 전에 제 1 층(11)에 있어서의 제 2 층(13)과의 접합면을 평면 형상으로 가공하는 공정을 구비하고 있는 것이 바람직하다.
이것에 의해, 제 1 층(11)의 두께 불균일을 작게 할 수 있으므로 접합층(9)의 두께 불균일을 더욱 작게 할 수 있다. 제 1 층(11)에 있어서의 제 2 층(13)과의 접합면을 평면 형상으로 가공하는 방법으로서는, 예를 들면 제 1 층(11)에 있어서의 제 2 층(13)과의 접합면을 프레스하는 방법 및 제 1 층(11)에 있어서의 제 2 층(13)과의 접합면을 문질러 잘라내는 방법을 들 수 있다. 또한 여기에서, 평면 형상으로 가공한다는 것은 가공을 하기 전과 비교해서 제 1 층(11)의 표면의 요철을 작게 하는 것을 의미하고 있고, 엄밀하게 평면으로 하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 마찬가지로 제 2 층(13)을 제 1 층(11) 상에 배치하는 공정 후이고 절연체(5)를 제 2 층(13) 상에 배치하는 공정 전에 제 2 층(13)에 있어서의 절연체(5)와의 접합면을 평면 형상으로 가공하는 공정을 구비하고 있는 것이 바람직하다.
이것에 의해, 접합층(9)의 두께 불균일을 보다 억제할 수 있다. 제 2 층(13)에 있어서의 절연체(5)와의 접합면을 평면 형상으로 가공하는 방법으로서는 상기 제 1 층(11)과 마찬가지의 방법을 사용하면 된다. 또한 여기에서, 평면 형상으로 가공한다는 것은 제 1 층(11)에 관해서 이미 나타낸 바와 같이, 엄밀하게 평면으로 하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 접합층(9)이 열경화성 수지인 경우에는 제 1 층(11)을 기체(3) 상에 배치하는 공정 후이고 제 2 층(13)을 제 1 층(11) 상에 배치하는 공정 전에 제 1 층(11)을 구성하는 접합재(이하, 제 1 접합재라고 한다)의 경화 온도 이상으로 제 1 층(11)을 가열하는 공정을 구비하는 것이 보다 바람직하다. 이것에 의해, 제 1 층(11)의 두께 불균일을 작게 할 수 있기 때문이다.
또한, 제 2 층(13)을 구성하는 접합재(이하, 제 2 접합재라고 한다)의 경화 온도가 제 1 접합재의 경화 온도보다 작고, 제 2 층(13)을 제 1 층(11) 상에 배치하는 공정 후에 제 2 접합재의 경화 온도 이상이고 제 1 접합재의 경화 온도 이하의 온도로 접합층(9)을 가열하는 공정을 구비하는 것이 보다 바람직하다. 이것에 의해, 제 2 접합재만을 경화시킬 수 있으므로 접합층(9)의 두께 불균일을 더욱 작게 할 수 있다.
<제 2 실시형태>
이어서, 제 2 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재(1)에 대하여 설명을 한다.
제 2 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재(1)는 도 3에 나타내는 바와 같이, 접합층(9)이 제 1 층(11)과 제 2 층(13) 사이에 위치하는 제 3 층(17)을 갖는다. 그리고, 제 3 층(17)의 두께(L3)는 제 1 층(11)의 두께(L1)보다 작고, 또한 제 2 층(13)의 두께(L2)보다 크다. 이러한 제 3 층(17)을 가짐으로써 접합층(9)의 기체(3)측으로부터 절연체(5)측을 향하여 단계적으로 접합층(9)을 구성하는 각 층의 두께를 작게 할 수 있으므로, 절연체(5)에 면하는 접합층(9)의 표면의 요철을 작게 할 수 있다. 그 때문에, 접합층(9)과 절연체(5)의 접합성을 한층 더 높일 수 있다.
또한, 이 제 2 실시형태에 의하면, 예를 들면 제 1 층(11)의 두께 불균일을 제 3 층(17)에 의해 대충 조정한 후에 제 2 층(13)에 의해 미세 조정할 수도 있어, 접합층(9) 전체의 막두께 불균일을 보다 작게 할 수 있다.
<제 3 실시형태>
이어서, 제 3 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재(1)에 대하여 설명을 한다.
제 3 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재(1)는 도 4에 나타내는 바와 같이, 제 1 층(11)의 두께(L1)가 제 2 층(13)의 두께(L2)보다 작다. 제 1 층(11)보다 절연체(5)측에 위치하는 제 2 층(13)의 두께(L2)가 제 1 층(11)의 두께(L1)보다 클 경우에는 기체(3)에 면하는 접합층(9) 표면의 요철을 작게 할 수 있기 때문이다. 그 때문에, 접합층(9)과 기체(3)의 접합성을 보다 높일 수 있다. 절연체(5)와 기체(3)의 접합성을 보다 높이고 싶은 경우에는 상기 구성이 유효하게 된다.
이 제 3 실시형태와 같이 제 1 층(11)의 두께(L1)를 제 2 층(13)의 두께(L2)보다 작게 하는 경우에, 제 1 층(11)을 막두께 조정층으로서 기능시킬 경우에는 이하의 제조 방법에 의해 제조하면 된다.
(제조 방법)
이하, 제 3 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재(1)의 제조 방법에 대하여 설명을 한다.
도 7a~도 7c에 나타내는 바와 같이, 제 3 실시형태의 웨이퍼 지지 부재(1)의 제조 방법은 제 1 층(11) 및 제 2 층(13)을 갖는 접합층(9)을 개재해서 기체(3)와 절연체(5)를 접합하는 공정을 구비하고 있다. 그리고, 이 기체(3)와 절연체(5)를 접합하는 공정이 제 2 층(13)을 절연체(5) 상에 배치하는 공정(도 7a)과, 제 2 층(13)보다 두께가 작은 제 1 층(11)을 제 2 층(13) 상에 배치하는 공정(도 7b)과, 기체(3)를 제 1 층(11) 상에 배치하는 공정을 구비하고 있다.
이렇게, 상대적으로 두께가 큰 제 2 층(13) 상에 상대적으로 두께가 작은 제 1 층(11)을 배치하는 공정을 구비하고 있음으로써 제 1 층(11)이 제 2 층(13)의 두께 불균일을 억제하도록 작용한다. 그 때문에, 접합층(9)이 1개의 층으로 이루어지는 경우와 비교하여 접합층(9)의 두께를 확보하면서도 접합층(9)의 두께 불균일을 작게 할 수 있다.
이때, 제 2 층(13)을 절연체(5) 상에 배치하는 공정 후이고 제 1 층(11)을 제 2 층(13) 상에 배치하는 공정 전에 제 2 층(13)에 있어서의 제 1 층(11)과의 접합면을 평면 형상으로 가공하는 공정을 구비하고 있는 것이 바람직하다.
이것에 의해, 접합층(9)의 두께 불균일을 더욱 작게 할 수 있다. 제 2 층(13)에 있어서의 제 1 층(11)과의 접합면을 평면 형상으로 가공하는 방법으로서는, 예를 들면 제 2 층(13)에 있어서의 제 1 층(11)과의 접합면을 프레스하는 방법 및 제 2 층(13)에 있어서의 제 1 층(11)과의 접합면을 문질러 잘라내는 방법을 들 수 있다. 또한 여기에서, 평면 형상으로 가공한다는 것은 가공을 하기 전과 비교해서 제 2 층(13)의 표면의 요철을 작게 하는 것을 의미하고 있고, 엄밀하게 평면으로 하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 마찬가지로 제 1 층(11)을 제 2 층(13) 상에 배치하는 공정 후이고 기체(3)를 제 1 층(11) 상에 배치하는 공정 전에 제 1 층(11)에 있어서의 기체(3)와의 접합면을 평면 형상으로 가공하는 공정을 구비하고 있는 것이 바람직하다.
이것에 의해, 접합층(9)의 두께 불균일을 보다 작게 할 수 있다. 제 1 층(11)에 있어서의 기체(3)와의 접합면을 평면 형상으로 가공하는 방법으로서는 상기 제 2 층(13)과 마찬가지의 방법을 사용하면 된다. 또한 여기에서, 평면 형상으로 가공한다는 것은 제 2 층(13)에 관해서 이미 나타낸 바와 같이, 엄밀하게 평면으로 하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 제 2 층(13)을 절연체(5) 상에 배치하는 공정 후에 제 2 층(13)을 구성하는 접합재(이하, 제 2 접합재라고 한다)의 경화 온도 이상으로 제 2 층(13)을 가열하는 공정을 구비하는 것이 보다 바람직하다. 이것에 의해, 제 2 층(13)의 두께 불균일을 작게 할 수 있기 때문이다.
또한, 제 1 층(11)을 구성하는 접합재(이하, 제 1 접합재라고 한다)의 경화 온도가 제 2 접합재의 경화 온도보다 작고, 제 1 층(11)을 제 2 층(13) 상에 배치하는 공정 후에, 제 1 접합재의 경화 온도 이상이고 제 2 접합재의 경화 온도 이하의 온도로 접합층(9)을 가열하는 공정을 구비하는 것이 보다 바람직하다. 이것에 의해, 제 1 접합재만을 경화시킬 수 있으므로 접합층(9)의 두께 불균일을 더욱 작게 할 수 있다.
<제 4 실시형태>
이어서, 제 4 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재(1)에 대하여 설명을 한다.
제 4 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재(1)는 도 5에 나타내는 바와 같이, 접합층(9)이 제 1 층(11)과 제 2 층(13) 사이에 위치하는 제 3 층(17)을 갖는다. 그리고, 제 3 층(17)의 두께(L3)가 제 1 층(11)의 두께(L1)보다 크고, 또한 제 2 층(13)의 두께(L2)보다 작은 것이 보다 바람직하다. 이러한 제 3 층(17)을 가짐으로써 접합층(9)의 절연체(5)측으로부터 기체(3)측을 향하여 단계적으로 접합층(9)을 구성하는 각 층의 두께를 작게 할 수 있다. 이것에 의해, 접합층(9)과 기체(3)의 접합성을 보다 높이면서, 접합층(9)의 절연체(5)와 면하는 부분에 가해지는 열응력을 보다 완화시킬 수 있다.
<제 5 실시형태>
도 8, 9에 나타내는 바와 같이, 제 5 실시형태의 웨이퍼 지지 부재(10)는 기체(3)와, 한쪽 주면을 웨이퍼가 적재되는 적재면으로 하는 절연체(5)와, 기체(3)와 절연체(5)의 다른쪽 주면을 접합하는 접합층(90)을 구비하고 있다. 접합층(90)은 제 1 층(91)과 제 1 층(91)보다 절연체(5)측에 위치하는 제 2 층(92)을 포함하는 복수 층의 적층 구조이다. 그리고, 제 1 층(91)의 열전도율과 제 2 층(92)의 열전도율이 다르다. 또한, 절연체(5)에 있어서의 제 2 층(92)과의 접합면과 반대측의 면(이하, 주면이라고도 한다)에는 균열판(15)이 배치되어 있다. 또한, 제 5 실시형태에 있어서 제 1 실시형태 등과 마찬가지의 것에는 같은 부호를 붙여서 나타내고 있다.
이렇게, 접합층(90)이 서로 열전도율이 다른 제 1 층(91)과 제 2 층(92)을 가지고 있음으로써 접합층(90)의 균열성을 향상시키면서도 접합층(90)과 절연체(5)의 접합성의 불균일을 작게 할 수 있다.
그리고, 제 2 층(92)의 열전도율이 제 1 층(91)의 열전도율보다 높은 것이 바람직하다. 절연체(5)측에 위치하는 제 2 층(92)의 열전도율이 상대적으로 높음으로써 절연체(5)의 주면에 전달되는 열의 균열성을 보다 향상시킬 수 있기 때문이다.
접합층(90)으로서는 절연체(5)와 기체(3)를 접합할 수 있는 것이면 되고, 예를 들면 수지를 사용할 수 있다. 구체적으로는 실리콘 수지, 에폭시 수지 및 아크릴 수지를 사용할 수 있다. 또한, 접합층(90)을 구성하는 복수 층이 대략 동일한 수지 성분을 함유하고 있어도 된다. 이것에 의해, 접합층(90)을 구성하는 각 층간의 접합성이 향상되므로 접합층(90)의 형상을 안정되게 유지할 수 있다.
또한, 여기에서 대략 동일한 수지 성분을 함유하고 있다는 것은 동종의 수지를 함유하고 있는 것을 의미하고 있다. 구체적으로는 상기한 실리콘 수지, 에폭시 수지 및 아크릴 수지 중 어느 하나를 각 층이 함유하고 있는 것을 의미한다.
열전도성이 서로 다른 제 1 층(91) 및 제 2 층(92)을 구성하기 위해서는, 예를 들면 서로 다른 성분의 재료를 사용하면 된다.
예를 들면, 제 1 층(91)의 재료를 실리콘 수지로 하고, 제 2 층(92)의 재료를 에폭시 수지로 할 수 있다. 이때, 에폭시 수지의 열전도율을 절연층(5)의 열전도율과 대략 동일하게 함으로써 절연층(5)과 접합층(90)의 접합면의 요철을 완화해 균열성을 향상시킬 수 있다.
또 다른 예로서, 제 1 층(91)의 재료를 실리콘 수지로 하고, 제 2 층(92)의 재료를 열전도율이 다른 실리콘 수지로 할 수도 있다. 이때, 제 2 층(92)의 실리콘 수지의 열전도율을 절연층(5)의 열전도율과 대략 동일하게 함으로써 절연층(5)과 접합층(90)의 접합면의 요철을 완화해 균열성을 향상시킴과 아울러 제 1 층(91)과 제 2 층(92)의 접합성을 향상시킬 수 있다. 열전도율은 필러의 함유량을 조정함으로써 용이하게 얻을 수 있다.
또한, 후술하는 바와 같이, 첨가하는 필러(51)의 표면적 또는 함유량이 서로 다른 것에 의해서도 열전도율이 서로 다른 제 1 층(91) 및 제 2 층(92)을 구성할 수 있다.
또한, 각 층의 열전도율은 공지의 열선법이나 레이저 플래시법을 사용함으로써 측정할 수 있다.
또한, 접합층(90)은 필러(51)를 함유하고 있는 것이 바람직하다. 필러(51)를 함유하고 있음으로써 접합층(90)의 균열성을 향상시킬 수 있으므로, 절연체(5) 및 기체(3)의 균열성을 향상시킬 수 있다.
필러(51)로서는 절연체(5) 및 기체(3)와 동등 이상의 열전도성을 갖고 있는 것이 바람직하고, 예를 들면 금속 입자나 세라믹스 입자를 사용할 수 있다. 구체적으로는 금속의 경우, 알루미늄 또는 알루미늄합금을 사용할 수 있다. 또한, 세라믹스의 경우, Al2O3, SiC, AlN 및 Si3N4를 사용할 수 있다.
또한, 접합층(90)을 구성하는 각 층의 경계 부분에 필러(51)의 일부가 존재하는 것이 바람직하다. 필러(51)가 앵커로서 작용하므로 각 층의 접합성을 보다 향상시킬 수 있기 때문이다.
또한, 접합층(90)이 필러(51)를 함유하고 있을 경우, 접합층(90)을 구성하는 각 층의 두께는 필러(51)의 지름보다 큰 것이 바람직하다. 이것에 의해, 필러(51) 자체에 의해 접합층(90)의 두께 불균일이 생기는 것을 억제할 수 있다. 정량적으로는 접합층(90)을 구성하는 각 층의 두께가 0.03㎜ 이상인 것이 바람직하다.
또한, 접합층(90)이 필러(51)를 함유하고 있는 경우에 있어서, 제 2 층(92)은 제 1 층(91)보다 필러(51)의 함유 비율이 큰 것이 바람직하다. 필러(51)의 함유 비율이 클수록 열전도율이 높아지게 되므로 상기 구성에 의해 제 2 층(92)의 열전도율을 제 1 층(91)의 열전도율보다 높게 할 수 있다.
접합층(90)에 함유되는 필러(51)의 함유 비율은, 예를 들면 이하와 같이 해서 평가하면 된다. 우선, 절연체(5)의 주면에 대하여 수직이고, 제 1 층(91) 및 제 2 층(92)을 포함하도록 단면을 얻는다. 이 단면에 있어서, 제 1 층(91) 및 제 2 층(92)에 있어서의 필러(51) 단면적의 총 합계를 각각 측정한다. 그리고, 각각의 층에 있어서의 필러(51) 단면적의 총 합계를 각각의 층 전체의 단면적으로 나눈다. 이렇게 하여 얻어진 값을 상기 필러(51)의 함유 비율로 할 수 있다. 얻어진 함유 비율의 값을 사용함으로써 제 1 층(91) 및 제 2 층(92)에 있어서의 필러(51)의 함유 비율을 비교할 수 있다. 또한, 상기한 바와 같이 단면 전체로 평가해도 되지만, 평가를 간편하게 하기 위해서 단면 중 일부를 추출해서 평가해도 된다.
또한, 접합층(90)이 필러(51)를 함유하고 있는 경우에 있어서 제 2 층(92)은 제 1 층(91)보다 함유되는 필러(51)의 표면적 비율이 큰 것이 바람직하다. 필러(51)의 표면적이 클수록 열전도율이 높아지게 되므로 상기 구성에 의해 제 2 층(92)의 열전도율을 제 1 층(91)의 열전도율보다 높게 할 수 있다.
이하, 필러(51)의 표면적 비율의 의의를 평가 방법에 의거하여 명확히 한다.
접합층(90)에 함유되는 필러(51)의 표면적 비율은, 예를 들면 이하와 같이 해서 평가된다. 우선, 절연체(5)의 주면에 대하여 수직이고, 제 1 층(91) 및 제 2 층(92)을 포함하도록 단면을 취한다. 이 단면에 있어서, 제 1 층(91) 및 제 2 층(92)에 있어서의 접합층(90)과 필러(51) 경계선의 총 합계를 각각 측정한다. 그리고, 각각의 층에 있어서의 경계선의 총 합계를 각각의 층 전체의 단면적으로 나눈다. 이렇게 하여 얻어진 값을 상기 필러(51)의 표면적 비율로 할 수 있다. 얻어진 상기 표면적 비율의 값을 사용함으로써 제 1 층(91) 및 제 2 층(92)에 있어서의 필러(51)의 표면적 비율을 비교할 수 있다. 또한, 상기와 같이 단면 전체로 평가해도 되지만, 평가를 간편하게 하기 위해서 단면 중 일부를 추출해서 평가해도 된다.
또한, 제 2 층(92)에 함유되는 필러(51)의 평균 입경이 제 1 층(91)에 함유되는 필러(51)의 평균 입경보다 작은 것이 보다 바람직하다. 이것에 의해, 제 2 층(92)에 함유되는 필러(51)의 함유량을 억제하면서 접합층(90)의 균열성을 향상시키면서도 접합층(90)의 내구성을 향상시킬 수 있다. 필러(51)의 함유량이 많아질 수록 균열성이 향상되지만, 한편으로 내구성이 저하된다. 그러나, 상기 구성에 의해 필러(51)의 함유량을 억제하면서도 필러(51)의 표면적을 크게 할 수 있으므로, 제 2 층(92)의 균열성을 향상시키면서도 제 2 층(92)의 내구성을 향상시킬 수 있기 때문이다.
또한, 도 10에 나타내는 바와 같이, 제 2 층(92)에 함유되는 필러(51)가 제 1 층(91)에 함유되는 필러(51)와 비교하여 접합층(90)과 절연체(5)의 접합면에 대하여 평행인 편평 형상인 것이 바람직하다. 이것에 의해, 제 2 층(92)에 함유되는 필러(51)의 함유량을 억제하면서 접합층(90)과 절연체(5)의 접합면에 있어서의 균열성을 향상시킬 수 있기 때문이다. 이것에 의해, 접합층(90)의 내구성을 향상시킬 수 있다.
또한, 접합층(90)의 두께는 0.2~1.5㎜인 것이 바람직하다. 접합층(90)의 두께가 0.2㎜ 이상인 경우에는 절연체(5)와 기체(3) 사이에 생기는 열응력 및 물리적인 응력을 완화하여, 절연체(5) 또는 기체(3)에 크랙이 생길 가능성을 작게 할 수 있다. 또한, 접합층(90)의 두께가 1.5㎜ 이하인 경우에는 접합층(90)의 두께 불균일을 억제할 수 있다.
(제조 방법)
이어서, 제 5 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재의 제조 방법에 대해서 도면을 이용하여 상세하게 설명한다.
도 13a~도 13c에 나타내는 바와 같이, 제 5 실시형태의 웨이퍼 지지 부재(10)의 제조 방법은 제 1 층(91) 및 제 2 층(92)을 갖는 접합층(90)을 개재해서 기체(3)와 절연체(5)를 접합하는 공정을 구비하고 있다. 그리고, 이 기체(3)와 절연체(5)를 접합하는 공정이 도 13a에 나타내는 바와 같이 제 1 층(91)을 기체(3) 상에 배치하는 공정과, 도 13b에 나타내는 바와 같이 제 2 층(92)을 제 1 층(91) 상에 배치하는 공정과, 도 13c에 나타내는 바와 같이 절연체(5)를 제 2 층(92) 상에 배치하는 공정을 구비하고 있다.
여기에서, 특히 제 5 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재의 제조 방법에 있어서는 제 1 층(91)과 제 2 층(92)의 구성 재료로서 열전도율이 다른 재료를 사용한다.
또한, 이 제 5 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재의 제조 방법에 있어서, 제 1 실시형태의 제조 방법과 마찬가지로, 제 2 층(92)이 접합층(90) 전체의 두께 불균일을 억제하기 위해서 제 1 층(91)의 두께 불균일을 흡수하는 막두께 조정층으로서의 기능을 하도록 형성해도 된다. 이렇게 하면, 절연체(5)의 표면에 있어서의 균열성을 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 제 2 층(92)을 막두께 조정층으로서 형성할 경우의 바람직한 형태 등은 제 1 실시형태의 제조 방법의 설명에 있어서 설명한 것과 마찬가지이다.
또한, 웨이퍼 지지 부재(10)는 상기 제조 방법에 의해 제작되는 것에 한정되는 것은 아니고, 기체(3)와 절연체(5)가 접합층(90)을 개재해서 접합되는 것이면 어떤 제조 방법에 의해 형성되어도 된다.
예를 들면, 상기 실시형태와 같이 제 1 층(91)을 기체(3) 상에 배치한 후에 제 2 층(92)을 제 1 층(91) 상에 배치해도 되지만, 제 2 층(92)을 제 1 층(91) 상에 배치한 후에 제 1 층(91) 및 제 2 층(92)을 기체(3) 상에 배치해도 된다. 또한, 도 14a에 나타내는 바와 같이 제 2 층(92)을 절연체(5) 상에 배치한 후에 도 14b에 나타내는 바와 같이 제 1 층(91)을 제 2 층(92) 상에 배치하고, 또한 도 14c에 나타내는 바와 같이 기체(3)를 제 1 층(91) 상에 배치해도 된다.
<제 6 실시형태>
이어서, 제 6 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재에 대하여 설명을 한다.
제 6 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재(10)에 있어서는 제 1 층(91)이 제 1 필러(51)를 함유하고, 또한 제 2 층(92)이 제 2 필러(51)를 함유한다. 그리고, 제 2 필러(51)가 제 1 필러(51)보다 열전도율이 높다. 이것에 의해, 제 2 층(92)의 열전도율을 제 1 층(91)의 열전도율보다 높게 할 수 있다.
<제 7 실시형태>
이어서, 제 7 실시형태에 의한 웨이퍼 지지 부재에 대하여 설명을 한다.
도 11에 나타내는 바와 같이, 제 7 실시 형태에 의한 웨이퍼 지지 부재(10)에 있어서는 접합층(90)이 제 1 층(91)과 제 2 층(92) 사이에 위치하는 제 3 층(93)을 갖는다. 그리고, 제 3 층(93)은 제 1 층(91)보다 열전도율이 크고, 또한 제 2 층(92)은 제 3 층(93)보다 열전도율이 크다. 이렇게, 절연체(5)측을 향해서 접속층의 열전도율을 단계적으로 높임으로써 방열에 의한 열손실을 억제하면서 접합층(90)의 균열성을 더욱 향상시킬 수 있다.
<제 8 실시형태>
이어서, 제 8 실시 형태에 의한 웨이퍼 지지 부재에 대하여 설명을 한다.
도 12에 나타내는 바와 같이, 제 8 실시 형태에 의한 웨이퍼 지지 부재(10)에 있어서는 접합층(90)이 제 2 층(92)보다 절연체(5)측에 위치함과 아울러 절연체(5)와 접합하는 제 4 층(94)을 갖고, 제 4 층(94)은 접합층(90)을 구성하는 다른 층보다 필러(51)의 함유량이 적은 것이 바람직하다. 이것에 의해, 절연체(5)와 접합층(90)의 접합 강도를 향상시킬 수 있다. 이것은 필러(51)의 함유량이 적어짐으로써 절연체(5)와 접합층(90)의 접합 강도가 향상되기 때문이다.
특히, 제 4 층(94)은 필러(51)를 함유하지 않는 것이 보다 바람직하다. 이것에 의해, 절연체(5)와 접합층(90)의 접합 강도를 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 제 4 층(94)은 제 2 층(92)보다 두께가 작은 것이 바람직하다. 이것에 의해, 제 2 층(92)으로 균열성을 향상시키면서도 제 4 층(94)으로 절연체(5)와 접합층(90)의 접합 강도를 향상시킬 수 있기 때문이다.
이어서, 본 발명에 의한 실시형태의 정전 척에 대하여 설명한다.
도 15에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 정전 척(200)은 제 1~제 9 실시 형태에 의한 웨이퍼 지지 부재[1(10)]와, 절연체(5) 내에 위치해서 웨이퍼를 정전흡착하는 전극(21)과, 전극(21)이 매설된 절연체(5) 내에 위치하는 발열 저항체(23)를 구비하고 있다. 발열 저항체(23)는 전극(21)보다 기체(3)측에 위치하도록 절연체(5)에 매설되어 있다. 절연체(5)의 적재면에 반도체 웨이퍼를 적재하고, 전극(21)에 통전시킴으로써 반도체 웨이퍼를 정전 척(200)에 흡착시킬 수 있다.
또한, 본 실시형태의 정전 척(200)은 전극(21)이 매설된 절연체(5) 내에 발열 저항체(23)를 구비하고 있다. 본 실시형태의 정전 척(200)은 접합층[9(90)]이 서로 두께가 다른 제 1 층[11(91)]과 제 2 층[13(92)]을 가지고 있음으로써 절연체(5)의 표면 균열성이 향상되어 있으므로, 발열 저항체(23)에 통전되었을 경우에 있어서 반도체 웨이퍼에 가해지는 열의 불균일이 저감된다. 발열 저항체(23)로서는, 예를 들면 W, Mo, Ti의 탄화물, 질화물, 규화물을 주성분으로 하는 것을 사용할 수 있다.
또한, 도 15에 나타내는 바와 같이, 발열 저항체(23) 및 전극(21)이 하나의 절연체(5) 내에 위치해도 되지만, 도 16에 나타내는 바와 같이, 발열 저항체(23)가 매설된 절연체(5)와, 전극(21)이 매설된 절연체(5)가 별체 형성되고, 접합 부재(25)를 개재해서 접합되어도 된다.
1, 10 : 웨이퍼 지지 부재 3 : 기체
5 : 절연체 9, 90 : 접합층
11, 91 : 제 1 층 13, 92 : 제 2 층
15 : 균열판 17, 93 : 제 3 층
21 : 전극 23 : 발열 저항체
25 : 접합 부재 51 : 필러
94 : 제 4 층 200 : 정전 척

Claims (19)

  1. 기체; 절연체; 및 상기 기체와 상기 절연체를 접합하는 접합층을 구비한 웨이퍼 지지 부재로서:
    상기 접합층은 제 1 층과 상기 제 1 층보다 상기 절연체측에 위치하는 제 2 층을 포함하는 복수 층의 적층 구조이고,
    상기 제 1 층과 상기 제 2 층의 두께가 다른 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 부재.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 층은 상기 제 2 층보다 두께가 큰 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 부재.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 접합층은 상기 제 1 층과 상기 제 2 층 사이에 위치하는 제 3 층을 갖고,
    상기 제 3 층은 상기 제 1 층보다 두께가 작고, 또한 상기 제 2 층보다 두께가 큰 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 부재.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 층은 상기 제 2 층보다 두께가 작은 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 부재.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 접합층은 상기 제 1 층과 상기 제 2 층 사이에 위치하는 제 3 층을 갖고,
    상기 제 3 층은 상기 제 1 층보다 두께가 크고, 또한 상기 제 2 층보다 두께가 작은 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 부재.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 접합층을 구성하는 복수의 층은 대략 동일한 수지를 주성분으로 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 부재.
  7. 제 1 층 및 제 2 층을 갖는 접합층을 개재해서 기체와 절연체를 접합하는 공정을 구비한 웨이퍼 지지 부재의 제조 방법으로서:
    상기 접합하는 공정은 상기 제 1 층을 상기 기체 상에 배치하는 공정;
    상기 제 1 층보다 두께가 작은 상기 제 2 층을 상기 제 1 층 상에 배치하는 공정; 및
    상기 절연체를 상기 제 2 층 상에 배치하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 부재의 제조 방법.
  8. 제 1 층 및 제 2 층을 갖는 접합층을 개재해서 기체와 절연체를 접합하는 공정을 구비한 웨이퍼 지지 부재의 제조 방법으로서:
    상기 접합하는 공정은 상기 제 2 층을 상기 절연체 상에 배치하는 공정;
    상기 제 2 층보다 두께가 작은 상기 제 1 층을 상기 제 2 층 상에 배치하는 공정; 및
    상기 기체를 상기 제 1 층 상에 배치하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 부재의 제조 방법.
  9. 기체; 절연체; 및 상기 기체와 상기 절연체를 접합하는 접합층을 구비한 웨이퍼 지지 부재로서:
    상기 접합층은 제 1 층과 상기 제 1 층보다 상기 절연체측에 위치하는 제 2 층을 갖는 복수 층의 적층 구조이고,
    상기 제 1 층과 상기 제 2 층의 열전도율이 다른 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 부재.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 층 및 상기 제 2 층 중 적어도 한쪽이 필러를 함유하고,
    상기 제 2 층은 상기 제 1 층보다 필러의 함유 비율이 큰 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 부재.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 층 및 상기 제 2 층 중 적어도 한쪽이 필러를 함유하고,
    상기 제 2 층은 상기 제 1 층보다 함유되는 필러의 표면적 비율이 큰 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 부재.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 층이 제 1 필러를 함유하고, 또한 상기 제 2 층이 제 2 필러를 함유하며,
    상기 제 2 필러는 상기 제 1 필러보다 열전도율이 큰 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 부재.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 접합층은 상기 제 1 층과 상기 제 2 층 사이에 위치하는 제 3 층을 갖고,
    상기 제 3 층은 상기 제 1 층보다 열전도율이 크고, 또한 상기 제 2 층은 상기 제 3 층보다 열전도율이 큰 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 부재.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 접합층은 상기 제 2 층보다 상기 절연체측에 위치함과 아울러 상기 절연체와 접합하는 제 4 층을 갖고, 상기 제 4 층은 상기 접합층을 구성하는 다른 층보다 필러의 함유량이 적은 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 부재.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 4 층은 필러를 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 부재.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 4 층은 상기 제 2 층보다 두께가 작은 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 부재.
  17. 제 9 항에 있어서,
    상기 접합층을 구성하는 복수 층은 대략 동일한 수지 성분을 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 부재.
  18. 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 기재된 웨이퍼 지지 부재와, 상기 절연체 내에 위치하여 웨이퍼를 정전 흡착하는 전극을 구비한 것을 특징으로 하는 정전 척.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 절연체 내에 발열 저항체를 구비한 것을 특징으로 하는 정전 척.
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