KR20100097670A - 전류 미러 디바이스 및 방법 - Google Patents

전류 미러 디바이스 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20100097670A
KR20100097670A KR1020107012257A KR20107012257A KR20100097670A KR 20100097670 A KR20100097670 A KR 20100097670A KR 1020107012257 A KR1020107012257 A KR 1020107012257A KR 20107012257 A KR20107012257 A KR 20107012257A KR 20100097670 A KR20100097670 A KR 20100097670A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transistors
transistor
operational amplifier
output
input
Prior art date
Application number
KR1020107012257A
Other languages
English (en)
Inventor
에크람 호싸인 부이얀
Original Assignee
샌디스크 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 샌디스크 코포레이션 filed Critical 샌디스크 코포레이션
Publication of KR20100097670A publication Critical patent/KR20100097670A/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/26Current mirrors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)

Abstract

실시예에서, 제1 트랜지스터 쌍과 제2 트랜지스터 쌍을 포함하는 전류 미러를 포함하는 회로가 개시된다. 제1 트랜지스터 쌍은 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터를 포함한다. 제2 트랜지스터 쌍은 캐스코드 트랜지스터들을 포함한다. 회로는 또한 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터 모두에 연결된 출력을 가지는 연산 증폭기를 포함한다.

Description

전류 미러 디바이스 및 방법{CURRENT MIRROR DEVICE AND METHOD}
본 발명은 일반적으로 전류 미러 디바이스들 및 전류 미러 디바이스들을 사용하는 방법들에 관한 것이다.
전자 디바이스 기술에 있어서의 진보는 결과적으로 디바이스들을 동작 중에 전력을 덜 소비하는 더욱 소형의 디바이스들이 되게 하였다. 전력 소비의 감소는 대개, 낮은 공급 전압들에서 동작하는 소형 디바이스들 및 디바이스 피쳐들로 인한 것이다. 그러나, 공급 전압이 감소됨에 따라, 디바이스의 동작은 공급 전압의 변동에 더욱 민감해진다. 게다가, 어떤 디바이스들은 서로 다른 공급 전압들에서 동작하는 회로들을 수용하기 위해 복수의 전압 도메인들을 포함한다. 그러나, 제1 전압 도메인의 회로에 의해 생성되는 제2 전압 도메인을 위한 공급 전압은, 상기 제1 전압 도메인의 공급전압의 변동에 민감할 것이다.
종래의 전류 미러 회로들은 특정 저전압 애플리케이션들에서는 수용이 불가능한 전압 공급 헤드룸(voltage supply headroom)을 필요로 한다. 또한, 통상적인의 전류 미러의 출력 전류는 공급 전압에 대한 의존성을 가진다. 또한, 빠른 전압 스윙을 가진 출력은 종래 전류 미러 회로의 트랜지스터들의 출력, 게이트, 그리고 소스 사이에 커플링을 유발할 수 있다. 따라서, 종래의 전류 미러 회로들은 저전압, 고주파수 부하를 구동하는데에 실용적이지 않을 수 있다.
구체적인 실시예에서, 제1 세트의 트랜지스터들과 제2 세트의 트랜지스터들을 포함하는 전류 미러를 포함하는 회로가 개시된다. 제1 세트의 트랜지스터들 중의 적어도 하나의 트랜지스터와 제2 세트의 트랜지스터들 중의 적어도 하나의 트랜지스터가 캐스코드 구성(cascode arrangement)으로 되어있다. 회로는 제1 세트의 트랜지스터들에 연결된 제1 연산 증폭기를 포함한다. 회로는 또한 제2 세트의 트랜지스터들에 연결된 제2 연산 증폭기를 포함한다.
또 다른 실시예에서, 회로는 제1 트랜지스터 쌍(transistor pair) 및 제2 트랜지스터 쌍을 포함하는 전류 미러를 포함한다. 제1 트랜지스터 쌍은 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터를 포함한다. 제2 트랜지스터 쌍은 캐스코드 트랜지스터들을 포함한다. 상기 회로는 또한 상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터 모두에 연결된 출력부를 가지는 제1 연산 증폭기를 포함한다.
또 다른 실시예에서, 회로는 제1 세트의 트랜지스터들과 제2 세트의 트랜지스터들을 포함하는 전류 미러를 포함한다. 제2 세트의 트랜지스터들 중 적어도 하나의 트랜지스터가 캐스코드 배열로 배치된다. 회로는 제1 세트의 트랜지스터들에 연결된 제1 연산 증폭기를 포함한다. 회로는 또한, 제2 세트의 트랜지스터들에 연결된 제2 연산 증폭기를 포함한다. 회로는 제2 세트의 트랜지스터들 중의 일 트랜지스터에 연결된 전류 소스를 포함한다. 제1 연산 증폭기는 제1 바이어스 전압의 제1 입력을 가지고, 제2 연산 증폭기는 제2 바이어스 전압의 제1 입력을 가진다. 제1 세트의 트랜지스터들은 공급 전압에 연결된다. 제1 바이어스 전압은 공급 전압과 다르다. 제2 세트의 트랜지스터들 중의 제1 트랜지스터가 제1 연산 증폭기에 대한 제2 입력으로 연결되어 제1 피드백 루프를 정의한다. 제1 세트의 트랜지스터들 중의 일 트랜지스터의 출력이 제2 연산 증폭기에 대한 제2 입력으로서 제공되어 제2 피드백 루프를 정의한다. 제2 세트의 트랜지스터들 중의 제1 트랜지스터는 출력 전류를 구동(drive)하는 출력부를 가진다.
또 다른 실시예에서, 회로 디바이스를 사용하는 방법이 계시된다. 상기 방법은 제1 세트의 트랜지스터들에 연결된 제1 연산 증폭기의 제1 입력에서 제1 바이어스 전압을 수신하는 단계를 포함한다. 상기 방법은, 제2 세트의 트랜지스터들에 연결된 제2 연산 증폭기의 제1 입력에서 제2 바이어스 전압을 수신하는 단계를 포함한다. 제1 세트의 트랜지스터들 및 제2 세트의 트랜지스터들은 전류 미러를 형성한다. 전류 미러는 공급 전압에 연결되고, 제1 바이어스 전압은 상기 공급 전압과 다르다. 제2 세트의 트랜지스터들 중의 제1 트랜지스터가 제1 연산 증폭기의 제2 입력에 연결되어 제1 피드백 루프를 정의한다. 제1 세트의 트랜지스터들 중의 일 트랜지스터의 출력이 제2 연산 증폭기에 대한 제2 입력으로서 제공되어 제2 피드백 루프를 정의한다. 제2 세트의 트랜지스터들 중의 제2 트랜지스터는 전류 미러의 출력 전류를 구동하는 출력부를 가진다.
전류 미러의 실시예들에 의해 제공되는 한가지 구체적인 이점은, 출력 전류가 전압 공급의 변동에 영향받지 않으므로, 확실한 동작(robust operation)을 한다는 것이다. 또다른 이점은, 전류 미러 회로의 공급 전압과 별개의 기준 전압 레벨에서 유지되는 출력 전압 레벨이 전압 도메인에 공급될 수 있다는 것이다. 또 다른 이점은 낮은 공급 전압에서의 동작에 의해 저전력 동작이 가능하다는 것이다. 개시된 전류 미러 회로 디바이스는, 빠른 전압 스윙에 대해 더욱 무감해진 상태로, 더 낮은 공급 전압, 더 나은 출력 임피던스를 가지고 고주파 발진기를 구동할 수 있다.
본 개시의 다른 양상들,이점들, 그리고 피쳐들은 도면의 간단한 설명, 발명의 상세한 설명, 및 청구항들을 포함하여 전체 출원서를 검토함으로써 명백해질 것이다.
도 1은 전류 미러 디바이스의 제1 실시예의 회로도이다.
도 2는 전류 미러 디바이스의 제2 실시예의 회로도이다.
도 3은 전류 디바이스를 사용하는 방법의 실시예의 흐름도이다.
도 4는 전류 미러 회로를 포함하는 시스템의 블럭도이다.
도 1을 참조하면, 회로 디바이스(100)가 도시된다. 회로 디바이스(100)는 제1 연산 증폭기(102)와 제2 연산 증폭기(110)를 포함한다. 회로 디바이스(100)는 또한, 제1 트랜지스터(122)와 제2 트랜지스터(132)를 포함하는 제1 쌍의 트랜지스터들과 같은 제1 세트의 트렌지스터들, 그리고 제3 트랜지스터(124)와 제4 트랜지스터(134)를 포함하는 제2 쌍의 트랜지스터들과 같은 제2 세트의 트랜지스터들을 포함한다. 제2 세트의 트랜지스터들 중 적어도 하나의 트랜지스터는 캐스코드 구성으로 되어 있다. 예를 들어, 트랜지스터(124) 또는 트랜지스터(134) 또는 이 두 트랜지스터 모두가 캐스코드 구성일 수 있다. 제1 연산 증폭기(102)가 제1 트랜지스터(122) 및 제2 트랜지스터(132)에 연결된다. 제1 연산 증폭기(102)는 제1 바이어스 전압(Vbias1)(104)의 제1 입력을 가지며, 제3 트랜지스터(124)에 연결된 노드(125)로부터 제공되는 피드백 신호에 대응하는 제2 입력(106)을 가진다.
제2 연산 증폭기(110)는 제1 트랜지스터(122)에 연결된 노드(123)에 대응하는 제1 입력(114)과, 제2 바이어스 전압(Vbias2)에 대응하는 제2 입력(112)을 가진다. 구체적인 실시예에서, 입력(112)에 제공되는 제2 바이어스 전압은 실질적으로 고정이며 전류 경로들(120, 130)을 통해 전류 미러에 제공되는 공급 전압(118)의 변동에 대해 독립적이다. 구체적인 실시예에서, 제2 바이스어스 전압은, 단일 트랜지스터의 드레인-소스 포화 전압보다 낮은 공급전압(118)과 같은 유효 전압 범위로 설정될 수 있다.
제1 전류 경로(120) 내의 트랜지스터들(122, 124)은 노드(125)와 그라운드(128)에 연결되는 전류 소스(126)로부터 입력을 수신하도록 연결된다. 제2 전류 경로(130)의 트랜지스터들(132, 134)은 출력 노드(135)에 출력 전압 및 출력 전류(136)를 제공하도록 연결된다. 출력 전류(136)는 제4 트랜지스터(134)의 출력에 의해 제공된다. 전류 미러의 출력 전압은 제2 바이어스 전압에 의해 제한된다.
구체적인 실시예에서, 제1 쌍의 트랜지스터들(122, 132)이 공급 전압(118)에 연결되고, 이 공급 전압(118)은 제1 바이어스 전압(104) 및 제2 바이어스 전압(112)과는 다르다. 따라서, 공급 전압(118)의 변동은 바이어스 전압들(104, 112)의 사용에 의해 회로(110)의 다른 부분들로부터 분리된다.
동작 중에, 제3 트랜지스터(124)의 출력이 노드(125)를 통해 제1 연산 증폭기(102)에 대한 입력으로서 제공되어 제1 피드백 루프가 정의된다. 또한, 제1 트랜지스터(122)의 출력이 노드(123)을 통해 제2 연산 증폭기(110)에 대한 입력으로서 제공되어 제2 피드백 루프가 정의된다. 이 피드백 루프들은 연산 증폭기들(102, 110)이 공급 전압(118)에 대해 독립적인 일정한 바이어스(constant bias)를 유지할 수 있게 해준다.
구체적인 실시예에서, 전류 미러를 정의하는 제1 및 제2 세트의 트랜지스터들의 트랜지스터들(122, 124, 132, 134) 각각은 도시된 바와 같이 전계 효과 트랜지스터들이다. 적절한 전계 효과 타입의 트랜지스터의 예는 금속 산화 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)이다.
도 2에 도시된 또 다른 실시예에서, 전류 미러 내의 4개의 트랜지스터들 각각은 바이폴라 트랜지스터 타입의 디바이스들이다. 예를 들어, 제1 트랜지스터(222), 제2 트랜지스터(224), 제3 트랜지스터(232), 그리고 제4 트랜지스터(234)는 각각 도시된 것과 같은 바이폴라 타입의 디바이스들이다. 도 2에 도시된 회로 디바이스(200)의 나머지 부분들은 도 1을 참조로 도시된 요소들과 실질적으로 유사하다.
도 3을 참조하면, 도 1 및 도 2에 예시된 회로 디바이스들과 같은 회로 디바이스를 사용하는 방법이 도시된다. 회로 디바이스를 사용하는 방법은 제1 세트의 트랜지스터들에 연결된 제1 연산 증폭기의 제1 입력에서 제1 바이어스 전압을 수신하는 단계(302)를 포함한다. 제1 연산 증폭기의 예는, 도 1의 제1 연산 증폭기 또는 도 2의 제1 연산 증폭기(202)이다. 제1 바이어스 전압의 예는 도 1의 입력(104) 또는 도 2의 입력(204)에 제공되는 제1 바이어스 전압(Vbias1)이다. 본 방법은 제2 세트의 트랜지스터들에 연결된 제2 연산 증폭기의 제1 입력에서 제2 바이어스 전압을 수신하는 단계(304)를 포함한다. 제2 연산 증폭기에 제공되는 제2 바이어스 전압의 예는 도 1의 제2 연산 증폭기에 제공되는 제2 바이어스 전압(Vbias2)(112) 또는 도 2의 제2 연산 증폭기에 제공되는 제2 바이어스 전압(212)이다.
본 방법은 전류 소스로부터 제2 세트의 트랜지스터들 중의 적어도 하나의 트랜지스터로 전류를 제공하는 단계를 더 포함한다. 적절한 전류 소스의 예는 도 1에 도시된 전류 소스(126) 또는 도 2에 도시된 전류 소스(226)이다. 제2 세트의 트랜지스터들은 도 1의 트랜지스터들(124, 134), 또는 도 2의 트랜지스터들(224, 234)과 같은 제2 트랜지스터 쌍을 포함할 수 있다.
본 방법은 단계(308)에 도시된 바와 같이, 제1 연산 증폭기의 제2 입력에서 수신된 제1 피드백 신호에 기초하여 제1 연산 증폭기의 제1 출력을 조정하는 단계를 더 포함한다. 제2 세트의 트랜지스터들 중의 제1 트랜지스터가, 제1 연산 증폭기에 대한 제2 입력에 연결되어 제1 피드백 루프를 정의한다. 예를 들어, 도1 에 도시된 것과 같은 노드(125)에 연결된 제1 피드백 루프에 의해 제공되는 제2 입력(106)에서 수신된 피드백 신호에 근거하여, 제1 연산 증폭기(102)의 제1 출력이 조정될 수 있다.
본 방법은 제2 연산 증폭기의 제2 입력에서 수신된 제2 피드백 신호에 근거하여 제2 연산 증폭기의 제2 출력을 조정하는 단계를 더 포함한다. 제1 세트의 트랜지스터들 중 하나의 출력이 제2 연산 증폭기에 대한 제2 입력으로서 제공되어 제2 피드백 루프를 정의한다. 예를 들어, 도 1에 도시된 것과 같은 노드(123)을 통해 연결된 트랜지스터(122)에 응답하여 제공되는 제2 피드백 루프를 통해 수신된 입력(114)에 응답하여, 제2 연산 증폭기(110)의 제2 출력(116)이 조정될 수 있다.
본 방법은 단계(312)에 도시된 바와 같이, 제1 연산 증폭기로부터 제1 세트의 트랜지스터들로 제1 출력을 제공하는 단계와, 전류 소스로부터의 전류를 미러하는 전류 미러의 제2 세트의 트랜지스터들로 제2 연산 증폭기의 제2 출력을 제공하는 단계를 더 포함한다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 연산 증폭기(102)로부터의 제1 출력(108)이 트랜지스터들(122, 132, 124, 134)을 포함하는 전류 미러에 제공되어, 제1 전류 경로(120)를 통해 제공되는 전류가 미러되고, 실질적으로 동일한 전류가 제2 전류 경로(130)의 트랜지스터의 출력을 통해 제공되며, 상기 제2 경로(130)의 트랜지스터의 출력은 입력 전류(126)와 실질적으로 정합(match)되는 출력 전류(136)를 구동(drive)한다. 본 방법은 단계(314)에 도시된 것과 같이, 전류 미러의 출력 전류를 고속 아날로그 회로에 제공하는 단계를 더 포함한다. 출력 전류(136), 또는 출력 전류(236)는, 발진기 또는 다른 유사한 타입의 아날로그 회로와 같은 고속 아날로그 회로에 제공될 수 있다. 또한, 출력 전류(136)와 관련된 출력 전압이, 다른 전압 도메인에 저공될 수 있으며, 여기서 상기 다른 전압 도메인은, 제2 연산 증폭기(110)에 제공되는 제2 바이어스 전압(112)에 의해 제약되는 전압 공급을 가진다. 이러한 식으로, 별개의 분리된 전압 공급들이 집적 회로 디바이스 내에서 서로 다른 전압 도메인들에 제공될 수 있다.
구체적인 실시예에서, 제2 바이어스 전압은, 기준 전압 회로에 의해 제공되는 고정된, 그리고 실질적으로 안정적인 전압이다. 구체적인 실시예에서, 도 1의 공급 전압(118) 또는 도 2의 공급 전압(218)과 같은 공급 전압은 제1 세트의 트랜지스터들 중 하나의 트랜지스터의 드레인-소스 전압(Vds)(예를 들어, 도 1의 트랜지스터들(122 또는 132)의 드레인-소스 전압)의 4배와 같다. 구체적인 실시예에서, 공급 전압은 1 볼트 미만이고, 드레인-소스 전압이 대략 0.2 볼트인 경우에 대략 0.8 볼트일 수 있다.
도 4를 참조하면, 도 1 및 도 2에 도시된 회로 디바이스들과 같은 캐스코드 전류 미러 회로를 포함하는 시스템(400)의 특정한 실시예가 도시된다. 시스템(400)은 두개 이상의 연산 증폭기들(402)을 포함하는 캐스코드 전류 미러 회로에 제공되는 공급 전압 소스(410)을 포함한다. 특정 실시예에서, 연산 증폭기들(402)를 구비한 전류 미러는 도 1 또는 도 2에 도시된 것과 같은 회로이다. 캐스코드 전류 미러 디바이스(402)는 전류 소스(412)에 응답하고, 입력(414)에서 전류를 수신한다. 또한, 캐스코드 전류 미러 디바이스(402)는 기준 전압 회로로부터 기준 전압(404)을 수신한다. 특정 실시예에서, 기준 전압 회로(406)는 실질적으로 안정적이고 고정된 전압을 제공하기 위한 밴드 갭 타입의 기준 전압 회로일 수 있다. 특정 실시예에서, 기준 전압 회로(406)는 캐스코드 전류 미러 디바이스(402)의 두개의 연산 증폭기들에 대한 입력들로서 제1 바이어스 전압 및 제2 바이어스 전압을 제공한다. 캐스코드 전류 미러 디바이스(402)는 예시된 고속 아날로그 회로 디바이스(418)에 출력 전류(416) 및 출력 전압을 제공한다. 특정 실시예에서, 고속 아날로그 회로 디바이스(418)는 발진기 또는 그와 유사한 고주파 회로이다.
개시된 회로 및 시스템들에서, 개선된 전류 미러는 더욱 높은 유효 출력 임피던스와 더욱 낮은 공급 전압을 보여주며, 빠른 출력 전압 스윙에 대해서는 개선된 무감성(increased insensitive)을 보여준다. 두개의 연산 증폭기 루프들이, 결과적인 출력 임피던스를 개선시키고 공급 전압 요구를 감소시키기 위해 전류 미러 디바이스의 캐스코드 구성의 상부 및 하부 트랜지스터 쌍들을 조정하는 데 사용된다. 또한, 비록 제1 및 제2 전류 경로가 도 1 및 도 2에 도시되었으나, 상기 전류 미러의 복수의 전류 출력들을 제공하기 위해 추가적인 병렬 회로 경로들이 더해질 수 있음이 이해되어야 한다. 이 경우에, 전류 미러의 경로들 각각에 대해 요구되는 최소 전압은 단지 단일 트랜지스터의 드레인-소스 포화 전압의 4 배(대략 0.8 볼트)이다.
또한, 개시된 회로 디바이스는, 발진기 및 유사한 애플리케이션들과 같은 고속 아날로그 회로들을 빠르게 조정할 수 있는 전류 미러를 제공해 주는 이점을 가질 수 있다. 개시된 회로 디바이스에서, 전류 미러의 전류비는 실질적으로 공급 전압에 대해 독립적이다. 그러므로, 개시된 회로는 상기 전류 미러 회로의 공급 전압 대 출력 전류에 대해 감소된 민감도를 가진다. 따라서, 개시된 복수의 연산 증폭기들을 구비한 전류 미러 회로는, 저전압에서의 고속 아날로그 회로 디바이스를 개선시킨다.
본 명세서에 기술된 실시예들은 다양한 실시예들의 구조에 대한 개괄적인 이해를 제공하려 의도된 것이다. 본 실시예들은 본 명세서에 기술된 구조들 또는 방법들을 사용하는 장치 및 시스템의 모든 요소들과 피쳐들에 대해 완전하게 기술하도록 의도된 것은 아니다. 본 개시를 참조함으로써 많은 다른 실시예들이 당업자들에게 자명할 것이다. 본 개시로부터 다른 실시예들이 사용되고 유도되어, 본 개시의 범주로부터 벗어남이 없이 구조적 또는 논리적 대체 및 변경이 이루어질 수 있다. 또한, 도면들은 단지 표상적인 것이며, 일정비율로 축소되어 그려진 것이 아닐 수 있다. 도면들에서 특정 부분들은 과장되어 그려지는 한편 다른 부분들은 축소되어 그려졌을 수 있다. 본 명세서에서 구체적인 실시예들이 도시되고 설명되었으나, 동일한 또는 유사한 목적을 달성하기 위하여, 임의의 후속적인 구성이 도시된 구체적 실시예들을 대체할 수 있다. 본 개시는 다양한 실시예들의 임의의 그리고 모든 후속적인 적응 및 변경을 포괄하려 의도되었다. 상기 실시예들의 조합, 그리고 본 명세서에 구체적으로 설명되지 않은 다른 실시예들은, 본 개시를 참조하여 당업자들에게는 자명할 것이다. 따라서, 본 개시 및 도면은 제한적인 것이라기 보다는 예시적인 것으로서 여겨져야 한다.
본 개시의 요약은, 청구항들의 범주 또는 의미를 해석 또는 제약하기 위해 사용되지 않을 것이라 이해되어야 한다. 또한, 상술한 상세한 설명에서, 본 개시를 간략화하기 위하여, 다양한 피쳐들이 함께 그룹화되거나 단일의 실시예로 기술될 수 있다. 본 발명의 실시예들이, 각각의 청구항에 명시적으로 기술된 것보다 더 많은 피쳐들을 요구하는 것으로 해석되어서는 안된다. 오히려, 하기의 청구항들에서 보여주듯이, 본 발명의 내용이 개시된 임의의 실시예의 모든 피쳐들 보다 적은 피쳐들과 관련될 수 있다. 따라서, 하기의 청구항들은, 각각의 청구항이 다른 청구항들에 대해 독립적으로 별도의 청구 내용을 정의하면서, 상세한 설명에 통합된다.
상기 개시된 내용은 제한적인 것이 아닌 예시인 것으로 고려되어야 하며, 첨부의 청구항들은 본 발명의 정신 및 범주 내에 들어오는 모든 수정, 개선, 다른 실시예들을 포함하는 것으로 의도된 것이다. 따라서, 본 발명의 범주는, 법이 허용하는 최대 범위에서, 하기의 청구항들 및 그 등가들의 최광의의 허용가능한 해석에 의해 결정될 것이며, 전술한 상세한 설명에 의해 제약 또는 제한되어서는 안된다.

Claims (25)

  1. 제1 세트의 트랜지스터들 및 제2 세트의 트랜지스터들을 포함하는 전류 미러(current mirror)와, 상기 제1 세트의 트랜지스터들 중의 적어도 하나의 트랜지스터 및 상기 제2 세트의 트랜지스터들 중의 적어도 하나의 트랜지스터는 캐스코드 구성(cascode arrangement)으로 되어있고;
    상기 제1 세트의 트랜지스터들에 연결된 제1 연산 증폭기(operational amplifier)와; 그리고
    상기 제2 세트의 트랜지스터들에 연결된 제2 연산 증폭기를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 회로.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 세트의 트랜지스터들은 제1 트랜지스터 쌍(transistor pair) 이고 상기 제2 세트의 트랜지스터들은 제2 트랜지스터 쌍이며, 상기 제2 트랜지스터 쌍의 트랜지스터들 중 하나에 연결된 전류 소스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 회로.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제2 트랜지스터 쌍의 트랜지스터들 중의 제2 트랜지스터는 출력 전류를 구동(drive)하는 출력부을 가지는 것을 특징으로 하는 회로.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 연산 증폭기는 제1 바이어스 전압 입력을 가지며, 상기 제2 연산 증폭기는 제2 바이어스 전압 입력을 가지는 것을 특징으로 하는 회로.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 전류 미러의 출력 전압은 상기 제2 바이어스 전압에 의해 제한되는 것을 특징으로 하는 회로.
  6. 제2 항에 있어서,
    상기 제2 트랜지스터 쌍의 트랜지스터들 중 하나의 출력이 상기 제1 연산 증폭기에 대한 입력으로서 제공되어 제1 피드백 루프를 정의하는 것을 특징으로 하는 회로.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터 쌍의 트랜지스터들 중 하나의 출력이 상기 제2 연산 증폭기에 대한 입력으로서 제공되어 제2 피드백 루프를 정의하는 것을 특징으로 하는 회로.
  8. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터 쌍은 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터를 포함하며, 상기 제2 트랜지스터 쌍은 제3 트랜지스터 및 제4 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터, 상기 제2 트랜지스터, 상기 제3 트랜지스터, 그리고 상기 제4 트랜지스터는 각각 전계 효과 트랜지스터 디바이스들(field effect type transistor devices)인 것을 특징으로 하는 회로.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터, 상기 제2 트랜지스터, 상기 제3 트랜지스터, 그리고 상기 제4 트랜지스터는 각각 바이폴라 트랜지스터 디바이스들(bipolar transistor type devices)인 것을 특징으로 하는 회로.
  11. 제1 트랜지스터 쌍 및 제2 트랜지스터 쌍을 포함하는 전류 미러와, 상기 제1 트랜지스터 쌍은 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터를 포함하며, 상기 제2 트랜지스터 쌍은 캐스코드 트랜지스터들을 포함하고; 그리고
    상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터 모두에 연결된 출력을 가지는 제1 연산 증폭기를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 회로.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제2 트랜지스터 쌍의 각각의 트랜지스터에 연결된 제2 연산 증폭기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 회로.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 제2 트랜지스터 쌍의 트랜지스터들 중 하나에 연결된 전류 소스를 더 포함하며, 상기 전류 소스에 대한 입력은 상기 제1 연산 증폭기의 입력에 연결되는 것을 특징으로 하는 회로.
  14. 제1 세트의 트랜지스터들 및 제2 세트의 트랜지스터들을 포함하는 전류 미러와, 상기 제2 세트의 트랜지스터들의 적어도 하나의 트랜지스터는 캐스코드 구성으로 배치되며;
    상기 제1 세트의 트랜지스터들에 연결된 제1 연산 증폭기와;
    상기 제2 세트의 트랜지스터들에 연결된 제2 연산 증폭기와;
    상기 제2 세트의 트랜지스터들의 트랜지스터들 중 하나에 연결된 전류 소스를 포함하며;
    여기서 상기 제1 연산 증폭기는 제1 바이어스 전압의 제1 입력을 가지고 상기 제2 연산 증폭기는 제2 바이어스 전압의 제1 입력을 가지며;
    상기 제1 세트의 트랜지스터들은 공급 전압에 연결되고, 상기 제1 바이어스 전압은 상기 공급 전압과 다르며;
    상기 제2 세트의 트랜지스터들 중의 제1 트랜지스터는 상기 제1 연산 증폭기에 대한 제2 입력에 연결되어 제1 피드백 루프를 정의하고;
    상기 제1 세트의 트랜지스터들 중 한 트랜지스터의 출력이 상기 제2 연산 증폭기에 대한 제2 입력으로서 제공되어 제2 피드백 루프를 정의하며; 그리고
    상기 제2 세트의 트랜지스터들의 제2 트랜지스터는 출력 전류를 구동하는 출력을 가지는 것을 특징으로 하는 회로.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 세트의 트랜지스터들은 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터를 포함하며, 여기서 상기 제2 세트의 트랜지스터들은 제3 트랜지스터 및 제4 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 트랜지스터, 상기 제2 트랜지스터, 상기 제3 트랜지스터, 그리고 상기 제4 트랜지스터는 각각 전계 효과 타입의 트랜지스터 디바이스들인 것을 특징으로 하는 회로.
  16. 제14 항에 있어서,
    상기 출력 회로는 공급 전압의 변경에 실질적으로 반응하지 않는 것을 특징으로 하는 회로.
  17. 회로 디바이스를 사용하는 방법에 있어서,
    제1 세트의 트랜지스터들에 연결된 제1 연산 증폭기의 제1 입력부에서 제1 바이어스 전압을 수신하는 단계와;
    제2 세트의 트랜지스터들에 연결된 제2 연산 증폭기의 제1 입력부에서 제2 바이어스 전압을 수신하는 단계를 포함하고, 상기 제1 세트의 트랜지스터들 및 상기 제2 세트의 트랜지스터들은 전류 미러를 형성하고, 상기 전류 미러는 공급 전압에 연결되며;
    여기서 상기 제1 바이어스 전압은 상기 공급 전압과는 다르며;
    상기 제2 세트의 트랜지스터들에서의 제1 트랜지스터는 상기 제1 연산 증폭기의 제2 입력부에 연결되어 제1 피드백 루프를 정의하고;
    여기서 상기 제1 세트의 트랜지스터들 중의 일 트랜지스터의 출력이 상기 제2 연산 증폭기에 대한 제2 입력으로서 제공되어 제2 피드백 루프를 정의하며; 그리고
    상기 제2 세트의 트랜지스터들 중의 제2 트랜지스터는 상기 전류 미러의 출력 전류를 구동하는 출력부를 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 출력 전류는 상기 공급 전압의 변화에 실질적으로 독립적인 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제17 항에 있어서,
    전류 소스로부터 상기 제2 세트의 트랜지스터들 중 적어도 하나의 트랜지스터로 전류를 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제17 항에 있어서,
    상기 제2 바이어스 전압은 고정(fix)된 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제17 항에 있어서,
    상기 공급 전압은 상기 제1 세트의 트랜지스터들 중의 일 트랜지스터의 드레인-소스 전압의 4배와 거의 동일한 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 제21 항에 있어서,
    상기 공급 전압은 1 볼트보다 낮은 것을 특징으로 하는 방법.
  23. 제17 항에 있어서,
    상기 전류 미러의 출력 전류를 고속 아날로그 회로에 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  24. 제23 항에 있어서,
    상기 고속 아날로그 회로는 발진기(oscillator)인 것을 특징으로 하는 방법.
  25. 제17 항에 있어서,
    상기 출력의 출력 전압이 다른 전압 도메인에 제공되는 것을 특징으로 하는 방법.
KR1020107012257A 2007-12-12 2008-12-08 전류 미러 디바이스 및 방법 KR20100097670A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/954,924 US8786359B2 (en) 2007-12-12 2007-12-12 Current mirror device and method
US11/954,924 2007-12-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100097670A true KR20100097670A (ko) 2010-09-03

Family

ID=40317006

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107012257A KR20100097670A (ko) 2007-12-12 2008-12-08 전류 미러 디바이스 및 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8786359B2 (ko)
EP (1) EP2243062B1 (ko)
JP (1) JP2011507105A (ko)
KR (1) KR20100097670A (ko)
CN (1) CN101884020B (ko)
TW (1) TWI460990B (ko)
WO (1) WO2009076304A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120066996A (ko) * 2010-12-15 2012-06-25 한국전자통신연구원 바이어스 회로 및 그것을 포함하는 아날로그 집적회로

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7893756B2 (en) * 2008-11-14 2011-02-22 Agilent Technologies, Inc. Precision current source
CN103270465B (zh) * 2010-12-23 2016-07-20 马维尔国际贸易有限公司 用于过程变化和电源调制的准确偏置跟踪
US9195252B1 (en) * 2013-03-14 2015-11-24 Maxim Integrated Products, Inc. Method and apparatus for current sensing and measurement
CN104242923B (zh) * 2013-06-13 2017-06-06 上海华虹宏力半导体制造有限公司 压控振荡器
CN104977450B (zh) * 2014-04-03 2019-04-30 深圳市中兴微电子技术有限公司 一种电流采样电路及方法
US9176511B1 (en) * 2014-04-16 2015-11-03 Qualcomm Incorporated Band-gap current repeater
CN104779920B (zh) * 2015-05-08 2017-06-09 宜确半导体(苏州)有限公司 基于闭环功率控制的共源共栅射频功率放大器
JP6638340B2 (ja) * 2015-11-12 2020-01-29 セイコーエプソン株式会社 回路装置、発振器、電子機器及び移動体
FR3104751B1 (fr) 2019-12-12 2021-11-26 St Microelectronics Rousset Procédé de lissage d’un courant consommé par un circuit intégré et dispositif correspondant
FR3113776A1 (fr) 2020-08-25 2022-03-04 Stmicroelectronics (Rousset) Sas Alimentation de circuit électronique
FR3113777A1 (fr) * 2020-08-25 2022-03-04 Stmicroelectronics (Rousset) Sas Alimentation de circuit électronique
US11605406B2 (en) 2021-07-30 2023-03-14 Macronix International Co., Ltd. Memory and sense amplifying device thereof
TWI789856B (zh) * 2021-07-30 2023-01-11 旺宏電子股份有限公司 記憶體以及其感測放大裝置
US11757459B2 (en) * 2022-02-17 2023-09-12 Caelus Technologies Limited Cascode Class-A differential reference buffer using source followers for a multi-channel interleaved Analog-to-Digital Converter (ADC)

Family Cites Families (86)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4072910A (en) * 1976-04-09 1978-02-07 Rca Corporation Voltage controlled oscillator having equally controlled current source and current sink
JPS605085B2 (ja) * 1980-04-14 1985-02-08 株式会社東芝 カレントミラ−回路
US4687984A (en) * 1984-05-31 1987-08-18 Precision Monolithics, Inc. JFET active load input stage
US4583037A (en) * 1984-08-23 1986-04-15 At&T Bell Laboratories High swing CMOS cascode current mirror
US4918336A (en) * 1987-05-19 1990-04-17 Gazelle Microcircuits, Inc. Capacitor coupled push pull logic circuit
GB8913439D0 (en) * 1989-06-12 1989-08-02 Inmos Ltd Current mirror circuit
US5231316A (en) * 1991-10-29 1993-07-27 Lattice Semiconductor Corporation Temperature compensated cmos voltage to current converter
JP3333239B2 (ja) * 1991-12-05 2002-10-15 株式会社東芝 可変利得回路
US5412349A (en) * 1992-03-31 1995-05-02 Intel Corporation PLL clock generator integrated with microprocessor
JP3523718B2 (ja) * 1995-02-06 2004-04-26 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
DE19507155C1 (de) * 1995-03-01 1996-08-14 Itt Ind Gmbh Deutsche Stromspiegel in MOS-Technik mit weit aussteuerbaren Kaskodestufen
US5576647A (en) * 1995-06-22 1996-11-19 Marvell Technology Group, Ltd. Charge pump for phase lock loop
GB2347524B (en) 1995-11-17 2001-01-24 Fujitsu Ltd High precision current output circuit
US5596302A (en) * 1996-01-17 1997-01-21 Lucent Technologies Inc. Ring oscillator using even numbers of differential stages with current mirrors
FR2743960B1 (fr) * 1996-01-18 1998-04-10 Texas Instruments France Convertisseur numerique analogique a haute resolution destine notamment a l'accord d'un oscillateur a quartz controle par tension
US5815012A (en) * 1996-08-02 1998-09-29 Atmel Corporation Voltage to current converter for high frequency applications
US5790060A (en) * 1996-09-11 1998-08-04 Harris Corporation Digital-to-analog converter having enhanced current steering and associated method
US5748048A (en) * 1996-12-12 1998-05-05 Cypress Semiconductor Corporation Voltage controlled oscillator (VCO) frequency gain compensation circuit
JP3031313B2 (ja) * 1997-09-11 2000-04-10 日本電気株式会社 半導体回路
JP3510100B2 (ja) * 1998-02-18 2004-03-22 富士通株式会社 カレントミラー回路および該カレントミラー回路を有する半導体集積回路
US5942922A (en) * 1998-04-07 1999-08-24 Credence Systems Corporation Inhibitable, continuously-terminated differential drive circuit for an integrated circuit tester
KR100321167B1 (ko) * 1998-06-30 2002-05-13 박종섭 앤티퓨즈로미세조정되는기준전압발생기
US5959446A (en) * 1998-07-17 1999-09-28 National Semiconductor Corporation High swing current efficient CMOS cascode current mirror
JP3613017B2 (ja) * 1998-08-06 2005-01-26 ヤマハ株式会社 電圧制御発振器
JP3742230B2 (ja) 1998-08-28 2006-02-01 株式会社東芝 電流発生回路
US6445322B2 (en) * 1998-10-01 2002-09-03 Ati International Srl Digital-to-analog converter with improved output impedance switch
US6064267A (en) 1998-10-05 2000-05-16 Globespan, Inc. Current mirror utilizing amplifier to match operating voltages of input and output transconductance devices
US6124753A (en) 1998-10-05 2000-09-26 Pease; Robert A. Ultra low voltage cascoded current sources
JP3977530B2 (ja) * 1998-11-27 2007-09-19 株式会社東芝 カレントミラー回路および電流源回路
JP2001136068A (ja) * 1999-11-08 2001-05-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電流加算型d/a変換器
US6414557B1 (en) * 2000-02-17 2002-07-02 Broadcom Corporation High noise rejection voltage-controlled ring oscillator architecture
DE10021928A1 (de) 2000-05-05 2001-11-15 Infineon Technologies Ag Stromspiegel und Verfahren zum Betreiben eines Stromspiegels
DE10026793A1 (de) 2000-05-31 2002-01-03 Zentr Mikroelekt Dresden Gmbh Strombegrenzungsschaltung
JP2002026695A (ja) * 2000-07-03 2002-01-25 Mitsubishi Electric Corp 電圧制御発振器
US6362698B1 (en) * 2000-09-29 2002-03-26 Intel Corporation Low impedance clamping buffer for an LC tank VCO
US6531857B2 (en) * 2000-11-09 2003-03-11 Agere Systems, Inc. Low voltage bandgap reference circuit
US6445223B1 (en) * 2000-11-21 2002-09-03 Intel Corporation Line driver with an integrated termination
US6420912B1 (en) * 2000-12-13 2002-07-16 Intel Corporation Voltage to current converter
US6433528B1 (en) * 2000-12-20 2002-08-13 Texas Instruments Incorporated High impedance mirror scheme with enhanced compliance voltage
US6710670B2 (en) * 2001-01-26 2004-03-23 True Circuits, Inc. Self-biasing phase-locking loop system
JP4548562B2 (ja) 2001-03-26 2010-09-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 カレントミラー回路及びアナログデジタル変換回路
CN1252480C (zh) * 2001-04-05 2006-04-19 深圳赛意法微电子有限公司 低压电流检测放大器电路
JP4204210B2 (ja) * 2001-08-29 2009-01-07 株式会社リコー Pll回路
US20030042970A1 (en) * 2001-09-05 2003-03-06 Humphrey Guy Harlan Controllable reference voltage circuit with power supply isolation
JP2003086700A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
DE10297345T5 (de) * 2001-10-19 2004-11-18 Advantest Corp. Phasenregelkreisschaltung, Delay-Locked-Loop-Schaltung, Taktgenerator, Halbleitertestgerät und integrierter Halbleiterschaltkreis
US6784755B2 (en) * 2002-03-28 2004-08-31 Texas Instruments Incorporated Compact, high power supply rejection ratio, low power semiconductor digitally controlled oscillator architecture
US20030218502A1 (en) * 2002-05-22 2003-11-27 Mathstar Variable gain amplifier
US6747585B2 (en) * 2002-10-29 2004-06-08 Motorola, Inc. Method and apparatus for increasing a dynamic range of a digital to analog converter
US6720818B1 (en) * 2002-11-08 2004-04-13 Applied Micro Circuits Corporation Method and apparatus for maximizing an amplitude of an output signal of a differential multiplexer
ATE504446T1 (de) * 2002-12-02 2011-04-15 Silverbrook Res Pty Ltd Totdüsenausgleich
US7202645B2 (en) * 2003-01-09 2007-04-10 Audio Note Uk Ltd. Regulated power supply unit
US7002401B2 (en) * 2003-01-30 2006-02-21 Sandisk Corporation Voltage buffer for capacitive loads
US6707286B1 (en) 2003-02-24 2004-03-16 Ami Semiconductor, Inc. Low voltage enhanced output impedance current mirror
US6738006B1 (en) * 2003-05-06 2004-05-18 Analog Devices, Inc. Digital/analog converter including gain control for a sub-digital/analog converter
DE10328605A1 (de) * 2003-06-25 2005-01-20 Infineon Technologies Ag Stromquelle zur Erzeugung eines konstanten Referenzstromes
US7199646B1 (en) * 2003-09-23 2007-04-03 Cypress Semiconductor Corp. High PSRR, high accuracy, low power supply bandgap circuit
US6903539B1 (en) 2003-11-19 2005-06-07 Texas Instruments Incorporated Regulated cascode current source with wide output swing
DE10358713A1 (de) * 2003-12-15 2005-08-11 Infineon Technologies Ag Transistor-Anordnung zum Verringern von Rauschen, integrierter Schaltkreis und Verfahren zum Verringern des Rauschens von Feldeffekttransistoren
TWI232023B (en) * 2004-05-21 2005-05-01 Sunplus Technology Co Ltd Voltage control oscillator
DE102004025545B4 (de) * 2004-05-25 2007-02-15 Texas Instruments Deutschland Gmbh CMOS LC-Schwingkreis-Oszillator
JP2008502432A (ja) * 2004-06-15 2008-01-31 リアル・タイム・グラフィックス・エルエルシー カジノ型トランプ・ゲームのための自動化トランプ・カード識別システム
US7336134B1 (en) * 2004-06-25 2008-02-26 Rf Micro Devices, Inc. Digitally controlled oscillator
JP4167632B2 (ja) * 2004-07-16 2008-10-15 エルピーダメモリ株式会社 リフレッシュ周期発生回路及びそれを備えたdram
US7391595B2 (en) * 2004-10-25 2008-06-24 Broadcom Corporation System and method for breakdown protection in start-up sequence with multiple power domains
KR100684063B1 (ko) * 2004-11-17 2007-02-16 삼성전자주식회사 조절가능한 기준전압 발생회로
JP2006157644A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Fujitsu Ltd カレントミラー回路
US7126431B2 (en) * 2004-11-30 2006-10-24 Stmicroelectronics, Inc. Differential delay cell having controllable amplitude output
TWI259940B (en) * 2004-12-09 2006-08-11 Novatek Microelectronics Corp Voltage-controlled current source apparatus
US7262652B2 (en) * 2004-12-21 2007-08-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Current driver, data driver, and display device
US7345528B2 (en) * 2005-05-10 2008-03-18 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for improved clock preamplifier with low jitter
US7417483B2 (en) 2005-06-23 2008-08-26 Supertex, Inc. Wide-band wide-swing CMOS gain enhancement technique and method therefor
KR100629619B1 (ko) 2005-08-23 2006-10-02 삼성전자주식회사 기준전류 생성회로, 바이어스 전압 생성회로 및 이들을이용한 바이어스 회로
JP4699856B2 (ja) 2005-10-05 2011-06-15 旭化成エレクトロニクス株式会社 電流発生回路及び電圧発生回路
TW200717215A (en) 2005-10-25 2007-05-01 Realtek Semiconductor Corp Voltage buffer circuit
JP2007133766A (ja) * 2005-11-11 2007-05-31 Ricoh Co Ltd 定電圧回路及び定電圧回路の制御方法
JP2007219901A (ja) 2006-02-17 2007-08-30 Akita Denshi Systems:Kk 基準電流源回路
TWI323871B (en) 2006-02-17 2010-04-21 Himax Tech Inc Current mirror for oled
US20070229150A1 (en) 2006-03-31 2007-10-04 Broadcom Corporation Low-voltage regulated current source
JP4823765B2 (ja) 2006-05-30 2011-11-24 ローム株式会社 電流出力型デジタルアナログ変換器ならびにそれを用いた負荷駆動装置および電子機器
TWM302832U (en) 2006-06-02 2006-12-11 Princeton Technology Corp Current mirror and light emitting device with the current mirror
KR100792430B1 (ko) * 2006-06-30 2008-01-10 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 내부전압 발생장치
US7388531B1 (en) * 2006-09-26 2008-06-17 Marvell International Ltd. Current steering DAC using thin oxide devices
US7639081B2 (en) * 2007-02-06 2009-12-29 Texas Instuments Incorporated Biasing scheme for low-voltage MOS cascode current mirrors
US8081099B2 (en) * 2007-08-28 2011-12-20 Panasonic Corporation D/A converter, differential switch, semiconductor integrated circuit, video apparatus, and communication apparatus
US8054139B2 (en) * 2008-02-19 2011-11-08 Silicon Labs Spectra, Inc. Voltage-controlled oscillator topology

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120066996A (ko) * 2010-12-15 2012-06-25 한국전자통신연구원 바이어스 회로 및 그것을 포함하는 아날로그 집적회로

Also Published As

Publication number Publication date
WO2009076304A1 (en) 2009-06-18
CN101884020A (zh) 2010-11-10
US8786359B2 (en) 2014-07-22
EP2243062B1 (en) 2017-11-08
US20090153234A1 (en) 2009-06-18
TW200937848A (en) 2009-09-01
EP2243062A1 (en) 2010-10-27
CN101884020B (zh) 2013-11-27
JP2011507105A (ja) 2011-03-03
TWI460990B (zh) 2014-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20100097670A (ko) 전류 미러 디바이스 및 방법
US8350622B2 (en) Output common mode voltage stabilizer over large common mode input range in a high speed differential amplifier
US8674672B1 (en) Replica node feedback circuit for regulated power supply
KR100924293B1 (ko) 저전압 강하 레귤레이터
US6380799B1 (en) Internal voltage generation circuit having stable operating characteristics at low external supply voltages
JP5503671B2 (ja) 差動増幅回路
KR20020095938A (ko) 출력버퍼용 연산 트랜스컨덕턴스 증폭기
US20080290942A1 (en) Differential amplifier
KR19990008217A (ko) 저전압 차동 증폭기
US5142219A (en) Switchable current-reference voltage generator
US7061322B2 (en) Low voltage differential amplifier circuit and bias control technique enabling accommodation of an increased range of input levels
JP2004062424A (ja) 半導体集積回路装置
US5936460A (en) Current source having a high power supply rejection ratio
US6583669B1 (en) Apparatus and method for a compact class AB turn-around stage with low noise, low offset, and low power consumption
US6972623B2 (en) Differential amplifier without common mode feedback
KR20060056419A (ko) Am 중간 주파 가변 이득 증폭 회로, 가변 이득 증폭 회로및 그 반도체 집적 회로
US7834693B2 (en) Amplifying circuit
US20210286394A1 (en) Current reference circuit with current mirror devices having dynamic body biasing
CN112769419B (zh) 迟滞比较器
KR102671240B1 (ko) 상이한 부하 요건을 충족시키는 자가적응 선형 레귤레이터의 위상 보상 회로 및 방법
JP2008205561A (ja) ソースフォロア回路及び半導体装置
KR100695510B1 (ko) 차동증폭기
US7196505B2 (en) Device and method for low-power fast-response voltage regulator with improved power supply range
US11990910B2 (en) Control of bias current to a load
US11626841B2 (en) High quiescent current control

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid