KR20100039654A - 반도체 소자의 갭필 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 처리 장치에서 원자층 증착 공정과 고밀도 플라즈마 화학기상증착 공정을 수행하여 초미세선폭의 소자도 갭필할 수 있는 반도체 소자의 갭필(gap fill) 방법에 관한 것으로,
본 발명에 따른 반도체 소자의 갭필 방법은, 복수의 패턴들에 의해 복수의 갭이 형성된 반도체 기판이 제공되는 단계; 원자층 증착 공정을 수행하여 상기 반도체 기판 상부에 절연막을 증착하는 단계; 환원성 가스 분위기에서 고밀도 플라즈마 처리하여 상기 갭 상부에 증착된 절연막의 두께가 상기 갭 하부에 증착된 절연막의 두께보다 얇은 절연막 형상을 형성하는 단계; 상기 절연막 증착 단계와 절연막 형상 형성 단계를 적어도 1회 이상 반복하여 상기 복수의 갭을 갭필하는 것을 특징으로 한다.
갭필, 보이드, HDPCVD, ALD

Description

반도체 소자의 갭필 방법{Method of gap filling in a semiconductor device}
본 발명은 반도체 소자의 갭필 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마 처리 장치에서 원자층 증착 공정(ALD 공정)과 플라즈마 처리 공정을 수행하여 초미세선폭의 소자도 갭필이 가능하도록 하는 반도체 소자의 갭필(gap fill) 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 집적도가 향상됨에 따라 반도체 소자의 구성 요소들의 선폭과 간격이 점차 미세해지고 있다. 예를 들어 반도체 소자를 구성하는 금속 배선의 선폭과 간격이 점차 미세해지고 있으며, 소자 분리막 또한 폭 및 간격이 점차 미세해지고 있다. 따라서, 소자 분리막의 경우 종래의 LOCOS(LOCal Oxidation Silicon) 공정 대신에 반도체 기판에 좁고 깊은 트렌치(trench)를 형성한 후 이를 절연 물질로 갭필(gap fill)하는 STI(Shallow Trench Isolation) 기술이 주로 사용되고 있다.
소자 분리막을 형성하기 위한 트렌치 또는 금속 배선 사이 등의 갭필 공정은 트렌치의 바닥면에서부터 순차적으로 절연막이 증착되어 트렌치가 완전히 갭필되어야 한다. 그러나, 트렌치의 바닥면 뿐만 아니라 입구나 측벽에도 동시에 절연막이 증착됨으로써 발생하는 오버행(overhang) 현상 때문에 트렌치가 완전히 갭필되기 이전에 트렌치 상부가 막혀 트렌치 내부에 보이드(void)가 발생된다. 이러한 보이드는 트렌치의 종횡비(aspect ratio)가 커질수록 빈번하게 발생되고, 또한 보이드는 소자의 특성을 저하시키는 원인이 된다. 따라서, 트렌치 갭필 공정에서는 보이드의 발생을 억제하는 것이 중요한 공정 목표 중의 하나라고 할 수 있다.
갭필 공정은 일종의 증착 공정이기 때문에 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition: 이하, "CVD"라 함) 방법을 주로 이용하는데, 반도체 소자의 집적도가 높아지고 트렌치의 종횡비가 커짐에 따라 일반적인 CVD 방법을 이용하는 데는 한계가 있다. 따라서, 최근에는 고밀도 플라즈마(High Density Plasma; HDP)를 이용하는 HDPCVD 방법(High Density Plasma Chemical Vapor Deposition: 이하, "HDPCVD"라 함)으로 트렌치를 갭필하고 있으며, 특히 저압 분위기에서 고밀도 플라즈마를 발생시키는 것이 갭필 공정의 핵심 요소로 알려져 있다.
그러나, HDPCVD 방법 역시 반도체 소자의 고집적화에 따라 갭필 능력의 한계가 야기되었다. 즉, 트렌치의 폭이 좁아지면서(예를 들면, 60㎚ 이하) HDPCVD 방법을 이용하여 트렌치 갭필 공정을 진행하여도 트렌치 입구에 오버행이 발생되고, 그로 인해 트렌치 내부에 보이드가 발생된다.
상기 문제를 극복하기 위해 HDPCVD 장비를 이용하여 증착과 식각을 반복하는 DED(Dep/Etch/Dep)공정이 제안되었다. 상기 DED 공정은 HDPCVD 방법에서 발생된 오버행을 식각하고 다시 HDPCVD 방법으로 증착하는 공정이다. DED 공정을 효과적으로 수행하기 위해서는 증착 균일성(Deposition Uniformity)과 에칭 균일성(Etching Uniformity)를 모두 만족하여야 한다. 특히, 에칭 균일성이 좋지 않으면 개구부 크기(Open Size)가 서로 달라져서 어떤 부분은 갭필을 만족하고 다른 어떤 부분은 갭필이 충족되지 않는 문제점이 있다. 또한, 갭필할 공간이 더욱 작아지면 3단계의 DED 공정으로는 불가능한 경우가 많아서 5단계 이상이 필요한 경우가 많다. 이는 처리량(throughput)에 막대한 영향을 주고 공정 튜닝(Tuning)도 패턴 프로파일에 따라 시행착오를 많이 거쳐야 하는 문제점이 있다. 또한, 갭필할 공간이 작아질수록 에칭 타임이 많이 줄어들고, 이로 인해서 원하는 프로파일을 얻을 수 없는 경우가 발생하는 문제점이 있다.
상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해, 플라즈마 처리 장치에서 원자층 증착 공정과 플라즈마 처리 공정을 수행하여 초미세선폭의 소자도 갭필 가능한 반도체 소자의 갭필 방법을 제공한다.
상기한 바와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 반도체 소자의 갭필 방법은,
복수의 패턴들에 의해 복수의 갭이 형성된 반도체 기판이 제공되는 단계; 원자층 증착 공정을 수행하여 상기 반도체 기판 상부에 절연막을 증착하는 단계; 환원성 가스 분위기에서 고밀도 플라즈마 처리하여 상기 갭 상부에 증착된 절연막의 두께가 상기 갭 하부에 증착된 절연막의 두께보다 얇게 되도록 처리하는 단계를 포함한다.
상기 패턴들은 소자 분리막을 형성하기 위해 반도체 기판 상에 형성된 트렌치 패턴, 트랜지스터의 게이트 패턴 및 금속 배선 사이의 패턴 중 적어도 어느 하나를 포함한다.
또한, 상기 원자층 증착 공정은, 공정 챔버에 제1 반응기체와 촉매를 공급하는 과정; 상기 반도체 기판 상에 흡착되지 못한 제1 반응기체를 제거하는 과정; 상 기 공정 챔버에 제2 반응기체와 촉매를 공급하는 과정; 및, 상기 반도체 기판 상에 흡착되지 못한 제2 반응기체를 제거하는 과정을 포함한다.
여기서, 상기 제1 반응기체는 상기 제1 반응기체는 SinX2n, SinOn-1X2n+2, 그리고 SinX2n+2(2≤n≤25이고, X는 F, Cl, Br, 또는 I)중에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합기체인 것이 바람직하고, 상기 제2 반응기체는 산소(O), 수소(H)를 포함하는 화합물인 것이 바람직하다. 또한, 상기 촉매는 피리딘(Pyridine) 계열의 화합물인 것이 바람직하다.
상기 환원성 가스는 H2, N2, NH3 중 어느 하나인 것이 바람직하다.
또한, 상기 환원성 가스의 가스 유량은 100sccm 내지 1000sccm이며, 플라즈마 발생 장치의 소스 파워는 2kW 내지 5kW인 것이 바람직하다.
또한, 상기 고밀도 플라즈마 처리는 100sccm 내지 1000sccm의 가스 유량, 1mTorr 내지 100mTorr의 압력에서 수행되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 절연막 증착 단계와 절연막 처리 단계를 적어도 2회 이상 반복하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 복수의 갭을 갭필한 후, 상기 반도체 기판에 고밀도 화학기상증착 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명은 ALD 절연막을 소정 두께 형성하고 환원성 가스 분위기에서 플라즈 마 처리하는 과정을 수행하여, 보이드 없이 미세 패턴 사이를 균일하게 갭필할 수 있다. 따라서, 보이드 등의 결함없이 미세 패턴 사이를 갭필할 수 있게 되어 소자의 특성을 향상시킬 수 있으며, 공정 시간 및 비용을 줄여 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서 여러 층 및 각 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 표현하였으며 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭하도록 하였다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 “상부에” 또는 “위에” 있다고 표현되는 경우는 각 부분이 다른 부분의 “바로 상부” 또는 “바로 위에” 있는 경우뿐만 아니라 각 부분과 다른 부분의 사이에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 소자의 갭필 방법에 이용되는 HDPCVD 장치의 단면 개략도로서, 유도 결합형 플라즈마(Inductively Coupled Plasma: 이하, "ICP"라 함) 방식의 HDPCVD 장치(100)를 나타낸 것이다.
본 발명에 이용되는 ICP 방식의 HDPCVD 장치는 기판 안치대(120) 및 인젝터 (130)가 설치된 챔버(110), 소오스 RF 전원(161) 및 제 1 정합기(162)를 포함하는 제 1 전원 공급부(160) 및 바이어스 RF 전원(171) 및 제 2 정합기(172)를 포함하는 제 2 전원 공급부(170)를 포함한다.
반응 영역을 형성하는 챔버(110)는 내부에 기판(200)을 안치하는 기판 안치대(120)가 설치되며, 기판 안치대(120)의 상부로 소오스 물질을 분사하는 가스 공급 수단(130)이 설치된다.
기판 안치대(120)에는 기판(200)을 냉각시키기 위한 냉각수가 흐르는 냉각수 유로(미도시)가 더 설치될 수 있다. 그리고, 기판(200)과 기판 안치대(120)의 열전달 효율을 향상시키기 위하여 기판(200)의 후면과 기판 안치대(120)의 상부 표면에 헬륨 가스 등을 흘릴 수 있다. 이때, 기판(200)이 기판 안치대(120)로부터 이탈되지 않도록 기판(200)을 잡아주기 위해서 정전기력을 이용하는데, 기판 안치대(120) 내부에 DC 전극을 설치하여 DC 전력을 인가함으로써 기판(200)이 정전기력에 의해 기판 안치대(120)로부터 이탈되지 않도록 한다.
가스 공급 수단(130)은 챔버(110) 하단에서 상측 방향으로 연장되고, 그 분사구가 기판(200) 상측에 마련된 형상으로 제작된다. 즉, 도면에 도시된 바와 같이 대략 '7'자 형상으로 제작된다. 물론 이에 한정되지 않고, 가스 공급 수단(130)은 복수의 인젝터로 제작될 수 있다. 예를 들어 중심에 위치하는 제 1 인젝터부와 제 1 인젝터부 외측에 마련된 제 2 인젝터부를 구비한다. 이때, 제 1 인젝터부는 봉 형상으로 제작될 수 있고, 샤워헤드 형태로 제작될 수도 있다. 그리고, 제 2 인젝터부는 제 1 인젝터부의 측면에 링 형상으로 제작되는 것이 바람직하다. 제 1 및 제 2 인젝터부를 통해 챔버(110) 내측에 공정 가스를 분사한다. 또한, 제 1 및 제 2 인젝터부는 각기 서로 다른 가스를 분사할 수도 있다. 그리고, 도시되지 않았지만, 가스 공급 수단(130)은 공정 가스가 저장된 탱크와 가스를 챔버(110) 내부로 공급하는 가스 공급부를 구비한다. 그리고, 가스 공급 수단(130)은 챔버(110)와 일체로 제작될 수도 있다. 그리고, 가스 공급 수단(130)은 복수의 부재로 제작되어 각각 서로 다른 가스를 챔버(110)의 반응 공간에 분사할 수도 있다.
챔버(110)의 상면에는 RF 자기장이 챔버(110) 내부로 효과적으로 전달될 수 있도록 절연 물질이 설치되는데, 절연 재질의 돔(dome)(140)이 설치될 수 있다.
절연 재질의 돔(140) 상부에는 안테나(150)가 설치되고, 안테나(150)에는 플라즈마를 생성하기 위한 고주파를 공급하는 제 1 전원 공급부(160)가 연결된다. 제 1 전원 공급부(160)는 소오스 RF 전원(161) 및 소오스 RF 전원(161)과 안테나(150)의 사이에 설치되어 임피던스를 정합시키는 제 1 정합기(162)를 포함한다. 또한, 안테나(150)는 나선형으로 감긴 하나의 코일을 이용할 수 있고, 서로 다른 직경을 가지고 동일 평면상에 동심원으로 배치되며 소오스 RF 전원(161)에 대하여 병렬로 연결되는 다수의 코일을 이용할 수도 있다.
기판 안치대(120)에는 이온을 가속시키기 위한 고주파를 공급하는 제 2 전원 공급부(170)가 설치된다. 제 2 전원 공급부(170)은 바이어스 RF 전원(171) 및 바이어스 RF 전원(171)과 기판 안치대(120) 사이에 설치되어 임피던스를 정합시키는 제 2 정합기(172)를 포함한다.
한편, 챔버(110)의 하부에는 잔류 물질을 배기하는 배기구(미도시)가 더 설 치된다. 또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 돔(140)과 상기 챔버(110)의 측벽 사이에 산소 등의 가스를 공급할 수 있는 적어도 하나 이상의 가스링(190)이 더 설치될 수도 있다. 상기 가스링은 원자층 증착 공정(ALD)을 수행하기 위한 반응기체들이 공급될 수 있도록 한다. 물론, 상기 반응기체들은 가스 공급 수단(130)을 통해 공급될 수도 있다.
상기와 같이 구성된 HDPCVD 장치(100)는 가스 공급 수단(130)을 통해 예를들어 실란(SiH4), 산소(O2) 등의 소오스 물질 또는 식각 가스를 챔버(110) 내부로 분사하고, 소오스 RF 전원(161)을 인가하면, 안테나(150)에 의하여 챔버(110) 내부에 발생된 유도 전기장이 전자를 가속시키고, 가속된 전자가 중성기체와 충돌함으로써 이온, 활성종 및 전자의 혼합체인 플라즈마가 발생한다.
플라즈마가 발생되면, 플라즈마와 기판(200) 사이에 전위차가 발생되는데, 이를 플라즈마의 쉬스(sheath) 영역이라 한다. 쉬스 영역의 전위차에 의하여 이온이 기판(200)을 향하여 가속되어 기판(200)의 트렌치에 절연막, 예를들어 실리콘 산화막이 증착된다. 또한, 식각 가스를 유입하고 플라즈마를 발생시킨 후 기판(200)에 바이어스 RF 전원(171)을 인가하면 이온화된 식각 가스의 가속도가 증가하여 이온이 기판(200)에 입사하여 이미 기판(200)에 증착된 절연막을 식각하게 된다. 이러한 과정을 반복하여 기판(200) 상에 박막이 형성되며, 절연막 증착시 RF 바이어스 전원(171)을 인가하여 식각 비율을 조절할 수도 있다.
또한, 상기 ICP 뿐만 아니라 용량 결합형 플라즈마(Capacitively Coupled Plasma; CCP), 마이크로파를 이용하는 전자 사이클로트론 공진(Electron Cyclotron Resonance; ECR) 플라즈마, 헬리콘(Helicon)파를 이용하는 헬리콘 플라즈마 등 다양한 고밀도 플라즈마를 이용할 수 있다.
도 2a 내지 도 2d는 전술한 HDPCVD 장치를 사용하는 본 발명에 따른 반도체 소자의 갭필 방법을 도시한 공정도이고, 도 3은 본 발명에 따른 반도체 소자의 갭필 방법에 사용되는 또 다른 HDPCVD 장치의 단면 개략도, 도 4는 본 발명에 따른 반도체 소자의 갭필 방법을 도시한 순서도이다. 이하, 도 2a 내지 도 2d 및 도 3을 함께 설명한다.
먼저, 도 2a를 참조하면, 상기 HDPCVD 장치의 공정 챔버에 복수의 패턴들(P)에 의해 복수의 갭(G)이 형성된 반도체 기판(210)을 제공한다.(S10) 이때, 상기 패턴들(P)은 소자 분리막을 형성하기 위해 반도체 기판 상에 형성된 트렌치 패턴, 트랜지스터의 게이트 패턴 및 금속 배선 사이의 패턴 중 적어도 어느 하나이다. 물론 상기의 패턴 이외의 패턴일 수도 있다. 또한, 공정 챔버에 반도체 기판(210)을 제공할 때, 상기 반도체 기판(210)을 미리 예열한다.(S11)
그 다음, 도 2b를 참조하면, 상기 HDPCVD 장치로 원자층 증착 공정(ALD)을 수행하여 상기 반도체 기판(210) 상부에 절연막(220)을 증착한다.
상기 반도체 기판(210) 위에 절연막(220)을 증착하기 위해, 먼저 공정 챔버에 제1 반응기체와 촉매를 공급하여 제1 반응물을 형성한다.(S21) 여기서, 상기 제 1 반응기체는 SinX2n, SinOn-1X2n+2, 그리고 SinX2n+2(2≤n≤25이고, X는 F, Cl, Br, 또는 I)중 어느 하나 또는 이들의 혼합기체인 것이 바람직하다. 그 다음, 상기 반도체 기판 상에 흡착되지 못한 제1 반응기체를 퍼지가스를 이용하여 제거한다.(S22) 그 다음, 상기 공정 챔버에 제2 반응기체와 촉매를 공급하여 반도체 기판 상에 제2 반응물을 형성하여 이산화실리콘 박막을 성장시킨다.(S23) 여기서, 상기 제2 반응기체는 예를 들면 H2O, 또는 H2O2와 같은 산소(O), 수소(H)를 포함하는 화합물인 것이 바람직하다. 또한, 여기서 상기 제1 및 제2 반응기체와의 반응에 사용되는 촉매는 피리딘(Pyridine) 계열의 화합물인 것이 바람직하다. 그 다음, 상기 반도체 기판 상에 흡착되지 못한 제2 반응기체를 퍼지가스를 이용하여 제거함으로써 절연막(220)을 증착을 위한 한 주기의 과정이 완료된다.(S24) 이때, 상기 증착된 절연막(220)의 두께가 원하는 두께에 이르지 못한 경우, 원하는 두께에 이를 때까지 상기의 과정을 반복한다.(S30) 이때, 상기 제1, 제2 반응기체는 상기 가스 공급 수단(130)(도 1 참조)을 통해 공급될 수 있거나, 상기 가스링(190)(도 3 참조)을 통해 공급될 수 있다.
상기와 같이 절연막(220)이 원하는 두께에 이른 경우, 절연막 증착 과정을 중단하고, 환원성 가스를 공급하여 공정 챔버 내에 환원성 가스 분위기를 조성한 후 플라즈마 처리한다.(S40) 이때, 상기 환원성 가스는 H2, N2, NH3 중 어느 하나인 것이 바람직하다. 또한, 상기 환원성 가스의 가스 유량은 100sccm 내지 1000sccm인 것이 바람직하다. 이는 환원성 가스가 소스 파워(source power)에 의해 분해되어 절연막 형성에 필요한 충분한 량의 개수를 만들어 주기에 적정한 수치이다.
상기와 같은 환원성 가스 분위기에서 고밀도 플라즈마 처리하면, 상기 갭(G) 상부(도 2c의 'A'부분) 주변의 절연막은 환원성 가스와 화학 반응하여 제거되어 두께가 얇아진다. 반면에, 상기 갭 하부로 갈수록 환원성 가스와 접촉하는 면적이 줄어 들게 되므로, 도 2c의 'A' 부분 보다는 화학 반응이 잘 일어나지 않게 된다. 그 결과, 상기 갭 상부에 증착된 절연막의 두께가 상기 갭 하부에 증착된 절연막의 두께보다 얇은 절연막 형상(221)이 형성된다. 이로 인해 상기 절연막 형상(221)의 프로파일(profile)은 갭필에 유리한 상광하협의 구조가 된다.(도 2c, 2d 참조)
이때, 상기 환원성 가스의 가스 유량은 100sccm 내지 1000sccm이며, 플라즈마 발생 장치의 소스 파워는 2kW 내지 5kW인 것이 바람직하다. 또한, 상기 고밀도 플라즈마 처리는 100sccm 내지 1000sccm의 가스 유량, 1mTorr 내지 100mTorr의 압력에서 수행되는 것이 바람직하다.
만약, 상기 플라즈마 처리 후에 절연막 형상(221)의 두께가 원하는 두께에 이르지 못한 경우, 원하는 두께에 이를 때까지 상기 S21 단계부터 S40 단계를 반복한다. 즉, 상기 절연막 형상(221) 위에 상기 절연막 증착 단계와 절연막 형상 형성 단계를 적어도 1회 이상 반복하여 또 다른 절연막 형상(222)을 형성한다. 이러한 절연막 형상 형성 단계를 상기 복수의 갭(G)에 오버행이 생기지 않을 정도까지 반복한다.(S50)
이 후에, 동일한 HDPCVD 장치 내에서, 오버행이 생기지 않을 정도의 높이까지 갭이 갭필된 반도체 기판 위에 고밀도 플라즈마 화학기상증착법으로 절연막(미 도시)을 증착하여, 여분의 갭과 상기 반도체 기판 전면을 증착한다.(S60)
그 다음, 상기 반도체 기판을 꺼내어 통상의 과정을 거쳐 반도체 소자를 제조한다.(S70)
이상에서 본 발명의 설명의 편리를 위해 일부 공정들에 대한 설명이 생략되었지만, 생략된 공정들은 일반적으로 널리 알려진 공지 기술로서, 본 발명의 사상을 크게 저해하지는 않을 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 소자의 갭필 방법에 사용되는 HDPCVD 장치의 단면 개략도,
도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 반도체 소자의 갭필 방법을 도시한 공정도,
도 3은 본 발명에 따른 반도체 소자의 갭필 방법에 사용되는 또 다른 HDPCVD 장치의 단면 개략도,
도 4는 본 발명에 따른 반도체 소자의 갭필 방법을 도시한 순서도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
P : 패턴 G : 갭
210 : 반도체 기판 220 : 절연막
221, 222 : 절연막 형상

Claims (11)

  1. 복수의 패턴들에 의해 복수의 갭이 형성된 반도체 기판이 제공되는 단계;
    원자층 증착 공정을 수행하여 상기 반도체 기판 상부에 절연막을 증착하는 단계;
    환원성 가스 분위기에서 고밀도 플라즈마 처리하여 상기 갭 상부에 증착된 절연막의 두께가 상기 갭 하부에 증착된 절연막의 두께보다 얇게 되도록 처리하는 단계
    를 포함하는 반도체 소자의 갭필 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 패턴들은 소자 분리막을 형성하기 위해 반도체 기판 상에 형성된 트렌치 패턴, 트랜지스터의 게이트 패턴 및 금속 배선 사이의 패턴 중 적어도 어느 하나를 포함하는 반도체 소자의 갭필 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 원자층 증착 공정은,
    공정 챔버에 제1 반응기체와 촉매를 공급하는 과정;
    상기 반도체 기판 상에 흡착되지 못한 제1 반응기체를 제거하는 과정;
    상기 공정 챔버에 제2 반응기체와 촉매를 공급하는 과정; 및,
    상기 반도체 기판 상에 흡착되지 못한 제2 반응기체를 제거하는 과정
    을 포함하는 반도체 소자의 갭필 방법.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 제1 반응기체는 SinX2n, SinOn-1X2n+2, 그리고 SinX2n+2(2≤n≤25이고, X는 F, Cl, Br, 또는 I)중에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합기체인 반도체 소자의 갭필 방법.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 제2 반응기체는 산소(O), 수소(H)를 포함하는 화합물인 반도체 소자의 갭필 방법.
  6. 청구항 3에 있어서,
    상기 촉매는 피리딘(Pyridine) 계열의 화합물인 반도체 소자의 갭필 방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 환원성 가스는 H2, N2, NH3 중 어느 하나인 반도체 소자의 갭필 방법.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 환원성 가스의 가스 유량은 100sccm 내지 1000sccm이며, 플라즈마 발생 장치의 소스 파워는 2kW 내지 5kW인 반도체 소자의 갭필 방법.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 고밀도 플라즈마 처리는 100sccm 내지 1000sccm의 가스 유량, 1mTorr 내지 100mTorr의 압력에서 수행되는 반도체 소자의 갭필 방법.
  10. 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 절연막 증착 단계와 절연막 처리 단계를 적어도 2회 이상 반복하여 상기 복수의 갭을 갭필하는 반도체 소자의 갭필 방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 복수의 갭을 갭필한 후, 상기 반도체 기판에 고밀도 화학기상증착 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 갭필 방법.
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