KR20090080756A - 감광성 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 플라즈마디스플레이 패널의 격벽 및 이를 포함하는 플라즈마디스플레이 패널 - Google Patents

감광성 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 플라즈마디스플레이 패널의 격벽 및 이를 포함하는 플라즈마디스플레이 패널 Download PDF

Info

Publication number
KR20090080756A
KR20090080756A KR1020080006708A KR20080006708A KR20090080756A KR 20090080756 A KR20090080756 A KR 20090080756A KR 1020080006708 A KR1020080006708 A KR 1020080006708A KR 20080006708 A KR20080006708 A KR 20080006708A KR 20090080756 A KR20090080756 A KR 20090080756A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photosensitive paste
paste composition
fluoride
sio
refractive index
Prior art date
Application number
KR1020080006708A
Other languages
English (en)
Inventor
이범욱
최종서
최귀석
강동현
임명덕
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020080006708A priority Critical patent/KR20090080756A/ko
Priority to US12/348,390 priority patent/US20090186187A1/en
Priority to JP2009006143A priority patent/JP2009175734A/ja
Priority to CN200910003581.3A priority patent/CN101493651A/zh
Priority to EP09250171A priority patent/EP2082994A1/en
Publication of KR20090080756A publication Critical patent/KR20090080756A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/22—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions containing two or more distinct frits having different compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/24—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
    • G03F7/0043—Chalcogenides; Silicon, germanium, arsenic or derivatives thereof; Metals, oxides or alloys thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/36—Spacers, barriers, ribs, partitions or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/24—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
    • H01J9/241—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases the vessel being for a flat panel display
    • H01J9/242—Spacers between faceplate and backplate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2211/00—Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
    • H01J2211/20—Constructional details
    • H01J2211/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J2211/36—Spacers, barriers, ribs, partitions or the like
    • H01J2211/366—Spacers, barriers, ribs, partitions or the like characterized by the material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24149—Honeycomb-like

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)

Abstract

본 발명은 감광성 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 불화물 졸 및 무기물을 포함하는 감광성 페이스트 조성물에 있어서, 상기 불화물 졸의 평균 굴절률 (N1) 및 상기 무기물의 평균 굴절률 (N2)이 하기 수학식 1을 만족하는 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다:
<수학식 1>
- 0.2≤ N1 - N2 ≤ 0.2
본 발명에 따르면, 1회의 노광만으로 고해상도 및 고정밀의 플라즈마 디스플레이 패널용 격벽 패턴을 제조할 수 있을 뿐만 아니라, 기존의 격벽에 비해서 높은 반사율을 갖는 격벽을 제공할 수 있기 때문에 높은 휘도를 갖는 플라즈마 디스플레이 패널을 제조할 수 있다.

Description

감광성 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널{A photosensitive paste composition, a barrier rib prepared using the composition and a plasma display panel comprising the barrier rib}
본 발명은 감광성 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 1회의 노광만으로 고해상도 및 고정밀의 플라즈마 디스플레이 패널용 격벽 패턴을 제조할 수 있을 뿐만 아니라, 기존의 격벽에 비해서 높은 반사율을 갖는 격벽을 제공할 수 있는 감광성 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
본 발명은 감광성 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 1회의 노광만으로 고해상도 및 고정밀의 플라즈마 디스플레이 패널용 격벽 패턴을 제조할 수 있을 뿐만 아니라, 기존의 격벽에 비해서 높은 반사 율을 갖는 격벽을 제공할 수 있는 감광성 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널, 즉 PDP 구조에 있어서, 격벽은 하판 (또는 배면 기판)에 형성되는 구조물로서, 방전 공간 확보 및 인접한 셀 간의 전기적 및 광학적 크로스 토크 (cross talk)를 방지하는 역할을 한다. 이러한 격벽은 PDP의 종류에 따라서 형태 (스트라이프형 (stripe) 또는 격자형 (matrix)) 및 치수 (폭 및 피치)가 다양하다.
격벽은 PDP 하판에 어드레스 전극 및 그 위에 유전체를 형성한 다음 샌드 블라스트법 (sand blast method), 에칭법 (etching) 또는 감광성법 (photolithography) 등을 이용해서 형성된다.
상기 격벽 형성 방법 중에서 감광성법은 미국 특허 제6,197,480호에 기재된 바와 같이, 무기물과 유기물의 굴절률 차이를 최소화하여 무기물과 유기물의 계면에서 노광 시 조사되는 빛의 산란이나 반사를 최소화하여 1회 노광으로 격벽을 형성하는 방법이 소개되어 있고, 미국 특허 제6,117,614호에는 상기 미국 특허 제6,197,480호와 같이 무기물과 유기물의 굴절률 차이를 최소화하면서 광산 발생제를 이용한 화학증폭형 (chemically amplified type) 가교 반응 방식을 이용함으로써 노광 시 산소에 의한 가교 반응 방해를 방지한 방법이 소개되어 있다.
상기 특허들에 의한 감광성법은 샌드 블라스트법이나 에칭법에 비해 공정이 단순하고 고해상도의 격벽을 형성할 수 있다는 장점을 갖고 있으나, 근본적으로 다 음과 같은 문제점을 또한 갖고 있다. 샌드 블라스트법 또는 에칭법 등에서는 격벽의 반사율을 높이기 위해 이산화티타늄 (titania), 알루미나 (alumina), 이트리아 (yttria) 또는 산화 아연 (zinc oxide) 등의 분말을 소정 함량으로 사용하는데, 상기 특허들의 경우 이러한 성분의 분말을 사용할 수 없다는 문제가 있다. 이는 상기 언급한 성분의 분말들은 굴절률이 매우 높아 유기물과의 굴절률을 최소화시킬 수가 없어서, 상기 성분의 분말들이 노광시 조사되는 자외선의 투과를 방해하기 때문에 1회 노광에 의해 격벽을 형성할 수 없기 때문이다.
따라서, 본 발명은 상기 종래기술의 문제점을 해결하여, 1회의 노광만으로 고해상도 및 고정밀의 플라즈마 디스플레이 패널용 격벽 패턴을 제조할 수 있을 뿐만 아니라, 기존의 격벽에 비해서 높은 반사율을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널용 격벽을 제조할 수 있는 감광성 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 측면에서는, 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여,
불화물 졸 및 무기물을 포함하는 감광성 페이스트 조성물에 있어서, 상기 불화물 졸의 평균 굴절률 (N1) 및 상기 무기물의 평균 굴절률 (N2)이 하기 수학식 1을 만족하는 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물을 제공한다.
<수학식 1>
- 0.2 ≤ N1 - N2 ≤ 0.2
또한 다른 측면에서, 본 발명은 상기 감광성 페이스트 조성물을 이용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽을 제공한다.
또 다른 측면에서, 본 발명은 상기 격벽을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
본 발명에 따른 감광성 페이스트 조성물은 반사율을 높여 휘도를 향상시킬 수 있는 격벽 제조용 감광성 페이스트 조성물을 제공한다.
본 발명에 따르면, 기존의 격벽에 비해서 높은 반사율을 갖는 격벽을 제공할 수 있기 때문에 높은 휘도를 갖는 플라즈마 디스플레이 패널을 제조할 수 있다.
본 발명에 따른 상기 감광성 페이스트 조성물은, 불화물 졸 및 무기물을 포함하며, 상기 불화물 졸의 평균 굴절률 (N1) 및 상기 무기물의 평균 굴절률 (N2)이 하기 수학식 1을 만족하는 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물을 제공한다:
<수학식 1>
- 0.2≤ N1 - N2 ≤ 0.2
본 발명에 따른 상기 감광성 페이스트 조성물은 종래 통상적인 감광성 페이스트 조성물과는 달리, 불화물 졸을 포함한다. 상기 불화물 졸은 수 내지 수십 nm 크기의 불화물이 유기물에 분산되어 졸 상태로 존재하는 물질로서, 유기물 중에 응집이나 침전과 같은 현상이 일어나지 않는 안정적인 상태로 분산되어 있으며, 무기물과의 혼합사용이 가능하다. 이러한 불화물 졸을 포함하는 감광성 페이스트를 사용하여 형성된 격벽은 종래의 감광성 격벽에 비해서 반사율을 높여 휘도를 향상시키는 역할을 수행한다.
상기 불화물은 MaFb 또는 MxM'yFz 와 같은 화학식을 가질 수 있으며, 상기 화학식에서 M 및 M'은 알칼리 금속, 알칼리토금속 또는 규소 (Si) 중 어느 하나의 원소이고, a, b, x, y 및 z은 성분 원소의 원자수의 비를 나타내는 것으로 1 내지 4의 정수를 가지며, 이들 값은 같거나 다를 수 있다. 특히 M은 알칼리토금속이며 M'는 알칼리금속인 것이 불화물 졸의 제조 수율을 측면에서 바람직하며, 이 중 구입용이성 등의 측면에서 M은 마그네슘 또는 칼슘인 것이 더욱 바람직하다.
상기 불화물 졸은 일반적으로 M 또는 M'을 포함하는 염화물, 니트레이트 (NO2) 염, 설페이트 (SO4) 염, 아세테이트 (CH3CO2) 염 등을 물에 녹여 제조한 M 또는 M' 화합물의 수용액과 불화나트륨 (NaF), 불화칼륨 (KF), 불화암모늄 (NH4K), 불화수소 (HF) 등을 물에 녹여 제조한 불화물 수용액을 함께 반응시킨 다음, 용매인 물을 유기 용제로 치환시킴으로써 불화물 전구체 (precusor)를 제조하고, 제조된 불화물 전구체를 유기물에 분산시킴으로써 제조된다. 한편, 불화물 전구체 제조 시 실리카 졸 수용액을 더 도입하여 실리카-불화물 혼합체를 형성함으로써, 실리카와 불화물의 네트워크를 통해 불화물의 안정성을 확보할 수 있다. 또한 불화물 전구체 제조시 필요에 따라 표면 개질제 (surface modifier)를 추가적으로 도입할 수도 있다.
상기 방법에 의해 제조된 불화물 졸 중의 불화물의 평균 입경은 1 내지 60 nm의 평균 입경, 보다 바람직하게는 2 내지 40 nm의 평균 입경, 가장 바람직하게는 4 내지 20 nm의 평균 입경을 갖는 것이다.　 상기 불화물의 평균 입경이 1 nm 보다 작은 것은 제조하기도 어렵지만, 유기물 내에 균일한 상태로 분산시키기가 어렵고, 평균 입경이 60 nm를 초과하게 되면 노광 시 빛을 산란시켜 빛의 투과를 저해하는 문제가 발생한다.
상기 불화물 졸 중의 불화물의 굴절률은 1.3 내지 1.4를 갖는 것이 바람직하고, 상기 불화물 전구체를 유기물에 분산시켜 제조된 불화물 졸의 평균 굴절률은 1.4 내지 1.5를 갖도록 제조하는 것이 바람직하다.　 상기 불화물 및 불화물 졸의 평균 굴절률이 상기 범위를 벗어나게 되면 상술한 수학식 1의 굴절률 범위를 만족시키는 감광성 페이스트 조성물을 제조하기 어렵다는 문제점이 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 불화물 졸의 평균 굴절률은 용제가 포함되지 않은 상태의 불화물의 평균 굴절률을 의미한다. 불화물 졸의 굴절률은 여러 가지 방법으로 측정할 수 있는데, 본 발명에서는 상기 불화물 졸을 투명 필름 또는 유리 기판 등에 코팅 후 80 내지 120 ℃의 온도에서 수 내지 수십 분 동안 건조시켜 용제를 제거한 상태에서 굴절률 측정계를 이용하여 측정된다.
상기 불화물 졸의 투과도는 두께 1 cm 기준으로 500 nm에서 50% 이상 되는 것이 바람직하다.　 상기 투과도가 50% 미만이 되면 페이스트 제조 후 노광 시 노광 감도가 떨어지는 문제점이 발생한다.　또한, 상기 불화물 졸을 제조하는데 있어서, 불화물의 함량은 유기물 100 부피부 대비 1 내지 40 부피부를 갖도록 제조한다.　 상기 불화물 졸에서 불화물의 함량이 상기 범위 미만인 경우 격벽의 반사율 상승 효율이 떨어지고, 상기 범위를 초과하는 경우 노광 시 가교 반응이 불충분하게 일어나서 원하는 격벽 형상을 얻을 수 없게 된다.
상기 불화물 졸을 무기물과 혼합함에 있어서, 그 혼합 비율은 두 가지를 고려하여 혼합한다.　 첫 번째는 불화물 졸 및 무기물의 평균 굴절률을 고려해야 하며, 구체적으로는 불화물 졸 및 무기물의 굴절률이 상술한 수학식 1의 관계를 만족하여야 하고, 보다 바람직하게는 하기 수학식 2를 만족하여야 하며, 가장 바람직하게는 하기 수학식 3을 만족하여야 한다.
<수학식 2>
- 0.1 ≤ N1 - N2 ≤ 0.1
<수학식 3>
- 0.05 ≤ N1 - N2 ≤ 0.05
만약, 상기 불화물 졸 및 상기 무기물의 평균 굴절률 사이의 관계가 상기 수학식 1에 기재된 범위를 벗어나게 되면 노광 시 조사되는 빛의 투과도가 떨어져서 1회 노광에 의한 격벽을 형성할 수 없으며, 그 관계가 상기 수학식 3에 가까울수록 노광 감도가 우수해지고, 조사되는 빛의 산란이 작게 됨으로써 격벽 패턴의 직진성도 우수해 진다.
다음으로, 상기 굴절률 조건을 만족하는 것 외에도, 감광성 페이스트 성분 중의 무기물 함량 대비 불화물의 졸 중의 불화물의 함량도 고려해서 혼합 비율을 결정해야 한다.　 상기 불화물의 함량은 무기물 100 부피부 대비 1 내지 20 부피부가 되도록 하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 무기물 100 부피부 대비 2 내지 10 부피부가 되도록 하는 것인데, 상기 불화물의 함량이 상기 범위 미만인 경우 격벽의 반사율을 향상시키는 효과가 떨어지고, 상기 범위를 초과하는 경우 무기물의 소결 특성이 떨어지게 된다.
상기 불화물과 무기물의 평균 열팽창 계수 (CTE, α)는 하기 수학식 4를 만족시키는 것이 바람직하다.
<수학식 4>
기판의 열 팽창 계수 x 0.9 ≤ α ≤ 기판의 열 팽창 계수
상기 불화물과 무기물의 평균 열팽창 계수가 상기 수학식 4를 벗어나게 되면 소성 후 기판이 휘거나 심한 경우에는 파손되는 문제가 발생한다.
본 발명에 따른 감광성 페이스트 조성물 중의 무기물의 평균 굴절률이 1.5 내지 1.8을 갖는 것이 바람직하다.　 무기물의 평균 굴절률이 상기 범위를 벗어나게 되면 무기물의 굴절률과 불화물의 졸의 굴절률과의 차이가 커서 1회 노광에 의해 격벽을 형성할 수 없다.
상기 무기물은 저융점 유리 분말 (glass frit)과 고융점 유리 분말로 구성되는데, 상기 무기물 중 저융점 유리 분말은 소성 공정 시 소결 (sintering)이 일어남으로써, 치밀한 격벽을 형성하는 역할을 하고, 고융점 유리 분말은 소성 공정 시 격벽 막이 무너지지 않게 형태를 유지시키는 역할을 한다.
상기 저융점 유리 분말의 입자 형상은 특별히 한정되지 않지만, 구형에 가까운 것이 바람직한데, 이는 구형에 가까울수록 충진율 및 자외선 투과도에 있어서 보다 우수한 특성을 갖기 때문이다.　 상기 저융점 유리 분말의 입경은 중간값 (D50) 이 2 내지 5 ㎛, 최소값 (Dmin )은 0.1 ㎛, 최대값 (Dmax )은 20 ㎛인 것이 바람직하다.　 중간값이 2 ㎛ 미만이거나, 최소값이 0.1 ㎛ 미만이 되면 분산성이 떨어져 인쇄 특성이 나빠지고, 소성 시 수축율이 커서 원하는 형태의 격벽을 얻을 수 없으며, 중간값이 5 ㎛를 초과하거나 최대값이 20 ㎛를 초과하게 되면 격벽의 치밀성 및 격벽 모양의 직진성이 떨어지게 되어 바람직하지 못하다.
상기 저융점 유리 분말의 연화 온도 (softening temperature, Ts)는 하기 수학식 5를 만족하는 것이 바람직하다.
<수학식 5>
소성 온도 - 80 ℃ < Ts < 소성 온도
상기 유리 분말의 연화 온도가 (소성 온도 - 80 ℃) 이하가 되면 소성 시 격벽 형상이 무너지고, 연화 온도가 소성 온도 이상이 되면 소결이 제대로 일어나지 않는 문제가 발생한다.
상기 저융점 유리 분말의 함량은 무기물 100 부피부 대비 70 부피부 내지 100 부피부가 바람직하며, 상기 범위 미만인 경우에는 소성 시 소결이 제대로 일어나지 않는 문제가 발생한다.
상기 저융점 유리 분말의 구체적인 예로는, 이에 제한되지는 않지만, 납 (Pb), 비스무스 (Bi), 규소 (Si), 붕소 (B), 알루미늄 (Al), 바륨 (Ba), 아연 (Zn), 마그네슘 (Mg), 칼슘 (Ca), 인 (P), 바나듐 (V), 몰리브덴 (Mo) 및 텔레늄 (Te) 등의 산화물을 3종 이상 포함하는 복합 산화물을 예로 들 수 있으며, 이들 유 리 분말들은 단독 또는 2종으로 혼합하여 사용될 수도 있다.　 상기 저융점 유리 분말의 보다 구체적인 예로는, PbO-B2O3 계, PbO-SiO2-B2O3 계, Bi2O3-B2 O3 계, Bi2O3-SiO2-B2O3 계, SiO2 -B2O3 -Al2O3 계, SiO2-B2O3-BaO계, SiO2-B2O3 -CaO계, ZnO-B2O3-Al2O3 계, ZnO-SiO2-B2O3 계, P2O5 계, SnO-P2O5 계, V2O5-P2O5 계, V2O5-Mo2O3 계, 또는 V2O5-P2O5-TeO2 계 등으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 들 수 있다.
상기 고융점 유리 분말의 입자 형상은 특별히 한정되지 않지만, 구형에 가까운 것이 바람직한데, 이는 구형에 가까울수록 충진율 및 자외선 투과도에 있어서 보다 우수한 특성을 갖기 때문이다.　 상기 고융점 유리 분말의 평균 입경은 중간값이 1 내지 4 ㎛, 최소값은 0.1 ㎛, 최대값은 20 ㎛인 것이 바람직하다.　 중간값이 1 ㎛ 미만이거나 최소값이 0.1 ㎛ 미만이 되면 노광 감도의 저하 및 소성 시 수축율이 커서 원하는 형태의 격벽을 얻을 수 없고, 중간값이 5 ㎛를 초과하거나 최대값이 20 ㎛를 초과하게 되면 격벽의 치밀성 및 격벽 모양의 직진성이 떨어지게 되어 바람직하지 못하다.
상기 고융점 유리 분말의 연화 온도는 하기 수학식 6을 만족하는 것이 바람직하다:
<수학식 6>
Ts > 소성 온도 + 20 ℃
상기 고융점 유리 분말의 연화 온도가 (소성 온도 + 20 ℃) 이하가 되면 소성 시 격벽 형상이 무너지는 문제가 발생한다.
상기 고융점 유리 분말의 함량은 상기 무기물 100 부피부 대비 0 초과 30 부피부 이하인 것이 바람직하며, 상기 범위를 초과하면 소성 시 소결이 제대로 일어나지 않는 문제가 발생한다.
상기 고융점 유리 분말의 구체적인 예로는, 이에 제한되지는 않지만, 규소, 붕소, 알루미늄, 바륨, 아연, 마그네슘 및 칼슘 등의 산화물을 3종 이상 포함하는 복합 산화물을 예로 들 수 있으며, 이들 유리 분말들은 단독 또는 2종으로 혼합하여 사용될 수도 있다.　 상기 고융점 유리 분말의 보다 구체적인 예로는, SiO2-B2O3-BaO계, SiO2-B2O3-CaO계, SiO2-B2O3-MgO계, SiO2-B2O3-CaO-BaO계, SiO2-B2O3-CaO-MgO계, SiO2-Al2O3-BaO계, SiO2-Al2O3-CaO계, SiO2-Al2O3-MgO계, SiO2-Al2O3-BaO-CaO계, 또는 SiO2-Al2O3-CaO-MgO계 등으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 들 수 있다.
상기 저융점 유리 분말과 고융점 유리 분말의 평균 굴절률은 상술한 바와 같이 1.5 내지 1.8 범위의 값을 가져야 하며, 또한 저융점 유리 분말의 평균 굴절률 (N3)과 고융점 유리 분말의 평균 굴절률 (N4)의 차이가 하기 수학식 7를 만족시켜야 하고, 바람직하게는 하기 수학식 8을 만족시켜야 하며, 더욱 바람직하게는 하기 수학식 9를 만족시켜야 한다.
<수학식 7>
- 0.2≤ N3 - N4 ≤ 0.2
<수학식 8>
- 0.1≤ N3 - N4 ≤ 0.1
<수학식 9>
- 0.05≤ N3 - N4 ≤ 0.05
상기 저융점 유리 분말과 고융점 유리 분말의 평균 굴절률 차이가 상기 수학식 7의 범위를 벗어나게 되면, 노광 시 조사되는 빛의 투과도가 떨어져서 1회 노광에 의한 격벽을 형성할 수 없으며, 그 관계가 상기 수학식 9에 가까울수록 노광 감도가 우수해지고, 조사되는 빛의 산란이 작게 됨으로써 격벽 패턴의 직진성도 우수해 진다.
본 발명에 이용되는 유기물은 두 가지 형태가 사용될 수 있다. 첫 번째 형태의 유기물은 알칼리 가용성 바인더 A, 광개시제 및 가교제 A를 포함하며, 노광 시 조사된 부분이 가교 반응을 일으켜서 알칼리 현상액에 불용인 상태가 되는 것이다. 상기 유기물은 페이스트의 특성 개선을 위한 첨가제 및 점도 조절 등의 필요에 따라 용제를 또한 포함할 수 있다.
두 번째 형태의 유기물은 알칼리 가용성 바인더 B, 광산 발생제 (photo-acid generator) 및 가교제 B를 포함하며,　노광 시 조사된 부분에 산 (acid)이 발생되고, 이 후 열처리 (baking) 과정에서 가교 반응을 일으켜서 현상액에 불용인 상태가 되는 것이다. 상기 유기물은 페이스트의 특성 개선을 위한 첨가제 및 점도 조절 등의 필요에 따라 용제를 또한 포함할 수 있다.
상기 바인더 A의 경우, 알칼리 현상액에 현상이 가능하면서도 구성 성분의 조성 변화에 따른 특성 조절이 용이한 카르복실기를 갖는 아크릴계 수지가 일반적으로 사용된다.　 상기 카르복실기를 갖는 아크릴계 수지는 알칼리 수용액에 현상이 되게 하는 역할 외에 감광성 페이스트 중의 무기 성분의 분산성을 양호하게 하고, 적절한 점도 및 탄성을 갖도록 하는 역할도 한다.　 상기 카르복실기를 갖는 아크릴계 수지는 카르복실기를 갖는 모노머와 에틸렌성 불포화기를 갖는 모노머들과의 공중합 반응에 의해 제조할 수 있다.
상기 카르복실기를 갖는 모노머로는 아크릴산, 메타크릴산, 푸마르산, 말레인산, 비닐초산 및 이들의 무수물로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택된 것이 바람직하며, 상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 모노머로는 메틸 아크릴레이트, 에틸 아크릴레이트, n-프로필 아크릴레이트, 이소프로필 아크릴레이트, n-부틸 아크릴레이트, sec-부틸 아크릴레이트, 이소부틸 아크릴레이트, tert-부틸 아크릴레이트, n-펜틸 아크릴레이트, 알릴 아크릴레이트, 페닐 아크릴레이트, 벤질 아크릴레이트, 부톡시에틸 아크릴레이트, 부톡시트리에틸렌글리콜 아크릴레이트, 시클로헥실 아크릴레이트, 디시클로펜타닐 아크릴레이트, 디시클로펜테닐 아크릴레이트, 2-에틸헥실 아크릴레이트, 글리세롤 아크릴레이트, 글리시딜 아크릴레이트, 이소보르닐 아크릴레이트, 이소덱실 아크릴레이트, 이소옥틸 아크릴레이트, 라우릴 아크릴레이트, 2-메톡시에틸 아크릴레이트, 메톡시에틸렌글리콜 아크릴레이트, 메톡시디에틸렌글리콜 아크릴레이트, 페녹시에틸 아크릴레이트, 스테아릴 아크릴레이트, 1-나프틸 아크릴레이트, 2-나프틸 아크릴레이트, 2-히드록시에틸 아크릴레이트, 2-히드록시프로필 아크릴레이트, 아미노에틸 아크릴레이트 및 상기 모노아크릴레이트 분자 내의 아크릴레이트를 일부 또는 전부 메타크릴레이트로 바꾼 것, 또는 스티렌, α-메틸스티렌, α-2-디메틸스티렌, 3-메틸스티렌, 4-메틸스티렌 등으로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택된 것이 바람직하다.
또한, 바인더 A로는 상기 공중합체의 카르복실기와 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물을 반응시킴으로써, 결과적으로 공중합체 내에 가교 반응을 일으킬 성분이 부가된 것을 이용할 수도 있다.　 상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물로는 아크릴로일 클로라이드, 메타크릴로일 클로라이드, 알릴클로라이드, 글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸 아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸 메타크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸 아크릴레이트, 또는 3,4-에폭시시클로헥실메틸 메타크릴레이트 등으로 이루어진 군으로부터 선택된 것이 사용될 수 있다.
또한, 바인더 A로는 상기 공중합체를 단독으로 사용할 수도 있으나, 막 레벨링 (levelling)이나 요변 특성 (thixotropy) 향상 등의 목적으로 셀룰로오스, 메틸 셀룰로오스, 에틸 셀룰로오스, n-프로필 셀룰로오스, 히드록시에틸 셀룰로오스, 2-히드록시에틸 셀룰로오스, 메틸 2-히드록시에틸 셀룰로오스, 히드록시프로필 셀룰로오스, 히드록시프로필 메틸 셀룰로오스, 히드록시부틸 메틸 셀룰로오스, 히드록시프로필 메틸 셀룰로오스 프탈레이트, 셀룰로오스 니트레이트, 셀룰로오스 아세테이트, 셀룰로오스 트리아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 부티레이트, 셀룰로오스 아세테이트 하이드로젠 프탈레이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피온네이트, 셀룰로오스 프로피온네이트, (아크릴아미도메틸)셀룰로오스 아세테이트 프로피온네이 트, (아크릴아미도메틸)셀룰로오스 아세테이트 부티레이트, 시아노에틸레이트 셀룰로오스, 펙틱산 (pectic acid), 치토산 (chitosan), 치틴 (chitin), 카르복시메틸 셀룰로오스, 카르복시메틸 셀룰로오스 소디움염, 카르복시에틸 셀룰로오스, 및 카르복시에틸메틸 셀룰로오스로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 혼합하여 사용할 수도 있다.
상기 공중합체의 중량 평균 분자량은 500 내지 100,000 g/mol인 것이 바람직하며, 산가는 50 내지 300 mgKOH/g인 것이 바람직하다.　 공중합체의 분자량이 500 g/mol 미만인 경우에는 페이스트 제조시 무기물에 대한 분산성이 떨어지고, 100,000 g/mol을 초과하는 경우에는 현상시 현상 속도가 너무 느리거나 현상이 되지 않는 문제점이 있어서 바람직하지 않다.　 또한, 공중합체의 산가가 50 mgKOH/g 미만인 경우에는 현상성이 떨어지고, 300 mgKOH/g을 초과하는 경우에는 노광된 부분까지 현상되는 문제점이 있어서 바람직하지 않다.
상기 바인더 A의 함량은 상기 유기물 (바인더 A, 광개시제 및 가교제) 100 중량부에 대해서 30 내지 80 중량부가 바람직하며, 함량이 상기 범위 미만인 경우에는 페이스트의 코팅성 및 분산성이 떨어지고, 상기 범위를 초과하는 경우에는 노광 시 가교 반응이 불충분하게 일어나서 원하는 형상의 패턴을 얻을 수 없어서 바람직하지 않다.
상기 광개시제는 노광 장치에 의해 조사되는 빛에 의해 라디칼을 생성하고, 생성된 라디칼은 에틸렌성 불포화기를 갖는 상기 가교제의 중합 반응을 일으킴으로써 현상액에 대해 불용인 상태로 만들어 준다.　 본 발명의 광개시제는 고감도가 요 구되기 때문에 다음과 같은 광개시제를 2개 이상 선택하여 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다.　 이러한 광개시제의 예로는 이에 제한되지는 않지만, (i) 이미다졸 화합물, (ii) 트리아진 화합물, (iii) 아미노아세토페논 화합물, (iv) 벤조페논 및 아세토페논계 화합물 (v) 벤조인계 화합물, (vi) 티타노센계 화합물, (vii) 옥사디아졸계 화합물, (viii) 티오크산톤계 화합물, (ix) (비스)아실포스핀옥시드계 화합물 (x) 유기붕소염 화합물의 조합물을 들 수 있다.
상기 이미다졸계 화합물로는 2,2'-비스(o-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(o-브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(o-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라(o,p-디클로로페닐)-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(o,p-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라(o,p-디클로로페닐)-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(o-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라(m-메톡시페닐)-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(o-메틸페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸 등을 들 수 있다.
상기 트리아진계 화합물로는 2,4,6-트리스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2,4,6-트리스(트리브로모메틸)-s-트리아진, 2-프로피오닐-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-벤조일-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-클로로페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-4-비스(4-메톡시페닐)-6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-클로로스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-아미노페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트 리아진, 2,4-비스(3-클로로페닐)-6-트리클로로메틸-s-트리아진, 2-(4-아미노스티릴)-4,6-비스(디클로로메틸)-s-트리아진 등을 들 수 있다.
상기 아미노아세토페논 화합물로는 2-메틸-2-아미노(4-모르폴리노페닐)에탄-1-온, 2-에틸-2-아미노(4-모르폴리노페닐)에탄-1-온, 2-프로필-2-아미노(4-모르폴리노페닐)에탄-1-온, 2-부틸-2-아미노(4-모르폴리노페닐)에탄-1-온, 2-메틸-2-아미노(4-모르폴리노페닐)프로판-1-온, 2-메틸-2-아미노(4-모르폴리노페닐)부탄-1-온, 2-에틸-2-아미노(4-모르폴리노페닐)프로판-1-온, 2-에틸-2-아미노(4-모르폴리노페닐)부탄-1-온, 2-메틸-2-메틸아미노(4-모르폴리노페닐)프로판-1-온, 2-메틸-2-디메틸아미노(4-모르폴리노페닐)프로판-1-온, 2-메틸-2-디에틸아미노(4-모르폴리노페닐)프로판-1-온 등을 들 수 있다.
상기 벤조페논 및 아세토페논계 화합물로는 벤조페논, 4-메틸벤조페논, 2,4,6-트리메틸벤조페논, 벤조일벤조산, 4-페닐벤조페논, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸디페닐설파이드, 4,4'-비스(N,N-디메틸아미노)벤조페논, 4,4'-비스(N,N-디에틸아미노)벤조페논, 3,3',4,4'-테트라(tert-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논, (2-아크릴로일옥시에틸)(4-벤조일벤질)디메틸암모늄 브로마이드, 4-(3-디메틸아미노-2-히드록시프로필)벤조페논, (4-벤조일벤질)트리메틸암모늄 클로라이드, 메토클로라이드 모노하이드레이트, 디에톡시아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-(4-이소프로필페닐)-2-메틸프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 4-tert-부틸-트리클로로아세토페논 등을 들 수 있다.
상기 벤조인계 화합물로는 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤 조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르 등을 들 수 있다.
상기 티타노센계 화합물로는 디시클로펜타디에닐-Ti-디클로라이드, 디시클로펜타디에닐-Ti-디페닐, 디시클로펜타디에닐-Ti-비스(2,3,4,5,6-펜타플루오로페닐), 디시클로펜타디에닐-Ti-비스(2,3,5,6-테트라플루오로페닐), 디시클로펜타디에닐-Ti-비스(2,4,6-트리플루오로페닐), 디시클로펜타디에닐-Ti-비스(2,6-디트라플루오로페닐), 디시클로펜타디에닐-Ti-비스(2,4-디플루오로페닐), 비스(메틸시클로펜타디에닐)-Ti-비스(2,3,4,5,6-펜타플루오로페닐), 비스(메틸시클로펜타디에닐)-Ti-비스(2,3,5,6-테트라플루오로페닐), 비스(메틸시클로펜타디에닐)-Ti-비스(2,4,6-트리플루오로페닐), 비스(메틸시클로펜타디에닐)-Ti-비스(2,6-디플루오로페닐), 비스(메틸시클로펜타디에닐)-Ti-비스(2,4-디플루오로페닐) 등을 들 수 있다.
상기 옥사디아졸계 화합물로는 2-페닐-5-트리클로로메틸-1,3,4-옥사디아졸, 2-(p-메틸페닐)-5-트리클로로메틸-1,3,4-옥사디아졸, 2-(p-메톡시페닐)-5-트리클로로메틸-1,3,4-옥사디아졸, 2-스티릴-5-트리클로로메틸-1,3,4-옥사디아졸, 2-(p-메톡시스티릴)-5-트리클로로메틸-1,3,4-옥사디아졸, 2-(p-부톡시스티릴)-5-트리클로로메틸-1,3,4-옥사디아졸 등을 들 수 있다.
상기 티오크산톤계 화합물로는 티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 1-클로로-4-프로폭시티오크산톤, 2-(3-디메틸아미노-2-히드록시프로폭시)-3,4-디메틸-9H-티오크산텐-9-온 메토클로라이드 등을 들 수 있다.
상기 (비스)아실포스핀옥시드계 화합물로는 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스 핀옥시드; 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀옥시드, 비스(2,6-디클로로벤조일)페닐포스핀옥시드, 비스(2,6-디클로로벤조일)-2,5-디메틸페닐포스핀옥시드, 및 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥시드 등을 들 수 있다.
상기 유기붕소염 화합물은 하기 화학식 6과 같은 제4급 유기붕소염 화합물이다.
<화학식 6>
Figure 112008005347618-PAT00001
상기 화학식 6에서 R1, R2, R3, 및 R4는 각각 독립적으로 필요에 따라 치환기를 가질 수 있는 알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 알케닐기, 알키닐기, 실릴기, 복소환식기, 또는 할로겐원자를 나타내며 Z+는 임의의 양이온을 나타낸다.
본 발명에 있어서 유기붕소염 화합물은 제4급 유기붕소 음이온과 양이온(Z+)으로 이루어진다. 상기 구조식 1에서 R1, R2, R3, 및 R4는 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 알케닐기, 알키닐기, 실릴기, 복소환식기, 또는 할로겐원자를 나타내며, 이들 기는 필요에 따라 치환기를 갖고 있어도 좋다. 이러한 치환기로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, n-옥틸기, n-도데실기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 아니실기, 비페닐기, 디페닐메틸기, 메톡시기, 에톡시기, n-프로톡 시기, 이소프로톡시기, n-부톡시기, sec-부톡시기, 이소부톡기, tert-부톡시기, 메틸렌디옥시기, 에틸렌디옥시기, 페녹시기, 나프톡시기, 벤질옥시기, 메틸티오기, 페닐티오기, 2-푸릴기, 2-티에닐기, 2-피리딜기, 및 불소기 등을 들 수 있다.
상기 유기붕소염 화합물의 제4급 유기붕소 음이온의 구체적인 예로는 메틸트리페닐보레이트, n-부틸트리페닐보레이트, n-옥틸트리페닐보레이트, n-도데실트리페닐보레이트, sec-부틸트리페닐보레이트, tert-부틸트리페닐보레이트, 벤질트리페닐보레이트, n-부틸트리(p-아니실)보레이트, n-옥틸트리(p-아니실)보레이트, n-도데실트리(p-아니실)보레이트, n-부틸트리(p-톨릴)보레이트, n-부틸트리(o-톨릴)보레이트, n-부틸트리(4-tert-부틸페닐)보레이트, n-부틸트리(4-플루오로-2-메틸페닐)보레이트, n-부틸트리(4-플루오로페닐)보레이트, n-부틸트리(1-나프틸)보레이트, 에틸트리(1-나프틸)보레이트, n-부틸트리[1-(4-메틸나프틸)]보레이트, 메틸트리[1-(4-메틸나프틸)]보레이트, 트리페닐실릴트리페닐보레이트, 트리메틸실릴트리페닐보레이트, 테트라-n-부틸보레이트, 디-n-부틸디페닐보레이트, 테트라벤질보레이트 등을 들 수 있다. 상기 제4급 유기붕소 음이온의 R1, R2, R3, 및 R4에서 R1은 알킬기, R2, R3, 및 R4는 나프틸기인 구조를 갖는 경우가 화합물의 안전성과 광반응성의 균형을 유지하기 때문에 보다 바람직하다.
상기 유기붕소염 화합물의 양이온(Z+)의 구체적인 예로서는 테트라메틸암모늄, 테트라에틸암모늄, 테트라-n-부틸암모늄, 테트라옥틸암모늄, N-메틸퀴놀륨, N-에틸퀴놀륨, N-메틸피리디늄, N-에틸피리디늄, 테트라메틸포스포늄, 테트라-n-부틸 포스포늄, 트리메틸술포늄, 트리페닐술포늄, 트리메틸술폭소늄, 디페닐요오드늄, 디(4-tert-부틸페닐)요오드늄, 리튬 양이온, 나트륨 양이온, 칼륨양이온 등을 들 수 있다.
상기 광개시제 조합물에 증감제를 혼합하여 사용하면 보다 고감도의 효과를 얻을 수 있어 증감제를 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다. 증감제로는 광개시제에 따라 선정하게 되는데, 상기 광개시제의 일부는 다른 광개시제의 증감제 역할도 병행하기도 한다.　 예로써 이미다졸계 광개시제를 사용하는 경우에는 벤조페논계 또는 티오크산톤계 화합물이 광개시제 및 증감제 역할도 하므로 병행하여 사용하면 좋다.　 상기 유기붕소염 화합물과 병용하여 사용할 수 있는 증감제는 광흡수 및 유기 붕소염 화합물을 분해할 수 있는 역할을 하는 것이라면 어느 것이라도 좋고, 이러한 역할을 하는 화합물로는 벤조페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 퀴논계 화합물, 및 양이온성 염료에서 선택하여 사용할 수 있다.　 벤조페논계 화합물과 티오크산톤계 화합물은 상기에서 설명한 화합물 중에서 선택하여 사용하면 되고, 퀴논계 화합물로는 퀸하이드론, 2,5-디클로로-1,4-벤조퀴논, 2,6-디클로로-1,4-벤조퀴논, 페닐-1,4-벤조퀴논, 2-메틸-1,4-나프토퀴논, 2,3-디클로로-1,4-나프토퀴논, 2-히드록시-1,4-나프토퀴논, 5-히드록시-1,4-나프토퀴논, 2-아미노-3-클로로-1,4-나프토퀴논, 2-클로로-3-모르포리노-1,4-나프토퀴논, 안트라퀴논, 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-tert-부틸안트라퀴논, 2,3-디메틸안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논, 2-클로로안트라퀴논, 1,4-디클로로안트라퀴논, 2-(히드록시메틸)안트라퀴논, 9,10-페난트렌퀴논 등을 들 수 있고, 상기 양이온성 염료는 300 nm 내지 근적외선 범위내에서 최대 흡수파장을 갖는 것으로, 일반적으로 yellow, orange, red, green 또는 blue 색을 띠게 되고, 구체적인 예로서는 베이직 옐로우 11 (Basic yellow 11), 아스트라존 오렌지 G (Astrazon orange G), 티오플라빈 T (Thioflavin T), 오라민 O (Auramine O), 인도시아닌 그린 (Indocyanine green), 1,1',3,3,3',3'-헥사메틸인도디카르보시아닌 요오드, IR-786 퍼클로레이트 등을 들 수 있다.
상기 광개시제의 함량은 상기 유기물 100 중량부에 대해서 1 내지 20 중량부가 바람직한데, 광개시제의 함량이 상기 범위 미만인 경우에는 노광 감도가 떨어지는 문제점이 있고, 상기 범위를 초과하는 경우에는 비노광부까지 현상이 안 되는 문제가 발생할 수 있어 바람직하지 않다.
상기 가교제 A로는 모노아크릴레이트계 및 다관능 아크릴레이트계가 사용된다.　 모노아크릴레이트로는, 이에 제한되는 것은 아니지만, 아크릴산, 메틸 아크릴레이트, 에틸 아크릴레이트, n-프로필 아크릴레이트, 이소프로필 아크릴레이트, n-부틸 아크릴레이트, sec-부틸 아크릴레이트, 이소부틸 아크릴레이트, tert-부틸 아크릴레이트, n-펜틸 아크릴레이트, 알릴 아크릴레이트, 페닐 아크릴레이트, 벤질 아크릴레이트, 부톡시에틸 아크릴레이트, 부톡시트리에틸렌글리콜 아크릴레이트, 시클로헥실 아크릴레이트, 디시클로펜타닐 아크릴레이트, 디시클로펜테닐 아크릴레이트, 2-에틸헥실 아크릴레이트, 글리세롤 아크릴레이트, 글리시딜 아크릴레이트, 이소보르닐 아크릴레이트, 이소덱실 아크릴레이트, 이소옥틸 아크릴레이트, 라우릴 아크릴레이트, 2-메톡시에틸 아크릴레이트, 메톡시에틸렌글리콜 아크릴레이트, 메톡시디에틸렌글리콜 아크릴레이트, 페녹시에틸 아크릴레이트, 스테아릴 아크릴레이 트, 1-나프틸 아크릴레이트, 2-나프틸 아크릴레이트, 2-히드록시에틸 아크릴레이트, 2-히드록시프로필 아크릴레이트, 아미노에틸 아크릴레이트, 또는 상기 모노아크릴레이트 분자 내의 아크릴레이트를 일부 또는 전부 메타크릴레이트로 바꾼 것 등이 있고, 다관능 아크릴레이트로는, 이에 제한되는 것은 아니지만, 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, 1,6-헥산디올(에톡시레이티드)디아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디아크릴레이트, 2-부틸-2-에틸-1,3-프로판디올 디아크릴레이트, 1,9-노난디올 디아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜 디아크릴레이트, 디프로필렌글리콜 디아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 비스페놀 A (에톡시레이티드)n (n = 2 내지 8) 디아크릴레이트, 또는 비스페놀 A 에폭시 디아크릴레이트와 같은 디아크릴레이트계; 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판(에톡시레이티드)트리아크릴레이트, 글리세린(프록시레이티드)트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트, 또는 트리메틸올프로판(프록시레이티드)-3-트리아크릴레이트와 같은 트리아크릴레이트계; 디트리메틸올프로판 테트라아크릴레이트, 테트라메틸올프로판 테트라아크릴레이트, 또는 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트와 같은 테트라아크릴레이트계; 디펜타에리스리톨 펜타아크릴레이트와 같은 펜타아크릴레이트계; 디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트와 같은 헥사아크릴레이트계, 또는 상기 다관능 아크릴레이트 분자 내의 아크릴레이트를 일부 또는 전부 메타크릴레이트로 바꾼 것 등이 있고 등이 있으며, 상기 모노 및 다관능 아크릴레이트로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택된 것이 바람직하다.
상기 가교제 A의 함량은 유기물 100 중량부에 대해서 15 내지 60 중량부가 바람직한데, 가교제 A의 함량이 상기 범위 미만인 경우에는 노광 감도가 떨어지는 문제점이 있고, 상기 범위를 초과하는 경우에는 소성시 격벽 형상의 단락이나 탈락 등이 발생할 수 있어 바람직하지 않다.
상기 두 번째 형태의 유기물 조성의 구성 성분인 알칼리 현상액에 가용인 바인더 B의 경우, 산 존재 하에 열처리 과정에서 현상액에 불용인 상태로　 변하는 특성 외에, 감광성 페이스트 중의 무기 성분의 분산성을 양호하게 하고, 적절한 점도 및 탄성을 갖도록 하는 역할도 한다.　 이러한 상기 바인더 B의 구체적인 예로는, 이에 제한되지는 않지만, 히드록시페놀기 (phenolic hydroxyl group)를 갖는 수지, 히드록시스티렌 (hydroxystyrene) 구조를 갖는 수지, 에폭시기 (epoxy group)를 갖는 수지 및 히드록실기 (hydroxyl group)와 카르복실기 (carboxyl group)를 갖는 수지 등을 들 수 있고, 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용될 수 있다.
상기 바인더 B 중에서 히드록시페놀기를 갖는 대표적인 수지로는 노볼락 (novolac) 수지를 들 수 있으며, 상기 노볼락 수지는 산 존재 하에서 페놀류와 알데히드류 또는 페놀류와 케톤류와의 축합 반응에 의해 제조된다.　 상기 히드록시스티렌 구조를 갖는 수지는 히드록시스티렌 또는 α-메틸-히드록시스티렌과 아크릴계 모노들과의 공중합 반응에 의해 제조된다.　 상기 아크릴계 모노머들로는 아크릴산 에스테르 (acrylic esters), 메타크릴산 에스테르 (methacrylic esters), 아크릴아미드 (acrylamide), 메타크릴아미드 (methacrylamide), 아크릴로니트릴 (acrylonitrile) 등을 들 수 있다.　 상기 에폭시기를 갖는 수지로는 노볼락형 에폭 시 수지, 비스페놀-A형 에폭시 수지, 아크릴 에폭시 수지 등을 들 수 있다.　 상기 히드록실기와 카르복실기를 갖는 수지로는 상기 히드록시페놀기를 갖는 수지 또는 상기 히드록시스티렌 구조를 갖는 수지에 카르복실기가 도입된 형태의 수지이거나, 히드록실기를 갖는 아클릴계 (또는 메타크릴계) 모노머와 카르복실기를 갖는 아크릴계 (또는 메타크릴계) 모노머의 공중합체를 들 수 있다.
상기 바인더 B의 중량 평균 분자량은 500 내지 100,000 g/mol인 것이 바람직하며, 분자량이 500 g/mol 미만인 경우에는 페이스트 제조 시 무기물에 대한 분산성이 떨어지고, 100,000 g/mol을 초과하는 경우에는 현상 시 현상 속도가 너무 느리거나 현상이 되지 않는 문제점이 있어서 바람직하지 않다.
상기 바인더 B의 함량은 상기 유기물 (바인더, 가교제 및 광산 발생제) 100 중량부에 대해서 50 내지 95 중량부가 바람직하며, 함량이 상기 범위 미만인 경우에는 페이스트의 코팅성 및 분산성이 떨어지고, 상기 범위를 초과하는 경우에는 노광 시 가교 반응이 불충분하게 일어나서 원하는 형상의 패턴을 얻을 수 없어서 바람직하지 않다.
상기 광산 발생제는 노광 시 조사되는 빛을 받으면 산을 발생시키는 물질로써, 본 발명에서 제안하는 광산 발생제의 예로는, 오늄염 (onium salts) 또는 술포늄염 (sulfonium salts), 유기 할로겐, 나프토퀴논-디아지드-술폰산 및 광반응성 술폰산을 들 수 있다.
상기 오늄염 또는 술포늄염 화합물의 구체적인 예로는, 이에 제한되지는 않지만, 디페닐요됴염 헥사플루오르포스페이트, 디페닐요도염 헥사플루오르 아르세네 이트, 디페닐요도염 헥사플로오르 안티모네이트, 디페닐파라메톡시페닐 트리플레이트, 디페닐파라톨루에닐 트리플레이트, 디페닐파라이소부틸페닐 트리플레이트, 디페닐파라-t-부틸페닐 트리플레이트, 트리페닐술포늄 헥사플루오르 포스페이트, 트리페닐술포늄 헥사플루오르 아르세네이트, 트리페닐술포늄 헥사플루오르 안티모네이트, 트리페닐술포늄 트리플레이트 및 디부틸나프틸술포늄 트리플레이트 등으로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택된 것이 사용될 수 있다.
상기 유기 할로겐 화합물로의 구체적인 예로는, 이에 제한되지 않지만, 트리브로모아세토페논, 페닐트리할로메틸-술폰 화합물, 할로메틸-s-트리아진 화합물 및 할로메틸-옥사디아졸 화합물 등으로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택된 것이 사용될 수 있다. 상기 나프토퀴논-디아지드-술폰산 화합물로의 구체적인 예로는, 이에 제한되지 않지만, 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-술포닐클로라이드 또는 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술포닐클로라이드 등으로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택된 것이 사용될 수 있다.
상기 광반응성 술폰산 화합물로의 구체적인 예로는, 이에 제한되지 않지만, 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-술포산 에스테르, 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술포산 아미드, β-케토 술폰기를 갖는 화합물, 니트로 벤질알코올의 에스테르 화합물, 아릴술폰산의 에스테르 화합물, 옥심 에스테르 화합물, N-히드록시아미드 에스테르 화합물, N-히드록시이미드 에스테르 화합물, 술폰산 에스테르 화합물 및 벤조인산 에스테르 화합물 등으로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택된 것이 사용될 수 있다.
상기 광산 발생제 함량은 상기 유기물 100 중량부에 대해서 0.1 내지 5 중량부가 바람직한데, 광개시제의 함량이 상기 범위 미만인 경우에는 가교 반응이 불충분하게 일어나는 문제가 발생하고, 상기 범위를 초과하는 경우에는 광산 발생제 자체가 조사되는 빛을 흡수하기 때문에 오히려 노광 감도가 떨어지는 문제가 발생할 수 있어 바람직하지 않다.
상기 광산 발생제는 노광 감도를 향상시키기 위하여 증감제 (sensitizer)와 함께 사용할 수 있다. 상기 증감제의 구체적인 예로는, 이에 제한되지 않지만, 안트라센, 펜안트라센, 1,2-벤조안트라센, 1,6-디페닐-1,3,5-헥사트리엔, 1,1,4,4,-테트라페닐-1,3-부타디엔, 2,3,4,5-테트라페닐퓨란, 2,5-디페닐티오펜, 티오크산톤, 2-클로로-티오크산톤, 페노티아진, 1,3-디페닐피라졸린, 벤조페논, 4-히드록시-벤조페논, 플루오르센 및 로다민 등으로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택된 것이 사용될 수 있다.　 상기 증감제의 함량은 상기 광산 발생제 100 중량부에 대하여 1 내지 1000 중량부가 바람직하다.　 상기 범위 미만인 경우에는 증감 효과가 떨어지고, 상기 범위를 초과하는 경우에는 증감제 자체가 조사되는 빛을 흡수하기 때문에 오히려 노광 감도가 떨어지는 문제가 발생할 수 있어 바람직하지 않다.
상기 가교제 B로는 멜라민 수지, 요소 수지, 구아나민 수지, 글리콜우릴-포름알데히드 수지, 숙시닐아미드-포름알데히드 수지 및 에틸렌요소-포름알데히드 수지 등이 사용될 수 있으며, 이 중에서 멜라민 수지와 요소 수지가 가교 반응성 및 상용화면에서 보다 바람직하다.　 상기 멜라민 수지 및 요소 수지의 구체적인 예로는 알콕시메틸화 멜라민 수지 및 알콕시메틸화 요소 수지를 들 수 있으며, 이러한 알콕시메틸화 아미노 수지는 멜라민 또는 요소를 포르말린과 반응시켜 얻은 축합물에 메틸알코올, 에틸알코올, 프로필알코올 등의 저급 알코올류로 에스테르화시켜 제조된다.
상기 가교제 B의 함량은 상기 유기물 100 중량부에 대해서 5 내지 50 중량부가 바람직한데, 가교제 B의 함량이 상기 범위 미만인 경우에는 노광 시 가교 반응이 불충분하게 일어나 현상 시 패턴이 무너지는 문제점이 있고, 상기 범위를 초과하는 경우에는 소성 시 페이스트의 분산성 및 인쇄성에 문제가 있어 바람직하지 않다.
본 발명에 따른 감광성 페이스트 조성물은 첨가제를 더 포함할 수 있으며, 상기 첨가제로는 조성물의 보존성을 향상시키는 중합 금지제 및 산화 방지제, 해상도를 향상시키는 자외선 흡광제, 조성물 내의 기포를 줄여 주는 소포제, 분산성을 향상시키는 분산제, 인쇄시 막의 평탄성을 향상시키는 레벨링제, 열 분해 특성을 향상시켜 주는 가소제 및 요변 특성을 부여하는 요변제 등을 예로 들 수 있다.
상기 용제로는, 불화물의 분산성을 떨어뜨리지 않고, 바인더 A, 바인더 B, 광개시제 및 광산 발생제를 용해시킬 수 있고, 가교제 및 기타 첨가제와 잘 혼합되면서 비등점이 150 ℃ 이상인 것이 사용될 수 있다.　 비등점이 150 ℃ 미만인 경우에는 조성물의 제조 과정, 특히 3-롤 밀 공정에서 휘발되는 경향이 커서 문제가 되며, 또한 인쇄시 용제가 너무 빨리 휘발되어 인쇄 상태가 좋지 않게 되므로 바람직하지 않다.　 상기 조건을 충족시킬 수 있는 바람직한 용제로는, 이에 제한되는 것은 아니지만, 에틸 카비톨, 부틸 카비톨, 에틸 카비톨 아세테이트, 부틸 카비톨 아 세테이트, 텍사놀, 테르핀유, 디에틸렌 글리콜, 디프로필렌 글리콜, 트리프로필렌 글리콜, 디프로필렌글리콜 메틸에테르, 디프로필렌글리콜 에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, γ-부티로락톤, 셀로솔브 아세테이트 및 부틸셀로솔브 아세테이트로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택된 것이 사용될 수 있다.
상기 용제의 함량은 특별히 한정하지 않으나, 인쇄 또는 코팅에 알맞은 페이스트의 점도가 되도록 사용해야 한다.
본 발명에 따른 감광성 페이스트 조성물은 하기와 같은 방법에 의해서 제조될 수 있다.
먼저 불화물 졸을 제조한다. 불화물 졸은 수성 불화물 겔 중 물을 유기 용제로 치환하여 불화물 전구체를 제조한 다음 이를 유기물에 분산시킴으로써 제조된다. 상기 유기물은 사전에 각각의 유기물 성분을 혼합하고 충분히 교반시켜 균일하고 투명한 용액으로 제조된 것이다.　 상기 제조된 불화물 졸은 무기물과 혼합하여 페이스트로 제조된다.　 PLM (planetary mixer) 등을 이용하여 혼합한 다음, 3-롤 밀을 수 회 실시하여 기계적 혼합을 수행한다.　 3-롤 밀의 작업이 끝나면 SUS 메쉬 #400으로 필터링한 다음, 진공 펌프를 이용하여 탈포 (degassing)하여 감광성 페이스트 조성물을 제조한다.
본 발명은 다른 구현예에서, 상기 감광성 페이스트 조성물을 이용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽을 제공한다.
본 발명에 따른 감광성 페이스트 조성물을 이용하여 PDP 격벽을 형성하는 과 정은 유기물에 포함된 성분에 따라 달라진다.　
알칼리 가용성 바인더 A, 광개시제 및 가교제 A를 포함하는 첫 번째 형태의 유기물을 이용하여 감광성 페이스트를 제조한 경우 하기와 같은 공정을 통해 격벽이 제조된다.　 상기 감광성 페이스트 조성물을 스크린 인쇄나 테이블 코터 등을 이용하여 어드레스 전극과 유전체가 형성되어 있는 PDP 하판에 도포하고, 드라이 오븐 (dry oven) 또는 적외선 (IR) 오븐에서 80 내지 120 ℃의 온도로, 5 내지 60 분 동안 건조시켜 용제를 대부분 제거한 다음, 건조막 위에 포토마스크가 장착된 자외선 노광 장치를 이용하여 소정의 광을 조사하여 조사된 부분에 가교 반응이 일어나도록 하고, 현상 공정에서 순수에 희석된 Na2CO3 용액, KOH 용액, 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드 (TMAH) 용액 또는 모노에탄올아민 용액 등과 같은 적당한 알칼리 현상액으로 30 ℃ 내외의 온도에서 현상하여 미노광된 부위를 제거하여 패턴을 얻고, 다시 전기로 등에서 500 내지 600 ℃로 5 내지 60 분 동안 소성함으로써 잔존하는 유기물 제거 및 저 융점 유리 분말의 소결을 수행함으로써 패턴화된 격벽을 형성할 수 있게 된다.
알칼리 가용성 바인더 B, 광산 발생제 및 가교제 B를 포함하는 두 번째 형태의 유기물을 이용하여 감광성 페이스트 조성물을 제조한 경우, 건조막 위에 포토마스크가 장착된 자외선 노광 장치를 이용하여 소정의 광을 조사하는 과정까지는 상기 첫 번째 형태의 유기물을 이용한 공정과 동일하다. 다만 조사된 부분에서 가교 반응이 일어나는 대신 먼저 산이 발생하며, 이후 80 내지 150 ℃의 온도로 5 내지 60 분 동안 열처리 과정에서 가교 반응이 일어나게 된다. 이후 현상 및 소성 과정은 상기 첫 번째 형태의 유기물을 이용한 공정 동일하다.
또 다른 구현예에서, 본 발명은 상기 격벽을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
도 1에는 본 발명에 따른 감광성 페이스트 조성물을 이용하여 제조된 격벽을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구체적인 구조가 도시되어 있다.
본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 전방 패널 (110) 및 후방 패널 (120)을 포함하는 구조로 되어 있다.　 상기 전방 패널 (110)은 전면 기판 (111), 상기 전면 기판의 배면 (111a)에 형성된 Y전극 (112)과 X전극 (113)을 구비한 유지 전극쌍 (114)들, 상기 유지 전극쌍들을 덮는 전방 유전체층 (115), 및 상기 전방 유전체층을 덮는 보호막 (116)을 구비한다.　 상기 Y전극 (112)과 X전극 (113) 각각은, ITO 등으로 형성된 투명 전극 (112b, 113b); 명암 향상을 위한 흑색 전극 (미도시) 및 도전성을 부여하는 백색 전극 (미도시)으로 구성되는 버스 전극 (112a, 113a)을 구비한다.　 상기 버스 전극 (112a, 113a)들은 PDP의 좌우측에 배치된 연결 케이블과 연결된다.
상기 후방 패널 (120)은 배면 기판 (121), 배면 기판의 전면 (121a)에 상기 유지 전극쌍과 교차하도록 형성된 어드레스 전극 (122)들, 상기 어드레스 전극들을 덮는 후방 유전체층 (123), 상기 후방 유전체층 상에 형성되어 발광 셀 (126)들을 구획하는 격벽 (124), 및 상기 발광 셀 내에 배치된 형광체층 (125)을 구비한다.　 상기 어드레스 전극 (122)들은 PDP의 상하측에 배치된 연결 케이블과 연결된다.
이하, 본 발명을 실시예를 통하여 더욱 상세히 설명하나, 본 발명의 범위가 하기 실시예로 한정되는 것은 아니다.
실시예
<불화물 전구체의 제조>
제조예 1. 불화마그네슘 ( MgF 2 ) 전구체의 제조
염화마그네슘 (MgCl2·6H2O) 203.3 g을 5 리터의 이온교환수에 용해하여 염화마그네슘 수용액을 제조하고, 불화칼륨 (KF·2H2O) 188.26 g을 5 리터의 이온교환수에 용해하여 불화칼륨 수용액을 각각 제조하였다.　 50 리터 반응용기에 10 리터의 이온교환수를 넣고, 강하게 교반 하면서 상기 제조된 염화마그네슘 수용액과 불화칼륨 수용액 각각을 10 ml/초의 속도로 동시에 투입하였다.　 투입 완료 후 진공 농축 장치를 이용하여 2 리터가 될 때까지 농축한 다음, 농축액을 95 ℃에서 24시간 가열 숙성시켜 겔 (gel) 상의 액을 만들었다.　 이후 겔 상의 액을 한외 여과막 (ultrafiltration membrane)을 이용하여 전해질 성분을 제거한 후, 다시 진공 농축 장치를 이용하여 1 리터가 될 때까지 농축하여 수성 불화마그네슘 졸을 제조하였다.　 상기 제조된 수성 불화마그네슘 졸은 디에틸렌글리콜 (diethylene glycol) 유기 용제 1 리터를 이용하여 용매 치환 장치를 이용하여 처리함으로써 디에틸렌글리콜에 분산된 불화마그네슘 전구체를 만들었다.
제조예 2. 불화나트륨마그네슘 ( NaMgF 3 ) 전구체의 제조
상기 실시예 1에서 불화칼륨 수용액 대신에 불화나트륨 (NaF) 126 g을 5 리 터의 이온교환수에 용해하여 제조된 불화나트륨 수용액을 사용한 것 외에 동일한 방법을 이용하여 디에틸렌글리콜에 분산된 불화나트륨마그네슘 전구체를 만들었다.
제조예 3. 실리카- 불화마그네슘 ( SiO 2 - MgF 2 ) 전구체의 제조
염화마그네슘 (MgCl2·6H2O) 203.3 g을 5 리터의 이온교환수에 용해하여 염화마그네슘 수용액을 제조하고, 실리카 졸 (10 wt.%, 평균 입경 5 nm) 300 g을 5 리터의 이온교환수에 희석하여 실리카 졸 수용액을 제조하고, 불화암모늄 (NH4F) 74.08 g을 5 리터의 이온교환수에 용해하여 불화암모늄 수용액을 제조하였다.　 50 리터 반응용기에 상기 제조된 실리카 졸 수용액을 넣고, 강하게 교반 하면서 상기 제조된 염화마그네슘 수용액을 10 ml/초의 속도로 투입한 후, 0.1 N 염산용액 300 g을 추가로 투입하였다.　 이후, 상기 제조된 불화암모늄 수용액을 10 ml/초의 속도로 투입하였다.　 투입 완료 후 실시예 1의 진공 농축 이후 과정과 동일한 방법을 이용하여 디에틸렌글리콜에 분산된 불화마그네슘 실리카-불화마그네슘 전구체를 제조하였다.
<불화물 및 티타늄 산화물의 물성 측정>
상기 실시예 1 내지 3에서 제조한 3가지 불화물 전구체 중의 불화물에 대한 굴절률 (@ 589 nm, 20 ℃), 비중 (@ 20 ℃), 투과도 (@ 20 ℃) 및 평균 입경 (@ 20 ℃)에 대한 측정 결과를 하기 표 1에 나타내었다.　 투과도는 두께 1 cm 기준 500 nm에서의 값이며, 평균 입경은 PCS (Photon Correlation Spectroscopy)를 이용하여 측정하였다.
불화물 굴절률 비중 투과도 (%) 평균 입경 (nm)
MgF2 1.37 3.1 72 15.3
NaMgF3 1.33 2.8 68 17.5
SiO2-MgF2 1.41 2.9 84 12.6
<유기물의 제조>
상기 제조한 불화물 전구체와 혼합하여 불화물 졸을 제조하는데 사용될 유기물을 하기와 같이 제조하였다.
제조예 4. 유기물 1의 제조
바인더 (노볼락 수지 (m-크레졸에 포르말린을 첨가하고 옥살산 촉매하에 제조), 무게 평균 분자량 18,000 g/mol) 79.4 중량%, 가교제 (헥사메톡시메틸-멜라민) 19.0 중량%, 광산 발생제 (트리페닐술포늄 트리플레이트) 1.6 중량%의 조성을 갖는 유기 혼합물을 제조하였다. 용해 및 점도 조절을 위해 상기 유기 혼합물 100 중량부 대비 30 중량부의 용제 (에틸카비톨)를 첨가하여 유기물 1을 제조하였다.
제조예 5. 유기물 2의 제조
바인더 (폴리(스티렌-co-메틸메타크릴산) 공중합체, 무게 평균 분자량 12,000 g/mol, 산가 180 mgKOH/g) 54.0 중량%, 광개시제 (2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-1-부타논) 9.5 중량%, 가교제 (비스페놀 A 변성 에폭시 디아크릴레이트) 29.5 중량%, 저장안정제 (벤조트리아졸) 7.0 중량%의 조성을 갖는 유기 혼합물을 제조하였다. 용해 및 점도 조절을 위해 상기 유기 혼합물 조성 100 중량부 대비 15 중량부의 용제 (에틸카비톨)를 첨가하여　유기물 2를 제조하였다.
제조예 6. 유기물 3의 제조
바인더 1 (폴리(메틸 메타크릴레이트-co-부틸 메타크릴레이트-co-메틸 메타크릴산) 공중합체, 분자량 12,000 g/mol, 산가 150 mgKOH/g) 60.0 중량%, 바인더 2 (히드록시프로필 셀룰로오즈, 평균 분자량 (Mw) = 80,000 g/mol) 2.0 중량%, 광개시제 1 (2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-몰포리노프로판-1-온) 1.5 중량%, 광개시제 2 (2,4-디에틸티오산톤) 0.5 중량%, 가교제 1 (메톡시디에틸렌글리콜 아크릴레이트) 25.0 중량%, 가교제 2 (트리메틸올프로판 트리아크릴레이트) 10.0 중량%, 저장안정제 (말론산) 1.0 중량%의 조성을 갖는 유기 혼합물을 제조하였다. 용해 및 점도 조절을 위해 상기 유기 혼합물 100 중량부 대비 20 중량부의 용제 (텍산올)를 첨가하여 유기물 3을 제조하였다.
<유기물의 물성 평가>
상기 제조예 4 내지 6에서 제조한 유기물의 굴절률 및 비중 측정 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
유기물 굴절률 (@ 20도) 비중 (@ 20도)
유기물 1 1.55 1.14
유기물 2 1.57 1.15
유기물 3 1.47 1.07
<불화물 졸의 제조>
상기 실시예 1 내지 3에서 제조한 불화물 전구체 및 티타늄 산화물 전구체를 상기 실시예 4 내지 6에서 제조한 유기물에 혼합하여 각각 분산시킴으로써 불화물 졸을 제조하였다.　 상기 불화물 졸의 제조는 교반 용기에 유기물을 먼저 넣고 교반하는 상태에서 계산된 양만큼 불화물 전구체를 서서히 투입한 다음, 수 시간 동안 교반하여 제조하였다.　 단, 하기 제조예 6 내지 8에서 부피 비는 용제가 제외된 부피 비를 의미한다.
제조예 6. 불화물 졸 1의 제조
상기 제조예 1에 따른 MgF2 전구체와 상기 제조예 4에 따른 유기물 1을 30 : 70의 부피 비로 혼합하였다. 혼합 후 측정된 굴절률은 1.50이었다.
제조예 7. 불화물 졸 2의 제조
상기 제조예 2에 따른 NaMgF3 전구체와 상기 제조예 5에 따른 유기물 2를 30 : 70의 부피 비로 혼합하였다. 혼합 후 측정된 굴절률은 1.50이었다.
제조예 8. 불화물 졸 3의 제조
상기 제조예 3에 따른 SiO2-MgF2 전구체와 상기 제조예 4에 따른 유기물 3을 30 : 70의 부피 비로 혼합하였다. 혼합 후 측정된 굴절률은 1.45이었다.
<감광성 페이스트 조성물의 제조 >
상기 제조예 6 내지 제조예 8에서 제조된 불화물 졸 1 내지 3에, 하기 실시예 1 내지 3과 같이 저융점 유리 분말 및 고융점 유리 분말을 포함하는 무기물을 혼합함으로써 본 발명에 따른 감광성 페이스트 조성물을 제조하였다.　 또한, 비교예로 하기 비교예 1과 같이 불화물이 없는 감광성 페이스트 조성물을 제조하였다.　 단, 하기 실시예 1 내지 3과 비교예 1에서의 불화물 졸의 부피%는 모두 용제를 제외한 부피%을 의미한다.
실시예 1. 감광성 페이스트 조성물 1의 제조
상기 제조예 6에 따른 불화물 졸 1 45 부피%, 저 융점 유리 분말 (SiO2-B2O3-Al2O3-F계, 무정형, D50 = 3.4 ㎛, 굴절률 = 1.47) 50 부피%, 고 융점 유리 분말 (SiO2-B2O3-Al2O3계, 무정형, D50 = 2.5 ㎛, 굴절률 = 1.46) 5 부피%로 구성된 감광성 페이스트 조성물 1을 상기 페이스트 조성물의 제조 방법에 의해 제조하였다.
실시예 2. 감광성 페이스트 조성물 2의 제조
상기 실시예 1에서 상기 제조예 6에 따른 불화물 졸 1 대신 상기 제조예 7에 따른 불화물 졸 2를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 페이스트 조성물 2를 상기 페이스트 조성물의 제조 방법에 의해 제조하였다.
실시예 3. 감광성 페이스트 조성물 3의 제조
상기 실시예 1에서 상기 제조예 6에 따른 불화물 졸 1 대신 상기 제조예 8에 따른 불화물 졸 3을 사용한 것을 제외하고는, 실시예1과 동일한 방법으로 감광성 페이스트 조성물 3을 상기 페이스트 조성물의 제조 방법에 의해 제조하였다.
비교예 1. 불화물이 없는 감광성 페이스트
상기 제조예 6에 따른 유기물 3 40 부피%, 저 융점 유리 분말 (SiO2-B2O3-Al2O3-F계, 무정형, D50 = 3.4 ㎛, 굴절률 = 1.47) 50 부피%, 고 융점 유리 분말 (SiO2-B2O3-Al2O3-계, 무정형, D50 = 2.5 ㎛, 굴절률 = 1.46) 10 부피%로 구성된 불화물이 없는 감광성 페이스트 조성물을 상기 페이스트 조성물 제조 방법에 의해 제조하였다.
<감광성 페이스트 조성물의 평가 및 결과>
상기 실시예 1 내지 3 및 비교예 1에서 제조한 감광성 페이스트 조성물을 이용하여 하기와 같은 방법으로 격벽을 형성하였다.
상기 실시예 1 내지 3 및 비교예 1에서 제조한 감광성 페이스트 조성물을 6" 유리 기판 위에 코터를 이용하여 도포한 다음, 드라이 오븐에 넣어 100℃에서 30 분간 건조하여 두께 180 ㎛의 건조막을 형성하였다. 이후 격자 패턴 (가로 : 선폭 = 40 ㎛ (피치 = 160 ㎛), 세로 : 선폭 = 40 ㎛ (피치 = 560 ㎛))을 갖는 포토마스크가 장착된 고압 수은 램프 자외선 노광 장치를 이용하여 300 내지 1000 mJ/cm2로 조사하였다.　 이후 상기 실시예 1에서 제조한 감광성 페이스트 조성물 1의 경우만 유리 기판을 120℃ 드라이 오븐에 넣어 10 분간 열처리한 후 현상 공정을 실시하였고, 나머지 감광성 페이스트 조성물 2와 3 및 불화물이 없는 감광성 페이스트 조성물의 경우에는 직접 현상 고정을 실시하였다.　 현상 공정은 35℃의 0.8 중량% 탄산나트륨 수용액을 노즐압력 1.5 kgf/cm2로 200초 동안 분사하여 현상을 실시하였고, 이후 상온의 순수를 노즐압력 1.2 kgf/cm2로 30초 동안 분사하여 세정하였다.　 이후 에어나이프 (air knife)를 이용하여 건조시킨 다음 전기 소성로에 넣어 560℃에서 20분간 소성하여 격벽을 형성하였다.　 이후 광학현미경 및 SEM을 이용하여 형성된 격벽을 평가하였다.
상기 방법에 의해 형성된 격벽에 대한 평가 결과를 하기 표 3에 나타내었다.　 하기 표 1에서 노광량은 최적의 패턴 결과를 나타내는 값을 나타내며, 격벽 색은 육안으로 관찰한 결과이다.
감광성 페이스트 조성물 노광량 (mJ/cm2) 소성 막 두께 상부 폭 하부 폭 격벽 색
실시예 1 700 122 ㎛ 48 ㎛ 55 ㎛ 흰색
실시예 2 700 123 ㎛ 47 ㎛ 54 ㎛ 흰색
실시예 3 600 124 ㎛ 43 ㎛ 60 ㎛ 흰색
비교 예 1 400 122 ㎛ 38 ㎛ 63 ㎛ 회색
상기 표 3의 결과는 하기와 같이 해석될 수 있다.
우선 노광 감도 (노광량)의 경우, 상기 제조된 불화물 졸의 굴절률과 무기물의 굴절률 차이에 매우 의존하는 것을 알 수 있다.　 즉 실시예 1 내지 3 중 굴절률 차이가 작은 실시예 3의 경우 노광 감도가 더욱 우수함을 알 수 있다.　 아울러 상기 표 3의 결과에 나타냈듯이 노광 감도가 떨어질 수록 상부 폭이 커지고 하부 폭이 좁아지는 결과를 보여 주고 있다.　 이것은 불화물 졸과 무기물의 굴절률 차이가 커질수록 노광 공정에서 조사되는 빛의 투과율은 낮아지고, 반면에 반사 및 산란은 커지기 때문에 발생한 결과이다.　 상기 표 3에서 격벽 색의 경우 불화물이 있는 경우에는 흰색인 반면 불화물이 없는 경우에는 회색으로 나타났다, 이는 가시광선에 대한 반사율에 차이가 있음을 나타낸다.
<플라즈마 디스플레이 패널의 제작 및 특성 평가>
상기 감광성 페이스트 조성물 중에서 실시예 1내지 3에서 제조한 감광성 페이스트 조성물을 이용하여 6"패널을 제작하였다.　 아울러 특성 비교를 위해 비교예 1에 따른 감광성 페이스트 조성물을 이용하여 동일한 방법으로 패널을 제작하였다.
6" 패널 제작은 파일럿 라인에서 42" HD급 스펙으로 제작되었다.　 제조된 패널에 대한 휘도를 평가한 결과를 하기 표 4에 나타내었다.
감광성 페이스트 조성물 측정 휘도 (lm/W) 상대적인 휘도 비
실시예 1 1.33 117
실시예 2 1.36 119
실시예 3 1.31 115
비교 예 1 1.14 100
상기 표 4의 휘도 결과를 보면 본 발명에 따른 감광성 페이스트 조성물을 사용하는 경우, 비교예에 비해 약 15 내지 20%의 휘도 상승 효과를 나타냄을 알 수 있다.　 이는 상기에서 언급한 바와 같이 불화물이 격벽의 반사율을 높이게 됨으로써 결과적으로 휘도가 상승한 것을 파악된다.
도 1은 본 발명에 따른 PDP에 대한 구조를 도시한 부분 절개 사시도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
110: 전방 패널 111: 전면 기판
112: Y 전극 113: X 전극
114: 유지 전극쌍 115: 전방 유전체층
116: 보호막 120: 후방 패널
121: 배면기판 122: 어드레스 전극
123: 후방 유전체층 124: 격벽
125: 형광체층 126: 발광 셀
230: 흑색층

Claims (25)

  1. 유기물에 분산되어 있는 불화물 졸 및 무기물을 포함하는 감광성 페이스트 조성물에 있어서, 상기 불화물 졸의 평균 굴절률 (N1) 및 상기 무기물의 평균 굴절률 (N2)이 하기 수학식 1을 만족하는 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물:
    <수학식 1>
    - 0.2 ≤ N1 - N2 ≤ 0.2
  2. 제1항에 있어서, 상기 불화물은 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표현되는 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물:
    <화학식 1>
    MaFb
    <화학식 2>
    MxM'yFz
    상기 화학식 중, M 및 M'은 알칼리 금속, 알칼리토금속 또는 규소 (Si) 중 어느 하나의 원소이고;
    a, b, x, y 및 z은 성분 원소의 원자수의 비로서1 내지 4의 정수이다.
  3. 제1항에 있어서, 상기 불화물 졸은
    하기 화학식 3 또는 하기 화학식 4의 화합물을 물에 녹인 수용액과 하기 화학식 5의 화합물을 물에 녹인 수용액을 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계;
    상기 혼합물 중 물을 유기 용제로 치환하여 불화물 전구체 (precursor)를 제조하는 단계;
    상기 불화물 전구체를 유기물에 분산시키는 단계;
    를 포함하는 방법에 의하여 제조되는 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물:
    <화학식 3>
    MaXb,
    <화학식 4>
    MxM'yXz
    <화학식 5>
    AtFu
    상기 화학식 중, M 및 M'은 알칼리 금속, 알칼리토금속 또는 규소 (Si) 중 어느 하나의 원소이고;
    X는 염소, 니트레이트 (NO2), 설페이트 (SO4) 또는 아세테이트 (CH3CO2)이며;
    A는 나트륨, 칼륨, 암모늄 또는 수소이며;
    a, b, t, u, x, y 및 z은 성분 원소의 원자수의 비로서1 내지 4의 정수이다.
  4. 제1항에 있어서, 상기 불화물 성분은 실리카-불화물 혼합체인 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 불화물 성분은 1 내지 60 nm의 평균 입경을 갖는 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 불화물 졸의 평균 굴절률은 1.4 내지 1.5인 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물.
  7. 제2항에 있어서, 상기 불화물의 평균 굴절률은 1.3 내지 1.4인 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 상기 불화물 졸의 투과도는 두께 1 cm 기준으로 500 nm에서 50% 이상인 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 상기 불화물 졸의 평균 굴절률 (N1) 및 상기 무기물의 평균 굴절률 (N2)이 하기 수학식 2를 만족하는 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물:
    <수학식 2>
    - 0.1 ≤ N1 - N2 ≤ 0.1
  10. 제1항에 있어서, 상기 불화물 졸의 불화물의 함량은 상기 유기물 100 부피부 대비 1 내지 40 부피부인 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 상기 불화물 졸의 불화물의 함량은 상기 무기물 100 부피부 대비 1 내지 20 부피부인 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물.
  12. 제1항에 있어서, 상기 무기물은 평균 굴절률 (N2)이 1.5 내지 1.8인 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물.
  13. 제1항에 있어서, 상기 무기물은 하기 수학식 5를 만족하는 저융점 유리 분말 (glass frit) 및 하기 수학식 6을 만족하는 고융점 유리 분말을 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물:
    <수학식 5>
    소성 온도 - 80 ℃ < Ts < 소성 온도,
    <수학식 6>
    Ts > 소성 온도 + 20 ℃.
  14. 제13항에 있어서, 상기 저융점 유리 분말의 평균 입경은 중간값 (D50)이 2 내지 5 ㎛, 최소값 (Dmin)은 0.1 ㎛, 최대값 (Dmax)은 20 ㎛인 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물.
  15. 제13항에 있어서, 상기 저융점 유리 분말의 함량은 상기 무기물 100 부피부에 대해서 70 내지 100 부피부인 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물.
  16. 제13항에 있어서, 상기 저융점 유리 분말은 PbO-B2O3계, PbO-SiO2-B2O3계, Bi2O3-B2O3계, Bi2O3-SiO2-B2O3계, SiO2-B2O3-Al2O3계, SiO2-B2O3-BaO계, SiO2-B2O3-CaO계, ZnO-B2O3-Al2O3계, ZnO-SiO2-B2O3계, P2O5계, SnO-P2O5계, V2O5-P2O5계, V2O5-Mo2O3계 및 V2O5-P2O5-TeO2계로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택된 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물.
  17. 제13항에 있어서, 상기 고융점 유리 분말의 평균 입경은 중간값이 1 내지 4 ㎛, 최소값은 0.1 ㎛, 최대값은 20 ㎛인 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물.
  18. 제13항에 있어서, 상기 고융점 유리 분말의 함량은 상기 무기물 100 부피부 대비 0 초과 30 부피부 이하인 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물.
  19. 제13항에 있어서, 상기 고융점 유리 분말은 SiO2-B2O3-BaO계, SiO2-B2O3-CaO계, SiO2-B2O3-MgO계, SiO2-B2O3-CaO-BaO계, SiO2-B2O3-CaO-MgO계, SiO2-Al2O3-BaO계, SiO2-Al2O3-CaO계, SiO2-Al2O3-MgO계, SiO2-Al2O3-BaO-CaO계 및 SiO2-Al2O3-CaO-MgO계로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택된 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물.
  20. 제11항에 있어서, 상기 저융점 유리 분말의 굴절률 (N3)과 상기 고융점 유리 분말의 굴절률 (N4)의 차이가 하기 수학식 7을 만족시키는 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물:
    <수학식 7>
    - 0.2 ≤ N3 - N4 ≤ 0.2.
  21. 제11항에 있어서, 상기 저융점 유리 분말의 굴절률 (N3)과 상기 고융점 유리 분말의 굴절률 (N4)의 차이가 하기 수학식 8을 만족시키는 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물:
    <수학식 8>
    - 0.1 ≤ N3 - N4 ≤ 0.1.
  22. 제1항에 있어서, 상기 유기물은, 바인더; 광개시제 또는 광산 발생제; 및 가교제를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물.
  23. 제22항에 있어서, 상기 유기물들은 첨가제 또는 용제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물.
  24. 제1항 내지 제23항 중의 어느 한 항에 의한 감광성 페이스트 조성물을 이용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽.
  25. 제24항에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.
KR1020080006708A 2008-01-22 2008-01-22 감광성 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 플라즈마디스플레이 패널의 격벽 및 이를 포함하는 플라즈마디스플레이 패널 KR20090080756A (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080006708A KR20090080756A (ko) 2008-01-22 2008-01-22 감광성 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 플라즈마디스플레이 패널의 격벽 및 이를 포함하는 플라즈마디스플레이 패널
US12/348,390 US20090186187A1 (en) 2008-01-22 2009-01-05 Photosensitive paste composition, barrier ribs prepared using the composition and plasma display panel comprising the barrier ribs
JP2009006143A JP2009175734A (ja) 2008-01-22 2009-01-14 感光性ペースト組成物、これを利用して製造されたプラズマディスプレイパネルの隔壁及びこれを含むプラズマディスプレイパネル
CN200910003581.3A CN101493651A (zh) 2008-01-22 2009-01-20 感光糊组合物、用其制备的障壁、及等离子体显示面板
EP09250171A EP2082994A1 (en) 2008-01-22 2009-01-22 Photosensitive paste composition, barrier ribs prepared using the composition and plasma display panel comprising the barrier ribs

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080006708A KR20090080756A (ko) 2008-01-22 2008-01-22 감광성 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 플라즈마디스플레이 패널의 격벽 및 이를 포함하는 플라즈마디스플레이 패널

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090080756A true KR20090080756A (ko) 2009-07-27

Family

ID=40430053

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080006708A KR20090080756A (ko) 2008-01-22 2008-01-22 감광성 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 플라즈마디스플레이 패널의 격벽 및 이를 포함하는 플라즈마디스플레이 패널

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20090186187A1 (ko)
EP (1) EP2082994A1 (ko)
JP (1) JP2009175734A (ko)
KR (1) KR20090080756A (ko)
CN (1) CN101493651A (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5482533B2 (ja) * 2010-07-16 2014-05-07 新日鐵住金株式会社 酸化防止剤、酸化防止剤の製造方法及び金属材の製造方法
JP5793855B2 (ja) * 2010-11-29 2015-10-14 Jnc株式会社 光硬化性接着剤及び表示素子
JP5176159B1 (ja) * 2011-07-19 2013-04-03 日立化成株式会社 ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法
CN102442782A (zh) * 2011-09-30 2012-05-09 南京华显高科有限公司 具有光敏特性的玻璃粉浆料
JP5996325B2 (ja) * 2012-08-08 2016-09-21 株式会社日立製作所 パルス検出装置
KR102142648B1 (ko) 2013-12-16 2020-08-10 삼성디스플레이 주식회사 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 유기막 형성방법 및 유기막을 포함하는 표시장치
WO2019023444A1 (en) * 2017-07-28 2019-01-31 Corning Incorporated SINK PASTE AND METHOD OF SEALING A GLASS ASSEMBLY COMPRISING THE SAME
CN107759094A (zh) * 2017-12-14 2018-03-06 贵州威顿晶磷电子材料股份有限公司 不锈钢基板的厚膜电路介质浆料用微晶玻璃粉及其制备方法
KR102667382B1 (ko) * 2021-09-27 2024-05-20 동우 화인켐 주식회사 감광성 수지 조성물, 이를 이용하여 제조된 디스플레이 격벽 구조물 및 이를 포함하는 표시장치

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6197480B1 (en) * 1995-06-12 2001-03-06 Toray Industries, Inc. Photosensitive paste, a plasma display, and a method for the production thereof
JPH11139846A (ja) 1997-11-04 1999-05-25 Shipley Far East Kk 感光性ガラスペースト
JP2000095544A (ja) * 1998-07-22 2000-04-04 Mitsubishi Materials Corp ガラス組成物、それを用いたペ−スト、絶縁体、ｆｐｄ用隔壁および絶縁層
KR100497763B1 (ko) * 2002-08-02 2005-08-03 일동화학 주식회사 퓸드 실리카 입자로 표면 처리된 격벽 분말을 포함하는감광성 격벽 페이스트 조성물 및 그의 제조방법, 그리고그를 사용한 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 형성방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20090186187A1 (en) 2009-07-23
EP2082994A1 (en) 2009-07-29
CN101493651A (zh) 2009-07-29
JP2009175734A (ja) 2009-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100787450B1 (ko) 감광성 페이스트 조성물 이를 이용하여 제조된 플라즈마디스플레이 패널의 격벽 및 이를 포함하는 플라즈마디스플레이 패널
KR100894062B1 (ko) 감광성 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 플라즈마디스플레이 패널의 격벽 및 이를 포함하는 플라즈마디스플레이 패널
KR20090080756A (ko) 감광성 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 플라즈마디스플레이 패널의 격벽 및 이를 포함하는 플라즈마디스플레이 패널
KR100889774B1 (ko) 감광성 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 플라즈마디스플레이 패널의 격벽 및 이를 포함하는 플라즈마디스플레이 패널
KR20130095637A (ko) 감광성 페이스트, 패턴의 형성방법 및 평면 디스플레이 패널용 부재의 제조방법
KR102065922B1 (ko) 격벽 페이스트, 격벽을 갖는 부재의 제조방법 및 격벽을 갖는 부재
JPH11314937A (ja) 無機微粉末、感光性ペーストならびにディスプレイパネルの部材およびその製造方法
KR20020092179A (ko) 감광성 절연 페이스트 조성물 및 이로부터 제조된 감광성필름
KR100868550B1 (ko) 감광성 절연 페이스트 조성물 및 이를 사용하는 감광성 막
CN102301442A (zh) 平板显示器用构件及平板显示器用构件的隔壁最上层用糊剂
CN103415480A (zh) 糊料和平面显示器用面板的制造方法
JP2002023383A (ja) 感光性ペーストおよびそれを用いたディスプレイ用部材、並びにディスプレイ用部材の製造方法
TWI821527B (zh) 閃爍器面板、放射線檢測器、及閃爍器面板之製造方法
KR20100042897A (ko) 감광성 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널
JP2002358900A (ja) ディスプレイ用部材および感光性ペースト
KR20120069614A (ko) 감광성 봉착층 형성용 유리 페이스트 및 그것을 이용한 플라즈마 디스플레이의 제조 방법, 및 플라즈마 디스플레이
JP4389202B2 (ja) 感光性導電ペースト
JPH11256047A (ja) 感光性ペースト
JPH10120432A (ja) 感光性ペーストおよびそれを用いたプラズマディスプレイの製造方法
JP3947057B2 (ja) 感光性絶縁組成物、感光性絶縁フィルム及びプラズマディスプレイパネル製造用感光性絶縁材料
JPH11176330A (ja) 蛍光体パターン形成用組成物及びプラズマディスプレイ背面板の製造方法
JP4180724B2 (ja) プラズマディスプレイパネル背面板及びその製造方法並びにそれより得られるプラズマディスプレイパネル
JPH1144949A (ja) 感光性ペーストおよびそれを用いたプラズマディスプレイパネルの製造方法
JPH1152561A (ja) 感光性ペースト
WO2012132651A1 (ja) ペースト組成物およびプラズマディスプレイの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid