KR20090054922A - 트리덴테이트 베타케토이미네이트의 금속 착물 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 82
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 80
- -1 cycloaliphatic Chemical group 0.000 claims abstract description 78
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 68
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 44
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical group [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 29
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 28
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 25
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 18
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 11
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010936 titanium Chemical group 0.000 claims abstract description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims abstract description 7
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical group [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical group [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical group [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical group [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical group [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical group [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical group [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 3
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical group [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 239000010937 tungsten Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 37
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 33
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 26
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 23
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 11
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 10
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 7
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 7
- 150000003857 carboxamides Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 6
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 6
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000001983 dialkylethers Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 150000002895 organic esters Chemical class 0.000 claims description 4
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 claims description 4
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 4
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical group CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical group [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N N,N‐diethylformamide Chemical compound CCN(CC)C=O SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- AJFDBNQQDYLMJN-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylacetamide Chemical compound CCN(CC)C(C)=O AJFDBNQQDYLMJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PZYDAVFRVJXFHS-UHFFFAOYSA-N n-cyclohexyl-2-pyrrolidone Chemical compound O=C1CCCN1C1CCCCC1 PZYDAVFRVJXFHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims 9
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 claims 8
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 3
- ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 1-Ethyl-2-pyrrolidinone Chemical compound CCN1CCCC1=O ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 abstract description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical group [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 66
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 34
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 31
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 20
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 15
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 13
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 10
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 9
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 8
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 7
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 7
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 7
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 6
- 238000004467 single crystal X-ray diffraction Methods 0.000 description 6
- MMDZMGQBRXFHAQ-UHFFFAOYSA-N 4-[1-(dimethylamino)propan-2-ylimino]pentan-2-one Chemical compound CN(C)CC(C)N=C(C)CC(C)=O MMDZMGQBRXFHAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 5
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- LCLCVVVHIPPHCG-UHFFFAOYSA-N 5,5-dimethylhexane-2,4-dione Chemical compound CC(=O)CC(=O)C(C)(C)C LCLCVVVHIPPHCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YOJNBMCBPIDCGZ-UHFFFAOYSA-N 5-[1-(dimethylamino)propan-2-ylimino]-2,2-dimethylhexan-3-one Chemical compound CN(C)CC(C)N=C(C)CC(=O)C(C)(C)C YOJNBMCBPIDCGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 3
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 3
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 3
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002733 (C1-C6) fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- RRQHLOZQFPWDCA-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-dimethylpropane-1,2-diamine Chemical compound CC(N)CN(C)C RRQHLOZQFPWDCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HBAQYPYDRFILMT-UHFFFAOYSA-N 8-[3-(1-cyclopropylpyrazol-4-yl)-1H-pyrazolo[4,3-d]pyrimidin-5-yl]-3-methyl-3,8-diazabicyclo[3.2.1]octan-2-one Chemical class C1(CC1)N1N=CC(=C1)C1=NNC2=C1N=C(N=C2)N1C2C(N(CC1CC2)C)=O HBAQYPYDRFILMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000008733 Citrus aurantifolia Nutrition 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011941 Tilia x europaea Nutrition 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000003556 assay Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009878 intermolecular interaction Effects 0.000 description 2
- SORGMJIXNUWMMR-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);propan-2-olate Chemical compound [La+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] SORGMJIXNUWMMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004571 lime Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- ZGZHNQPTNCGKHS-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diethylpropane-1,2-diamine Chemical compound CCN(CC)CC(C)N ZGZHNQPTNCGKHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYRSSJQQVMUWQU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethyl-5-[1-(propan-2-ylamino)propan-2-ylimino]hexan-3-one Chemical compound CC(C)NCC(C)N=C(C)CC(=O)C(C)(C)C TYRSSJQQVMUWQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFABNQQPSRZZFH-UHFFFAOYSA-N 5-[1-(diethylamino)propan-2-ylimino]-2,2-dimethylhexan-3-one Chemical compound CCN(CC)CC(C)N=C(C)CC(=O)C(C)(C)C WFABNQQPSRZZFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003512 Claisen condensation reaction Methods 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002262 Schiff base Substances 0.000 description 1
- 150000004753 Schiff bases Chemical class 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000010779 crude oil Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002716 delivery method Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000004494 ethyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical group 0.000 description 1
- DLEDOFVPSDKWEF-UHFFFAOYSA-N lithium butane Chemical compound [Li+].CCC[CH2-] DLEDOFVPSDKWEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000103 lithium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004681 metal hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003863 metallic catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 150000002815 nickel Chemical group 0.000 description 1
- 150000002826 nitrites Chemical class 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSGCRAOTEDLMFQ-UHFFFAOYSA-N nonan-5-one Chemical compound CCCCC(=O)CCCC WSGCRAOTEDLMFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NTTOTNSKUYCDAV-UHFFFAOYSA-N potassium hydride Chemical compound [KH] NTTOTNSKUYCDAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000105 potassium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000007363 ring formation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000646 scanning calorimetry Methods 0.000 description 1
- 238000000526 short-path distillation Methods 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- ODZPKZBBUMBTMG-UHFFFAOYSA-N sodium amide Chemical compound [NH2-].[Na+] ODZPKZBBUMBTMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012453 solvate Substances 0.000 description 1
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 150000003437 strontium Chemical class 0.000 description 1
- OHULXNKDWPTSBI-UHFFFAOYSA-N strontium;propan-2-olate Chemical compound [Sr+2].CC(C)[O-].CC(C)[O-] OHULXNKDWPTSBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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Abstract
Description
Claims (24)
- 하기 구조 A 및 B로 이루어진 군에서 선택된 구조에 의해 제시되는 착물을 포함하는 금속:상기 구조 A에서, M은 2 내지 5의 원자가를 갖는 금속이며, 여기서 R1은 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는, 알킬, 알콕시알킬, 플루오로알킬, 시클로알리파틱, 및 아릴로 이루어진 군에서 선택되며; R2는 수소, 알킬, 알콕시, 시클로알리파틱, 및 아릴로 이루어진 군에서 선택되고; R3은 알킬, 알콕시알킬, 플루오로알킬, 시클로알리파틱, 및 아릴로 이루어진 군에서 선택되며; R4는 1개 이상의 키랄 탄소 원자를 갖는 C3-10 분지형 알킬 또는 알킬렌 브릿지이며; R5-6은 독립적으로 알킬, 플루오 로알킬, 시클로알리파틱, 아릴, 및 산소 또는 질소 원자를 함유한 헤테로시클릭으로 이루어진 군에서 선택되고; n은 금속 M의 원자가와 동일한 정수이며;상기 구조 B에서, M은 4족 및 5족 금속 중에서 선택된 금속 이온이며; 여기서 R1은 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는, 알킬, 알콕시알킬, 플루오로알킬, 시클로알리파틱, 및 아릴로 이루어진 군에서 선택되며; R2는 수소, 알킬, 알콕시, 시클로알리파틱, 및 아릴로 이루어진 군에서 선택되고; R3는 알킬, 알콕시알킬, 플루오로알킬, 시클로알리파틱, 및 아릴로 이루어진 군에서 선택되며; R4는 1개 이상의 키랄 탄소 원자를 갖는 C3-10 분지형 알킬 또는 알킬렌 브릿지이고; R5-6는 독립적으로 알킬, 플루오로알킬, 시클로알리파틱, 아릴, 또는 산소 또는 질소 원자를 함유한 헤테로시클릭으로 이루어진 군에서 선택되며; R7은 알킬, 플루오로알킬, 시클로알리파 틱, 및 아릴로 이루어진 군에서 선택되고; 여기서 m 및 n은 1이상이며, m과 n의 합은 금속 M의 원자가와 동일하다.
- 제 1항에 있어서, 구조 A에 의해 제시되는 착물을 포함하는 금속으로서, M이 칼슘, 스트론튬, 바륨, 스칸듐, 이트륨, 란타늄, 티타늄, 지르코늄, 바나듐, 텅스텐, 망간, 코발트, 철, 니켈, 루테늄, 아연, 구리, 팔라듐, 백금, 이리듐, 레늄, 및 오스뮴으로 이루어진 군에서 선택되는 금속.
- 제 2항에 있어서, R1이 t-부틸 및 t-펜틸으로 이루어진 군에서 선택되며, R2는 수소, 메틸, 및 에틸로 이루어진 군에서 선택되고, R3는 메틸 및 에틸로 이루어진 군에서 선택되며, R4는 1개의 키랄 센터를 지니는 C3 알킬 또는 알킬렌 브릿지이고, R5 및 R6는 독립적으로 메틸 및 에틸로 이루어진 군에서 선택되는 금속.
- 제 3항에 있어서, M이 스트론튬이고, R1이 t-부틸이며, R2가 수소이고, R3가 메틸이며, R4가 2-프로필이고, R5 및 R6가 에틸인 금속.
- 제 3항에 있어서, M이 스트론튬이고, R1이 t-부틸이며, R2가 수소이고, R3가 메틸이며, R4가 2-프로필이고, R5가 메틸이며, R6가 에틸인 금속.
- 제 3항에 있어서, M이 코발트이고, R1이 메틸이며, R2가 수소이고, R3가 메틸이며, R4가 2-프로필이고, R5 및 R6가 메틸인 금속.
- 제 3항에 있어서, M이 니켈이고, R1이 메틸이며, R2가 수소이고, R3가 메틸이며, R4가 2-프로필이고, R5 및 R6가 메틸인 금속.
- 제 1항에 있어서, 구조 B에 제시되는 착물을 포함하는 금속으로서, M이 티타늄, 지르코늄, 하프늄, 바나듐, 니오븀, 및 탄탈로 이루어진 군에서 선택되는 금속.
- 제 8항에 있어서, R1이 C1-5 알킬으로 이루어진 군에서 선택되며, R2가 수소, 메틸, 및 에틸로 이루어진 군에서 선택되고, R3가 메틸 및 에틸로 이루어진 군에서 선택되며, R4가 1개 이상의 키랄 센터를 지니는 C3-4 알킬 또는 알킬렌 브릿지이고, R5 및 R6가 독립적으로 메틸 및 에틸로 이루어진 군에서 선택되며, R7이 메틸, 에 틸, 프로필, 이소-프로필, n-부틸, 세크-부틸, 이소-부틸, 및 터트-부틸로 이루어진 군에서 선택되는 금속.
- 제 8항에 있어서, M이 Ti이고, R1이 메틸이며, R2가 수소이고, R3가 메틸이며, R4가 1개의 키랄 센터를 지니는 C3 알킬 또는 알킬렌 브릿지이고, R5 및 R6가 메틸인 금속.
- 제 8항에 있어서, M이 Hf이고, R1이 메틸이며, R2가 수소이고, R3가 메틸이며, R4가 1개의 키랄 센터를 지니는 C3 알킬 또는 알킬렌 브릿지이고, R5 및 R6가 메틸인 금속.
- 제 8항에 있어서, M이 Zr이고, R1이 메틸이며, R2가 수소이고, R3가 메틸이며, R4가 1개의 키랄 센터를 지니는 C3 알킬 또는 알킬렌 브릿지이고, R5 및 R6가 메틸인 금속.
- 제 8항에 있어서, M이 Ti이고, R1이 t-부틸이며, R2가 수소이고, R3가 메틸이 며, R4가 C3 알킬 또는 알킬렌 브릿지이고, R5 및 R6가 메틸인 금속.
- 제 8항에 있어서, M이 Hf이고, R1이 t-부틸이며, R2가 수소이고, R3가 메틸이며, R4가 1개의 키랄 센터를 지니는 C3 알킬 또는 알킬렌 브릿지이고, R5 및 R6가 메틸인 금속.
- 제 8항에 있어서, M이 Zr이고, R1이 t-부틸이며, R2가 수소이고, R3가 메틸이며, R4가 1개의 키랄 센터를 지니는 C3 알킬 또는 알킬렌 브릿지이고, R5 및 R6가 메틸인 금속.
- 1 내지 20개의 에폭시 -(C2H4O)- 반복 단위를 지니는 글림(glyme) 용매; C2-C12 알칸올, C1-C6 알킬 부분을 포함하는 디알킬 에테르, C4-C8 시클릭 에테르로 이루어진 군에서 선택된 유기 에테르; C12-C60 크라운 C4-O20 에테르(여기서 전위표기(prefixed) Ci 범위는 에테르 화합물의 탄소 원자수 i이고; 후위표기(suffixed) 0i 범위는 에테르 화합물의 산소 원자수 i임); C6-C12 알리파틱 탄화수소; C6-C18 아로마틱 탄화수소; 유기 에스테르; 유기 아민; 및 폴리아민과 유기 아미드로 구성된 군에서 선택된 용매에 용해된 제 1항의 착물을 함유하는 금속.
- 제 16항에 있어서, 상기 용매가 N-메틸-2-피롤리디논, N-에틸-2-피롤리디논, N-시클로헥실-2-피롤리디논, N,N-디에틸아세트아미드, 및 N,N-디에틸포름아미드로 이루어진 군에서 선택된 유기 아미드인 금속.
- 전구체 공급원(Precursor source) 및 산소 함유 작용제(agent)가 증착 챔버(deposition chamber) 및 기재(substrate) 상에 증착된 금속 산화물 막에 도입되는, 기재 상에 컨퍼멀(conformal) 금속산화물 박막(thin film)을 형성시키기 위한 기상 증착 공정(vapor depositon process)으로서, 상기 전구체 공급원이 하기 구조 A 및 B로 이루어진 군에서 선택된 구조에 의해 제시되는 착물을 함유하는 금속인, 기상 증착 공정:상기 구조 A에서, M은 2 내지 5의 원자가를 갖는 금속이며, 여기서 R1은 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는, 알킬, 알콕시알킬, 플루오로알킬, 시클로알리파틱, 및 아릴로 이루어진 군에서 선택되며; R2는 수소, 알킬, 알콕시, 시클로알리파틱, 및 아릴로 이루어진 군에서 선택되고; R3은 알킬, 알콕시알킬, 플루오로알킬, 시클로알리파틱, 및 아릴로 이루어진 군에서 선택되며; R4는 1개 이상의 키랄 탄소 원자를 갖는 C3-10 분지형 알킬 또는 알킬렌 브릿지이며; R5-6은 독립적으로 알킬, 플루오로알킬, 시클로알리파틱, 아릴, 및 산소 또는 질소 원자를 함유한 헤테로시클릭으로 이루어진 군에서 선택되고; n은 금속 M의 원자가와 동일한 정수이며;상기 구조 B에서, M은 4족 및 5족 금속 중에서 선택된 금속 이온이며; 여기서 R1은 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는, 알킬, 알콕시알킬, 플루오로알킬, 시클로 알리파틱, 및 아릴로 이루어진 군에서 선택되며; R2는 수소, 알킬, 알콕시, 시클로알리파틱, 및 아릴로 이루어진 군에서 선택되고; R3는 알킬, 알콕시알킬, 플루오로알킬, 시클로알리파틱, 및 아릴로 이루어진 군에서 선택되며; R4는 1개 이상의 키랄 탄소 원자를 갖는 C3-10 분지형 알킬 또는 알킬렌 브릿지이고; R5-6는 독립적으로 알킬, 플루오로알킬, 시클로알리파틱, 아릴, 또는 산소 또는 질소 원자를 함유한 헤테로시클릭으로 이루어진 군에서 선택되며; R7은 알킬, 플루오로알킬, 시클로알리파틱, 및 아릴로 이루어진 군에서 선택되고; 여기서 m 및 n은 1이상이며, m과 n의 합은 금속 M의 원자가와 동일하다.
- 제 18항에 있어서, 상기 기상 증착 공정이 화학적 증착, 플라즈마 증강 화학적 증착(plasma enhanced chemical depositon), 원자층증착, 및 플라즈마 증강 원자층증착으로 이루어진 군에서 선택되는, 기상 증착 공정.
- 제 18항에 있어서, 상기 산소 함유 작용제가 물, 02, H202, 오존, 02 플라즈마, H2O 플라즈마, 및 이의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는, 기상 증착 공정.
- 전구체 공급원 및 환원제가 증착 챔버 및 기재 상에 증착된 금속 산화물 막 에 도입되는, 기재 상에 컨퍼멀 금속 박막을 형성시키기 위한 기상 증착 공정으로서, 상기 전구체 공급원이 하기 구조 A 및 B로 이루어진 군에서 선택된 구조에 의해 제시되는 착물을 함유하는 금속인, 기상 증착 공정:상기 구조 A에서, M은 2 내지 5의 원자가를 갖는 금속이며, 여기서 R1은 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는, 알킬, 알콕시알킬, 플루오로알킬, 시클로알리파틱, 및 아릴로 이루어진 군에서 선택되며; R2는 수소, 알킬, 알콕시, 시클로알리파틱, 및 아릴로 이루어진 군에서 선택되고; R3은 알킬, 알콕시알킬, 플루오로알킬, 시클로알리파틱, 및 아릴로 이루어진 군에서 선택되며; R4는 1개 이상의 키랄 탄소 원자를 갖는 C3-10 분지형 알킬 또는 알킬렌 브릿지이며; R5-6은 독립적으로 알킬, 플루오로알킬, 시클로알리파틱, 아릴, 및 산소 또는 질소 원자를 함유한 헤테로시클릭으 로 이루어진 군에서 선택되고; n은 금속 M의 원자가와 동일한 정수이며;상기 구조 B에서, M은 4족 및 5족 금속 중에서 선택된 금속 이온이며; 여기서 R1은 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는, 알킬, 알콕시알킬, 플루오로알킬, 시클로알리파틱, 및 아릴로 이루어진 군에서 선택되며; R2는 수소, 알킬, 알콕시, 시클로알리파틱, 및 아릴로 이루어진 군에서 선택되고; R3는 알킬, 알콕시알킬, 플루오로알킬, 시클로알리파틱, 및 아릴로 이루어진 군에서 선택되며; R4는 1개 이상의 키랄 탄소 원자를 갖는 C3-10 분지형 알킬 또는 알킬렌 브릿지이고; R5-6는 독립적으로 알킬, 플루오로알킬, 시클로알리파틱, 아릴, 또는 산소 또는 질소 원자를 함유한 헤테로시클릭으로 이루어진 군에서 선택되며; R7은 알킬, 플루오로알킬, 시클로알리파틱, 및 아릴로 이루어진 군에서 선택되고; 여기서 m 및 n은 1이상이며, m과 n의 합 은 금속 M의 원자가와 동일하다.
- 제 21항에 있어서, 상기 환원제가 수소, 히드라진, 모노알킬히드라진, 디알킬히드라진, 암모니아, 및 이의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는, 기상 증착 공정.
- 전구체 공급원 및 산소 함유 작용제의 용액이 증착 챔버 및 기재 상에 증착된 금속 산화물 막에 도입되는, 기재 상에 컨퍼멀 금속산화물 박막을 형성시키기 위한 기상 증착 공정으로서, 1 내지 20개의 에폭시 -(C2H4O)- 반복 단위를 지니는 글림(glyme) 용매; C2-C12 알칸올, C1-C6 알킬 부분을 포함하는 디알킬 에테르, C4-C8 시클릭 에테르로 이루어진 군에서 선택된 유기 에테르; C12-C60 크라운 O4-O20 에테르(여기서 전위표기(prefixed) Ci 범위는 에테르 화합물의 탄소 원자수 i이고; 후위표기(suffixed) 0i 범위는 에테르 화합물의 산소 원자수 i임); C6-C12 알리파틱 탄화수소; C6-C18 아로마틱 탄화수소; 유기 에스테르; 유기 아민; 및 폴리아민과 유기 아미드로 구성된 군에서 선택된 용매에 용해된 제 18항의 착물을 함유하는 금속으로 구성된 용액을 사용하는 것을 포함하는, 기상 증착 공정.
- 전구체 공급원 및 환원제가 증착 챔버 및 기재 상에 증착된 금속 산화물 막 에 도입되는, 기재 상에 컨퍼멀 금속 박막을 형성시키기 위한 기상 증착 공정으로서, 1 내지 20개의 에폭시 -(C2H4O)- 반복 단위를 지니는 글림 용매; C2-C12 알칸올, C1-C6 알킬 부분을 포함하는 디알킬 에테르, C4-C8 시클릭 에테르로 이루어진 군에서 선택된 유기 에테르; C12-C60 크라운 O4-O20 에테르(여기서 전위표기(prefixed) Ci 범위는 에테르 화합물의 탄소 원자수 i이고; 후위표기(suffixed) 0i 범위는 에테르 화합물의 산소 원자수 i임); C6-C12 알리파틱 탄화수소; C6-C18 아로마틱 탄화수소; 유기 에스테르; 유기 아민; 및 폴리아민과 유기 아미드로 구성된 군에서 선택된 용매에 용해된 제 21항의 착물을 함유하는 금속으로 구성된 용액을 사용하는 것을 포함하는, 기상 증착 공정.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/945,678 US7691984B2 (en) | 2007-11-27 | 2007-11-27 | Metal complexes of tridentate β-ketoiminates |
US11/945,678 | 2007-11-27 | ||
US12/245,196 US7723493B2 (en) | 2007-11-27 | 2008-10-03 | Metal complexes of tridentate BETA -ketoiminates |
US12/245,196 | 2008-10-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090054922A true KR20090054922A (ko) | 2009-06-01 |
KR100988973B1 KR100988973B1 (ko) | 2010-10-20 |
Family
ID=40352043
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080118059A KR100988973B1 (ko) | 2007-11-27 | 2008-11-26 | 트리덴테이트 베타케토이미네이트의 금속 착물 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7691984B2 (ko) |
EP (1) | EP2065364B1 (ko) |
JP (1) | JP5180040B2 (ko) |
KR (1) | KR100988973B1 (ko) |
CN (1) | CN101469006B (ko) |
TW (1) | TWI419862B (ko) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7947814B2 (en) * | 2006-04-25 | 2011-05-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Metal complexes of polydentate beta-ketoiminates |
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US8471049B2 (en) * | 2008-12-10 | 2013-06-25 | Air Product And Chemicals, Inc. | Precursors for depositing group 4 metal-containing films |
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US8202808B2 (en) * | 2009-06-03 | 2012-06-19 | Intermolecular, Inc. | Methods of forming strontium titanate films |
JP2012532993A (ja) * | 2009-07-10 | 2012-12-20 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 銅含有膜の堆積のためのビス−ケトイミナート銅前駆体 |
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US20130011579A1 (en) | 2010-11-30 | 2013-01-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Metal-Enolate Precursors For Depositing Metal-Containing Films |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4950790A (en) | 1988-11-14 | 1990-08-21 | Air Products And Chemicals, Inc. | Volatile fluorinated β-ketoimines and associated metal complexes |
US5820664A (en) * | 1990-07-06 | 1998-10-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Precursor compositions for chemical vapor deposition, and ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions comprising same |
JP3227891B2 (ja) | 1993-04-20 | 2001-11-12 | 三菱マテリアル株式会社 | 新規な有機金属錯体とその配位子 |
WO2002018394A1 (en) | 2000-08-28 | 2002-03-07 | Advanced Technology Materials, Inc. | Source reagent compositions and method for forming metal films on a substrate by chemical vapor deposition |
JP4660924B2 (ja) | 2000-12-25 | 2011-03-30 | 東ソー株式会社 | 安定化された銅錯体及びその製造方法 |
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US7034169B1 (en) | 2004-12-30 | 2006-04-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Volatile metal β-ketoiminate complexes |
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-
2007
- 2007-11-27 US US11/945,678 patent/US7691984B2/en active Active
-
2008
- 2008-10-03 US US12/245,196 patent/US7723493B2/en active Active
- 2008-11-25 TW TW097145574A patent/TWI419862B/zh active
- 2008-11-26 KR KR1020080118059A patent/KR100988973B1/ko active IP Right Grant
- 2008-11-26 EP EP08170027A patent/EP2065364B1/en not_active Not-in-force
- 2008-11-27 JP JP2008302848A patent/JP5180040B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-11-27 CN CN2008101786887A patent/CN101469006B/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200922911A (en) | 2009-06-01 |
CN101469006B (zh) | 2013-03-06 |
KR100988973B1 (ko) | 2010-10-20 |
EP2065364A1 (en) | 2009-06-03 |
JP2009161513A (ja) | 2009-07-23 |
US20090136677A1 (en) | 2009-05-28 |
US20090136685A1 (en) | 2009-05-28 |
US7723493B2 (en) | 2010-05-25 |
JP5180040B2 (ja) | 2013-04-10 |
CN101469006A (zh) | 2009-07-01 |
EP2065364B1 (en) | 2012-08-01 |
TWI419862B (zh) | 2013-12-21 |
US7691984B2 (en) | 2010-04-06 |
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Legal Events
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A201 | Request for examination | ||
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E902 | Notification of reason for refusal | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170919 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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