KR20080079192A - 수지 성형품 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정 고분자 및 섬유상 충전재를 포함하는 수지 성형품을 제공하는 것으로, 상기 성형품은 4.0 N/㎜의 접착력이 있는 테이프를 접착 및 박리시키는 작업을 30회 반복하기 전과 후에 측정한 Ra 값으로 표현되는 표면 거칠기의 차가 0.4 ㎛ 이하인 표면을 가진다. 상기 수지 성형품은 전기/전자 부품 또는 광학 기기에서 사용 시 기계적 강도가 우수하다.

Description

수지 성형품 및 이의 제조 방법{RESIN MOLDED ARTICLE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME}
본 발명은 전기/전자 부품 또는 광학 부품용 기판으로서 유용한 수지 성형품, 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
고분자 물질은 성형의 작업 용이성과 경량의 관점으로 인해 다양한 분야에서 구조 재료 및 전기적 절연 재료로서 이용되고 있다. 더 높은 성능이 요구되는 분야(예를 들어, 광학 기기용 기판을 사용하는 분야)에서, 액정 고분자는 그것이 내열성, 치수 안정성, 성형 가공성, 기계적 강도, 절연성 및 난연성이 우수하기에 이용되고 있다. 특히, 액정 고분자는 기계 부품; 장치 수납용 케이스; 및 광로 제조용 재료[이들의 예는 스위치, 계전기, 영상 센서, 기타 다양한 센서, 발광 다이오드(LED) 및 광학 메카니즘 시스템의 다양한 하우징(렌즈 튜브 및 렌즈 배럴)]에서 이용되고 있다.
예를 들어, 일본 특허 공개(JP-A) 제2006-246461호(US 2006/01977862A 대응)에서 표면에 탑재할 수 있는 카메라 모듈을 개시하고 있고, 표면 탑재 공정의 조건을 견뎌낼 수 있는 내열 재료(렌즈 홀더, 영상 센서 보드 등을 위한)로서 액정 고 분자를 예로 들고 있다.
또한, JP-A 제09-297256호에서 또한 성형성이 우수하고, 강도 등의 기계적 특성 및 성형물의 진원도 등의 치수 정확성이 뛰어난 카메라 렌즈 배럴에 적용되는 물질로서 액정 고분자를 사용하고 있다.
액정 고분자에, 제조된 성형품의 특성을 개선하기 위해 첨가제 및 충전재(강화 충전재 포함)를 첨가할 수 있다. 하지만, 강화 충전재를 포함하는 제품을 전기, 전자 또는 광학 부품으로 제조하는 경우, 부품의 조립 생산의 공정 수율은 감소할 수 있고, 제조된 전기, 전자 또는 광학 기기는 부품의 사용 기간이 길어지면 오작동을 유발할 수 있다.
이러한 상황하에, 본 발명자들은 기계적 강도가 우수하고 전기, 전자 및 광학 부품에 바람직하게 사용되는, 액정 고분자 및 강화 충전재를 포함하는 수지 성형품을 얻기 위해 수지 성형품에 대한 연구를 하였고, 그 결과 본 발명을 완성하게 되었다.
따라서, 본 발명은 액정 고분자 및 섬유상 충전재를 포함하는 수지 성형품을 제공하는 것으로, 상기 성형품은 4.0 N/㎜의 접착력이 있는 테이프를 접착(pasting) 및 박리(peeling)시키는 작업을 30회 반복하기 전과 후에 측정한 Ra 값으로 표현되는 표면 거칠기의 차이가 0.4 ㎛ 이하인 표면을 가진다. 또한, 본 발명은 상기 수지 성형품의 제조 방법을 제공하는데, 상기 방법은:
액정 고분자와 섬유상 충전재를 혼합 및 펠렛화하여 액정 고분자와 섬유상 충전재를 포함하는 수지 조성물 펠렛을 얻는 단계;
상기 수지 조성물 펠렛을 수지 조성물의 유동 개시 온도보다 30℃ 더 높은 온도 내지 유동 개시 온도보다 80℃ 더 높은 온도에서 용융시켜 용융 수지 조성물을 얻는 단계; 및
상기 용융 수지 조성물을 설정 온도가 80℃ 이상인 주형에 사출하고 조성물을 성형하여 수지 성형품을 얻는 단계를 포함한다.
또한, 본 발명은 전술한 수지 성형품을 포함하는 카메라 모듈용 부품을 제공 한다.
본 발명에 따르면, 액정 고분자와 함께 강화 충전재를 사용하는 경우에도 높은 생산 수율의 전기, 전자 또는 광학 부품으로 조립되어 부품의 사용 기간이 길어지면서 제조된 부품의 오작동 발생을 감소시킬 수 있는 수지 성형품을 얻을 수 있다. 따라서, 상기 수지 성형품은 스위치, 계전기, 영상 센서, 기타 다양한 센서, 발광 다이오드(LED) 및 광학 메카니즘 시스템(렌즈 튜브 및 렌즈 배럴)의 다양한 피복재; 장치 보호용 케이스; 광로 제조용 재료로서 적절하게 사용될 수 있다. 상기 수지 성형품은 카메라 모듈용 부품으로서 바람직하게 사용된다. 또한, 상기 수지 성형품은 또한 고내열성, 고강도, 치수 안정성 등이 뛰어나고, 따라서 산업적으로 매우 유용하다.
본 발명의 수지 성형품은 액정 고분자 및 섬유상 충전재를 포함하는 수지 성형품으로서, 상기 제품은 4.0 N/㎜의 접착력이 있는 테이프를 접착 및 박리 작업을 30회 반복하기 전과 후에 측정한 Ra 값으로 표현되는 표면 거칠기에서 차가 0.4 ㎛ 이하인 표면을 가진다.
본 발명의 수지 성형품을 전기, 전자 또는 광학 부품으로 제조하면, 부품의 조립 공정 동안 그리고 부품의 사용 기간의 경과 동안 부품 자체에서 발생하는 미세 입자의 양이 충전재를 포함하는 통상적인 성형품에 비해 충분하게 감소한다. 본 발명자들은 미세 입자가 부품의 조립 공정의 생산 수율을 감소시키고, 부품의 사용 기간이 경과 시 상기 부품을 포함하는 기기의 오작동을 유발할 수 있다는 것을 알아냈다. 적어도 미세 입자의 발생량이 감소한다는 관점에서, 본 발명의 성형품은 통상적인 성형품보다 뛰어나다.
전술한 바와 같이, 성형품은 4.0 N/㎜의 접착력이 있는 테이프를 접착 및 박리시키는 작업을 30회 반복하기 전과 후에 측정한 Ra 값으로 표현되는 표면 거칠기의 차이가 0.4 ㎛ 이하인 표면을 가진다. 테이프를 접착 및 박리시키는 반복 작업의 전과 후에 측정한 Ra 값으로 표현되는 표면 거칠기의 차이는 소위 "표면 테이프 박리 시험"을 수행하여 얻을 수 있다.
이제, 표면 테이프 박리 시험을 더욱 상세히 기술하고자 한다. 표면 테이프 박리 시험에서, 4.0 N/㎜ 접착력이 있는 테이프를 성형품의 표면에 접착시키고, 그 다음 성형품의 표면으로부터 30회 박리시킨다. 30회 박리시키는 절차 전과 후에 성형품의 표면의 Ra 값으로 표현된 표면 거칠기를 측정하여, 상기 절차 전과 후에 제품의 표면 거칠기의 증가 정도를 상기 절차 전과 후에 얻은 Ra 값의 차이로 표현할 수 있다.
단지 단순화를 위해, 판형 성형품을 사용하여, 표면 테이프 박리 시험을 수행하는 일례를 하기에 설명하고자 한다:
도 1(1) 및 (2)는 판형 성형품의 제조 방법 및 이 판형 성형품을 사용한 표면 테이프 박리 시험을 나타내는 개략도이다. 도 1(1)에서, 공동부(2A)는 주형(도시되지 않음)에서 성형품을 형성하기 위한 공동부이다. 공동부(2A)에 용융 수지를 공급하기 위해 주형에 필름 게이트(3)가 배치된다. 필름 게이트(3)에는 공동부를 포함하는 러너(5)와 스프루(4)가 서로 연결되도록 설치되고, 스프루(4)는 용융 수지를 함유하는 사출 유닛으로 연결된다. 용융 수지를 사출 유닛으로부터 사출할 때, 용융 수지는 스프루(4)와 러너(5)를 통해 1A 방향으로 필름 게이트(3)에 공급된다. 필름 게이트(3)로부터, 용융 수지는 필름 게이트(3)의 용융 수지의 출구 부분의 반대쪽 면을 향하는 1B 방향으로 공동부(2A) 안으로 공급된다. 공동부(2A)를 용융 수지로 채우고, 필요에 따라 냉각 공정을 수행한 후에 그 다음 주형을 분해하여, 도 1(2)에 도해된 바와 같이 필름 게이트(3), 러너(5) 및 스프루(4)와 함께 판형 성형품(10)을 제공한다. 그 다음, 필름 게이트(3), 러너(5) 및 스프루(4)를 성형품(10)과 필름 게이트(3) 사이의 부분에서 판형 성형품(10)으로부터 절단함으로써 제거하여 판형 성형품(10)을 얻는다.
JISB06 01-1994에 정의된 산술 평균 거칠기 Ra 값인 표면 거칠기 Ra 값을 판형 성형품의 주요 표면에서(바람직하게는 평면 부분에서) 측정한다. 얻어진 값을 초기 표면 거칠기 Ra1[㎛]으로 간주한다. 다음, 초기 표면 거칠기 Ra1을 얻은 주요 표면에서 테이프 박리 시험을 수행한다. 4.0 N/㎜의 접착력이 있는 테이프를 사용한다. 이러한 테이프로서 하기 실시예 및 비교예에서 수행한 테이프 박리 시험에서는 Nichiban Co., Ltd에서 제조한 Cellotape(상표명) CT-18을 사용하였다.
도 2는 테이프(20)가 성형품에 접착된 상태를 나타내는, 테이프 한쪽면의 개략도이다. 테이프(20)와 성형품(10)의 표면 사이에 공기 방울이 발생하지 않도록 테이프(20)를 성형품(10)의 주요 표면에 접착시킨다. 성형품(10)의 흐름 방향(1B)을 따라 테이프(20)를 성형품에 접착시키는 것이 바람직하다. 그 다음 테이프(20) 를 성형품(10)으로부터 박리시킨다. 도 3은 테이프를 박리시킬 때 성형품(10)과 테이프(20)를 나타내는 개략적인 투시도이다. 성형품(10)의 주요 표면에 대해 45°각에서 1C 방향을 따라 빠르게(약 0.5 초∼ 1 초 동안) 테이프(20)를 박리시킨다. 테이프를 성형품에 접착시킨 후 테이프를 박리시킬 때까지의 머무름 시간은 1분 이내로 정한다. 이와 같은 접착 및 박리 절차는 성형품의 동일한 표면에서 매번 새로운 브랜드의 테이프를 사용하여 30회 수행한다.
그 후, 테이프를 접착 및 박리시키는 작업을 수행한 표면에서 표면 거칠기 Ra 값을 측정한다. 이 표면 거칠기를 작업 후 표면 거칠기 Ra2[㎛]로 간주한다. 작업 전과 후에 측정한 Ra 값으로 표현되는 표면 거칠기의 차이는 작업 후 표면 거칠기 Ra2에서 초기 표면 거칠기 Ra1을 뺌으로써 얻을 수 있다(즉, (Ra2-Ra1)[㎛]). 표면 거칠기 Ra의 값의 차이는 박리에 필요한 시간, 접착 단계에서 박리 단계까지의 기간 및 테이프를 접착 및 박리시키는 작업을 전술한 바와 같이 수행하는 경우의 시간에 의해 영향받지 않는다.
본 발명의 성형품을 제조하는 방법 및 조건은, 그것들이 테이프를 접착 및 박리시키는 작업 전과 후에 측정한 표면 거칠기의 차이가 0.4 ㎛ 이하인 표면을 가지는 성형품을 제공할 수 있는 한 제한되지는 않는다. 테이프를 접착 및 박리시키는 작업 전과 후에 측정한 표면 거칠기의 차이가 0.4 ㎛ 이하인 표면을 가지는 성형품을 얻어서 장치에서 부품으로 사용하는 경우, 성형품은 쉽게 미세 입자를 발생하는 경향이 있고 생산 수율을 감소시키고 부품의 사용 기간이 길어지면 오작동을 유발하는 경향이 있다. 테이프를 접착 및 박리시키는 작업 전과 후에 측정한 표면 거칠기의 차이가 작을수록, 더욱 바람직한 성형품이 된다. 차이는 0.3 ㎛ 이하의 범위가 바람직하고, 0.2 ㎛ 이하의 범위가 더욱 바람직하다. 전술한 바와 같이, 본 발명의 성형품을 사용하거나, 또는 제품을 제조하기 위해 본 발명의 성형품을 제조할 수 있는 성형 방법 및 조건을 수행함으로써, 비록 상기 부품이 앞서 장기간의 내구성 시험을 실시하지 않아도 사용 기간이 길어진 장치용 부품으로서 그것을 사용 시 입자 발생은 더 작게 예측될 수 있다. 안정하게 부품을 제조한다는 관점에서, 본 발명은 매우 유용하다.
본 발명의 성형품을 제조하는 적당한 방법 및 조건은 액정 고분자와 섬유상 충전재를 포함하는 수지 조성물을 미리 성형하여 본 발명의 소규모 판형 성형품(예를 들어, 64 ㎜ x 64 ㎜ x 1 ㎜ 치수의 성형품)을 제조함으로써 결정할 수 있다. 본 발명의 소규모 판형 제품을 제조하기 위한 것과 동일한 방법 및 조건들은 본 발명에 따른 임의의 크기 및 형태의 성형품을 제조하는 데 적용될 수 있다.
본 발명에 사용되는 액정 고분자는 용융 시 광학 이방성을 나타내고 500℃ 이하의 온도에서 이방성 성형 상태를 형성하는 고분자일 수 있다. 광학 이방성은 수직 편광자를 이용한 공지된 편광 분석법에 의해 확인할 수 있다. 액정 고분자는 이의 고분자 주요 사슬 및 측면 사슬 중 하나 또는 둘 다에서 긴 사슬을 따라 고강도의 길고, 좁고, 평평한 분자 사슬을 갖는 고분자("메소겐 기"라고도 함)일 수 있다. 더 높은 내열성을 가진 성형품이 목적인 경우, 본 발명에서 그것의 고분자 주요 사슬에 메소겐 기를 갖는 액정 고분자를 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 사용되는 액정 고분자의 예는 액정 폴리에스테르, 액정 폴리에 스테르아미드, 액정 폴리에스테르에테르, 액정 폴리에스테르카보네이트, 액정 폴리에스테르이미드, 액정 폴리아미드 등이다. 이것들 중, 고강도의 제조된 수지 성형품을 얻는다는 관점에서 볼 때, 액정 폴리에스테르, 액정 폴리에스테르아미드 및 액정 폴리아미드가 바람직하게 사용된다.
바람직한 액정 고분자의 예는:
(a) 하기 구조 단위 (I) 및/또는 하기 구조 단위 (II)를 가지는 폴리에스테르, 폴리에스테르아미드 및 폴리아미드;
(b) 하기 구조 단위 (III), 및 하기 구조 단위 (IV) 및 구조 단위 (I) 및 (II)로부터 선택된 구조 단위를 가지는 폴리에스테르 및 폴리에스테르아미드; 및
(c) 구조 단위 (III); 구조 단위 (I) 및 (II)로부터 선택된 구조 단위; 및 구조 단위 (IV), 구조 단위 (V) 및 구조 단위 (VI)로부터 선택된 구조 단위를 가지는 폴리에스테르 및 폴리에스테르아미드로부터 선택된 액정 고분자를 포함한다.
Figure 112008012292288-PAT00001
(I)
Figure 112008012292288-PAT00002
(II)
Figure 112008012292288-PAT00003
(III)
Figure 112008012292288-PAT00004
(IV)
Figure 112008012292288-PAT00005
(V)
Figure 112008012292288-PAT00006
(VI)
(식 중, Ar1, Ar2, Ar5 및 Ar6는 각각 독립적으로 2가 방향족 기를 나타내고; Ar3 및 Ar4는 각각 독립적으로 2가 방향족 기, 2가 지환족 기 및 2가 지방족 기로부터 선택된 기를 나타내고; Ar1 내지 Ar6에서, 방향족 기에 있는 방향족 고리 상의 모든 수소 원자의 일부는 할로겐 원자, 탄소 원자 수가 1 내지 10인 알킬기, 탄소 원자 수가 1 내지 10인 알콕시기 또는 탄소 원자 수가 6 내지 10인 아릴기로 치환될 수 있고, 지환족 기에 있는 모든 수소 원자의 일부는 탄소 원자 수가 1 내지 10인 알콕시기 또는 탄소 원자 수가 6 내지 10인 아릴기로 치환될 수 있고, 지방족 기에 있는 모든 수소 원자의 일부는 탄소 원자 수가 1 내지 10인 알콕시기 또는 탄소 원자 수가 6 내지 10인 아릴기로 치환될 수 있음).
전술한 구조 단위 중 방향족 기의 예는 단환식 방향족 화합물, 축합 방향족 화합물, 및 다수의 방향족 고리가 2가 결합기(단일 결합 포함)에 의해 연결된 방향족 화합물, 예컨대 벤젠, 나프탈렌, 비페닐렌, 디페닐에테르, 디페닐설폰, 디페닐케톤, 디페닐설파이드 및 디페닐메탄으로부터 선택된 방향족 화합물의 방향족 고리에 결합하는 2개의 수소 원자를 제거함으로써 얻어지는 기를 포함한다. 비스페닐-2,2-프로필리덴기, 1,4-비페닐렌기, 1,3-페닐렌기, 2,6-나프탈렌디일기 및 4,4'-비페닐렌기로부터 선택된 2가 방향족 기가 바람직하고, 방향족 기가 상기 기인 액정 고분자는 그것이 기계적 강도가 뛰어난 경향을 가지기 때문에 더 바람직하다.
구조 단위 (I)은 방향족 히드록시 카르복실산으로부터 유도될 수 있는 구조 단위이다. 방향족 히드록시 카르복실산의 예는 4-히드록시 벤조산, 3-히드록시 벤조산, 6-히드록시-2-나프토산, 7-히드록시-2-나프토산, 6-히드록시-1-나프토산, 4'-히드록시비페닐-4-카르복실산, 및 전술한 방향족 히드록시 카르복실산 중 방향족 고리 상의 수소 원자의 일부 또는 전부가 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자 등으로 치환된 방향족 히드록시 카르복실산을 포함한다. 상기 알킬기의 예는 탄소 원자 수가 1 내지 10인 직선형 사슬, 분지형 사슬 또는 환형 알킬기를 포함하며, 예컨대 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, tert-부틸기, 헥실기, 시클로헥실기, 옥틸기 및 데실기이다. 상기 알콕시기의 예는 탄소 원자 수가 1 내지 10인 직선형 사슬, 분지형 사슬 또는 환형 알콕시기를 포함하며, 예컨대 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로폭시기, 부톡시기, tert-부톡시기, 헥실옥시기, 시클로헥실기, 옥틸옥시기 및 데실옥시기이다. 상기 아릴기의 예는 탄소 원자 수가 6 내지 10인 아릴기를 포함하며, 예컨대 페닐기 및 나프틸기이다. 상기 할로겐 원자는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 및 요오드 원자로부터 선택된다.
구조 단위 (II)는 방향족 아미노 카르복실산으로부터 유도될 수 있는 구조 단위이다. 방향족 아미노 카르복실산의 예는 4-아미노 벤조산, 3-아미노 벤조산, 6-아미노-2-나프토산, 및 전술한 방향족 아미노 카르복실산 중 방향족 고리 상의 수소 원자의 일부 또는 전부가 알킬기, 알콕시기, 아릴기 또는 할로겐 원자로 치환된 방향족 아미노 카르복실산을 포함한다. 이때, 상기 알킬기, 알콕시기, 아릴기 및 할로겐 원자의 예는 전술한 방향족 히드록시 카르복실산의 예와 동일하다.
구조 단위 (V)는 방향족 히드록실아민으로부터 유도될 수 있는 구조 단위이다. 방향족 히드록실아민의 예는 4-아미노페놀, 3-아미노페놀, 4-아미노-1-나프톨, 4-아미노-4'-히드록시디페닐, 및 전술한 방향족 히드록실아민 중 방향족 고리 상의 수소 원자의 일부 또는 전부가 알킬기, 알콕시기, 아릴기 또는 할로겐 원자로 치환된 방향족 히드록실아민을 포함한다. 이때, 상기 알킬기, 알콕시기, 아릴기 및 할로겐 원자의 예는 전술한 방향족 히드록시 카르복실산의 예와 동일하다.
구조 단위 (VI)은 방향족 디아민으로부터 유도될 수 있는 구조 단위이다. 방향족 디아민의 예는 1,4-페닐디아민, 1,3-페닐디아민, 4,4'-디아미노페닐설파이드(티오디아닐린이라고도 함), 4,4'-디아미노디페닐설폰, 4,4'-디아미노디페닐에테르("옥시디아닐린"이라고도 함), 전술한 방향족 디아민 중 방향족 고리 상의 수소 원자의 일부 또는 전부가 알킬기, 알콕시기, 아릴기 또는 할로겐 원자로 치환된 방향족 디아민, 및 전술한 방향족 디아민의 1차 아미노기에 결합하는 수소 원자가 알킬기로 치환된 방향족 디아민을 포함한다. 이때, 상기 알킬기, 알콕시기, 아릴기 및 할로겐 원자의 예는 전술한 방향족 히드록시 카르복실산의 예와 동일하다.
전술한 구조 단위 (III) 중 Ar3의 예 및 구조 단위 (IV) 중 Ar4의 예는 탄소 원자 수가 약 1 내지 10인 포화 지방족 화합물로부터 2개의 수소 원자를 제거하여 얻은 2가 지환족 기 및 2가 지방족 기를 포함하며, 또한 Ar1, Ar2, Ar5 및 Ar6에서의 방향족 기의 예도 전술한 바와 동일하다.
구조 단위 (III)는 방향족 디카르복실산 또는 지방족 디카르복실산으로부터 유도될 수 있는 기이다. 상기 방향족 디카르복실산의 예는 테레프탈산, 프탈산, 4,4'-디페닐 디카르복실산, 4,4'-트리페닐 디카르복실산, 2,6-나프탈렌 디카르복실산, 디페닐에테르-4,4'-디카르복실산, 이소프탈산, 디페닐에테르-3,3'-디카르복실산, 2,2-비스(4-히드록시페닐)프로판[비스페놀 A], 및 전술한 방향족 디카르복실산 중 방향족 고리 상의 수소 원자의 일부 또는 전부가 알킬기, 알콕시기, 아릴기 또는 할로겐 원자로 치환된 방향족 디카르복실산을 포함한다.
상기 지방족 디카르복실산의 예는 말론산, 숙신산, 아디프산, 트랜스-1,4-시클로헥산 디카르복실산, 시스-1,4-시클로헥산 디카르복실산 및 1,3-시클로헥산 카르복실산; 트랜스-1,4-(1-메틸)시클로헥산 디카르복실산, 시스-1,4-(1-메틸)시클로헥산 디카르복실산 등의 지환족 디카르복실산, 및 전술한 지방족 디카르복실산 중 지방족 기 또는 지환족 기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 알콕시기, 알릴기 또는 할로겐 원자로 치환된 지방족 디카르복실산을 포함한다.
상기 알콕시기, 아릴기 및 할로겐 원자의 예는 전술한 방향족 히드록시 카르복실산의 예에서와 동일하다.
구조 단위 (IV)는 방향족 디올 또는 지방족 디올로부터 유도될 수 있는 기로서, 상기 방향족 디올의 예는 히드로퀴논, 레소르신, 나프탈렌-2,6-디올, 4,4'-비페닐렌디올, 3,3'-비페닐렌디올, 4,4'-디히드록시디페닐에테르, 4,4'-디히드록시디페닐설폰, 및 이러한 방향족 디올 중 방향족 고리 상의 수소 원자의 일부 또는 전부가 알킬기, 알콕시기, 아릴기 또는 할로겐 원자로 치환된 방향족 디올을 포함한다.
상기 지방족 디올의 예는 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 부틸렌디올, 네오펜틸 글리콜, 1,6-헥산디올, 트랜스-1,4-시클로헥산디올, 시스-1,4-시클로헥산디올, 트랜스-1,4-시클로헥산디메탄올, 시스-1,4-시클로헥산디메탄올, 트랜스-1,3-시클로헥산디올, 시스-1,2-시클로헥산디메탄올, 트랜스-1,3-시클로헥산디메탄올, 및 전술한 지방족 디올 중 지방족 기 또는 지환족 기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 알콕시기, 아릴기 또는 할로겐 원자로 치환된 지방족 디올을 포함한다.
상기 알콕시기, 아릴기 및 할로겐 원자의 예는 전술한 방향족 히드록시 카르복실산의 예에서와 동일하다.
전술한 (b) 군 및 (c) 군 중 액정 고분자는 구조 단위 (III) 및 구조 단위 (IV) 중 지환족 기 및/또는 지방족 기를 가질 수 있다. 액정 고분자 중 상기와 같은 지환족 기 및/또는 지방족 기의 양은 액정 고분자가 액상 결정성을 나타내고 그것의 내열성을 현저하게 망치지 않는 범위 내에서 결정될 수 있다. 제조된 성형품의 내열성은 지환족 및/또는 지방족 기의 양에 의해 영향받을 수 있다. 액정 고분자가 포함하는 방향족 기의 양이 많을수록, 액정 고분자가 가지는 내열성은 더 높아지는 것이 바람직하다.
본 발명에서, 전술한 (a) 군 및 하기에 각각 기술된 (b)' 군과 (c)' 군으로부터 선택된 액정 고분자를 사용하는 것이 바람직하다:
(b)' 고분자의 2가 방향족 기의 총량이 고분자 중 Ar1, Ar2, Ar3 및 Ar4의 총량을 기준으로 60 몰% 이상인, 전술한 (b) 군으로부터 선택된 액정 고분자; 및
(c)' 고분자의 2가 방향족 기의 총량이 고분자 중 Ar1, Ar2, Ar3, Ar4, Ar5 및 Ar6의 총량을 기준으로 60 몰% 이상인, 전술한 (c) 군으로부터 선택된 액정 고분자.
상기 (b)' 군과 (c)' 군으로부터 선택된 액정 고분자에서, 2가 방향족 기의 총량은 75 몰% 이상이 바람직하고, 90 몰% 이상이 더욱 바람직하다. 2가 방향족 기의 총량이 100 몰%인 액정 고분자, 즉 "완전한 방향족 액정 고분자"가 더 더욱 바람직하다.
전술한 바와 같이 예로 든 상기 방향족 액정 고분자 중에서, (a) 군 중 폴리에스테르와 (b) 군 중 폴리에스테르를 사용하는 것이 바람직하고, 특히 (b) 군 중 폴리에스테르를 사용하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, 이러한 바람직한 고분자 중에서, 폴리에스테르 및 후술될 구조 단위를 갖는 폴리에스테르는 상기 폴리에스테르가 내열성이 뛰어나고, 기계적 강도 및 난연성이 높은 동시에 우수한 사출 성형가공성을 가지는 성형품을 제공할 수 있도록 하는 이점을 가진다. 즉, 폴리에스테르 및 하기와 같은 단위를 가지는 폴리에스테르를 사용하는 것이 바람직하다:
하기 방향족 히드록시 카르복실산 (I-1) 및 (I-2)로부터 선택된 1 이상의 방향족 히드록시 카르복실산으로부터 유도된 구조 단위;
하기 방향족 디카르복실산 (III-1), (III-2) 및 (III-3)으로부터 선택된 1 이상의 방향족 디카르복실산으로부터 유도된 구조 단위; 및
하기 방향족 디카르복실산 (IV-1), (IV-2), (IV-3) 및 (IV-4)로부터 선택된 1 이상의 방향족 디올로부터 유도된 구조 단위
Figure 112008012292288-PAT00007
Figure 112008012292288-PAT00008
(I-1) (I-2)
Figure 112008012292288-PAT00009
Figure 112008012292288-PAT00010
Figure 112008012292288-PAT00011
(III-1) (III-2) (III-3)
Figure 112008012292288-PAT00012
Figure 112008012292288-PAT00013
Figure 112008012292288-PAT00014
Figure 112008012292288-PAT00015
(IV-1) (IV-2) (IV-3) (IV-4).
예를 들어, 전술한 액정 고분자는 하기 언급된 단량체들을 사용하여 공지된 중합반응 방법으로 제조될 수 있다.
(a) 군 중 고분자를 제조하기 위한 단량체의 예는 방향족 히드록시 카르복실산 및/또는 방향족 아미노 카르복실산을 포함한다. (b) 군 중 고분자를 제조하기 위한 단량체의 예는 방향족 히드록시 카르복실산과 방향족 아미노 카르복실산으로부터 선택된 1 이상, 방향족 디카르복실산과 지방족 디카르복실산으로부터 선택된 1 이상 및 방향족 디올과 지방족 디올로부터 선택된 1 이상을 포함한다. (c) 군 중 고분자를 제조하기 위한 단량체의 예는 방향족 카르복실산과 방향족 아미노 카르복실산으로부터 선택된 1 이상, 방향족 디카르복실산과 지방족 디카르복실산으로부터 선택된 1 이상 및 방향족 디올, 지방족 디올, 방향족 히드록실아민과 방향족 디아민으로부터 선택된 1 이상을 포함한다.
(b) 군 중 바람직한 폴리에스테르는 단량체로서 방향족 히드록시 카르복실산, 방향족 디카르복실산 및 방향족 디올을 사용하여 제조할 수 있다.
전술한 단량체는 상기 단량체에 상응하는 액정 고분자를 제조하기 위해 직접 중합반응될 수 있다. 대안으로, 중합반응은 상기 단량체로부터 제조된 에스테르형성 유도체 또는 아미드형성 유도체(이하, 각각 "에스테르형성 유도체" 및 "아미드형성 유도체"라고 함)를 사용하여 수행될 수 있다. 에스테르형성 유도체 또는 아미드형성 유도체를 사용하는 경우, 바람직하게도 중합반응은 용이하게 진행된다. 에스테르형성 유도체 및 아미드형성 유도체들은 에스테르 생성 반응 또는 아미드 생성 반응을 촉진하는 기를 갖는 단량체이다. 상기 에스테르형성 유도체 및 아미드형성 유도체의 예는 단량체 중 카르복실산 기가 할로포밀기, 산 무수물 및 저급 알코올을 가진 에스테르기로 전환된 화합물; 단량체 중 페놀성 히드록시기 및 페놀성 아미노기가 에스테르기 및 아미드기로 각각 전환된 화합물을 포함한다.
(b) 군 중 바람직한 폴리에스테르는 에스테르형성 유도체로서 아크릴화 물질을 사용한 중합반응 방법에 의해 제조될 수 있으며, 이는 일본 특허 공개 제2002-146003호에서 기술하고 있다. 예를 들어, 방향족 히드록시 카르복실산 및 방향족 디올의 페놀성 히드록시 기를 아실기로 전환하여(무수 산, 바람직하게는 무수 아세트산을 사용), 산 및 디올에 상응하는 아실화 물질을 제조한다. 그 다음, 상기 아실화 물질 중 아실기와 상기 방향족 디카르복실산 중 카르복실기의 에스테르교환반응이 진행되도록, 상기 아실화 물질을 방향족 디카르복실산과 탈아세트산 중합반응시킨다. 상기 탈아세트산 중합반응을 약 0.5 시간∼8 시간에 걸쳐 150℃∼400℃의 온도에서 아실화 물질 및 방향족 디카르복실산의 용융 중합반응에 의해 수행하여 비교적 저 분자량의 폴리에스테르를 얻을 수 있다. 상기 용융 중합반응에 이어 상기 비교적 저 분자량의 폴리에스테르를 예비고분자(pre-polymer)로서 사용한 고상 중합반응을 수행할 수 있다. 예를 들어, 상기 용융 중합반응에서 제조된 예비고분자를 이의 가루로 만들고, 그 다음 고체 상태로 가열하여 고상 중합반응을 수행한다. 중합반응 공정은 진행하여 또한 생성된 폴리에스테르의 분자량을 증가시키기 때문에 고상 중합반응을 수행하는 것이 바람직하다.
본 발명에서, 섬유상 충전재는 본 발명의 제조된 수지 성형품의 강도를 향상시키는 데 사용된다. 섬유상 충전재의 재료로서, 더 높은 강도를 가진 수지 성형품을 얻기 위해서는 무기 물질이 바람직하다. 섬유상 충전재 재료의 예는 유리 섬유, PAN계 탄소 섬유, 피치계 탄소 섬유, 알루미나 섬유, 실리카 섬유 및 실리카-알루미나 섬유를 포함한다. 그들 중에, 입수가능성 및 상기 섬유를 함유하는 제조 수지 조성물을 성형하는 기기에 주어진 웨어 로드(wear load)를 고려할 때 유리 섬유가 더욱 바람직하다.
본 발명의 수지 성형품은:
액정 고분자와 섬유상 충전재를 용융혼합 및 펠렛화하여 수지 조성물 펠렛을 얻는 단계; 및
상기 수지 조성물 펠렛을 성형하는 단계
를 포함하는 방법에 의해 제조될 수 있다.
수지 조성물 펠렛을 제조할 때, 거기에 1종 이상의 첨가제(하기 언급)를 첨 가할 수 있다. 강도 향상 면에서, 수지 조성물 펠렛 중 섬유상 충전재는 섬유 직경이 5 ㎛∼15 ㎛ 이고, 수 평균 섬유 길이가 30 ㎛∼200 ㎛인 것이 바람직하다. 즉, 본 발명의 수지 성형품은 액정 고분자 및 섬유 직경이 5 ㎛∼15 ㎛ 이고, 수 평균 섬유 길이가 30 ㎛∼200 ㎛인 섬유상 충전재를 포함하는 수지 조성물 펠렛을 성형하는 단계를 포함하는 방법에 의해 제조될 수 있다. 상기 섬유상 충전재의 섬유 직경 및 수 평균 섬유 길이가 전술한 범위 내에 있을 때, 제조된 수지 성형품의 강도(특히, 흐름 터미널 사이의 용접 표면의 강도를 나타내는 용접 강도)는 더욱 향상되고, 또한 제조된 수지 성형품의 표면 거칠기가 거의 증가하지 않는 경향이 있고, 전술한 미세 입자들이 거의 발생하지 않는 경향이 있다. 테이프를 접착 및 박리시키는 작업의 전과 후에 측정된 Ra 값으로 표현된 표면 거칠기의 차이를 감소시키거나 또는 제조된 제품의 강도를 향상시키기 위해, 수지 조성물 펠렛 중 섬유상 충전재는 섬유 직경이 6 ㎛∼12 ㎛ 이고, 수 평균 섬유 길이가 50 ㎛∼150 ㎛인 것이 바람직하다.
전술한 수지 조성물 펠렛 중 섬유상 충전재의 섬유 직경 및 수 평균 섬유 길이는 하기의 방법에 의해 측정될 수 있다:
첫째, 수지 조성물 펠렛을 약 600℃ 이상의 온도에서 연소시켜 그의 재를 만들고, 메탄올을 사용하여 슬라이드 유리에 분산시킨다. 슬라이드 유리 상에 분산된 재의 사진을 현미경을 이용하여 찍고, 재 중에 400개 이상의 섬유상 충전재의 직경 및 길이를 측정한다. 상기 측정으로부터 제조된 섬유상 충전재의 직경 및 길이의 평균값을 전술한 수지 조성물 펠렛 중 섬유상 충전재의 섬유 직경 및 수 평균 섬유 길이로 간주할 수 있다.
섬유상 충전재는 실란 결합제 및 티타늄 결합제 등의 결합제를 사용하거나 또는 열경화성 수지 및 열가소성 수지 등의 수지를 사용하여 표면 처리를 수행하지 않은 섬유상 충전재가 바람직하다. 어떠한 표면 처리도 하지 않은 섬유상 충전재를 사용할 때, 제조된 수지 성형품으로부터의 가스 발생이 감소하여 성형품의 화학적 안정성을 증가시킨다. 또한, 표면처리 하지 않은 섬유상 충전재는 가스 발생이 감소하여 장치의 부품이 가스에 의해 덜 오염되도록 하기 때문에 전기/전자 장치 및 충전재를 포함하는 수지 제품을 비롯한 광학 장치를 제조하는 데 장점을 가진다.
본 발명의 수지 성형품을 제조하기 위해, 액정 고분자와 섬유상 충전재(둘 다 앞서 언급함)를 포함하는 수지 조성물의 펠렛을 이용할 수 있다. 상기 펠렛은 함께 함유된 액정 고분자 100 중량부를 기준으로 5 내지 250 중량부의 섬유상 충전재를 함유하는 것이 바람직하다. 섬유상 충전재가 250 중량부를 초과하는 경우, 제조된 펠렛의 사출 성형 가공성이 감소할 수 있고, 제조된 수지 성형품은 낮은 기계적 강도를 갖기 쉬우므로 약하게 된다. 한편, 섬유상 충전재의 양이 5 중량부 미만인 경우, 수지 성형품의 치수 안정성이 감소하여 목적하는 치수를 갖는 성형품을 거의 얻지 못하고, 또한 액정 고분자의 이방성이 성형품에서 강하게 나타날 수 있고, 따라서 성형품에서 요곡 등이 발생하기 쉽다. 더욱이, 사용된 섬유상 충전재의 양이 더 작아질수록, 제조된 성형품의 기계적 강도의 향상이 감소하는 결과를 초래할 수 있다.
전술한 펠렛 특성들의 균형의 관점에서, 펠렛 중 섬유상 충전재의 양은 펠렛 중 함께 함유된 액정 고분자 100 중량부를 기준으로 25 내지 100 중량부가 바람직하고, 40 내지 70 중량부가 더욱 바람직하다.
게다가, 본 발명의 목적에 반대 영향을 주지 않는 한, 기타 성분들(첨가제 등)이 전술한 조성물 펠렛에 포함될 수 있다. 이러한 제3 성분의 예는 위스커, 착색 성분, 윤활제 및 다양한 안정제를 포함한다. 하지만, 이러한 제3 성분을 사용하는 경우에, 전술한 섬유 충전재와 관련하여 기재한 바와 같이 제조된 수지 성형품의 화학적 안정성 감소, 가스 발생으로 인한 주변 오염 가능성 등이 고려될 필요가 있다.
전술한 조성물 펠렛은 다양한 공지된 방법으로 제조될 수 있다. 펠렛화 단계에서, 섬유상 충전재를 너무 많이 짧은 길이의 충전재로 절단하지 않는 것이 바람직하다. 예를 들어, 액정 고분자와 섬유상 충전재를 포함하는 조성물 펠렛은 미리 압출기를 이용하여 액정 고분자를 열 용융하는 단계, 및 그 다음 섬유 충전재와 광학 성분을 첨가 및 반죽하는 단계에 의해 제조될 수 있다. 대안으로, 상기 조성물 펠렛은 Henschel 혼합기, 텀블러 등을 이용하여 액정 고분자, 섬유상 충전재 및 광학 성분을 모두 함께 혼합하여 이의 혼합물을 얻는 단계, 및 이 혼합물을 압출기를 이용하여 용융반죽해서 상기 혼합물을 펠렛화하는 단계에 의해 제조될 수 있다. 너무 많이 짧은 길이의 충전재를 얻는 것이 어렵고 취급이 용이하기 때문에, 2축의 반죽 압출기를 압출기로 사용하는 것이 바람직하다.
펠렛화 단계에서 너무 많이 짧은 길이의 섬유상 충전재를 얻는 것을 피하기 위해, 혼합 온도, 용융반죽 온도, 전단력 등을 적당히 선택할 수 있다. 예를 들어, 혼합단계는 0℃의 온도 내지 혼합될 액정 고분자의 유동 개시 온도(FT 0(℃)라고 함)에서 수행할 수 있다. 혼합단계를 FT 0℃보다 높은 온도에서 수행하는 경우, 충전재 및 광학 성분이 제조된 펠렛에서 일정하게 분산되는 것이 어려운 경향이 있다. 실시에서, 혼합단계는 0.001 시간∼5 시간 동안, 바람직하게는 0.01 시간∼3 시간 동안 20℃∼200℃의 온도에서 수행될 수 있다. 용융반죽단계는 수지 조성물의 유동 개시 온도보다 10℃ 더 높은 온도(FT+10(℃)) 내지 유동 개시 온도보다 80℃ 더 높은 온도(FT+80(℃))에서 수행할 수 있다. 압출기에 의한 전단력을 비롯한, 용융 반죽 단계에서 전단력은 사용된 압출기의 유형 및 스케일에 따라 적당하게 선택될 수 있다.
섬유상 충전재 단축 정도를 측정하여 섬유의 수 평균 섬유 길이가 전술한 범위가 되도록 혼합 단계 및 용융 반죽 단계의 조건을 최적화할 수 있다. 대안으로, 비교적 긴 길이의 충전재를 사용하여, 강한 전단력을 가진 용융반죽 단계 동안 충전재를 절단함으로써 충전재의 수 평균 섬유 길이가 전술한 범위가 되도록 조절할 수 있다. 용융반죽 기계의 손상을 피하고 비용을 낮추는 관점에서, 혼합 및 용융반죽 단계 동안 섬유 길이를 유지하는 것이 바람직하다. 즉, 펠렛화를 위한 혼합 및 용융반죽 단계 동안 섬유 길이가 너무 많이 단축되지 않도록, 수 평균 섬유 길이가 50 ㎛∼500 ㎛인 섬유상 충전재를 사용하여 액정 고분자와 섬유상 충전재를 함유하는 펠렛을 제조하는 것이 바람직하다. 충전재의 직경은 펠렛의 제조에서 유지되는 경향이 있고, 따라서 펠렛을 제조하는 데 섬유 직경이 전술한 범위(즉, 5 내지 15 ㎛의 섬유 직경)인 섬유상 충전재를 사용할 수 있다. 전술한 액정 고분자의 유동 개시 온도 FT 0(℃)는 200℃보다 높고, 500℃ 이하인 것이 바람직하다. 이러한 범위에서 유동 개시 온도 FT 0(℃)을 갖는 액정 고분자를 사용하는 경우, 제조된 수지 성형품은 바람직하게 뛰어난 내열성을 가지기 쉽다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 있어서 액정 고분자와 섬유상 충전재를 함유하는 수지 조성물 펠렛을 제조하고, 그 다음 상기 수지 조성물 펠렛의 성형 단계를 수행하여 수지 성형품을 얻는 것이 바람직하다. 이러한 경우에, 수지는 사출 성형 등의 성형 단계에서 용이하게 취급될 수 있다.
<수지 성형품의 성형 방법>
본 발명의 수지 성형품은 전술한 수지 조성물 펠렛을 사출 성형함으로써 얻을 수 있다. 이러한 성형의 한가지 예는 하기와 같이 기술된다:
먼저, 수지 조성물 펠렛의 유동 개시 온도 FT 0(℃)를 측정한다. 이때, 수지 조성물 펠렛의 유동 개시 온도는 수지 조성물 펠렛이 사출 성형기의 가소화 장치에서 용융하는 온도이다. 대부분 경우에, 수지 조성물 펠렛의 유동 개시 온도는 수지 조성물 펠렛 중 액정 고분자의 것과 동일하다. 노즐(내경 1 ㎜ 및 길이 10 ㎜)을 갖춘 모세관 점도계를 이용하여 하중 9.81 MPa(100 kgf/cm2) 하에 분당 4℃의 온도 증가 속도로 수지 또는 조성물을 가열하고 제조된 용융 수지 또는 조성물을 노즐로부터 압출하는 동안, 측정할 수지 또는 조성물의 용융 점도가 4800 Pa·s(4800 푸아즈)인 온도가 유동 개시 온도이다. 유동 개시 온도가 액정 고분자의 분자량을 나타내는 지표인 것은 알려져 있다(예를 들어, "Synthesis, Molding, and Application of Crystalline Polymer" edited by Naoyuki Koide, p. 95 to 105, published by CMC Publishing Co., Ltd., On June 5, 1987 참조). 본 명세서에서 언급한 유동 개시 온도는 Shimadzu Corporation에 의해 제조된 흐름 특성 평가기 "FLOW TESTER CFT-500D"를 이용하여 측정하였다.
수지 성형품의 입자 발생을 감소시키는 관점에서, 본 발명의 수지 성형품은:
수지 조성물의 유동 개시 온도(FT(℃))보다 30℃ 더 높은 온도(즉, [FT+30](℃) 이상) 내지 유동 개시 온도보다 80℃ 더 높은 온도(즉, [FT+80](℃) 이상)에서 수지 조성물 펠렛을 용융시켜 용융 수지 조성물을 얻는 단계; 및
상기 용융 수지 조성물을 설정 온도가 80℃ 이상인 주형에 사출하여 조성물을 성형하는 단계를 포함하는 방법에 의해 제조되는 것이 바람직하다. 상기 수지 조성물 펠렛은 사출 성형 전에 건조하는 것이 바람직하다.
수지 성형품의 입자 발생은 성형 단계에서의 수지의 용융 온도 및 사출용 주형의 온도에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 수지 용융 온도가 [FT+30]℃보다 낮은 온도에서 사출 성형을 수행하는 경우, 제조된 수지 성형품의 표면 강도가 감소하기 쉽고, 입자 발생이 촉진되기 쉽고, 성형 단계에서 수지 또는 조성물의 유동성이 현저하게 감소할 수 있어 바람직하지 않다. 한편, 수지 용융 온도가 [FT+80]℃보다 높은 온도에서 사출 성형을 수행하는 경우, 성형기에서 액정 고분자의 분해가 발생할 수 있고, 그 결과 수지 성형품에서 탈가스 등이 쉽게 발생할 수 있고, 전기/전자 부품으로서, 그리고 광학 장치에서 수지 성형품을 사용하는 것이 어렵게 되는 경향이 있다. 또한, 후자의 경우, 용융 수지는 노즐로부터 쉽게 흘러나오는 경 향이 있고, 원치않게 사출 성형 후에 주형 밖으로 제조된 수지 성형품을 꺼낼 때 수지 성형품의 생산성을 감소시키는 원인이 될 수 있다. 수지 성형품의 안정성 및 성형 특성을 고려할 때, 수지 용융 온도는 [FT+30]℃ 내지 [FT+60]℃의 범위가 더욱 바람직하다.
전술한 바와 같이, 사출기에서의 주형의 온도는 80℃ 이상이 바람직하다. 주형의 온도가 80℃ 미만인 경우, 제조된 수지 성형품의 표면 평활도는 불리한 영향을 받을 수 있으며, 이는 입자의 발생을 촉진하는 경향이 있다. 주형의 온도가 놓을수록 입자 발생량이 감소된다는 관점에서 더욱 이롭지만, 너무 높은 온도의 주형은 주형 냉각에 장시간이 소요됨으로 인해 생산성이 감소할 수 있고, 이형성 감소로 인해 제조된 성형품이 변형될 수 있으며, 또한 주형 사이의 맞물림이 나빠져 주형을 개폐할 때 제조된 성형품을 손상시킬 위험이 발생하기 때문에 바람직하지 않다. 주형의 온도 상한선은 수지 조성물 펠렛의 유형에 따라 달라질 뿐 아니라 상기 수지 조성물 펠렛에 함유된 액정 고분자의 분해 방지를 위해 적당히 최적화하는 것이 바람직하다. 전술한 바람직한 전체 방향족 폴리에스테르를 본 발명에서 액정 고분자로 사용하는 경우에, 주형의 온도는 100℃∼220℃ 범위가 바람직하고, 130℃∼200℃ 범위가 더욱 바람직하다.
더욱 실용적이고 더욱 바람직한 사출 성형 조건이 요구되는 경우에, 사출 성형의 예비 실험을 수행할 수 있으나 예비 실험이 본 발명에서 필수적인 것은 아니다. 예를 들어, 성형 온도 및 수지 용융 온도가 변한 것을 제외하고는 전술한 바와 동일한 방식으로 판형 성형품(앞서 단순화로 언급함; "표준 성형품"으로 사용될 수 있음)을 제조하는 방법으로 예비 실험을 수행하고, 그 다음 이 방법으로 제조된 성형품을 테이프 박리 시험을 하여 성형 온도 등의 최적 조건을 결정한다. 더욱 구체적으로, 예비 실험의 일례는 하기와 같이 수행된다:
판형 성형품을 [FT+40]℃ 내지 [FT+50]℃인 바람직한 범위의 수지 용융 온도의 중심 온도에서 수지 조성물 펠렛을 용융시키는 단계, 약 80℃의 설정 온도에서 주형에 용융 조성물을 사출 성형하는 단계에 의해 제조된다. 이때, 수지 조성물 펠렛의 유동 개시 온도 FT는 미리 제조된다. 그 다음 판형 성형품을 표면 테이프 박리 시험하여 표면 테이프 박리 시험 전과 후에 측정한 Ra 값의 차이를 얻는다. 성형 온도를 점차 상승시켜 각각의 성형 온도하에 제조된 각각의 성형품에 대한 표면 테이프 박리 시험 전과 후에 측정된 Ra 값의 차이를 얻는 동안 상기와 같은 성형단계를 반복 수행한다. 동일한 방식으로, 수지 용융 온도를 점차 낮추어 각각의 수지 용융 온도하에 제조된 각각의 성형품에 대한 표면 테이프 박리 시험 전과 후에 측정된 Ra 값의 차이를 얻는 동안 성형단계를 반복 수행한다. 예비 실험의 이러한 결과들을 기반으로, 성형 온도 및 수지 용융 온도 등의 성형 조건을 최적화할 수 있다. 예비 실험에서 성형품을 가지고 표면 테이프 박리 시험 외에도 성형품의 기계적 강도(용접 강도)를 측정하기 위한 시험을 하면, 제조된 제품의 기계적 강도의 관점에서 더욱 바람직한 성형 조건을 얻을 수 있다.
예비 실험에서 성형단계의 사출 속도는 사용할 성형기에 따라 여러 가지 바람직한 범위로 정해질 수 있다. 예를 들어, 성형단계는 약 50 ㎜/sec 이상의 사출 속도에서 수행할 수 있다.
앞서 제조된 최적화된 사출 성형 조건은 단지 표준 성형품을 얻기 위한 주형을 목적 물품을 제조하기 위한 주형으로 대체함으로써 목적 물품을 제조하는 성형단계에 적용될 수 있다. 이러한 방식으로, 입자 발생을 감소시킬 수 있는 수지 성형품을 얻을 수 있다. 상기 방법으로 제조된 수지 성형품은 전기/전자 부품용 및 광학 장치용 성분에 바람직하게 적용될 수 있다.
성형 조건을 최적화하기 위한 전술한 방법은 표준 성형품용 주형을 사용해서뿐 아니라 목적하는 물품용 주형을 사용하여 적용될 수 있다. 목적하는 형태를 가진 수지 제품을 얻기 위한 주형을 사용하는 경우, 표면 테이프 박리 시험은 제품의 평평한 표면에서 수행된다.
본 발명에서 제공될 수 있는 부품의 예는 커넥터, 소켓, 계전기 부품, 코일 통, 광 픽업, 발진기, 인쇄회로기판, 회로판, 반도체 패키지 및 컴퓨터 관련 부품 등의 전기/전자 부품; IC 트레이 및 웨이퍼 캐리어 등의 반도체 제조 공정 관련 부품; VTR, 텔레비젼, 다리미, 에어컨, 스테레오, 진공청소기, 냉장고, 밥솥 및 조명 등의 가전제품; 램프 반사기 및 램프 홀더 등의 조명 부품; 컴팩트 디스크, 레이저 디스크 및 스피커 등의 오디오 제품 부품; 광 케이블용 페룰, 전화 부품, 팩스 부품 및 모뎀 등의 통신 장비 부품; 분리 갈고리 및 히터 홀더 등의 복사기 및 인쇄기 관련 부품; 임펠러, 팬 기어, 기어, 베어링, 모터 부품 및 케이스 등의 기계 부품; 자동차용 기계 부품, 엔진 부품, 엔진실 부품, 전기 부품 및 인테리어 부품 등의 자동차 부품; 전자레인지 및 내열성 식탁 식기류 등의 조리 기구; 건축 자재 및 바닥재 및 벽 재료 등의 절연 및 방음을 위한 재료, 들보 및 기둥 등의 지지 재료 및 지붕 재료 등의 토목공학 및 건축용 재료; 비행기, 우주선 및 우주 기기용 부품; 핵 반응기 등의 방사선 설비 재료, 해양 설비 재료, 세정 장치, 광학 메카니즘 부품, 밸브, 파이프, 노즐, 필터, 필름, 의학용 기계 부품 및 의학용 재료, 센서 부품, 위생 장비, 스포츠 상품 및 레크리에이션 상품을 포함한다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 수지 성형품은 다양한 분야에서 사용될 수 있다. 입자 양의 감소로 인해, 성형품은 스위치, 계전기, 영상 센서 등의 다양한 센서, 발광 다이오드(LED) 및 광학 메카니즘 시스템에서 이롭게 이용될 수 있고, 특히 스위치, 영상 센서 및 카메라 모듈 부품에서 더욱 유용하다. 특히, 본 발명의 수지 성형품은 카메라 모듈 부품에서 유용하다.
도 4는 전술한 카메라 모듈 부품(100)의 일례를 나타내는 개략적인 단면도이다. 광학 소자(111)를 기판(110) 상에 배치하고, 납 전선(113)에 의해 기판과 전기적으로 결합시킨다. 상부에 공동부를 가진 홀더(120)를 기판(110)에 광학 소자(111)를 덮기 위해 배열하고, 공동부에 나선을 제공한다. 한편, 홀더(120)의 상부에 나선과 구부리기 위하여 렌즈(114)와 부착된 배럴(121)을 배치하여 카메라 모듈을 형성한다. 더 나아가, 카메라 모듈 부품에서, IR 필터(112)를 홀더(120)에 결합시켜 렌즈(114)를 통한 광이 광학 소자(111)에 도착하는 광로 상에 있도록 한다. 렌즈(114)와 광학 소자(111) 사이의 거리는 카메라 모듈 부품 중 초점 조정에 있어서 홀더(120)의 나선 부분인 배럴을 이동시켜 조정하기 때문에, 홀더(120) 및/또는 배럴(121)이 본 발명의 성형품이 아닌 수지 성형품으로 제조되는 경우에 시간이 지날수록 이러한 부품들이 쉽게 닳는 경우가 있다. 일단 부품이 마모되어 홀더(120) 또는 배럴(121)로부터 많은 입자들이 발생하면, 입자들은 IR 필터 또는 광학 소자에 달라붙어 카메라 모듈 성분의 오작동을 초래할 수 있다. 게다가, 마모가 진행되고 홀더(120) 또는 배럴(121)의 표면이 사용시 진공으로 인해 거칠어질 때 입자들은 더욱 쉽게 발생할 수 있다.
본 발명의 수지 성형품이 카메라 모듈 부품(100)에서 홀더(120) 및/또는 배럴(121)로 적용되는 경우에, 마모로 인한 입자 발생은 방지될 수 있거나 또는 적어도 매우 감소하고, 입자들로 인한 오작동을 방지하여 카메라 모듈 부품(100)의 더 긴 작업 수명을 달성할 수 있다. 카메라 모듈 부품뿐 아니라 디지털 장치의 소형화 및 구성 요소들을 더 얇게 제조하는 것이 진보한 최근 몇 년간의 동향을 볼 때, 본 발명은 전술한 수지 조성물을 사용함으로써 소형화 등의 요구를 충족시키는, 얇고 성형성이 뛰어난 수지 성형품을 제공할 수 있다.
도 5는 배럴(121) 및 홀더(120)를 포함하는 카메라 모듈의 일례를 나타내는 개략적인 투시도이다. 도 6은 표면 테이프 박리 시험을 수행중인 테이프와 배럴(121)을 나타내는 개략적인 투시도이다. 도 6에 나타낸 바와 같이, 배럴(121)에 대한 표면 테이프 박리 시험은 테이프를 접착시키고 테이프가 배럴(121)의 개방부의 평평한 표면으로부터 박리시키기 위하여 적용될 수 있다. 도 7은 표면 테이프 박리 시험을 수행중인 테이프와 홀더(120)를 나타내는 개략적인 투시도이다. 도 7에 나타낸 바와 같이, 홀더(120)에 대한 표면 테이프 박리 시험은 테이프를 접착시키고 테이프가 홀더(120)의 한쪽 면의 평평한 표면으로부터 박리시키기 위해 적용될 수 있다. 표면 박리 시험에서, 테이프의 너비는 표면 박리 시험의 대상인 부품 (예컨대, 배럴(121) 및 홀더(120)의 형태에 따라 적당히 선택할 수 있다.
본 발명의 수지 성형품(예컨대, 전술한 카메라 모듈)으로부터 입자 발생량은 시간이 지나 감소될 수 있지만, 입자 발생 정도는 하기 기술된 가속 시험으로 확인할 수 있다.
즉, 수지 성형품으로부터 수지가 주형으로 사출될 때 통과하는 게이트를 잘라내고, 절단 부분은 열 코킹으로 밀봉한다. 그 다음, 제품의 표면을 500 cc의 순수로 1 분간 약하게 교반하여 세척하고, 교반을 멈추고 제품을 10 분간 유지한다. Rion Co.에서 제조한 액체 입자 수 측정기를 이용하여 세척수에 분산된 입자들 수를 센다. 이 입자 산출 시스템은 시린지 샘플러 KZ-30W1(입자 분산액을 추출), 입자 센서 KS-65 및 조절기 KL-11A로 구성된다. 샘플 세척수 10 ml 중 2 ㎛∼100 ㎛ 크기의 입자들을 세어 샘플 1 밀리미터(ml)당 입자 수를 나타낸다. 모든 샘플당 5차례 측정하고, 5번 측정한 평균 입자 수를 각각의 제품으로부터의 입자 발생량으로 간주한다. 입자 발생량이 ml당 100개 이상인 경우, 수지 성형품으로부터의 입자 발생 빈도가 커지기 쉽고, 전기/전자 부품 및 광학 장치의 작동 실패를 유발할 가능성이 커지는 경향이 있다.
가속 시험에서 이러한 산출 방법으로 측정한 입자 수는 본 발명에서 ml당 100개 미만이다. 이처럼, 본 발명의 성형품으로부터는 가속 시험에서조차 입자들이 거의 발생하지 않고, 따라서 전술한 카메라 모듈에서와 같이, 성형품이 시간이 지나 닳는 경우에도 작동 실패의 발생을 방지하는 것이 가능하다.
본 발명에 기술된 것이 여러 가지 방식으로 다양해질 수 있음은 자명한 일이 다. 이러한 변화는 본 발명의 영역 및 범주 안에 있는 것으로 간주되어야 하고, 당업자에게 자명한 모든 이러한 변경은 후술될 청구범위의 범주 내에 있는 것을 의미한다.
명세서, 청구범위, 도면 및 요약을 비롯한 일본 특허 출원 제2007-045155호 (2007년 2월 26일 출원)의 전체 개시는 그 전부가 참고로 본원에 포함된다.
실시예
하기 실시예는 본 발명을 더욱 상세히 기술하고자 하는 것일 뿐, 본 발명의 범주를 한정하고자 하는 것은 아니다.
<액정 고분자(폴리에스테르)의 제조>
제조예 1
교반 장치, 토크계(torque meter), 질소 가스 도입 파이프, 온도계 및 환류 응축기가 구비된 반응기에 p-히드록시벤조산(994.5 g, 7.2 mol), 2,4'-디히드록시비페닐(446.9 g, 2.4 mol), 이소프탈산(99.7 g, 0.6 mol) 및 무수 아세트산(1347.6 g, 13.2 mol)과 촉매 1-메틸이미다졸(0.194 g)을 충전하고, 15 분간 실온에서 교반하고, 반응기 내부를 질소 가스로 충분히 채우고, 교반과 동시에 온도를 올렸다. 내부 온도가 145℃일 때, 동일한 온도를 유지하면서 1 시간 동안 교반하였다.
그 후, 증류된 부산물 아세트산과 미반응 무수 아세트산을 증류하고 토크가 증가되는 것이 확인되는 시점을 반응의 종말로 간주하는 한편, 2시간 50분 내에 온도를 320℃까지 상승시켜 예비고분자를 얻었다. 예비고분자의 유동 개시 온도는 261℃였다.
제조된 예비고분자를 실온으로 냉각시키고 조분쇄기로 갈아서 액정 폴리에스테르의 가루(입자 직경 약 0.1 ㎜∼약 1 ㎜)를 얻고, 1 시간에 걸쳐 온도를 실온에서 250℃까지 증가시키고, 5 시간에 걸쳐 250℃∼285℃로 증가시키고, 3 시간 동안 온도를 285℃에서 유지하여 고체 상태로 중합반응을 진행하였다. 제조된 폴리에스테르의 유동 개시 온도는 327℃였다. 이러한 방식으로 제조된 폴리에스테르를 LCP1으로 표시하였다.
제조예 2
테레프탈산의 양을 299.0 g에서 365.4 g(2.2 mol)로 바꾸고 이소프탈산의 양을 99.7 g에서 33.2 g(0.2 mol)으로 바꾼 것을 제외하고는, 제조예 1과 동일한 방식으로 예비고분자를 얻었다. 예비고분자의 유동 개시 온도는 263℃였다.
제조된 예비고분자를 실온으로 냉각시키고 조분쇄기로 갈아서 액정 폴리에스테르의 가루(입자 직경 약 0.1 ㎜∼약 1㎜)를 얻고, 1 시간에 걸쳐 온도를 실온에서 250℃까지 증가시키고, 5 시간에 걸쳐 250℃∼300℃로 증가시키고, 3 시간 동안 온도를 300℃에서 유지하여 고체 상태로 중합반응을 진행하였다. 제조된 폴리에스테르의 유동 개시 온도는 361℃였다. 이러한 방식으로 제조된 폴리에스테르를 LCP2로 표시하였다.
실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 11
2축 압출기(Ilegai, Ltd에 의해 제조된 PCM-30)를 이용하여 340℃의 실린더 온도에서, 제조예 1 및 2에서 제조된 액정 고분자 LCP1 및 LCP2를 표 1, 2 및 3에 나타낸 각각의 양의 기타 물질들과 함께 과립화하여 수지 조성물 펠렛을 얻었다. 제조된 수지 조성물 펠렛의 유동 개시 온도(FT: 흐름 온도)는 전술한 방법으로 측정하였다.
<섬유상 충전재>
mGF(분쇄 유리 섬유):
Central Glass Co., Ltd.에 의해 제조된 가공 섬유/유리 섬유 EFH75-01(제조자에 의해 공지된 크기: 섬유 직경 10 ㎛φ x 섬유 길이 75 ㎛).
cGF(유리 단섬유):
Asahi Fiber Glass Co., Ltd.에 의해 제조된 Glaslon 개조 스트랜드 CS03 JA PX-1(제조자에 의해 공지된 크기: 섬유 직경 10 ㎛φ x 섬유 길이 3 ㎜).
<기타 충전재>
이산화 티타늄:
Ishihara Sangyo Kaisha, Ltd.에 의해 제조된 이산화 티타늄 TIPAQUE CR-60(평균 입자 크기: 0.2 ㎛).
탈크:
Nippon Talc Co., Ltd.에 의해 제조된 탈크 TALC X-50(판형 충전재, 평균 입자 직경: 14.5 ㎛).
폴리테트라플루오로에틸렌:
Central Glass Co., Ltd.에 의해 제조된 폴리테트라플루오로에틸렌 CEFRAL LUBE I(평균 입경: 3∼8 ㎛).
BAW(붕산 알루미늄 위스커):
Shikoku Kasei Co., Ltd.에 의해 제조된 BAW(제조자에 의해 공지된 크기: 섬유 직경 0.5∼1.0 ㎛φ x 섬유 길이 10∼30 ㎜).
<섬유상 충전재의 수 평균 섬유 길이 측정>
위에서 제조된 조성물 펠렛의 일부를 하기 기술한 바와 같이 펠렛 중 섬유상 충전재의 수 평균 섬유 길이의 측정을 위해 제공하였다.
측정할 펠렛(1 g)을 도가니에 넣고, 전기로에서 6 시간 동안 600℃의 온도에서 연소시키니 재가 되었다. 메탄올에 분산시켜 슬라이드 유리에 퍼뜨린 상태로 이의 잔여물을 현미경 사진 찍고, 사진에서 400개 충전재의 충전재 길이를 직접 판독하여 충전재 길이의 평균값을 산출하였다.
건조 후, 표 1, 2 및 3에 나타낸 수지 온도, 성형 온도 등의 조건하에 사출 성형을 수행하는 데 위에서 얻은 조성물 펠렛을 사용하여, 표면 테이프 박리 시험 및 용접 강도 평가를 수행하기 위한, 하기 기술된 치수를 갖는 표준 성형품(표준 시험편)을 얻었다. Nissei Plastic Industrial Co., Ltd에 의해 제조된 PS40E-5ASE형 사출 성형기를 이용하여 사출 성형을 수행하였다.
표면 테이프 박리 시험용 시험편:
크기 64 x 64 x 1 ㎜.
용접 강도 평가용 시험편:
크기 64 x 64 x 3 ㎜, 핀 직경 6 ㎜φ.
<표면 테이프 박리 시험>
표면 테이프 박리 시험용 표준 시험편의 각각에 대해, Meishin Koki Co., Ltd.에 의해 제조된 표면 프로파일 분석기 SAS-2010을 이용하여 초기 표면 거칠기 값 Ra1(표면 테이프 박리 시험 전 Ra 값)을 측정하였다. 상기 기계는 광학 비접촉형 미세추적물질 Focodyn 및 Perthen Gmbh에 의해 제조된 작동 시스템 Perthometer C5D로 구성되었다.
다음, Nichiban Co., Ltd.에 의해 제조된 Cellotape(상표명) CT-18을 평평한 표면에 접착하고 박리시키는 일련의 작업을 30차례 반복하여, 초기 표면 거칠기 Ra1을 표준 시험편의 흐름 방향을 따라 시험편의 전체 길이에 대하여 측정하였다.
표준 시험편의 평평한 표면상에서 전술한 테이프를 가지고 접착 및 박리시키는 작업을 전술한 바와 같이 동일한 방식으로 수행하여 표면 거칠기 값 Ra2를 측정하고, Ra1과 Ra2 값 사이의 차(㎛), 즉 (Ra2 - Ra1)를 얻었다.
<용접 강도의 평가>
용접 강도 평가용 표준 시험편의 각각에 대하여, 용접을 갖는 시험편을 용접 강도 평가용 표준 시험편으로 절단하고, A&D Co., Ltd.에 의해 제조된 TENSILON UTM-500을 이용하여 ASTM D790에 기초한 측정 조건하에 세 지점의 굽힘 강도를 측정하였다.
<전기 부분 케이스용 관상 성형품의 성형>
건조 후, 표 1, 2 및 3에 나타낸 조건하에 사출 성형을 수행하기 위해, 위에서 얻은 조성물 펠렛을 사용하고, Nissei Plastic Industrial Co., Ltd.에 의해 제조된 PS40E-5ASE형 사출 성형기를 이용하여 외경이 25.60 ㎜φ, 내경이 20.00 ㎜φ이고 길이가 19.85 ㎜인 관상 성형품을 얻었다.
각각의 제조된 관상 성형품에 대하여, 조성물이 주형으로 사출되는 게이트를 제품에서 잘라내고, 절단 부분은 열 코킹으로 밀봉하였다. 그 다음, 제품의 표면을 500 cc의 순수로 1 분간 약하게 교반하여 세척하고, 교반을 멈추고 제품을 10 분간 유지하였다. Rion Co.에 의해 제조된 액체 입자 수 측정기를 이용하여 세척수에 분산된 입자들 수를 세었다. 샘플 세척수 10 ml 중 2 ㎛∼100 ㎛ 크기의 입자들을 세었다. 모든 샘플당 5차례 측정하고, 5번 측정한 평균 입자 수를 각각의 제품으로부터의 입자 발생량으로 간주했다. 입자 발생량이 ml당 100개 미만인 경우, 제품으로부터 입자 발생의 빈도가 작아지는 것으로 평가되었고, 이를 표 1, 2 및 3에서 O로 나타내었다. 입자 발생량이 ml당 100개 이상인 경우, 제품으로부터 입자 발생의 빈도가 커지는 것으로 평가되었고, 이를 표 1, 2 및 3에서 X로 나타내었다.
Figure 112008012292288-PAT00016
Figure 112008012292288-PAT00017
Figure 112008012292288-PAT00018
도 1(1) 및 1(2)는 일례인 판형 성형품을 제조하기 위한 성형 방법을 개략적으로 나타내는 도면이고;
도 2는 테이프 박리 시험에서 테이프가 성형품에 접착된 상태를 나타내는 도면이고;
도 3은 테이프 박리 시험에서 테이프를 성형품으로부터 박리시킬 때 성형품(10) 및 테이프(20)를 나타내는 개략적인 투시도이고;
도 4는 카메라 모듈 부품을 나타내는 개략적인 횡단도이고;
도 5는 배럴 및 홀더를 포함하는 카메라 모듈을 나타내는 개략적인 투시도이며;
도 6 및 7은 각각 테이프 박리 시험을 수행 시 테이프를 가진 카메라 모듈용 배럴 및 홀더를 나타내는 개략적인 투시도이다.

Claims (11)

  1. 액정 고분자 및 섬유상 충전재를 포함하는 수지 성형품으로서, 4.0 N/㎜의 접착력을 가진 테이프를 접착 및 박리시키는 작업을 30회 반복하기 전과 후에 측정한 Ra 값으로 표현되는 표면 거칠기의 차이가 0.4 ㎛ 이하인 표면을 가지는 수지 성형품.
  2. 제1항에 있어서, 액정 고분자 100 중량부를 기준으로 5∼250 중량부의 섬유상 충전재를 포함하는 수지 성형품.
  3. 제1항에 있어서, 상기 액정 고분자는 하기 (a)∼(c) 군:
    (a) 하기 구조 단위 (I) 및/또는 하기 구조 단위 (II)를 가지는 폴리에스테르, 폴리에스테르아미드 및 폴리아미드;
    (b) 하기 구조 단위 (III), 하기 구조 단위 (IV), 및 구조 단위 (I)과 (II)로부터 선택된 구조 단위를 가지는 폴리에스테르 및 폴리에스테르아미드; 및
    (c) 구조 단위 (III); 구조 단위 (I)과 (II)로부터 선택된 구조 단위; 및 구조 단위 (IV), 구조 단위 (V)와 구조 단위 (VI)으로부터 선택된 구조 단위를 가지는 폴리에스테르 및 폴리에스테르아미드
    로부터 선택된 액정 고분자를 포함하는 것인 수지 성형품:
    Figure 112008012292288-PAT00019
    (I)
    Figure 112008012292288-PAT00020
    (II)
    Figure 112008012292288-PAT00021
    (III)
    Figure 112008012292288-PAT00022
    (IV)
    Figure 112008012292288-PAT00023
    (V)
    Figure 112008012292288-PAT00024
    (VI)
    (식 중, Ar1, Ar2, Ar5 및 Ar6은 각각 독립적으로 2가 방향족 기를 나타내고; Ar3 및 Ar4는 각각 독립적으로 2가 방향족 기, 2가 지환족 기 및 2가 지방족 기로부터 선택된 기를 나타내고; Ar1 내지 Ar6에서, 방향족 기에 있는 방향족 고리 상의 수소 원자의 일부 또는 전부는 할로겐 원자, 탄소 원자 수가 1 내지 10인 알킬기, 탄소 원자 수가 1 내지 10인 알콕시기 또는 탄소 원자 수가 6 내지 10인 아릴기로 치환될 수 있고, 지환족 기 중 수소 원자의 일부 또는 전부는 탄소 원자 수가 1 내지 10인 알콕시기 또는 탄소 원자 수가 6 내지 10인 아릴기로 치환될 수 있고, 지방족 기 중 수소 원자의 일부 또는 전부는 탄소 원자 수가 1 내지 10인 알콕시기 또는 탄소 원자 수가 6 내지 10인 아릴기로 치환될 수 있음).
  4. 제3항에 있어서, 상기 액정 고분자는 (a) 군으로부터 선택된 액정 고분자를 포함하는 것인 수지 성형품.
  5. 제3항에 있어서, 상기 액정 고분자는 (b) 군으로부터 선택되며 고분자의 Ar1, Ar2, Ar3 및 Ar4의 총량을 기준으로 고분자 중 2가 방향족 기의 총량이 60 몰% 이상인 액정 고분자를 포함하는 것인 수지 성형품.
  6. 제3항에 있어서, 상기 액정 고분자는 (c) 군으로부터 선택되며 고분자의 Ar1, Ar2, Ar3, Ar4, Ar5 및 Ar6의 총량을 기준으로 고분자 중 2가 방향족 기의 총량이 60 몰% 이상인 액정 고분자를 포함하는 것인 수지 성형품.
  7. 제1항에 있어서, 상기 액정 고분자는
    하기 방향족 히드록시 카르복실산 (I-1) 및/또는 (I-2)로부터 유도된 구조 단위,
    하기 방향족 디카르복실산 (III-1), (III-2) 및 (III-3)으로부터 선택된 방향족 디카르복실산으로부터 유도된 구조 단위, 및
    하기 방향족 디올 (IV-1), (IV-2), (IV-3) 및 (IV-4)로부터 선택된 방향족 디올로부터 유도된 구조 단위
    를 가지는 액정 폴리에스테르인 것인 수지 성형품:
    Figure 112008012292288-PAT00025
    Figure 112008012292288-PAT00026
    (I-1) (I-2)
    Figure 112008012292288-PAT00027
    Figure 112008012292288-PAT00028
    Figure 112008012292288-PAT00029
    (III-1) (III-2) (III-3)
    Figure 112008012292288-PAT00030
    Figure 112008012292288-PAT00031
    Figure 112008012292288-PAT00032
    Figure 112008012292288-PAT00033
    (IV-1) (IV-2) (IV-3) (IV-4).
  8. 제1항에 있어서, 상기 섬유상 충전재는 결합제로 처리되지 않은 섬유상 충전재인 수지 성형품.
  9. 제1항의 수지 성형품의 제조 방법으로서, 액정 고분자 및 섬유 직경이 5 ㎛∼15 ㎛이고 수 평균 섬유 길이가 30 ㎛∼200 ㎛인 섬유상 충전재를 포함하는 수지 조성물 펠렛을 성형하는 단계를 포함하는 방법.
  10. 제1항의 수지 성형품의 제조 방법으로서,
    액정 고분자와 섬유상 충전재를 혼합 및 펠렛화하여 액정 고분자와 섬유상 충전재를 포함하는 수지 조성물 펠렛을 얻는 단계;
    상기 수지 조성물 펠렛을 수지 조성물의 유동 개시 온도보다 30℃ 더 높은 온도 내지 유동 개시 온도보다 80℃ 더 높은 온도에서 용융시켜 용융 수지 조성물을 얻는 단계; 및
    상기 용융 수지 조성물을 설정 온도가 80℃ 이상인 주형에 사출하고 이 조성물을 성형하여 수지 성형품을 얻는 단계
    를 포함하는 방법.
  11. 제1항의 수지 성형품을 포함하는, 카메라 모듈용 부품.
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