KR20080075540A - 단층막 및 이것으로 이루어지는 친수성 재료 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (17)
- 설폰산기, 카복실기 및 인산기로부터 선택되는 적어도 1종의 음이온성 친수기를 갖는 단층막에 있어서, 표면의 음이온 농도(Sa)와 심부에서의 음이온 농도(Da)의 음이온 농도비(Sa/Da)가 1.1 이상인 것을 특징으로 하는 단층막(單層膜).
- 제 1 항에 있어서,상기 단층막의 수접촉각이 30° 이하인 단층막.
- 제 1 항에 있어서,상기 단층막의 막 두께가 0.5∼100㎛인 단층막.
- 제 1 항에 있어서,상기 단층막이, 하기 일반식 (1)로 표시되는 화합물(Ⅰ)과 1분자 내에 2개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물(Ⅱ)을, 몰비로 환산하여 15 : 1∼1 : 30의 범위로 포함하는 조성물을 중합하여 얻어지는 공중합체인 단층막.(식 중, s는, 1 또는 2, l은, 1 또는 2, m은, 0 또는 1을 나타낸다. M1, M2는, 동일하더라도 또는 다르더라도 좋은 수소 이온, 암모늄 이온, 알칼리 금속 이온 또는 알칼리 토류 금속 이온을 나타낸다.X는, 하기 일반식 (1-1)∼(1-4)로 표시되는 친수기로부터 선택되는 1종을 나타낸다.(식 중, J, J'는, 동일하더라도 또는 다르더라도 좋은 H 또는 CH3을 나타내고, n은, 0 또는 1을 나타내고, R, R'는, 동일하더라도 또는 다르더라도 좋은 탄소수 1∼600의 지방족 탄화수소기로서, 방향환, 지방족 환상기, 에터기, 또는 에스터기를 포함하고 있더라도 좋다.))
- 제 4 항에 있어서,상기 분자 내에 2개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물(Ⅱ)이, 하기 일반식 (2-1) 또는 (2-2)인 단층막.(식 중, A는또는로부터 선택되는 1종을 나타낸다. 또한, *은, 결합수를 나타낸다.R은, 헥사메틸렌, 아이소포론(1-메틸렌-3-에틸렌-3-메틸-5,5-다이메틸-사이클로헥세인), 노보네인다이메틸렌, 다이사이클로헥실렌메테인, 사이클로헥세인다이메틸렌 또는 자일렌을 나타낸다.R3 및 R5∼R9는, H 또는 CH3을 나타낸다.X1, X2 및 X3은, O 또는 S를 나타낸다.a는, 2∼30의 정수, b는, 0∼2의 정수, c는, 0∼30의 정수, d는, 0∼20의 정수, e는, 0∼2의 정수를 나타낸다.R10 및 R11은, H 또는 CH3, R100 및 R101은, H 또는 탄소수 1∼6의 알킬기, R200 및 R201은, H, CH3 또는 페닐기,V는, OH 또는 탄소 원자와 결합하고 있는 산소 원자(O*),W1∼W3은, H, CH3, OH 또는 탄소 원자와 결합하고 있는 산소 원자(O*)를 나타낸다.n1, n2는, 0∼8의 정수, o1, o2는, 1∼3의 정수, m은, 0 또는 1, f는, 1∼20의 정수, g는, 0∼3의 정수를 나타낸다.R50은, 헥사메틸렌, 아이소포론(1-메틸렌-3-에틸렌-3-메틸-5,5-다이메틸-사이클로헥세인), 노보네인다이메틸렌, 다이사이클로헥실렌메테인, 사이클로헥세인다이메틸렌, 톨루일렌, 다이페닐메테인 또는 자일릴렌을 나타낸다.R12 및 R13은, H 또는 CH3을 나타낸다.a1은, 2∼3의 정수를 나타낸다.a2는, 3∼4의 정수를 나타낸다.a3은, 4∼6의 정수를 나타낸다.a4는, 2∼3의 정수를 나타낸다.a5는, 2∼4의 정수를 나타낸다.i는, 1∼20의 정수를 나타낸다.k는, 1∼10의 정수를 나타낸다.V1∼V3은, 독립하여 H 또는 결합수(*)를 나타낸다.Z는, OH 또는 탄소 원자와 결합하고 있는 산소 원자(O*), COOH 또는 탄소 원자와 결합하고 있는 카복실(COO*)을 나타낸다.q는, 1∼7의 정수를 나타낸다.)
- 제 4 항에 있어서,상기 1분자 내에 2개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물(Ⅱ)이, 하기 일반식 (3)∼(33)으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물인 단층막.일반식 (3)(식 중, R3∼R4는, H 또는 CH3을 나타내고, R100∼R101은, H 또는 탄소수 1∼6의 알킬기, b1, b2는, 0∼2의 정수, n1, n2는, 0∼8의 정수를 나타냄) 또는, 일반식 (4)(식 중, R3∼R6은, H 또는 CH3을 나타내고, R100∼R101은, H 또는 탄소수 1∼6의 알킬기, n1, n2는, 0∼8의 정수를 나타냄) 또는, 일반식 (5)(식 중, R3∼R6은, H 또는 CH3을 나타내고, b1, b2는, 0∼2의 정수, c1은, 2∼30의 정수를 나타냄) 또는, 일반식 (6)(식 중, R3∼R6은, H 또는 CH3을 나타내고, c2, c3은, 1∼5의 정수, d1은, 2∼20의 정수를 나타냄) 또는, 일반식 (7)(식 중, R3∼R4는, H 또는 CH3을 나타내고, b1, b2는, 0∼2의 정수, d1은, 2∼20의 정수, m은, 0 또는 1을 나타냄) 또는, 일반식 (8)(식 중, R3∼R4는, H 또는 CH3을 나타내고, o1, o2는, 1∼3의 정수를 나타냄) 또는, 일반식 (9)(식 중, R3∼R4는, H 또는 CH3을 나타내고, p1, p2는, 1∼6의 정수를 나타냄) 또는, 일반식 (10)(식 중, R3∼R8은, H 또는 CH3을 나타내고, c4, c5는, 0∼5의 정수, m은, 0 또는 1을 나타냄) 또는, 일반식 (11)(식 중, R3∼R4는, H 또는 CH3을 나타내고, m은, 0 또는 1을 나타냄) 또는, 일반식 (12)(식 중, R3~R7은, H 또는 CH3을 나타냄) 또는, 일반식 (13)(식 중, *은 결합수를 나타내고, R3, R5, R6은, H 또는 CH3, c6은, 0∼3의 정수를 나타냄) 또는, 일반식 (14)(식 중, R3∼R8은, H 또는 CH3을 나타내고, b1, b2는, 0∼2의 정수, c7, c8은, 0∼5의 정수, m은, 0 또는 1을 나타냄) 또는, 일반식 (15)(식 중, R3∼R10은, H 또는 CH3을 나타내고, b1, b2는, 0∼2의 정수, c9, c10은, 0∼30의 정수를 나타냄) 또는, 일반식 (16)(식 중, R3∼R10은, H 또는 CH3을 나타내고, c11∼c14는, 1 이상의 정수로 c11+c12+c13+c14=4∼30을 만족함) 또는, 일반식 (17)(식 중, R3∼R4는, H 또는 CH3을 나타내고, b1, b2는, 0∼2의 정수를 나타냄) 또는, 일반식 (18)(식 중, R3∼R8은, H 또는 CH3을 나타내고, R200, R201은, H, CH3 또는 페닐기, c4, c5는, 0∼5의 정수를 나타냄) 또는, 일반식 (19)(식 중, R3∼R5 및 R11은, H 또는 CH3을 나타내고, b1∼b3은, 0∼2의 정수, f는, 1∼20의 정수를 나타냄) 또는, 일반식 (20)(식 중, *은, 결합수를 나타내고, V는, OH 또는 탄소 원자와 결합하고 있는 산소 원자(O*)를 나타낸다. R3, R5, R6은, H 또는 CH3을 나타내고, a1은, 2 또는 3, b1은, 0∼2의 정수, c15는, 0∼20의 정수를 나타냄) 또는, 일반식 (21)(식 중, *은, 결합수를 나타내고, W1은, H, CH3, OH 또는 탄소 원자와 결합하고 있는 산소 원자(O*)를 나타낸다. R3, R5, R6은, H 또는 CH3을 나타내고, a2는, 3 또는 4, c16은, 0∼20의 정수를 나타냄) 또는, 일반식 (22)(식 중, *은, 결합수를 나타내고, W2, W3은, H, CH3, OH 또는 탄소 원자와 결합하고 있는 산소 원자(O*)를 나타낸다. R3, R5, R6은, H 또는 CH3을 나타내고, a3은, 4∼6의 정수, c17은, 0∼3의 정수를 나타냄) 또는, 일반식 (23){식 중, R은, 헥사메틸렌, 아이소포론(1-메틸렌-3-에틸렌-3-메틸-5,5-다이메틸-사이클로헥세인), 노보네인다이메틸렌, 다이사이클로헥실렌메테인, 사이클로헥 세인다이메틸렌, 또는 자일렌을 나타낸다. R3∼R10은, H 또는 CH3을 나타내고, e1, e2는, 0∼2의 정수를 나타냄} 또는, 일반식 (24)(식 중, R3, R5, R6은, 독립하여 H 또는 CH3을 나타낸다. b1은, 0∼2의 정수, c15는, 0∼20의 정수, n100은, 1∼6의 정수를 나타냄) 또는, 일반식 (25)(식 중, R3∼R10은, H 또는 CH3을 나타내고, b1∼b2는, 0∼2의 정수, c9∼c10은, 0∼5의 정수를 나타냄) 또는, 일반식 (26)(식 중, R3은, H 또는 CH3을 나타내고, p1은, 1∼6의 정수를 나타낸다. a10은, 1 또는 3, a11은, 0 또는 2의 정수를 나타냄) 또는, 일반식 (27)(식 중, R3∼R8은, H 또는 CH3을 나타내고, b1∼b2는, 0∼2의 정수, c4∼c5 는, 0∼5의 정수를 나타냄) 또는, 일반식 (28)(식 중, R3∼R8은, H 또는 CH3을 나타내고, b1∼b2는, 0∼2의 정수, c4∼c5는, 0∼5의 정수를 나타냄) 또는, 일반식 (29)(식 중, R3 및 R5∼R13은, 독립하여 H 또는 CH3을 나타내고, i1은, 0∼5의 정수를 나타냄) 또는, 일반식 (30)(식 중, R3 및 R5∼R9는, 독립하여 H 또는 CH3을 나타낸다. W1은, H, CH3, OH 또는 탄소 원자와 결합하는 산소 원자(O*)를 나타낸다. a2는, 3 또는 4, i1은, 0∼5의 정수를 나타냄) 또는, 일반식 (31)(식 중, R3∼R9는, 독립하여 H 또는 CH3을 나타낸다. W2∼W3은, 독립하여 H, CH3, OH 또는 탄소 원자와 결합하는 산소 원자(O*)를 나타낸다. a7은, 1∼6의 정수, a8은, 0∼5의 정수를 나타내고, 또 a7+a8=2∼6을 만족함) 또는, 일반식 (32)(식 중, R70은, 톨루일렌, 다이페닐메테인, 헥사메틸렌, 아이소포론(1-메틸렌-3-에틸렌-3-메틸-5,5-다이메틸-사이클로헥세인), 노보네인다이메틸렌, 다이사이클로헥실렌메테인, 사이클로헥세인다이메틸렌, N,N',N″-트리스(헥사메틸렌)-아이소시아누레이트, N,N,N'-트리스(헥사메틸렌)-요소, N,N,N',N'-테트라키스(헥사메틸렌)-요소, 또는 자일렌을 나타낸다.R3 및 R5∼R6은, 독립하여 H 또는 CH3을 나타낸다. W1은, H, CH3, OH 또는 탄소 원자와 결합하는 산소 원자(O*)를 나타낸다. a9는, 1∼4의 정수, a10은, 2∼4의 정수를 나타낸다. b1은, 0∼2의 정수, c4는, 0∼5의 정수를 나타냄) 또는, 일반식 (33)(식 중, R70은, 톨루일렌, 다이페닐메테인, 헥사메틸렌, 아이소포론(1-메틸렌-3-에틸렌-3-메틸-5,5-다이메틸-사이클로헥세인), 노보네인다이메틸렌, 다이사이클로헥실렌메테인, 사이클로헥세인다이메틸렌, N,N',N″-트리스(헥사메틸렌)-아이소시아누레이트, N,N,N'-트리스(헥사메틸렌)-요소, N,N,N',N'-테트라키스(헥사메틸렌)-요소, 또는 자일렌을 나타낸다.R3 및 R5∼R6은, 독립하여 H 또는 CH3을 나타낸다. W1은, H, CH3, OH 또는 탄소 원자와 결합하는 산소 원자(O*)를 나타낸다. a9는, 1∼4의 정수, a10은, 2∼4의 정수를 나타낸다. b1은, 0∼2의 정수, c4는, 0∼5의 정수를 나타냄)
- 제 4 항에 있어서,상기 조성물이, 일반식 (1)로 표시되는 화합물(Ⅰ) 및 1분자 내에 2개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물(Ⅱ)과는 화학 구조가 다른 중합성 화합물(Ⅲ)을 더 포함하여 이루어지는 단층막.
- 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 기재된 단층막으로 이루어지는 방담 재료.
- 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 기재된 단층막으로 이루어지는 방오 재료.
- 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 기재된 단층막으로 이루어지는 대전 방지 재료.
- 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 기재된 단층막 및 기재층으로 이루 어지고, 상기 단층막이 적어도 기재층의 한 면에 형성되는 것을 특징으로 하는 적층체.
- 제 12 항에 있어서,상기 기재층의 단층막이 형성되어 있지 않은 면에, 점착층을 마련하여 이루어지는 적층체.
- 제 13 항에 있어서,상기 기재층에 마련된 점착층면에, 박리 필름이 적층되어 이루어지는 적층체.
- 제 12 항에 있어서,상기 단층막의 표면에 박리 가능한 피복재층이 적층되어 이루어지는 적층체.
- 기재층의 적어도 한 면에, 하기 일반식 (1)로 표시되는 화합물(Ⅰ)과 1분자 내에 2개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물(Ⅱ)을 몰비로 환산하여 15 : 1∼1 : 30의 범위로 포함하는 조성물로 이루어지는 도포막을 형성하고,이어서, 상기 도포막을 공중합시켜 이루어지는 적층체의 제조 방법에 있어서,얻어진 공중합체의 단층막의 설폰산기, 카복실기 및 인산기로부터 선택되는 적어도 1종의 음이온성 친수기가, 해당 층의 표면에서의 음이온 농도(Sa)와 기재측의 심부에서의 음이온 농도(Da)의 음이온 농도비(Sa/Da)가 1.1 이상이 되도록 분포하고 있는 것을 특징으로 하는 적층체의 제조 방법.일반식 (1)(식 중, s는, 1 또는 2, l은, 1 또는 2, m은, 0 또는 1을 나타낸다. M1, M2는, 동일하더라도 또는 다르더라도 좋은 수소 이온, 암모늄 이온, 알칼리 금속 이온 또는 알칼리 토류 금속 이온을 나타낸다.X는, 하기 일반식 (1-1)∼(1-4)로 표시되는 친수기로부터 선택되는 1종을 나타낸다.(식 중, J, J'는, 동일하더라도 또는 다르더라도 좋은 H 또는 CH3을 나타내고, n은, 0 또는 1을 나타내고, R, R'는, 동일하더라도 또는 다르더라도 좋은 탄소수 1∼600의 지방족 탄화수소기로서, 방향환, 지방족 환상기, 에터기, 또는 에스터기를 포함하고 있더라도 좋다.))
- 제 16 항에 있어서,상기 단층막의 수접촉각이 30° 이하인 적층체의 제조 방법.
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