KR20080046273A - 내식성이 우수한 알루미늄 부재 또는 알루미늄 합금 부재 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 내가스 부식성 및 내플라즈마성이 우수한 동시에 밀착성이 우수한 양극 산화 피막을 형성한 알루미늄 부재 또는 알루미늄 합금 부재, 및 이러한 내식성이 우수한 알루미늄 부재는 알루미늄 합금 부재에 의해 구성된 진공 장치용 부재를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은 플라즈마를 이용하는 프로세스에 있어서, 플라즈마 상태를 안정적으로 유지하기 위해, 충분한 내전압성을 갖는 부재를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이 목적은, 이하의 수단에 의해 달성된다. (1) 양극 산화 피막의 임피던스가 주파수 10-2 ㎐에 있어서 107 Ω 이상이고, 또한 피막 경도가 비커스 경도(Hv)로 400 이상인 알루미늄 부재 또는 알루미늄 합금 부재, 또는 (2) 양극 산화 피막의 임피던스가 주파수 10-2 ㎐에 있어서 108 Ω 이상이고, 또한 피막 경도가 비커스 경도(Hv)로 350 이상인 알루미늄 부재 또는 알루미늄 합금 부재.
내가스 부식성, 내플라즈마성, 양극 산화 피막, 알루미늄 부재, 비커스 경도
Description
본 발명은 내가스 부식성과 내플라즈마성이 우수한 알루미늄 부재 또는 알루미늄 합금 부재에 관한 것으로, 특히 반도체나 액정 등의 전자 제품이나 기기를 제조하는 장치 등, 부식성의 성분이나 원소를 포함하는 가스나 플라즈마가 이용되는 장치 재료에 적합한 알루미늄 부재 또는 알루미늄 합금 부재, 및 이것에 의해 구성된 진공 용기(진공 챔버), 반응 용기(반응 챔버) 또는 용기 내에 설치되는 부재에 관한 것이다.
CVD 장치, PVD 장치, 드라이 에칭 장치 등에 이용되는 진공 챔버나 반응 챔버(이하 챔버)의 내부에는, 반응 가스, 에칭 가스, 클리닝 가스로서 Cl, F, Br 등의 할로겐 원소를 포함하는 부식성 가스가 도입되기 때문에, 부식성 가스에 대한 내식성(이하, 내가스 부식성이라 함)이 요구되고 있다. 또한 상기한 챔버 내에서는, 상기 부식성 가스에 부가하여, 할로겐계의 플라즈마를 발생시키는 경우가 많으므로 플라즈마에 대한 내식성(이하, 내플라즈마성이라 함)이 중요시되고 있다. 최근 이와 같은 용도에는, 경량이며 게다가 열전도성이 우수한 알루미늄 또는 알루미늄 합금제의 진공 챔버나 반응 챔버가 채용되고, 또한 챔버 내에 설치되는 부재에 대해서도, 마찬가지로 사용이 확대되고 있다.
그러나 알루미늄 또는 알루미늄 합금은 충분한 내가스 부식성 및 내플라즈마성을 갖고 있지 않기 때문에, 이들에 대한 특성을 향상시키기 위해 표면 개질 기술이 다양하게 제안되어 있다.
내가스 부식성 및 내플라즈마성을 향상시키는 기술로서는, 예를 들어 특허 문헌 1에는 0.5 내지 20 ㎛의 양극 산화 피막을 형성한 후, 진공 중에 있어서 100 내지 150 ℃로 가열 건조 처리하여 피막 중에 흡착하고 있는 수분을 증발 제거하는 기술이 제안되어 있다. 또한, 특허 문헌 2에는 구리를 0.05 내지 4.0 ％ 함유시킨 Al 합금을 수산 전해액 중에서 양극 산화 처리한 후, 또한 상기 전해액 중에서 전압을 강하시키는 기술이 제안되어 있다.
단, 이들 양극 산화 피막도, 피막의 막질에 따라, 상기 가스나 플라즈마에 대한 내식성이 크게 다르기 때문에, 반도체 제조 부재로서의 사용 환경에 따라서는, 이들 내식성의 요구를 만족시킬 수 없다. 또한, 부식에 의해 전기적인 물성도 불안정해져, 플라즈마를 이용하는 프로세스에 있어서는, 그 안정성을 유지할 수 없고, 제품의 품질 관리에 지장이 발생하는 경우도 있다.
한편, 상기와 같은 양극 산화 피막을 형성한 재료 외에, 상기 부식성 가스나 플라즈마에 대한 내식성이 우수한 것으로서, 산화물, 질화물, 탄질화물, 붕화물, 규화물 등의 세라믹스 피막을 이용한 재료가 있다. 그리고, 이들 세라믹스 피막을, 아크 이온 플레이팅이나, 스퍼터링, 용사, CVD 등에 의해 직접 Al 합금 표면에 형성한 예가 특허 문헌 3, 특허 문헌 4 등에 개시된다. 그러나 이들 피막도, 일단 할로겐 가스나 플라즈마에 대한 내식성이 우수하지만, 양극 산화 피막을 형성한 경우와 마찬가지로, 상기 평가가 엄격하게 되어 있는 상기 가스나 플라즈마에 대한 내식성의 요구에는 응할 수 없다.
또한, 특허 문헌 5, 특허 문헌 6에는 양극 산화 피막 상에, 또한 세라믹스 피막을 형성한 예가 개시되어 있다. 그러나, 이 경우에 특히 문제로 되는 것은, 양극 산화 피막과 세라믹스 피막과의 밀착성이 나쁘다는 점이다. 특히, 상기 반도체나 액정의 제조 장치 부재에서는, 반도체나 액정의 제조의 프로세스 조건에 의해 열사이클을 매우 많이 받는다고 하는 엄격한 사용 환경하에 있다. 이로 인해, 반도체나 액정의 제조 장치 부재에서는, 고온 열사이클하, 가스나 플라즈마의 부식 환경하라도, 양극 산화 피막과 Al 합금 기재, 양극 산화 피막과 세라믹스 피막과의 박리가 생기지 않는 밀착성이 요구된다.
상기 특허 문헌 5에는 알루미늄 베이스의 기판 상에 코팅된 탄화붕소의 층과, 기판과 탄화붕소의 층 사이에 형성된 양극 산화물의 층을 구비하고 있는 구조체가 개시되어 있고, 양극 산화 피막과의 밀착성 개선을 위해 양극 산화 피막 표면을 거칠게 하는 것이 제안되어 있다. 탄화붕소는 내가스 부식성 및 내플라즈마성이 우수한 세라믹스이지만, 특히 양극 산화 피막과의 밀착성이 나빠, 표면을 거칠게 하는 것만으로는 밀착성이 충분하지는 않다. 그로 인해, 균열이나 박리가 생겨 충분한 내가스 부식성, 내플라즈마성을 얻을 수 없다.
또한, 특허 문헌 6에서는 세라믹스 피막과 양극 산화 피막과의 밀착성 개선을 위해, 양극 산화 피막 중에 C, N, P, F, B, S 중으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상의 원소를 0.1 ％ 이상 함유시키는 것을 제안하고 있다. 그러나, 밀착성의 개선 효과로서는 불충분하여, 한층 더 내가스 부식성, 내플라즈마성이 요구되고 있다.
특허 문헌 1 : 일본 특허 공고 평5-53870호 공보
특허 문헌 2 : 일본 특허 공개 평3-72098호 공보
특허 문헌 3 : 일본 특허 공고 평5-53872호 공보
특허 문헌 4 : 일본 특허 공고 평5-53871호 공보
특허 문헌 5 : 일본 특허 공개 평10-251871호 공보
특허 문헌 6 : 일본 특허 공개 제2000-119896호 공보
본 발명의 목적은 상술한 종래 기술의 문제점을 해소하고, 내가스 부식성 및 내플라즈마성이 우수한 동시에 밀착성이 우수한 양극 산화 피막을 형성한 알루미늄 부재 또는 알루미늄 합금 부재를 제공하는 것, 및 이러한 내식성이 우수한 알루미늄 부재 또는 알루미늄 합금 부재에 의해 구성된 진공 장치용 부재[예를 들어, 진공 용기(진공 챔버), 반응 용기(반응 챔버), 그 외에, 용기 내에 설치되는 부재(예를 들어, 전극, 가스 확산을 목적으로 한 판이나 부재, 물질의 비산을 억지하는 실드, 플라즈마나 가스의 균일화, 안정화를 도모하는 링 등)]을 제공하는 것이다.
또한, 플라즈마를 이용하는 프로세스에 있어서, 플라즈마 상태를 안정적으로 유지하기 위해 충분한 내전압성을 갖는 부재를 제공하는 것도 목적으로 한다.
그리고, 상기 과제를 달성하기 위해 본 발명자들이 예의 연구를 행한 결과, 그것의 유효한 대책으로서, 여기에 이하와 같은 내식성이 우수한 알루미늄 부재 또는 알루미늄 합금 부재(청구항 1 내지 청구항 4)를 제안한다.
즉, 본 발명은,
(1) 표면에 양극 산화 피막을 형성한 알루미늄 부재 또는 알루미늄 합금 부재이며, 상기 양극 산화 피막의 임피던스가 주파수 10-2 ㎐에 있어서 107 Ω 이상이고, 또한 피막 경도가 비커스 경도(Hv)로 400 이상인 것을 특징으로 하는 알루미늄 부재 또는 알루미늄 합금 부재,
(2) 표면에 양극 산화 피막을 형성한 알루미늄 부재 또는 알루미늄 합금 부재이며, 상기 양극 산화 피막의 임피던스가 주파수 10-2 ㎐에 있어서 108 Ω 이상이고, 또한 피막 경도가 비커스 경도(Hv)로 350 이상인 것을 특징으로 하는 알루미늄 부재 또는 알루미늄 합금 부재,
(3) 상기 양극 산화 피막이, 황산 함유량(황산 원액 농도를 98 ％로 하여)이 50 g/l 이하인 수용액을 이용하여 형성된 것인 (2)에 기재된 알루미늄 부재 또는 알루미늄 합금 부재,
(4) (1) 내지 (3)에 기재된 알루미늄 부재 또는 알루미늄 합금 부재에 의해 구성된 진공 장치용 부재를 제안하는 것이다.
본 발명에 따르면, 알루미늄 부재 또는 알루미늄 합금 부재의 표면에 형성되는 양극 산화 피막의 임피던스를 주파수 10-2 ㎐에 있어서 107 Ω 이상으로 하고, 또한 상기 양극 산화 피막의 경도가 비커스 경도(Hv)로 400 이상으로 하거나, 임피던스를 108 Ω 이상으로 하고, 또한 비커스 경도(Hv)를 350 이상으로 함으로써, 내가스 부식성 및 내플라즈마성이 우수한 동시에 밀착성이 우수한 피막을 제공하는 알루미늄 부재 또는 알루미늄 합금 부재를 얻을 수 있다. 이에 의해, 예를 들어 CVD 장치, PVD 장치 및 드라이 에칭 장치의 진공 챔버와 같은 진공 장치용 부재에 적합한 우수한 내식성을 갖는 알루미늄 부재 또는 알루미늄 합금 부재를 제공할 수 있다.
또한, 임피던스가 주파수 10-2 ㎐에 있어서 108 Ω 이상인 상기한 양극 산화 피막을 황산 함유량(황산 원액 농도를 98 ％로 하여)이 50 g/l 이하인 수용액을 이용하여 형성함으로써 높은 내식성과 내전압성을 겸비할 수 있다.
본 발명자들은 본 발명의 과제를 달성하기 위해, 전술한 종래의 양극 산화 피막의 문제점을 다양하게 연구, 해석을 행했다. 그 결과, 후술하는 실시예로부터도 명백한 바와 같이, 피막의 임피던스와 경도가, 상기 내가스 부식성 및 내플라즈마성 또는 피막의 밀착성과의 관계에 있어서 중요한 지배 인자로 되어 있는 것, 그리고 이들 값을 일정한 범위로 유지함으로써 내가스 부식성 및 내플라즈마성 또는 피막의 밀착성이 우수한 양극 산화 피막으로서 개선할 수 있는 것을 발견했다.
또한, 내전압성에 있어서는, 특히 저주파수에 있어서의 임피던스치가 지배적이고, 안정 성능을 얻기 위해 필요한 값을 설정할 수 있는 것에 도달했다.
구체적으로는, 양극 산화 피막의 임피던스 및 경도를 하기 (1) 또는 (2) 중 어느 하나의 값으로 설정하는 것이 필요하다.
(1) 피막의 임피던스가 주파수 10-2 ㎐에 있어서 107 Ω 이상, 또한 피막의 경도가 비커스 경도(Hv)로 400 이상.
(2) 피막의 임피던스가 주파수 10-2 ㎐에 있어서 108 Ω 이상, 또한 피막의 경도가 비커스 경도(Hv)로 350 이상.
또한, 충분한 내전압성을 갖기 위해서는, 상기 (2)의 값[임피던스가 주파수 10-2 ㎐에 있어서 108 Ω 이상, 또한 피막의 경도가 비커스 경도(Hv)로 350 이상]인 것이 바람직하다. 또한, 더욱 바람직하게는, 피막의 임피던스가 주파수 10-2 ㎐에 있어서 108 Ω 이상, 또한 피막의 경도가 비커스 경도(Hv)로 400 이상이다.
그때, 피막을 안정적으로 하기 위해서는, 황산 함유량이 50 g/l 이하인 수용액을 이용하여 형성하는 것이 효과적이다.
즉, 이러한 양극 산화 피막은, 염소계 플라즈마(BCl3 + Cl2) 중에서 소모 속도가 작고, 또한 염산(7 ％ HCl 용액) 중에서의 내식성(부식에 의한 수소 발생까지의 시간으로 평가)에 있어서도 우수한 특성을 나타낸다. 또한, 사용되는 부식 환경에 있어서도, 높고 안정적인 내전압성을 갖는 것이다.
또한, 상기한 임피던스 및 경도를 만족시키는 양극 산화 피막은, 후술하는 실시예에 의해 용이하게 이해할 수 있는데, 양극 산화 및 그 후의 가수(加水) 처리[봉공(封孔) 처리]의 조건을 적절하게 선정함으로써 알루미늄 합금(또는 알루미 늄) 부재의 표면에 형성하는 것이 가능하다.
임피던스에 대해서는 예를 들어 양극 산화 처리에 있어서의 전해액으로서 황산과 수산(oxalic acid)의 혼합액을 이용하여, 수산의 혼합 비율을 증가시킴으로써, 임피던스치를 높여 본 발명의 하한 이상으로 조정할 수 있다. 가수 처리의 온도나 압력을 높이는 것에 의해서도 임피던스치를 만족시킬 수 있다.
피막의 경도에 대해서는 상기와 마찬가지로 수산의 혼합 비율을 증가시켜 역시 본 발명의 하한 이상으로 높이는 것이 가능하다. 또한, 가수 처리에서는 그 온도를 조금 낮게 억제하는 것으로 본 발명의 범위로 조정할 수 있다. 따라서, 임피던스와 경도를 함께 본 발명의 특정 범위로 조정하는 것은, 상기한 처리 조건 등의 이들 값에 대한 영향을 가미하고, 또한 필요에 따라서 실험에 의해 확인함으로써 당업자가 용이하게 실시, 재현할 수 있는 것이다.
양극 산화 처리액으로서는, 황산은 50 g/l 이하가 좋고, 또한 수산을 5 g/l 이상, 바람직하게는 10 g/l 이상 가한 혼합 용액으로 하는 쪽이 효과적이다. 또한, 본 명세서에 있어서, 황산 함유량(g/L)이라 함은, 1리터 중 황산 원액(농도 : 98 ％)의 함유량을 말한다.
전해시의 전압은, 목적에 따라 구분하여 사용할 수 있지만, 초기치로서 10 내지 50 V, 최종치로서 30 내지 100 V로 함으로써 발명의 효과를 높일 수 있다.
액온에 대해서는, 특히, 내플라즈마성(플라즈마에 의한 내에로젼)을 높이는 관점에서는 5 ℃ 이하가 바람직하다. 또한, 특히, 내가스 부식성을 더욱 향상시키는 관점에 있어서는, 액온은 10 ℃를 초과하는 고온이 바람직하다.
또한 내전압성에는, 황산은 50 g/l 이하가 좋고, 수산을 10 g/l 이상, 바람직하게는 20 g/l 이상 가한 혼합 용액이 효과적이다. 전해시의 전압은, 목적에 따라 구분하여 사용할 수 있지만, 초기치로서 20 내지 60 V, 최종치로서 30 내지 100 V로 함으로써 발명의 효과를 높일 수 있다. 액온은, 이러한 내전압성의 관점에서는, -2 내지 25 ℃가 바람직하고, 특히 5 내지 18 ℃의 범위가 효과적이다.
또한, 이 양극 산화 처리액의 액온은 상기와 같이 그 목적의 관점에 따라 바람직한 범위가 다른 것이며, 따라서, 실시에 있어서 그때 요구되는 목적의 관점에 따라서 적절하게 선택하면 좋은 것은 말할 것도 없다.
가수 처리에는, 이온 교환을 행한 것을 이용한다. 이것은, 반도체 디바이스 등의 오작동을 일으킬 가능성이 있는 금속 이온을 극소화하기 위해서이다. 또한, 무기 이온으로서, Si를 함유하는 화합물은 15 ppm 이하, 바람직하게는 10 ppm 이하로 하는 것이 바람직하다.
처리 방법은, 대상으로 되는 것을 상기 물에 침지하여 행한다.
액온은 60 ℃ 이상, 처리 시간은 20분 이상이지만, 특히 본 발명의 효과를 얻기 위해서는, 액온을 90 ℃ 이상, 바람직하게는 95 ℃이상으로 하는 것이 좋다. 또한, 종래부터 이용되고 있는 가압 수증기 중에 대상물을 폭로하는 방법에 의해서도 가능하고, 상압 내지 상압의 2배 정도의 범위에서 제어하는 것이 추천된다. 온도는, 전술과 동일하게 90 ℃ 이상이 바람직하지만, 압력을 상압을 초과한 영역에서 인가하는 경우에는, 80 내지 85 ℃ 이상에서도 효과를 발현한다.
또한, 내전압성을 부여하기 위해서는, 가수 처리에 있어서의 액온은 60 ℃ 이상, 처리 시간은 20분 이상, 바람직하게는 30분 이상이지만, 특히 본 발명의 효과를 얻기 위해서는, 액온을 70 내지 90 ℃로 하는 것이 좋다. 또한, 종래부터 이용되고 있는 가압 수증기 중에 대상물을 폭로하는 방법에 의해서도 가능하며, 상압 내지 상압의 2배 정도의 범위에서 제어하는 것이 추천된다. 온도는, 전술과 동일하게 70 내지 90 ℃가 바람직하지만, 압력을 상압을 초과한 영역에서 인가하는 경우에는, 65 내지 85 ℃에서도 효과를 발현한다.
양극 피막의 임피던스 및 경도를 상기 조건 범위로 특정함으로써, 본 발명의 상기 효과를 달성할 수 있는 것을, 이하, 구체적인 실시예를 들어 실증하기로 한다. 그러나, 본 발명은, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(제1 실시예)
JIS 6061 Al 합금판 또는 5052 Al 합금판(50 내지 100 ㎜ × 50 내지 100 ㎜)을 대상으로 최종 전해 전압 : 30 내지 100 V, 처리 시간 : 20 내지 200분으로 양극 산화 처리를 행하고, 또한 가수 처리(봉공 처리)를 실시하여 Al 합금판의 표면에 각종 양극 산화 피막(막 두께 : 25 내지 80 ㎛)을 형성했다. 이들 피막의 임피던스(10-2 ㎐일 때의 Z의 값)를 측정했다. 이 임피던스는 10-3 ㎐로부터 105 ㎐까지 측정하고, 10-2 ㎐ 시점에서의 값을 막의 안정성의 지표로서 선정했다. 또한 상기 피막의 경도를 마이크로 비커스 경도계에 의해 측정했다.
계속해서, 내플라즈마성을 확인하기 위한 시험으로서, 양극 산화 피막을 형성한 알루미늄 합금판에 플라즈마 가스를 조사(가스 : BCl3/50 ％ + Cl2/50 ％sccm, ICP : 800 내지 1000 W, 바이어스 : 30 내지 120 W, 가스압 : 2 mT, 온도 : 30 내지 80 ℃)하여 피막의 에칭을 행하고, 이때의 에칭 속도를 조사했다. 또한, 내식성의 시험으로서, 이들 알루미늄 합금판을 HCl(7 ％ 수용액)에 침지하여 H2 발포까지의 시간을 측정했다.
표1에 각 양극 피막의 형성, 처리 조건의 상세 내용을, 또한 표2에 얻어진 각 양극 피막의 임피던스치, 경도 및 플라즈마 에칭 속도, HCl 침지시의 H2 발포 시간의 측정 결과를 각각 나타낸다.
[표1]
[표2]
표2로부터, 본 발명의 범위에 포함되는 No.2, 6, 10, 14 내지 17, 19 내지 30, 34, 35, 37, 즉 양극 산화 피막의 주파수 10-2 ㎐에 있어서의 임피던스치가 107 Ω 이상이고, 또한 상기 피막의 경도가 400 (Hv) 이상인 경우는, 플라즈마 에칭 속 도가 0.25 ㎛ 이하이고 또한 HCl 침지시의 H2 발포 시간이 12분 이상으로 되어 있어, 우수한 결과가 얻어지는 것을 알 수 있다. 한편, 이들 조건을 동시에 만족하지 않는 비교예에 상당하는 No.1, 3 내지 5, 7 내지 9, 11 내지 13, 18, 31 내지 33, 36은, 본 발명예보다 내가스 부식성 및 내플라즈마성이 떨어지고 있는 것을 알 수 있다.
(제2 실시예)
JIS 6061 Al 합금판 또는 5052 Al 합금판(50 내지 100 ㎜ × 50 내지 100 ㎜)을 대상으로 최종 전해 전압 : 30 내지 60 V, 처리 시간 : 60 내지 200분으로 양극 산화 처리를 행하고, 또한 가수 처리(봉공 처리)를 실시하여 Al 합금판의 표면에 각종 양극 산화 피막(막 두께 : 10 내지 60)을 형성했다. 이들 피막의 임피던스(10-2 ㎐일 때의 Z의 값)를 측정했다. 이 임피던스는 10-3 ㎐로부터 105 ㎐까지 측정하고, 10-2 ㎐ 시점에서의 값을 막의 안정성의 지표로서 선정했다. 또한 상기 피막의 경도를 마이크로 비커스 경도계에 의해 측정했다.
또한 알루미늄 합금판을 HCl(7 ％ 수용액)에 침지하여 H2 발포까지의 시간을 측정했다. 또한 직류 전원을 이용하여, 절연 파괴 전압을 측정했다.
표3에 각 양극 피막의 형성, 처리 조건의 상세 내용을, 또한 표4에 얻어진 각 양극 피막의 임피던스치, 경도 및 HCl 침지시의 H2 발포 시간, 내전압(절연 파괴 전압)의 측정 결과를 각각 나타낸다.
[표3]
[표4]
표4로부터, 본 발명예의 범위에 포함되는 No.8 내지 17, 즉 양극 산화 피막의 주파수 10-2 ㎐에 있어서의 임피던스치가 108 Ω 이상이고, 또한 상기 피막의 경도가 350 (Hv) 이상인 경우는, HCl 침지시의 H2 발포 시간이 60분 이상이고, 내전압은 210 V/10 ㎛ 이상으로 되어 있어, 명백하게 우수한 결과가 얻어지는 것을 알 수 있다. 한편, 이들 조건을 동시에 만족하지 않는 비교예에 상당하는 No.1 내지 7, 18 내지 19는, 본 발명예보다 내가스 부식성 및 내플라즈마성이 떨어지고 있는 것 을 알 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 관한 알루미늄 부재 또는 알루미늄 합금 부재는, 이 표면에 형성된 양극 산화 피막이 내플라즈마성과 내가스 부식성의 양 특성에 있어서 우수하고, 고내식성을 갖기 때문에, CVD 장치, PVD 장치, 드라이 에칭 장치와 같은 진공 장치에 이용되는 진공 용기(진공 챔버), 반응 용기(반응 챔버) 또는 용기 내에 설치되는 부재의 구성 재료로서 매우 유리하게 적용할 수 있는 것이다.
Claims (4)
- 표면에 양극 산화 피막을 형성한 알루미늄 부재 또는 알루미늄 합금 부재이며, 상기 양극 산화 피막의 임피던스가 주파수 10-2 ㎐에 있어서 107 Ω 이상이고, 또한 피막 경도가 비커스 경도(Hv)로 400 이상인 것을 특징으로 하는 알루미늄 부재 또는 알루미늄 합금 부재.
- 표면에 양극 산화 피막을 형성한 알루미늄 부재 또는 알루미늄 합금 부재이며, 상기 양극 산화 피막의 임피던스가 주파수 10-2 ㎐에 있어서 108 Ω 이상이고, 또한 피막 경도가 비커스 경도(Hv)로 350 이상인 것을 특징으로 하는 알루미늄 부재 또는 알루미늄 합금 부재.
- 제2항에 있어서, 상기 양극 산화 피막이, 황산 함유량(황산 원액 농도를 98 ％로 하여)이 50 g/l 이하인 수용액을 이용하여 형성된 것인 알루미늄 부재 또는 알루미늄 합금 부재.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 알루미늄 부재 또는 알루미늄 합금 부재에 의해 구성된 진공 장치용 부재.
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