KR20060128988A - 탄소 나노튜브 합성물 상호 연결 비아를 이용한 집적 회로칩 - Google Patents

탄소 나노튜브 합성물 상호 연결 비아를 이용한 집적 회로칩 Download PDF

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토시하루 푸루카와
마크 찰스 하케이
데이빗 베이클레프 호락
찰스 윌리암 코버거Ⅲ
마크 엘리오트 마스터스
피터 미첼
스태니슬라프 폴론스키
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Abstract

집적 회로의 전도성 경로는 바람직하게 구리인 전도성 금속에 매립된 복수의 비차등 탄소 나노튜브를 이용하여 형성된다. 바람직하게, 전도성 경로는 전도성 층 사이에 걸리는 비아를 포함한다. 합성물 비아는 비아 위치에서의 도체 상의 금속 촉매를 형성하고, 유전층을 적층 및 에칭하여 캐비티를 형성하고, 캐비티의 촉매 상에 실질적으로 평행한 탄소 나노튜브를 성장시키고, 캐비티의 나머지 보이드를 구리로 채우는 것으로 형성된다. 다음 도전층은 비아 홀 위에 형성된다.
탄소 나노튜브, 비아 홀, 금속 촉매, 집적 회로 칩, 전도성 경로, 유전층

Description

탄소 나노튜브 합성물 상호 연결 비아를 이용한 집적 회로 칩{INTEGRATED CIRCUIT CHIP UTILIZING CARBON NANOTUBE COMPOSITE INTERCONNECTION VIAS}
본 발명은 디지털 데이터 처리에 관한 것으로, 더욱 특히 디지털 데이터 시스템의 구성 요소로 이용되는 디자인 집적 회로 칩에 관한 것이다.
20세기 후반부에, 정보 혁명으로 알려진 현상이 시작되고 있다. 정보 혁명은 어느 하나의 이벤트나 머신 보다 영역이 더 넓은 역사적인 개발이지만, 디지털 전자 컴퓨터 보다 정보 혁명을 더 많이 나타내는 단일의 디바이스는 없다. 컴퓨터 시스템의 개발은 확실히 혁명이 되고 있다. 해마다 컴퓨터 시스템은 더욱 빨라지고, 더 많은 데이터를 저장하고, 유저들에게 더 많은 어플리케이션을 제공한다.
현대 컴퓨터 시스템은 통상 중앙 처리 유닛 (CPU) 및 통신 버스와 메모리와 같이, 정보를 저장, 검색 및 전달하는 데에 필요한 지원 하드웨어를 포함한다. 이것은 또한 입/출력 제어기나 저장 제어기와 같이 외부 세계와 통신하는 데에 필요한 하드웨어 및 키보드, 모니터, 테이프 드라이브, 디스크 드라이브, 네트워크에 연결되는 통신선과 같이 결합된 디바이스를 포함한다. 이것은 컴퓨터 프로그램을 포함하는 명령을 실행하고 다른 시스템 구성 요소의 동작을 지시한다.
컴퓨터의 하드웨어의 관점으로부터, 대부분의 시스템은 기본적으로 동일한 방법으로 동작한다. 프로세서는 산술, 논리 비교, 및 한 위치에서 다른 위치로의 데이터 이동과 같이 제한된 세트의 매우 간단한 연산을 실행할 수 있다. 그러나 각 연산은 매우 빠르게 실행된다. 컴퓨터가 대다수의 이들 간단한 연산을 실행하도록 지시하는 프로그램은 컴퓨터가 정교한 뭔가를 실행하고 있다는 오해를 준다. 컴퓨터 시스템의 능력이 새롭거나 개선되었다고 유저에게 지각되는 것은 동일한 세트의 매우 간단한 연산을 필수적으로 실행하지만, 이를 더욱 빠르게 행하는 것으로 가능하게 된다. 따라서 계속되는 컴퓨터 시스템의 개선은 이들 시스템이 더욱 빨라지는 것을 요한다.
컴퓨터 시스템의 전체 속도 (또한 수율로 언급)는 단위 시간 당 실행되는 연산의 수로 측정된다. 시스템 속도가 개선되는 데에는 여러 가지 방법이 있지만, 모든 개선 중 가장 간단하고 가장 기초적인 것은 기본 회로가 동작하는 속도를 증가시키는 것인데, 즉 여러 구성 요소의 클럭 속도 및 특히 프로세서의 클럭 속도를 증가시키는 것이다. 예를 들어, 모든 것이 두배로 빠르게 실행하면서 정확히 동일한 방법으로 동작하게 되면, 시스템은 임의의 작업을 절반의 시간으로 실행하게 된다.
클럭 속도는 반드시 여러 디자인 변수로 제한되게 되고, 특히 신호 전파 지연으로 제한된다. 일반적으로, 클럭 속도는 신호 경로의 길이가 감소되면, 즉 로직 요소의 크기를 수축시켜 증가될 수 있다. 많은 개별의 구성 요소로 구성된 초기 컴퓨터 프로세서는 구성 요소 크기를 수축하고, 이산 구성 요소의 개수를 감소시키고, 종국에는 전체 프로세서를 단일 칩 상의 집적 회로로서 패키징하여 상당한 속도의 개선이 가능하였다. 현대의 프로세서 칩 디자인은 프로세스와 동일한 집적 회로 칩 상에 하나 이상의 캐시를 포함하고, 어떤 경우에는 단일의 집적 회로 칩 상에 다수의 프로세서를 포함한다.
집적 회로로부터 성취되는 엄청한 속도의 개선에도 불구하고, 더 빠른 컴퓨터 시스템의 요구는 계속되고 있다. 이 요구로 집적 회로 칩 내의 로직 회로의 크기를 더욱 더 축소시킬 필요성이 대두되고 있다.
전형적인 집적 회로 칩이 다수의 층에 구성된다. 많은 능동 및 수동 요소는 기판 (보통 실리콘) 상에 형성된다. 유전층은 능동 요소 위에 위치되고, 각각 다른 유전층에 의해 분리되는 다수의 도전층은 능동 요소 위에 형성된다. 도전층은 전력과 접지 전위 뿐만 아니라, 능동 요소 사이에서 걸리는 수많은 신호 인터커넥트를 지닌다. 도전층 간이나, 도전층과 능동이나 수동 요소 간의 전도성 인터커넥트는 비아로 불리는 유전층의 홀로 형성되고, 여기에 알루미늄이나 구리와 같은 전도성 금속이 유입된다.
전형적인 프로세서의 능동 요소의 개수는 매우 많은 개수의 상호연결부를 나타내고, 이들이 작은 영역 내에 패키지되어야 하기 때문에, 개별의 상호연결부의 크기는 한정된다. 단지 금속 도체인 비아는 작은 유한의 저항을 가지며, 이는 비아의 단면적이 수축되면서 커진다. 칩 상의 로직 요소의 개수의 증가는 더 많은 수의 비아를 필요로 하고, 이어서 각 개별의 비아에 유용한 공간을 감소시키게 된다. 모든 다른 디자인 변수가 동일하게 유지된다면, 이것은 개별의 비아의 저항을 증가시키는 효과를 가져온다. 상호 연결 도체와, 특히 전도성 비아를 형성하기 위 한 디자인 기술의 개선 필요성이 대두되고 있으며, 이는 인터커넥트의 크기의 감소와 회로 요소 밀도의 증가를 지원하게 될 것이다.
최근에, 탄소 나노튜브가 집적 회로의 전도성 경로를 형성하는 데에 이용될 수 있다고 시사한 바 있다. 탄소 나노튜브는 공유 결합된 탄소 원자의 그래파이트 구조적 층이 원통형상으로 둘러져 있는 순수 탄소 분자 구조물이다. 이런 구조물은 나노미터 범위의 직경을 가지며, 축방향 크기가 몇 차수 더 긴 크기로 될 가능성이 있다. 어떤 탄소 나노튜브는 현재의 제한치 까지 매우 큰 전기적 전도률을 갖는다. 이들 탄소 나노튜브의 전도률은 보통의 금속 보다 상당히 크다. 부가하여, 탄소 나노튜브의 현재 용량은 금속 보다 더 크므로, 도전체로 나노튜브를 이용하게 되면 구조물의 형태와 전기적 저항의 장기적 안정성을 개선할 것으로 기대된다.
특정 탄소 나노튜브의 높은 전도률이 전자 회로의 가능한 어플리케이션을 암시하고 있지만, 탄소 나노튜브를 이용하여 성공적인 디바이스를 디자인하고 상용화 제조하는 데에는 기술적인 문제가 있게 된다.
집적 회로의 전도성 경로는 전도성 금속 재료에 매립된 다수의 획일적인 탄소 나노튜브를 이용하여 형성된다. 바람직하게, 전도성 경로는 도전층 사이에 걸리는 비아를 포함하고, 나노튜브는 구리나 알루미늄 등의 전도성 금속에 매립되지만, 다른 금속이 이용되거나 다른 전도성 경로가 형성될 수도 있다.
바람직한 실시예에서, 금속 촉매 패드가 장래의 비아 위치에서의 도체 상에 형성된다. 다음에 유전층이 도체와 촉매를 포함하는 층 위에 적층되고, 홀이 비아의 위치에서 유전체에 형성된다. 실질적으로 평행한 탄소 나노튜브가 촉매로부터 유전층의 상부에 이르기 까지 홀 내에 성장된다. 탄소 나노튜브를 포함하는 홀은 전도성 금속으로 채워져 합성물 탄소 나노튜브-금속 비아를 제조하게 된다. 다음 도전층은 비아 홀 위에 형성되게 된다.
바람직한 실시예에 따르면, 탄소 나노튜브 간의 보이드에 금속을 채우게 되면 실제의 탄소 나노튜브 전도성 디바이스의 구성시 몇 가지 잠재적인 문제가 해결된다. 탄소 나노튜브가 높은 전도률을 갖지만, 튜브의 작은 단면적이 튜브 인터페이스에서의 전기적 결합을 어렵게 만든다. 비아의 보이드를 구리나 다른 금속으로 채움으로써, 금속과 탄소 나노튜브 간에 넓은 접촉 면적이 만들어져, 전도성 인터페이스를 개선할 수 있다. 또한 탄소 나노튜브가 단일의 형상으로 제조되기 어렵고, 대부분의 기술들이 전도성 및 반전도성 탄소 나노튜브의 혼합물을 제조한다는 것이 또한 인지되었다. 비아의 다수의 탄소 나노튜브 간의 보이드가 금속으로 채워지는 경우, 반전도성 튜브의 비율의 존재는 집적 회로의 특성에 전체적으로 영향을 주지 않게 된다.
다른 실시예에서, 탄소 나노튜브 간의 공간을 증가시키기 위해 촉매 영역에 불연속성이 형성된다. 탄소 나노튜브 간의 보이드의 크기 증가는 금속 충전 프로세스를 용이하게 하며, 그렇지 않으면 보이드를 완전히 충전하는 데에 어려움이 있을 수 있다.
본 발명의 상세 사항은 그 구조물과 동작에 대해서, 첨부한 도면을 참조하여 잘 이해될 수 있으며, 여기에서 동일한 참조 부호는 동일한 부분을 나타내고 있다:
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라서, 탄소 나노튜브 도체를 갖는 집적 회로를 이용하기 위한 컴퓨터 시스템의 주요 하드웨어 구성 요소의 고위 블럭도이다.
도 2는 바람직한 실시예에 따라서 집적 회로 모듈을 절단 평면도로 개략적으로 나타낸다.
도 3은 바람직한 실시예에 따라서 집적 회로 모듈의 일부를 단면도로 개략적으로 나타낸다.
도 4A-4G는 제1 바람직한 실시예에 따른 집적 회로 칩의 일부의 개략적 확대 단면도로서, 여러 단계에서의 탄소 나노튜브와 구리 합성물 비아의 구성을 나타낸다.
도 5는 제1 바람직한 실시예에 따라서, 합성물 비아를 형성하기 위한 전체 프로세스 단계를 나타내는 흐름도이다.
도 6A-6G는 다른 바람직한 실시예에 따른 집적 회로 칩의 일부의 개략적 확대 단면도로서, 여러 단계에서의 탄소 나노튜브와 구리 합성물 비아의 구성을 나타낸다.
도 7은 다른 바람직한 실시예에 따라서, 합성물 비아를 형성하기 위한 전체 프로세스 단계를 나타내는 흐름도이다.
도면 전체에 걸쳐 유사한 부호는 유사한 부분을 나타낸다. 도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라서, 탄소 나노튜브 도체를 갖는 집적 회로를 이용하기 위한 컴퓨터 시스템(100)의 주요 하드웨어 구성 요소의 고위 표시도이다. 기능적 레벨로, 시스템(100)의 주요 구성 요소를 도 1에서 점선으로 윤곽을 그리어 나타내었다: 이들 구성 요소들은 하나 이상의 중앙 처리 유닛(CPU; 101), 메인 메모리(102), 단말 인터페이스(106), 저장 인터페이스(107), I/O 디바이스 인터페이스(108), 및 통신/네트워크 인터페이스(109)를 포함하고, 이들 모두는 하나 이상의 버스(105)를 통해 구성 요소간 통신을 위해 연결되어 있다.
CPU(101)는 메모리(102)에 저장된 명령을 실행하는 하나 이상의 범용 프로그래머블 프로세서이고; 시스템(100)은 하나의 CPU 또는 복수의 CPU를 포함할 수 있고, 이와 달리 도 1의 CPU(101)로 집합적으로 나타낼 수도 있으며, 하나 이상의 레벨의 온-보드 캐시 (도시 생략)를 포함할 수 있다. 메모리(102)는 데이터와 프로그램을 저장하기 위한 랜덤-액세스 반도체 메모리이다. 메모리(102)는 하나의 모노리식 엔티티이고, 메모리가 캐시와 그 외 메모리 디바이스의 계층에 배열되어 있다는 것이 이해될 것이다. 부가하여, 메모리(102)는 여러가지 소위 비균일한 메모리 액세스 (NUMA) 컴퓨터 시스템 아키텍쳐에서와 같이, 특정 CPU나 CPU 세트 및 특정 버스와 연관된 부분들로 나뉘어진다.
단말 인터페이스(106)는 하나 이상의 유저 단말(121A-C) (일반적으로 121로 언급)의 결합을 위한 연결부를 제공하고, 각종 방법으로 구현될 수 있다. 많은 대용량 서버 컴퓨터 시스템 (메인프레임)은 보통, 하나 이상의 전자 회로 카드 상에 단말 인터페이스 (I/O) 프로세스를 통한 직접적인 다수의 단말 결합을 지원한다. 다르게, 인터페이스(106)는 단말(121)이 결합되는 근거리 통신망에 연결부를 제공할 수 있다. 여러 다른 대안들이 가능하다. 데이터 저장 인터페이스(107)는 하나 이상의 데이터 저장 디바이스(122A-C)(일반적으로 122로 언급)에 인터페이스를 제공하고, 이들은 통상 회전식 자기 하드 디스크 드라이브 유닛이지만, 다른 유형의 데이터 저장 디바이스가 이용될 수도 있다. I/O 및 그 외 디바이스 인터페이스(108)는 여러 다른 입/출력 디바이스나 그 외 유형의 디바이스에 인터페이스를 제공한다. 이런 두 디바이스, 프린터(123)와 팩스 기기(124)가 도 1의 예시의 실시예에 나타나 있으며, 다른 유형인 많은 다른 디바이스가 존재할 수 있다는 것이 이해될 것이다. 통신 인터페이스(109)는 하나 이상의 통신 경로를 시스템(100)으로부터 다른 디지털 디바이스와 컴퓨터 시스템에 제공하고; 이런 경로는 예를 들어, 인터넷, 근거리 통신망, 또는 그 외 망과 같은 하나 이상의 망(126)을 포함할 수 있거나, 원격 디바이스 통신선, 무선 연결 등을 포함할 수 있다.
버스(105)는 여러 시스템 구성 요소 사이에 통신 경로를 제공한다. 하나의 개념적인 버스 엔티티(105)가 도 1에 나타나 있지만, 전형적인 컴퓨터 시스템은 계층적 스타 또는 웹 구성의 포인트-투-포인트 링크, 다수의 계층적 버스, 평행한 리던던트 경로 등의 복합 토폴러지로 배열되는 다수의 버스를 가지며, 개별의 버스는 어드레스나 스테이터스 정보 등의 특정 정보를 통신하기 위해 존재한다는 것이 이해될 것이다.
물리적으로, 주요 기능적 유닛은 통상 하나 이상의 집적 회로 칩에 구현된 다. 이런 칩은 일반적으로 전자 회로 카드 어셈블리에 장착되고, 다수의 칩은 하나의 회로 카드에 장착된다. 도 1에서, CPU(101)는 네 개의 집적 회로 칩(111A-D)을 포함하는 것으로 도시되어 있으며, 이들 각각은 하나 이상의 프로세서를 포함하거나, 단일의 프로세스의 기능의 일부만을 실행할 수 있으며; 메모리(102)는 6개의 칩(112A-112F)를 포함하는 것으로, 버스(105)는 세 개의 칩(115A-C)을 포함하는 것으로, 단말 인터페이스(106)는 세 개의 칩(116A-116C)을 포함하는 것으로, 저장 인터페이스(107)는 두 개의 칩(117A-B)를 포함하는 것으로, 다른 인터페이스(108)는 두 개의 칩(118A-B)을 포함하는 것으로, 통신 인터페이스(109)는 두 개의 칩(119A-B)을 포함하는 것으로 나타나 있다. 그러나, 이런 칩의 실제 개수는 변할 수 있다.
도 1은 예시의 시스템(100)의 대표적 주요 구성 요소를 고위로 도시하고자 하였으며, 개별의 구성 요소가 도 1에 나타낸 것 보다 더욱 복잡할 수 있으며, 이런 기능적 유닛이나 물리적 유닛의 개수, 유형 및 형태가 상당하게 변할 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 도 1에 나타낸 모든 구성 요소가 특정 컴퓨터 시스템에 존재하는 것은 나니고, 나타낸 것에 부가하여 다른 구성 요소도 존재할 수 있다는 것도 또한 이해될 것이다. 시스템(100)이 다수의 단말을 갖는 복수 유저 시스템으로 도시되어 있지만, 시스템(100)은 통상 단일 유저 디스플레이와 키보드 입력부만을 포함하는 단일 유저 시스템일 수 있거나, 직접 유저 인터페이스는 거의 갖지 않지만 다른 컴퓨터 시스템(클라이언트)으로부터의 요청을 수신하는 서버나 유사한 디바이스일 수 있다.
도 2 및 도 3은 바람직한 실시예에 따라, "칩"으로 또한 불리는 집적 회로 모듈(200)의 간단한 도시이다. 집적 회로 모듈(200)은 도 2에서 단면 평면도로 나타내었다. 집적 회로 모듈(200)의 일부는 도 3에서 단면으로 나타내었다. 도 2 및 도 3에 나타낸 집적 회로 모듈(200)은 모듈(111A-D, 112A-F, 115A-C, 116A-116C, 117A-B, 118A-B 또는 119A-B) 중 어느 하나일 수 있거나, 도 1에 나타내지 않은 다른 모듈일 수 있다. 집적 회로 모듈(200)은 칩(201), 즉 단일의 비교적 넓고, 편평한 반도체 기판 상에 형성된 여러 전자 회로나 요소를 포함한다. (칩) 위에 일체로 형성된 기판과 전자 부품들은 보호성 절연체(202)로 둘러싸여 캡슐화된다. 전체 어셈블리는 통상 모듈을 디지털 디바이스의 다른 구성 요소에 연결하기 위한 다수의 전도성 경로를 갖는 전자 회로 카드 (도시 생략) 상에 장착된다. 이런 카드는 위에 다수의 집적 회로 모듈이 장착되어 있다. 다수의 전도성 라인(203)은 기판 칩에서 나와 모듈(200)에서 연장된 I/O 핀(204)에 연결된다. I/O 핀(204)은 전자 회로 카드의 전도성 경로에 결합된다. I/O 핀이 도 2에서 설명의 목적으로 모듈(200)의 두 에지를 따라 도시되어 있지만, 이들은 모두 네 개의 에지를 따라 장착되기도 한다. 다르게, I/O 연결부는 공지되거나 이후 개발될 여러 다른 방법으로 형성되는데; 예를 들어, I/O 연결부는 핀, 패드 또는 볼을 이용하여 모듈의 저부에 형성될 수 있다.
칩(201)은 복수의 층에 구성되는 얇고 편평한 부재이다. 저부 층은 반도체 기판(211)이고, 이는 통상 실리콘인데, 그 외 SiGe, SiC 및 GaAs 등의 재료가 가능하다. 반도체 층은 사파이어와 같이, 구조적 지지나 그 외 기능을 제공하는 여러 재료로 된 하나 이상의 층 위에 선택적으로 적층될 수 있다. 전계 효과 트랜지스터와 같은 다수의 능동 및/또는 수동 디바이스(212)가 기판의 선택적 도핑, 부가의 절연체 (유전체)와 전도성 재료의 적층으로 기판 상에 형성된다. 로직 회로는 여러 능동 및 수동 디바이스를 원하는 구성으로 연결하고, 능동 디바이스에 파워와 접지 연결부를 제공하여 형성된다. 능동 디바이스 간의 전도성 상호 연결은 도체(213-216)를 포함하는 다수의 층에 위치되며, 각 층은 절연층(301-305)에 의해 인접 층과 분리된다.
능동 디바이스와 상호 연결부의 개수가 보통 매우 많고, 집적 회로의 디자인이 보통 여러 방향의 상호 연결부를 필요로 하기 때문에, 상호 연결부의 물리적 위치는 도전할 만한 디자인 이슈가 된다. 일반적으로, 도전층 내의 개별의 도체는 하나의 방향으로 이어지고, 이 방향은 연속적인 도체층과 직각으로 교체한다. 전도성 비아(311-316)는 도전층 사이의 절연층을 통과하여, 전기적 연결을 이룬다. 전도성 비아는 (도 3에서 비아(312, 313, 315 및 316)으로 나타낸 바와 같이)여러 도전층의 두 도체 사이 또는 (도 3에서 비아(311 및 314)로 나타낸 바와 같이) 능동 또는 수동 디바이스(306-308)의 일부와 도전층 사이에 걸린다. 하나의 전도성 경로는 몇개의 도전층과 몇개의 비아를 가로지른다.
도 2 및 도 3은 설명의 목적으로 집적 회로 모듈을 고위 표시로 나타내고자 한 것으로, 반드시 비례하는 것은 아니다. 단일의 칩 모듈 상에 포함된 능동 디바이스의 실제 개수는 아주 많고 개별의 디바이스의 크기는 하나의 도면에서 비례하게 도시하는 것이 어렵거나 불가능할 정도로 너무 작다. 더욱, 네 개의 도전층이 도시되어 있지만, 이 층의 실제 개수는 변할 수 있다.
컴퓨터 시스템과 그 외 디지털 디바이스의 능력 개선을 지원하기 위해서는, 집적 회로 칩의 능동 및/또는 수동 디바이스의 크기를 감소하고 개수를 증가시키는 것이 바람직하다. 디바이스의 수를 증가시키는 데에는 전도성 상호 연결부의 개수의 증가를 요한다. 다른 디자인의 수정 없이 모든 도체를 더 작게 하고 이들을 더 근접하게 위치시키게 되면 도체의 저항과 커패시턴스의 증가를 초래할 수 있다. 종래의 기술을 이용하면, 장래의 집적 회로 디자인의 예견 가능한 공간 제한 내에서는 상호 연결 도체의 충분한 컨덕턴스를 성취하기가 어렵다. 이것은 특히 한 층에서 다른 층으로의 전도성 연결을 제공하는 상호 연결 비아의 경우 그렇다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 집적 회로의 전도성 비아는 탄소 나노튜브와 구리 등의 금속의 합성물로 구성된다. 탄소 나노튜브는 비아 공간에 평행하게 성장되며, 나노튜브 간의 보이드는 구리 등의 금속으로 충전된다. 탄소 나노튜브는 비아 공간에서 평행하게 성장되는 것이 바람직하고, 다음에 나노튜브 간의 보이드는 구리 등의 금속으로 채워진다. 탄소 나노튜브는 매우 높은 전도률과 전류 전달 능력을 갖기 때문에, 이들은 비아의 길이를 통해 전류의 벌크를 전달할 수 있다. 그러나, 탄소 나노튜브는 단면이 매우 좁다. 순수 탄소 나노 튜브로 만들어진 비아는 그 길이에 걸쳐 매우 높은 컨덕턴스를 가지는 반면, 다음 집적 회로층과의 인터페이스에서의 접촉 영역은 너무 작아 인터페이스에 상당한 저항이 있을 수 있게 되는데, 이는 탄소 나노튜브의 고 컨덕턴스의 이점에 방해가 된다. 나노튜브 간의 보이드를 도전층의 도체에 이용되는 것과 동일한 금속인 구리 등의 금속 으로 충전하여, 큰 표면 영역이 탄소 나노튜브와 금속 (예를 들어, 구리) 간의 인터페이스에 제공된다. 따라서 탄소 나노튜브는 보이드 내의 후속되는 금속의 적층을 용이하게 하는 공간 구성으로 성장되게 된다.
바람직한 실시예에 따라서 탄소 나노튜브와 구리 합성물을 형성하기 위한 두 다른 프로세스를 도 4A-4G, 5, 6A-6G 및 7을 참조하여 이하 설명한다. 도 5는 제1 바람직한 실시예에 따르면, 합성물 비아를 형성하기 위한 전체 프로세스 단계를 나타낸 흐름도이다. 도 4A-4G는 제1 바람직한 실시예에 따른 집적 회로 칩의 일부의 간략화된 확대 단면도로서, 여러 단계에서 탄소 나노튜브와 구리 합성물의 구성을 나타낸다. 도 7은 다른 제2 바람직한 실시예에 따른, 합성물 비아를 형성하기 위한 전반적인 프로세스 단계를 나타내는 흐름도이다. 도 6A-6G는 다른 실시예에 따른 집적 회로 칩의 일부의 간략화된 확대 단면도로서, 여러 단계에서의 탄소 나노튜브와 금속 합성물 비아의 구성을 나타낸다. 도 4A-4G 및 도 6A-6G는 반드시 비례하게 도시할 필요는 없고, 특히 탄소 나노튜브의 크기는 설명의 목적으로 확대된 것으로, 이런 피쳐의 개수는 대응하여 감소된다. 아래 프로세스는 명확성을 위해 하나의 비아에 관련하여 도시 및 기재되고 있지만, 통상의 구현시에는 다수의 비아가 동시에 구성되게 된다는 것이 이해될 것이다.
공지된 바와 같이, 집적 회로 칩은 보통 기판으로부터 층으로 구축되고, 연속층은 여러 프로세스에 따라 적층되고, 때로는 피쳐를 형성하도록 선택적으로 제거되고, 경우에 따라 다른 층으로 피복된다. 제1 바람직한 실시예에서, "더블 다마신" 프로세스는 금속 도체를 적층하는 데에 이용된다. "더블 다마신" 프로세스 에서, 트렌치와 캐비티는 유전체에 형성되고, 이는 다음에 금속 도체로 충전되고, 이 때 "더블"은 평면 층의 비아와 도체 둘 다가 하나의 단계에서 충전된다는 사실을 말한다. 이 더블 다마신 프로세스는 특히 금속 도체가 구리일 때 바람직한데, 이것은 모든 구리 표면 상에서 구리 이동에 대한 장벽의 적층을 도모하기가 쉽기 때문이다. 그러나, 이 프로세스는 또한 다름 금속으로 이용될 수도 있다.
제1 바람직한 실시예에 따라서 탄소 나노튜브와 구리 합성물 비아를 형성하는 프로세스는 도 4A에서 나타낸 유전층(401)에서 시작한다. 유전층(401)은 다른 층(400)의 상부에 제조되고, 이는 금속 도체의 층이거나, 기판 자체일 수 있다. 층(400)은 종래의 기술 또는 이후 개발된 기술을 이용하여 제조되거나, 여기 기재된 바와 같이 제조된 다른 금속층일 수 있다. 유전층(401)은 도 5에서 나타낸 단계 501로서, 하부층(400) 상에 실질적으로 균일한 유전층을 적층하는 것으로 형성된다. 바람직하게, 유전층은 규산 불소 유리 저-k 유전체이지만, 그 외 다른 재료가 이용될 수도 있다. 도체의 트렌치의 패턴은, 원하는 도체의 패턴에 따라 적층된 유전체의 상면을 포토레지스트 이미지로 리소그래픽 패터닝하고; 반응성 이온 에칭으로 언마스크된 유전체의 일부를 제거하여 트렌치의 패턴을 형성하고; 표면에서 포토레지스트 마스크를 세정함으로써, 유전층에 형성되고, 이들은 단계 502에서 집합적으로 나타내었다. 도 4A는 단계 502를 실행한 이후에, 유전층(401)의 최종 단일 트렌치(412)를 단면으로 나타내고, 사실상 유전층(401)은 복합 패턴의 트렌치를 갖는다는 것이 이해될 것이다.
얇은 다중층 라이너(402)가 특히 트렌치를 포함하는 유전체(410)의 전체 상 면 위에 적층된다 (단계 503). 라이너는 제1 층의 질화 티타늄 (TiN), 이어서 제2 층의 Ti, 이어서 제3 층의 구리를 포함한다. 모든 세 층은 원자층 적층법 및/또는 화학 증착법 (CVD) 또는 물리적 증착법 (PVD) 프로세스에 의해 적층되게 된다. TiN/Ti 층은 유전층으로의 구리 이동을 방지하고 접착을 개선하기 위한 장벽으로 동작한다. 질화 탄탈륨 (TaN)은 TiN 대신에 장벽으로서 이용될 수 있다. 구리층은 접합력을 개선하고 도금 프로세스에서 트렌치의 구리 충전을 개선하는 시드층이다.
칩의 전체 상면은 구리로 도금된다 (단계 504). 도금 프로세스는 구리(403)가 트렌치를 완전히 충전하여 장래의 도체를 형성하게 할 뿐만 아니라, 유전체(401)와 라이너(402)의 상부 위에도 구리 잔여층을 남긴다. 도 4B는 구리 도금 프로세스 이후의 최종 트렌치를 단면도로 나타낸다.
최종 칩 어셈블리의 상면은 화학 기계적 연마(CMP)를 거쳐 구리 잔여층과 라이너를 트렌치를 제외한 모든 곳에서 제거하는데, 즉 상면이 유전층(401)의 상부에 까지 연마된다 (단계 505). 연마는 유전체(401)의 상부와 같은 레벨의 트렌치를 구리(403)로 채운다. 다음에 구리(403)는 반응성 이온 에칭으로 트렌치에 리세스된다 (단계 506). 바람직하게, 구리에 선택적인 에칭 에이전트가 이용되므로, 구리는 유전체 보다 더 빠르게 제거되어, 구리 트렌치에 얕은 리세스를 남긴다.
얇은 촉매층(404)이 칩 어셈블리의 표면 위에 적층된다 (단계 507). 촉매는 니켈, 철 또는 코발트가 바람직하고, 이들은 이후에 기재되는 바와 같이, 희석에 의해 분열될 수 있다. 촉매는 원자층 증착이나 화학적 증착 기술을 이용하여 전체 표면 위에 층으로 적층되는 것이 바람직하다.
니켈, 철이나 코발트는 적당한 프로세스 조건하에서 탄소 나노튜브의 형성에 촉매 작용을 하고, 최대 밀도의 나노튜브는 순수 촉매를 이용하는 것으로 예측될 수 있다. 그러나, 최대 밀도에서 탄소 나노튜브 성장을 지연시켜, 튜브 간에 보이드를 더 크게 하는 것이 바람직하다. 이의 이유는 이것이 나중에 비아 내로의 구리 적층을 용이하게 하여 구리가 비아의 저부 까지 계속 적층되는 것을 도와준다. 따라서, 바람직한 실시예에서, 촉매는 비반응성 금속으로 희석에 의해 "분열되게" 된다. 구체적으로, 약 60% Ni와 40% Mo의 금속 합성물이 비아 내의 탄소 나노튜브 밀도를 감소시키도록 이용될 수 있고, 다른 금속과 비율이 또한 가능하다는 것이 이해될 것이다. 이런 합성물은 촉매 금속의 비균일한 분포를 이루어, 이격된 탄소 나노튜브의 성장을 지원하기 위해 촉매를 더 큰 밀도의 작은 영역으로 효과적으로 "분열시킨다" 다른 "분열" 방법으로, 촉매는 적당한 분위기에서 선택적 단계 508에서 나타낸 부가의 프로세스 단계를 거친다. 예를 들어, 촉매는 가열로 결정화되어, 다량의 촉매가 형성되게 할 수 있고, 유사한 효과를 탄소 나노튜브 성장시 기대할 수 있다.
촉매층(404)을 구리 트렌치가 위치되어 있는 얕은 리세스에만 남기고, 유전체(401)의 상면에서 촉매층을 제거하기 위해 표면에 화학 기계적 연마를 행한다 (단계 509). 도 4C는 연마 단계 509 이후의 표면의 이상적 도시이다.
다음 유전층의 마련시, 질화 실리콘 (Si3N4)의 장벽층(405)이 연마된 표면 위에 적층된다 (단계 510). 질화 티타늄과 같이, 질화 실리콘이 구리의 유전체로 의 이동에 대한 장벽으로 동작한다. 그러나, 질화 티타늄과 달리, 질화 실리콘은 그 자체가 유전 재료이므로, 질화 실리콘 장벽이 도전층의 다수의 도체를 브리지하는 경우 걱정할 필요가 없다.
트렌치(407)와 비아 캐비티(408)를 내부에 갖고 있는 제2 유전층(406)은 도 4D에서 나타낸 바와 같이, 칩 어셈블리의 상면 바로 위에 형성된다. 캐비티는 내부에 캐비티를 갖는 유전층을 형성하기 위해 종래의 프로세스에 따라 형성될 수 있다. 바람직하게, 캐비티는 복수 단계의 프로세스에서 형성되고, 여기에서 유전층(406)은 먼저 아래 놓인 칩 어셈블리의 전체 표면 위에 적층된다 (단계 511). 이렇게 적층된 유전층은 적당한 포토레지스트를 이용하여 리소그래픽 패턴화되고, 리소그래픽 패턴에 따라 유전층의 언마스크 부분은 반응성 이온 에칭에 의해 부분 제거되어 트렌치(407)를 형성하고 (단계 512), 이 트렌치는 다음 도전층의 장차의 금속 도체에 대응한다. 트렌치를 금속으로 충전하기 전에, 유전체가 다시 적당한 포토레지스트를 이용하여 리소그래픽 패턴화되고, 제2 패턴은 도전층 간에 걸린 장차의 비아에 대응하고, 비아 위치에서의 언마스크 유전체와 하지 장벽층은 비아 캐비티(408)를 형성하도록 반응성 이온 에칭으로 제거되고, 이 비아 캐비티는 유전체(406)와 장벽층(405)를 통해 촉매층(404) 까지 계속 이어진다 (단계 513). 다음에 포토레지스트가 남은 유전층에서 제거된다. 유전체에서의 다수의 트렌치와 비아 캐비티 (도 4D에서 도시 생략)가 이 프로세스로 동시에 형성된다는 것이 이해될 것이다. 바람직하게, 리소그래픽 마스크는 약 200nm 제곱의 비아용 홀을 가지며, 이는 약 200nm 직경의 원형 비아 홀을 만든다. 비아 홀은 400nm 이상의 피치로 프 린트된다. 바람직하게, 에칭 에이전트는 유전체에 따라 선택적이며 라이너에 영향을 주지 않는다. 도 4D는 단계 513를 실행한 후에 칩 어셈블리의 일부를 나타낸 것으로, 비아 캐비티의 단면을 나타내고 있다.
촉매층이 노출된 후에, 탄소 나노튜브(409)가 촉매 영역으로부터 비아에서 성장된다 (단계 515). 도 4E는 탄소 나노튜브(409)가 내부에 성장된 이후의 비아를 나타낸다. 바람직한 실시예에서, 탄소 나노튜브는 약 500-600C의 온도에서 암모니아 촉매의 존재시 아세틸렌 가스원으로부터 성장된다. 아세틸렌 대 암모니아의 비율은 약 1:2 내지 1:4의 범위이다. 반응 시간은 약 1-10분이고, 바람직하게는 약 2-3분이다. 암모니아는 아세틸렌 이전이나, 또는 아세틸렌과 결합하여 유입될 수 있다. CNT는 또한 탄소 함유 가스와 화학적 분해 촉매의 여러가지 조합을 이용하여 성장될 수 있다.
여기 기재된 프로세스는 탄소 나노튜브의 이종성 집합을 형성하는데. 이는 직경, 길이 및 적층 밀도 뿐만 아니라, 그 외 특성, 특히 이들의 전기 전도률이 다양하다. 직경은 단일벽 탄소 나노튜브에 대해 나노미터에서 다중벽 탄소 나노튜브에 대해서는 수십 나노미터 까지 다양하다. 도 4E는 비례하는 피쳐를 나타내거나 비아 내의 통상의 개수의 탄소 나노튜브를 나타내고자 하는 아니고, 실제 개수는 통상 도 4E에 나타낸 것 보다 더 많다. 도 4E에서 나타낸 바와 같이, 나노튜브 중 몇은 유전층을 지나 비아 캐비티 밖으로 연장되게 된다. 이들 나노튜브의 일부만이 고 전기적 전도성인 나노튜브이다 (때로 "금속"으로 언급하는데, 이들이 금속을 포함하기 때문이 아니고, 이들의 전기적 전도률이 금속의 것에 근거하거나 초과하 기 때문). "비금속" 나노튜브는 약간 하지만 상당히 적은 전기적 전도률을 갖는다. 비아를 통한 전기 전류를 전도할 목적으로, "금속" 나노튜브가 유용하다. 여기 기재된 프로세스가 한정적으로 금속 나노튜브를 제조하지는 않지만, 각 비아의 개별의 튜브의 수는 비아에서 고 전도률을 제공하기 위해 각 비아에 상당한 개수의 금속 나노튜브가 제조되어야 한다는 것을 통계적으로 확인할 만큼 충분히 많다.
탄소 나노튜브는 비아 캐비티에서 서로에 실질적으로 평행하게 성장하는 긴 얇은 부재이다. 탄소 나노튜브는 비아 캐비티의 전체 부피를 채우는 것이 아니고, 튜브 간에 좁은 공간을 남기는데, 이를 보이드로 언급한다. 탄소 나노튜브가 상술된 바와 같이 비아 캐비티에 형성된 후에, 탄소 나노튜브 간의 이들 보이드는 구리로 충전된다. 비아는 트렌치(407)가 채워질 때와 동시에 구리로 채워진다. 트렌치와 비아를 구리로 채우기 위해, 장벽과 시드층을 포함하는 얇은 라이너(410)가 먼저 트렌치 및 비아 벽과 저부에서, 칩 어셈블리의 전체 노출면 위에, 즉 유전체 상부면 위에 적층된다 (단계 516). 장벽은 원자층 증착법을 이용하여 두층으로 적층되는 것이 바람직한데, 제1 층은 TiN (또는 다르게 TaN)이고, 이어서 Ti 층이 이어진다. 장벽이 적층된 후에, 구리의 시드층이 원자층 증착법이나 화학적 증착법에 의해 적층된다. 장벽층은 비아 벽과 트렌치 벽에서 유전체(404)로의 구리 이동을 방지하도록 동작한다. 시드층은 도금으로 후속의 구리 적층을 위한 표면을 제공한다. 라이너(410)의 적층 이후에, 비아는 도금으로 구리(411)로 충전된다 (단계 517). 다르게, 비아가 화학적 증착법이나 물리적 증착법으로 충전될 수 있다. 도 4F는 비아 캐비티의 보이드를 채우고, 트렌치를 채우고, 구리층으로 유전체의 상면을 도금하는 구리 도금 프로세스 이후의 비아를 나타낸다. 몇 나노튜브는 비아 캐비티 밖으로 연장되기 때문에, 도금면은 불균일하고, 비아 근방에 범프를 보이는 것이 관찰될 것이다.
비아 보이드의 충전 이후에, 칩 어셈블리의 상측면은 화학 기계적 연마를 거쳐, 과도의 구리를 제거하고 과도하게 긴 탄소 나노튜브를 트리밍한다 (단계 518). 이 연마 단계는 유전층(406)의 상부에까지 재료를 제거하는데, 즉 구리(411)와 라이너(410)를 이전에 형성된 트렌치를 제외한 모든 곳에서 제거한다. 도 4G는 연마 이후의 칩 어셈블리를 나타낸다.
비아 보이드를 구리로 채우고 나노튜브를 트리밍하기 위해 연마한 후에, 그 바로 위의 비아와 도전층을 완성한다. 다음에 단계 506에서 다시 시작하는 것으로 다른 층을 적층하는 것이 가능하다.
바람직하게, 칩은 복수의 이중 다마신 프로세스를 거쳐 다수의 각 도전층과 비아를 형성하고, 유전층을 형성하는 프로세스는 층을 에칭하여 트렌치와 비아 캐비티 둘다를 형성하고, 트렌치와 비아 캐비티를 구리로 동시에 채우는 단일의 도금 프로세스가 이어진다. 상기 설명에서, 단계 501-505는 단일 다마신 프로세스를 나타내고, 여기에서 도전층의 오직 구리 도체만이 형성되는데, 즉 구리 도체(403) 아래의 비아의 형성은 기재하지 않았다. 이 프로세스 단계의 설명은 이해를 돕기 위한 것으로, 비아의 유래를 설명하기는 어렵기 때문이다. 바람직한 실시예에서, 기판과 디바이스의 레벨 위의 바로 첫번째 (또는 최저의) 도전층을 포함하는 모든 비아와 트렌치는 이중 다마신 프로세스로 형성된다. 그러나, 몇 다른 프로세스로 최 저 레벨의 비아를 형성하는 것도 가능하다.
다른 제2 바람직한 실시예에 따라 탄소 나노튜브와 구리 합성물 비아를 형성하는 프로세스는 도 7의 흐름도 및 도 6A-6G의 단면 도시로 나타내었다. 이 프로세스는 금속 도체를 완전히 둘러싸는 장벽을 형성하지 않기 때문에, 알루미늄과 같이, 구리 이외의 금속을 이용하는 것이 바람직하다. 도 6A-6G는 도전층(602)의 단일 도체를 도시하였으며, 사실상 이것은 유전체로 분리되는 복합 패턴의 도체를 갖는 층이라는 것이 이해될 것이다.
이 프로세스는 도 6A에 나타낸 유전층 상에 형성된 도전층으로부터 시작한다. 유전층(601)은 먼저 기존의 층 위에 적층되며, 이 층은 종래의 기술을 이용한 하부 도전층이나 기판 자체일 수 있다 (단계 701). 얇은 라이너(602)는 유전층 위에 적층된다 (단계 702). 라이너는 단일층의 Ti을 포함하고, 이는 원자층 증착법이나 화학 증착법으로 적층될 수 있다. 이것은 도체의 이동에 대한 장벽으로서가 아니고, 주로 결합력을 개선하는 기능을 한다. 라이너의 적층 이후에, 알루미늄(603)이 바람직한 전도성 금속(603)의 층이 스퍼터링이나 그 외 다른 적당한 기술에 의해 상면 위에 적층된다 (단계 703).
탄소 나노튜브 성장에 적당한 촉매(604)의 층이 알루미늄의 상면 위에 적층된다 (단계 704). 촉매는 Ni, Fe 또는 Co 중 하나 일 수 있으며, 이는 원자층 층착법이나 화학적 증착법을 이용하여 적층될 수 있다. 촉매는 제1 바람직한 실시예와 관련하여 기술된 바와 같이, 희석으로 분열된다. 이것은 선택적 단계 705로 도 7에서 나타낸 부가의 프로세스 단계를 포함한다.
다음에 얇은 장벽층(605)이 촉매의 상부 위에 적층된다 (단계 706). 장벽은 Si4N4를 포함하고, 이는 원자층 적층법이나 화학적 증착법에 의해 적층된다. 장벽은 특정 촉매, 특히 Ni가 유전체로 이동하는 것을 방지한다. 도 6A는 단계 706 이후 칩 어셈블리의 일부를 단면도로 나타낸다.
알루미늄(603)은 포토레지스트 마스크로 알루미늄의 상면을 리소그래픽 패터닝하고; 알루미늄의 언마스크 부분을 에칭하고; 마스크를 제거함으로써 다수의 개별의 도체로서 패턴화된다 (단계 707). 에칭 프로세스는 알루미늄의 에칭 부분 위의 얇은 장벽(605) 및 촉매(604)를 반드시 제거한다. 이것은 또한 알루미늄의 에칭 부분 아래부터 라이너(602)를 제거하여, 유전층(601) 까지 계속 에칭하게 된다. 도 6B는 단계 707 이후의 칩 어셈블리의 작은 부분을 나타내는 것으로, 하나의 알루미늄 도체를 단면으로 나타낸다.
다음에 도 6C에서 나타낸 바와 같이, 각각의 비아에 대해 내부에 캐비티(607)를 갖고 있는 제2 유전층(606)이 칩 어셈블리의 상면 위에 형성된다. 바람직하게, 유전층은 규산 불소 유리 저-k-유전체이지만, 다른 재료가 또한 이용될 수도있다. 캐비티는 내에 캐비티를 갖는 유전층을 형성하기 위한 종래의 프로세스에 따라서 형성될 수 있다. 바람직하게, 캐비티는 다단계 프로세스로 형성되고, 여기에서 유전층(606)은 먼저 아래 놓인 층의 전체 표면 위에 적층되고 (단계 708); 이렇게 적층된 유전층은 화학 기계적 연마로 평탄하게 되고 (단계 709); 평탄해진 유전층은 적당한 포토레지스트를 이용하여 리소그래픽 패턴화되고; 유전층의 선택부가 리소그래픽 패턴에 따라서 캐비티를 형성하도록 에칭되고 (단계 710); 포토레지 스트가 남은 유전층에서 제거된다.
에칭 프로세스는 또한 촉매를 드러내도록 장벽(605)을 제거한다. 유전체의 다수의 캐비티 (도 6C에서는 도시 생략)는 이 프로세스에 의해 동시에 형성된다는 것이 이해될 것이다. 바람직하게, 리소그래픽 마스크는 약 200nm 제곱의 비아용 홀을 가지며, 이는 약 직경이 200nm인 원형의 비아 홀을 만든다. 비아 홀은 400nm 이상의 피치로 인쇄될 수 있다. 도 6C는 단계 710 이후에, 칩 어셈블리의 작은 부분을 나타낸 것으로, 비아 캐비티를 단면으로 나타낸다.
탄소 나노튜브(608)는 다음에 노출된 촉매 영역으로부터 비아 캐비티에서 성장된다 (단계 711). 바람직하게, 탄소 나노튜브는 제1 바람직한 실시예와 관련하여 상술된 동일한 프로세스 조건 하에서 성장된다. 제1 바람직한 실시예의 경우에서와 같이, 직경, 길이, 증착 밀도 및 전기 전도률이 다양한 이종성 집합물의 탄소 나노튜브가 제조되고, 이들 중 약간만이 유용하게 된다고 예측된다. 도 6D는 탄소 나노튜브의 성장 이후의 비아 캐비티를 단면으로 나타낸 것으로, 탄소 나노튜브 (및 그 외 피쳐)는 반드시 정확한 수와 비례로 나타낼 필요는 없다.
제1 바람직한 실시예와 관련하여 상술된 바와 같이, 탄소 나노튜브는 실질적으로 평행하게 성장하는 길고 얇은 부재로서, 비아 캐비티의 전체 부피를 채우지는 않아, 튜브 사이에 보이드를 남긴다. 탄소 나노튜브가 상술된 바와 같이 비아 캐비티에 형성된 이후에, 탄소 나노튜브 간의 이들 보이드는 알루미늄으로 충전된다. 보이드를 알루미늄으로 채우기 위해서, 라이너(609)는 먼저 비아에서 유전체 위에 적층된다 (단계 712). 바람직하게, 라이너는 제1 층의 Ti에 이어서, 시드층의 Al 이 이어진다. 라이너층은 화학 증착법 또는 원자층 증착법을 이용하여 적층된다. 라이너의 적층 이후, 비아는 도금에 의해 알루미늄(610)으로 채워진다 (단계 713). 다르게, 비아는 화학 증착법이나 물리적 증착법으로 채워진다. 도 6E는 비아 캐비티의 보이드를 채우고 유전체의 표면을 알루미늄층(610)으로 도금하는 알루미늄 도금 프로세스 이후의 비아를 나타낸다. 약간의 나노튜브는 비아 캐비티로부터 연장되기 때문에, 도금 표면은 불균일하며 비아 근방에 범프를 보이는 것이 관찰되게 된다.
비아 보이드를 채운 이후, 칩 어셈블리의 상측면은 화학 기계적 연마를 거쳐, 평탄한 평면을 형성하고 과도하게 긴 탄소 나노튜브를 트리밍할 수 있다 (단계 714). 바람직하게, 이 연마 단계는 비아 홀을 도금할 때 형성되는 유전체 위의 전체 금속층을 제거한다. 다르게, 이는 도금된 금속층의 일부만을 제거하므로, 남은 부분을 유전층(606) 위의 다음 도전층의 일부로 남기게 된다. 도 6F는 연마 이후의 비아를 나타내는 것으로; 도 6의 예에서, 전체 잔여의 금속층이 제거되지만, 다른 실시예에서는 층의 일부는 그대로 유지될 수 있다는 것이 이해될 것이다.
비아 보이드를 알루미늄으로 채우고 나노튜브를 트리밍하기 위해 연마하고 나면, 비아가 본질적으로 완성된다. 다음에 유전층(606) 위에 다음 도전층을 적층하는 것이 가능하다. 전체 잔여의 적층 금속이 연마 단계에서 제거되게 되면, Ti의 라이너(611)는 유전체 상에 먼저 적층되어야 한다 (단계 715). 이에 이어 종래의 프로세스를 이용한 알루미늄 적층이 이어진다 (단계 716). 도 6G는 유전층 위에 도전층(612)를 적층한 후의 비아를 나타내다. 패턴화될 때, 도전층(612)은 비 아가 유전층(606)으로부터 나오는 위치에서 도체를 갖게 된다.
이상적으로, 상술된 제1 또는 제2 프로세스 또는 그 외 다른 프로세스가 이용되든지간에, 도 4F-4G 및 6E-6G에서 나타낸 바와 같이, 비아의 탄소 나노튜브 간의 모든 보이드는 금속으로 완전히 채워진다. 그러나, 정확한 결과를 얻기가 어려워지고, 보이드의 균일한 부분 충전이 탄소 나노튜브와 도전층 간의 접촉 영역의 증가로 인해 상당한 이점을 제공할 수 있다는 것이 이해될 것이다. 보이드의 완전 충전과 몇 다른 원하는 목표 간에 타협점을 찾는 프로세스 변수가 완전히 수용 가능한 결과를 만들어낼 수 있다. 따라서, 보이드의 완전한 충전이 이상적인 것으로 나타내고는 있지만. 본 발명은 보이드의 완전한 충전을 확실히 하는 기술에는 제한을 두고 있지 않다.
바람직한 실시예에서, 도전층 및 비아의 탄소 나노튜브들 간의 보이드의 도체는 구리로 채워지고, 다르게 알루미늄으로 채워진다. 그러나, 다른 전도성 금속이 이용될 수 있다는 것도 이해될 것이다. 예를 들어, 텅스텐 및 그 외 금속 합금을 포함하는 전도성 금속이 또한 가능하다. 더욱, 도전층에 이용되는 금속이 비아 보이드에 이용되는 금속과 동일한 것이 바람직하지만, 다른 재료를 이용할 수도 있다. 다른 대안으로, 탄소 나노튜브와 구리와 같은 금속의 합성물을 이용하여 도전층의 도체를 구성하는 것이 가능하다.
여러 크기, 재료, 프로세스 변수 등이 이용 가능한 기술을 이용하여 대표적이거나 바람직한 값으로 주어진다. 그러나, 기술적 능력이 발전함에 따라, 여러 프로세스를 실행하거나 집적 회로 구성 요소를 구성하기 위한 새로운 기술이 개발 되고, 특히 새로운 탄소 나노튜브 형성 및 조작 기술이 개발될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 여기 기재된 대표적 기술은 본 발명을 임의의 특정 크기, 재료 또는 프로세스 변수로 제한하고자 하는 것은 아니다.
집적 회로 모듈이 여기에서 디지털 컴퓨터 시스템의 구성 요소로서 바람직한 실시예에서 도시되고 기재되었다. 그러나, 공지된 바와 같이, 집적 회로 모듈은 각종 디지털 디바이스에서 이용된다. 본 발명에 따른 집적 회로 칩은, 이런 디바이스가 "컴퓨터 시스템"으로 불리거나 불리지 않든지, 어느 디지털 디바이스에서나 이용될 수 있다. 이런 디바이스의 소수 예로는: 퍼스널 디지털 어시스턴트, 셀 폰, 디지털 카메라, 빌딩, 자동차와 그 외 기기용 제어기, 로보틱 시스템 등의 제한된 기능의 디지털 디바이스를 포함한다. 그러나, 공지된 바와 같이, 집적 회로 칩은 더 많은 디바이스에 결합되고 있으며, 상기 열거는 집적 회로 칩을 이용하는 유형의 디바이스에 대해서 모두 다 열거한 것이거나 이에만 제한하는 것으로 생각해서는 안된다.
본 발명의 특정 실시예가 특정한 대체 실시예와 함께 기재되었지만, 당업자라면 형태 및 상세 사항에 대한 부가의 변형이 다음 청구범위의 영역 내에서 행해질 수 있다는 것이 이해될 것이다.

Claims (15)

  1. 집적 회로 칩에 있어서: 기판 상에 형성된 복수의 능동 디바이스; 상기 복수의 능동 디바이스에의 전기적 연결을 제공하기 위한 하나 이상의 도전층의 복수의 전기적 도체; 및 복수의 전기적 전도성 비아 - 각 비아는 각 제1 도전층의 각 제1 전기적 도체를: (a) 각 제2 도전층의 각 제2 전기적 도체 - 각 상기 제2 도전층은 상기 각 제1 도전층으로부터 유전층에 의해 이격됨 -; 및 (b) 상기 기판 상에 형성된 상기 복수의 능동 디바이스의 각 능동 디바이스 - 상기 복수의 능동 디바이스는 상기 각 제1 도전층으로부터 유전층에 의해 이격됨 - 으로 이루어지는 세트 중 적어도 하나와 전기적으로 연결함 - 를 포함하고, 각 상기 전도성 비아는 전기적 전도성 금속에 매립된 복수의 탄소 나노튜브를 포함하는 집적 회로 칩.
  2. 제1항에 있어서, 상기 복수의 탄소 나노튜브는 상기 제1 도전층에 실질적으로 수직으로 배향되는 집적 회로 칩.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전기적으로 전도성인 금속은 구리인 집적 회로 칩.
  4. 제1항에 있어서, 상기 각 전도성 비아는 (a) 도체 및 (b) 능동 디바이스 중 적어도 하나에 형성된 촉매를 더 포함하는 집적 회로 칩.
  5. 제4항에 있어서, 상기 촉매는 니켈, 철, 코발트 또는 촉매 금속과 비촉매 금속의 합성물 중 적어도 하나를 포함하는 집적 회로 칩.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 촉매는 탄소 나노튜브 형성의 밀도를 감소시키도록 분열되는 집적 회로 칩.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 각 전도성 비아는 상기 유전층의 각 캐비티 내에 형성되고, 상기 복수의 탄소 나노튜브와 전기적 전도성 금속은 실질적으로 상기 캐비티를 채우는 집적 회로 칩.
  8. 집적 회로 칩을 제조하는 방법에 있어서, 복수의 전기적 접촉부를 갖는 제1 칩 층을 제2 칩 층의 전기적 도체에 결합하도록 제공하는 단계; 상기 제1 칩 층 위에 유전층을 형성하는 단계 - 상기 유전층은 상기 제1 칩 층의 상기 복수의 전기적 접촉부의 각 전기적 접촉부에 대응하는 복수의 캐비티를 가짐 - ; 상기 복수의 캐비티 각각에 복수의 탄소 나노튜브를 성장시키는 단계 - 상기 성장 단계는 상기 탄소 나노튜브 사이의 각 상기 캐비티 내에 보이드를 남김 ; 상기 보이드의 부피 중 적어도 일부를 전도성 금속으로 채우는 단계; 및 상기 유전층 위에 상기 제2 칩 층을 형성하는 단계를 포함하는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 보이드의 적어도 일부를 전도성 금속으로 채우는 단계는 (a) 상기 보이드에 시드층을 적층하는 단계와, (b) 상기 시드층 위에 상기 전도성 금속을 적층하는 단계를 포함하는 방법.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 유전층의 상기 캐비티의 벽 위에 장벽층을 적층하는 단계를 더 포함하고, 상기 장벽층을 적층하는 단계는 상기 보이드의 적어도 일부를 전도성 금속으로 채우는 단계 이전에 실행되는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 장벽층은 질화 티타늄과 질화 탄탈륨으로 이루어지는 세트 중 적어도 하나를 포함하는 방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 제1 층의 상기 복수의 전기적 접촉부 각각 위에 탄소 나노튜브를 성장시키기 위해 각각의 촉매 패드를 형성하는 단계를 더 포함하는 방법.
  13. 제8항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 보이드의 부피 중 적어도 일부를 전도성 금속으로 채우는 단계는 상기 제2 칩 층의 도체에 대한 복수의 트렌치를 상기 전도성 금속으로 채우는 것과 동시에 실행되는 방법.
  14. 집적 회로 칩에 있어서: 복수의 능동 디바이스; 및 상기 복수의 능동 디바이 스에의 전기적 연결을 제공하기 위한 복수의 전기적 도체를 포함하고, 상기 전기적 도체 중 적어도 일부는 복수의 길이 연장된 탄소 나노튜브와 전기적 전도성 금속의 합성물을 포함하고, 상기 길이 연장된 탄소 나노튜브는 각 탄소 나노튜브가 존재하는 도체를 통한 전류 흐름 방향과 실질적으로 평행한 길이 방향 축으로 배향되는 집적 회로 칩.
  15. 제14항에 있어서, 상기 복수의 길이 연장된 탄소 나노튜브와 전기적 전도성 금속의 합성물을 포함하는 상기 전기적 도체 중 적어도 약간은 상기 집적 회로 층의 층 간에 걸리는 도체인 집적 회로 칩.
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