JP5577670B2 - 電子回路素子の製造方法 - Google Patents
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Description
11 触媒膜
12 カーボンナノチューブ
13 還元性雰囲気
20 基板
21 下地膜
22 配線膜
23 バリア膜
24 絶縁膜
25 ビアホール
33 カーボンナノチューブ
35 充填膜
40 ストッパ膜
41 充填膜
50 層間絶縁膜
51 配線溝
55 バリア膜
56 配線膜
57 配線
60 半導体基板
61 素子分離絶縁膜
62、63 MOSトランジスタ
65 層間絶縁膜
66 導電プラグ
68 層間絶縁膜
69 配線
70 層間絶縁膜
71 導電部材
80 配線層
81 ビア層
Claims (4)
- 表面に凹部が形成された基板の該凹部の底面に、該凹部の開口面から先端部が突出するまで、カーボンナノチューブを成長させる工程と、
前記カーボンナノチューブの少なくとも先端部を、水素を含有する還元性物質を0.01体積%〜10体積%の濃度で有する雰囲気内で熱処理して、前記先端部を水素原子と結合させる工程と
前記還元性物質を有する雰囲気内で熱処理された前記カーボンナノチューブの先端部に、導電部材を接触させる工程と
を有する電子回路素子の製造方法。 - 前記カーボンナノチューブを成長させた後、前記還元性の雰囲気で熱処理する前に、
前記基板の上に、前記凹部内を埋め込むように、充填膜を形成する工程と、
前記充填膜の表層部を、前記カーボンナノチューブの先端部とともに研磨する工程と、
を含む請求項1に記載の電子回路素子の製造方法。 - 表面に凹部が形成された基板の該凹部の底面に、該凹部の開口面から先端部が突出するまで、カーボンナノチューブを成長させる工程と、
前記カーボンナノチューブを成長させた後、前記基板の上に、前記凹部内を埋め込むように、充填膜を形成する工程と、
前記充填膜の表層部を、前記カーボンナノチューブの先端部とともに研磨する工程と、
前記充填膜を研磨した後、前記充填膜を除去する工程と、
前記充填膜を除去した後、前記カーボンナノチューブの少なくとも先端部を、還元性の雰囲気内で熱処理する工程と、
前記還元性の雰囲気内で熱処理された前記カーボンナノチューブの先端部に、導電部材を接触させる工程と、
を含む電子回路素子の製造方法。 - 前記還元性の雰囲気が、水素、アンモニア、アミン、アミン誘導体、チオール、チオール誘導体、アルコール、アルコール誘導体、一酸化二窒素、及び一酸化窒素からなる群より選択された少なくとも1つの物質を含む請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電子回路素子の製造方法。
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