KR20060097124A - 액정 표시 소자 및 투사형 표시장치 - Google Patents

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KR20060097124A
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아키코 도리야마
히사시 가도타
마코토 하시모토
히로히데 후쿠모토
히로미 후쿠모리
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소니 가부시끼 가이샤
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Abstract

프로젝터 등의 라이트 벌브(bulb)에 이용하는 액정 패널이 고온 고습 환경하에서 동작되어도, 액정 패널의 열화 등을 방지할 수 있고, 고품질의 액정 표시 소자 및 액정 표시 장치를 이용한 투사형 표시장치에 있어서, TFT 어레이 기판(11)과 대향 기판(12)이 소정 간격을 두고 대향하도록 실재(15)로 접착시킨 한 쌍의 기판간에 액정층(16)이 협지되며, 실재(15)는, 평균 입자 지름이 0.5㎛ 미만의 비도전성의 충전제(필러)를 함유하고, 액정층(16)에 이용하는 액정 재료는 실온에서의 굴절률 이방성(△n)이 0.16 이상으로 설정되며, TFT 어레이 기판(11)과 대향 기판(12)과의 간격인 셀 갭(d)이 3㎛ 이하로 설정된다.

Description

액정 표시 소자 및 투사형 표시장치{Liquid crystal display element and projection display}
본 발명은, 배향막이 소정 간격을 두고 대향하도록 실재(sealing material)로 접착시킨 한 쌍의 기판간에 액정층이 협지(狹持)된 액정 표시 소자 및 이 액정 표시 소자를 이용한 투사형 표시장치에 관한 것이다.
액정 프로젝터 등의 투사형 표시장치에서는, 광원으로부터 출사되는 빛을 적색, 녹색, 청색으로 분리하고, 각 색광(色光)을 액정 표시 소자(이하, LCD라고 한다)에 의해 구성되는 3개의 라이트 벌브(light bulb)에 의해 변조하고, 변조된 후의 색광속(色光束)을 다시 합성하여, 투사면에 확대 투사하고 있다.
그리고, 액정 프로젝터 등에 탑재되는 라이트 벌브로서는, 일반적으로 박막 트랜지스터(이하 TFT라고 한다) 구동에 의한 액티브 매트릭스 구동 방식의 LCD가 이용된다.
액티브 매트릭스 구동 방식의 LCD의 대부분에는, 네마틱(nematic) 액정이 이용되고 있고, 주된 표시 방식으로서는, 선광(旋光) 모드의 LCD가 있다.
선광 모드의 LCD로 이용되는 네마틱 액정은, 90도 휘어진 분자 배열을 가지는 트이스테드네마틱(TN형) 액정이며, 원리적으로 흑백 표시로, 높은 콘트라스트비 와 양호한 계조 표시성을 나타낸다.
액티브 매트릭스 구동 방식의 LCD의 표시를 균일하게 실시하기 위해서는, 기판 표면 전면에 액정 분자를 균일하게 배향시키는 것이 필요하다.
배향막이 형성된 2매의 전극이 형성된 기판은, 각 기판의 배향막이 대향하여 배치되어 있고, 실제로 화상이 표시되는 화소 표시 영역의 주위에 위치하는 실(seal) 영역에 있어서, 실재(sealing material)에 의해 접착된다. 기판 틈(간격)을 제어하기 위해서, 상술한 접착 전에 미크로 펄이라고 불리는 구(球)형의 스페이서가 이용되는, 혹은, 레지스트에 의해 형성되는 기둥 모양 스페이서가 이용된다.
이러한 공정을 거치는 것으로, 속이 빈 셀이 제조된다. 그 후, 이 속이 빈 셀내에 액정이 봉입되어, 액정 셀이 제조된다.
또한, 상술한 액정은, 여러 종류의 단체 액정 재료로 이루어지며, 액정 조성물이라고도 불린다. 제조된 액정 셀에 편광판이 장착되어 액정 표시 소자가 제조된다.
이러한 액정 패널에 있어서는, 실 형성시에, 배향막의 일부와 실이 겹쳐지면 차폐(遮蔽)성이 저하하고, 실이 벗겨지는 등의 문제가 발생하거나, 배향막과 실의 계면을 통해서 수분이 액정 속에 침입하고, 액정을 열화 시킨다고 하는 문제가 있었다. 특히 막을 스핀 코트로 형성하는 경우는, 기판 단부에까지 막이 형성되기 때문에 문제 발생이 현저하다.
게다가, 프로젝터에 이용하는 투사형 LCD에 있어서는, 확대 투영하기 위해 화질 이상이 눈에 띄기 쉽다. 또 패널에 입사하는 빛의 양이 직시형(直視型)에 비해 매우 많기 때문에 패널이 고온이 되며, 미량의 수분 진입에 의한 열화도 보이기 쉬운 방향에 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해서, 예를 들면, 실재에 필러로 불리는 충전제를 첨가함으로써 수분의 침입을 막는다고 하는 방법은 일반적으로 행해져 왔다(예를 들어 특허 문헌 1, 특허 문헌 2 참조).
특허 문헌 1의 LCD에 있어서는, 평균 입자 지름이 2㎛정도에서 실의 점도 조정(粘度調整)을 목적으로 필러가 첨가되어 있다.
또, 특허 문헌 2의 LCD에 있어서는, 트랜스퍼재(材)로서 6.0㎛ 혹은 6.5㎛의 도전성 비즈를 혼합하고, 도전성 비즈를 거쳐서 대향 전극간의 도통을 취하기 위해서 평균 입경이 0.1~0.5㎛의 도전성 필러가 첨가되어 있다.
특허 문헌 1：특개평 11－15005호 공보
특허 문헌 2：특개평 11－95232호 공보
그런데, 투사형 표시장치의 라이트 벌브로서 이용되는 액티브 매트릭스 구동 방식의 LCD는, 액정 프로젝터 등의 투사형 표시장치의 소형화에 따라 소형화되며, 한편으로는 화소의 고정밀화, 고휘도화가 진전되고 있다. 고정밀화에 수반하여, 액정 표시 소자의 화소 피치간은 작아지고 있다.
예를 들면, 기판 사이즈가 22.9mm(0.9 인치)XGA(extended graphics array) 타입의 경우, 화소수(數)는 1024×768이며, 픽셀 피치는 18㎛가 되어 있다.
고정밀화가 진행되는 것으로, 각 화소의 투명 전극(예를 들어 ITO：산화인듐) 간격이 더욱더 좁아지고, 각 화소에 있어서의 전위가 반전했을 경우에 있어서, 가로방향의 전계가 발생한다.
이 가로방향 전계의 발생에 의해, 투명 전극 경계부의 액정 분자의 배향은 흐트러지고, 흐트러진 부분과 정상적인 부분의 경계에 경계선(디스크리네이션 라인이라고도 한다)이 표시 결함으로서 발생하고, 콘트라스트가 저하된다고 하는 문제가 발생한다. 게다가, 고휘도화에 수반하여, 이 표시 결함은 눈에 띄는 방향으로 나아가고 있다.
따라서, TFT(박막 트랜지스터) 등의 스위칭 소자를 갖춘 매트릭스형 액정 표시 장치에 있어서는, 고개구율(高開口率)과 고(高)콘트라스트비를 양립시키는 것이 곤란하다.
또, 특허 문헌 1 또는 2에 기재의 LCD에 있어서는, 평균 입경(粒徑)이 2㎛정도의 필러를 이용하거나, 6.0㎛ 혹은 6.5㎛의 도전성 비즈를 혼합하는 동시에 평균 입경이 0.1~0.5㎛의 도전성 필러를 이용하면, 프로젝터와 같은 셀 갭을 좁게 하는 경향이 있는 협(狹)갭의 액정 패널에 있어서는, 갭 불량이 발생하고, 신뢰성 불량이 많이 발생한다고 하는 불이익이 있다.
본 발명의 목적은, 프로젝터 등의 라이트 벌브에 이용하는 액정 패널이 고온 고습 환경하에 있어서 동작되어도, 액정 패널의 열화 등을 방지할 수 있고, 고품질의 액정 표시 소자 및 그 액정 표시 소자를 이용한 투사형 표시장치를 제공하는 것에 있다.
도 1은, 본 발명에 관한 액티브 매트릭스형 액정 표시 소자의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2는, 셀 갭과 콘트라스트와의 관계를 나타내는 도면이다.
도 3a 및 도 3b는, 셀 갭(d)과 굴절률 이방성(△n)과의 관계에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 4는, 리타데이션(△nd)과 투과율과의 관계를 나타내는 도면이다.
도 5는, 본 실시 형태와 관련되는 액티브 매트릭스형 액정 표시 소자의 화소부의 모식도이다.
도 6은, 본 실시 형태의 액티브 매트릭스형 액정 표시 소자의 단면도의 일례이다.
도 7a~도 7f는, 본 실시 형태에서 제작한 셀의 공정(액정 패널의 제조 공정)에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 8은, 본 실시 형태와 관련되는 액정 표시 소자를 이용한 전자기기인 투사형 표시장치의 일례를 나타내는 개략 구성도이다.
도 9는, 본 실시 형태와 관련되는 액정 표시 소자를 이용한 전자기기인 투사형 표시장치의 다른 예를 나타내는 개략 구성도이다.
*부호의 설명
10. 액정 표시 소자 11. TFT 어레이 기판
12. 대향 기판 13. 화소 전극
14. 대향 전극 15. 실재
16. 액정층 20, 21. 배향막
300, 500. 투사형 표시장치 301, 520. 광원
303, 506. 투사 광학계 310, 600. 투사면
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제 1관점은, 2매의 기판상에, 액정을 소정 방향으로 배향시키기 위한 배향막이 형성되어 있고, 상기 배향막이 소정 간격을 두고 대향하도록 실재로 접착시킨 한 쌍의 기판간에 액정층이 협지된 액정 표시 소자에 있어서, 상기 실재는, 평균 입자 지름이 0.5㎛ 미만의 충전제를 함유하고, 상기 액정층에 이용하는 액정 재료는 실온에서의 굴절률 이방성(異方性)이 0.16 이상이며, 셀 갭이 3㎛ 이하이다.
적합하게는, 상기 실재에 포함되는 충전제의 함유량이 15－40wt％의 범위이다.
적합하게는, 상기 실재에 포함되는 충전제의 최대 입자 지름은 1.5㎛ 이하이다.
적합하게는, 상기 실재에 포함되는 충전제의 비표면적(比表面積)이 30m2／g 이하이다.
적합하게는, 적어도 한쪽 기판의 실(seal) 밑에 배향막이 있다.
또, 적합하게는, 상기 배향막재료는 무기계(無機系) 배향막이다.
본 발명의 제 2관점은, 광원과, 상기 광원으로부터 출사된 빛을 액정 표시 소자로 인도하는 집광광학계와, 상기 액정 표시 소자에서 광변조한 빛을 확대하여 투사하는 투사 광학계를 가지고, 상기 액정 표시 소자는, 2매의 기판상에, 액정을 소정 방향으로 배향시키기 위한 배향막이 형성되어 있고, 상기 배향막이 소정 간격을 두고 대향하도록 실재로 접착시킨 한 쌍의 기판간에 액정층이 협지되며, 상기 실재는, 평균 입자 지름이 0.5㎛ 미만의 충전제를 함유하고, 상기 액정층에 이용하는 액정 재료는 실온에서의 굴절률 이방성이 0.16 이상이며, 셀 갭이 3㎛ 이하이다.
본 발명에 의하면, 예를 들어 수분 진입 등의 신뢰성을 목적으로 한 충전제의 지름은, 보다 작은 쪽이 효과가 있다. 실험에 의하면, 필러의 평균 입자 지름은 0.5㎛ 미만, 바람직하게는 0.3㎛ 이하의 것을 이용하지 않으면 수분 진입에 의해 발생하는 신뢰성 불량이 많이 발생하고, 효과를 전혀 볼 수 없다.
또, 충전제의 함유량이 15wt％ 미만의 경우, 수분 진입에 의해 발생하는 신뢰성 불량으로 효과를 전혀 보지 못하고, 40wt％보다 많은 경우는, 점도(粘度)가 상승해 버려 작업성이 악화되어 버린다.
또, 실재에 포함되는 충전제의 최대 입자 지름은 1.5㎛ 이하인 근거로서는, 큰 입자 지름이 혼재된 필러를 이용하면 프로젝터와 같은 셀 갭 3㎛ 이하의 협갭의 액정 패널에 있어서는, 갭 불량이 발생해 버리기 때문이다. 또, 비표면적(比表面積)은 단위 무게에 대한 표면적(表面積)이지만, 너무 커지면 미소 입자의 비율이 커지고, 실(seal)제(劑)의 점도가 급격하게 상승한다. 실험에 의하면, 30 m2／g 이하에 있어서, 작업성에 문제가 없는 실(seal)제(劑)를 얻을 수 있었다. 이러한 충전제의 각각의 형상은 구형이 바람직하다. 이유는, 구의 비표면적이 제일 작고 실(seal)제(劑)에 혼합했을 때의 점도 상승이 적기 때문이다.
또, 배향막과 실의 일부가 겹쳐 버리면, 차폐(遮蔽)성이 저하하여 다양한 문제가 발생한다. 근래, 스핀 코트에 의한 배향막형성은, 탁트 타임의 축소 및 재료 저감에 의한 저비용을 목적으로 하여 채용되고 있지만, 이 경우, 기판 단부에까지 막이 형성되기 때문에, 실과 배향막이 완전하게 겹쳐지고, 신뢰성의 저하는 큰 문제가 되고 있다. 본 발명에서는, 특히 스핀 코트에 의해 형성한 배향막을 채용한 액정 표시 소자에 매우 유효하다.
또, 액정층에 이용하는 액정 재료는 실온에서의 굴절률 이방성이 0.16 이상이며, 셀 갭이 3㎛ 이하인 것을 특징으로 한다.
앞으로, 고정밀화가 진전되고, 화소 사이즈가 작아짐에 따라, 협(狹)셀갭화는 진행될 것이라고 생각된다. 특히 0.5㎛ 미만의 미소(微少)한 필러는 매우 효과적이라고 생각된다.
투사형 LCD에 있어서는, 확대 투영하기 때문에 화질 이상이 눈에 띄기 쉽고, 패널이 고온이 되며, 미량의 수분 진입에 의한 열화도 보이기 쉬운 방향에 있다.
본 발명에서는, 특히 투사형의 액정 표시 소자에 매우 유효하다.
이하, 본 발명의 실시의 형태를 도면에 관련지어 설명한다.
도 1은, 본 발명에 관한 액티브 매트릭스형 액정 표시 소자의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
본 실시 형태와 관련되는 액정 표시 소자(10)는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 대향 배치된 2매의 기판, 즉, TFT 어레이 기판(11)과, TFT 어레이 기판(11)에 대향 배치되는 투명한 대향 기판(12)을 갖추고 있다.
TFT 어레이 기판(11)은, 예를 들어 석영 기판으로 이루어지며, 대향 기판(12)은, 예를 들어 유리 기판이나 석영 기판으로 이루어진다. TFT 어레이 기판(11)에는, 화소 전극(13)이 설치되어 있고, 예를 들어 ITO막(인듐ㆍ틴ㆍ옥사이드막) 등의 투명 도전성 박막으로 이루어진다. 대향 기판(12)에는, ITO막(14)이 TFT 어레이 기판(11)과의 대향면측의 전면에 형성되어 있다.
TFT 어레이 기판(11)과 대향 기판(12)에는, 후술하는 바와 같이 액정을 소정 방향으로 배향시키기 위한 도시하지 않는 배향막이 형성되어 있고, 배향막이 소정 간격을 두고 대향하도록 실재(15)로 접착시킨 한 쌍의 기판간에 액정층(16)이 협지되어 있다(봉입되어 있다).
그리고, 본 실시 형태와 관련되는 액정 표시 소자(10)에 있어서, 실재(15)는, 평균 입자 지름이 0.5㎛ 미만의 비도전성의 충전제(필러)를 함유하고 있다.
또, 본 실시 형태와 관련되는 액정 표시 소자(10)에 있어서, 액정층(16)에 이용하는 액정 재료는 실온에서의 굴절률 이방성(△n)이 0.16 이상, 예를 들어 0.16, 0.17, 0.18, 0.20 등으로 설정되며, TFT 어레이 기판(11)과 대향 기판(12)과의 간격(실제로는 배향막과 배향막의 간격)인 셀 갭(d)이 31㎛ 이하로 설정된다.
이하에, 본 실시 형태와 관련되는 액정 표시 소자(10)의 특징인, 액정 재료의 굴절률 이방성(△n), 셀 갭(d) 및 실재(15)에 함유하는 필러의 각 설정치에 대해서 한층 더 상세하게 설명한다.
이러한 구성을 가지는 액정 표시 소자(10)는, 예를 들면, 투사형 표시장치의 라이트 벌브로서 이용된다.
액정 프로젝터 등의 라이트 벌브로서 이용되는 액정 표시 소자(10)는, 투사형 표시장치의 소형화에 수반하여 소형화되며, 픽셀 피치는 20㎛ 이하, 예를 들어XGA 타입으로 18㎛로, 고정밀화가 진행되고 있다.
이와 같이, 액정 프로젝터 등의 20㎛ 이하의 협(狹)피치의 디바이스에 있어서는, 가로전계에 의한 리버스 틸트 도메인(RTD) 등의 과제가 있고, 이 대책으로서는, 협(狹)갭화, 즉 셀 갭을 얇게 하여, TFT 어레이 기판(11)과 대향 기판(12)의 상하 방향의 전계를 강하게 하고, 가로방향의 전계의 영향을 방지하는 것이 효과적이다.
도 2는, 셀 갭과 콘트라스트와의 관계를 나타내는 도면이다.
도 2에 있어서, 가로축이 셀 갭(d)을, 세로축이 상대 콘트라스트비를 각각 나타내고 있다. 또, 측정은, 흑백 표시의 3판식(板式) 프로젝터를 사용하고, 암실에서, 패널 중앙의 일점이라고 하는 조건으로 행했다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 상대 콘트라스트비가 1 이상을 만족하려면, 셀 갭(d)은 3㎛ 이하가 바람직하다.
즉, 협(狹)갭화를 실현하면, 실효적인 인가 전압이 상승하는 것으로, 고(高) 콘트라스트치를 얻는 것이 가능해지고, 응답 속도의 향상도 도모하는 것이 가능해진다.
다음에, 셀 갭(d)과 굴절률 이방성(△n)과의 관계에 대해 고찰한다.
도 3a 및 도 3b는, 셀 갭(d)과 굴절률 이방성(△n)과의 관계에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 3a 및 도 3b에 있어서, PL는 편광판을, DL는 검광판을, GLl, GL2는 유리 기판을, LCM는 액정 분자를, 각각 나타내고 있다.
액정 표시 소자(10)가 적용한 라이트 벌브에 있어서, 도 3a, 도 3b에 나타내는 바와 같이, 편광판(PL)과 검광판(DL)이 직교 배치에서, 비(非)점등시에 있어서 흰색 표시인 노멀리 화이트(NW)모드일 경우, 아래와 같은 Gooch-Tarry에 의해, 고(高)투과율을 얻는 △nd는 정해져 있다.
Gooch-Tarry식
Figure 112006033002738-PCT00001
바꿔 말하면, 전압 오프에서의 투과율은, 빛의 파장과 리타데이션(△nd)에 의존하고, 상기 Gooch－Tarry식의 관계가 성립된다.
도 4는, 리타데이션(△nd)과 투과율과의 관계를 나타내는 도면이다.
도 4에 있어서, 가로축이 리타데이션(△nd)을, 세로축이 투과율을 각각 나타 내고 있다. 또, 도 4에 있어서, A로 나타내는 곡선이 파장 450nm의 청색(Blue) 색광의 특성을, B로 나타내는 곡선이 파장(550)의 녹색(Green) 색광의 특성을, C로 나타내는 곡선이 파장 650nm의 적색(Red) 색광의 특성을 나타내고 있다.
셀 설계를 실시하는 경우, 상기 Gooch－Tarry식에 의거하여 녹색광의 투과율의 최대치의 △nd를 이용한다. 도 4의 예에서는, 녹색광의 투과율의 리타데이션(△nd)의 최대치는, 0.48㎛와 1.07㎛의 2개가 존재하지만, 응답 속도의 관계에서 통상 제 1최대치인 0.48㎛를 채용한다.
즉, 액정 재료의 굴절률 이방성 △n×셀 갭d=0.48μ(480nm)일 때에 최대의 투과율을 얻을 수 있는 설계가 된다.
이 최대 투과율을 얻으려면, 상술한 셀 갭을 얇게 하는 등의 대책을 실시했을 경우, 액정의 굴절률 이방성(△n)을 높게 할 필요가 있다.
즉, 협(鋏)셀 갭(d)을 실현하려면, 액정의 고(高)△n화(化)가 필요하게 된다.
그런데, 액정은, 일반적으로 굴절률 이방성(△n)이 높아짐에 따라, 내습성, 내열성이 악화되는 방향에 있고, 액정 재료로서 선택폭이 적어지는 경향이 있다.
표 1에, △n와 환경 시험화에 있어서의 표시 이상과의 관계를 나타낸다.
표 1은, 종래의 액정 표시 소자를 환경 시험기를 이용하여 600c, 90％의 환경하에서 가속 구동 시험을 실시한 결과를 나타낸다.
Figure 112006033002738-PCT00002
표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 굴절률 이방성(△n)이 0.16 이상이고, 경시 변화에 수반하여, 표시 이상이 발생하기 시작하고, 0.18, 0.20이 되면, 표시 이상이 발생하는 확률이 높아진다.
그래서, 이 고(高)△n에 있어서도 표시 이상의 발생을 억제하기 위해서, TFT 어레이 기판(11)과 대향 기판(12)과의 간격인 셀 갭(d)을 3㎛ 이하로 설정하고, 액정층(16)에 이용하는 액정 재료의 실온에서의 굴절률 이방성(△n)을 0.16 이상으로 설정하고, 또한, 실재(15)에 평균 입자 지름이 0.5㎛ 미만의 비도전성의 필러를 함유(첨가)시키고 있다.
이와 같이, 평균 입자 지름이 0.5㎛ 미만의 비도전성의 필러를 첨가시킨 본 실시 형태와 관련되는 액정 표시 소자(10)에 대해서 환경 시험기를 이용하여 600c, 90％의 환경하에서 가속 구동 시험을 실시한 결과를 표 2에 나타낸다.
Figure 112006033002738-PCT00003
표 2에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태와 관련되는 액정 표시 소자(10)는, 고(高)△n에도 불구하고, 경시 변화에 수반하는 표시 이상의 발생이 억제되고 있다.
또한, 표 2의 결과는, 다음에 상술하는 구체적인 실시예에 의거하는 것이다.
액정 표시 소자의 프로젝터 용도의 경우에 있어서는, 2000만 LX 이상의 빛이 조사되는 동시에 동작 온도도 60도 이상이 된다.
따라서, 표 2의 결과로 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태와 관련되는 액정 표시 소자(10)는, 실제의 어려운 조건하에서 사용되었다고 해도, 경시 변화에 수반하는 표시 이상이 발생할 우려가 없다.
예를 들면, 고(高)△n액정인 트란계 등은, △n=0.2이지만, 본 실시 형태와 관련되는 액정 표시 소자(10)에 의하면, 표 2에 나타내는 바와 같이, △n=0.2에 있어서도 경시 변화에 수반하는 표시 이상이 발생할 우려가 없기 때문에, 액정 재료의 선택폭이 넓어지고, 그 결과, 고(高)△n재료 마진을 달성할 수 있다.
비특허 문헌 1：월간 디스플레이＇02 1월호 고굴절률 이방성 액정 스미토모 화학공업 세키네 등
이상과 같이, 협갭화에 수반하여, 고굴절률 이방성(△n)화가 필요하고, 이것을 달성하기 위해서 실재(15)에 평균 입자 지름이 0.5㎛ 미만의 비도전성의 필러를 첨가시키고 있다.
반대로 말하면, 본 실시 형태와 같이, 고(高)△n화를 달성할 수 있으면, 협갭화를 실현할 수 있게 되며, 리버스 틸트 도메인(RTD) 대책이 가능하고, 고화질화, 고정밀화를 달성하는 것이 가능해진다.
이것에 의해, 실효적인 인가 전압이 상승하고, 전계 강도가 상승하고, 보다 높은 콘트라스트를 달성할 수 있다.
앞으로, 고정밀, 소형화가 더욱 진전되고, 픽셀 피치가 작아짐에 따라, 리버스 틸트 도메인(RTD)의 영향이 한층 더 어려워지겠지만, 본 실시 형태와 관련되는 액정 표시 소자(10)는, 이것에 충분히 대응할 수 있다. 게다가, 응답 속도의 향상도 도모할 수 있다.
실재(15)에 첨가하는 필러, 예를 들어 실리카 등이 큰 격차가 적고, 균일성이 좋은, 작은 지름의 입도(粒度)일 필요가 있고, 본 실시 형태에서는, 평균 입자 지름이 0.5㎛ 미만으로 되어 있다.
본 실시 형태에 있어서는, 실재(15)에 첨가하는 필러에 대해서는, 이하에 나타내는 조건을 설정하고 있다. 또한, 이하에 나타내는 조건은, 다음에 상술하는 복수의 실시예에 의해 선택한 이유(근거)가 명확하게 뒷받침된다.
즉, 실재(15)에 포함되는 필러(충전제)의 함유량이 15－40wt％의 범위이다.
또, 실재(15)에 포함되는 필러(충전제)의 최대 입자 지름은 1.5㎛ 이하이다.
또, 실재(15)에 포함되는 필러(충전제)의 비표면적이 30m2／g 이하이다.
또, TFT 어레이 기판(11)과 대향 기판(12)에는, 액정을 소정 방향으로 배향시키기 위한 배향막이 형성되지만, 본 실시 형태에 있어서는, TFT 어레이 기판(11)과 대향 기판(12)이 적어도 한쪽 기판의 실재 밑에 배향막이 형성되어 있다.
여기서, 필러(충전제)의 평균 입자 지름이란, 예를 들면, 주사 전자현미경(SEM)에 의한 측정이어도 상관없고, 레이저 산란 광법에 의한 누적 중량 평균 입자 측정이어도 상관없다. 또, 비표면적이란 BET법에 의해 측정한 것이다.
수분 진입 등의 신뢰성을 목적으로 한 필러(충전제)의 지름은, 보다 작은 쪽이 효과가 있다. 실험에 의하면, 필러의 평균 입자 지름은 0.5㎛ 미만, 바람직하게는 0.3㎛ 이하의 것을 이용하지 않으면 수분 진입에 의해 발생하는 신뢰성 불량이 많이 발생하고, 효과를 완전히 볼 수 없게 될 우려가 있는 것을 알 수 있다.
또, 필러의 함유량이 15－40wt％의 범위로 설정한 것은, 필러(충전제)의 함유량이 15wt％ 미만의 경우, 수분 진입에 의해 발생하는 신뢰성 불량으로 효과를 전혀 보지 못하고, 40wt％보다 많은 경우는, 점도가 상승해 버려 작업성이 악화되어 버린다. 또, 실재(15)에 포함되는 필러(충전제)의 최대 입자 지름은 1.5㎛ 이하인 근거로서는, 큰 입자 지름이 혼재된 필러를 이용하면 프로젝터와 같은 셀 갭 3㎛ 이하의 협갭의 액정 패널에 있어서는, 갭 불량이 발생해 버리기 때문이다.
또, 실재(15)에 포함되는 필러(충전제)의 비표면적이 30m2／g 이하인 근거는 이하와 같다.
비표면적은 단위 무게에 대한 표면적이지만, 너무 커지면 미소 입자의 비율이 커지고, 실재의 점도가 급격하게 상승한다. 실험에 의하면, 30m2／g 이하에 있어서, 작업성에 문제가 없는 실재를 얻을 수 있었다.
이러한 필러(충전제)의 각각의 형상은 구형이 바람직하다. 이유는, 구의 비표면적이 제일 작게 실별로 혼합되었을 때의 점도 상승이 적기 때문이다.
또, 본 실시 형태에 있어서는, TFT 어레이 기판(11)과 대향 기판(12)의 적어도 한쪽 기판의 실재 밑에 배향막이 형성되어 있는 이유는 이하와 같다.
배향막과 실재의 일부가 겹쳐 버리면, 차폐(遮蔽)성이 저하하여 다양한 문제가 발생한다. 근래, 스핀 코트에 의한 배향막형성은, 탁트 타임의 축소 및 재료 저감에 의한 저비용을 목적으로 하여 채용되고 있지만, 이 경우, 기판 단부에까지 막이 형성되기 때문에, 실과 배향막이 완전하게 겹쳐져 버리고, 신뢰성의 저하는 큰 문제가 되고 있다.
본 실시 형태에 있어서는, 특히 스핀 코트에 의해 형성한 배향막을 채용한 액정 표시 소자에 매우 유효하다.
또한, 배향막재료는 무기계 배향막이다.
무기 배향막은, 대표적으로 증착(蒸着)으로 형성되는 실리콘 산화물 등을 들 수 있지만, 증착 가능한 산화물(CaF2, MgF2) 등에서도 가능하다.
그 외에, 인쇄나 스핀 코트, 잉크젯법으로 형성되는 시로키산(酸) 골격을 가지는 재료 등도 들 수 있다.
이상의 구성을 가지는 액정 표시 소자(10)의 보다 구체적인 구성에 대해 도 5 및 도 6에 관련지어 설명한다.
도 5는, 본 실시 형태와 관련되는 액티브 매트릭스형 액정 표시 소자의 화소부의 모식도이며, 도 6은, 본 실시 형태의 액티브 매트릭스형 액정 표시 소자의 단면도의 일례이다.
액정 표시 소자(10)는, 도 1에 관련지어 설명한 바와 같이, TFT 어레이 기판(11)과 이것에 대향 배치되는 투명한 대향 기판(12)을 갖추고 있다. TFT 어레이 기판(11)은, 예를 들어 석영 기판으로 이루어지며, 대향 기판(12)은, 예를 들어 유리 기판이나 석영 기판으로 이루어진다. TFT어레이 기판(11)에는, 화소 전극(13)이 설치되어 있고, 예를 들어 ITO막(인듐ㆍ틴ㆍ옥사이드막) 등의 투명 도전성 박막으로 이루어진다. 대향 기판(12)에는, 상술한 전체면 ITO막(대향 전극)(14)이 전체면에 설치되어 있다. 상술한 대향 기판(12)에는, 또한, 각 화소부의 통로 영역 이외의 영역에 차광막(17)이 설치되어 있다.
그리고, 화소 전극(13)과 보호막(19)상 및 이것과 대향하는 대향 전극(14)상에, 액정(16)을 소정 방향으로 배향시키기 위한 배향막(20, 21)이 액정 패널 제조시에 형성된다.
여기서, TFT 어레이 기판(11)의 구성에 대해 간단하게 설명한다.
액정 표시 소자(10)의 화상 표시 영역을 구성하는 매트릭스형으로 복수 형성된 화소 전극(13)에는, 인접하는 위치에 각 화소 전극(13)을 스위칭 제어하는 화소 스위칭용 TFT(22)가 설치되어 있다.
화소 신호가 공급되는 신호선(23)이 상술한 TFT(22)의 소스(24)에 전기적으로 접속되어 있다. 신호선(23)에 쓰는 화소 신호를 공급하고 있다.
또, TFT(22)의 게이트에 주사선(25)이 전기적으로 접속되어 있고, 소정의 타이밍으로, 주사선(25)에 펄스적으로 주사 신호를 인가하도록 구성되어 있다.
화소 전극(13)은, TFT(22)의 드레인(26)에 전기적으로 접속되어 있고, 스위칭 소자인 TFT(22)를 일정기간만 그 스위치를 도통시키는 것으로, 신호선(23)으로부터 공급되는 화소 신호를 소정의 타이밍에서 기입한다.
화소 전극(13)을 거쳐서 액정에 기입된 소정 레벨의 화소 신호는, 대향 기판(12)에 형성된 대향 전극(ITO막)(14)과의 사이에 일정기간 보관 유지된다.
액정층(16)은, 인가되는 전압 레벨에 의해 분자 집합의 배향(背向)이나 질서가 변화함으로써, 빛을 변조하고, 계조 표시를 가능하게 한다. 노멀리 화이트 표시라면, 인가된 전압에 따라 입사광이 이 액정 부분을 통과 가능하게 되며, 전체적으로 액정 표시 소자로부터 화소 신호에 따른 콘트라스트를 가지는 빛이 출사한다.
여기서, 보관 유지된 화소 신호가 리크 되는 것을 막기 위해서, 화소 전극(13)과 대향 전극(14)과의 사이에 형성되는 액정 용량과 병렬로 축적 용량(27)을 부가한다. 이것에 의해, 보관 유지 특성은 한층 더 개선되며, 콘트라스트비의 높은 액정 표시 소자를 실현할 수 있다. 또, 이러한 축적 용량(27)을 형성하기 위해서, 저항화된 Cs선(28)이 설치되어 있다. 또한, 29는 층간 절연막을, 30은 반도체층을 나타내고 있다.
다음으로, 상술한 대향 기판(12)에 대해서, 도시하지 않는 기둥 모양 스페이서가 되는 투명 레지스터층을 형성했다.
기판상에 포토레지스트로서 PMER(토쿄 오카 공업 주식회사 제조)를 스핀 코트법에 의해 3㎛의 두께로 도포한 후, 포토마스크를 이용하여 자외선 조사에 의한 노광 처리를 실시하고, 그 다음에 현상하여, 도시하지 않는 기둥 모양 스페이서를 형성했다.
이하, 상기한 구성을 가지는 TFT 어레이 기판(11)과 대향 기판(12)을 실재(15)로 접착시키는 공정 및 디바이스 특성에 대해서, 구체적인 실시예 1~실시예 5로서 설명한다.
(실시예 1)
다음에, 본 실시 형태에서 제작한 셀의 공정(액정 패널의 제조 공정)에 대해서, 도 7a~도 7f에 관련지어 설명한다.
우선, 도 7a에 나타내는 바와 같이, TFT 어레이 기판(11) 및 대향 기판(12)을 중성 세제 또는 순수한 물을 이용하여 세정 후 120℃에서 20분간 건조시켰다. 기판의 재질은 모두 석영 기판을 이용했다.
그 다음에, 도 7b에 나타내는 바와 같이, 각 기판의 배향막형성을 실시했다. 폴리이미드로 이루어지는 배향막을 스핀 코트법에 의해 약 50nm의 두께로 도포한 후, 100℃에서 1분간 건조시켰다(가소성(假燒性)). 폴리이미드로서는, 예를 들어 가용성 폴리이미드(일본 합성 고무(주) 제조)를 이용했다(스피너는 2000rpm에서 30초).
또한, 본 실시예에 있어서는, 배향막형성에 스핀 코트법을 이용했지만 인쇄법이어도 상관없고, 잉크젯법이어도 상관없다. 또, 배향막재료의 종류는, 폴리이미드와 같은 유기 재료로 한정하지 않고, 실리콘과 같은 무기 재료를 이용해도 상관없다. 무기 재료의 경우는, 형성 방법 증착을 이용해도 상관없다.
180℃에서 1시간 포스트베이크를 실시하고, 용매를 건조시켰다.
그 후, 도 7c에 나타내는 바와 같이, 러빙 처리를 실시했다. 러빙은, 레이온 천을 이용하여 러빙 각도(900), 러빙 회수 2회의 조건으로 행했다.
러빙 후에는, 러빙에서 사용한 천의 먼지나 PI가 깎여진 것을 제거하기 위해서 물에 의한 세정을 실시했다.
다음으로, 주입구를 제외하고 형성되는 실 패턴을 형성했다.
본 실시예에서 사용한 실재의 일례로서는, 에폭시 수지를 주성분으로 하는 실재에 실리카 충전제(이하 필러)를 첨가한 것과, 첨가하지 않은 것을 이용했다.
충전제의 예로서는, 용해 실리카, 결정 실리카, 알루미나, 질화 규소 등이 바람직하고, 다른 종류의 충전제가 혼합되어 있어도 상관없다.
필러는 평균 입자 지름이 0.3㎛, 0.5㎛, 1㎛, 2㎛의 4조건, 비표면적을 각각 20m2／g 이하로 하고, 함유량을 20wt％, 최대 입자 지름 1.0㎛ 이하의 구형의 실리카를 이용했다.
평균 입자 지름은, SEM에 의한 100개의 추출 측정, 비표면적은 BET법에 의한 측정, 함유율은 전자 천칭에 의해 측정하고, 최대 입자 지름은, 배율 3만배에 의해 최대 입경의 입자를 확인했다. 이러한 실제의 점도는 콘플레이트형 점도계(粘度計)로 실온에서 측정했더니 약 20만 mPaㆍs였다.
도 7d에 나타내는 바와 같이, 조정한 실재를 대향 기판의 주변부에, 주입구를 제외하는 패턴으로 디스펜서에 의해 형성하고, 도 7e에 나타내는 바와 같이, TFT 어레이 기판(1)과 대향 기판(2)을 겹치고, 셀 갭을 3.0㎛로 했다. 실폭은 약 0.7mm였다.
그 후, 도 7f에 나타내는 바와 같이, 액정 재료(△n=0.16)를 봉입하고, 주입구를 자외선 경화 수지에 의해 봉지(도시하지 않음)했다.
액정 재료는, 굴절률 이방성(△n)이 높은 단체(單體)를 새롭게 미량 첨가한 것을 이용했다.
본 실시예의 액정 표시 소자를 환경 시험기를 이용하여 600c, 90％의 환경하에서 가속 구동 시험을 실시했다. 결과를 표 3에 나타낸다.
Figure 112006033002738-PCT00004
50시간 경과후에 관찰한 바에 의하면, 필러가 없는, 평균 입자 지름 1.O㎛, 2.0㎛에 있어서, 수분 침입에 의한 표시 이상이 발생했다. 경향은, 시간의 경과와 함께 심해졌지만, 평균 입자 지름 0.5㎛, 0.3㎛에 있어서, 100시간 구동 후에 있어서도 표시 이상은 발생하지 않았다.
이와 같이, 본 실시 형태의 액정 표시 소자를 이용함으로써, 보다 신뢰성이 좋은 고품질의 액정 표시 소자를 얻을 수 있다.
(실시예 2) 충전제 함유량과 신뢰성 표시 이상의 관계
러빙까지는, 실시예 1과 동일하게 작성하고, 그 다음에 주입구를 제외하고 형성되는 실 패턴을 형성했다.
본 실시예에서 사용한 실재의 일례로서는, 에폭시 수지를 주성분으로 하는 실재에 실리카 충전제(이하 필러)를 첨가한 것을 이용했다.
필러는 평균 입자 지름이 0.3㎛, 비표면적을 각각 20m2／g, 함유량을 10wt％, 1 5wt％, 20wt％, 30wt％, 40wt％, 45wt％의 6조건, 최대 입자 지름 1.0㎛ 이하의 구형의 실리카를 이용했다.
평균 입자 지름은, SEM에 의한 100개의 추출 측정, 비표면적은 BET법에 의한 측정, 함유율은 전자 천칭에 의해 측정하고, 최대 입자 지름은, 배율 3만배에 의해 최대 입경의 입자를 확인했다.
조정한 실재를 대향 기판의 주변부에, 주입구를 제외한 패턴으로 디스펜서에 의해 형성하고, TFT 어레이 기판(1)과 대향 기판(2)을 겹치고, 셀 갭을 3.0㎛로 했다. 실폭은 약 0.7mm였다.
그 후, 액정 재료(△n=0.16)를 봉입하고, 주입구를 자외선 경화 수지에 의해 봉지(도시하지 않음)했다.
본 실시예의 액정 표시 소자를 관찰했다. 함유량 45wt％의 것은 작업성이 나쁘고, 점도 상승에 의해 실 조각이 발생했다.
다음으로, 본 실시예의 액정 표시 소자를 환경 시험기를 이용하여 600c, 90％의 환경하에서 가속 구동 시험을 실시했다.
결과를 표 3에 나타낸다. 50시간 경과후에 관찰한 바에 의하면, 함유량이 10wt％에 있어서 수분 침입에 의한 표시 이상이 발생했다. 15wt％ 이상의 것은 발생하지 않았다. 경향은, 시간의 경과와 함께 심해졌지만, 15wt％ 이상의 것은, 100시간 구동 후에 있어서도 표시 이상은 발생하지 않았다.
이와 같이, 본 실시예의 액정 표시 소자를 이용함으로써, 보다 신뢰성이 좋은 고품질의 액정 표시 소자를 얻을 수 있다.
(실시예 3) 최대 입자 지름과 갭 이상(異常)
러빙까지는, 실시예 1과 동일하게 작성하고, 그 다음에 주입구를 제외하고 형성되는 실 패턴을 형성했다.
본 발명으로 사용한 실재의 일례로서는, 에폭시 수지를 주성분으로 하는 실재에 실리카 충전제(이하 필러)를 첨가한 것을 이용했다. 필러는 평균 입자 지름이 0.3㎛, 비표면적을 각각 20m2／g, 함유량을 20wt％, 최대 입자 지름을 각각 0.5㎛, 1.0㎛, 1.5㎛, 2.0㎛, 3.0㎛ 이하의 5조건의 구형의 실리카를 이용했다.
평균 입자 지름은, SEM에 의한 100개의 추출 측정, 비표면적은 BET법에 의한 측정, 함유율은 전자 천칭에 의해 측정하고, 최대 입자 지름은, 배율 3만배에 의해 최대 입경의 입자를 확인했다.
조정한 실재를 대향 기판의 주변부에, 주입구를 제외한 패턴으로 디스펜서에 의해 형성하고, TFT 어레이 기판(1)과 대향 기판(2)을 겹치고, 셀 갭을 3.0㎛로 했다. 실폭은 약 0.7mm였다.
그 후, 액정 재료(△n=0.16)를 봉입하고, 주입구를 자외선 경화 수지에 의해 봉지(도시하지 않음)했다.
본 실시예의 액정 표시 소자를 관찰했다. 결과를 표 4에 나타낸다.
Figure 112006033002738-PCT00005
최대 입자 지름이 2.0㎛ 이하, 3.0㎛ 이하의 필러를 이용한 것은 셀 갭 이상(異常)을 볼 수 있었다. 최대 입자 지름 0.5㎛ 이하, 1.0㎛ 이하, 1.5㎛ 이하의 액정 표시 소자에 있어서는, 셀 갭 이상을 볼 수 없었다.
이와 같이, 본 실시예의 액정 표시 소자를 이용함으로써, 보다 신뢰성이 좋은 고품질의 액정 표시 소자를 얻을 수 있다.
(실시예 4) 비표면적과 작업성
러빙까지는, 실시예 1과 동일하게 작성하고, 그 다음에 주입구를 제외하고 형성되는 실 패턴을 형성했다.
본 실시예에서 사용한 실재의 일례로서는, 에폭시 수지를 주성분으로 하는 실재에 실리카 충전제(이하 필러)를 첨가한 것을 이용했다. 필러는 평균 입자 지름이 0.3㎛, 비표면적을 40m2／g, 30m2／g, 20m2／g의 3조건, 함유량을 20wt％, 최대 입자 지름을 1.0㎛ 이하의 구형의 실리카를 이용했다.
평균 입자 지름은, SEM에 의한 100개의 추출 측정, 비표면적은 BET법에 의한 측정, 함유율은 전자 천칭에 의해 측정하고, 최대 입자 지름은, 배율 3만배에 의해 최대 입경의 입자를 확인했다.
조정한 실재를 대향 기판의 주변부에, 주입구를 제외한 패턴으로 디스펜서에 의해 형성하고, 작업성을 평가했다.
비표면적을 40m2／g에서는 작업성이 나쁘고, 점도 상승에 의해 실 조각이 발생했다. 30m2／g, 20m2／g에서는 문제없이 도포할 수 있었다.
이와 같이, 본 실시예의 액정 표시 소자를 이용함으로써, 보다 신뢰성이 좋은 고품질의 액정 표시 소자를 얻을 수 있다.
(실시예 5)△n=0.18, 0.20 액정 사용
러빙까지는, 실시예 1과 동일하게 작성하고, 그 다음에 주입구를 제외하고 형성되는 실 패턴을 형성했다.
본 실시예에서 사용한 실재의 일례로서는, 에폭시 수지를 주성분으로 하는 실재에 실리카 충전제(이하 필러)를 첨가한 것과, 첨가하지 않은 것을 이용했다. 필러는 평균 입자 지름이 0.3㎛, 비표면적을 각각 20m2／g, 함유량을 20wt％, 최대 입자 지름 1.0㎛ 이하의 구형의 실리카를 이용했다.
평균 입자 지름은, SEM에 의한 100개의 추출 측정, 비표면적은 BET법에 의한 측정, 함유율은 전자 천칭에 의해 측정하고, 최대 입자 지름은, 배율 3만배에 의해 최대 입경의 입자를 확인했다.
조정한 실재를 대향 기판의 주변부에, 주입구를 제외한 패턴으로 디스펜서에 의해 형성하고, TFT 어레이 기판(1)과 대향 기판(2)을 겹치고, 셀 갭은, 2.65㎛, 2.4㎛로 했다. 실폭은 약 0.7mm였다.
그 후, 액정 재료를 2 종류(△n=0.18, 0.20)의 주입을 실시했다. 셀 갭 2.65㎛의 것에는 △n=0.18의 액정 재료, 셀 갭 2.4㎛의 것에는 △n= 0.20의 2 종류를 봉입하고, 주입구를 자외선 경화 수지에 의해 봉지(도시하지 않음)했다. 또한, △n를 상승시키는 액정 단체의 액정 조성물 전체에 차지하는 비율은, 0.16＜0.18＜0.20의 순서로 커진다.
본 실시예의 액정 표시 소자를 환경 시험기를 이용하여 600c, 90％의 환경하에서 가속 구동 시험을 실시했다. 결과를 상술한 표 1, 표 2에 나타낸다.
10시간 경과후에 관찰한 바에 의하면, 필러가 없는(종래예) 한편 △n=0.20의 액정 재료에 있어서, 표시 이상 발생했다. 30시간 경과후에 관찰한 바에 의하면, 필러가 없는 (종래예) 한편 △n=0.18의 액정 재료에 있어서, 표시 이상이 발생했다. 표시 이상 발생시간은, △n를 상승시키는 단체의 양에 의존한다고 생각된다. 또한, 경향은, 시간의 경과와 함께 심해졌다.
필러를 첨가한 본 실시예의 액정 표시 소자에 있어서는, 100시간 구동 후에 있어서도 표시 이상은 발생하지 않았다.
이와 같이, 본 실시예의 액정 표시 소자를 이용함으로써, 보다 신뢰성이 좋은 고품질의 액정 표시 소자를 얻을 수 있다.
이하에 상술한 특징을 가지는 액정 표시 소자를 이용한 전자기기의 일례로서 투사형 표시장치의 구성에 대해서, 도 8의 개략 구성도에 의해서 설명한다.
도 8에 나타내는 바와 같이, 투사형 액정 표시 장치(액정 프로젝터)(300)는, 광축(C)에 따라 광원(301)과 투과형의 액정 표시 소자(302)와 투사 광학계(303)가 순서대로 배설되어 구성되어 있다.
광원(301)을 구성하는 램프(304)로부터 사출된 빛은 리플렉터(305)에 의해서 후방으로 방사되는 성분이 전방으로 집광되어 콘덴서 렌즈(306)에 입사된다. 콘덴서 렌즈(306)는, 빛을 더욱 집중하여, 입사측 편광판(307)을 거쳐서 액정 표시 소자(302)로 인도한다.
인도된 빛은, 셔터 혹은 라이트 벌브의 기능을 가지는 액정 표시 소자(302) 및 사출(射出)이 에어 편광판(308)에 의해 화상으로 변환된다. 표시된 화상은, 투사 광학계(303)를 거쳐서 스크린(310)상에 확대 투영된다.
또한, 광원(301)과 콘덴서 렌즈(306)와의 사이에는 필터(314)가 삽입되어 있고, 광원에 포함되는 불필요한 파장의 빛, 예를 들어 적외광 및 자외광을 제거한다.
다음에, 상기의 액정 표시 소자를 이용한 전자기기의 일례로서 투사형 표시장치의 구성에 대해서, 도 9에 관련지어 설명한다.
도 9에 나타내는 투사형 표시장치(500)는, 상술한 액정 표시 소자를 3개 준비하고, 각각 RGB용의 액정 표시 소자(562R, 562G 및 562B)로서 이용한 투사형 액정 장치의 광학계의 개략 구성도를 나타낸다.
투사형 표시장치(500)는, 광학계로서, 광원 장치(520)와 균일 조명 광학계(523)가 이용되고 있다.
이 균일 조명 광학계(523)로부터 출사되는 광속(W)을 적색(R), 녹색(G), 청색(B)으로 분리하는 색분리 수단인 색분리 광학계(524)와, 각 색광속(色光束)(R, G, B)을 변조하는 변조 수단인 3개의 라이트 벌브(525R, 525G, 525B)와, 변조된 후의 색광속을 재합성하는 색조성수단인 색조성프리즘(510)과, 합성된 광속을 투사면(600)의 표면에 확대 투사하는 투사 수단인 투사 렌즈 유닛(506)을 갖추고 있다. 게다가, 청색 광속(B)을 대응하는 라이트 벌브(525B)로 인도하는 도광계(527)를 갖추고 있다.
균일 조명 광학계(523)는, 2개의 렌즈판(521, 522)과 반사 밀러(531)를 갖추고 있고, 반사 밀러(531)를 사이에 두고 2개의 렌즈판(521, 522)이 직교하는 상태로 배치되어 있다. 균일 조명 광학계(523)의 2개의 렌즈판(521, 522)은, 각각 매트릭스형으로 배치된 복수의 구형 렌즈를 갖추고 있다.
광원 장치(520)로부터 출사된 광속은, 제 1렌즈판(521)의 구형 렌즈에 의해서 복수의 부분 광속으로 분할된다.
그리고, 이러한 부분 광속은, 제 2렌즈판(522)의 구형 렌즈에 의해서 3개의 라이트 벌브(525R, 525G, 525B) 부근에서 겹쳐진다. 따라서, 균일 조명 광학계(523)를 이용함으로써, 광원 장치(520)가 출사 광속의 단면내에서 불균일한 조도 분포를 가지고 있는 경우에도, 3개의 라이트 벌브(525R, 525G, 525B)를 균일한 조명광으로 조명하는 것이 가능해진다.
각 색분리 광학계(524)는, 청록 반사 다이클로익 밀러(541)와, 녹색 반사 다이클로익 밀러(542)와 반사 밀러(543)로 구성된다.
우선, 청록 반사 다이클로익 밀러(541)에서는, 광속(W)에 포함되어 있는 청색 광속(B) 및 녹색 광속(G)이 직각으로 반사되며, 녹색 반사 다이클로익 밀러(542) 측을 향한다. 적색 광속(R)은, 이 청록 반사 다이클로익 밀러(541)를 통과하여, 후방의 반사 밀러(543)와 직각으로 반사되어, 적색 광속(R)의 사출부(544)로부터 프리즘 유닛(510) 측으로 사출된다.
다음에, 녹색 반사 다이클로익 밀러(542)에서는, 청록 반사 다이클로익 밀러(541)로 반사된 청색 광속(B) 및 녹색 광속(G) 가운데, 녹색 광속(G)만이 직각으로 반사되어, 녹색 광속(G)의 사출부(545)로부터 색합성광학계 측으로 사출된다. 녹색 반사 다이클로익 밀러(542)를 통과한 청색 광속(B)은, 청색 광속(B)의 사출부(546)로부터 도광계(527) 측으로 사출된다.
여기에서는, 균일 조명 광학계(523)의 광속(W)의 사출부로부터, 색분리 광학계(524)에 있어서의 각 색광속의 사출부(544, 545, 546)까지의 거리가 거의 같아지도록 설정되어 있다. 색분리 광학계(524)의 적색 광속(R) 출사부(544) 및 녹색 광속(G) 출사부(545)의 각 사출 측에는, 각각 집광렌즈(551) 및 집광렌즈(552)가 배치되어 있다. 따라서, 각 사출부로부터 사출한 적색 광속(R), 녹색 광속(G)은, 이러한 집광렌즈(551), 집광렌즈(552)에 입사하여 평행화 된다.
이와 같이 평행화 된 적색 광속(R) 및 녹색 광속(G)은, 각각 라이트 벌브(525R) 및 라이트 벌브(525G)에 입사하여 변조되며, 각 색광에 대응한 화상 정보가 부가된다. 즉, 이러한 액정 표시 소자는, 도시하고 있지 않은 구동 수단에 의해서 화상 정보에 따라 스위칭 제어되어, 이것에 의해, 여기를 통과하는 각 색광의 변조가 행해진다. 한편, 청색 광속(B)은, 도광계(527)를 거쳐서 대응하는 라이트 벌브(525B)로 인도되고, 여기에 있어서, 동일하게 화상 정보에 따라서 변조가 실시된다.
또한, 본 예의 라이트 벌브(525R, 525G, 525B)는, 각각 한층 더 입사측 편광 수단(561R, 561G, 561B)과, 이러한 사이에 배치된 액정 표시 소자(562R, 562G, 562B)로 이루어지는 액정 라이트 벌브이다.
도광계(527)는, 청색 광속(B)과 사출부(546)의 사출 측에 배치한 집광렌즈(554)와, 입사측 반사 밀러(571)와, 사출측 반사 밀러(572)와, 이러한 반사 밀러의 사이에 배치한 중간 렌즈(573)와, 라이트 벌브(525B)의 앞측에 배치한 집광렌즈(553)로 구성되어 있다.
집광렌즈(546)로부터 사출된 청색 광속은, 도광계(527)를 거쳐서 액정 표시 소자(562B)로 인도되어 변조된다. 각 색광속(色光束)의 광로길이, 즉, 광속(W)의 사출부로부터 각 액정 표시 소자(562R, 562G, 562B)까지의 거리는 청색 광속(B)이 가장 길어지고, 따라서, 청색 광속의 광량 손실이 가장 많아진다.
그러나, 도광계(527)를 개재시킴으로써, 광량 손실을 억제할 수 있다. 각 라이트 벌브(525R, 525G, 525B)를 통해 변조된 각 색광속(R, G, G)은, 색조성프리즘(510)에 입사되며, 여기서 합성된다.
그리고 색조성프리즘(510)에 의해서 합성된 빛이 투사 렌즈 유닛(506)을 거쳐서 소정의 위치에 있는 투사면(600)의 표면에 확대 투사 되게 되어 있다.
또한, 본 발명은 단순 행렬 방식뿐만이 아니라, TFTF 액티브 매트릭스나, T FD액티브 매트릭스, 패시브 매트릭스 구동 방식, 선광 모드, 복수굴절 모드 등, 어느 방식의 액정 표시 소자에 적용해도, 상술한 효과를 기대할 수 있다. 또한, 구동 내장형의 액정 장치뿐만 아니라, 구동 회로를 외부부착 하는 형태의 액정 표시 소자나 대각(對角) 1 인치에서 15 인치 정도 혹은 그 이상의 다양한 사이즈의 액정 표시 소자, 투사형의 액정 표시 소자 등에, 본 발명의 액정 주입 장치를 적용해도 효과를 기대할 수 있다.
또한, 본 발명은 투사형의 액정 표시 소자뿐만이 아니라, 반사형 액정 표시 소자, LCOS, 유기 EL, 어느 방식의 디바이스에 적용해도 상술한 효과를 얻을 수 있다. 또, 구동 내장형의 액정 표시 소자, 구동 회로를 외부부착 하는 형태의 액정 표시 소자, 단순 행렬 방식, TFD 액티브 매트릭스, 패시브 매트릭스 구동 방식, 선광 모드, 복수굴절 모드 등, 어느 방식의 액정 표시 소자에 적용해도, 상술한 효과를 기대할 수 있다.
본 발명은, 프로젝터 등의 라이트 벌브에 이용하는 액정 패널이 고온 고습 환경하에서 동작되어도, 액정 패널의 열화 등을 방지할 수 있기 때문에, 투사형의 액정 표시 소자뿐만이 아니라, 반사형 액정 표시 소자, LCOS, 유기 EL, 어느 방식의 디바이스에도 적용 가능하다.
본 발명에 의하면, 내습성의 향상에 의한 고화질화를 실현할 수 있고, 고정밀화에 수반하는 고굴절률 이방성 액정, 좁은 셀 갭에 의한 고콘트라스트화를 실현할 수 있는 이점이 있다.
또, 실(seal) 폭 축소가 가능해지고, 패널 소형화 혹은 유효 화소 영역 확대에 의한 높은 개구 비율화를 실현할 수 있다.
또, 프로젝터 등의 투사형 LCD에 있어서는, 램프 고(高)조사량 가능에 의한 고(高)휘도화를 실현할 수 있고, 작업성의 향상, 셀 갭 이상 방지에 의한 고(高)생산성, 고(高)수율을 실현할 수 있는 이점이 있다. 또한, 좁은 셀 갭에 의해, 응답 속도를 개선할 수 있는 동영상 특성에 유리하다라고 하는 이점이 있다.

Claims (16)

  1. 2매의 기판상에, 액정을 소정 방향으로 배향시키기 위한 배향막이 형성되어 있고, 상기 배향막이 소정 간격을 두고 대향하도록 실재(sealing material)로 접착시킨 한 쌍의 기판 사이에 액정층이 협지된 액정 표시 소자에 있어서,
    상기 실재는, 평균 입자 지름이 0.5㎛ 미만의 충전제를 함유하고,
    상기 액정층에 이용하는 액정 재료는 실온에서의 굴절률 이방성이 0.16 이상이며, 셀 갭이 3㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 액정층에 이용하는 액정 재료는 실온에서의 굴절률 이방성이 0.18 이상인 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 실재에 포함되는 충전제의 함유량이 15－40wt％의 범위인 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 실재에 포함되는 충전제의 최대 입자 지름은 1.5㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 실재에 포함되는 충전제의 비표면적이 30m2／g 이하인 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  6. 제 1항에 있어서,
    적어도 한쪽 기판의 실 밑에 배향막이 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 배향막재료는 무기계 배향막인 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  8. 제 3항에 있어서,
    상기 배향막재료는 무기계 배향막인 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  9. 제 4항에 있어서,
    상기 배향막재료는 무기계 배향막인 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  10. 제 5항에 있어서,
    상기 배향막재료는 무기계 배향막인 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  11. 광원과,
    상기 광원으로부터 출사된 빛을 액정 표시 소자로 인도하는 집광광학계와,
    상기 액정 표시 소자에서 광변조한 빛을 확대하여 투사하는 투사 광학계를 가지고,
    상기 액정 표시 소자는,
    2매의 기판상에, 액정을 소정 방향으로 배향시키기 위한 배향막이 형성되어 있고, 상기 배향막이 소정 간격을 두고 대향하도록 실재로 접착시킨 한 쌍의 기판간에 액정층이 협지되며,
    상기 실재는, 평균 입자 지름이 0.5㎛ 미만의 충전제를 함유하고,
    상기 액정층에 이용하는 액정 재료는 실온에서의 굴절률 이방성이 0.16 이상이며, 셀 갭이 3㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 투사형 표시장치.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 실재에 포함되는 충전제의 함유량이 15－40wt％의 범위인 것을 특징으로 하는 투사형 표시장치.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 실재에 포함되는 충전제의 최대 입자 지름은 1.5㎛ 이하인 것을 특징으 로 하는 투사형 표시장치.
  14. 제 11항에 있어서,
    상기 실재에 포함되는 충전제의 비표면적이 30m2／g 이하인 것을 특징으로 하는 투사형 표시장치.
  15. 제 11항에 있어서,
    적어도 한쪽 기판의 실 밑에 배향막이 있는 것을 특징으로 하는 투사형 표시장치.
  16. 제 11항에 있어서,
    상기 배향막재료는 무기계 배향막인 것을 특징으로 하는 투사형 표시장치.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4944396B2 (ja) * 2005-06-21 2012-05-30 積水化学工業株式会社 液晶滴下工法用硬化性樹脂組成物、液晶滴下工法用シール剤、上下導通材料及び液晶表示素子
TWI392905B (zh) * 2006-08-30 2013-04-11 Sony Corp 液晶顯示元件以及投射型液晶顯示裝置
JP2009069422A (ja) * 2007-09-12 2009-04-02 Sony Corp 液晶表示素子および投射型液晶表示装置
JP5618464B2 (ja) 2008-05-22 2014-11-05 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置およびその製造方法
JP5736656B2 (ja) 2010-03-24 2015-06-17 セイコーエプソン株式会社 液晶装置および電子機器
JP5457321B2 (ja) * 2010-09-28 2014-04-02 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
US20130120722A1 (en) * 2011-11-14 2013-05-16 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Method and system for forming alignment film region through uv light exposure
JP2013117744A (ja) * 2013-03-18 2013-06-13 Sony Corp 液晶表示素子および投射型液晶表示装置
JP5731023B2 (ja) * 2014-01-09 2015-06-10 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
CN106200136B (zh) * 2016-08-29 2019-08-20 京东方科技集团股份有限公司 一种封框胶及、显示面板
JP7106410B2 (ja) * 2018-09-24 2022-07-26 シチズンファインデバイス株式会社 強誘電性液晶セルの製造方法
CN111081604A (zh) * 2019-12-02 2020-04-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 微发光二极管转移装置及微发光二极管转移方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4803361A (en) * 1986-05-26 1989-02-07 Hitachi, Ltd. Photoelectric device with optical fiber and laser emitting chip
EP0413161B1 (en) 1989-08-15 1995-03-08 Casio Computer Company Limited Conductive connecting structure
CA2049410C (en) * 1990-08-17 2001-05-29 Kiyofumi Takeuchi Liquid crystal device and process for producing the same
EP0588568B1 (en) * 1992-09-18 2002-12-18 Hitachi, Ltd. A liquid crystal display device
JP3529460B2 (ja) * 1994-12-01 2004-05-24 株式会社東芝 液晶表示装置
US5694506A (en) * 1995-03-09 1997-12-02 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Optical connector
KR100405893B1 (ko) * 1995-10-23 2004-10-06 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 액정표시장치
DE69812774T2 (de) * 1997-05-28 2003-10-16 Autonetworks Technologies Ltd Sammelschienenstruktur
JP3514609B2 (ja) * 1997-05-29 2004-03-31 新光電気工業株式会社 光半導体装置用リードフレームと光半導体装置
DE69841268D1 (de) * 1997-06-12 2009-12-10 Sharp Kk Anzeigevorrichtung mit vertikal ausgerichtetem Flüssigkristall
JP3863253B2 (ja) 1997-06-27 2006-12-27 株式会社日立製作所 液晶表示素子とその製造方法
EP1016767A4 (en) * 1997-09-16 2001-08-01 Nippon Steel Corp REINFORCEMENT STRUCTURE FOR CONCRETE ELEMENT AND METHOD FOR REINFORCEMENT
JPH1195232A (ja) * 1997-09-22 1999-04-09 Optrex Corp 液晶表示素子
JPH11149081A (ja) * 1997-11-17 1999-06-02 Canon Inc 液晶素子
JP3750411B2 (ja) * 1999-04-01 2006-03-01 セイコーエプソン株式会社 液晶装置、液晶装置の製造方法及び投射型表示装置
JP2001222017A (ja) * 1999-05-24 2001-08-17 Fujitsu Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
TW594093B (en) * 1999-10-19 2004-06-21 Terashima Kentaro Optical transmission and reception system, and optical transmission and reception module and optical cable for the system
CN1394288A (zh) * 2000-11-06 2003-01-29 三菱化学株式会社 光纤的位置调节结构及半导体激光组件
JP2003149653A (ja) 2001-11-08 2003-05-21 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 液晶表示セルおよびシール剤
TW580592B (en) * 2001-11-28 2004-03-21 Sharp Kk Image shifting device, image display, liquid crystal display, and projection image display
JP3811644B2 (ja) * 2001-12-12 2006-08-23 株式会社日立製作所 液晶表示装置
KR100804688B1 (ko) * 2002-01-21 2008-02-18 삼성에스디아이 주식회사 반사형 액정 디스플레이 및 이를 구비하는 프로젝션 시스템
JP2003228085A (ja) * 2002-02-06 2003-08-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
US7144163B2 (en) * 2003-01-27 2006-12-05 Fujikura Ltd. Optical connector with shutter, shutter unit, and inner piece
WO2004097481A1 (ja) * 2003-04-30 2004-11-11 Fujikura Ltd. 光トランシーバおよび光コネクタ
JP4269291B2 (ja) * 2006-01-27 2009-05-27 セイコーエプソン株式会社 光モジュール
JP4887072B2 (ja) * 2006-05-02 2012-02-29 富士フイルム株式会社 セルロース体フィルム、光学補償シート、偏光板、液晶表示装置

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Publication number Publication date
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WO2005050304A1 (ja) 2005-06-02
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CN1882870A (zh) 2006-12-20

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