KR20060097070A - 성막 처리 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (23)
- 진공 흡인 가능하게 이뤄진 처리 용기내에 배치하는 재치대상의 피처리체의 표면에 Ti막을 형성하는 성막 처리 방법에 있어서,상기 처리 용기내에 Ti를 함유한 성막 가스를 도입해서, 상기 성막 가스의 플라즈마를 생성하고, 상기 재치대의 표면에 Ti막을 형성하는 제 1 공정과,상기 처리 용기내에 NH3를 함유한 처리 가스를 도입해서, 상기 Ti막을 질화 처리하는 제 2 공정에 의해 프리코트층을 형성하는 공정과,상기 처리 용기내에 상기 피처리체를 반입해서, 상기 프리코트층을 형성한 상기 재치대에 재치하는 공정과,상기 피처리 용기내에 Ti를 함유한 성막 가스를 도입해서, 상기 성막 가스의 플라즈마를 생성하고, 상기 피처리체상에 Ti막을 형성하는 공정을 구비하며,상기 프리코트층의 형성 공정은, 상기 재치대의 온도를 일정하게 한 때에, 상기 프리코트층을 형성한 때의 막 두께가 변화해도 상기 재치대로부터의 복사열량의 방출이 일정하게 되는 범위내의 두께 0.4㎛ 내지 20㎛에서, 상기 재치대의 표면에 상기 프리코트층을 형성하는 것을 특징으로 하는성막 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 공정과 제 2 공정을 적어도 1회 이상 행해서 상기 재치대의 표면에 프리코트층을 형성하는 것을 특징으로 하는성막 처리 방법.
- 진공 흡인 가능하게 이뤄진 처리 용기내에 배치하는 재치대상의 피처리체의 표면에 Ti막을 형성하는 성막 처리 방법에 있어서,상기 처리 용기내에 TiCl4 가스를 함유한 성막 가스를 도입해서, 상기 성막 가스의 플라즈마를 생성하고, 상기 재치대의 표면에 Ti막을 형성하는 제 1 공정과,상기 처리 용기내에 NH3를 함유한 처리 가스를 도입해서, 상기 Ti막을 질화 처리하는 제 2 공정에 의해 프리코트층을 형성하는 공정과,상기 처리 용기내에 상기 피처리체를 반입해서, 상기 프리코트층을 형성한 상기 재치대에 재치하는 공정과,상기 처리 용기내에 TiCl4 가스를 함유한 성막 가스를 도입해서, 상기 성막 가스의 플라즈마를 생성하고, 상기 피처리체상에 Ti막을 형성하는 공정을 포함하며,상기 제 1 공정과 제 2 공정을 적어도 1회 이상 행해서 상기 재치대의 표면에 프리코트층을 형성하는 것을 특징으로 하는성막 처리 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 프리코트층의 형성 공정은, 상기 재치대의 온도를 일정하게 한 때에, 상기 프리코트층을 형성한 때의 막 두께가 변화해도 상기 재치대로부터의 복사열량의 방출이 일정하게 되는 범위내의 두께 0.4㎛ 내지 20㎛에서, 상기 재치대의 표면에 상기 프리코트층을 형성하는 것을 특징으로 하는성막 처리 방법.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 제 2 공정은, 플라즈마를 생성해서, 상기 Ti막을 질화하는 것을 특징으로 하는성막 처리 방법.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 성막 가스는 Ar 가스, H2 가스를 함유한 것을 특징으로 하는성막 처리 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 2 공정은, 상기 제 1 공정의 TiCl4 가스를 정지하고, Ar 가스, H2 가스를 도입 및 플라즈마를 생성하면서 상기 NH3 가스를 도입해서 행하는 것을 특징 으로 하는성막 처리 방법.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 프리코트층 형성 공정은, 상기 처리 가스가 샤워헤드를 통해서 도입되고, 상기 샤워헤드의 온도를 Ti막을 성막하는 때의 상기 샤워헤드의 온도와 동일한 온도로 되도록 상기 재치대의 온도를 가열 제어해서 행하는 것을 특징으로 하는성막 처리 방법.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 프리코트층 형성 공정은, 상기 피처리체에 Ti막을 성막하는 온도보다 높은 온도에서 상기 재치대의 표면에 프리코트층을 형성시키는 것을 특징으로 하는성막 처리 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 프리코트층을 형성하는 온도는, 상기 피처리체에 성막 처리하는 온도보다 10℃ 내지 30℃ 높은 것을 특징으로 하는성막 처리 방법.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 제 1 공정 및 제 2 공정은 5초 내지 120초 행해지는 것을 특징으로 하는성막 처리 방법.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 프리코트층 형성 공정은, 66.6Pa 내지 1333Pa의 압력에서 행해지는 것을 특징으로 하는성막 처리 방법.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 재치대의 설정 온도는 400℃ 내지 700℃인 것을 특징으로 하는성막 처리 방법.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 TiCl4 가스의 유량은 2sccm 내지 100sccm이며, 상기 NH3 가스의 유량은 50sccm 내지 5000sccm인 것을 특징으로 하는성막 처리 방법.
- 진공 흡인 가능하게 이뤄진 처리 용기내에 배치하는 재치대상의 피처리체의 표면에 Ti막을 형성하는 성막 처리 방법에 있어서,상기 처리 용기내에 TiCl4 가스를 함유한 성막 가스를 도입해서, 열CVD에 의해 상기 재치대의 표면에 TiN막의 프리코트층을 형성하는 공정과,상기 처리 용기내에 상기 피처리체에 반입해서, 상기 프리코트층을 형성한 상기 재치대에 재치하는 공정과,상기 처리 용기내에 TiCl4 가스를 함유한 성막 가스를 도입해서, 상기 성막 가스의 플라즈마를 생성하고, 상기 피처리체상에 Ti막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는성막 처리 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 프리코트층 형성후에, 상기 피처리 용기내에 NH3를 함유한 처리 가스를 도입해서, 상기 TiN막을 질화 처리해서 안정화하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는성막 처리 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 프리코트층 형성후에, 상기 처리 용기내에 TiCl4 가스를 함유한 성막 가스를 도입해서, 상기 성막 가스의 플라즈마를 생성하고, 상기 재치대의 표면에 Ti막을 형성하는 제 1 공정과,상기 처리 용기내에 NH3를 함유한 처리 가스를 도입해서, 상기 Ti막을 질화 처리하는 제 2 공정을 포함하며,상기 제 1 공정과 제 2 공정을 적어도 각각 1회 이상 행하는 것을 특징으로 하는성막 처리 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 처리 용기내는 클리닝된 상태인 것을 특징으로 하는성막 처리 방법.
- 진공 흡인 가능하게 이뤄진 처리 용기내에 배치하는 재치대상의 피처리체의 표면에 Ti막을 형성하는 성막 처리를 이용한 성막 처리 방법에 있어서,상기 처리 용기내에 TiCl4 가스를 함유한 성막 가스를 도입해서, 상기 성막 가스의 플라즈마를 생성하고, 상기 재치대의 표면에 Ti막을 형성하는 제 1 공정과,상기 처리 용기내에 NH3를 함유한 처리 가스를 도입해서, 상기 Ti막을 질화 처리하는 제 2 공정을 적어도 1회 이상 행해서 상기 재치대의 표면에 프리코트층을 형성하는 공정과,상기 성막 처리 장치가 상기 성막 처리가 되지 않는 아이들링 상태를 형성하 는 공정과,상기 처리 용기내에 상기 피처리체를 반입해서, 상기 프리코트층을 형성한 상기 재치대에 재치하는 공정과,상기 처리 용기내에 TiCl4 가스를 함유한 성막 가스를 도입해서, 상기 성막 가스의 플라즈마를 생성하고, 상기 피처리체상에 Ti막을 형성하는 공정을 포함하며,상기 처리 용기내에 상기 피처리체를 반입하기 전에, 상기 제 1 공정 및 제 2 공정을 적어도 각각 1회 행하는 것을 특징으로 하는성막 처리 방법.
- 진공 흡인 가능하게 이뤄진 처리 용기내에 배치하는 재치대상의 피처리체의 표면에 Ti막을 형성하는 성막 처리 장치를 이용한 성막 처리 방법에 있어서,상기 처리 용기내에 TiCl4 가스를 함유한 성막 가스를 도입해서, 상기 성막 가스의 플라즈마를 생성하고, 상기 재치대의 표면에 Ti막을 형성하는 제 1 공정과,상기 처리 용기내에 NH3를 함유한 처리 가스를 도입해서, 상기 Ti막을 질화 처리하는 제 2 공정을 적어도 1회 이상 행해서 상기 재치대의 표면에 프리코트층을 형성하는 공정과,상기 성막 처리 장치가 상기 성막 처리가 되지 않는 아이들링 상태를 형성하는 공정과,상기 처리 용기내에 상기 피처리체를 반입해서, 상기 프리코트층을 형성한 상기 재치대에 재치하는 공정과,상기 처리 용기내에 TiCl4 가스를 함유한 성막 가스를 도입해서, 상기 성막 가스의 플라즈마를 생성하고, 상기 피처리체상에 Ti막을 형성하는 공정을 포함하며,상기 처리 용기내에 상기 피처리체를 반입하기 전에, N2, NH3, MMH중 적어도 하나를 함유한 처리 가스를 상기 처리 용기내에 도입해서 플라즈마를 생성하고, 상기 플라즈마에 의해 프리코트층을 처리하는 것을 특징으로 하는성막 처리 방법.
- 진공 흡인 가능하게 이뤄진 처리 용기내에 배치하는 재치대상의 피처리체의 표면에 Ti막을 형성하는 성막 처리 장치를 이용한 성막 처리 방법에 있어서,상기 처리 용기내에 TiCl4 가스를 함유한 성막 가스를 도입해서, 상기 성막 가스의 플라즈마를 생성하고, 상기 재치대의 표면에 Ti막을 형성하는 제 1 공정과,상기 처리 용기내에 NH3를 함유한 처리 가스를 도입해서, 상기 Ti막을 질화 처리하는 제 2 공정을 적어도 1회 이상 행해서 상기 재치대의 표면에 프리코트층을 형성하는 공정과,상기 성막 처리 장치가 상기 성막 처리가 되지 않는 아이들링 상태를 형성하는 공정과,상기 처리 용기내에 상기 피처리체를 반입해서, 상기 프리코트층을 형성한 상기 재치대에 재치하는 공정과,상기 처리 용기내에 TiCl4 가스를 함유한 성막 가스를 도입해서, 상기 성막 가스의 플라즈마를 생성하고, 상기 피처리체상에 Ti막을 형성하는 공정을 포함하며,상기 처리 용기내에 상기 피처리체를 반입하기 전에, NH3 가스, H2 가스, Ar 가스를 함유한 처리 가스를 상기 처리 용기내에 도입해서 플라즈마를 생성하고, 상기 플라즈마에 의해 프리코트층을 처리하는 것을 특징으로 하는성막 처리 방법.
- 제 15 항 또는 제 19 항 내지 제 21 항중 어느 한 항에 있어서,상기 프리코트층의 두께는 0.4㎛ 내지 20㎛인 것을 특징으로 하는성막 처리 방법.
- 제 1 항, 제 4 항 또는 제 22 항중 어느 한 항에 있어서,상기 프리코트층의 두께는 0.5㎛ 내지 2㎛인 것을 특징으로 하는성막 처리 장치.
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