KR100716263B1 - 건식 식각 장치 - Google Patents

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KR100716263B1
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etching gas
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김경수
배근학
김호식
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주식회사 아토
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Abstract

본 발명은 건식 식각 장치에 관한 것으로, 식각가스들을 공급하는 식각가스 공급원; 식각가스들이 분리되어 공급되는 가스공급모듈과 공급된 식각가스들을 분리하여 제공하는 가스분리모듈과 내부에 혼합 분사구를 구비하는 가스분사모듈을 포함하며, 가스분리모듈 및 가스분사모듈에 소정의 파워가 인가되어 식각가스들이 플라즈마 상태로 분사되는 다수의 공동전극이 구비된 샤워헤드; 반응 챔버 내부에 반도체 기판을 안착시키며 RF 바이어스가 인가되는 정전척 및 건식 식각 반응의 부산물을 배출시키기 위한 배기부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 건식 식각 장치는 멀티 할로우 캐소드 효과로 인해 식각 가스의 이온화율을 높여 플라즈마 밀도를 증대시킬 수 있으며, 반도체 기판 근접 위치에서 플라즈마 집중에 의한 손상을 최소화할 수 있어서, 샤워헤드와 반도체 기판 간의 갭을 줄이고 저압에서도 식각 효율을 높일 수 있는 장점이 있다.
샤워헤드, 멀티 할로우 캐소드, 플라즈마, 건식 식각 장치

Description

건식 식각 장치{Apparatus for dry etching}
도 1은 일반적인 건식 식각 공정에서 식각 물질에 따른 식각 가스의 종류를 나타내는 도면.
도 2a는 종래의 CCP 방식의 건식 식각 장치를 나타내는 도면.
도 2b는 종래의 ICP 방식의 건식 식각 장치를 나타내는 도면.
도 3은 본 발명에 의한 건식 식각 장치를 개략적으로 나타내는 도면.
도 4는 본 발명에 의한 다수의 공동전극이 구비된 샤워헤드를 나타내는 도면.
도 5a 및 도 5b는 다수의 공동전극이 구비된 샤워헤드를 상세하게 나타내는 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 반응 챔버 100 : 식각가스 공급원
120 : 제1 식각가스 공급원 140 : 제2 식각가스 공급원
200 : 샤워헤드 220 : 가스공급모듈
222 : 외부 공급 통로 224 : 내부 공급 통로
240 : 가스분리모듈 242 : 제1 식각가스 영역
244 : 제2 식각가스 영역 246 : 가스 분배판
250 : 파워인가모듈 252 : 제1 파워인가부
254 : 제2 파워인가부 260 : 가스분사모듈
262 : 홀 264 : 제2 식각가스 분출구
265 : 공동 전극 266 : 제1 식각가스 분출구
267 : 절연체 270 : 혼합 분사구
300 : 정전척 400 : 배기부
A : 제1 식각가스 B : 제2 식각가스
본 발명은 본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 다수의 공동전극이 구비된 샤워헤드를 이용하여 반도체 기판을 건식 식각하는 장치에 관한 것이다.
반도체 제품의 처리 속도, 고집적화 향상을 위해서는 트랜지스터 소자의 게이트 산화막 두께 및 채널 길이를 얇고 짧게 하는 작업 등을 포함하는 반도체 기판 상의 박막 형성의 정밀도를 높일 수 있는 미세 패턴 기술인 박막 식각 공정이 중요하다.
박막 식각 공정은 습식 식각 공정과 건식 식각 공정으로 나눌 수 있다. 습식 식각은 산이나 알칼리 또는 그들의 혼합 용액에 식각 대상물을 담가 감광막 패턴에 의해 노출된 식각 대상막을 선택적으로 화학적 반응에 의해 제거하는 공정이다.
습식 식각의 경우 식각을 전적으로 화학 반응에 의존하고 있어 식각 속도가 식각 대상 막의 모든 방향에 대하여 같은 등방성 식각이 일어나 둥근 모양의 식각 단면은 얻는다. 이러한 식각은 고 종횡비 갭과 높은 식각 선택비가 요구되는 고집적 반도체 소자의 제조방법에는 부적합하다.
건식 식각은 감광막, 질화막, 산화막, 비정질 카본막 등과 같은 식각 마스크를 이용하여 식각 대상막을 선택적으로 제거하는 공정이다.
건식 식각 공정은 소스 가스를 전기장에 노출시켜 최외각 전자를 이탈시키는 이온화 반응을 일으켜 생성되는 플라즈마 상태의 반응 가스를 이용한다. 여기서 플라즈마 상태란 음의 전기를 뛰는 전자와 양의 전기를 뛰는 이온의 밀도가 거의 동일하여 거시적으로 중성화 되어 있으며 전자, 이온 및 중성입자들이 집단적 상호작용을 하고 있는 상태를 의미한다.
플라즈마을 이용한 건식식각은 가속된 이온이 식각 대상막의 표면에 수직으로 입사되므로 식각 대상막의 표면에 수직한 방향만으로 깊이 식각할 수 있는 이방성 식각으로 고 종횡비 갭과 높은 식각 선택비가 요구되는 고집적 반도체 소자의 제조방법에 적합하다.
건식 식각 공정은 식각 물질에 따라 실리콘 식각, 옥사이드 식각, 메탈 식각으로 분류 되며 식각 물질에 따른 식각 가스의 종류는 도 1과 같다.
또한, 건식 식각 공정은 플라즈마 생성 방식에 따라 용량 결합된 플라즈마(CCP) 방식, 유도 결합된 플라즈마(ICP) 방식 및 전자기 공명 플라즈마(ECR) 방식으로 나뉘며, 식각 방식에 따라 스퍼터링 식각, 화학적 식각 및 이온 도움에 의 한 식각으로 구분할 수 있다.
도 2a는 종래의 용량 결합된 플라즈마 방식의 건식 식각 장치를 나타내는 것으로, 용량 결합된 플라즈마(CCP) 방식은 상부 전극에 RF가 인가되고, 챔버에 회전하는 자기장을 인가하여 전자가 외벽으로 사라지는 것을 방지하여 고 밀도 플라즈마를 생성시키고 웨이퍼 전극에도 RF와 Bias DC를 인가하여 플라즈마 내에서 충전된 식각종이 웨이퍼 상부에 수직으로 충돌되도록 향하게 되어 이방성 식각이 가능한 구조를 가지는 방식이다.
이 방식은 그라운드(Ground)면적을 넓게 가져갈 수 있고, 상부전극과 하부전극간의 갭을 50mm 이내로 얇게 조절할 수 있으며 고압 플라즈마에서 플라즈마 균일도의 확보 및 라디칼 제어가 용이하여 주로 옥사이드 식각 공정에 주로 사용된다.
도 2b는 종래의 유도 결합된 플라즈마 방식의 건식 식각 장치를 나타내는 것으로, 유도 결합된 플라즈마 방식(ICP)은 챔버 상부에 원형 또는 나선형의 안테나를 설치한 후 RF를 인가하게 되면 코일 상에 전류가 흐르며 자기장을 형성하게 되고, 이러한 자기장에 의해 챔버 내부에 유도 전기장이 발행하며 전자를 가속시켜 플라즈마가 형성되는 방식이다.
이 방식의 특징은 매우 낮은 압력에서도 플라즈마를 발생시킬 수 있다는 장점이 있으며 이로 인해 미세패턴의 식각에 매우 유리한 측면이 있다. 그리고 웨이퍼 전극에 Bias RF를 인가하여 식각을 매우 미세하게 조절할 수 있는 장점이 있다.
또한 ICP 방식은 이온에 의한 물리적 식각 보다는 라디칼에 의한 화학적 식각 특성이 강하기 때문에 강력한 셀프 바이어스(Self-Bias)가 걸리는 용량 결합된 플라즈마(CCP) 방식보다 이온 에너지를 쉽게 조절할 수 있어서 주로 폴리 및 메탈 식각 공정 사용된다.
특히 상부전극과 하부전극간의 갭을 100mm 이내로 줄일 수 없어서 비교적 높은 압력에서는 라디칼 제어가 어려운 단점이 있으므로 매우 낮은 압력에서 미세 패턴의 공정이 이루어진다.
전술한 바와 같이 CCP 방식은 이온에 의한 물리적 식각과 라디칼에 의한 화학적 식각이 혼합되어 사용되며, ICP 방식은 라디칼에 의한 화학적 식각이 주로 사용된다.
하지만 반도체 미세 패턴의 선폭이 줄어드는 것에 따라 매우 높은 이방성 식각과 선택적 식각이 요구되며, 반도체 기판의 크기가 증대됨에 따라 기판상의 공정가스의 균일한 분배가 요구된다.
따라서 ICP 방식의 장점인 저압에서 플라즈마 밀도를 증대 시키는 방식과 CCP 방식의 장점인 상부전극과 하부전극인 기판간의 갭을 줄여 식각 효율을 높이고 대면적 식각이 용이하도록 하는 방식 모두를 적용할 필요가 있다.
이를 통해 이온에 의한 물리적 방법으로 박막을 이방성 식각한 후, 상기 박막을 라디칼에 의한 화학적 식각 방법으로 등방성 식각하여 식각 효율을 높일 수 있는 식각 장치의 개발이 필요하다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 다수의 공동전극이 구비된 샤워헤드를 이용하여 챔버 내에 플라즈마 밀도를 증대시키면서 도 반도체 기판에 플라즈마 영향을 최소화하고, 고 종횡비의 식각이 용이하도록 식각의 이방성을 높이고, 식각 마스크와의 선택적 식각을 향상시킴과 동시에 대면적에 대한 균일한 식각이 가능하여 식각 효율을 높일 수 있는 건식 식각 장치를 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 건식 식각 장치는 반도체 기판을 건식 식각(dry etching)하는 장치에 있어서, 반응 챔버 외부에 위치하며, 제1 식각가스를 공급하는 제1 식각가스 공급원과 제2 식각가스를 공급하는 제2 식각가스 공급원을 구비하는 식각가스 공급원; 상기 제1 식각가스 및 제2 식각가스가 분리되어 공급되는 가스공급모듈과 공급된 제1, 제2 식각가스를 분리하여 제공하는 가스분리모듈과 내부에 혼합 분사구를 구비하는 가스분사모듈과 상기 가스분리모듈과 상기 가스분사모듈에 소정의 파워가 인가되어 상기 제1, 제2 식각가스가 독립적으로 플라즈마 상태로 되도록 하는 파워인가모듈을 구비하는 다수의 공동전극이 구비된 샤워헤드; 반응 챔버 내부에 반도체 기판을 안착시키며, 이온 에너지를 조절하기 위해 RF 바이어스(Bias)가 인가되는 정전척; 및 건식 식각 반응의 부산물을 반응 챔버 외부로 배출시키기 위한 배기부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
도 3은 본 발명에 의한 건식 식각 장치를 개략적으로 나타내는 것으로, 반응 챔버(1), 식각가스 공급원(100), 다수의 공동전극이 구비된 샤워헤드(200), 정전 척(300) 및 배기부(400)로 구성된다.
식각가스 공급원(100)은 반응 챔버(1) 외부에 위치하며, 제1 식각가스(A)를 공급하는 제1 식각가스 공급원(120)과 제2 식각가스(B)를 공급하는 제2 식각가스 공급원(140)으로 구성된다.
제1 식각가스(A)는 물리적 이온에 의한 이방성 식각에 기여하는 가스이고, 제2 식각가스(B)는 라디칼에 의한 화학적 식각으로 선택적 식각의 역할을 하는 가스이다.
다수의 공동전극이 구비된 샤워헤드(200)는 제1 식각가스(A) 및 제2 식각가스(B)가 분리되어 공급되는 가스공급모듈(220)과 공급된 제1 식각가스(A) 및 제2 식각가스(B)를 분리하여 제공하는 가스분리모듈(240)과 내부에 혼합 분사구(270)가 형성되는 가스분사모듈(260)을 포함하며, 가스분리모듈(240) 및 가스분사모듈(260)에 소정의 파워가 인가되어 제1 식각가스(A) 및 제2 식각가스(B)가 플라즈마 상태로 반응 챔버(1) 내부로 분사된다.
정전척(300)은 반응 챔버(1) 내부에 반도체 기판을 안착시키며, 이온 에너지를 조절하기 위해 RF 바이어스(Bias)가 인가된다.
배기부(400)에서는 펌핑 동작을 통하여 건식 식각 반응의 부산물이 반응 챔버 외부로 배출된다.
도 4는 본 발명에 의한 다수의 공동전극이 구비된 샤워헤드(200)를 나타내는 것으로, 가스공급모듈(220), 가스분리모듈(240), 파워인가모듈(250) 및 가스분사모듈(260)로 구성된다.
가스공급모듈(220)에서는 식각가스 공급원(100)으로부터 제1 식각가스(A)와 제2 식각가스(B) 중 어느 하나의 식각가스가 외부의 통로(222)로, 다른 하나의 식각가스가 내부의 통로(224)로 격리되어 공급되는데, 도 4의 실시예에서는 제1 식각가스(A)가 외부의 통로(222)로, 제2 식각가스(B)가 내부의 통로(224)로 격리되어 공급된다.
가스분리모듈(240)은 가스공급모듈(220) 하부에 위치하며, 공급된 제 1 식각가스(A)를 제공하는 제1 식각가스 영역(242)과 공급된 제2 식각가스(B)를 제공하는 제2 식각가스 영역(244)을 구비한다.
제2 식각가스 영역(244)은 제1 식각가스 영역(242)의 하부에 제1 식각가스 영역(242)과 분리되어 있으며, 제2 식각가스 영역(244) 내부에 가스 분배판(246)에 의해 상기 제2 식각가스가 고르게 분포된다.
각 가스 영역(242, 244)을 통과하는 각각의 제1 식각가스(A)와 제2 식각가스(B)는 가스별로 별도의 분사구를 통하지 않고, 두 가스 모두 혼합 분사구(270)를 통해 공정 목적에 따라 동시에 또는 순차적으로 분사된다.
파워인가모듈(250)은 샤워헤드(200) 외부에 위치하며, 제1 식각가스 영역(242) 및 가스분사모듈(260)에 소정의 파워를 인가하는 제1 파워인가부(252)와 제2 식각가스 영역(244)에 소정의 파워를 인가하는 제2 파워인가부(254)로 구성되며, 제1 식각가스 영역(242) 및 제2 식각가스 영역(244)으로부터 각각의 가스가 분사될 때에 가스 분리 모듈(240)의 제1 식각가스 영역(242) 및 제2 식각가스 영역(244)에 소정의 파워를 독립적으로 각각 인가하여 분사되는 제1 식각가스(A)와 제2 식각가스(B)가 분리 또는 혼합되어 플라즈마 상태가 되고, 또한, 가스분사모듈(260)에도 제1 파워인가부(252)에 의한 파워가 인가됨으로써 공동 전극(multi hollow cathode) 효과에 의해 플라즈마 밀도가 증대된다. 이 경우 샤워헤드(200)의 가스분리모듈(220)의 제1 식각가스 영역(242) 및 제2 식각가스 영역(244) 및 가스분사모듈(260)은 각각 도전체로 형성된다.
이 경우 제1 파워인가부(252)로부터 제1 식각가스 영역(242) 및 가스분사모듈(260)에 인가되는 파워와 제2 파워인가부(254)로부터 제2 식각가스 영역(244)에 인가되는 파워는 공정 목적에 따라서 같은 주파수를 가질 수도 있고, 서로 다른 주파수를 가질 수도 있다.
파워는 플라즈마를 인가할 수 있는 파워로서, DC 파워, 마이크로 웨이브(microwave) 파워 및 RF 파워 중에서 어느 하나를 이용하는 것이 바람직하다.
가스분사모듈(260)은 가스분리모듈(240) 하부에 위치하며 다수의 홀(262)을 구비하며, 다수의 홀 내부와 제2 식각가스 영역(244) 하부 끝단의 다수의 제2 식각가스 분출구(264) 하부 및 상기 다수의 제2 식각가스 분출구(264)를 둘러싸는 공간에 형성되는 제1 식각가스 분출구(266) 하부에 형성되는 혼합 분사구(270)를 구비한다.
제2 식각가스 분출구(264)는 가스분사모듈(260)의 다수의 홀(262) 각각의 중앙에 위치하고, 제2 식각가스 분출구(264)의 끝은 가스분사모듈(260)의 상판부터 하판까지 높이가 조절가능하다. 또한, 제2 식각가스 분출구(264)의 끝의 조절에 따라서 제1 식각가스 분출구(266)의 끝도 조절된다.
도 5a는 가스분사모듈(260)의 전부가 공동전극(265)으로 형성된 것을 나타내고, 도 5b는 가스분사모듈(260)의 하판을 절연체로 형성된 것을 나타낸다.
도 5a를 참조하면, 가스분사모듈(260)은 알루미늄과 같은 도전체 재질의 공동전극(265)으로만 구성되어 있으며, 도 5b를 참조하면, 가스분사모듈(260)은 파워가 인가된 알루미늄 등의 재질로 된 공동전극(265)과 공동전극(265) 하부에 위치하는 Al2O3와 같은 절연체(267)로 구성되어 있다.
가스분사모듈(260)에서 절연체(267)는 없어도 무방하지만 가스분사모듈(260)의 하판이 절연체(267)로 구성될 경우 반도체 기판과 샤워헤드(200)간의 플라즈마 집중에 의한 손상을 최소화할 수 있다. 다만, 최적의 공동전극 효과를 가질 수 있도록 하판의 절연체(267)의 두께는 최소화하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 이용되는 절연체(267)는 Al2O3, AlN 등의 세라믹 물질 계열과 테프론(Teflon) 등의 고분자물질 계열을 포함한다. 즉, Al2O3, AlN 등의 세라믹 물질 또는 테프론 등의 고분자 물질 중에서 어느 하나일 수도 있고, 또는 세라믹 물질과 고분자 물질의 복합체일 수도 있다.
이상에서 본 발명에 대한 기술사상을 첨부 도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 기술적 사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의한 건식 식각 장치는 샤워헤드의 구조상 가스분사모듈이 공동 전극의 역할을 하게 되어 공동 전극에 의한 멀티 할로우 캐소드 효과로 인해 식각 가스의 이온화율을 높여 플라즈마 밀도를 증대 시킬 수 있는 장점이 있다.
또한 본 발명에 의한 건식 식각 장치는 다수의 공동전극이 구비된 샤워헤드에 직접 RF 파워를 인가하여 플라즈마를 발생시키므로 그 구성을 단순화할 수 있으며, 가스분사모듈의 하판을 절연체로 구성하여 반도체 기판 근접 위치에서 플라즈마 집중에 의한 손상을 최소화하므로 샤워헤드와 반도체 기판 간의 갭을 줄이고 저압에서도 식각 효율을 높일 수 있다.
또한 본 발명에 의한 다수의 공동전극이 구비된 샤워헤드는 이질적인 2개 또는 그 이상의 가스들로 이방성 및 선택적 식각 공정을 최적화할 수 있는 장점이 있다.

Claims (11)

  1. 반도체 기판을 건식 식각(dry etching)하는 장치에 있어서,
    반응 챔버 외부에 위치하며, 제1 식각가스를 공급하는 제1 식각가스 공급원과 제2 식각가스를 공급하는 제2 식각가스 공급원을 구비하는 식각가스 공급원;
    상기 제1 식각가스 및 제2 식각가스가 분리되어 공급되는 가스공급모듈과 공급된 제1, 제2 식각가스를 분리하여 제공하는 가스분리모듈과 내부에 혼합 분사구를 구비하는 가스분사모듈과 상기 가스분리모듈과 상기 가스분사모듈에 소정의 파워가 인가되어 상기 제1, 제2 식각가스가 독립적으로 플라즈마 상태로 되도록 하는 파워인가모듈을 구비하는 다수의 공동전극이 구비된 샤워헤드;
    반응 챔버 내부에 반도체 기판을 안착시키며, 이온 에너지를 조절하기 위해 RF 바이어스(Bias)가 인가되는 정전척; 및
    건식 식각 반응의 부산물을 반응 챔버 외부로 배출시키기 위한 배기부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 식각가스는
    물리적 이온에 의한 이방성 식각에 기여하는 가스인 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2 식각가스는
    라디칼에 의한 화학적 식각으로 선택적 식각의 역할을 하는 가스인 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 다수의 공동전극이 구비된 샤워헤드는
    상기 식각가스 공급원으로부터 상기 제1 식각가스와 제2 식각가스가 격리되어 공급되는 가스공급모듈;
    상기 가스공급모듈 하부에 위치하며, 상기 공급된 제 1 식각가스를 제공하는 제1 식각가스 영역과 상기 공급된 제2 식각가스를 제공하는 제2 식각가스 영역을 구비하되, 상기 제2 식각가스 영역은 상기 제1 식각가스 영역의 하부에 상기 제1 식각가스 영역과 분리되어 있으며, 상기 제2 식각가스 영역 내부에 가스 분배판에 의해 상기 제2 식각가스가 고르게 분포되는 가스분리모듈;
    상기 가스분리모듈 하부에 위치하며 소정 모양의 다수의 홀을 구비하며, 상기 다수의 홀 내부와 상기 제2 식각가스 영역 하부 끝단의 다수의 제2 식각가스 분출구 하부 및 상기 다수의 제2 식각가스 분출구를 둘러싸는 공간에 형성되는 제1 식각가스 분출구 하부에 형성되는 혼합 분사구를 구비하는 가스분사모듈; 및
    샤워헤드 외부에 위치하며, 상기 제1 식각가스 영역 및 상기 가스분사모듈에 소정의 파워를 인가하는 제1 파워인가부 및 상기 제2 식각가스 영역에 소정의 파워를 인가하는 제2 파워인가부를 구비하며, 상기 제1, 제2 식각가스가 분사될 때에 소정의 파워가 상기 가스분리모듈의 제1 식각가스 영역과 상기 제2 식각가스 영역에 독립적으로 각각 인가되어 상기 제1 식각가스와 제2 식각가스가 고밀도의 플라 즈마 상태가 되도록 하는 파워인가모듈;을 포함하는 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.
  5. 제4항에 있어서
    상기 가스분리모듈과 가스분사모듈 사이에 위치하여 가스 분리모듈과 가스 분사모듈을 전기적으로 절연시키는 절연체링;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 파워인가모듈은
    상기 제1 식각가스 영역 및 상기 제2 식각가스 영역에 같은 주파수를 가지는 파워를 인가하거나 또는 서로 다른 주파수를 가지는 파워를 인가하는 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.
  7. 제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 파워는
    DC, RF 및 마이크로웨이브(microwave) 파워 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.
  8. 제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 가스분사모듈은
    공동전극으로만 구성되어 내부에 다수의 혼합 분사구를 형성하는 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 공동전극은
    알루미늄(Al)과 같은 도전체 재질인 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.
  10. 제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 가스분사모듈은
    공동전극으로 구성되되, 상기 공동전극 하부에 절연체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.
  11. 제10에 있어서, 상기 절연체는
    Al2O3, AlN 등의 세라믹 물질 또는 테프론(Teflon) 등의 고분자 물질 중에서 어느 하나 또는 상기 세라믹 물질과 상기 고분자 물질의 복합체인 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.
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