KR100727469B1 - 플라즈마 식각장치 - Google Patents

플라즈마 식각장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100727469B1
KR100727469B1 KR1020050072844A KR20050072844A KR100727469B1 KR 100727469 B1 KR100727469 B1 KR 100727469B1 KR 1020050072844 A KR1020050072844 A KR 1020050072844A KR 20050072844 A KR20050072844 A KR 20050072844A KR 100727469 B1 KR100727469 B1 KR 100727469B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
etching
plasma
etching chamber
electrode
Prior art date
Application number
KR1020050072844A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070018308A (ko
Inventor
최용남
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020050072844A priority Critical patent/KR100727469B1/ko
Publication of KR20070018308A publication Critical patent/KR20070018308A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100727469B1 publication Critical patent/KR100727469B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32825—Working under atmospheric pressure or higher
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

플라즈마를 이용하여 웨이퍼의 배면을 식각하기 위한 반도체 제조장치를 개시한다.
본 발명에 따르면, 플라즈마를 이용하여 패턴이 형성되지 않은 웨이퍼의 배면을 식각하는 장치는 반응 가스가 제공되는 내부 공간을 갖는 식각 챔버와, 상기 식각 챔버 내의 상부에 배치되며, 상기 웨이퍼의 윗면을 고정할 수 있는 웨이퍼 고정 유닛과, 상기 식각 챔버의 내부에서 플라즈마를 형성하기 위한 제1전극 및 제2전극과, 상기 식각 챔버에 연결되어 상기 식각 챔버 내부로 상기 반응 가스를 공급하기 위한 가스 공급 유닛을 포함하되, 상기 제1전극 또는 제2전극은 상기 웨이퍼와 대향하는 면이 유전체(dielectric substance)에 의하여 감싸지는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 장치는 상기 유전체와 상기 웨이퍼 사이에 위치하며, 복수의 분사구를 구비하는 샤워 헤드를 더 포함하되, 상기 샤워 헤드를 접지하여, 상기 샤워 헤드와 상기 웨이퍼 고정 유닛은 동일한 전위를 가지는 것을 특징으로 한다.
웨이퍼, 상압 플라즈마(atmospheric pressure plasma), 식각(etching), 샤워헤드

Description

플라즈마 식각장치{etching system for plasma}
도 1은 전기용량적 결합 플라즈마(CCP) 타입인 종래의 플라즈마 식각장치를 나타내는 정면도;
도 2는 전기용량적 결합 플라즈마(CCP) 타입인 본 발명에 따른 플라즈마 식각장치를 나타내는 정면도;
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 식각장치를 나타내는 정면도;
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 식각장치를 나타내는 정면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1, 100 : 플라즈마 식각장치 10, 110 : 식각 챔버
20, 120 : 웨이퍼 30 : 지지부재
40 : 금속판 50, 150 : 가스 공급유닛
60, 160. : 가스 배기유닛 130 : 금속판
136 : 유전체 140 : 웨이퍼 고정유닛
170 : 샤워헤드
본 발명은 반도체를 제조하는 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 플라즈마를 이용하여 웨이퍼의 배면을 식각하는 장치에 관한 것이다.
반도체 장치는 반도체 기판 상에 여러 층의 반도체, 도체, 부도체 물질 등을 적층하고, 이러한 적층막을 패터닝하여 제조된다. 패터닝 공정은 감광성 물질인 반도체 기판 상의 하층막에 도포된 포토레지스트를 마스크를 이용하여 노광 및 현상함으로써 포토레지스트 패턴을 형성하는 포토리소그래피 공정과, 포토레지스트 패턴에 따라 하층막을 식각하는 공정을 포함한다. 이와 같이, 반도체 제조 공정에서 식각 공정은 가장 빈번하게 실시되는 공정 중의 하나이다. 따라서, 식각 공정에서 대상 물질을 원하는 형태로 제거하기 위해 여러 가지 식각 기술이 개발되고 또한 다양한 식각 장비가 운용되고 있다.
식각 공정에는 화학약품에 의한 습식 식각(wet etching) 방식과 가스를 이용한 건식 식각(dry etching) 방식이 있다. 그러나, 최근에는 극미세화되고 고집적화된 반도체 장치를 구현하기 위하여 반응가스를 활성화시켜 플라즈마 상태로 변형함으로써 반도체 기판의 소정영역을 식각하는 건식 식각 기술이 많이 이용되고 있다.
플라즈마(plasma)란 이온(ion)이나 전자(electron), 라디칼(radical) 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 의미하는데, 이러한 플라즈마를 형성하는 방법에 따라 반응 이온 식각(reactive ion etching:RIE), 자기 강화 반응 이온 식각(magnetically enhanced reactive ion etching:MERIE), 화학적 기류 식각 (chemically downstream etching:CDE), 전자 사이클로트론 공진(electron cyclotron resonance:ECR), 변환 결합 플라즈마(transformer coupled plasma:TCP) 등으로 나눌 수 있고, 크게는 전기용량적 결합 플라즈마(capacitive coupled plasma:CCP) 타입과 유도 결합 플라즈마(inductive coupled plasma:ICP) 타입으로 나눌 수 있다. 상기 전기용량적 결합 플라즈마(CCP) 타입은 식각 챔버 내부에 설치된 다수의 전극에 선택적으로 고주파 전력을 인가함으로써 형성된 전기장에 의해서 반응 가스가 플라즈마 상태로 변형된다. 그리고, 상기 유도 결합 플라즈마(ICP) 타입은 식각 챔버 외측에 감겨진 코일과 상기 식각 챔버 내측에 설치된 다수의 전극에 선택적으로 고주파 전력을 인가함으로써 형성된 자기장 및 전기장에 의해서 반응 가스가 플라즈마 상태로 변형된다.
도 1은 전기용량적 결합 플라즈마(CCP) 타입인 종래의 플라즈마 식각장치(1)를 나타내는 정면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 플라즈마 식각장치(1)는 웨이퍼(20)를 식각(etching)하는 식각 챔버(10)와, 식각 챔버(10) 내에 설치되고 웨이퍼(20)를 상면에 유지하는 지지부재(30)와, 지지부재(30)에 대향하여 지지부재(30)에 유지된 웨이퍼(20)와의 사이에서 방전하는 방전면을 갖는 금속판(40)을 구비하고 있다.
금속판(40)에는 13.56㎒의 고주파 전원이 접속되어 있으며, 지지부재(30)는 접지된다. 또한, 식각 챔버(10)의 일측에는 반응 가스를 공급하는 가스 공급유닛(50)을 구비하며, 식각 챔버(10)의 타측에는 반응이 완료된 가스를 배출하는 가스 배기유닛(60)을 구비한다. 가스 공급유닛(50)은 가스 분사홀(52)과 가스 공급라인 (54) 및 가스 공급라인(54) 상에 설치되는 공급밸브(56)를 포함하며, 가스 배기유닛(60)은 가스 배기홀(62)과 가스 배기라인(64) 및 가스 배기라인(64) 상에 설치되는 배기밸브(66) 및 진공펌프(68)를 포함한다.
이하, 종래의 플라즈마 식각장치(1)에 대하여 설명하면 다음과 같다.
먼저, 식각하려는 웨이퍼(20)를 식각 챔버(10) 내로 로딩한다. 웨이퍼(20)는 식각 챔버(10) 내의 지지부재(30) 상에 안착된다.
웨이퍼(20)가 안착되면, 웨이퍼(20)의 하부에 위치한 가열판(도시안됨)에 의하여 식각하고자 하는 웨이퍼(20)를 가열한다. 가열이 끝나면, 식각 챔버(10) 내를 진공 분위기로 만들기 위해서 배기밸브(66)를 개방한 후 진공펌프(68)를 작동한다. 진공펌프(68)가 작동하면, 식각 챔버(10) 내에 존재하는 에어는 가스 배기라인(64)을 통하여 식각 챔버(10)의 외부로 배기된다.
다음으로, 배기밸브(66)를 폐쇄하고 공급밸브(56)를 개방하여 반응 가스를 가스 공급라인(54)을 통해 식각 챔버(10) 내로 공급한다. 식각 챔버(10) 내로 반응 가스를 공급함과 동시에, 금속판(40)을 통하여 고주파 전원(radio frequency:RF)을 인가하면 지지부재(30) 상에 안착된 웨이퍼(20)와 금속판(40) 사이에 플라즈마가 형성되며, 플라즈마를 이용하여 식각 공정을 수행한다.
식각 공정이 완료되면, 가스 배기유닛(60)을 통하여 반응이 완료된 반응 가스 및 부산물 등을 식각 챔버(10)의 외부로 배출한다. 배기밸브(66)를 개방하고 진공펌프(68)를 작동하면 식각 챔버(10) 내부의 가스는 가스 배기라인(64)을 통하여 외부로 배출된다.
상기한 바와 같이 종래의 플라즈마 식각장치에 따르면, 웨이퍼(20)를 식각하기 이전에 플라즈마를 형성하기 위하여 웨이퍼(20)를 가열하는 단계와 식각 챔버(10) 내에 진공 분위기를 형성하는 단계가 포함되는 바, 가열판이나 진공펌프 등의 고가 장비가 요구되며, 또한 장치 내의 구성이 복잡하기 때문에 대형장비의 유지관리 및 공정시간이 길어지는 문제점이 있다.
따라서, 대면적 기판에 플라즈마 처리가 요구되는 경우 기판의 크기에 따라 상승하는 비용 부담으로 플라즈마 식각장치를 이용하기 힘든 실정이다.
한편, 플라즈마에 의해 식각하는 단계에서 웨이퍼(20)의 배면을 식각하는 공정도 상당히 중요하다. 웨이퍼(20)의 배면에 존재하는 파티클(particle)들은 플라즈마 상태인 식각 챔버(10) 내에서 떠돌아 다니다가 웨이퍼(20) 표면 위로 떨어져 웨이퍼(20)의 품질상 심각한 손상(damage)을 줄 수 있기 때문이다.
종래에는 웨이퍼(20)의 배면을 식각할 때 화학약품을 사용하는 습식 식각을 이용하였다. 그러나 습식 식각 방법은 건식 식각 방법에 비하여 많은 비용을 유발하고, 환경오염의 원인이 되며, 균일도(uniformity)가 낮다. 또한, 린스 공정이 추가되어야 하므로, 식각 공정에 있어서 건식 식각에 비하여 많은 단계를 거쳐야 한다.
본 발명의 목적은 장비의 크기를 최소화할 수 있는 플라즈마 식각장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상압(atmospheric pressure) 상태에서 건식 식각 공 정을 수행할 수 있는 플라즈마 식각장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 패턴이 형성되지 않은 웨이퍼의 배면을 건식으로 식각할 수 있는 플라즈마 식각장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적들은 다음의 상세한 설명과 첨부한 도면으로부터 보다 명확해질 것이다.
본 발명에 따르면, 플라즈마를 이용하여 패턴이 형성되지 않은 웨이퍼의 배면을 식각하는 장치는 반응 가스가 제공되는 내부 공간을 갖는 식각 챔버와, 상기 식각 챔버 내의 상부에 배치되며 상기 웨이퍼의 윗면을 고정할 수 있는 웨이퍼 고정 유닛과, 상기 식각 챔버의 내부에서 플라즈마를 형성하기 위한 제1전극 및 제2전극과, 상기 식각 챔버에 연결되어 상기 식각 챔버 내부로 상기 반응 가스를 공급하기 위한 가스 공급 유닛을 포함하되, 상기 제1전극 또는 제2전극은 상기 웨이퍼와 대향하는 면이 유전체(dielectric substance)에 의하여 감싸지는 것을 특징으로 한다.
상기 제1전극은 상기 식각 챔버 내의 하부에 상기 웨이퍼와 대향하도록 위치
하며, 상기 제1전극에는 고주파 전압이 인가되고, 상기 제2전극은 상기 웨이퍼 고정 유닛에 의하여 제공될 수 있다.
상기 장치는 상기 유전체와 상기 웨이퍼 사이에 위치하며, 복수의 분사구를 구비하는 샤워 헤드를 더 포함하되, 상기 샤워 헤드를 접지하여, 상기 샤워 헤드와 상기 웨이퍼 고정 유닛은 동일한 전위를 가질 수 있다.
상기 제1전극은 상기 식각 챔버 내의 하부에 상기 웨이퍼와 대향하도록 위치하며, 상기 제1전극에는 고주파 전압이 인가되고, 상기 제2전극은 상기 식각 챔버의 측벽에 의하여 제공될 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도 2 내지 도 4를 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석돼서는 안 된다. 본 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
도 2는 전기용량적 결합 플라즈마(CCP) 타입인 본 발명에 따른 플라즈마 식각장치(100)를 나타내는 정면도이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 플라즈마 식각장치(100)는 웨이퍼(120)를 식각(etching)하는 식각 챔버(110)와, 상기 식각 챔버(110)의 하부에 배치되며 고주파 전압을 인가하여 플라즈마를 형성하는 금속판(130)과, 식각 챔버(110)의 상부에 배치되는 웨이퍼 고정유닛(140)을 구비하고 있다.
금속판(130)은 금속(metal) 재질로 이루어지며, 13.56㎒의 고주파 전원이 접속되어 있다. 도시한 바와 같이, 금속판(130)은 웨이퍼(120)와 평행하도록 위치한다.
금속판(130)의 상부는 유전체(dielectric substance)(136)로 덮여 있다. 금속판(130)의 상부를 절연 특성이 좋은 유전체(136)로 절연한 후, 금속판(130)에 RF(radio frequency)를 인가하면 상압 상태에서도 금속판(130)과 웨이퍼 고정유닛(140) 사이에 사일런트(silent) 방전이 일어난다. 금속판(130)과 함께 플라즈마를 형성하기 위하여 요구되는 또 다른 전극의 역할은 웨이퍼 고정유닛(140)이 담당한다. 따라서, 웨이퍼 고정유닛(140)은 접지된다.
본 실시예에서는 전기용량적 결합 플라즈마(CCP) 타입이므로, 하나의 전극에는 고주파 전원을 연결하고, 다른 하나의 전극은 접지한다. 그러나 이는 플라즈마를 형성하기 위한 방법에 불과하다. 따라서 이와 달리 두 전극 모두에 고주파 전원을 인가하는 타입이 적용될 수 있으며, 이 때에는 두 전극 모두 유전체로 덮여 있다.
식각 챔버(110)의 상부에는 웨이퍼(120)를 고정하기 위한 웨이퍼 고정유닛(140)이 위치한다. 웨이퍼 고정유닛(140)으로는 진공척, 정전척, 클램프, 베르누이 척 등을 사용할 수 있다. 그러나, 이 중에서도 베르누이 척은 베르누이 정리(Bernoulli's Theorem)를 이용하여 웨이퍼(120)에 접촉하지 않도록 하는 바, 이에 대하여는 한국등록특허공보 10-245649에 게시되어 있다.
식각 챔버(110)의 일측에는 식각 챔버(110) 내부로 반응 가스를 공급하기 위한 가스 공급유닛(150)이 설치된다. 가스 공급유닛(150)은 웨이퍼(120)를 식각하기 위한 반응 가스를 공급한다. 따라서, 반응 가스는 식각하고자 하는 웨이퍼(120)와 유전체(136) 사이에 공급된다. 본 실시예에서, 가스 공급유닛(150)은 식각 챔버(110)의 측벽에 설치된 가스 분사홀(152)과, 가스 분사홀(152)과 통하는 가스 공급라인(154) 및 가스 공급라인(154) 상에 설치된 공급밸브(156)를 포함한다.
식각 챔버(110)의 일측에는 식각 챔버(110) 내부로부터 반응 가스를 배출하기 위한 가스 배기유닛(160)이 설치되어야 한다. 가스 배기유닛(160)은 플라즈마를 이용하여 웨이퍼(120)를 식각하는 공정이 완료된 후에 반응이 완료된 가스 및 부산물 등을 외부로 배출하기 위한 것이다.
따라서, 식각 챔버(110)에는 가스 배기홀(162)이 형성되며, 가스 배기홀(162)에는 가스 배기라인(164)이 연결된다. 가스 배기라인(164) 상에는 배기밸브(164)를 설치한다.
이하, 본 발명에 따른 플라즈마 식각장치(100)에 대하여 설명하면 다음과 같다.
먼저, 식각하려는 웨이퍼(120)를 식각 챔버(110) 내로 로딩하기 위하여 웨이퍼 고정유닛(140)을 작동하여 웨이퍼(120)를 로딩한다. 다음으로 가스 배기라인(164) 상에 위치한 배기밸브(166)를 개방하고 가스 배기홀(162)을 통하여 식각 챔버(110) 내의 공기를 빨아들인다.
식각 챔버(110) 내에 진공 분위기를 형성한 후에는 공급밸브(156)를 개방하여 반응 가스를 가스 공급라인(154)을 통해 식각 챔버(110) 내로 공급한다. 식각 챔버(110) 내로 반응 가스를 공급함과 동시에, 금속판(130)을 통하여 고주파 전원(radio frequency:RF)을 인가하면 유전체(136)과 웨이퍼 고정유닛(140) 사이에 플라즈마가 형성되며, 플라즈마를 이용하여 식각 공정을 수행한다.
본 발명은 진공 조건의 장비가 요구되지 않도록 상압(atmospheric pressure) 상태에서 플라즈마를 발생하기 위한 것으로, 진공 상태에서 플라즈마를 발생하는 것과 달리 웨이퍼를 가열하는 과정과 식각 챔버 내에 진공 분위기를 형성하는 과정을 생략할 수 있다.
식각 공정이 완료되면, 가스 배기유닛(160)을 통하여 반응이 완료된 반응 가스 및 부산물 등을 식각 챔버(10)의 외부로 배출한다. 배기밸브(164)를 개방하면 식각 챔버(10) 내부의 가스는 가스 배기홀(162) 및 가스 배기라인(164)을 통하여 외부로 배출된다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 식각장치(100)를 나타내는 정면도를 나타낸다.
본 실시예에서는, 금속판(130)에 대응되는 전극의 역할을 식각 챔버(110)의 측벽이 담당한다. 따라서, 식각 챔버(110)의 측벽은 접지되며, 상기 측벽과 금속판(130) 사이의 영역에서 플라즈마가 형성된다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 식각장치(100)를 나타내는 정면도를 나타낸다.
본 실시예에서는, 유전체(136)와 웨이퍼(120)의 사이에 샤워헤드(170)가 설치된다. 샤워헤드(170)에는 복수개의 분사구가 형성되며, 샤워헤드는 접지되어 있다.
샤워헤드(170)의 역할은 웨이퍼(120)가 식각 공정을 수행할 때에 플라즈마에 의하여 데미지를 입는 것을 방지하기 위함이다.
전극 역할을 하는 금속판(130)과 웨이퍼 고정 유닛(140) 사이에는 강한 전계(electric field, 전기장)가 형성된다. 또한, 상기한 바와 같이 플라즈마는 이온 (ion)이나 전자(electron), 라디칼(radical) 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 의미한다. 따라서, 웨이퍼(120)를 식각할 때 강한 전계를 따라 빠르게 이동하는 이온 등에 의하여 웨이퍼는 데미지(damage)를 입을 수 있다.
이를 방지하기 위하여 웨이퍼(120)의 하부에 접지한 샤워헤드(170)를 설치한다. 샤워헤드(170)를 설치하면, 웨이퍼 고정 유닛(140)과 샤워헤드(170) 사이에 전위차가 없어지므로, 전계가 형성되지 않는다. 따라서, 금속판(130)과 웨이퍼 고정 유닛(140) 사이에 형성된 강한 전계에 의하여 1차적으로 가속된 이온 등은 샤워헤드(170)를 통과하면서 더 이상 가속되는 것을 방지할 수 있으며, 이를 통하여 웨이퍼가 입는 데미지를 줄일 수 있다.
본 발명에 의하면 패턴이 형성되지 않은 웨이퍼의 배면을 식각할 수 있다.
본 발명에 의하면 웨이퍼를 가열하는 과정과 식각 챔버 내부에 진공 분위기를 형성하는 과정을 생략할 수 있다. 따라서, 식각 장비의 부피 및 경비를 줄일 수 있으며, 식각 공정의 소요시간을 줄일 수 있다.
본 발명에 의하면 상압(atmospheric pressure) 상태에서 건식 식각 공정을 수행할 수 있다.
본 발명에 의하면 식각 공정에서 플라즈마의 가속으로 인하여 웨이퍼가 입는 데미지를 최소화 할 수 있다.

Claims (4)

  1. 플라즈마를 이용하여 웨이퍼의 배면을 식각하는 장치에 있어서,
    반응가스가 제공되는 내부공간을 갖는 식각챔버;
    상기 식각챔버 내의 상부에 배치되며, 상기 웨이퍼의 윗면을 고정하는 웨이퍼 고정유닛;
    상기 식각챔버 내의 상부에 상기 웨이퍼와 대향되도록 위치하는 제1 전극;
    상기 제1 전극과 함께 상기 식각챔버의 내부에 전계를 형성하며, 상기 식각챔버 내의 하부에 상기 제1 전극과 나란하게 배치되는 제2 전극;
    상기 웨이퍼 고정유닛에 의하여 고정된 상기 웨이퍼와 상기 제2 전극 사이에 위치하며, 복수의 분사구를 구비하는 샤워헤드; 및
    상기 식각챔버에 연결되어 상기 식각챔버 내부로 상기 반응가스를 공급하는 가스공급유닛을 포함하되,
    상기 샤워헤드는 상기 제1 전극과 동일한 전위를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 샤워헤드 및 상기 제1 전극은 접지되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 전극은 상기 웨이퍼 고정유닛에 의하여 제공되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 전극은 상기 식각챔버의 측벽에 의하여 제공되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치.
KR1020050072844A 2005-08-09 2005-08-09 플라즈마 식각장치 KR100727469B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050072844A KR100727469B1 (ko) 2005-08-09 2005-08-09 플라즈마 식각장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050072844A KR100727469B1 (ko) 2005-08-09 2005-08-09 플라즈마 식각장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070018308A KR20070018308A (ko) 2007-02-14
KR100727469B1 true KR100727469B1 (ko) 2007-06-13

Family

ID=43651777

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050072844A KR100727469B1 (ko) 2005-08-09 2005-08-09 플라즈마 식각장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100727469B1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06204177A (ja) * 1992-12-28 1994-07-22 Fujitsu Ltd プラズマ処理方法
KR20010037042A (ko) * 1999-10-13 2001-05-07 윤종용 플라즈마를 이용한 반도체 건식식각설비
KR200223544Y1 (ko) 2000-12-15 2001-05-15 신춘성 반도체의 플라즈마 세정장치
KR20030072520A (ko) * 2002-03-04 2003-09-15 주식회사 씨싸이언스 웨이퍼 건식 식각용 전극
JP2004055703A (ja) 2002-07-18 2004-02-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06204177A (ja) * 1992-12-28 1994-07-22 Fujitsu Ltd プラズマ処理方法
KR20010037042A (ko) * 1999-10-13 2001-05-07 윤종용 플라즈마를 이용한 반도체 건식식각설비
KR200223544Y1 (ko) 2000-12-15 2001-05-15 신춘성 반도체의 플라즈마 세정장치
KR20030072520A (ko) * 2002-03-04 2003-09-15 주식회사 씨싸이언스 웨이퍼 건식 식각용 전극
JP2004055703A (ja) 2002-07-18 2004-02-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070018308A (ko) 2007-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6861642B2 (en) Neutral particle beam processing apparatus
JP5179730B2 (ja) プラズマエッチング装置
JP4956080B2 (ja) プラズマエッチング装置
JP2007043149A5 (ko)
TWI484552B (zh) 電漿蝕刻系統與臨場灰化光阻的方法
US20080135177A1 (en) Plasma processing apparatus
KR100271770B1 (ko) 반도체장치 제조를 위한 플라즈마 공정챔버
WO2000031787A1 (fr) Dispositif de gravure a sec et procede de gravure a sec
KR100986023B1 (ko) 바이어스 제어 장치
KR100712125B1 (ko) 유도결합형 플라즈마 처리장치
JP4387801B2 (ja) 半導体ウェーハの乾式蝕刻方法
KR100716263B1 (ko) 건식 식각 장치
KR100603099B1 (ko) 플라즈마 처리 방법 및 장치
KR101500995B1 (ko) 플라즈마 식각장치
KR100727469B1 (ko) 플라즈마 식각장치
KR101195859B1 (ko) 펄스 직류 전원을 이용한 플라즈마 처리장치
JP4588595B2 (ja) プラズマ処理装置および処理方法
KR20010051965A (ko) 반도체장치 제조방법 및 장치
KR100725721B1 (ko) 다운스트림 방식의 플라즈마 처리를 위한 방법
JP3172340B2 (ja) プラズマ処理装置
KR101146132B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
JP4160823B2 (ja) ラジカル支援ドライエッチング装置
KR100774979B1 (ko) 기판을 처리하는 장치 및 방법
US6432730B2 (en) Plasma processing method and apparatus
KR100725342B1 (ko) 반도체 반도체 플라즈마 식각 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee