KR200223544Y1

KR200223544Y1 - 반도체의 플라즈마 세정장치

Info

Publication number: KR200223544Y1
Application number: KR2020000035231U
Authority: KR
Inventors: 신춘성; 임덕규
Original assignee: 신춘성; 임덕규
Priority date: 2000-12-15
Filing date: 2000-12-15
Publication date: 2001-05-15

Abstract

본 고안은 반도체의 플라즈마 세정장치에 관한 것이며, 상세하게는 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)과 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display) 등의 세정장치에 관한 것으로서, 환경오염을 유발시키지 않으면서 반도체를 세정할 수 있도록 한 것이다.

본 고안은 반응가스인 산소와 공기가 입구(21)를 통해 선택적으로 공급되고 반도체의 판유리(1)가 공급되어 가공될 수 있게 일정 크기로 형성된 상압 플라즈마 발생 하우징(20)과, 상기 상압 플라즈마 발생 하우징(20) 내부의 측면 또는 중앙에 설치되는 판상의 제 1 전극(22)과, 상기 제 1 전극(22)의 하측에 대향되도록 함과 아울러 상기 제 1 전극(22) 하측으로 판유리(1)가 위치 이동할 수 있도록 상압 플라즈마 발생 하우징(20) 내부의 측면 또는 중앙에 설치되는 판상의 제 2 전극(23)과, 상기 제 1, 2 전극(22,23)의 양측면 또는 일측면에 선택적으로 설치되는 절연체(24)와, 상기 제 1, 2 전극(22,23)을 교류 전원(26)에 스위치(27) 등을 통해 전기적으로 연결시킴과 아울러 입력 전원을 고압으로 발생하는 고압 발생 트랜스(25)로 구성된 것이다.

Description

반도체의 플라즈마 세정장치 {PLASMA PROCESSING DEVICE OF A SEMICONDUCTOR PANEL}

본 고안은 반도체의 플라즈마 세정장치에 관한 것이며, 상세하게는 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)과 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display) 등의 세정장치에 관한 것이다.

일반적으로 알려진 바와 같이 반도체의 플라즈마 디스플레이 패널과 액정 표시 장치 등은 가공처리인 세정처리를 할 때 습식으로 처리하는 방법과 진공중에서 가스를 방전하여 처리하는 방법 등이 있는 바, 상기 진공을 통한 처리장치는 설비 비용이 고가이므로 그 사용 빈도가 적은 반면 상기 습식으로 처리하는 방법은 설비 비용이 저가이므로 그 사용 빈도가 많다.

종래의 습식 처리를 하는 세정장치는 도 1에 도시한 바와 같이, 판유리(1)의 상면과 밀착되도록 설치된 디스크 브러시(Disk brush; 3)를 회전시켜 상기 판유리(1) 상의 오염을 제거하는 디스크 브러시조(2)와, 상기 디스크 브러시조(2)의 후방에 설치되고 상기 판유리(1)의 상면과 밀착되도록 설치된 롤 브러시(Roll brush; 5)를 회전시켜 상기 판유리(1) 상에 남아 있는 오염을 제거하는 롤 브러시조(4)와, 상기 롤 브러시조(4)를 지난 판유리(1)에 노즐(7)을 통해 초순수를 분사하여 상기 판유리(1)의 표면에 남아 있는 잔류 오염을 제거하는 제 1 샤워조(6)와, 상기 제 1 샤워조(6) 후방에 초음파를 이용하여 상기 제 1 샤워조(6)를 지난 판유리(1) 상에 남아 있는 미세 오염을 제거하는 초음파조(8)와, 상기 초음파조(8)를 지난 판유리(1)로 노즐(10)을 통해 초순수를 분사하여 상기 판유리(1) 상에 남아 있는 부유물을 완전히 제거하는 동작을 수행하는 제 2 샤워조(9)와, 상기 제 2 샤워조(9)를 지난 판유리(1)로 에어나이프(12)를 통해 압축 공기를 분사하여 수분을 강제로 밀어내는 방식으로 상기 판유리(1)를 건조시키는 건조조(11)로 구성된 것이다.

상기 판유리(1)의 표면에 존재하는 오염의 제거 정도는 상기 디스크 브러시(3)와 롤 브러시(5)의 회전력, 상기 판유리(1)와 디스크 브러시(3)의 밀착력, 상기 판유리(1)와 롤 브러시(5)의 밀착력, 상기 판유리(1)의 이동속도 등에 의해서 결정되는 것이다.

그리고, 상기 초음파조(8)는 초순수가 저장되고 상면이 개구된 용기(13)와, 상기 용기(13) 내에 설치된 초음파 발진기(14)를 구비하는 것이다. 상기와 같이 구성된 초음파조(8)에서는 상기 판유리(1)가 상기 용기(13)의 초순수 속에 잠겨있는 상태에서 상기 초음파 발진기(14)에 의해 음파의 응집 및 분산 작용이 일어나면, 이러한 음파의 응집 및 분산 작용에 의하여 상기 판유리(1) 상에 존재하는 미세 오염이 박리되어 세정되는 것이다.

또한, 상기 판유리(1)는 롤러의 회전에 의해 동작되는 컨베이어(15)를 통해 로딩부(Loader)에서 언로딩부(Unloader)까지 정지하지 않고 이동되는 것이다.

그러나 상기한 판유리는 표면 오염의 종류 및 정도가 다양한데 제 1 샤워조(6)와 제 2 샤워조(9)를 통해 초순수만을 분사하기 때문에 표면백화, 슬러지, 파편, 잔류 연마제 등의 다양한 표면 오염의 제거가 곤란할 뿐만 아니라 초순수의 오염으로 인한 환경오염을 유발시키는 문제점이 있었다.

본 고안은 상기한 문제점을 시정하여, 환경오염을 유발시키지 않으면서 반도체를 세정할 수 있도록 한 반도체의 플라즈마 세정장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 고안은 반응가스가 공급되고 반도체의 판유리가 공급될 수 있게 형성된 상압 플라즈마 발생 하우징과, 상기 상압 플라즈마 발생 하우징 내부에 설치되는 판상의 제 1 전극과, 상기 제 1 전극의 하측에 대향되도록 설치되는 판상의 제 2 전극과, 상기 제 1, 2 전극에 선택적으로 설치되는 절연체와, 상기 제 1, 2 전극을 전기적으로 연결시킴과 아울러 고압을 발생하는 고압 발생 트랜스로 구성된 것이다.

도 1은 종래의 것의 세정 공정도,

도 2는 본 고안의 실시예의 배치도,

도 3은 본 고안의 실시예의 요부를 개략도이다.

＜도면의 주요부분에 사용된 부호의 설명＞

1: 판유리 20: 상압 플라즈마 발생 하우징

22: 제 1 전극 23: 제 2 전극

24: 절연체 25: 고압 발생 트랜스

28: 안내홀

본 고안은 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 반응가스인 산소와 공기가 입구(21)를 통해 선택적으로 공급되고 반도체의 판유리(1)가 공급되어 가공될 수 있게 일정 크기로 형성된 상압 플라즈마 발생 하우징(20)과, 상기 상압 플라즈마 발생 하우징(20) 내부의 측면 또는 중앙에 설치되는 판상의 제 1 전극(22)과, 상기 제 1 전극(22)의 하측에 대향되도록 함과 아울러 상기 제 1 전극(22) 하측으로 판유리(1)가 위치 이동할 수 있도록 상압 플라즈마 발생 하우징(20) 내부의 측면 또는 중앙에 설치되는 판상의 제 2 전극(23)과, 상기 제 1, 2 전극(22,23)의 양측면 또는 일측면에 선택적으로 설치되는 절연체(24)와, 상기 제 1, 2 전극(22,23)을 교류 전원(26)에 스위치(27) 등을 통해 전기적으로 연결시킴과 아울러 입력 전원을 고압으로 발생하는 고압 발생 트랜스(25)로 구성된 것이다.

상기 상압 플라즈마 발생 하우징(20)은 제 1, 2 전극(22,23)을 수용함과 아울러 상압 플라즈마를 발생하는 것으로서, 상기 상압 플라즈마 발생 하우징(20)의 입구(21)는 상측에 형성되어 산소 또는 공기를 상압 플라즈마 발생 하우징(20) 내측으로 압송하는 것이고, 상기 상압 플라즈마 발생 하우징(20)의 측부는 판유리(1)의 위치 이동을 지원할 수 있게 안내홀(28)을 형성하는 것이다.

상기 제 1 전극(22)의 저면과 제 2 전극(23)의 상면에 선택적으로 설치되는 절연체(24)는 유리 또는 테프론을 사용하는 것으로서, 상기 제 1 전극(22) 저면에 절연체(24)를 설치하고 제 2 전극(23) 상면에 절연체(24)를 설치하지 않는 경우에는 판유리(1)의 상면만이 가공되는 것이고, 상기 제 1 전극(22) 저면에 절연체(24)를 설치하지 않고 제 2 전극(23) 상면에 절연체(24)를 설치하는 경우에는 판유리(1)의 저면만이 가공되는 것이며, 상기 제 1 전극(22) 저면에 절연체(24)를 설치하고 제 2 전극(23) 상면에 절연체(24)를 설치하는 경우에는 판유리(1)의 상면과 저면이 동시에 가공되는 것이다.

상기 제 1, 2 전극(22,23)을 통한 가공은 각각의 전극에 고압의 전원이 인가되면 스트리이머 및 아크 방전으로 인하여 상압 플라즈마가 발생되는 것이며, 상기 발생되는 상압 플라즈마를 통해서 판유리(1)의 세정이 이루어지는 것이다. 상기 상압 플라즈마를 이용한 세정이 이루어지게 되면서 초순수를 사용하지 않게 되는 것이고, 상기 초순수를 사용하지 않게 되면서 환경오염을 미연에 방지할 수 있는 것이다.

그리고 상기 스위치(27)와 고압 발생 트랜스(25) 사이에 전압 제어겸 주파수 전환기(29)를 배치하는 것이고, 상기 스위치(27) 후방에 도시하지 않은 퓨즈를 설치할 수 있는 것이다.

이상과 같은 본 고안은 환경오염을 유발시키지 않으면서 반도체를 세정할 수 있도록 한 것으로서, 상기 상압 플라즈마 발생 하우징(20) 입구(21)를 통해 산소 또는 공기를 강제적으로 공급함과 아울러 스위치(27)를 온시켜 교류 전원(26)이 전압 제어겸 주파수 전환기(29)로 인가되게 하고, 상기 전압 제어겸 주파수 전환기(29)로 인가된 교류 전원(26)은 전압과 주파수를 적정하게 변경한 후 고압 발생 트랜스(25)로 인가되며, 상기 고압 발생 트랜스(25)로 인가된 전원은 고압으로 승압되면서 제 1, 2 전극(22,23)으로 인가되는 것이다.

상기 제 1, 2 전극(22,23)으로 인가된 고압 전원은 상압 플라즈마를 발생하는 것이다. 상기 제 1, 2 전극(22,23)을 통해 발생되는 상압 플라즈마는 스트리이머 및 아크방전으로 인하여 다량으로 발생되는 것이다. 상기 형성되는 상압 플라즈마는 상압 플라즈마 발생 하우징(20)의 안내홀(28)을 통해 인입된 판유리(1)로 투사(조사)되는 것이고, 상기 판유리(1)로 투사된 상압 플라즈마는 판유리(1)를 완전하게 가공(세정)처리하는 것이다.

상압 플라즈마 발생 하우징(20)의 안내홀(28)을 통해 인입되는 판유리(1)는 일정 시간이 경과후 상압 플라즈마 발생 하우징(20)의 안내홀(28)을 통해 유출되는 것이며, 상기 상압 플라즈마 발생 하우징(20)으로의 위치 이동은 도시하지 않은 픽업장치를 통해서 이루어지는 것이다.

이상과 같이 본 고안은 상압 플라즈마 발생 하우징의 내측에 판상의 제 1, 2 전극을 설치함과 아울러 상기 제 1, 2 전극에 선택적으로 절연체를 설치하는 것으로서, 상기 제 1, 2 전극 사이에 판유리를 위치시킨 후 상압 플라즈마로 가공처리함에 따라 세정 작업시에 경제성이 향상되는 것이고, 상기 가공 처리시에 초순수를 사용하지 않는 반면 상압 플라즈마를 이용함에 따라 환경오염의 발생이 미연에 방지되는 것이다.

Claims

반응가스가 공급되고 반도체의 판유리(1)가 공급될 수 있게 형성된 상압 플라즈마 발생 하우징(20)과, 상기 상압 플라즈마 발생 하우징(20) 내부에 설치되는 판상의 제 1 전극(22)과, 상기 제 1 전극(22)의 하측에 대향되도록 설치되는 판상의 제 2 전극(23)과, 상기 제 1, 2 전극(22,23)에 선택적으로 설치되는 절연체(24)와, 상기 제 1, 2 전극(22,23)을 전기적으로 연결시킴과 아울러 고압을 발생하는 고압 발생 트랜스(25)로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체의 플라즈마 세정장치.