KR20060058713A - 액침 리소그래피 시스템에서의 이미징을 모니터링하고제어하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

웨이퍼(12)가 노출 패턴에 의한 노출을 위해 액침 매질(22)에 잠길 수 있는 액침 리소그래피 시스템(10)을 모니터링하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 상기 액침 매질에서의 외부 바디의 존재를 검출함으로써 상기 액침 매질이 상기 웨이퍼를 노출 패턴으로 노출시키도록 허용가능한 상태에 있는지를 판단한다. 또한, 액침 리소그래피 시스템에 대한 모니터링 및 제어 시스템(26)이 개시된다.

Description

액침 리소그래피 시스템에서의 이미징을 모니터링하고 제어하기 위한 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR MONITORING AND CONTROLLING IMAGING IN IMMERSION LITHOGRAPHY SYSTEMS}
본 발명은 일반적으로 집적 회로 제조 분야에 관한 것으로, 특히 액침 리소그래피(immersion lithography)에 의한 웨이퍼의 이미징을 모니터링하고 및/또는 제어하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
웨이퍼 상의 다양한 집적 회로(IC) 구조들의 형성은 때때로 포토리소그래피라 칭해지는 리소그래피 공정에 종종 의존한다. 예를 들어, 원하는 패턴을 포토레지스트(PR) 층에 이미징하기 위한 구성을 갖는 마스크(또는 레티클)를 통해 광 에너지를 통과시킴으로써 상기 PR 층으로부터 패턴들이 형성될 수 있다. 결과적으로, 상기 패턴은 상기 PR 층에 전달된다. 상기 PR이 충분히 노출된 영역들에서, 그리고 현상 주기 후에, 상기 PR 재료는 가용성으로 될 수 있어, 하부 층(예를 들어, 반도체층, 금속 또는 금속 함유층, 유전층 등)을 선택적으로 노출시키도록 제거될 수 있다. 광 에너지의 임계량에 대해 노출되지 않은 PR 층의 부분들은 제거되지 않고 상기 하부 층을 보호하도록 이용된다. 그 후에, 상기 하부 층의 노출 부분들이 에칭되어(예를 들어, 화학 습식 에칭 또는 건식 반응 이온 에칭(RIE)을 이용함으로 써), 상기 PR 층으로부터 형성된 패턴이 상기 하부 층에 전달된다. 대안적으로, 상기 PR 층은 상기 하부 층의 보호 부분들로의 도펀트 주입을 차단하도록, 또는 상기 하부 층의 보호 부분들의 반응을 지연시키도록 사용될 수 있다. 그 후에, 상기 PR 층의 잔여 부분들이 벗겨질 수 있다.
IC 제조 분야에서 다양한 구조들이 배열되면서 밀도가 증가되는 경향이 만연해 있다. 결과적으로, 리소그래피 시스템들의 해상도 성능을 증가시킬 대응 필요성이 있다. 종래의 광학 리소그래피에 대한 유망한 대안은 액침 리소그래피로 알려진 차세대 리소그래피 기술이다. 액침 리소그래피에서, 리소그래피 시스템에 의해 이미징되는 웨이퍼는 패턴화된 광이 전달되는 액체 매질에 배치된다. 상기 액침 매질은 종래의 건식 리소그래피 이미징 시스템의 최종 렌즈와 상기 웨이퍼 사이에 전형적으로 존재하는 에어 갭(air gap)을 대체한다.
그러나, 액침 리소그래피를 구현하려는 시도들은 다수의 도전 과제들에 부딪히게 되었다. 예를 들어, 상기 액침 매질에 배치된 외부 바디(foreign body)(또는 다수의 외부 바디들)가 상기 웨이퍼 상에 입사하는 노출 패턴의 품질에 불리한 영향을 미칠 수 있다.
따라서, 개선된 액침 리소그래피 시스템 및 액침 리소그래피 시스템들을 이용하여 이미징을 제어하는 관련 방법들이 기술분야에 요구된다.
본 발명의 일 양상에 따르면, 본 발명은 액침 리소그래피 시스템을 모니터링하는 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 액침 매질에 노출될 웨이퍼를 담그는 단계와; 노출 패턴이 관통하도록 구성된 액침 매질의 용적을 통해 레이저 빔을 유도하는 단계와; 그리고 소정의 임계값 외에 있는 상기 레이저 빔의 일부분이 산란되는지를 판단-이에 의해, 관통 용적에 외부 바디가 존재하고 상기 액침 매질은 상기 노출 패턴으로 상기 웨이퍼를 노출시키기에 허용될 수 없는 상태에 있음을 나타낸다-하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 하나의 양상에 따르면, 본 발명은 액침 리소그래피 시스템에 대한 모니터링 및 제어 시스템에 관한 것이다. 상기 액침 리소그래피 시스템은 예를 들어, 노출될 웨이퍼를 수신하고 상기 웨이퍼를 액침 매질에 담그는 챔버와, 상기 액침 매질을 통해 상기 웨이퍼를 향하여 노출 패턴을 유도하는 이미징 서브시스템을 포함할 수 있다. 상기 모니터링 및 제어 시스템은 상기 노출 패턴이 관통하도록 구성되는 액침 매질의 용적을 통해 레이저 빔을 유도하는 레이저와 상기 레이저 빔이 상기 관통 용적을 나온 후에 상기 레이저 빔을 수신하고 상기 액침 매질에 외부 바디가 존재하는지 아닌지를 나타내는 정보를 포함하는 신호를 출력하는 검출기 어셈블리를 포함하는 서브시스템을 모니터링하는 액침 매질과; 그리고 상기 액침 매질이 상기 노출 패턴으로 상기 웨이퍼를 노출시키기에 허용될 수 있는 상태에 있는지 여부를 판단하기 위해 상기 신호를 수신하여 분석하는 제어기를 포함한다.
본 발명의 이들 및 추가 특징들은 다음의 상세한 설명 및 도면을 참조하여 명백해질 것이다.
도 1은 예시적인 집적 회로 프로세싱 구성의 개략적 블록도이다.
도 2는 상기 예시적인 직접 회로 프로세싱 구성에 대한 액침 매질 모니터링 및 제어 어셈블리의 개략적 블록도이다.
이하의 상세한 설명에서, 일부 대응 구성요소들은 이들이 본 발명의 서로 다른 실시예들에서 도시되는지에 관계없이 동일한 도면 부호들을 갖는다. 본 발명을 명확하고 간결한 방식으로 예시하기 위해, 도면들을 실제와 동일 크기로 도시할 필요는 없으며, 어떤 피쳐들은 다소 개략적 형태로 도시될 수 있다.
본 명세서의 설명은 집적 회로(IC)가 형성된 웨이퍼를 제조하는 예시적인 문맥으로 이루어진다. 예시적인 IC들은 수천 또는 수백만 개의 트랜지스터들로 제조된 범용 목적 마이크로프로세서들, 플래시 메모리 어레이 또는 임의의 다른 전용 회로를 포함한다. 그러나, 당업자는 본 명세서에 설명된 방법들 및 장치들이 마이크로머신들, 디스크 드라이브 헤드들, 유전자 칩들, 마이크로 전자-기계 시스템들(MEMS) 등과 같이, 리소그래피를 이용하여 제조되는 모든 물품의 제조에 적용될 수 있음을 이해할 것이다.
본 명세서에 설명된 장치 및 방법들은 액침 리소그래피를 위한 핵심 파라미터의 실시간 검출을 제공할 수 있다. 즉, 외부 바디(또는 다수의 외부 바디들)는 조건들이 웨이퍼를 노출시키기에 적절한지를 판단하기 위해 모니터링될 수 있다. 외부 바디들은 예를 들어, 액침 매질(24)에서 부유하는 아이템과 같은 입자를 포함할 수 있다. 예시적인 입자들은 먼지, 오염물, 포토레지스트의 부유 조각 등을 포함하지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 외부 바디들은 또한, 상기 액침 매질(24)에 배치된 에어 포켓(air pocket) 또는 가스 포켓(gas pocket)과 같은 버블(bubble)을 포함할 수 있다. 외부 바디는 또한, 버블이 부착된 입자일 수 있다. 심지어 매우 작은 외부 바디들이 상기 액침 리소그래피 공정을 방해할 수 있다. 따라서, 여기서 설명된 검출 장치는 약 50 nm 내지 약 수 미크론의 크기를 갖는 액침 매질의 외부 바디들을 검출하도록 구성될 수 있다.
도 1을 참조하면, 웨이퍼(12) 또는 그의 영역 상에 패턴을 이미징하도록 사용되는 액침 리소그래피 시스템(10)을 포함하는 예시적인 IC 프로세싱 구성의 개략적 블록도가 도시되어 있다. 시스템(10)은 예를 들어, 스텝-및-반복 노출 시스템 또는 스텝-및-주사 노출 시스템일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 시스템(10)은 마스크(18)(때때로 레티클이라 칭함)를 향해 광 에너지(16)를 유도하는 광원(14)을 포함할 수 있다. 상기 광 에너지(16)는 예를 들어, 딥 자외선(DUV) 파장(예를 들어, 약 248 nm 또는 약 193 nm) 또는 진공 자외선(VUV) 파장(예를 들어, 약 157 nm)을 가질 수 있다.
상기 마스크(18)에 의해 정의된 광 에너지 패턴(16')이 상기 웨이퍼(12)를 향해 전달되도록 상기 마스크(18)는 광 에너지(16)를 선택적으로 차단한다. 스테퍼 어셈블리(stepper assembly) 또는 스캐너 어셈블리(scanner assembly)와 같은 이미징 서브시스템(20)은 상기 마스크(18)에 의해 전송된 에너지 패턴(16')을 상기 웨이퍼(12) 상의 일련의 원하는 위치들에 순차적으로 유도한다. 상기 이미징 서브시스템(20)은 이미징(또는 노출) 광 에너지 패턴(22)의 형태로 상기 웨이퍼(12)를 향해 상기 에너지 패턴(16')을 스케일링하고 유도하도록 이용하기 위한 일련의 렌즈 들 및/또는 반사기들을 포함할 수 있다.
상기 이미징 패턴(22)(또는 노출 패턴)은 비교적 높은 굴절률(예를 들어, 1보다 큰 굴절률)을 갖는 액침 유체 또는 액침 매질(24)을 통해 이미징 서브시스템(20)에 의해 전송된다. 상기 액침 매질(24)은 액체일 수 있다. 일 예에서, 순수 탈이온수가 193 nm 광원(14)(예를 들어, 아르곤 불소(ArF) 레이저)과 관련하여 이용될 수 있다. 또 다른 예에서, 폴리플루오로에테르(polyfluoroether)가 157 nm 광원(14)과 관련하여 이용될 수 있다.
도 2를 더 참조하면, 예시적인 IC 프로세싱 구성(10)에서 이용하기 위한 액침 매질 모니터링 및 제어 어셈블리(26)의 개략 블록도가 도시된다. 당업자에 의해 이해되는 바와 같이, 상기 액침 매질(24)의 외부 바디(28)의 존재는 상기 이미징 서브시스템(20)에 의해 출력되고 상기 웨이퍼(12) 상에 입사하는 이미징 패턴(22) 상에 유해한 영향을 미칠 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 외부 바디들(28)의 존재는 상기 웨이퍼(12) 상에 제조되는 집적 회로에서 결함들을 유도할 수 있다.
이론에 의해 구속되지 않고서, 외부 바디들(28)의 존재 이유는 광범위하게 변동할 수 있다. 예를 들어, 액침 매질(24)에서의 난류 상태(turbulence)는 상기 액침 매질(24)에서 버블들이 형성되게 할 수 있으며 및/또는 물에 잠기게 할 수 있다. 일 난류원은 웨이퍼(12)가 탑재될 수 있고 상기 이미징 서브시스템(20)에 상대적으로 이동될 수 있는 스테이지(도시되지 않음)의 움직임일 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼(12)는 노출될 수 있고, 그 후에 약 30 mm 정도 새로운 위치로 이동하며 제 2 노출을 위해 중지될 수 있다. 웨이퍼 이동 속도는 약 250 mm/s 내지 약 500 mm/s 일 수 있다. 상기 움직임은 난류를 발생시키거나 외부 바디들의 존재를 발생시킬 수 있는 액침 매질(24)의 속성들에 대한 다른 변경들을 생성할 수 있다. 또한, 상기 액침 매질(24)은 일부러 움직임 상태에 있거나(예를 들어, 상기 웨이퍼(12) 위의 흐름 패턴) 또는 수압을 받을 수 있는 것으로 고려된다. 노출 동안, 상기 포토레지스트에서 가스들이 발생할 수 있다. 이들 가스들은 상기 액침 유체에서 용해될 수 있어, 결국 버블 형성을 야기한다. 또한, 외부 바디(28)가 상기 웨이퍼(12)로부터 제거되고 상기 액침 매질(24)에서 "부유"하기 시작하는 웨이퍼 상에 전달되어 상기 액침 매질(24)에 도달하게 될 수 있음을 고려한다.
따라서, 외부 바디들(28)의 존재에 대해 상기 액침 매질(24)을 모니터링하고 상기 외부 바디(28)가 검출되어야 하는지를 제어하는 것이 바람직하다. 따라서, 상기 어셈블리(26)는 상기 IC 프로세싱 구성(10)을 제어하도록 프로그램된 컴퓨터와 같은 제어기(30) 및 액침 매질 제어 서브시스템(32)을 포함할 수 있다. 상기 제어기(30)는 액침 매질 모니터링 서브시스템(34)으로부터 입력 신호 또는 신호들을 수신할 수 있다.
표시된 바와 같이, 상기 이미징 서브시스템(20)은 출력 렌즈(36) 또는 다른 최종 광학 구조를 포함할 수 있다. 렌즈(36)를 포함하는 상기 이미징 서브시스템(20)의 적어도 일부분은 상기 액침 매질(24) 및 웨이퍼(12)를 포함하는 챔버(38)에 들어갈 수 있다. 상기 렌즈(36)에 의해 출력되는 이미징 패턴(22)은 상기 액침 매질(24)를 통해 투사되고 상기 액침 매질(24)에 배치되거나 잠기게 되는 웨이퍼(12)의 적어도 일부분 상에 입사된다.
상기 이미징 패턴(22)의 노출 필드의 액침 매질(24)의 용적은(예를 들어, 상기 이미징 패턴(22)이 관통하는 상기 액침 매질(24)의 용적 또는 부분) 여기서 관통 용적(40)이라 칭해진다. 일 실시예에서, 상기 렌즈(36)는 상기 웨이퍼(12) 위에 약 1 mm로 배치될 수 있다. 그러나, 상기 렌즈(36)와 웨이퍼(12) 사이의 거리는 조명 파장, 액침 매질(24), 특정 프로세싱 구성(10), 상기 웨이퍼(12) 상에 제조되는 디바이스들, 사용되는 특정 포토레지스트 등에 따라 변동할 수 있다. 일부 구성들에서, 상기 관통 용적은 약 25 mm의 폭과 10 mm 길이일 수 있으나, 이들 파라미터들은 광범위하게 변동할 수 있다.
상기 모니터링 서브시스템(34)은 외부 바디(28)의 존재에 대해, 상기 액침 매질(24)의 관통 용적(40) 부분과 같이, 상기 액침 매질(24) 또는 그의 일부분을 모니터링하기 위한 디바이스들을 포함한다. 상기 모니터링 서브시스템(34)은 예를 들어, 레이저 빔 소스(42) 및 검출기 어셈블리(44)를 포함할 수 있다. 상기 검출기 어셈블리(44)는 예를 들어, 광전자 증배관(photomultiplier tube)으로 구현될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 레이저(42)에 의해 생성된 빔(46)은 수백 미크론의 직경을 갖는다. 따라서, 하나 이상의 레이저들(42)에 의해 생성되는 다중 빔(46)은 상기 관통 용적(40)의 전체 용적을 통해 상기 액침 매질(24)을 동시에 모니터링하도록 사용될 수 있다. 필요하다면, 추가적인 검출기 어셈블리들(44)이 추가될 수 있다. 간략화를 위해, 단지 하나의 빔(46)과 관련된 모니터링이 도시되고 설명된다. 그러나, 다중 빔 시스템의 구현은 당업자에게 명백해야 한다. 대안적인 실시예에서, 하나 이상의 빔들(46)은 상기 관통 용적(40)을 통해 상기 액침 매질(24)을 모니터링하도록 상기 관통 용적(40)을 통해 주사될 수 있다.
상기 레이저(42)는 상기 웨이퍼(12) 상에 배치된 포토레지스트의 활성화를 피하기 위해 출력 파장을 생성하도록 선택되어야 한다. 예를 들어, 상기 파장은 약 300 nm 이상이어야 하지만(예를 들어, 가시 스펙트럼에서), 상기 파라미터는 사용되는 포토레지스트의 속성들에 따라 변동할 수 있다. 일 실시예에서, 헬륨 네온(HeNe) 레이저가 사용될 수 있다.
상기 챔버(36)는 상기 레이저(42)에 의해 생성된 빔(46)이 상기 챔버(38)에 들어가는 입구 윈도우(48) 및 상기 빔이 상기 챔버(38)를 나가는 출구 윈도우(50)를 포함할 수 있다. 상기 윈도우들(48, 50)은 상기 레이저(40)에 의해 생성된 빔(46)의 파장을 전달할 수 있어야 하며, 빔(46) 전송을 촉진시키기 위한 반사 방지 코팅 또는 다른 메커니즘을 포함할 수 있다.
상기 빔(46)이 외부 바디(28)와 부딪히지 않으면, 상기 빔(46)은 실질적으로 상기 액침 매질(24)을 직접 통과한다. 결과적으로, 상기 빔(46)은 예측가능한 위치 및/또는 예측가능한 강도로 상기 검출기 어셈블리(44) 상에 입사한다. 상기 빔(46)의 위치 및/또는 강도를 나타내는 신호가 생성되어 상기 검출기 어셈블리(44)에 의해 출력될 수 있다. 상기 검출기 어셈블리(44)에 의해 출력된 신호는 상기 제어기(30)에 의해 수신될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제어기(30)는 상기 검출기 어셈블리(44)로부터 수신된 신호를 분석하도록 프로그램된다. 상기 제어기(30)는 상기 빔(46)이 외부 바디(28)와 부딪히지 않은 것으로 판단하면, 상기 웨이퍼(12)를 노출시키기 위한 유리한 조건들이 존재하는 것으로 판단할 수 있다. 따라서, 상기 제 어기(30)는 상기 웨이퍼(12)를 노출시키기 위해 상기 프로세싱 구성(10)에 제어 명령들을 전송하도록 프로그램될 수 있다.
상기 빔(46)이 외부 바디(28)와 부딪히는 상황에서, 상기 빔(46)의 대부분은 상기 액침 매질(24)을 직접 통과할 수 있으며 상기 검출기 어셈블리(44) 상에 입사된다. 그러나, 일부 경우들에서, 상기 검출기 어셈블리(44) 상에 입사하는 빔은 감소된 빔(46')(예를 들어, 예측된 것과 다른 위치 및/또는 예측된 것보다 작은 강도를 갖음)이다.
또한, 외부 바디(28)의 존재시에, 상기 빔(46)의 일부분은 산란되어 산란 광 세그먼트(52)를 형성할 수 있다. 상기 검출기 어셈블리(44)는 상기 산란 광 세그먼트(52) 및/또는 감소된 빔(46')을 검출하도록 구성될 수 있다. 상기 산란 광 세그먼트(52) 및/또는 감소된 빔(46')을 검출하면, 상기 검출기 어셈블리(44)는 외부 바디(28)가 상기 빔(46)을 붕괴시킨 것을 나타내는 정보를 포함하는 신호를 생성하도록 구성될 수 있다. 상기 정보는 상기 검출된 산란 광 세그먼트(50)의 위치 및 강도에 관한 데이터 및/또는 상기 감소된 빔(46')의 위치 및 강도에 관한 데이터를 포함할 수 있다.
상기 신호는 제어기(30)에 의해 수신된 후, 상기 신호를 프로세싱하도록 프로그램된다. 일 예에서, 상기 제어기(30)는 상기 산란 광 세그먼트(52)가 임계량보다 낮거나(예를 들어, 외부 바디(28)의 부존재를 나타냄) 또는 상기 임계량보다 높은(외부 바디(28)의 존재를 나타냄) 광량을 포함하는지 여부를 판단할 수 있다. 또 다른 예에서, 외부 바디(28)의 존재 또는 부존재는 상기 검출기 어셈블리(44) 상에 입사된 빔(46) 또는 감소된 빔(46')에 관한 정보(예를 들어, 위치 및/또는 강도 값들)와 예측 결과들을 대조함으로써 판단될 수 있다. 또 다른 예에서, 상기 산란 광 세그먼트(52) 및/또는 상기 빔(46)(또는 감소된 빔(46'))으로부터의 정보의 조합은 외부 바디(28)의 존재 또는 부존재에 대한 모니터링을 위해 이용될 수 있다.
상기 제어기(30)에 의한 프로세싱은 적어도 상기 관통 용적(40) 내의 외부 바디(28)의 확인과 일치해야 하며, 상기 액침 매질(24) 내의 조건들이 상기 웨이퍼(12)의 만족스런 노출을 달성하기에 부적절한 경향이 있기 때문에, 상기 제어기(30)는 상기 웨이퍼(12)의 노출을 지연시키도록 프로그램될 수 있다.
표시된 바와 같이, 상기 관통 용적(40)의 전부가 아니면, 상기 관통 용적(40)의 다중 위치들에서의 외부 바디(28)(또는 바디들)의 존재에 대해 모니터하도록 다중 빔들이 이용될 수 있다. 대안적으로, 상기 관통 용적(38)의 전부가 아니면, 상기 관통 용적(40)의 다중 위치들에서의 외부 바디(28)(또는 바디들)의 존재에 대한 모니터링을 위해 하나 이상의 빔들이 상기 관통 용적(40)에 걸쳐 주사될 수 있다. 이들 실시예들에서, 상기 검출기 어셈블리(44)(또는 어셈블리들)는 합성 신호 또는 다중 신호들을 상기 제어기(30)에 생성하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 검출기 어셈블리에 의한 광의 측정치(들), 또는 외부 바디(28) 검출이 확인될 수 있는 모니터링 서브시스템(34)으로부터의 원본 데이터는 상기 검출기 어셈블리(44)로부터 상기 제어기(30)로 입력 신호 또는 신호들의 형태로 전송될 수 있다. 상기 제어기(30)는 외부 바디(28)가 상기 관통 용적(40)의 임의의 위치에 존재하는지 여부를 판단하도록 상기 입력 신호(들)를 프로세싱할 수 있다.
외부 바디(28)가 검출되지 않으면, 상기 제어기(30)는 시스템(10)에 명령들을 발행하여 상기 웨이퍼(12)를 노출시킬 수 있다. 그러나, 외부 바디(28)가 검출되면, 상기 웨이퍼(12)를 노출하기에 조건들이 적절하지 않은 것으로 판단될 수 있으며, 상기 제어기(30)는 상기 웨이퍼의 노출을 지연시키도록 프로그램될 수 있다. 후자의 경우에(예를 들어, 외부 바디(28)가 검출될 때), 제어기(30)는 하나 이상의 특정 동작들을 실행하도록 프로그램될 수 있다. 예를 들어, 상기 제어기(30)는 상기 외부 바디(28)가 상기 관통 용적(40) 바깥으로 이동할 것으로 예측되는 동안의 소정의 시간 주기 동안 단순히 대기하도록 프로그램될 수 있다. 상기 소정의 주기 후에, 상기 액침 매질 모니터링 서브시스템(34)은 외부 바디(28)의 존재에 대해 재시험하도록 제어될 수 있다. 또 다른 예에서, 상기 제어기(30)는 정정 동작을 취하도록 프로그램될 수 있다. 예시적인 정정 동작들은 액침 매질(24) 유속을 감소시키거나 증가시키고, 상기 액침 매질(24)의 압력을 증가시키는 명령들 등과 같은 명령들을 상기 액침 매질 제어 서브시스템(32)에 전송하는 동작을 포함할 수 있다(예를 들어, 상기 외부 바디(28)를 내보내거나 분해하려는 시도). 또 다른 예에서, 상기 제어기(30)는 상기 웨이퍼(12)를 이미징하기에 부적절한 환경에 대해 운영자에게 경보를 발하도록 프로그램될 수 있다. 운영자에 대한 경보는 상기 액침 매질(24)의 반복 측정들이 외부 바디(28)의 존재를 나타낸 경우들에 대해 예약될 수 있다. 또 다른 예에서, 상기 제어기(30)는 소정의 시간 주기 동안 대기하여 정정 동작을 취하는 것과 같은 전술한 기능들 중 하나 이상을 수행하도록 프로그램될 수 있다.
본 발명의 특정 실시예들이 상세히 설명되었지만, 이해되는 바와 같이 본 발명은 이에 제한되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위의 정신 및 용어들 내에 있는 모든 변경들, 변형들 및 등가물들을 포함한다.

Claims (10)

  1. 액침 리소그래피 시스템(10)을 모니터링하는 방법에 있어서,
    노출될 웨이퍼(12)를 액침 매질(24)에 담그는 단계와;
    노출 패턴(22)이 관통하도록 된 상기 액침 매질의 용적을 통해 레이저 빔(46)을 유도하는 단계와; 그리고
    소정의 임계값 외에 있는 상기 레이저 빔의 일부분이 산란되는지를 판단-이에 의해 외부 바디가 상기 관통 용적에 존재하며 상기 액침 매질은 상기 웨이퍼를 상기 노출 패턴으로 노출시키기에 허용될 수 없는 상태에 있음을 나타낸다-하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액침 리소그래피 시스템(10)을 모니터링하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 판단 단계는 상기 레이저 빔의 산란 부분이 상기 소정 임계값보다 작은 것으로 나타내는 경우 상기 노출 패턴으로 상기 웨이퍼를 노출시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액침 리소그래피 시스템(10)을 모니터링하는 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 판단 단계는 상기 산란 광의 강도, 상기 산란 광의 위치 및 그의 조합들으로부터 선택된 정보를 분석함으로써 실행되는 것을 특징으로 하는 액침 리소그 래피 시스템(10)을 모니터링하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 판단 단계는 검출 어셈블리 상에 입사하는 레이저 빔의 강도, 검출 어셈블리 상에 입사하는 레이저 빔의 위치 및 그의 조합들로부터 선택된 정보를 분석함으로써 실행되는 것을 특징으로 하는 액침 리소그래피 시스템(10)을 모니터링하는 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 외부 바디의 존재에 관하여 상기 전체 관통 용적을 모니터링하는 것을 특징으로 하는 액침 리소그래피 시스템(10)을 모니터링하는 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 외부 바디의 존재에 관하여 모니터링하는데 다중 레이저 빔들이 이용되는 것을 특징으로 하는 액침 리소그래피 시스템(10)을 모니터링하는 방법.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 외부 바디의 존재에 관하여 모니터링하기 위해 상기 관통 용적을 통해 적어도 하나의 레이저 빔이 주사되는 것을 특징으로 하는 액침 리소그래피 시스템(10)을 모니터링하는 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액침 매질이 상기 노출 패턴으로 상기 웨이퍼를 노출시키기에 허용될 수 없는 상태에 있으면 상기 웨이퍼의 노출을 지연하도록 상기 액침 리소그래피 시스템을 제어하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액침 리소그래피 시스템(10)을 모니터링하는 방법.
  9. 노출될 웨이퍼(12)를 수신하고 액침 매질(24)에 상기 웨이퍼를 담그기 위한 챔버(38)와, 상기 웨이퍼를 향해 그리고 상기 액침 매질을 통해 노출 패턴(22)을 유도하기 위한 이미징 서브시스템(20)을 포함하는 액침 리소그래피 시스템(10)에 대한 모니터링 및 제어 시스템에 있어서,
    상기 노출 패턴이 관통하도록 된 액침 매질의 용적을 통해 레이저 빔(46)을 유도하기 위한 레이저(42)와, 그리고 상기 레이저 빔이 상기 관통 용적을 나온 후에 상기 레이저 빔을 수신하고 상기 액침 매질에서의 외부 바디의 존재 또는 비존재를 나타내는 정보를 포함하는 신호를 출력하기 위한 검출기 어셈블리(44)를 포함하는 액침 매질 모니터링 서브시스템(34)과; 그리고
    상기 액침 매질이 상기 웨이퍼를 상기 노출 패턴으로 노출시키기에 허용될 수 있는 상태에 있는지 여부를 판단하기 위해 상기 신호를 수신 및 분석하는 제어기(30)를 포함하는 것을 특징으로 하는 액침 리소그래피 시스템(10)에 대한 모니터링 및 제어 시스템.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 판단에 의해 상기 레이저 빔의 산란 부분이 상기 소정의 임계값보다 작은 것으로 나타난 경우에 상기 웨이퍼를 상기 노출 패턴으로 노출시키도록 상기 액침 리소그래피 시스템을 제어하는 것을 특징으로 하는 액침 리소그래피 시스템(10)에 대한 모니터링 및 제어 시스템.
KR1020067002882A 2003-08-11 2004-07-23 액침 리소그래피 시스템에서의 이미징을 모니터링하고제어하기 위한 방법 및 장치 KR101152366B1 (ko)

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Families Citing this family (129)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI232357B (en) 2002-11-12 2005-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100588124B1 (ko) 2002-11-12 2006-06-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7372541B2 (en) * 2002-11-12 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
AU2003289199A1 (en) * 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
US7242455B2 (en) * 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
JP4352874B2 (ja) * 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
CN100446179C (zh) * 2002-12-10 2008-12-24 株式会社尼康 曝光设备和器件制造法
AU2003289236A1 (en) * 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
US7948604B2 (en) * 2002-12-10 2011-05-24 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
KR101101737B1 (ko) * 2002-12-10 2012-01-05 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
AU2003295177A1 (en) 2002-12-19 2004-07-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
KR101643112B1 (ko) * 2003-02-26 2016-07-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
KR20050110033A (ko) * 2003-03-25 2005-11-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101176817B1 (ko) 2003-04-07 2012-08-24 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
KR20110104084A (ko) * 2003-04-09 2011-09-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
JP4488005B2 (ja) 2003-04-10 2010-06-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用の液体を捕集するための流出通路
KR101178754B1 (ko) * 2003-04-10 2012-09-07 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템
JP4656057B2 (ja) * 2003-04-10 2011-03-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子
KR20170064003A (ko) * 2003-04-10 2017-06-08 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
KR101178756B1 (ko) 2003-04-11 2012-08-31 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침액체를 유지하는 장치 및 방법
WO2004092830A2 (en) 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
CN106444292A (zh) 2003-04-11 2017-02-22 株式会社尼康 沉浸式光刻装置、清洗方法、器件制造方法及液体沉浸式光刻装置
JP2006523958A (ja) 2003-04-17 2006-10-19 株式会社ニコン 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造
JP4025683B2 (ja) * 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
TWI295414B (en) * 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100437358C (zh) * 2003-05-15 2008-11-26 株式会社尼康 曝光装置及器件制造方法
TW201806001A (zh) 2003-05-23 2018-02-16 尼康股份有限公司 曝光裝置及元件製造方法
TWI421906B (zh) 2003-05-23 2014-01-01 尼康股份有限公司 An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method
KR101728664B1 (ko) * 2003-05-28 2017-05-02 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
TWI347741B (en) * 2003-05-30 2011-08-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317504B2 (en) * 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684008B2 (en) * 2003-06-11 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101528089B1 (ko) 2003-06-13 2015-06-11 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
TWI433212B (zh) 2003-06-19 2014-04-01 尼康股份有限公司 An exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method
DE60308161T2 (de) 2003-06-27 2007-08-09 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
US6809794B1 (en) * 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
KR20060027832A (ko) * 2003-07-01 2006-03-28 가부시키가이샤 니콘 광학 엘리먼트로서 동위원소적으로 특정된 유체를 사용하는방법
EP2843472B1 (en) * 2003-07-08 2016-12-07 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
WO2005006415A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
WO2005006418A1 (ja) * 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP1643543B1 (en) * 2003-07-09 2010-11-24 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
EP1650787A4 (en) * 2003-07-25 2007-09-19 Nikon Corp INVESTIGATION METHOD AND INVESTIGATION DEVICE FOR AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM
CN102323724B (zh) 2003-07-28 2014-08-13 株式会社尼康 液浸曝光装置及其制造方法、曝光装置、器件制造方法
US7175968B2 (en) * 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7579135B2 (en) * 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7700267B2 (en) * 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
TWI263859B (en) * 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261740B1 (en) * 2003-08-29 2014-07-09 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus
KR101380989B1 (ko) * 2003-08-29 2014-04-04 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7014966B2 (en) * 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
KR101590686B1 (ko) 2003-09-03 2016-02-01 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
WO2005029559A1 (ja) * 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR101498437B1 (ko) * 2003-09-29 2015-03-03 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
JP4335213B2 (ja) 2003-10-08 2009-09-30 株式会社蔵王ニコン 基板搬送装置、露光装置、デバイス製造方法
JP2005136364A (ja) * 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
KR101203028B1 (ko) 2003-10-08 2012-11-21 가부시키가이샤 자오 니콘 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법
TWI553701B (zh) 2003-10-09 2016-10-11 尼康股份有限公司 Exposure apparatus and exposure method, component manufacturing method
US7352433B2 (en) 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411653B2 (en) * 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
EP1531362A3 (en) * 2003-11-13 2007-07-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method
JP4295712B2 (ja) * 2003-11-14 2009-07-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及び装置製造方法
SG2014014955A (en) 2003-12-03 2014-07-30 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, method for producing device, and optical part
US20070081133A1 (en) * 2004-12-14 2007-04-12 Niikon Corporation Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method
WO2005057635A1 (ja) * 2003-12-15 2005-06-23 Nikon Corporation 投影露光装置及びステージ装置、並びに露光方法
ATE491221T1 (de) 2003-12-15 2010-12-15 Nikon Corp Bühnensystem, belichtungsvorrichtung und belichtungsverfahren
US7394521B2 (en) * 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7324274B2 (en) * 2003-12-24 2008-01-29 Nikon Corporation Microscope and immersion objective lens
JP4843503B2 (ja) * 2004-01-20 2011-12-21 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置
US7026259B2 (en) * 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101276392B1 (ko) 2004-02-03 2013-06-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7050146B2 (en) * 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1727188A4 (en) * 2004-02-20 2008-11-26 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, FEEDING METHOD AND RECOVERY METHOD, EXPOSURE METHOD AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
US8488102B2 (en) * 2004-03-18 2013-07-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
KR101707294B1 (ko) * 2004-03-25 2017-02-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1747499A2 (en) 2004-05-04 2007-01-31 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7616383B2 (en) * 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7796274B2 (en) 2004-06-04 2010-09-14 Carl Zeiss Smt Ag System for measuring the image quality of an optical imaging system
KR101440746B1 (ko) * 2004-06-09 2014-09-17 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP2005353762A (ja) * 2004-06-09 2005-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置及びパターン形成方法
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101202230B1 (ko) 2004-07-12 2012-11-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
EP1791164B2 (en) * 2004-08-03 2014-08-20 Nikon Corporation Exposure equipment, exposure method and device manufacturing method
KR20070048164A (ko) * 2004-08-18 2007-05-08 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060044533A1 (en) * 2004-08-27 2006-03-02 Asmlholding N.V. System and method for reducing disturbances caused by movement in an immersion lithography system
DE102004047677B4 (de) * 2004-09-30 2007-06-21 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren und System für die Kontaminationserkennung und Überwachung in einer Lithographiebelichtungsanlage und Verfahren zum Betreiben der gleichen unter gesteuerten atomsphärischen Bedingungen
JP2006120674A (ja) * 2004-10-19 2006-05-11 Canon Inc 露光装置及び方法、デバイス製造方法
US7397533B2 (en) 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) * 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE602006012746D1 (de) * 2005-01-14 2010-04-22 Asml Netherlands Bv Lithografische Vorrichtung und Herstellungsverfahren
SG124351A1 (en) * 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8692973B2 (en) * 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
EP3079164A1 (en) 2005-01-31 2016-10-12 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US7282701B2 (en) 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
JP4605219B2 (ja) * 2005-03-30 2011-01-05 株式会社ニコン 露光条件の決定方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060232753A1 (en) * 2005-04-19 2006-10-19 Asml Holding N.V. Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow
US20070004182A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and system for inhibiting immersion lithography defect formation
US7357768B2 (en) * 2005-09-22 2008-04-15 William Marshall Recliner exerciser
US7773195B2 (en) * 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
US8125610B2 (en) * 2005-12-02 2012-02-28 ASML Metherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
US20070124987A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-07 Brown Jeffrey K Electronic pest control apparatus
KR100768849B1 (ko) * 2005-12-06 2007-10-22 엘지전자 주식회사 계통 연계형 연료전지 시스템의 전원공급장치 및 방법
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102006021797A1 (de) * 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
US20070296937A1 (en) * 2006-06-26 2007-12-27 International Business Machines Corporation Illumination light in immersion lithography stepper for particle or bubble detection
US8654305B2 (en) * 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US8817226B2 (en) 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US20080198347A1 (en) * 2007-02-16 2008-08-21 Canon Kabushiki Kaisha Immersion exposure apparatus and method of manufacturing device
US8237911B2 (en) * 2007-03-15 2012-08-07 Nikon Corporation Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
TWI389551B (zh) * 2007-08-09 2013-03-11 Mstar Semiconductor Inc 迦瑪校正裝置
NL1036009A1 (nl) * 2007-10-05 2009-04-07 Asml Netherlands Bv An Immersion Lithography Apparatus.
KR101448152B1 (ko) * 2008-03-26 2014-10-07 삼성전자주식회사 수직 포토게이트를 구비한 거리측정 센서 및 그를 구비한입체 컬러 이미지 센서
US9176393B2 (en) 2008-05-28 2015-11-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus
MX2012007581A (es) * 2009-12-28 2012-07-30 Pioneer Hi Bred Int Genotipos restauradores de la fertilidad de sorgo y metodos de seleccion asistida por marcadores.
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
JP5457384B2 (ja) * 2010-05-21 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP5797582B2 (ja) * 2012-02-24 2015-10-21 株式会社アドテックエンジニアリング 露光描画装置、プログラム及び露光描画方法
CN103885301B (zh) * 2014-03-21 2015-09-16 浙江大学 浸没式光刻机中浸液传送系统的控制时序的模型匹配方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57153433A (en) * 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
IL66127A (en) 1982-06-24 1987-11-30 Israel State Method and apparatus for measuring the index of refraction of fluids
US4670637A (en) 1985-02-11 1987-06-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method and apparatus for transmitting a laser signal through fog
JPS62266447A (ja) * 1986-05-14 1987-11-19 Eisai Co Ltd 容器内の液体中の異物検出方法および装置
US5151752A (en) 1988-06-16 1992-09-29 Asahi Kogaku Kogyo K.K. Method of measuring refractive indices of lens and sample liquid
JP2899360B2 (ja) * 1990-05-21 1999-06-02 興和株式会社 流体中の粒子計測方法及びその装置
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
US5422714A (en) 1993-06-07 1995-06-06 Corning Incorporated Device for comparing the refractive indices of an optical immersion liquid and a reference glass
GB9324926D0 (en) 1993-12-04 1994-01-26 Renishaw Plc Combined interferometer and refractometer
KR100542414B1 (ko) * 1996-03-27 2006-05-10 가부시키가이샤 니콘 노광장치및공조장치
JP2982720B2 (ja) * 1996-04-26 1999-11-29 日本電気株式会社 パーティクルモニター装置およびこれを具備した無塵化プロセス装置
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
US6133995A (en) * 1997-05-09 2000-10-17 Sysmex Corporation Particle measuring apparatus
US5900354A (en) 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
US6241827B1 (en) * 1998-02-17 2001-06-05 Tokyo Electron Limited Method for cleaning a workpiece
JP3833810B2 (ja) * 1998-03-04 2006-10-18 株式会社日立製作所 半導体の製造方法並びにプラズマ処理方法およびその装置
DE10025789A1 (de) 2000-05-19 2001-11-22 Schmidt & Haensch Gmbh & Co Op Refraktometer
US20020163629A1 (en) 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
JP4352874B2 (ja) * 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005277363A (ja) * 2003-05-23 2005-10-06 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
EP1489461A1 (en) 2003-06-11 2004-12-22 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684008B2 (en) * 2003-06-11 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20060027832A (ko) 2003-07-01 2006-03-28 가부시키가이샤 니콘 광학 엘리먼트로서 동위원소적으로 특정된 유체를 사용하는방법
US7006209B2 (en) * 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems

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