TWI402630B - 用於決定抑制系統之抑制因子的方法及系統及微影裝置 - Google Patents

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Description

用於決定抑制系統之抑制因子的方法及系統及微影裝置
本發明係關於一種用於決定抑制系統之抑制因子的方法、一種用於執行該方法之系統，及一種包括該系統之微影裝置。本發明進一步係關於一種電腦程式及一種包括該電腦程式之資料載體。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向("掃描"方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
在當前可用微影器件中，所使用輻射通常為紫外線(UV)光，其可得自(例如)準分子雷射器或汞燈；許多該等器件使用具有為365nm或248nm之波長之UV光。然而，快速發展之電子工業持續地需要可達成不斷更高解析度之微影器件，且此正促使工業轉向甚至更短波長之輻射，特別為具有為193nm或157nm之波長之UV光。除了此點以外，存在若干可能情境，包括遠UV光(EUV：波長為50nm及更少，例如，在13nm與14nm或11nm之間)、X射線、離子束或電子束之使用。所有此等所謂的下一代輻射均經歷空氣吸收，使得變得需要至少部分地抽空其被使用之環境。此可為困難的。
可(例如)在J. B. Murphy等人於Applied Optics 32(24)(第6920-6929頁(1993))中之文章中找到EUV在微影投影裝置中之使用的一般論述。可在美國專利第5,079,112號及美國專利第5,260,151號中以及在EP-A 98201997.8中找到關於電子束微影術之類似論述。
EUV微影裝置通常係由許多子系統形成，諸如：
-源子系統，例如，包括EUV源；
-照明子系統，例如，包括照明器；
-支撐結構子系統，例如，包括光罩台；
-投影子系統，例如，包括折射投影系統；及
-基板台子系統，例如，包括基板台或晶圓台。
為了改良微影裝置之品質，需要仔細地管理污染物。為了防止污染物經由微影裝置而遷移，可使用氣鎖(gas lock)。氣鎖可藉由提供氣體逆向流動而抑制污染物遷移。
可使用氣鎖以抑制污染物自一子系統遷移至另一子系統。又，可使用氣鎖以抑制污染物在子系統內自一位置(第一小型環境)遷移至另一位置(第二小型環境)。
根據一實例，基板台子系統藉由氣鎖而與投影子系統分離。該氣鎖經設計以抑制不需要的氣體物質自基板台子系統遷移至投影子系統。氣鎖經配置以藉由某抑制因子來抑制此遷移。根據此實例，氣鎖可經配置以藉由使用氫逆向流動來抑制來自基板W之烴。
此外，可使用氣鎖以將源子系統(其可含有作為污染物之用以清潔源鏡面之侵蝕性化學品(aggressive chemical))與照明子系統分離。
因此，提供氣鎖以抑制污染物遷移出子系統，亦即，在系統內自一部分移動至另一部分。應理解，亦可使用其他抑制系統，且氣鎖僅為可能抑制系統之實例。用以抑制污染物之其他機構包括交叉流動(亦即，垂直於污染物之移動方向而引導氣體流動的氣鎖)、使用電場、磁場、重力場或其他力場或使用溫度梯度、壓力梯度及/或力梯度(例如，在離心機中)之抑制系統。事實上，可認為傳統鎖(由兩個後續門形成)為抑制系統，因為鎖亦經提供以防止污染物遷移。
對於存在於源子系統中之某些污染物氣體(例如，用以清潔源鏡面之侵蝕性化學品或如重烴之污染化學品)，照明子系統及投影子系統中之最大可允許濃度相對較低。污染物之指定最大分壓通常顯著地低於可行偵測限度。
此可在經由抑制系統而洩漏之污染物之最大可允許量低於使用可用偵測系統而可偵測之量時導致問題。如以下段落中所解釋，此可導致抑制系統之有問題限定及/或抑制系統之監控。
此可在需要限定抑制系統之設計及效能時有問題。因為可能不偵測經由抑制器而可能洩漏之污染物之量，所以可能不限定抑制系統之效能。舉例而言，當將氣鎖用作抑制系統時，可能不在氣鎖之'上游'偵測可允許污染物之量。
此外，可能不在操作期間檢查抑制系統之效能。因為可能不以足夠精確度來量測規格，所以可能不偵測抑制系統中之可能缺陷。舉例而言，當將氣鎖用作抑制系統，且作為誤差，逆向流動僅為所要逆向流動之一半時，此可能不在逆向流動之'上游'被偵測，因為所洩漏之污染物之量不高得足以被偵測，但高得足以損壞系統。又，在敞開侵蝕性化學品之供應源之前，需要確保抑制系統正適當地工作。
根據本發明之一態樣，提供一種用於決定抑制系統之抑制因子的方法，其中抑制系統經配置以抑制污染物氣體遷移出第一系統(例如，系統之子系統)，抑制因子為抑制系統之效能之指示，方法包括將示蹤氣體引入第一系統(例如，子系統)中、提供經組態以偵測已遷移出第一系統(例如，子系統)之示蹤氣體之量的偵測系統、決定用於示蹤氣體之抑制系統之第一抑制因子，及基於第一抑制因子來決定用於污染物氣體之抑制系統之第二抑制因子。
根據本發明之另一態樣，提供一種系統，其包括第一系統(例如，子系統)及抑制系統，抑制系統經配置以抑制污染物氣體遷移出第一系統(例如，子系統)，抑制系統具有為抑制系統之效能之指示的抑制因子，系統進一步包括：示蹤氣體供應源，示蹤氣體供應源經組態以將示蹤氣體引入第一系統(例如，子系統)中；偵測系統，偵測系統經組態以偵測已遷移出第一系統(例如，子系統)之示蹤氣體之量；及控制單元，控制單元經組態以決定用於示蹤氣體之抑制系統之第一抑制因子且基於第一抑制因子來決定用於污染物氣體之抑制系統之第二抑制因子。
根據本發明之另一態樣，提供一種微影裝置，其包括第一系統(例如，子系統)及抑制系統，抑制系統經配置以抑制污染物氣體遷移出第一系統(例如，子系統)，抑制系統具有為抑制系統之效能之指示的抑制因子，裝置進一步包括：示蹤氣體供應源，示蹤氣體供應源經組態以將示蹤氣體引入第一系統中；偵測系統，偵測系統經組態以偵測已遷移出第一系統之示蹤氣體之量；及控制單元，控制單元經組態以決定用於示蹤氣體之抑制系統之第一抑制因子且基於第一抑制因子來決定用於污染物氣體之抑制系統之第二抑制因子，其中提供抑制系統以防止污染物氣體遷移至微影裝置之第二系統。
根據本發明之另一態樣，提供一種具有機器可執行指令之電腦產品，指令可由機器執行以執行用於決定抑制系統之抑制因子的方法，抑制系統經配置以抑制污染物氣體遷移出第一系統，抑制因子為抑制系統之效能之指示，方法包括將示蹤氣體引入第一系統中、使用偵測系統來偵測已遷移出第一系統之示蹤氣體之量、決定用於示蹤氣體之抑制系統之第一抑制因子，及基於第一抑制因子來決定用於污染物氣體之抑制系統之第二抑制因子。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或EUV輻射)；支撐結構或圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構以視圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否固持於真空環境中)而定的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統而處於所要位置。可認為本文對術語"主光罩"或"光罩"之任何使用均與更通用之術語"圖案化器件"同義。
本文所使用之術語"圖案化器件"應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影術中為熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。
本文所使用之術語"投影系統"應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語"投影透鏡"之任何使用均與更通用之術語"投影系統"同義。
如此處所描繪，裝置為反射類型(例如，使用反射光罩)。或者，裝置可為透射類型(例如，使用透射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在該等"多平台"機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文所使用之術語"浸沒"不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射器時，輻射源與微影裝置可為單獨實體。在該等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之一部分，且輻射光束借助於包括(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器之光束傳送系統而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分布的調整器。通常，可調整照明器之瞳孔平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作外部及內部)。此外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如，積光器及聚光器。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
輻射光束B入射於固持於支撐結構或圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且由圖案化器件圖案化。在由圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。借助於第二定位器PW及位置感測器IF2(例如，干涉量測器件、線性編碼器，或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來精確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。一般而言，可借助於形成第一定位器PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現圖案化器件支撐件或支撐結構(例如，光罩台)MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(與掃描器相對)之情況下，圖案化器件支撐件或支撐結構(例如，光罩台)MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件(例如，光罩)MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐件或支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描圖案化器件支撐件或支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來決定基板台WT相對於圖案化器件支撐件或支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度決定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐件或支撐結構(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。
亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
圖2展示根據本發明之一實施例的圖1之裝置的示意性型式。圖2展示微影裝置，微影裝置包括：源子系統11，例如，包括EUV源(未圖示)；照明子系統12，例如，包括照明器IL(未圖示)；支撐結構子系統13，例如，包括具有圖案化器件(例如，光罩)MA之支撐結構或圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT；投影子系統14，例如，包括折射投影透鏡系統PS(未圖示)；及基板台子系統15，例如，包括具有基板或晶圓W之基板台或晶圓台WT。
在使用EUV輻射之微影裝置中，可提供用以抑制污染物經由微影裝置而遷移之抑制系統，例如，自第一系統(例如，一子系統)至第二系統(例如，另一子系統)。該抑制系統之實例為氣鎖，其參看圖3而得以更詳細地描述。
圖3示意性地描繪根據一實施例之投影子系統14。投影子系統14經配置以自支撐圖案化器件(例如，光罩)MA之支撐結構子系統13接收經圖案化輻射光束B，且將輻射光束投影至包括於基板台子系統15中之基板W。為了適當地投影輻射光束B，投影子系統14包括投影系統PS，投影系統PS包括複數個鏡面M1、M2、M3、M4。應瞭解，如此處所示之投影系統PS僅為可能投影系統之實例。
如圖3所示，進一步提供用以抑制污染物自基板台子系統15遷移至投影子系統14之抑制系統20。抑制系統20在此處經提供作為氣鎖。
藉由提供定位於由投影子系統14中之"最終"鏡面M4及基板台子系統15中之基板W所定界之介入空間中的中空管道T來提供氣鎖。管道T在其自最終鏡面M4至基板W或基板台WT(倘若不存在基板)之路途中圍繞輻射光束B之路徑而定位。此管道T以其壁不截取輻射光束B之方式而形成、定尺寸及定位。在此特定實施例中，管道T體現為封閉投影子系統14之封閉件EN之延伸部分，且管道T自封閉件EN向外突出。
根據此實例，管道T含有大體上不吸收EUV之氣體，例如，Ar或Kr。可在基板W之方向上經由管道T而沖洗此氣體。此可(例如)藉由使用沖洗單元FU以在管道T之頂部輪緣(E1)附近或在管道T之頂部輪緣與底部輪緣之間的某一點(E2)處將氣體G之向下流動引入管道T中而達成；舉例而言，在該後者中間點(E2)處引入的情況下，流動之一部分可向下且一部分可向上。
圖4示意性地描繪以氣鎖之形式的抑制系統，其可用以抑制污染物自源子系統11(例如，包括EUV源)行進至相鄰子系統(諸如，照明子系統12)。
圖4展示源子系統11，源子系統11包括具有產生有輻射光束B之第一焦點FP之EUV源。輻射B藉由彎曲形狀鏡面MI而聚焦於中間焦點IFP中。輻射光束B自源子系統11行進至照明子系統12中。
如圖4所示，在源子系統11之出口附近，源子系統11包括大體上遵循輻射光束B之輪廓的圓錐形形狀結構。圓錐形形狀結構具有長度L，且在源子系統11之出口之位置處具有第一直徑D1且在圓錐形形狀結構之面向第一焦點FP之側處具有第二直徑D2。
再次，提供抑制系統20以抑制污染物自源子系統11遷移至照明子系統12。抑制系統20在此處經提供作為氣鎖。可存在於源子系統中之污染物的實例為可在使用Sn之EUV源中用作工作氣體的HI、SnH4 、SnBr4 、SnBr2 。
藉由提供中空管道T來提供氣鎖。管道經定位成使得其接近於輻射光束B退出源子系統11且進入照明子系統12之位置而結束。管道T使得其不截取輻射光束B。根據此實例，管道T含有大體上不吸收EUV之氣體，例如，Ar、Kr、He或H2 。可在源子系統11之方向上經由管道T而沖洗此氣體。此可(例如)藉由使用沖洗單元FU以將氣體G之流動引入管道T中且藉此產生至源子系統11(及照明子系統12)中之逆向流動(如藉由雙箭頭所指示)而達成。
氣鎖經設計以產生抵消污染物遷移之無害氣體(例如，不干涉輻射光束B)的流動。污染物遷移通常係由濃度梯度驅動且被描述為擴散過程。因此，一般而言，氣鎖氣體之對流需要等於或大於污染物之擴散。使用無因次貝克勒(Pclet)數來表達對流與擴散之比率，其針對質量擴散而經界定為：
其中：
P ：貝克勒數；
v ：氣鎖氣體之特性速度；
L ：特性長度；且
D ：在氣鎖氣體之壓力下氣鎖氣體中之污染物的擴散係數。
對於以上參看圖4所描述之圓錐形形狀結構，貝克勒數讀為：
其中：
P ：貝克勒數；
Q ：氣鎖氣體經由單元中之圓錐體的流動[Pam3 /s]；
p ：圓錐體中之壓力(無需加以指定，因為壓力p 與擴散係數D 之乘積在極優良近似中為恆定的)；
D1 ：圓錐形形狀結構之第一直徑D1 ；
D2 ：圓錐形形狀結構之第二直徑D2 ；
L ：圓錐形形狀結構之特性長度；且
D ：在壓力p 下氣鎖氣體中之污染物的擴散係數。
抑制系統之效率被表達為抑制因子S。倘若抑制系統為特性為貝克勒數之氣鎖(其至少為一維流動之情況)，則將抑制因子S界定為：。
可以類似方式來描述替代抑制方法。一般而言，替代抑制系統係基於作用於污染物粒子之驅動力。此驅動力可接著(例如)藉由將污染物粒子保持於受污染區域中且因此遠離於需要經保護免於污染物之區域來抵消污染物之擴散。又，可施加驅動力，使得其不平行於自清潔區域至受污染區域之方向。在後者情況下，可將污染物粒子促使至如下區域：其中污染物粒子可經提取、吸收或以另一方式取走或轉換成非污染粒子。
在此等替代情況下，抑制效應歸因於粒子之擴散與作用於粒子之驅動力之間的平衡而出現。
如以上所描述，同樣可使用其他抑制系統，例如，包括交叉流動(亦即，垂直於污染物之移動方向而引導氣體流動的氣鎖)之抑制系統、使用電場、磁場、重力場或其他力場或使用溫度梯度、壓力梯度及/或力梯度(例如，在離心機中)之抑制系統。事實上，亦可認為(負載)鎖為抑制系統，因為鎖亦經提供以防止污染物遷移。
偵測系統為熟習此項技術者所知且可用以偵測污染物是否自第一子系統遷移，且若如此，則用以量測多少污染物自第一子系統遷移。
偵測系統可包括分壓分析器(殘餘氣體分析器)、化學探針中之至少一者，或可包括以下技術中之一者：由同位素所產生之輻射、吸收光譜(無線電波、IR、可見光、UV、DUV、EUV、X射線)、核磁共振。然而，亦可使用其他適當偵測系統。
然而，如以上所敍述，對於某些污染物(例如，用以清潔源鏡面之侵蝕性化學品或如重烴之污染化學品)，照明器子系統12中之最大可允許濃度相對極低，亦即，不可由可用偵測系統偵測。此可導致抑制系統之有問題限定及/或抑制系統之監控。
在此處所提供之實施例中，提供抑制系統以抑制污染物自第一系統(例如，子系統)遷移至第二系統(例如，另一子系統)，且提議將示蹤氣體引入第一系統中。示蹤氣體可用以限定及/或檢查抑制系統之效能。相對於示蹤氣體所獲得之結果可用以決定用於污染物之抑制系統之效能。
示蹤氣體可為具有比污染物高之擴散係數的氣體：D tracer >D cont ，因此P tracer <P cont ，且因此S trace <S cont 。因此，倘若抑制系統針對示蹤氣體而良好地工作，則可確保其亦針對污染物而良好地工作。
示蹤氣體與污染物相比可由偵測系統更好地偵測。某些氣體與其他氣體相比可由偵測系統更好地偵測。氣體之可偵測性可由Se給出且可經界定為可偵測之最小分壓。最小分壓可隨著總壓而變化。
藉由使用可比污染物更好地被偵測之示蹤氣體，可基於示蹤氣體來限定及/或監控抑制系統。
示蹤氣體可(例如)被更好地偵測，因為更好偵測系統可用於該類型之氣體。因此，確保示蹤分壓之偵測範圍大於污染物之偵測範圍。
偵測範圍之上限可藉由設計而存在(亦即，具有已知抽汲容量之腔室中的已知流動導致儘管不可量測但可自設計參數以高精確度進行計算之分壓)。
根據一實施例，可基於以上所提及之兩個性質之組合來選擇示蹤氣體：擴散係數(與污染物之擴散係數相比)及可偵測性(與污染物之可偵測性相比)。舉例而言，對於質譜儀，可將物質i之可偵測性Sei 界定為：
其中I i,background 為所關注質量之背景電流，I i 為因為i氣體之分壓增加P i 而呈現之電流。存在可由分析器所偵測之電流的某最小值，其導致不同氣體之分壓的最小可偵測值。
可偵測性之另一可能界定為：
其使用與以上之符號相同的符號。後者界定強調信號雜訊比(或信號背景比)。可偵測性之其他界定可為可適用的，此視(例如)氣體之類型、感測器之工作原理及感測器之實際組態而定。哪一界定應用於可偵測性係自熟習此項技術者之分析得出，此將諸如以上所給出之因子的因子考慮在內。
一般而言，在選擇可偵測性之界定之後，可基於以下不等式來選擇適當示蹤氣體：
D tracer ‧Se tracer >D cont ‧Se cont
因此，具有與污染物大體上相同之擴散係數(且因此具有大體上相同之抑制比)但在極低位準下為可偵測之示蹤氣體與具有相對較低抑制比及相對優良偵測範圍之示蹤氣體一樣優良。一般而言，示蹤氣體之選擇可基於示蹤氣體相對於污染物之抑制因子的差且基於示蹤氣體與污染物之間的所選擇量測裝置之可偵測性的差。另外，應瞭解，決定用於示蹤氣體及污染物之抑制因子與用於示蹤氣體及污染物之可偵測性之性質之間的該平衡決定針對使用除了逆向流動以外之其他機構來抑制遷移之遷移障壁而選擇示蹤氣體。
藉由氣鎖或其他抑制系統而對示蹤氣體之抑制可具有最小值。舉例而言，比如，藉由1010 之因子來抑制某一污染物。已發現，示蹤氣體具有極高擴散係數及極優良可偵測性。僅藉由1.01之因子來抑制示蹤氣體。在此實例中，可能缺少量測裝置區別在完全無抑制發生時示蹤氣體之值與抑制為足夠優良之情形的精確度，因為此等兩個情形僅給出感測器之讀數之1%的差(歸因於示蹤氣體之極低抑制)。因此，可能為：示蹤氣體之選擇藉由示蹤氣體之最小抑制而限制，以便達成合理精確度。在一典型實例中，可考慮示蹤氣體之為100之因子的最小抑制。此更大因子(與先前情形中之1.01相比)可給出對抑制機構是否適當地起作用之問題的更精確應答。
示蹤氣體可為不干涉其餘第一及/或第二子系統及/或總系統之氣體。氣體可(例如)為已經如此存在於第一子系統、第二子系統及/或總系統中之氣體。因此，倘若子系統為源子系統11，則氣體可為如氦或氖之惰性氣體(noble gas)。
亦可使用已經用於第一系統、第二系統及/或總系統中之氣體的同位素。倘若第一子系統為源子系統，則示蹤氣體可為富集有氘或氚之氫。
現有氣鎖中之抑制可高於氣鎖經設計用於之化學品之抑制。此轉譯成示蹤氣體比污染物氣體更高之擴散係數。
圖5展示一實施例，其展示包括污染物氣體C之子系統。在圖5中可見，子系統包括開口OP，污染物氣體可經由開口OP而退出。為了防止此情形，提供抑制系統SS以抑制污染物氣體遷移出子系統。抑制系統SS可為將氣體逆向流動提供至抑制系統中之氣鎖。抑制系統具有為抑制系統之效能之指示的抑制因子。進一步提供經組態以將示蹤氣體TR引入子系統中之示蹤氣體供應源TS。
圖5進一步展示經組態以偵測遷移出子系統之示蹤氣體的偵測系統DS。基於經偵測示蹤氣體TR之量，可決定用於示蹤氣體之抑制系統之第一抑制因子。此第一抑制因子可用以基於第一抑制因子來決定用於污染物氣體之抑制系統之第二抑制因子。可提供控制單元(圖5中未展示)以決定第一及/或第二抑制因子。
因此，提供一種系統，其包括至少一子系統及抑制系統，抑制系統經配置以抑制污染物氣體遷移出子系統，抑制系統具有為抑制系統之效能之指示的抑制因子，系統進一步包括：示蹤氣體供應源，示蹤氣體供應源經組態以將示蹤氣體引入子系統中；偵測系統，偵測系統經組態以偵測已遷移出子系統之示蹤氣體之量；及控制單元，控制單元經組態以決定用於示蹤氣體之抑制系統之第一抑制因子且基於第一抑制因子來決定用於污染物氣體之抑制系統之第二抑制因子。
示蹤氣體TR可具有大於污染物氣體之擴散係數的擴散係數：D trace >D coni 。示蹤氣體TR與污染物氣體相比亦可由偵測系統更好地偵測：Se tracer >Se cont 。在組合中，以下關係可為有效的：
D trocer ‧Se tracer >D cont ‧Se cont
示蹤氣體TR可為惰性氣體。示蹤氣體可由已經存在於子系統中之氣體的同位素形成，且可為包括富集有氘或氚之氫之群中的一者。該等示蹤氣體TR具有與子系統之極小干涉(特別係當子系統為包括EUV源之源子系統11時)。
系統可極好地用於微影裝置中。因此，提供一種包括系統之微影裝置，其中系統包括至少一子系統及抑制系統，抑制系統經配置以抑制污染物氣體遷移出子系統，抑制系統具有為抑制系統之效能之指示的抑制因子，系統進一步包括：示蹤氣體供應源，示蹤氣體供應源經組態以將示蹤氣體引入子系統中；偵測系統，偵測系統經組態以偵測已遷移出子系統之示蹤氣體之量；及控制單元，控制單元經組態以決定用於示蹤氣體之抑制系統之第一抑制因子且基於第一抑制因子來決定用於污染物氣體之抑制系統之第二抑制因子，其中提供抑制系統以防止污染物氣體遷移至微影裝置之另一子系統。
根據一實施例，子系統為源子系統11，且另一子系統為照明子系統12。根據另一實施例，子系統為投影子系統14，且第二子系統為基板台子系統15。
以下參看圖6及圖7來進一步解釋此之實例。
圖6示意性地描繪投影子系統14及基板台子系統15(類似於圖3)，其中對應參考符號指示對應部分。
圖6進一步包括經組態以將示蹤氣體TR引入基板台子系統15中之示蹤氣體供應源TS。圖6進一步展示偵測系統DS，偵測系統DS經組態以偵測已遷移出基板台子系統15而進入投影子系統14中之示蹤氣體之量。此外，提供控制單元CU，控制單元CU經組態以決定用於示蹤氣體之抑制系統20之第一抑制因子且基於第一抑制因子來決定用於污染物氣體之抑制系統20之第二抑制因子。控制單元CU經配置以自偵測系統DS接收關於在投影子系統14中所偵測之示蹤氣體TR之量的資訊。在一實施例中，控制單元CU可經配置以自抑制系統20及示蹤氣體供應源TS接收資訊及/或控制抑制系統20及示蹤氣體供應源TS。
因此，提供一種如以上之微影裝置，其中子系統為投影子系統，且第二子系統為基板台子系統。
圖7示意性地描繪源子系統11及照明台子系統12(類似於圖4)，其中對應參考符號指示對應部分。
圖7進一步包括經組態以將示蹤氣體TR引入源子系統11中之示蹤氣體供應源TS。圖6進一步展示偵測系統DS，偵測系統DS經組態以偵測已遷移出源子系統11而進入照明子系統12中之示蹤氣體之量。此外，提供控制單元CU，控制單元CU經組態以決定用於示蹤氣體之抑制系統20之第一抑制因子且基於第一抑制因子來決定用於污染物氣體之抑制系統20之第二抑制因子。控制單元CU經配置以自偵測系統DS接收關於在投影子系統14中所偵測之示蹤氣體TR之量的資訊。作為一選項，控制單元CU可經配置以自抑制系統20及示蹤氣體供應源TS接收資訊及/或控制抑制系統20及示蹤氣體供應源TS。
因此，提供一種如以上之微影裝置，其中子系統為源子系統，且另一子系統為照明子系統。
一般而言，提供一種如以上所描述之微影裝置，其中如以上所描述之子系統及另一子系統係來自包括以下各項之群：源子系統，源子系統經組態以產生輻射光束；照明子系統，照明子系統經組態以調節輻射光束；支撐結構子系統，支撐結構子系統經建構以支撐圖案化器件，圖案化器件能夠在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以形成經圖案化輻射光束；投影子系統，投影子系統經組態以將經圖案化輻射光束投影至基板之目標部分上；及基板台子系統，基板台子系統經建構以固持基板。
圖8示意性地描繪根據本發明之一實施例的可由如以上所描述之系統所執行的流程圖。可藉由如以上所描述之控制單元CU來執行流程圖。作為第一動作101，方法可包括將示蹤氣體TR引入第一子系統中。作為第二動作102，方法可包括決定用於示蹤氣體之抑制系統之第一抑制因子。此外，方法可包括另一動作103，其中基於第一抑制因子來決定用於污染物氣體之抑制系統之第二抑制因子。
在一實施例中，提供一種用於決定抑制系統之抑制因子的方法，其中抑制系統經配置以抑制污染物氣體遷移出子系統，抑制因子為抑制系統之效能之指示，方法包括將示蹤氣體引入子系統中(101)、提供經組態以偵測已遷移出子系統之示蹤氣體之量的偵測系統、決定用於示蹤氣體之抑制系統之第一抑制因子(102)，及基於第一抑制因子來決定用於污染物氣體之抑制系統之第二抑制因子(103)。
系統可極好地用於微影裝置中。根據一實施例，提供一種方法，其中在微影裝置中提供抑制系統，且提供抑制系統以防止污染物氣體遷移至微影裝置之另一子系統。根據另一實施例，子系統可為源子系統11，且另一子系統可為照明子系統12。根據另一實施例，子系統可為投影子系統14，且第二子系統可為基板台子系統15。
可藉由控制單元CU來執行方法。控制單元CU可為電腦器件，其包括能夠存取記憶體之處理器，其中記憶體包括電腦程式，電腦程式可由處理器讀取及執行以使處理器執行此處所描述之實施例。根據一實施例，提供一種電腦程式，其在載入於電腦配置上時經配置以執行以上所描述之方法中的任一者。根據另一實施例，提供一種包括該電腦程式之資料載體。
在一實例中，提供一種示蹤氣體，其用以限定抑制系統之效能且在操作期間監控抑制系統之效能。
根據此實例，如圖4及圖6所示而提供源子系統11及照明子系統12。在源子系統11中，存在侵蝕性化學品。
因為此化學品具有相對侵蝕性，所以在照明器子系統12中允許其極低位準且可能需要1010 之抑制因子。
首先，提供抑制系統，抑制系統提供(或將提供)1010 或更多之抑制因子。然而，因為經由抑制系統而遷移之量太低而不能被偵測，所以不允許可用偵測系統檢查此抑制因子。因此，將示蹤氣體引入源子系統11中。示蹤氣體經選擇以滿足：
D tracer ‧Se tracer >D cont ‧Se cont
且在源子系統11中提供示蹤氣體之量而使得藉由指定抑制因子，示蹤氣體之量應可由偵測系統偵測。示蹤氣體之量可經選擇，使得其高於已經存在之示蹤氣體的背景位準且使得其可由偵測系統偵測。藉由使用示蹤物及污染物之已知擴散係數，可決定用於污染物之抑制系統之抑制因子。
可藉由測試具有相對較低抑制因子而使得可針對污染物被量測之抑制系統之一小部分來驗證污染物之擴散係數。抑制因子可與抑制系統之特性長度成比例。因此，對於短抑制系統，或換言之，對於抑制系統之一小部分，抑制因子可足夠低以具有可偵測量之污染物。另外，可藉由使用比標稱小之流動來驗證擴散常數。
一旦限定抑制系統，便已知最小示蹤氣體抑制因子，其需要存在，以便確保污染物之抑制。
在將污染物引入源子系統11中之前，示蹤氣體位準可引入源子系統11中且藉由量測照明器子系統12中之示蹤氣體之位準來量測抑制系統之抑制因子。僅當偵測到示蹤物之抑制因子高於在限定期間所發現之位準時，才允許污染物流動。
緊接著，在操作源子系統11期間，可連續地或在預定時間瞬時將示蹤氣體之量引入源子系統11中，以藉由量測存在於照明器子系統12中之示蹤氣體之量來檢查抑制系統之效能。
將藉由計算實例來進一步解釋上文。
在具有起始直徑D1 及結束直徑D2 之圓錐體中，在壓力p下具有流動Q 且具有長度L 的情況下，具有擴散常數D 之污染物之抑制的貝克勒數為：
如以上已經描述。抑制因子係由給出。
可發現，在特定背景氣體中特定污染物之擴散常數在1Pa之壓力及300K之溫度下等於6.99m2 /s，且在背景氣體中示蹤氣體之擴散常數在1Pa之壓力及300K之溫度下等於18.3m2 /s。
當Q =0.38Pam3 /s、D1 =0.006m、D2 =0.044m、L=0.116m(p為任意的)時，由此可見：
根據上文，由此可見：至少藉由大約1.1．105 之因子來維持示蹤氣體之抑制的抑制系統保證用於污染物之為大約1.6．1013 之抑制因子。
根據一實施例，可使用第一示蹤氣體來限定抑制系統之效能，且可使用第二示蹤氣體以在操作期間監控抑制系統之效能。相對於(例如)示蹤氣體對第二示蹤氣體之子系統之部分之影響的規格可能不同於第一示蹤氣體之規格，且可能(例如)更嚴格，因為可藉由經接通之源來進行監控且可藉由經切斷之源或在無源之系統中進行限定。
根據一實施例，藉由下式而自第一抑制因子S tracer 計算第二抑制因子S cont ：
已關於微影裝置且特別關於為源子系統11之第一子系統及為照明子系統12之第二子系統而給出以上所描述之實施例。然而，應瞭解，實施例亦可用於微影裝置內之兩個其他子系統之間。事實上，實施例亦可用於任何其他種類之系統中。事實上，為具有與環境或第二系統或子系統之開放連接之任何種類的系統或子系統，包括抑制系統，抑制系統用以防止氣體自系統或子系統遷移至包括需要限制污染物之子系統之第二系統的環境。
實施例允許諸如氣鎖之抑制系統的更好限定。藉由使用示蹤氣體，可限定抑制系統，且可將針對示蹤氣體之限定轉譯成用於待抑制之污染物之抑制系統之效能的相對精確限定。
又，實施例允許在操作期間或在接通污染物源之前監控抑制系統之效能。
圖9揭示真空系統101，真空系統101包含清潔子系統114及兩個另外子系統113、115。在真空系統101之此實施例中，清潔子系統114可具備氣體入口121。真空系統亦在另一子系統113與另一子系統115之間包含流體連接件122。如圖9所示，另一流體連接件122繞過清潔子系統115。較佳地，另一流體連接件具有高於至清潔子系統之氣體流動之傳導率的至氣體流動之傳導率。圖9之真空系統可(例如)實施於圖2之微影裝置中。另一子系統113可為支撐結構子系統13，且另一子系統115可為基板台子系統15。清潔子系統114可為投影子系統14。
返回至圖9，另一流體連接件122可包含經配置以敞開及閉合另一流體連接件122之閥門124。或者或另外，真空系統可包含兩個泵126，每一者經配置以藉由沿著大體上遠離於清潔子系統114之流動路徑抽汲存在於另一子系統中之氣體來抽空另外子系統113、115中之一者。可提供經組態以控制泵中之一或多者(在此實施例中，為泵126中之一者或兩者)之另一控制單元。另一控制單元亦可經組態以控制閥門124以敞開及/或閉合。
在正常操作中，可經由氣體入口121而提供非污染氣體。清潔子系統114中之壓力可高於子系統113、115中之壓力。
在抽空另外子系統113、115中之一或多者期間，可藉由沿著大體上遠離於清潔子系統114之流動路徑抽汲氣體來抽空另外子系統113、115中之一或多者。藉由敞開閥門124，在另一子系統113與另一子系統115之間提供另一流動。將藉由經由清潔子系統114及/或另一流體連接件122之流動而補償藉由泵來抽空另外子系統113、115中之一者而形成之任何壓差。可藉由使經由另一流體連接件122之流動轉向來避免清潔子系統114之污染物。流體連接件122相對於清潔子系統114之流動傳導率的流動傳導率愈高，則藉由流體連接件122而轉向之流動愈多。
圖10描繪真空系統101之另一實施例。在此實施例中，僅提供一泵126。然而，藉由選擇性地敞開額外閥門128，有可能調整真空系統，使得抽空預定另外子系統113、115。控制單元經組態以敞開及閉合閥門128。
圖11描繪真空系統101之又一實施例。在圖11之實施例中，另一流體連接件122自身亦與泵126進行流體連接。藉由敞開兩個閥門128，敞開流體連接件122，藉此繞過清潔子系統114。
儘管在此本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語"晶圓"或"晶粒"之任何使用分別與更通用之術語"基板"或"目標部分"同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管以上可特定地參考在光學微影術之情境中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影術)中，且在情境允許時不限於光學微影術。在壓印微影術中，圖案化器件中之構形界定形成於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文所使用之術語"輻射"及"光束"涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365nm、355nm、248nm、193nm、157nm或126nm之波長)及遠紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5nm至20nm之範圍內的波長)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
術語"透鏡"在情境允許時可指代各種類型之光學組件之任一者或組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體或電腦可讀媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之該電腦程式。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，熟習此項技術者應瞭解，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
11．．．源子系統
12．．．照明台子系統
13．．．支撐結構子系統
14．．．基板台子系統
15．．．投影子系統
20．．．抑制系統
101．．．真空系統
113．．．子系統
114．．．清潔子系統
115．．．子系統
121．．．氣體入口
122．．．流體連接件
124．．．閥門
126．．．泵
B．．．輻射光束
C．．．目標部分/污染物氣體
CU．．．控制單元
D1．．．起始直徑
D2．．．結束直徑
DS．．．偵測系統
E1．．．頂部輪緣
E2．．．中間點
EN．．．封閉件
FP．．．第一焦點
FU．．．沖洗單元
G．．．氣體
IF1．．．位置感測器
IF2．．．位置感測器
IFP．．．中間焦點
IL．．．照明器
L．．．長度
M1．．．光罩對準標記/鏡面
M2．．．光罩對準標記/鏡面
M3．．．鏡面
M4．．．鏡面
MA．．．圖案化器件
MI．．．彎曲形狀鏡面
MT．．．圖案化器件支撐件
OP．．．開口
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
．．．控制單元
SO．．．輻射源
SS．．．抑制系統
T．．．中空管道
TR．．．示蹤氣體
TS．．．示蹤氣體供應源
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1及圖2示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖3示意性地描繪根據本發明之一實施例的具有抑制系統之投影子系統；
圖4示意性地描繪根據本發明之一實施例的具有抑制系統之源子系統；
圖5示意性地描繪根據本發明之一實施例的子系統；
圖6示意性地描繪根據本發明之一實施例的具有抑制系統之投影子系統；
圖7示意性地描繪根據本發明之一實施例的具有抑制系統之源子系統；
圖8示意性地描繪根據本發明之一實施例的流程圖；
圖9示意性地描繪根據本發明之一實施例的真空系統；
圖10示意性地描繪根據本發明之一實施例的另一真空系統；
圖11示意性地描繪根據本發明之一實施例的又一真空系統。
13．．．支撐結構子系統
14．．．基板台子系統
15．．．投影子系統
20．．．抑制系統
B．．．輻射光束
E1．．．頂部輪緣
E2．．．中間點
EN．．．封閉件
FU．．．沖洗單元
G．．．氣體
M1．．．光罩對準標記/鏡面
M2．．．光罩對準標記/鏡面
M3．．．鏡面
M4．．．鏡面
MA．．．圖案化器件
MT．．．圖案化器件支撐件
PS．．．投影系統
T．．．中空管道
W．．．基板
WT．．．基板台

Claims (34)

  1. 一種用於決定一抑制系統之一抑制因子的方法，該抑制系統經配置以抑制一污染物氣體遷移出一第一系統，該抑制因子為該抑制系統之效能之一指示，該方法包含：將一示蹤氣體(tracer gas)引入該第一系統中；偵測已遷移出該第一系統之示蹤氣體之量；決定用於該示蹤氣體之該抑制系統之一第一抑制因子；及基於該第一抑制因子來決定用於該污染物氣體之該抑制系統之一第二抑制因子。
  2. 如請求項1之方法，其中該抑制系統為一氣鎖。
  3. 如請求項1之方法，其中在一微影裝置中提供該抑制系統，且提供該抑制系統以防止該污染物氣體遷移至該微影裝置之一第二系統。
  4. 如請求項3之方法，其中該第一系統為一源子系統，且該第二系統為一照明子系統。
  5. 如請求項3之方法，其中該第一系統為一投影子系統，且該第二系統為一基板台子系統。
  6. 如請求項1之方法，其中該示蹤氣體具有一大於該污染物氣體之一擴散係數的擴散係數：D tracer >D cont 。
  7. 如請求項1之方法，其中該示蹤氣體與該污染物氣體相比可由該偵測系統更好地偵測：Se tracer >Se cont 。
  8. 如請求項1之方法，其中該示蹤氣體具有一擴散係數D tracer ，該污染物氣體具有一擴散係數D cont ，該抑制系 統具有用於該示蹤氣體之一可偵測性Se tracer ，且該抑制系統具有用於該污染物氣體之一可偵測性Se cont ，且D tracer ．Se tracer >D cont ．Se cont 。
  9. 如請求項1之方法，其中該示蹤氣體為一惰性氣體。
  10. 如請求項1之方法，其中該示蹤氣體係由已經存在於該第一系統中之氣體的同位素形成且包括富集有氘或氚之氫。
  11. 如請求項1之方法，其中藉由下式而自該第一抑制因子S tracer 計算該第二抑制因子S cont ： 其中D tracer 為該示蹤氣體之該擴散係數，且D cont 為該污染物氣體之該擴散係數。
  12. 一種微影系統，其包含一第一系統及一抑制系統，該抑制系統經配置以抑制一污染物氣體遷移出該第一系統，該抑制系統具有一為該抑制系統之效能之一指示的抑制因子，該系統進一步包含：一示蹤氣體供應源，該示蹤氣體供應源經組態以將一示蹤氣體引入該第一系統中；一偵測器系統，該偵測器系統經組態以偵測已遷移出該第一系統之示蹤氣體之量；及一控制單元，該控制單元經組態以決定用於該示蹤氣體之該抑制系統之一第一抑制因子且基於該第一抑制因子來決定用於該污染物氣體之該抑制系統之一第二抑制 因子。
  13. 如請求項12之系統，其中該抑制系統為一氣鎖。
  14. 如請求項12之系統，其中該示蹤氣體具有一大於該污染物氣體之擴散系統的擴散係數：D tracer >D cont 。
  15. 如請求項12之系統，其中該示蹤氣體與該污染物氣體相比具有一更高可偵測性：Se tracer >Se cont 。
  16. 如請求項12之系統，其中該示蹤氣體具有一擴散係數D tracer ，該污染物氣體具有一擴散係數D cont ，該抑制系統具有用於該示蹤氣體之一可偵測性Se tracer ，且該抑制系統具有用於該污染物氣體之一可偵測性Se cont ，且D tracer ．Se tracer >D cont ．Se cont 。
  17. 如請求項12之系統，其中該示蹤氣體為一惰性氣體。
  18. 如請求項12之系統，其中該示蹤氣體係由已經存在於子系統中之氣體的同位素形成且包括富集有氘或氚之氫。
  19. 如請求項12之系統，其中藉由下式而自該第一抑制因子S tracer 計算該第二抑制因子S cont ： 其中D tracer 為該示蹤氣體之該擴散係數，且D cont 為該污染物氣體之該擴散係數。
  20. 一種微影裝置，其包含：一第一系統及一抑制系統，該抑制系統經配置以抑制一污染物氣體遷移出該第一系統，該抑制系統具有一為該抑制系統之效能之一指示的抑制因子； 一示蹤氣體供應源，該示蹤氣體供應源經組態以將一示蹤氣體引入該第一系統中；一偵測器系統，該偵測器系統經組態以偵測已遷移出該第一系統之示蹤氣體之量；及一控制單元，該控制單元經組態以決定用於該示蹤氣體之該抑制系統之一第一抑制因子，且基於該第一抑制因子來決定用於該污染物氣體之該抑制系統之一第二抑制因子；其中提供該抑制系統以防止該污染物氣體遷移至該微影裝置之一第二系統。
  21. 如請求項20之微影裝置，其中該第一系統為一源子系統，且另一子系統為一照明子系統。
  22. 如請求項20之微影裝置，其中該第一系統為一投影子系統，且第二子系統為一基板台子系統。
  23. 如請求項20之微影裝置，其中該第一系統及該第二系統係來自一包含以下各項之群：一源子系統，該源子系統經組態以產生一輻射光束；一照明子系統，該照明子系統經組態以調節一輻射光束；一支撐結構子系統，該支撐結構子系統經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一投影子系統，該投影子系統經組態以將該經圖案化 輻射光束投影至該基板之一目標部分上；及一基板台子系統，該基板台子系統經建構以固持一基板。
  24. 一種具有機器可執行指令之電腦程式產品，該等指令可由一機器執行以執行一用於決定一抑制系統之一抑制因子的方法，該抑制系統經配置以抑制一污染物氣體遷移出一第一系統，該抑制因子為該抑制系統之效能之一指示，該方法包含：將一示蹤氣體引入該第一系統中；偵測已遷移出該第一系統之示蹤氣體之量；決定用於該示蹤氣體之該抑制系統之一第一抑制因子；及基於該第一抑制因子來決定用於該污染物氣體之該抑制系統之一第二抑制因子。
  25. 一種真空系統，其包含一清潔子系統，該清潔子系統具有至少兩個另外子系統，其中一流體連接件(fluid connection)提供於該等另外子系統中之每一者與該清潔子系統之間，且其中一另一流體連接件提供於該等另外子系統之間，該另一流體連接件繞過(by-pass)該清潔子系統。
  26. 如請求項25之真空系統，其中該另一流體連接件包含至少一閥門，該至少一閥門經配置以敞開及閉合該另一流體連接件。
  27. 如請求項25或26之真空系統，其中該真空系統包含一或 多個泵，該等泵中之每一者經配置以藉由沿著一大體上遠離於該清潔子系統之流動路徑抽汲存在於該另一子系統中之氣體來抽空該等另外子系統中之一或多者。
  28. 如請求項25或26之真空系統，其中該另一流體連接件具有高於至該清潔子系統之氣體流動之傳導率的至氣體流動之一傳導率。
  29. 如請求項25或26之真空系統，其中該等另外子系統中之一者為一經建構以固持一基板之基板台子系統。
  30. 如請求項25或26之真空系統，其中該等另外子系統中之一者為一經建構以固持一圖案化器件之支撐結構子系統，該圖案化器件能夠在輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束。
  31. 如請求項25或26之真空系統，其中該清潔子系統為一經組態以將一經圖案化輻射光束投影至一基板之一目標部分上的投影子系統。
  32. 如請求項25或26之真空系統，該真空系統包含一如請求項12至19中任一項之系統。
  33. 一種微影裝置，其包含一如請求項25或26之系統。
  34. 一種用於抽空一如請求項25或26之真空系統的方法，其中：‧藉由沿著一大體上遠離於清潔子系統之流動路徑抽汲氣體來抽空另外子系統中之一或多者；且其中：‧在該等另外子系統之間提供一另一流動，該另一流動流過另一流體連接件。
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