KR20060033777A - 기판 스테이지용 정전 척 및 그에 이용하는 전극 및 그들을구비한 처리 시스템 - Google Patents

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Abstract

막대 형상의 기재의 표면에 고순도 세라믹스를 용사하여 단층의 용사막을 형성하여 전극을 구성하고, 복수의 상기 전극을 간극을 유지하여 배치한 기판 스테이지용 정전 척으로 한다.
기판, 정전 척, 기판 스테이지, 냉각 유닛, 전극

Description

기판 스테이지용 정전 척 및 그에 이용하는 전극 및 그들을 구비한 처리 시스템 {ELECTROSTATIC CHUCK FOR SUBSTRATE STAGE, ELECTRODE USED FOR THE CHUCK, AND TREATING SYSTEM HAVING THE CHUCK AND THE ELECTRODE}
본 발명은, 플랫 패널 디스플레이(FPD)용 대형 유리 기판, 반도체 웨이퍼 등의 각종 기판의 플라즈마 처리에 이용하는 기판 스테이지용 정전 척 및 그에 이용하는 전극 및 그들을 구비한 처리 시스템에 관한 것이다.
종래, FPD용 유리 기판, 반도체 웨이퍼 등의 각종 기판(이하, 총칭하는 경우에는, 단순히 기판이라고도 함)의 플라즈마 처리 장치에 이용되는 기판 스테이지로서는, 예를 들어 웨이퍼에 대해서는 전기적인 쿨롱력을 이용하여 흡착하는 정전 척이 이용되고 있다. 또한, 정전 척 구조로서는, 내부의 전극과 기판 사이에 전위차를 부여하여 상기 기판을 흡착하는 단극형과, 정전 척의 내부에 전극을 2개 이상으로 분할하고, 각각 플러스 또는 마이너스 전압을 인가하여 기판을 흡착하는 쌍극형이 이용되고 있다.
특히, 유리 기판의 정전 척에는, 반원 형상, 링 형상 혹은 동심원 형상의 한 쌍의 평면 전극을 이용하여 평면 전극 사이에 전압을 인가하여 기판을 정전 흡착하는 것이 있다. 이 정전 척은, 내측의 전극, 그 외측의 절연막 및 링 형상의 외측 의 전극, 또한 정전 흡착용 절연막(유전체막)으로 구성된다.
그리고, 내측의 전극은, 내부에 냉매 유로가 형성되는 동시에, 상면에 외측의 전극을 형성하기 위해, 예를 들어 링 형상의 오목부가 형성되어 있다.
또한, 내측의 전극은 알루미늄 합금 등의 도전 재료와, 이 도전 재료를 피복하는 절연 재료 및 링 전극으로 제작된다. 즉, 내측의 전극 상면의 오목부"에는 다층의 용사막(이 경우, 알루미나)에 의해 형성한 절연막을 거쳐서 텅스텐 등의 도전 재료로 형성된 외측의 전극이 링 형상으로 설치되어 있다. 이 절연막은 내측의 전극과 링 형상의 외측의 전극의 사이에 존재하여, 양 전극을 직류적으로 절연한다. 또한, 내측의 전극과 링 형상의 외측의 전극의 표면에는, 용사막(이 경우, 알루미나)으로 이루어지는 절연막이 형성되어 있는 것(예를 들어, 일본 특허 공개 평10-150100호 공보의 제5 내지 제6 페이지, 단락 [0021], 도1 및 도2 참조), 혹은 전극 형상으로 이른바 빗살형 전극을 이용한 것도 있다[예를 들어, 일본 특허 공개 평11-354504호 공보(제9 내지 제10 페이지, 단락 [0049], 및 도1의 (c) 참조)].
그러나, 이러한 종래의 플라즈마 처리 장치에 이용되는 기판 스테이지용 정전 척 및 그 전극에서는, 링 형상, 반원 형상 혹은 동심원 형상의 다층 용사막을 실시한 일체의 평면 전극이 이용되고 있었으므로, 전극의 일부가 파손된 경우에는, 그 전극 전부를 교환하여 수리하는 것이 필요하다. 또한, 전극에 실시한 용사막이 다층이므로 피처리체인 기판이 대형화하여 고온 조건하에서 사용하는 경우, 신뢰성이 매우 낮다. 또한, 전극이 일체 구조(단전극) 혹은 2 내지 3 분할되어 있을 뿐이므로, 생산 설비가 대형화하기 때문에 전용 설비가 필요해져 전극의 제조 원가가 고가가 되는 동시에, 그 제품의 납기가 장기화하는 경향이 있었다.
그래서, 본 발명은, 전술한 바와 같은 종래의 플라즈마 처리 장치에 이용하는 기판 스테이지용 정전 척이 갖고 있는 문제점을 해소하여, 고신뢰성으로 제작이 용이한 기판용 정전 척 및 전극 및 그들을 구비한 처리 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 정전 척에 이용하는 전극을 복수로 분할하여 대략 막대 형상으로 형성하는 동시에, 분할한 각각의 막대 형상의 전극을, 내측의 전극과 이 내측의 전극의 표면을 둘러싸 단층의 용사막으로 구성하고, 이를 병렬로 배치하여 평면 형상의 전극으로 한 것을 특징으로 한다.
도1은 본 발명의 기판 스테이지용 정전 척이 사용되는 플라즈마 처리 장치의 각 처리 위치에서의 기능을 도시한 개념 구성도이다.
도2는 본 발명의 기판 스테이지용 정전 척 주요부 구조와 기판 이탈 동작의 설명도로, 도2의 (a)는 기판 스테이지용 정전 척에 기판을 적재한 상태의 종단면도, 도2의 (b)는 기판 스테이지용 정전 척 상에 적재한 기판을 이탈(릴리스)하기 위해 리프트 핀을 상승시켜 정전 척의 흡착면으로부터 이탈시키고, 또한, 이동 탑재 포크 상에 적재한 상태를 도시한 종단면도이다.
도3은 본 발명의 기판 스테이지용 정전 척에 이용하는 전극의 단면도이며, 도3의 (a)는 사각형의 전극을, 도3의 (b)는 직사각형의 전극을, 도3의 (c)는 단차 형상으로 한 전극, 도3의 (d)는 지붕 기와 형상의 전극을, 도3의 (e)는 폭이 다른 전극을 도시한 도면이다.
도4는 도2에 도시한 본 발명의 기판 스테이지용 정전 척의 일실시 형태를 도시한 것이며, 정전 척에 이용하는 전극을 단책 형상으로 프레임 상에 병렬로 나열한 상태를 도시한 평면도이다.
도5는 본 발명의 기판 스테이지용 정전 척에 의한 기판의 흡착 상태를 도시한 개념도이다.
도6은 본 발명의 기판 스테이지용 정전 척의 전극으로의 배선 방법을 도시한 개념도이며, 도6의 (a)는 A 및 B가 다른 극성을 갖는 것, 도6의 (b)는 + 혹은 -극으로 절환하는 것을 도시한 도면이다.
도7은 기판 스테이지용 정전 척에 의한 기판의 흡착 원리를 도시한 모식도이며, 도7의 (a)는, 종래의 수법에 의해 보통의 단극을 이용하여 플라즈마의 존재하에서, 쿨롱력에 의해 기판을 전극면에 흡착한 상태를, 또한 도7의 (b)는 본 발명의 기판 스테이지용 정전 척에 의한 것이며, 쌍극 전극을 이용하여 플라즈마의 불존재하에서 기판을 전극면에 흡착한 상태를, 또한 도7의 (c)는 본 발명의 기판 스테이지를 단극을 이용하여 플라즈마의 존재하에서 흡착한 상태를 도시한 도면이다.
도8은 기판 스테이지용 정전 척의 전극의 잔류 흡착력의 시간 변화를 나타낸 그래프이며, 도8의 (a)는 전극으로 전압 인가 후, 전원을 오프(OFF)로 하여 급전 핀을 떨어뜨린 경우, 도8의 (b)는 전압 인가 후 전원을 온(ON)으로 한 상태에서 급전 핀을 떨어뜨린 경우를 나타낸 그래프이다.
이하, 첨부 도면을 기초로 하여 본 발명의 기판 스테이지용 정전 척 및 그에 이용하는 전극 및 그들을 구비한 처리 시스템의 실시 형태를 상세하게 설명한다.
플라즈마 처리 장치
본 발명의 기판 스테이지용 정전 척이 사용되는 플라즈마 처리 장치(1)는, 기판(G)(예를 들어 유리 기판)의 연속 반송 처리, 즉 인라인 처리하도록 구성되고, 기판(G)을 적재한 기판 스테이지(9)는, 이송 방향(→표)을 향해 가온 유닛(20)을 갖는 기판의 이동 탑재·예비 가열·흡착 존(A), 가열 존(B), 플라즈마 유닛(7)을 갖는 성막 혹은 에칭 존(C), 냉각 유닛(31)을 갖는 냉각·릴리스 이동 탑재 존(D)에 9b → 9c → 9d → 9e → 9f의 위치에 차례로 리턴 루프를 갖는 무단식 기판 반송 기구(8)에 의해 이송되면서, 각종 인라인 처리가 이루어진다.
리턴 패스에 있어서, 기판 스테이지(9)는, 플라즈마 처리 장치(1)의 바닥부에 배치한 다른 냉각 유닛(32) 또는 가열 유닛에 의해 냉각되거나 또는 가열되면서 원래의 이동 탑재 존(A)으로 복귀되도록 되어 있다. 이동 탑재 존(A)에서는, 통상의 이동 탑재 기구에 의한 기판(G)의 전공정(예를 들어, 세정 공정)으로부터의 기판 스테이지(9)로의 이동 탑재, 예비 가열, 정전 척 급전·흡착이 행해진다.
또한, 성막(혹은 에칭) 존(C)에서는, 플라즈마 유닛(7)(예를 들어, 7기의 플라즈마 헤드를 갖는 선 형상 플라즈마 유닛)에 의해, 전자파를 이용하여 선 형상의 플라즈마를 형성하고, 기판(G)의 표면을 선 형상 플라즈마에 대해 수평으로 유지하면서, 기판(G)과 플라즈마의 상대 위치를 연속적으로 이동하면서 기판(G)의 표면 에, 250 내지 300 ℃ 정도의 프로세스 온도로, CVD 성막(혹은 에칭) 처리를 행한다. 이 때, 기판(G) 상에서의 온도 분포는 ± 5 ℃ 정도로 허용된다. 그리고, 플라즈마 처리된 기판(G)은, 냉각·이동 탑재 존(D)에서 냉각되고, 정전 척으로부터 이탈(릴리스)되고, 이동 탑재 로봇 등의 통상 이용되는 이동 기구에 의해 다음 공정으로 이송된다. 또한, 플라즈마 처리된 기판의 반출을 반입측에서 행해도 좋다.
이러한 장치 구성에 의해, 예를 들어, 1100 mm × 1300 mm의 유리 기판을 60매/시간의 고속 플라즈마 처리가 가능해진다.
기판 스테이지용 정전 척
본 발명의 기판(G)을 흡착하여 보유 지지하는 기판 스테이지용 정전 척(10)은, 내측에 단차부(41b)를 갖는 프레임(41)을 갖고, 그 하부에 전륜용 롤러와 후륜용 롤러(21, 22)가 부착되어 있고, 도2의 (a)에 도시한 바와 같이, 전륜과 후륜을 처리 장치의 프레임에 갖는 전륜용 가이드 레일(11)과 후륜용 가이드 레일(12)에 걸어 맞추고, 또한, 기판 스테이지(9)로부터 수직 하강한 가이드 부재(44)를 처리 장치의 프레임에 고정 설치한 가이드 부재 받침대(V홈이 구비된 레일)(45)로 안내되어 이송된다. 이 정전 척(10)에서 흡착되는 기판(G)의 일예로서, FPD용 대형 유리 기판은, 예를 들어 1100 mm × 1300 mm의 크기와, 0.63 내지 0.70 mm 정도의 두께를 가지므로, 이 크기에 적합한 대형의 기판 흡착면(예를 들어, 1120 mm × 1300 mm의 크기)을 정전 척(10)이 갖는 것이 필요하다.
그로 인해, 본 발명의 정전 척(10)에서는, 종래의 정전 척과 달리, 이용하는 전극(40)을 복수의 막대 형상 부재로 분할하고(예를 들어, 10 분할), 그 길이가 1120 mm 정도이며, 폭이 약 40 mm 정도인 사각 부재 혹은 후술하는 단면 형상의 막대 형상 부재로 구성한다.
그리고, 본 발명의 정전 척(10)의 전극(40)에서는, 도3에 도시한 바와 같이, 고열전도·저열 팽창성을 갖는 기재(基材)(40a)(예를 들어, 금속·세라믹스 복합재 : 고순도 등방성 흑연재)의 표면 전체에(전후와 단부면을 포함함) 300 내지 400 ㎛ 두께 정도의 고순도 세라믹스(예를 들어, Al2O3)의 분말을 진공 용사법에 의해 용융 상태로 불어대어, 단층 용사하여 고화시키고, 정전 흡착용 용사막(절연막)(40b)을 형성한다. 이 절연막을 거쳐서 정전 흡착을 위한 전기 회로가 형성되는 동시에, 성막 혹은 에칭 처리 가스 및 NF3 등의 클리닝 가스에 의한 손상 발생 등을 회피할 수 있게 된다.
여기서, 전극(40)을 구성하는 기재의 형상으로서, 도3의 (a)에 도시한 바와 같이, 기재(40a)의 단면 형상을 사각형으로 형성하고, 또한, 도3의 (b)에 도시한 바와 같이, 그 단면 형상을 폭방향의 직사각형으로 형성하거나, 혹은, 도3의 (c)에 도시한 바와 같이, 단차 형상으로 기재(40a)를 형성하여 그 표면에 고순도 세라믹스를 단층 용사하여 용사막(40b)을 형성할 수도 있다. 이 단차 형상에 의해 가열 히터로부터의 복사열이 차단되어, 기판(G)의 온도 분포의 균일성이 향상된다. 또한, 전극(40)의 기재의 적당한 면을 도려내어 경량화해도 된다. 또한, 도3의 (d)에 도시한 바와 같이, 기재(40)의 단면 형상을 한 쪽면에 곡면 형상 볼록부를, 또한, 그 반대면에 곡면 형상 오목부를 갖는 지붕 기와 형상으로 구성하고, 상기 볼 록부가 인접하는 전극의 상기 오목부와 서로 소정의 간극(g)을 유지하도록 하여 배치해도 된다. 또한, 도3의 (e)에 도시한 바와 같이, 서로 폭이 다른 기재(40a)로 전극(40)을 구성해도 된다.
그리고, 이와 같이 구성한 기재(40a)의 표면에 고순도 세라믹스의 용사막(40b)을 형성한 막대 형상(정사각형, 직사각형, 단차 형상 단면 혹은 지붕 기와 형상 단면)의 전극(40)을, 도4에 도시한 바와 같이, 기판 스테이지(9)의 스테이지 프레임(42)[예를 들어, SUS 430, 42 얼로이(Alloy)와 같은 저열 팽창 금속 재료로 이루어짐]에 프레임 형상의 전극 지지용 프레임(41)을 고정 부착시키고, 지지용 프레임(41)의 서로 대향하는 단차부(41b)에 양단부에 단차부(40e)[도2의 (a) 참조]를 갖는 전극(40)을 중개하여 배치하고, 전극(40, 40) 사이에 공기 공간인 간극(g)(예를 들어, 2 mm 정도)을 두고, 예를 들어, 10개의 전극(40)을 병렬로 적재한다. 이 때, 전극(40)의 단부(40e)를 지지용 프레임(41)의 단차부(41b) 상에 길이 방향으로 자유도를 갖게 한 클램프로 고정한다(도시하지 않음). 여기서는, 전극(40) 하에 고정한 가열 유닛(20)(예를 들어, 원적외선 히터)으로부터 전극(40) 이외의 부재의 방열을 차단하기 위해 차열판(43)을 가열 유닛(20)과 지지용 프레임(41) 사이에 배치한다.
그 후, 이동 탑재 존(A)에 있어서, 급전 장치(도시하지 않음)에 의해 정전 척(40)에 급전하면, 기판(G)은 전극(40)면에 흡착된다. 기판(G)의 릴리스시에는, 전극(40)으로부터 통상의 수단에 의해 제전한 후, 도2의 (b)에 도시한 바와 같이, 기판 스테이지(9)에 관통하여 연장한 예를 들어 4개의 리프트 핀(51)을 승강 기구( 도시하지 않음) 상승시켜 기판(G)을 전극(40) 상으로부터 이탈(릴리스)시키도록 되어 있다.
여기서, 전극(40)을 전극 지지용 프레임(41)에 병렬하여 적재하였지만, 기판 스테이지(9)의 상면을 평탄하게 형성하여, 복수의 전극(40)을, 예를 들어 기판(G)의 모서리부에 따라, 혹은, 적당한 부위에 인접하는 전극(40) 사이에 간극(갭)(g)을 남겨 벽돌 형상으로 배치해도 된다. 이들 어떠한 전극(40)의 배치 방법에 의해서도, 기판(G)(예를 들어, 유리 기판)은, 완전히 전극(40)의 상면에 흡착된다.
전술한 어떠한 전극(40)의 배치에 의해서도, 인접하는 전극(40, 40)의 사이가 간극(g)(갭, 공간)에 의해 분할되어 있으므로, 전극(40, 40) 사이의 절연이 완전히 이루어져, 인접하는 전극 사이의 이상 방전(횡방전)이 방지되어, 전하가 피하지 않으므로 흡착 상태가 유지된다.
다음에, 본 발명의 기판 스테이지용 정전 척(10)으로의 급전 방법에 대해 설명한다.
우선, 예를 들어 도5에 도시한 바와 같이, 복수의 전극(40)을 인접하는 전극(40, 40) 사이에 간극(g)을 형성하여 배치하고, 기판(G)을 배치한다. 그리고, 도6에 도시한 바와 같이, 각각의 전극(40, 40)에, [도6의 (a)에 도시한 바와 같이, 혹은 도6의 (b)에 도시한 바와 같이] 배선한다. 그리고, 도6의 (a)의 배선에서는, 표 1에 나타낸 바와 같이, 플러스 혹은 마이너스의 전압을 인가하여 각각의 단자에 접속한 단극 혹은 쌍극의 절환을 행하도록 되어 있다.
[표 1]
Figure 112006000868877-PCT00001
또한, 도6의 (b)의 배선예에서는 플러스 혹은 마이너스의 전압을 인가하기 때문에 단극이 된다.
여기서, 본 발명의 기판 스테이지용 정전 척에 있어서의 유리 기판(G)의 흡착 원리를 설명한다.
도7의 (a)에 도시한 바와 같이, 종래의 수법에서는, 플라즈마의 존재하에서 보통의 단극을 이용하여 전극(40)에 통전하면, 플라즈마로부터의 마이너스 전자가 유리 기판(G)의 표면에 차지하여, 쿨롱력이 발생되어, 유리 기판(G)을 전극(40)면에 흡착한다.
이에 대해, 본 발명의 도7의 (c)의 예에서는 종래 수법과 마찬가지로 플라즈마를 거쳐서 흡착하는 단극형의 예를 나타낸다. 또한, 도7의 (b)에서는, 플라즈마를 거치지 않고 흡착하는 쌍극형의 예를 나타낸다.
유리 기판(G)은 일반적으로 실온에서 고저항 재료이지만, 고전압을 순간적으로 가함으로써 유리 기판의 표면 근방에서 분극하여, 흡착력이 발생한다. 또한, 고온시에는 유리 기판의 저항이 낮아지고, 도전성을 나타내어 분극함으로써, 흡착력이 발생한다.
특히, 본 발명의 플라즈마 처리 장치에 사용되는 기판 스테이지용 정전 척에서는, 도1에 도시한 A존의 기판 스테이지(9)에서 급전 수단에 의해 전극(40)에 급전한 후, 전원 온 상태로 급전 핀(도시하지 않음)을 전극(40)으로부터 떨어뜨리고, 9b, 9c, 9d와 이송되므로, 도8의 (b)에 도시한 바와 같이, 급전 핀을 접속한 상태로 전극 오프로 한 경우[도8의 (a) 참조]에 비해, 인접하는 전극(40, 40) 사이의 절연이 유지되어 있으므로 전하가 피하는 일이 없기 때문에, 잔류 흡착력을 상당한 시간에 걸쳐 유지할 수 있어 기판을 흡착 상태로 유지할 수 있다. 이 결과, 플라즈마 처리 후, 냉각·릴리스·이동 탑재 존(D)에서 리프트 핀(51)에 의해 기판(G)을 밀어올려 로봇 아암(50) 등으로 이탈(릴리스)시킬 때까지, 완전히 기판(G)을 정전 척에 흡착하여 플라즈마 처리를 행할 수 있다. 특히, 여기서, 잔류 흡착력은, 인가 전압을 높게 하고, 전극의 분할수를 늘림으로써 증가시킬 수 있다.
[발명의 효과]
본 발명의 기판 스테이지용 정전 척 및 그에 이용하는 전극 및 그들을 구비한 처리 시스템에 따르면, 복수로 분할한 막대 형상 내측 전극의 전극 재료를 둘러싸 고순도 세라믹스를 단층 용사하여 정전 척용 전극으로 하고 있으므로, 고신뢰도가 얻어지는 동시에, 이를 복수개 병렬로 배치함으로써 상기 전극을 그 폭방향으로 자유롭게 배치할 수 있고, 또한 전극이 수개로 분할되어 있으므로, 그 파손시에 부분적으로 교환하여 수복이 가능해지는 동시에, 기판의 대형화에 대응할 수 있고, 각각의 전극이 대면적이 아니므로, 그 운반·취급이 용이해진다. 또한, 전극으로의 배선의 방법에 의해 쌍극 혹은 단극으로의 절환이 가능해진다. 또한, 전극이 종래에 비해 저가격이고 또한, 짧은 기간에 제작할 수 있다.

Claims (30)

  1. 복수의 전극을 병렬하여 배치한 것을 특징으로 하는 기판 스테이지용 정전 척.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전극이 폭이 다른 전극인 기판 스테이지용 정전 척.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전극이 서로 소정의 간극을 유지하여 배치되어 있는 기판 스테이지용 정전 척.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전극이 비처리 기판의 모서리부에 따라 배치되어 있는 기판 스테이지용 정전 척.
  5. 제1항에 있어서, 상기 전극으로의 배선을 단극 혹은 쌍극으로의 절환 가능하게 한 기판 스테이지용 정전 척.
  6. 제1항에 있어서, 상기 전극이 막대 형상의 기재로 이루어지는 기판 스테이지용 정전 척.
  7. 제6항에 있어서, 상기 기재의 표면에 고순도 세라믹스를 용사하여 용사막을 형성한 기판 스테이지용 정전 척.
  8. 제6항에 있어서, 상기 기재의 단면 형상이 사각형인 기판 스테이지용 정전 척.
  9. 제6항에 있어서, 상기 기재의 단면 형상이 폭넓은 직사각형인 기판 스테이지용 정전 척.
  10. 제6항에 있어서, 상기 기재의 단면 형상이 단차 형상인 기판 스테이지용 정전 척.
  11. 제6항에 있어서, 상기 기재의 단면 형상을 한 쪽면에 곡면 형상 볼록부를 반대면에 곡면 형상 오목부를 갖는 지붕 기와 형상으로 구성하고, 상기 볼록부가 인접하는 전극의 상기 오목부와 서로 소정의 간극을 유지하여 배치된 기판 스테이지용 정전 척.
  12. 제6항에 있어서, 상기 기재가 고순도 등방성 흑연으로 이루어지는 기판 스테이지용 정전 척.
  13. 막대 형상의 기재의 표면에 고순도 세라믹스를 용사하여 용사막을 형성한 것 을 특징으로 하는 기판 스테이지용 정전 척의 전극.
  14. 제13항에 있어서, 상기 기재의 단면 형상이 사각형인 전극.
  15. 제13항에 있어서, 상기 기재의 단면 형상이 폭넓은 직사각형인 전극.
  16. 제13항에 있어서, 상기 기재의 단면 형상이 단차 형상인 전극.
  17. 제13항에 있어서, 상기 기재의 단면 형상이 한 쪽면에 곡면 형상 볼록부를 반대면에 곡면 형상 오목부를 갖는 지붕 기와 형상인 전극.
  18. 제13항에 있어서, 상기 기재가 고순도 등방성 흑연으로 이루어지는 전극.
  19. 복수의 전극을 병렬하여 배치한 기판 스테이지용 정전 척을 구비한 처리 시스템.
  20. 제19항에 있어서, 상기 전극이 폭이 다른 전극인 기판 스테이지용 정전 척을 구비한 처리 시스템.
  21. 제19항에 있어서, 상기 전극이 서로 소정의 간극을 유지하여 배치되어 있는 기판 스테이지용 정전 척을 구비한 처리 시스템.
  22. 제19항에 있어서, 상기 전극이 비처리 기판의 모서리부에 따라 배치되어 있는 기판 스테이지용 정전 척을 구비한 처리 시스템.
  23. 제19항에 있어서, 상기 전극으로의 배선을 단극 혹은 쌍극으로의 절환 가능하게 한 기판 스테이지용 정전 척을 구비한 처리 시스템.
  24. 제19항에 있어서, 상기 전극이 막대 형상의 기재로 이루어지는 기판 스테이지용 정전 척을 구비한 처리 시스템.
  25. 제24항에 있어서, 상기 기재의 표면에 고순도 세라믹스를 용사하여 용사막을 형성한 기판 스테이지용 정전 척을 구비한 처리 시스템.
  26. 제24항에 있어서, 상기 기재의 단면 형상이 사각형인 기판 스테이지용 정전 척을 구비한 처리 시스템.
  27. 제24항에 있어서, 상기 기재의 단면 형상이 폭넓은 직사각형인 기판 스테이지용 정전 척을 구비한 처리 시스템.
  28. 제24항에 있어서, 상기 기재의 단면 형상이 단차 형상인 기판 스테이지용 정전 척을 구비한 처리 시스템.
  29. 제24항에 있어서, 상기 기재의 단면 형상을 한 쪽면에 곡면 형상 볼록부를 반대면에 곡면 형상 오목부를 갖는 지붕 기와 형상으로 구성하고, 상기 볼록부가 인접하는 전극의 상기 오목부와 서로 소정의 간극을 유지하여 배치된 기판 스테이지용 정전 척을 구비한 처리 시스템.
  30. 제24항에 있어서, 상기 기재가 고순도 등방성 흑연으로 이루어지는 기판 스테이지용 정전 척을 구비한 처리 시스템.
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