KR20050092749A - 기판 처리용 장치 - Google Patents

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어낵시스 발처스 악티엔게젤샤프트
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Abstract

본 발명은 기판(130) 특히 반도체 웨이퍼를 처리하기 위하여 공정 스테이션을 포함하고 있는 장치, 특히 진공처리장치에 관한 것이다. 이 장치는 기판(130)을 고정/이송하기 위한 캐리어(120)가 고정된 프레임(110)을 구비하고 있고, 기판(130)은 전체 표면이 캐리어(120)에 고정될 수가 있다. 공정 스테이션은 평평한 외면(141)을 가진 척 전극(140)을 구비하고 있고 캐리어(120)는 척 전극(140)의 외면(141)에 평행하게 인접하게 위치할 수가 있다. 캐리어는 특히 부도체 유전체 물질로 구성되고, 척 전극(140) 및 캐리어(120)가 정전기 척을 형성하도록 한면에는 전도층(122)이 구비되어 있다.

Description

기판 처리용 장치{Installation for Processing a Substrate}
기술분야
본 발명은 기판을 처리하기 위한 진공 공정장치에 관한 것으로, 특히 최소한 하나의 공정 스테이션을 구비한 반도체 웨이퍼 처리용 공정 장치에 관한 것이다. 본 발명은 또한 이러한 형태의 장치용 공정 스테이션, 기판을 고정 및/또는 이송하기 위한 프레임, 프레임에 고정되는 필름, 및 진공처리장치에서 기재 특히 반도체 웨이퍼를 처리하는 방법에 관한 것이다.
종래기술
집적회로를 제조하기 위한 반도체 웨이퍼는 하나 이상의 공정 스테이션을 구비한 진공처리장치에서 통상적으로 수행된다. 이곳에서 웨이퍼가 화학증착(CVD) 또는 물리증착(PVD)에 의해서 에칭되거나 코팅된다. 본 명세서에서는, 웨이퍼를 처리하는 중에 챔버 내에서 물리적으로 안정성 있게 유지시키는 것과 이의 온도를 모니터링하는 것이 중요하며, 특히 웨이퍼에 열이 가해지지 않도록 하여야 한다. 그렇지 않을 경우 웨이퍼가 지나치게 가열되어 손상될 수 있다.
생산성을 향상시키기 위해, 점차 대형의 웨이퍼가 사용되고 있는바 경우에 따라서는 300 밀리미터 직경의 웨이퍼가 사용되고 장래에는 이보다 더 큰 웨이퍼가 사용될 수도 있다. 대면적의 얇은 기판(대개 0.8 mm 이하)은 진공처리장치를 통해 웨이퍼를 가공 및 이송하기 위해서는 이를 고정하기 위한 부가적인 기계장치가 요구되는바, 이는 조그만 힘에도 기재가 손상될 수 있기 때문이다. 온도를 효율적으로 모니터링하기 위해서는 웨이퍼를 두께가 200 미크론 이하 또는 50 내지 75 미크론 이하가 되도록 후면을 연마하여야 한다. 그런 다음, 연마된 웨이퍼를 진공처리장치에서 후면을 금속으로 증착시킨다. 기판이 이와 같이 얇기 때문에 더욱 고정하여 이송할 필요가 있다.
또한, 스퍼터링 공정 중에는 양호한 열 분해가 발생되도록 하여야 하는바, 그렇지 않을 경우에는 낮은 열용량을 가진 얇은 기판은 매우 신속히 150 도 이상으로 가열되어 웨이퍼 위에 놓인 층시스템이 손상되어버릴 위험이 있다. 더욱이, 이보다 낮은 온도로 가열될 경우에는, 기판에 증착되어 있는 층에 내부 열응력이 발생할 수 있는 위험이 있고, 이러한 열을 냉각할 경우에는 변형이 발생될 수도 있다. 열전달이 주로 열방사에 의해서 일어나기 때문에 진공챔버에서는 열손실은 일어나기 어렵다.
미국특허 제4,680,061호 및 제4,743,570호는 진공챔버에서의 웨이퍼 온도를 제어하는 방법을 기재하고 있다. 웨이퍼는 다수의 클립에 의해서 캐리어 디스크의 개구부에 고정된다. 냉각을 위해서는, 아르곤이 냉각부재와 웨이퍼의 후면 사이로 주입되어서, 냉각부재의 평면과 인접한 위치로 이동함으로써 열전달을 통해 웨이퍼로부터 냉각부재로 열이 전달하게 된다.
미국특허 제 6,477,782B1호(Applied Material)는 어떠한 별개의 냉각챔버도 필요없는 기판의 가열 및 냉각 방법에 관한 것이다. 냉각 메카니즘은 냉각 플레이트를 포함하고 있어서, 이 위로 전송 메카니즘, 즉 내향된 핑거를 구비하고 있거나 다수의 리프팅 핀을 구비하고 있는 이송링에 의해서 기판이 이송될 수 있다. 냉각 플레이트와 기판 사이의 가스흐름으로 인해서 냉각효과가 향상될 수 있다.
그러나, 상기한 문헌에 개시된 기계적 이송 및 고정 장치는 대면적의 얇은 두께를 가진 기판에 대해서는 적합하지 않은바, 이는 고정하는 힘이 웨이퍼에 불균일하게 분포하게 됨으로써 기계적 응력을 일으키기 때문이다. 후면의 가스에 의한 압력이 최대로 되고 이에 따른 열전달이 제한되는바, 이는 일정 이상의 가스가 원주면을 따라 고정되어 있는 웨이퍼에 압력을 가하여 변형을 유발시키기 때문이다. 이는 얇은 기판에 대해서는 효과적인 냉각을 수행하기가 어렵다.
미국특허 제5,880,924호는 정전기 척(chuck)을 기재하고 있는바, 이는 기판을 소정의 위치에 단단히 고정시키고 있고, 척 로딩 또는 언로딩 시간을 매우 짧게 할 수가 있다. 이러한 목적을 위해서, 척은 기판이 놓여지는 유전체층을 포함하고 있고, 유전체층에 매립되는 충전 전극 및 방전 전극을 포함하고 있어서, 충전 전극과 유전체층의 표면에서 기판이 접촉되는 접점으로부터 절연될 수 있다.
미국특허 제 6,238,160 B1 호(대만 반도체 제조사)는 정전기 그립퍼 암이 사용되는 공정챔버 내에서 반도체 웨이퍼를 이송하고 정전기적으로 척킹하기 위한 방법을 기재하고 있다. 그립퍼 암은 웨이퍼에 전기를 가하여 정전기력에 의해서 이송중 이를 고정한다. 이는 웨이퍼가 동시에 부분적으로 미리 충전됨으로써 정전기 척에서의 척 작용을 용이하게 하며 챔버내의 가스 플라즈마를 방지하거나 웨이퍼의 접점에서의 충전 전극에 가스 플라즈마가 발생되는 것을 방지한다. 웨이퍼가 척에 고정되어 있을 경우에는 이의 온도를 웨이퍼와 척 사이의 공간으로 주입되는 헬륨 가스에 의해서 제어할 수가 있다.
정전기 척은 기판의 고정을 향상시킬 수가 있다. 특히, 기판이 변형됨이 없이 후면 가스가 고압을 가질수 있기 때문에 열손실을 방지할 수가 있다.
그러나, 척은 제조하기가 복잡하고 보수를 자주 해야 하는 단점이 있는바, 특히 기판과 접촉하는 부품을 정기적으로 교환해야 한다. 기계적으로 민감한 기판을 척의 표면으로부터 해제하는 공정은 매우 치명적이다. 이는 일반적으로 스페이스 핀에 의해서 진행되는바, 척이 불충분하게 방전될 경우에는 기판에 심각한 장애를 끼칠 수가 있다.
발명의 요약
본 발명의 목적은 상기한 기술분야에 속하는 간단한 구조의 장치를 제공하는 것으로, 유지하기가 간편하고 얇고 대면적을 이루는 기계적으로 매우 민감한 기판이 어떠한 파손도 없이 처리될 수 있도록 하는 것이다.
이러한 목적은 청구항 제 1 항에 기술한 특징에 의해서 이루어진다. 본 발명에 의해서 기판을 고정 및/또는 이송시키기 위한 장치는 캐리어에 고정되는 최소한 하나의 프레임을 포함하고 있어서, 기판이 넓은 면적에 걸쳐 캐리어에 고정될 수가 있다.
대면적 고정은 기판이 캐리어 상에 단단히 고정됨으로써 기계적으로 안정성을 가지게 됨을 의미한다. 이는 기판의 단지 일부 엣지나 가장자리를 고정하는 고정부재와는 다르다. 더욱이, 기판은 공정처리중에도 캐리어에 유지되기 때문에 복잡한 클램핑이나 해제작동을 수행할 필요가 없고 장치의 구조가 간단하게 이루어질 수 있다. 따라서, 기판을 공정처리에 앞서서 캐리어에 단단히 고정하는 것이 바람직 할 뿐만 아니라 이송 및 공정 중에도 단단히 고정하고 공정이 다시 개시될 경우에만 캐리어로부터 해제되는 것이 바람직하다. 프레임은 일반적으로 캐리어와 함께 장치 외부로 이송됨으로써 감시 및 유지하기가 편하고 필요할 경우에는 쉽게 교체할 수가 있다.
본 발명은 반도체 웨이퍼에만 한정되는 것이 아니라 넓은 범위의 유리 또는 수지에 대면적의 얇은 가공물에 대해서도 이용될 수가 있다. 따라서, 전자부품을 상호 분리시키는 공정 또는 태양전지를 공정처리하는데 적합하다.
기판은 진공수단 및 탈착수단에 의해서 캐리어의 제 1 평면에 결합되는 것이 바람직하다. 이를 통해 캐리어에 대면적이 고정될 수 있다. 결합수단은 양호한 열전도를 갖는 것이 바람직하고 이에 따라 양호한 열발산이 이루어질 수가 있다.
최소한 하나의 공정 스테이션은 쇼트용의 정전기 척 장치 또는 평편한 외면을 가진 척 전극을 포함하고 있고, 캐리어가 전극의 외면과 평행하게 인접하여 놓이는 것이 가능하다. 캐리어에 대면적이 고정되고 또한 척에 대면적이 고정됨으로써 기판을 매우 안정성 있게 지지할 뿐만 아니라 열발산이 양호하게 이루어진다. 최소한 기판의 주 평면에 해당하는 만큼 평평한 외면이 형성되는 것이 바람직하다. 그러나, 경우에 따라서는 기판의 유효면적이 기판의 전체 표면적보다 작을 수 있는바, 단일일 경우에는 사변형의 반도체 부품이 둥근 웨이퍼 상에서 제조될 수가 있다. 이 경우에는 평평한 외면이 전체 기판의 면적이 되지 않도록 선택하여야 하고 기술적인 이유로 감소된 유효면적만이 척에 고정될 수가 있다.
기판을 프레임에 고정된 캐리어에 안정성 있게 고정하는 것은 냉각이 필요치 않는 공정 스테이션에 유리하다.
캐리어를 부도체의 유전체 물질로 형성시키고 한면에는 전도층을 갖게 하는 것이 적합하다. 프레임은 최소한 부분적으로는 전도성을 이루며, 전도층이 프레임의 전도영역과 접촉되도록 프레임에 캐리어가 고정된다. 캐리어의 전도층은 유전체 물질 및 척 전극과 함께 정전기 척 장치를 형성하고, 전도층 및 척 전극은 플레이트형의 캐패시터의 두 플레이트를 형성한다. 전도층이 척 전극으로부터 떨어져 있도록 캐리어가 배치된다. 즉, 전도층이 기판과 접촉하고, 캐리어의 유전체 물질에 의해서 평행한 플레이트 장에 인력이 증가하게 된다.
전극 및 프레임에 고정된 캐리어에 의해서 형성된 정전기 척은 단순한 구조이다. 정전기 척 장치는 일반적으로 캐리어와 함께 장치로부터 이동되어 나오기 때문에 척 장치에서 작업을 수행하기가 용이하다. 이러한 극도로 유지에 민감한 부분은 필요할 경우 주기적으로 검사 및 교체될 수가 있다. 장치에 유지되는 부분, 즉 척 전극은 기판의 공정 중에는 전면에 배치된 캐리어에 의해서 보호되고, 이러한 유지에 필요한 정도는 낮다.
프레임의 전도영역 및 이 영역과 캐리어의 전도층과의 접촉은 단순히 프레임 상에서 접촉되게 함으로써 척 장치의 제 2 플레이트가 간단히 접촉될 수 있다.
선택적으로, 선택된 캐리어 물질은 반도체 성질을 가진 약한 도핑 유전체 물질로 대체될 수가 있다. 이는 단락 효과적 플레이트 간격에 의해서 Johsen Rahbek 인력으로 알려진 쿨롱 인력을 발생시킨다. 그러나, 도핑된 유전체 물질의 반도체 작용은 종종 온도를 상승시키고, 계속되는 충전이 누설되는 전류를 보상하기 위해 필요하므로 장치의 구조를 더욱 복잡하게 한다.
기판을 해제하기 위해서는 캐리어의 전도층이 척 전극과 단락되는 것이 바람직하다. 캐리어 필름의 도움으로 기판이 어떠한 손상도 없이 들어올려 질 수 있는바, 이는 기판에 어떠한 국부적인 잔력이 발생되지 않기 때문이다.
캐리어는 진공수단으로 형성되는 열적으로 안정성 있는 필름으로 이루어지고, 전도층은 진공증착이나 전도성 폴리이미드로 형성된다. 필름의 적합한 물질로는 폴리이미드가 있다. 이러한 필름은 비용이 저렴하고, 더욱이 연마공정 중에 웨이퍼를 미리 캐리어 필름에 고정시켜서 기계적으로 안정화시킬 수가 있다. 적당한 필름 재료를 선택함으로써 웨이퍼가 새로운 고정장치에 고정되지 않고도 동일한 캐리어를 연속되는 코팅공정에도 사용할 수가 있다.
선택적으로 캐리어를 다른 부전도성의 유전체 물질, 즉 세라믹이나 유리로서 만들어질 수 있다.
필름은 약 50-200 ㎛, 적절하게는 약 100 ㎛의 두께를 이루는 것이 바람직하고, 금속층은 0.03-0.5 ㎛, 적절하게는 0.1 ㎛의 두께를 이루는 것이 바람직하다. 이러한 필름 두께에 의해서 필름이 높은 기계적 안정도 및 내구성을 갖게 된다. 그러나, 필름 물질을 유전체로 사용할 경우에는 캐리어 단면적이 작기 때문에 재료 비용 및 생산 비용을 낮게 유지할 수가 있다. 상기한 두께의 금속층은 저비용으로 제조될 수가 있고 본 발명에 따라 정전기 척에서 사용하기에 양호한 정전기성을 가질 수 있다. 특히, 척이 형성된 후에 남아있는 전하를 제거하는 전도층의 높은 전도도는 짧은 시간에 스위치 오프 된다.
필름 또는 금속층의 두께는 물론 특정 응용에 따라서 달라질 수 있는바, 특히 기판의 두께, 기계 상태 또는 공정의 예상효과에 따라서 달라질 수 있다. 여러 캐리어가 동일 장치 내에 사용될 수 있는바, 즉 소정의 기판용 필름 물질로 만들어진 캐리어, 및 유리로 만들어진 다른 캐리어 등을 포함할 수 있다.
라디오주파수를 기판 처리에 사용하는 경우, 예를 들어 에칭하는 동안에, 척 전극을 라디오주파수 전극을 포함하는 동체에 구성시킬 수가 있고, 척 전극을 라디오주파수 전극과 전기적으로 절연되게 할 수가 있다. 척 전극은 적절하게는 라디오주파수 전극을 관통하는 절연된 리드스루에 의해서 접촉될 수 있다. 이러한 경우, 척 전극을 플로팅되게, 즉 라디오주파수 소스 또는 접지되지 않도록 하는 것이 바람직하다. 따라서 라디오주파수 전압을 캐리어에 이해 고정되고 척에 의해 유지되는 기판을 간단히 처리하는데 사용할 수가 있다.
전도층이 척 전극과 마주하도록 캐리어를 척 전극의 전방에 배치할 경우, 유전체는 척 전극과 캐리어 사이에 놓이도록 척 전극의 전방에 놓인다. 높은 유전상수 εr을 가진 얇은 유전체를 선택함으로써 캐리어의 물질에 상관없이 높은 인력을 얻을 수가 있다. 특히 적합한 유전체는 약 10의 높은 유전상수 εr를 가진 산화알루미늄 Al2O3 플레이트이다.
선택적으로, 상기한 바와 같이 캐리어 물질이 척 전극과 전도층 사이에 유전체를 형성하도록 척 전극의 전방에 놓일 수도 있다. 이에 따라 더 간단하고 저렴한 장치 구조를 만들 수가 있지만 경제적으로 가능한 캐리어 물질의 낮은 유전상수로 인해서 인력이 낮다는 단점이 있다. 그러나, 이와 같이 얻을 수 있는 인력은 많은 응용분야에 유용하다.
프레임과 척 전극 사이에 전압을 가하기 위한 전압 소스를 구비하는 것이 공정 스테이션에 바람직하다. 이는 특히 200-1500 V, 바람직하게는 500-1000 V의 직류 전압을 발생시킬 수 있어야 한다. 프레임과 캐리어의 전도층 사이가 전기 전도되기 때문에 간단하게 정전기 척 장치를 형성할 수 있는바, 이는 기판의 직접적인 접촉이 없고 충전 및 방전용 가스 플라즈마가 없이도 이루어진다. 표준 캐리어 단면적에 알맞은 전압은 반도체 웨이퍼의 처리에 적합한 접촉압력을 만든다.
척 전극은 다수의 상이한 극성을 가진 영역을 포함할 수가 있다. 이는 상대 전극이나 상대플레이트를 필요로 하지않는 쌍극 또는 다극 정전기 척 장치를 형성할 수 있게 한다. 이 경우에는, 따라서 어떠한 캐리어의 전도층이나 대응하는 전기 접촉이 필요치 않게 된다. 그러나, 일반적으로 쌍극 또는 다극 척 장치로서 이룰 수 있는 인력은 단극 구조에서보다는 낮다.
공정 스테이션이 척 전극과 캐리어 사이에 가스를 공급하기 위한 가스 공급구를 구비하는 것이 바람직하다. 또한 100 Pa 이상의 가스 압력을 발생시키는 것이 바람직하다. 이에 따라 후면 가스에서의 열전도를 통한 효과적인 열발산이 이루어진다. 종래의 방법에 있어서는 변부에 기판을 고정함으로써 얻을 수 있는 가스 압력에는 상한선이 있다. 이 상한선을 초과할 경우에는 후면 가스 압력이 기판을 과도하게 구부리게 할 수 있다. 대면적의 얇은 반도체 웨이퍼의 경우에는 가스 압력이 약 20 Pa에 이르기 때문에 효과적인 냉각이 이루어질 수가 없다. 기판을 캐리어에 고정하기 위한 정전기 척과 대면적에 의한 해결책은 후면 가스가 매우 높은 압력을 가질 수 있게 하기 때문에 기판으로부터 열을 효과적으로 발산시킬 수가 있다.
소정의 공정 단계에서, 척 전극의 평평한 외면을 적절히 온도 제어함으로써 고정된 기판을 가열할 수가 있다. 가열은 후면 가스에 의해서 상승될 수가 있다. 마지막으로, 공정 단계에서 어떠한 기판의 온도 제어도 필요없는 경우가 있을 수 있다. 그러나, 이 경우에는 본 발명에 따른 척 장치에 의해서 기판이 안정적으로 고정되고 공정이 완료된 후에는 용이하게 들어올려 질 수 있다.
본 발명에 따른 장치는 다수의 공정 스테이션과 수단, 예로서 캐리어에 고정된 프레임을 함께 이송시킬 수 있고, 기판을 제 1 공정 스테이션으로부터 제 2 공정 스테이션으로 이송시킬 수 있는 진공 로봇을 구비할 수 있다. 이러한 형태의 장치는 별 모양으로 이루어져서 수직으로 배치된 프레임이 원형의 경로를 따라 이동하고, 이의 축은 프레임의 주 표면과 평행을 이룰 수가 있다. 소정의 물체에 따라서, 프레임은 기판과 함께 공정 스테이션에 전개되거나 공정 중에 고정될 수가 있다. 공정 및 이송은 따라서 동시에 이루어질 수도 있고, 또한 개별적으로도 이루어질 수가 있다. 컨덕터 또는 리턴 컨덕터로서 플라즈마가 필요없기 때문에 본 발명에 따른 척 장치는 어떠한 플라즈마도 설치되지 않은 순수한 냉각 스테이션에도 사용될 수가 있다. 이러한 냉각 스테이션은 더욱 민감한 기판 공정이 수행되는 두 개의 스테이션 사이에 있는 장치 내에 설치될 수 있다.
도면의 간단한 설명
도 1은 본 발명에 따른 제 1 실시예의 공정 스테이션의 단일 전극 및 고정/이송 프레임을 나타낸 예시도,
도 2는 본 발명에 따른 제 2 실시예의 공정 스테이션의 단일 전극 및 고정/이송 프레임을 나타낸 것으로, 유전체가 전극 및 프레임에 고정된 캐리어 사이에 배치되어 있는 것을 보인 예시도,
도 3은 본 발명에 따른 제 3 실시예의 공정 스테이션의 단일 전극 및 고정/이송 프레임을 나타낸 것으로, 라디오 주파수 소스를 포함하고 있는 것을 보인 예시도,
도 4는 본 발명에 따른 제 4 실시예의 공정 스테이션의 양 전극 및 고정/이송 프레임을 나타낸 예시도, 및
도 5는 다수의 공정 스테이션을 포함하고 있는 진공 처리 장치를 나타내고 있는 예시도이다.
발명의 구성
도 1은 본 발명의 제 1 실시예를 나타낸 것으로, 단일 전극과 고정/이송 프레임을 포함하고 있다. 대면적의 얇은 기판(130)이 고정되는 캐리어 필름(120)이 프레임(110)에 고정되어 있다. 기판(130)은 원형의 얇은 반도체 웨이퍼로서 300 mm의 직경과 200 ㎛의 두께를 가질 수 있다.
기판(130)이 프레임(110)에 고정된 프레임 필름(120)에 대해서 전체 표면이 고정될 수 있는 치수를 프레임(110)은 갖는다. 진공수단에 의해서 기판(130)의 하면(131)과 캐리어 필름(120)의 상면(121) 사이에 확실한 고정이 이루어지고, 따라서 열전도가 용이하게 달성된다. 프레임(110)은 환형의 하부(111) 및 이와 착탈되는 대응의 상부(112)로 구성된다. 캐리어 필름(120)은 하부(111)와 상부(112) 사이에 고정되고, 이러한 고정은 순수한 가압고정 작용에 의해서 이루어지거나 캐리어 필름(120)이 원주 둘레로 개구부를 구비하고 있어서 이를 통해 대응하는 프레임(110)의 핀이 접속된다.
프레임(110)의 하부(111) 및 상부(112)는 열전도성 금속으로 만들어지고, 캐리어 필름(120)은 폴리이미드로서 100 ㎛의 두께를 갖는다. 프레임의 상부(112)에 전기 접촉되는 0.1 ㎛ 두께의 금속층(122)은 캐리어 필름의 상면(121)을 따라 진공증착된다.
캐리어 필름(120)이 고정된 프레임(110)은 금속 전극(140)의 상부 평평한 외면(141)에 인접하여 설치되고, 캐리어 필름(120)의 하면(123)은 전극(140)의 상부 외면(141)과 평행하게 약간 이격되어 있다. 전극(140) 전방의 프레임(110) 위치는 프레임을 가이드에 의해서 효과적으로 이루어진다. 전극(140)의 상부 외면(141)에 대한 표면적과 형태는 캐리어 필름(120)에 접착되는 기판(130)의 표면적과 형태에 거의 일치한다. 그러나, 동일한 전극(140)에 의해서 더 작거나 큰 면적을 가진 기판이 소정의 위치에 안정하게 고정될 수도 있다.
대칭축 영역에는, 전극(140)에 가스 공급구(142)가 구비되어 있어서 이를 통해 후면 가스가 캐리어 필름(120)과 전극(140)의 외면(141) 사이로 공급될 수 있다. 이를 위한 가스공급원은 이미 공지된 기술이기 때문에 생략하기로 하고, 제어되는 압력으로 아르곤 가스가 가스공급구(142)로 공급된다.
금속층(122)과 전극의 외면(141) 사이에 700 볼트의 직류전압을 발생시키는 전압원(150)이 금속 전극(140)과 프레이(110) 사이에 연결되어 있어서 전기적으로 금속층(122)과도 연결된다. 프레임 및 금속층(122)은 접지된 반면, 외면(141)은 700 볼트의 전압을 유지한다. 따라서 캐리어 필름(120)의 금속층(122)과 전극(140)의 외면(141) 사이에 정전기적 인력이 발생되어, 캐리어 필름(120)에 고정된 기판(130)이 전극(140)으로 가압된다. 단위 면적당 작용하는 힘을 나타내는 식은 다음과 같다:
F/A = 1/2εoεr U2 / d2,
상기 식에서 U는 가해진 전압을 나타내고 d는 유전체의 두께를 나타낸다. 필름 두께 d = 100 ㎛이고, 전압이 700 V 이며, 캐리어 필름의 유전체 상수 εr = 2.5이면 접촉압력 p = F/A는 약 540 Pa이 된다. 후면 가스압력은 정전기 척의 접촉압력보다 크도록 하여 기판(130)과 함께 캐리어 필름(120)이 가스압력에 의해서 전극(140)으로부터 이탈하지 않아야 한다. 따라서, 후면 가스압력이 약 500 Pa일 경우에는 기판으로부터 척으로 매우 양호한 열전달이 이루어진다. 이 압력에서의 후면 가스의 k 값은 최소한 50 W/mK이다. 열전달을 위한 조건은 다음과 같다:
층 Si 웨이퍼 접착제 필름 후면 가스
열전도도[W/mK] 150 0.1 0.2
두께[㎛] 200 20 100
k 값[w/m2K] 7.5 * 105 5 * 103 2 * 103 50
열저항의 비율% 약 0 약 1 약 2 약 97
열부하가 0.3 W/cm2 이고 전극의 표면온도가 21 ℃인 가정하에서, 고정된 상태의 웨이퍼 온도는 단지 83 ℃이다.이를 척이 없는 상태에서, 후면 가스가 20 Pa를 이루는 조건에서의 비교 결과는 다음과 같다:층 Si 웨이퍼 접착제 필름 후면 가스
열전도도[W/mK] 150 0.1 0.2
두께[㎛] 200 20 100
k 값[w/m2K] 7.5 * 105 5 * 103 2 * 103 10
열저항의 비율% 약 0 약 1 약 0 > 99
낮은 가스압력으로 인해서, 후면 가스의 k 값은 최대 10 W/m2K를 갖는다. 고정된 상태에서, 0.3 W/cm2 및 21 ℃의 냉각온도를 가질 경우의 웨이퍼 온도는 323 ℃를 갖게 된다. 이는 층의 구조를 파손시키고 새롭게 형성되는 층의 내부에 열응력을 발생시킴으로써 기판이 손상되거나 파괴될 수 있다.
프레임(110)은 스위치(151)에 의해서 외면(141)이 단락될 수 있어서 두 부품은 접지되어 있다. 캐리어 필름(120)은 기판(130)과 함께 손상되지 않고 해제될 수 있다.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따라 단일 전극과 고정/이송 프레임을 구비하고 있는 것을 나타낸 것으로, 유전체가 전극 및 프레임에 고정된 캐리어 사이에 놓여있다. 제 2 실시예의 많은 부분은 도 1의 제 1 실시예와 동일하다.
대면적의 얇은 기판이 고정된 캐리어 필름(220)은 프레임(210)에 고정된다. 기판(230)의 하면(231)은 캐리어 필름의 상면(221)과 접착되어 있다. 프레임(210)은 제 1 실시예의 프레임(110)에 상응하고 환형의 하부(211)를 구비하고 있으며, 이 하부와 착탈되는 환형의 상부(212)에 의해서 캐리어 필름(120)이 고정되어 있다.
제 1 실시예와 제 2 실시예의 차이는 금속층(222)이 캐리어 필름의 하면(223)을 따라 증착되어 있는 것이다. 즉, 캐리어 필름(220)이 프레임에서 역으로 고정된 것이다. 금속층(22)은 프레임의 하부(211)와 접촉되고, 전도성 금속으로 이루어져 있다.
캐리어 필름이 고정되어 있는 프레임(210)은 금속 전극(240)의 상단부를 이루는 유전체 플레이트(243)와 인접하고 있다. 유전체 플레이트(243)는 산화알루미늄 Al2O3으로 이루어져서 높은 유전체 상수(εr= 약 10)를 가지고 있고 두께는 약 100 ㎛를 이루고 있다. 금속층(222)과 접하고 있는 캐리어 필름의 하면(223)은 유전체 플레이트(243)의 상면(244) 평행하게 약간 이격되어 있다.
유전체 플레이트의 상면(244)의 표면적과 형태는 최소한 기판(230)의 표면적 및 형태와 유사하고 전극(240)과도 또한 유사하다. 전극(240)은 대칭축 영역에 가스공급구(242)를 구비하고 있어서 이를 통해 공급되는 후면 가스가 캐리어 필름(220) 및 유전체 플레이트(243)의 상면(244) 사이로 흐르도록 한다.
전압소스(250)는 금속 전극(240)과 전도성 금속층(222)에 전기 접속되는 프레임(210) 사이를 연결하고 있다. 전압소스가 금속층(22)과 전극(240) 사이에 700 V의 전압을 가하게 되면, 전극(240)은 700 볼트의 전위를 유지하는 반면 프레임과 금속층은 접지를 이루게 된다. 따라서 캐리어 필름(220)의 금속층(222)과 전극 사이에 정전기의 인력이 발생함으로써 기판(230)이 고정된 캐리어 필름이 전극(240)에 가압된다. 제 1 실시예와 비교하여 같은 두께를 사용하면 단위 면적당 상기한 식의 F/A 값은 유전체 플레이트(243)의 높은 유전 상수 εr로 인해서 약 3 배정도 증가한다. 따라서, 같은 전압을 가할 경우에 접촉압력은 약 1600 Pa이 되어 필요할 경우 후면 가스압력이 증가되어 기판의 온도를 효과적으로 제어할 수가 있다.
프레임(210)은 스위치(251)에 의해서 전극(240)으로부터 단락될 수가 있어서, 두 개의 부품은 접지되고 캐리어 필름(220)은 기판(230)과 함께 전극(240)으로부터 이격되어 질 수가 있다.
도 3은 본 발명에 따른 제 3 실시예의 공정 스테이션의 단일 전극과 고정/이송 프레임을 나타낸 것으로, RF 소스를 구비하고 있다. 이러한 형태의 설계는 기판을 에칭하는 공정 스테이션에 사용될 수 있다. 프레임(310)의 구조 및 장치는 도 1에 나타낸 제 1 실시예의 프레임과 동일하다. 캐리어 필름(320)은 두께 100 ㎛의 폴리이미드로 만들어지고 여기에 대면적에 걸쳐 고정된 기판(330)은 프레임(310)에 고정된다. 프레임(310)은 환형의 하부(311)와 이에 착탈되는 대응하는 환형의 상부(312)로 구성되고, 캐리어 필름(320)이 이 두 부분 사이에 놓여 있다. 프레임의 하부(311) 및 상부(312)는 전도성 금속으로 이루어져 있다. 0.1 ㎛의 두께를 가진 금속층(322)은 상면(321)을 따라 증착되고 전기적으로 프레임의 상부(312)와 접촉되어 있다.
전극(340)은 라디오주파수 전압 소스(360)에 의해서 공급되는 라디오주파수 전극(345)로 형성된 동체를 갖는다. 상면에는 라디오주파수 전극(345)이 세라믹 절연체 플레이트(346)에 의해서 단자화 되어 있고, 이의 표면적은 라디오주파수 전극(345)의 단면적과 동일하다. 역시 동일한 표면적을 갖는 척 전극(347)이 절연체 플레이트(346)상에 놓여있다. 가스공급구(342)가 라디오주파수 전극(345), 절연체 플레이트(346) 및 척 전극(347)을 관통하고 있다. 캐리어 필름(320)의 하면(323)이 척 전극(347)의 상면(341)과 평행하게 약간 이격되도록 프레임이 설치되어 있다.
금속층(322)과 척 전극의 상면(341) 사이에 직류 전압을 발생시키는 전압 소스(350)는 척 전극(347)과 프레임(310) 사이를 연결하고 있어서 전기적으로 전도성의 금속층(322)과도 전기적으로 연결되어 있다. 이 경우에, 금속층(322)은 제 1 실시예와는 달리, 접지되어 있지않지만 척 회로가 플로팅되어 있고 라디오주파수 회로 또는 접지와도 연결되지 않는다. 척 전극(347)의 접촉연결은 라디오주파수 전극(345) 및 절연체 플레이트(346)를 관통하는 절연체 리드스루(348)를 통해 이루어진다.
접지와 연결된 환형 실드(370)의 단면적은 개략적으로 프레임(310)의 단면적과 동일하다. 따라서 에칭공정에 사용되는 스퍼터링 소스에 대해서 프레임(310) 상에 어두운 공간을 유발한다. 이는 프레임의 재료가 에칭되는 것을 방지하고 또한 기판으로부터 에칭된 재료가 프레임(310)상에 증착되는 것을 방지한다.
프레임(310)은 스위치(351)에 의해서 외면(341)으로부터 단락될 수 있어서, 두 개의 부품은 동일한 전위를 갖는다. 캐리어 필름(320)은 기판(330)과 함께 손상없이 척 전극(347)으로부터 해제될 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 제 4 실시예의 공정 스테이션에 대한 이중 전극 및 고정/이송 프레임을 나타내고 있다.
프레임(410)의 기계적 구조 및 설계는 도 1 및 3에 나타낸 실시예 1 및 3과 동일하다. 두께 100 ㎛의 폴리이미드로 이루어진 캐리어 필름(420)에는 기판(430)이 대면적에 걸쳐 고정되어 있으며, 이는 또한 프레임(410)에 고정되어 있다. 프레임(410)은 환형의 하부(411)와 이와 착탈되는 대응하는 환형의 상부(412)로 구성되어 있고, 캐리어 필름(420)이 프레임의 이러한 두 부분 사이에 놓여 있다.
캐리어 필름(420)이 고정되어 있는 프레임(410)은 금속 전극(440)의 상면(441)에 인접하여 있고, 캐리어 필름의 하면(423)은 전극(440)의 상면(441)과 평행하게 약간 이격되어 있다. 전극(440)의 상면(441) 표면적 및 모양은 캐리어 필름(420)에 접착된 기판(430)의 표면적 및 모양과 동일하다.
상면이 전극(440)의 상면과 같은 높이를 이루는 제 2 전극(449)이 전극(440)의 상면(441) 중앙에 형성되어 있다. 제 2 전극(449)은 세라믹 절연체 플레이트(446)에 의해서 전극(440)과 전기적으로 절연되어 있다. 제 2 전극(449)의 직경은 전극(440)의 약 절반을 이룬다.
대칭축 영역에는, 절연체 플레이트(446) 및 제 2 전극(449)을 관통하는 가스공급구(442)가 전극(440)에 형성되어 있어서, 이를 통해 후면 가스가 캐리어 필름9420) 및 전극의 외면(441) 사이로 공급될 수 있다.
두 개의 전극(440, 449) 사이에 직류전압을 발생시키는 전압 소스(450)가 금속 전극(440)과 제 2 전극(449) 사이에 연결되어 있다. 이 경우에, 제 2 전극의 접촉연결은 전극(440) 및 절연체 플레이트(446)를 관통하는 절연된 리드스루(448)에 의해서 이루어진다. 전극(440)은 접지된 반면, 제 2 전극(449)은 700 볼트의 전위를 유지한다. 따라서 산란 전기장을 만들어, 필름(420)의 상면(421)을 따라 금속층에 정전기 전하를 발생시키게 되고 또한 기판(420)에도 전하를 발생시킬 수 있다. 극성이 인접한 전극과 정반대를 이루는 이러한 정전기 전하는 인력을 발생시킴으로써 기판(430)이 부착된 필름(420)이 전극(440)으로 가압된다. 따라서 이러한 실시예에서는 쌍극 척의 원리가 본 발명의 내용에 적용된다. 필름(420)에 증착되는 금속층 또는 기판(430)의 전기적 접촉연결이 필요없게 된다.
전극(440, 449)은 스위치(451)에 의해서 서로 단락될 수 있어서, 두 부품이 영의 전위를 갖게 된다. 캐리어 필름(420)은 기판(430)과 함께 손상 없이 전극(440)으로부터 해제될 수 있다.
전극의 상면에 위치한 각각의 전극 배치는 상기한 환형 형태에 제한되는 것은 아니다. 두 개의 극이 표면을 따라 다른 방법으로 배치될 수도 있는바, 예를 들어 내부 전극이 별 모양으로 설계될 수도 있다. 더욱이, 두 개 이상의 보조 전극을 가진 다극성 전극이 유사한 방법으로 설계될 수도 있다. 가능한 설계형태로서, 원형의 상면을 상기한 바와 같이 환형으로 분할하고 이를 다시 반으로 나누어 네 개의 영역을 이루도록 하는 것이다. 따라서, 인접한 영역은 각각이 상이한 극성을 갖도록 전원에 연결된다.
도 5는 다수의 공정 스테이션을 구비한 진공처리장치를 나타내고 있다. 8 개의 공정 스테이션(581 내지 588)이 정팔각형을 이루도록 배치되어 있다. 모든 공정 스테이션은 상기한 네 개의 실시예에 따른 전극(581a 내지 588a)을 구비하고 있다. 즉, 여러 전극(예로서, 단극 및 라디오주파수 소스를 가진 양극 전극)이 동일한 장치에 사용될 수가 있다. 전극(581a 내지 588a)은 수직으로 위치하여 외부를 향하고 있다.
프레임(510)에 고정된 캐리어 필름(520)과 접착되어 있는 기판(530)은 이송 스테이션에 위치한 장치로 유입되고 고정 후에는 이로부터 해제된다. 이송 스테이션(581)은 진공락을 포함하고 있다. 프레임(510)은 전체 공정에 걸쳐 수직 방향을 유지한다. 기판(530)과 함께 프레임(510)이 전극(581a)으로 이동한 후에 상기한 네 개의 실시예중 하나에 따른 전극에 전압이 가하여짐으로써, 프레임이 전극(581a)에 확실히 고정된다. 그 다음으로 프레임이 8 개의 프레임을 동시에 이동하기 위해 사용되는 별 모양의 이송장치에 수용되어, 각각이 공정 스테이션에 놓이고 시계방향으로 다음 공정을 위해 이동한다.
제 1 공정단계로 이동되어 가스해제 스테이션(582)에 놓이게 되는바, 모든 공정 스테이션과 마찬가지로 프레임(510)이 공정이 진행되는 동안 전극(582a)에 단단히 고정된다. 본 발명에 의해서 고정장치와 기판이 전기적으로 접촉하기 위한 어떠한 플라즈마도 필요하지가 않기 때문에 전극에 고정된 기판을 용이하게 냉각한다. 다음 단계로, 에칭 스테이션(584)이 있고 이어서 냉각 스테이션이 놓이게 된다 . 마지막으로, 세 개의 스퍼터링 스테이션(586, 587, 588)이 연이어 있고, 공정 처리된 기판이 이송 스테이션(581)에서 다시 제거된다.
여러 부품 장치에 대한 치수는 이해를 돕기 위한 예에 불과하다. 이는 전기적 및 기계적 요건에 맞도록 설계될 수 있다. 특히, 전극 및 이의 부품, 프레임 및 이에 고정된 필름의 길이 및 두께에 대해서 적용된다. 재료는 사용 목적에 따라 선택될 수 있는바, 예를 들어 폴리이미드 외에 다른 수지 필름이 가능하고 필름을 작은 세라믹이나 유리 또는 다른 유전체로 만든 플레이트로 대체할 수 있다.
직류전원의 전압은 특정 응용을 위해 조정될 수 있고, 전극 및 유전체의 크기도 조정될 수 있기 때문에 후면 가스압력이 기판을 충분히 냉각할 수가 있다.
중요한 요소로는 유전체 물질(제 1, 3, 4 실시예의 필름, 또는 제 2실시예의 유전체 플레이트)이 있다. 부도체 유전체 물질을 대신하여 약하게 도핑된 유전체 물질을 사용하게 되면 반도체 유전체가 된다. 이 경우에, 전극의 표면으로부터 유전체로 전하 이동이 발생되어 두 개의 상호 인력이 작용하는 플레이트 사이에 단락효과가 일어나기 때문에 전기 절연체의 유전체에 비교하여 동일 전압에서 상당히 높은 접촉 압력을 유발시킨다. 부도체 유전체에 대한 이러한 도핑된 유전체의 결점은 비교적 높은 온도에서만이 일어나는 반도체효과와 같다. 더욱이, 이는 상당히 연속적인 전하 전류를 가하여 인력이 유지되도록 한다.
상기한 진공처리장치는 단지 예로서 설명한 것이다. 다수의 공정 스테이션을 링 또는 선형의 형태로 설치할 수가 있다. 본 발명에 따른 장치는 또한 기판이 중앙 핸들링 스테이션을 구비한 클러스터의 종래 형태에서와 같이 수평으로 배열된 캐리어에서 이송되는 로드 장치에 사용될 수도 있다.
요약하면, 본 발명은 구조가 간단하고 유지하기가 용이한 기판 처리공정장치를 제공하는 것으로, 얇고 대면적을 가진 물리적으로 민감한 기판을 손상이나 파손됨이 없이 처리할 수 있게 한다.

Claims (23)

  1. 기판(130; 230; 330; 430; 530) 특히 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 진공처리장치로서 최소한 하나의 공정 스테이션(582-588)을 구비하고 있는 장치에 있어서, 기판(130; 230; 330; 430; 530)을 고정/이송하기 위한 위하여 캐리어(120; 220; 320; 420; 520)가 고정된 최소한 하나의 프레임(110; 210; 310; 410; 510)을 구비하고 있어서, 기판(130; 230; 330; 430; 530)이 대면적에 걸쳐 캐리어(120; 220; 320; 420; 520)에 고정될 수 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 최소한 하나의 공정 스테이션(582-588)이 평평한 외면(141; 241; 341; 441)이 형성된 척(chuck) 전극(140; 240; 340; 440)을 구비하고 있어서, 캐리어(120; 220; 320; 420; 520)가 척 전극(140; 240; 340; 440)의 외면(141; 241; 341; 441)에 인접하여 평행하게 위치할 수 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, a) 캐리어(120; 220; 320)는 부도체 유전 물질로 이루어지고 전도체층(122; 222; 322)이 캐리어의 한면에 형성되어 있으며, b) 프레임(110; 210; 310)은 최소한 부분적으로 전도성을 이루고 있으며, c) 전도층(122; 222; 322)이 프레임(110; 210; 310)의 전도영역에 접촉되도록 캐리어(120; 220, 320)가 프레임(110; 210; 310)에 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 캐리어(120; 220; 320)가 증착에 의해서 형성되고 열안정성의 필름 특히 폴리이미드로 이루어져 있으며, 전도층(122; 222; 322)은 금속 증착 또는 전도성 폴리머에 의해서 형성된 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 필름(120; 220; 320)은 50-200 ㎛, 적절하게는 약 100 ㎛의 두께를 이루고 있고, 금속층(122; 222; 322)은 0.03-0.5 ㎛, 적절하게는 약 0.1 ㎛의 두께를 이루고 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제 2 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 척 전극(347)은 라디오주파수 전극(345)을 구비한 하나의 동체로 형성되어 있고, 척 전극(347)이 라디오주파수 전극(345)과 전기 절연되어 있으며, 특히 라디오주파수 전극(345)을 관통하는 리드스루(leadthrough, 348)가 척 전극(340)의 접촉을 위해 설치된 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 제 2 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 척 전극(240)은 유전체(243) 특히 산화알루미늄(Al2O3) 플레이트를 구비하고 있으며, 이는 척 전극(240)과 캐리어(220) 사이에 놓여 있고 캐리어(220)는 척 전극(240)의 외면(244)과 평행하게 인접하여 놓여 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 제 2 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 공정 스테이션(582-588)은 프레임(110; 210; 310) 및 척 전극(140; 240; 340) 사이에 전압을 가하기 위한 전압 소스(150; 250; 350)를 구비하고 있어서, 200-1500 V, 적절하게는 500-1000 V의 직류 전압을 발생시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 제 2 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 척 전극(440)은 다수의 상이한 극성을 가진 영역을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제 2 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 공정 스테이션(582-588)은 척 전극(140; 240; 340; 440) 및 캐리어(120; 220; 320; 420) 사이에 가스를 공급하기 위한 가스공급구(142; 242; 342; 442)를 구비하고 있어서, 100 Pa 이상의 가스압력을 발생시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 기판(130; 230; 330; 430)을 고정/이송시키기 위한 제 1항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 장치의 프레임에 있어서, 캐리어(120; 220; 320; 420) 특히 필름에 고정되도록 설계된 것을 특징으로 하는 프레임.
  12. 제 11 항에 있어서, 캐리어(120; 220; 320)가 고정된 전도층(122; 222; 322)이 전도영역을 통해 접촉될 수 있도록 최소한 일부분이 전도성인 것을 특징으로 하는 프레임.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 따른 프레임에 고정되는 필름에 있어서, 한면에는 금속 증착 또는 전도성 폴리머로 형성된 전도층(122; 222; 322)을 구비하고 있고, 진공증착성으로 열안정성이 있으며, 필름은 부전도성의 유전체 물질 특히 폴리이미도 형성된 것을 특징으로 하는 필름.
  14. 제 2 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 장치용 공정 스테이션에 있어서, 척 전극(140; 240; 340; 440)에는 평평한 외면(141; 241; 341; 441)이 형성되어 있고, 길이는 기판(130; 230; 330 430)의 최소한 하나의 주 표면과 동일하며, 척 전극(140; 240; 340; 440)이 캐리어(120; 220; 320; 420)와 함께 척 전극의 외면(141; 241; 341; 441)과 평행하게 인접함으로써 정전기적 척 장치를 형성하는 것을 특징으로 하는 공정 스테이션.
  15. 기판(130; 230; 330; 430) 특히 반도체 웨이퍼를 진공처리장치에서 처리하는 방법에 있어서, 기판(130; 230; 330; 430)을 고정/이송하기 위해서 프레임(110; 210; 310; 410)에 고정된 캐리어(120; 220; 320; 420)에 대면적에 걸쳐 고정시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 기판(130; 230; 330; 430)이 진공수단 및 탈접착수단에 의해서 캐리어(120; 220; 320; 420)의 제 1 평면(121; 221; 321; 421)에 접착시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 척 전극(140; 240; 340; 440)의 캐리어(120; 220; 320; 420)의 제 2 평면과 평행하게 인접하여 배치시키며, 제 2 평면(123; 223; 323; 423)은 제 1 평면(121; 221; 321; 421)의 반대쪽에 배치하는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제 17 항에 있어서, 캐리어(120; 320; 420)의 제 1 평면(121; 321; 421)에 전도층(122; 322; 422)을 형성시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제 18 항에 있어서, 척 전극(347)을 라디오주파수 전극(345)에 의해서 형성된 동체에 설치하고, 척 전극(347)이 라디오주파수 전극(345)으로부터 전기 절연되도록 하여서 절연된 리드스루(348)에 의해서 척 전극(347)과 라디오주파수 전극(345) 사이에 전압을 가하는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제 17 항에 있어서, 캐리어(220)의 제 2 면(223)에는 전도층(222)을 형성시키고, 척 전극(240)과 캐리어(220)의 제 2 평면(223) 사이에 유전체(243)를 형성시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제 17 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서, 프레임(110; 210; 310) 및 척 전극(140; 240; 340) 사이에 전압을 가하는 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 제 17 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서, 기판(130; 230; 330; 430)의 온도를 제어하기 위해서 대기압보다 높은 압력으로 캐리어(120; 220; 320; 420)의 제 2 평면(123; 223; 323; 423) 및 척 전극(140; 240; 340; 440)의 평평한 외면(141; 241; 341; 441) 사이로 가스를 주입하는 것을 특징으로 하는 방법.
  23. 제 17 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서, 기판(130; 230; 30)을 해제하기 위해서, 캐리어(120; 220; 320)의 전도층(122; 222; 322)을 척 전극(140; 240; 340)으로부터 단락시키는 것을 특징으로 하는 방법.
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