JP5959069B2 - 半導体プロセス用キャリア - Google Patents
半導体プロセス用キャリア Download PDFInfo
- Publication number
- JP5959069B2 JP5959069B2 JP2014144065A JP2014144065A JP5959069B2 JP 5959069 B2 JP5959069 B2 JP 5959069B2 JP 2014144065 A JP2014144065 A JP 2014144065A JP 2014144065 A JP2014144065 A JP 2014144065A JP 5959069 B2 JP5959069 B2 JP 5959069B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- base member
- semiconductor
- small
- transport base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
本発明は、半導体プロセス用として優れた特性を有するポリイミドフィルム2と、半導体製造装置で利用される6〜12インチサイズの大口径シリコン基板に、小基板を収容する収容部としての開口部10が形成されてなる搬送用ベース部1とから構成される。本発明に係る半導体プロセス用キャリアは、大口径シリコン基板を搬送用ベース部1として用いることから、搬送用ベース部1よりも小口径、又は異型の小基板を開口部10に備える構成であっても、半導体製造装置において大口径シリコン基板と認識される。本実施形態において、小基板(例えば、サファイア基板4)は、半導体製造装置外部での電界操作による静電チャックで開口部10に吸着されて収容され、そのままの状態で半導体製造装置内の所定位置に固定される。したがって、小基板を落下させることなく半導体製造装置での搬送とプロセス、加工を行うことが可能となる。なお、ポリイミドフィルム2には、洗浄における耐薬品性とともに、耐熱性、耐摩耗性、アウトガスが少ない等の特性がある。
2)融点がなく、500℃以上でなければ炭化をはじめず、非延焼性である。
3)ほとんど全ての有機溶剤に溶けず、高温においても高い耐化学薬品性を有する。
4)高い絶縁破壊電圧、小さな誘電損失などの優れた電気特性を、広い温度範囲おいて有する。
また、本発明に係る半導体プロセス用キャリアは、図6に示す構成をその範囲に含む。すなわち、参考例1に係る半導体プロセス用キャリアは、例えば、図6(b)に示すように、大口径シリコン基板からなる搬送用ベース部1aと、この搬送ベース部1a上に形成され、小基板(例えば、サファイア基板4)を収容して保持する収容部としての、基板挿入部7a及び基板収容部7bからなる平面視略C字状の構造体7とから構成されている。
また、本発明に係る半導体プロセス用キャリアは、図7(a)〜(d)に示す構成をその範囲に含む。すなわち、第2実施形態に係る半導体プロセス用キャリアは、図7(a)、(b)に示すように、大口径シリコン基板からなる搬送用ベース部1bと、この搬送ベース部1b上の中央部に回転可能に設けられる回転体91と、搬送用ベース部材1b上の周縁部に複数設けられる第一片部としての半円リング片部92とから構成されている。第2実施形態に係る半導体プロセス用キャリアでは、回転体91と半円リング片部92とで小基板(例えば、サファイア基板4)を収容する収容部が構成される。
また、本発明に係る半導体プロセス用キャリアは、図9(a)、(b)に示す構成をその範囲に含む。すなわち、参考例2に係る半導体プロセス用キャリアは、大口径シリコン基板からなる搬送用ベース部1cと、この搬送ベース部1c上の周縁部に設けられる二以上(図9(a)において3つ)の第二片部としてのリング片部A1と、このリング片部A1に嵌合する外側に突出したリング片状の嵌合突部A2aが形成されている略円形状の蓋部材A2とで構成されている。参考例2に係る半導体プロセス用キャリアでは、リング片部A1と蓋部材A2とで小基板(例えば、サファイア基板4)を収容する収容部が構成される。具体的には、リング片部A1の間にサファイア基板4を収容した状態で、蓋部材A2の嵌合突部A2aをリング片部A1に嵌合させ、サファイア基板4を蓋部材A2で覆って、サファイア基板4を搬送用ベース部1c上に保持している。
<プロセス1>
搬送ベース部の作製するにあたり、エアスピンドル法による穴加工を施した。このとき、ベース基板の基準(ノッチ又はオリフラ)と搭載ウエハの基準(オリフラ)が位置精度でX,Y<±200μm、Θ<1度を実現できるように、刳り貫き面に、少なくとも二つの支点を加工する。二つの支点とは、オリフラ面の支点とこのオリフラ面に直行する支点である(図3参照)。
ポリイミドフィルムの加工にあたり、レーザ加工を施した。
接着剤溶液の調整にあたり、溶剤可溶性のポリイミド溶液を入れて希釈して、自転公転ミキサーで混合しポリイミド接着溶液の濃度調整を行った。
接着剤のスピンコート法による塗布(全面張り)にあたり、SEMI規格の6インチシリコン基板上に、研磨プロセスで用いる両面テープをはりつけ、その上に熱剥離シートを貼り付け、その上に、上述のようにして作製した搬送用搬送ベース部を洗浄して貼り付けた。スピンコーターで接着用の溶媒可溶ポリイミドを塗布した。塗布後、ホットプレートを用いて加熱乾燥し、最後に高温乾燥させた。溶媒は、加熱により揮発する。
大気雰囲気中で加熱加圧によりプレスした。
本実施例に係る半導体プロセス用キャリアについて、ガスエッチング装置で評価したところ、小基板に対して問題なくエッチングプロセスを行うことができた。
<プロセス1>
搬送ベース部の作製するにあたり、エアスピンドル法による穴加工を施した。
ポリイミドフィルムの加工にあたり、レーザ加工を施した。
接着剤溶液の調整にあたり、溶剤可溶性のポリイミド溶液を入れて希釈して、自転公転ミキサーで混合しポリイミド接着溶液の濃度調整を行った。
接着剤のスクリーン印刷法による塗布(部分張り)を施した。
真空中または大気雰囲気中での加熱加圧によりプレスした。ポリイミドフィルムとベース部の接着強度に関して、引張試験機にて180度方向へポリイミドフィルムを引き剥がすことにより測定したピール強度は250gf/cm以上であった。
本実施例に係る半導体プロセス用キャリアについて、水銀ランプのi線(365nm)を光源とした露光装置(ニコン製NSR2205i12D)用いて評価した。具体的には、3インチシリコン基板にポジ型フォトレジスト(AZ社製GXR602)を全面にスピンコートして構成した小基板を設置し、露光装置内で、静電チャックで吸着固定し、露光ステージ上で真空チャックをした状態で、露光量80mJ/cm2の条件で露光し、パターンを焼き付けた。その後2.38%濃度の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液にてパドル現像を行った。その結果、目的のレジストパターンが形成され、しかも現像液による仮固定剤への侵食も無く、3インチシリコン基板への接着強度は保たれていた。
<プロセス1>
基板挿入部及び基板収容部からなる構造体の作製にあたり、エアスピンドル法による穴加工を施し、シリコン基板をC型に切り抜いた。このとき、ベース基板の基準(ノッチ又はオリフラ)と搭載ウエハの基準(オリフラ)が位置精度でX,Y<±200μm、Θ<1度を実現できるように、刳り貫き面に、少なくとも二つの支点を加工する。二つの支点とは、オリフラ面の支点とこのオリフラ面に直行する支点である(例えば、図3参照)。また、搬送用ベース基板には、吸着用孔を形成した。
構造体を搬送用ベース部へ接合する為に、搬送用ベース部のシリコン基板、基板挿入部及び基板収容部からなる構造体の表面を洗浄し、研削時のパークル等を洗浄した。なお、表面に1μm以上のダストがないようにする。
シリコン表面のイオン化にあたり、搬送用ベース部のシリコン基板と構造体の特に基板収容部の表面をイオンで活性化させた。
搬送用ベース基板と基板収容部を加熱加圧し、さらに、プラズマ接合を行った。このとき、専用冶具を作成することで、アライメント精度を上げることができる。
さらに、シリコン表面のイオン化として、構造体の特に基板収容部及び基板挿入部の表面をイオンで活性化させた。
基板収容部及び基板挿入部を加熱加圧し、さらに、プラズマ接合を行った。このとき、専用冶具を作成することで、アライメント精度を上げることができる。
1a・・・搬送用ベース部(参考例1)
1b・・・搬送用ベース部(第2実施形態)
1c・・・搬送用ベース部(参考例2)
10・・・開口部
10d・・開口
10e・・開口縁
11・・・第1支点
12・・・第2支点
13・・・第3支点
14・・・基準点
2・・・・ポリイミドフィルム
3・・・・接着部
4・・・・サファイア基板(小基板)
5・・・・孔
5a・・・孔
6・・・・台座
8・・・・小基板着脱装置
7・・・・構造体
7a・・・基板挿入部
7b・・・基板収容部
71・・・第一層
71a・・段部構造
72・・・第二層
91・・・回転体
911・・回転部
912・・軸部
913・・カム部
911a・幅大部
92・・・半円リング片部
92a・・支持辺部
921・・土台部
922・・庇部
A1・・・リング片部
A1a・・中心側のフラグメント部分
A1b・・周縁側のフラグメント部分
A11・・土台部
A12・・庇部
A2・・・蓋部材
A2a・・嵌合突部
PB・・・プラズマ照射による表面活性化接合
T1・・・基板収容部における第二層の最大幅
T2・・・基板収容部における第一層の最大幅
T3・・・基板挿入部における第一層の幅
T4・・・基板挿入部における第一層の段部構造の段部高さ
T5・・・搬送用ベース部の厚み
T6・・・第一層の厚み
T7・・・第二層の厚み
Claims (4)
- 半導体基板からなる搬送用ベース部材を備え、この搬送用ベース部材よりも小口径の、又は前記搬送用ベース部材と異型の小基板を収容し、保持可能とする収容部が前記搬送用ベース部材に設けられている半導体プロセス用キャリアにおいて、
前記収容部が開口であって、この開口を覆うようにして前記搬送用ベース部材の一方の面に孔が形成されたポリイミドフィルムが配設されて構成され、
電界によって付与される吸着力及び前記孔を通じての真空吸着力によって前記小基板が前記収容部に保持され、かつ、前記吸着力が前記電界の遮断後に維持される、
ことを特徴とする半導体プロセス用キャリア。 - 前記小基板の前記収容部からの着脱が、電界操作により半導体装置外部で可能である、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体プロセス用キャリア。 - 前記ポリイミドフィルムの厚さが100ミクロン以下である、
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体プロセス用キャリア。 - 半導体基板からなる搬送用ベース部材を備え、この搬送用ベース部材よりも小口径の、又は前記搬送用ベース部材と異型の小基板を収容し、保持可能とする収容部が前記搬送用ベース部材に設けられている半導体プロセス用キャリアにおいて、
前記収容部が、前記搬送用ベース部材上の中央部に回転可能に設けられ、幅の大きい幅大部及び、この幅大部よりも幅の小さい幅小部を有する回転体と、前記搬送用ベース部材上の周縁部に設けられる第一片部とから構成され、
前記小基板の周縁部が、前記回転体の幅大部と前記第一片部とに係合することで、前記小基板が前記収容部で保持される、
ことを特徴とする半導体プロセス用キャリア。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014144065A JP5959069B2 (ja) | 2014-07-14 | 2014-07-14 | 半導体プロセス用キャリア |
TW104122781A TWI659488B (zh) | 2014-07-14 | 2015-07-14 | Semiconductor process carrier |
PCT/JP2015/070634 WO2016010158A1 (ja) | 2014-07-14 | 2015-07-14 | 半導体プロセス用キャリア |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014144065A JP5959069B2 (ja) | 2014-07-14 | 2014-07-14 | 半導体プロセス用キャリア |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016021465A JP2016021465A (ja) | 2016-02-04 |
JP5959069B2 true JP5959069B2 (ja) | 2016-08-02 |
Family
ID=55078643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014144065A Active JP5959069B2 (ja) | 2014-07-14 | 2014-07-14 | 半導体プロセス用キャリア |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5959069B2 (ja) |
TW (1) | TWI659488B (ja) |
WO (1) | WO2016010158A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5621142B2 (ja) * | 2013-04-02 | 2014-11-05 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 半導体プロセス用キャリア |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0727628Y2 (ja) * | 1989-11-20 | 1995-06-21 | 日本電信電話株式会社 | ウエハ保持治具 |
JPH10116760A (ja) * | 1996-10-08 | 1998-05-06 | Nikon Corp | 露光装置及び基板保持装置 |
JP3410366B2 (ja) * | 1998-06-19 | 2003-05-26 | 理学電機工業株式会社 | 蛍光x線分析用試料ホルダ |
JP3858669B2 (ja) * | 2001-11-06 | 2006-12-20 | 信越半導体株式会社 | 表面検査用補助治具を用いた同点測定方法 |
TWI327336B (en) * | 2003-01-13 | 2010-07-11 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Arrangement for processing a substrate |
JP4544231B2 (ja) * | 2006-10-06 | 2010-09-15 | パナソニック株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
TW200935506A (en) * | 2007-11-16 | 2009-08-16 | Panasonic Corp | Plasma dicing apparatus and semiconductor chip manufacturing method |
SG11201503050VA (en) * | 2012-08-23 | 2015-06-29 | Lintec Corp | Dicing sheet with protective film formation layer and method for producing chip |
US9136173B2 (en) * | 2012-11-07 | 2015-09-15 | Semiconductor Components Industries, Llc | Singulation method for semiconductor die having a layer of material along one major surface |
JP5621142B2 (ja) * | 2013-04-02 | 2014-11-05 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 半導体プロセス用キャリア |
-
2014
- 2014-07-14 JP JP2014144065A patent/JP5959069B2/ja active Active
-
2015
- 2015-07-14 TW TW104122781A patent/TWI659488B/zh active
- 2015-07-14 WO PCT/JP2015/070634 patent/WO2016010158A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI659488B (zh) | 2019-05-11 |
WO2016010158A1 (ja) | 2016-01-21 |
TW201613020A (en) | 2016-04-01 |
JP2016021465A (ja) | 2016-02-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5621142B2 (ja) | 半導体プロセス用キャリア | |
US7655316B2 (en) | Cleaning of a substrate support | |
JP2017500745A (ja) | 基板粒子生成が低減する基板支持装置 | |
TWI818942B (zh) | 接合裝置及接合方法 | |
JPWO2010095540A1 (ja) | ウェハ搬送用トレイ及びこのトレイ上にウェハを固定する方法 | |
JP4278046B2 (ja) | ヒータ機構付き静電チャック | |
WO2001027992A1 (fr) | Mecanisme empechant la chute d'un substrat, et testeur de substrats pourvus d'un tel mecanisme | |
JP2012112776A (ja) | チップ積層デバイス検査方法及びチップ積層デバイス再配列ユニット並びにチップ積層デバイス用検査装置 | |
JP5959069B2 (ja) | 半導体プロセス用キャリア | |
US6573979B2 (en) | Cleaning method for use in exposure apparatus | |
TW201349383A (zh) | 晶圓固持具 | |
JP2003258071A (ja) | 基板保持装置及び露光装置 | |
US9815091B2 (en) | Roll to roll wafer backside particle and contamination removal | |
US8015985B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method using the same | |
JP2004103799A (ja) | 基板保持装置、デバイス製造装置及びデバイス製造方法 | |
JP2002313891A (ja) | 基板搬送用トレーおよびその製造方法 | |
TW201939659A (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JP2006093203A (ja) | 円形平面基板の吸着支持装置 | |
TWI705518B (zh) | 基板處理裝置、及基板處理方法 | |
JP4539981B2 (ja) | 基板保持装置 | |
JP2009081250A (ja) | スピンコーター用チャック及びそれを用いたスピンコート方法 | |
JP7469937B2 (ja) | スタンプツール保持装置および素子アレイの製造方法 | |
CN110556331B (zh) | 一种复合材料及使用该材料的静电卡盘的制造方法 | |
JP5560729B2 (ja) | 吸着検出方法、積層半導体製造方法、吸着装置および積層半導体製造装置 | |
JPH0547906A (ja) | 板状物保持手段およびそれを用いた装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160108 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160607 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160617 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5959069 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |