TWI659488B

TWI659488B - Semiconductor process carrier

Info

Publication number: TWI659488B
Application number: TW104122781A
Authority: TW
Inventors: 板谷太郎; 石井裕之; 天野佳之; 林恒幸
Original assignee: 國立研究開發法人產業技術總合研究所
Priority date: 2014-07-14
Filing date: 2015-07-14
Publication date: 2019-05-11
Also published as: JP2016021465A; TW201613020A; JP5959069B2; WO2016010158A1

Abstract

提供使用與大口徑矽基板對應之半導體製造裝置，進行藍寶石基板等之小基板的製程之時，藉由將小基板吸附固定在消除尺寸差異的配接件板上，即使在垂直方向或反轉方向時小基板亦不會掉落的半導體製程用載具。

因使藍寶石基板(4)適用於與大口徑矽基板對應之半導體製造裝置，故在由大口徑矽基板所構成之搬運基座部(1)藉由孔加工施予開口部(10)，在其背面接合黏貼聚醯亞胺膜(2)而構成半導體製程用載具，在該半導體製程用載具中可成為對應於藍寶石基板(4)之真空吸盤和靜電吸盤，可在半導體製造裝置之外部進行藍寶石基板(4)對搬運基座部(1)之開口部(10)的安裝拆卸，不用改造半導體製造裝置等，適合於其搬運或製程。

Description

半導體製程用載具

本發明係關於在與大口徑矽基板對應之半導體製造裝置中用以進行小口徑或異型之半導體基板(小基板)之各種製程的半導體製程用載具。

在半導體元件及電路之製造中，主要對矽元件進行以微細化為首的生產技術之高度化。矽元件之生產技術之高度化係以基板尺寸之擴大和加工尺寸之微細化為一體來推動，同時進行技術之高度化和製造成本之降低。

矽以外之化合物半導體之產業規模，至2000年為止，對比於矽元件僅止於1%以下。但是，在2010年之後，使用GaN系材料之LED產業之成長或使用SiC系材料之功率元件之實用化、使用GaAs系材料之以智慧型手機為代表的無線元件市場擴大，對比於矽元件超過1%。可以預料今後其比率越來越擴大。該些之化合物半導體元件用半導體基板之尺寸通常為4吋以下，但今後也將進入6吋化或8吋化之範圍。因此，需要可以與小口徑基板對應的高度生產技術。再者，在微型機械系統或奈米機器系統中，多採用與舊世代的6吋以下之小口徑之晶圓對應的製造裝置。並且，也需要可以與三次元安裝等之後工程中之長方形之半導體基板般之異型晶圓或晶片對應的感測技術。

但是，在現狀中，於每次變更基板尺寸之時，需要裝置之搬運系統或加工系統之更換或改造，而且，不只改造一台之半導體製造裝置，需要改造所有之製造工程裝置之搬運系統和加工系統，改造費用成為極大負擔。

鑒於如此之狀況，無需對半導體製造裝置之搬運系統或加工系統進行更換或改造，可對小口徑之半導體基板或異型之基板進行製程的手段，無論在經濟面上、泛用性上均有強烈需求。

至現在，採用在適應於製程裝置之搬運系統之基板形成擴孔加工等之口袋形狀，在其中搭載小口徑半導體基板而適應於裝置搬運系統的對策(例如，日本特開平10-79418號公報：專利文獻1)。此外，亦採取簡單地藉由蠟等將多種暫時固定劑、接著材貼合在適應基板上等之對策。

在專利文獻1中所提案之發明係關於曝光用之基板或光罩之搬運，再者，與基板被「載置」在搬運用配接件上的狀態下被搬運之狀況對應。再者，為了實現位置精度，由於以「具備用以限制基板之周圍的限制構件」為要件，故難以適用於一般之半導體製造裝置。這係因為使用真空吸附或靜電吸盤對半導體基板進行搬運或製程、加工之途中基板於垂直方向或上下反轉之時，所設置的半導體基板會落下，或有也需要耐高溫之情形之故。

關於與使用聚醯亞胺膜之半導體製造和搬運有關的專利，日本特開平5-114618號公報(專利文獻2)係與使用聚醯亞胺膜製薄膜有關的元件密封法的專利。日本特開平9-162247號公報(專利文獻3)係與使用聚醯亞胺膠帶之安裝手法有關的專利，日本特開2002-134567號公報(專利文獻4)係與使用於安裝之聚醯亞胺底膜有關的專利。日本特開2003-34736號公報(專利文獻5)係與使用聚醯亞胺膜之TAB膠帶有關的專利，日本特開2004-7160號公報(專利文獻6)係與在聚醯亞胺膠帶上安裝晶片有關的專利。日本特開2006-518930號公報(專利文獻7)係與在裝置內設置與聚醯亞胺膜和導電性膜之複合基板使成為靜電吸盤之手法有關的專利。因此，本發明所欲解決之課題並非針對以在後述般之半導體製造裝置中之一般搬運或製程、加工為對象者。

再者，日本特開2003-142563號公報(專利文獻8)係關於在矽晶圓形成挖空部，覆蓋該挖空部在底面安裝接著性之膜，藉由真空吸盤在挖空部內保持小基板，進行小基板之製程之手段的提案。但是，在該手法中，需要接著性之膜，再者為了在挖空部內保持小基板需要真空吸盤等之限制。在日本特開平3-73452(專利文獻9)或日本特開2000-9665(專利文獻10)提案有與晶圓保持治具關連的發明。但是，需擔心有材質以鋁合金為前提而受到限制(專利文獻9)、晶圓之固定方法僅從側面推壓而反轉時試料會落下之虞(專利文獻10)等。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開平10-79418號公報

[專利文獻2]日本特開平5-114618號公報

[專利文獻3]日本特開平9-162247號公報

[專利文獻4]日本特開2002-134567號公報

[專利文獻5]日本特開2003-34736號公報

[專利文獻6]日本特開2004-7160號公報

[專利文獻7]日本特表2006-518930號公報

[專利文獻8]日本特開2003-142563號公報

[專利文獻9]日本實開平3-73452號之微縮膠片

[專利文獻10]日本特開2000-9665號公報

本發明係鑒於上述情形，以提供在與大口徑矽基板對應之半導體製造裝置中，可不用改造地進行對小口徑或異型之半導體基板(小基板)進行搬運加工等之製程的半導體製程用載具為目的。又，以提供可進行近年來受到注目的當作半導體材料被期待之SiC或GaN等的高溫製程，可以用於一般的半導體製造製程的半導體製程用載具為目的。

為了達成上述目的，本發明具備由半導體基板所構成之搬運用基座構件，且在該搬運用基座構件上設置有收容部，該收容部係收容較該搬運用基座構件為小口徑，或是與上述搬運用基座構件為異型之小基板，且設為能夠保持，該半導體製程用載具之特徵在於：上述收容部為開口，以覆蓋該開口之方式，在搬運用基座構件之一方之表面配設聚醯亞胺膜而構成，藉由電場賦予的吸附力使得上述小基板被保持於上述收容部，並且上述吸附力於上述電場之截斷後被維持。尤其，以上述小基板從上述收容部之安裝拆卸可在半導體裝置外部藉由電場操作為特徵。

而且，在該半導體製程用載具中，以上述上述聚醯亞胺膜之厚度為100微米以下作為特徵。再者，以上述開口係藉由空氣主軸(air spindle)方式之研削法或超音波加工法形成作為特徵。

本發明係一種半導體製程用載具，其具備由半導體基板所構成之搬運用基座構件，且在該搬運用基座構件上設置有收容部，該收容部係收容較該搬運用基座構件為小口徑，或是與上述搬運用基座構件為異型之小基板，且設為能夠保持，該半導體製程用載具之特徵在於：上述收容部被設為與上述搬運用基座構件相接之第一層，及被疊層在該第一層的第二層的疊層構造，由成為上述小基板之插入口的基板插入部，和收容上述小基板之時包圍其周緣部的基板收容部構成俯視觀看下略C字狀，在上述基板插入部中之上述第一層形成剖面觀看下在寬度方向凹陷成互不相同的階差構造，藉由該階差構造，上述小基板以對上述搬運用基座構件傾斜之方式被插入至上述基板插入部之後，被收容至上述基板收容部，依此上述小基板被保持在上述收容部。在該半導體製程用載具中，以上述第一層對上述搬運用基座構件的接合，以及上述第二層對上述第一層的接合使用藉由電漿照射的表面活化接合作為特徵。

本發明係一種半導體製程用載具，其具備由半導體基板所構成之搬運用基座構件，且在該搬運用基座構件上設置有收容部，該收容部係收容較該搬運用基座構件為小口徑，或是與上述搬運用基座構件為異型之小基板，且設為能夠保持，該半導體製程用載具之特徵在於：上述收容部可旋轉地被設置在上述搬運用基座構件上之中央部，由具有寬度大的大寬度部及寬度較該大寬度部小的小寬度部之旋轉體，和被設置在上述搬運用基座構件上之周緣部的第一片部所構成，藉由上述小基板之周緣部與上述旋轉體之大寬度部和上述第一片部卡合，上述小基板在上述收容部被保持。在該半導體製程用載具中，以上述旋轉體及上述第一片部對上述搬運用基座構件的接合，使用藉由電漿照射的表面活化接合作為特徵。

本發明係一種半導體製程用載具，其具備由半導體基板所構成之搬運用基座構件，且在該搬運用基座構件上設置有收容部，該收容部係收容較該搬運用基座構件為小口徑，或是與上述搬運用基座構件為異型之小基板，且設為能夠保持，該半導體製程用載具之特徵在於：上述收容部係由被設置在上述搬運用基座構件上之周緣部的兩個以上之第二片部，和形成有與該第二片部嵌合的突出至外側的嵌合突部之略圓形狀之蓋構件所構成，藉由在上述小基板被收容在二以上之上述第二片部之間的狀態下，上述蓋構件之嵌合突部與上述第二片部嵌合，上述小基板在上述收容部被保持。在該半導體製程用載具中，以上述第二片部對上述搬運用基座構件的接合，使用藉由電漿照射的表面活化接合作為特徵。

在與本發明有關之半導體製程用載具中，以形成有用以對小基板進行真空吸附固定或冷卻的孔為佳。除此之外，能夠保持小基板之收容部的加工，有可以藉由半導體製程實現的情形。

藉由與本發明有關之半導體製程用載具，不用進行半導體製造裝置之特殊改造，可以進行對應小基板的搬運系統或加工等之製程。即是，本發明中，在搬運用基座構件安裝聚醯亞胺膜之構成中，藉由對應於搬運用基座構件的真空吸盤或靜電吸盤，可成為藉由小基板吸附固定於搬運用基座構件或覆蓋小基板的固定。依此，在上述製程中，可以防止小基板在搬運中掉落或位置偏移之情形。而且，可成為小基板之高溫製程。特別係因可藉由電場操作在半導體裝置外部進行小基板從搬運用基座構件中之收容部安裝拆卸，故顯著改善處理容易度。

藉由活用該些優點，無須針對與大口徑矽基板對應之半導體製造裝置或與高溫對應的半導體製造裝置加以改造，可以適用於使用小基板之製程，有助於生產成本之降低與生產效率之提升。

再者，與本發明有關之半導體製程用載具中，例如作為半導體製造裝置之對象，係以具有實績的6吋、8吋等之大口徑矽晶圓為主的矽基板來構成搬運用基座構件。依此，搬運用基座構件之彈性係數或比重、熱膨脹係數等之物理常數幾乎與矽無任何差異。因此，比起使用陶瓷材料或金屬材料、玻璃等之矽以外的材料之時，難以產生在搬運系統或加工系統的故障。而且，因原樣地使用矽表面之反射條件，故容易檢測出成為半導體製程載具上之位置對準之基準的標記。由於在矽基板構成搬運用基座構件，因不含雜質，故不會有產生汙染之問題。

除此之外，藉由具備用以進行真空吸附固定之孔的構成，將小基板固定於搬運臂而進行搬運，於製程或進行加工之時，固定於裝置內之平台，可以防止小基板之脫落、掉落，於曝光之時可以防止精度下降。而且，藉由使成為位置對準之基準的標記位置，對基座基板之凹槽或定向平面成為高精度位置(X、Y<±200μm、Θ<1度)，能夠進行藉由自動對準的批次處理，可以大幅度地提升製程之處理量。

在本發明中，於搬運用基座構件安裝聚醯亞胺膜之構成中，因聚醯亞胺膜大致上可視為絕緣體，故藉由在半導體裝置外部的電場操作，可以將小基板直接吸附固定在收容部。可知在半導體製造裝置中為了不會使小基板掉落地進行搬運和製程、加工，在經驗上需要以15[gf/cm²]以上之吸附力被吸附至搬運用基座構件。因此，於需要靜電保持穩定的固定力之時，藉由增大施加電壓，可以取得15[gf/cm²]以上之吸附力。若施加3000V之電場時，在100μm以下之厚度的聚醯亞胺膜中可以確實地取得15[gf/cm²]以上之吸附力。並且，藉由在半導體裝置外部進行電場操作，亦可從搬運用基座構件之收容部取出小基板。

在與本發明有關之半導體製程用載具中，使用藉由電漿照射的表面活性接合，為將相當於收容小基板之收容部的各種構造接合至搬運用基座構件上的構成。藉由如此之構成，與本發明有關之半導體製程用載具，相對於將半導體基板以同心圓狀地放置於圓盤狀之旋轉體，且一面使旋轉一面進行離子植入的離子植入裝置，或使晶圓上下移動之同時進行離子植入之離子植入裝置，亦無須改造即可使用。雖然藉由離子植入裝置的旋轉，對搬運用基座構件施加離心力(於300mm未滿之時，以r=50cm、1200rpm旋轉，於300mm之時，以r=750mm、750rpm旋轉等)，但是對於該離心力可以持續將小基板保持在收容部。再者，在使用SiC的功率電晶體製造中，由於也具有在600℃等之高溫下進行離子植入之工程，故需要具有耐熱性，並且能承受離心力之固定方法，對此本發明使用藉由電漿照射之表面活性接合，藉由將相當於收容部之各種之構造接合於搬運用基座構件上等而可以達成。

在此，在以往之半導體製程用載具中，所知的有當使用於高溫製程工程中時，會有由於殘留應變而產生龜裂之問題。即使在與本發明有關之使用聚醯亞胺之半導體製程用載具中，亦僅有500℃左右的耐熱性。於是，藉由提供下述對策：例如藉由將搬運用基座構件上之收容部構成俯視觀看略C字狀，利用藉由上述電漿照射的表面活化接合技術予以接合，可以解決該些問題。再者，即使提供下述對策：例如由設置在搬運用基座構件之中央部的可旋轉之旋轉體，和設置在搬運用基座構件之周緣部的第一片部構成搬運用基座構件上之收容部，藉由上述電漿照射之表面活化技術接合該些，亦可以解決上述問題。再者，即使提供下述對策：例如由設置在搬運基座構件之周緣部的第二片部，和形成有與該第二片部嵌合之嵌合突部之蓋構件，構成收容部，利用藉由上述電漿照射之表面活化接合技術來接合該些，亦可以解決上述問題。在如此之構成的半導體製程用載具中，即使進行11次的加熱循環試驗(在加熱溫度1000℃保持1小時)，經由紅外線影像確認出接合部(白色區域)之面積和分佈也不會引起變化。再者，由於可見光在載具部之干涉條紋之數量約20條(凹凸約6μm左右)並無變化，因此可以確認出並無產生由於加熱溫度1000℃之循環試驗所引起的彎曲或龜裂。藉由該結果，確認出與本發明之半導體製程用載具相當能承受退火製程。

1‧‧‧搬運用基座部

1a‧‧‧搬運用基座部(第2實施型態)

1b‧‧‧搬運用基座部(第3實施型態)

1c‧‧‧搬運用基座部(第4實施型態)

10‧‧‧開口部

10d‧‧‧開口

10e‧‧‧開口邊緣

11‧‧‧第1支點

12‧‧‧第2支點

13‧‧‧第3支點

14‧‧‧基準點

2‧‧‧聚醯亞胺膜

3‧‧‧接著部

4‧‧‧藍寶石基板(小基板)

5‧‧‧孔

5a‧‧‧孔

6‧‧‧台座

8‧‧‧小基板安裝拆卸裝置

7‧‧‧構造體

7a‧‧‧基板插入部

7b‧‧‧基板收容部

71‧‧‧第一層

71a‧‧‧階差構造

72‧‧‧第二層

91‧‧‧旋轉體

911‧‧‧旋轉部

912‧‧‧軸部

913‧‧‧凸輪部

911a‧‧‧大寬度部

92‧‧‧半圓環片部

92a‧‧‧支撐邊部

921‧‧‧基底部

922‧‧‧簷部

A1‧‧‧環片部

A1a‧‧‧中心側之分段部分

A1b‧‧‧周緣側之分段部分

A11‧‧‧基底部

A12‧‧‧簷部

A2‧‧‧蓋構件

A2a‧‧‧嵌合突部

PB‧‧‧藉由電漿照射的表面活化接合

T1‧‧‧基板收容部中之第二層之最大寬度

T2‧‧‧基板收容部中之第一層之最大寬度

T3‧‧‧基板插入部中之第一層之寬度

T4‧‧‧基板插入部中之第一層之段部構造之段部高度

T5‧‧‧搬運用基座部之厚度

T6‧‧‧第一層之厚度

T7‧‧‧第二層之厚度

圖1係關於與本發明有關之半導體製程用載具之第1實施型態，以剖面說明其構成的剖面說明圖。

圖2係關於與本發明有關之半導體製程用載具之第1實施型態，以剖面說明收容有小基板之狀態的剖面說明圖。

圖3係圖2之概略平面圖。

圖4係在第1實施型態中，關於被設置在搬運用基座部之開口部，說明其變化之說明圖，(a)為說明一邊接觸之例說明圖，(b)為說明二邊接觸之例的說明圖，(c)及(d)為說明三邊接觸之例的說明圖。

圖5係在第1實施型態中，說明藉由在半導體裝置外部進行電場操作，小基板從開口安裝拆卸的說明圖。

圖6係說明與本發明有關之半導體製程用載體之第2實施型態之構成的說明圖，(a)為平面說明圖，(b)為(a) 之C-C剖面說明圖，(c)為(a)之D-D剖面說明圖，(d)為(a)之E-E剖面說明圖，(e)為(a)之A-A剖面說明圖，(f)為(a)之B-B剖面說明圖。

圖7為說明與本發明有關之半導體製程用載具之第3實施型態之構成的說明圖，(a)為無保持小基板之狀態的平面說明圖，(c)為(a)之A-A剖面圖，(d)為(b)之B-B剖面圖。

圖8係在第3實施型態中，以平面圖及剖面圖表示並說明其重要部位(旋轉體)之重要部位說明圖，(a)為不保持小基板之狀態的重要部位平面說明圖和其A-A剖面圖，(b)為保持有小基板之狀態之重要部位平面說明圖和其B-B剖面圖。

圖9係說明與本發明有關之半導體製程用載具之第4實施型態之構成的說明圖，(a)為平面說明圖，(b)為(a)之A-A剖面說明圖。

以下，參照圖面說明本發明幾個實施型態。以下說明之實施型態僅為本發明之例，本發明在不脫離申請專利範圍記載的事項範圍內可做各種設計變更。

(第1實施型態)

本發明係由以下構成：聚醯亞胺膜2，其作為半導體製程具有良好特性；搬運用基座部1，其係在半導體製造裝置中所使用的6~12吋尺寸之大口徑矽基板，形成當作收容小基板之收容部的開口部10而構成。與本發明有關之半導體製程用載具由於係將大口徑矽基板當作搬運用基座部1使用，故即使在開口部10具備較搬運用基座部1小口徑或是異型之小基板的構成，在半導體製造裝置中亦辨識為大口徑矽基板。在本實施形態中，小基板(例如，藍寶石基板4)係藉由在半導體製造裝置外部的電場操作的靜電吸盤被吸附且收容於開口部10在如此之狀態下被固定於半導體製造裝置內之特定位置。因此，不會使小基板掉落，可進行半導體製造裝置之搬運和製程、加工。並且，聚醯亞胺膜2具有洗淨時的耐藥品性，還有耐熱性、耐磨耗性、逸出氣體少等之特性。

與第1實施形態有關之半導體製程用載具例如圖1所示般，在100μm以下之厚度之絕緣體的聚醯亞胺膜2上，載置形成有藍寶石基板4之特定形狀之開口部10之搬運用基座部1而構成。聚醯亞胺膜2和搬運用基座部1係藉由被加熱至300~400℃而被接著。作為接著劑，若為熱硬化型、溶融接著型或熱可塑型之性質的接著劑，則可以採用各種接著劑。例如，由以環氧或溶劑可溶性之聚醯亞胺材等為首之具有耐熱性之接著劑所構成之接著部3接著聚醯亞胺膜2和搬運用基座部1。在聚醯亞胺膜2形成有用以在半導體製造裝置內之特定位置真空吸附固定小基板，或在半導體製造裝置內進行冷卻的孔5。

搬運用基座部1係例如直徑為6~12吋之規格品的矽晶圓，從泛用性之觀點來看為佳。小基板為較搬運用基座部1小口徑，或是與搬運用基座部1之晶圓形狀不同的異型(例如，矩形狀)之構成時，則可以採用。作為小基板之種類，除了在本實施型態中例示之藍寶石基板4之外，可為GaN基板、SiC基板、GaAs基板等之例。

而且，如圖2及圖3所示般，當作小基板之藍寶石基板4係被收容在形成於搬運用基座部1之特定形狀的開口部10，並且被載置在半導體製造裝置內之特定位置(例如，台座6)。尤其，如圖3所示般，被形成在搬運用基座部1之開口部10具有：第1支點11，其係用於支撐沿著藍寶石基板4之結晶方位而形成的定位平面；和第2支點12，其係用於從相對於該第1支點11成為直角之位置支撐藍寶石基板4。再者，從對準機構之準確性來看以具有第3支點13為佳，該第3支點可從與第2支點12支撐藍寶石基板4之方向呈180度相反之方向，以點方式來支撐藍寶石基板4。並且，如圖3所示般，以均勻的表面處理之觀點來看，在搬運用基座部1上，在定位平面會凹槽之位置形成搬運用基座部1之基準點14，其將成為被吸附在平台上之位置的基準。

再者，開口部10之形狀若加工成具有如圖 4(a)所示般藉由在藍寶石基板4和第1支點11接觸之一邊接觸來保證位置精度之形狀，如圖4(b)所示般藉由在第1支點11及第2支點12之兩邊接觸的兩邊接觸來保證位置精度之形狀即可。或是，若加工成具有如圖4(c)、圖4(d) 所示般在第1支點11、第2支點12及第3支點13之兩邊及一點接觸的複雜形狀之接觸中之任一方式即可。

在與第1實施型態有關之半導體製程用載具中，如圖5所示般，藉由在半導體製造裝置之外部之小基板安裝拆卸裝置8中進行電場操作，可以在搬運用基座部1之開口部10吸附藍寶石基板4。再者，藉由在半導體製造裝置之外部之小基板安裝拆卸裝置8中進行電場操作，可以從搬運用基座部1之開口部10剝離藍寶石基板4。

首先，將藍寶石基板4收容至搬運用基座部1 之開口部10(參照圖5下部)，載置於小基板安裝拆卸裝置8中設置有電場操作部的特定位置(參照圖5中央部)。在小基板安裝拆卸裝置8之電場操作部中，施加例如1kV之電場，以靜電吸盤將藍寶石基板4吸附於搬運用基座部1之開口部10，並將藍寶石基板4固定於以聚醯亞胺膜2和開口部10所包圍之空間。在本發明中，即使在電場之截斷後，藉由殘留之靜電力，維持藍寶石基板4被吸附至搬運用基座部1之開口部10(參照圖5上部)。

再者，將藍寶石基板4收容至搬運用基座部1 之開口部10之本發明的半導體製程用載具，於例如在半導體製造裝置進行特定之製程之後(參照圖5上部)，載置在小基板安裝拆卸裝置8中設置有電場操作部之特定位置(參照圖5中央部)。而且，在小基板安裝拆卸裝置8中，施加與靜電吸盤時相反方向之電場，可以抵銷殘留之靜電力，依此，可以從搬運用基座部1之開口部1剝離藍寶石基板4(參照圖5下部)。

在小基板安裝拆卸裝置8之電場操作部中，於將藍寶石基板4吸附至搬運用基座部1之開口部10之時，若施加例如1000~5000V之電場即可。施加電場之強度係可以透過與聚醯亞胺膜2之厚度的關連性來決定。例如，聚醯亞胺膜2之厚度為100μm之時，若施加3000V之電場時即可，當聚醯亞胺膜2之厚度為50μm之時，若施加1500V之電場時即可。依此，可以藉由15[gf/cm²]以上之吸附力，將藍寶石基板4吸附至搬運用基座部1之開口部10。若為15[gf/cm²]以上之吸附力時，在經驗上可知可以穩定地保持。

再者，亦可以將電場強度當作固定值，且以聚醯亞胺膜2之厚度決定使藍寶石基板4吸附至搬運用基座部1之開口部10之吸附力。

而且，在本發明中，在搬運用基座部1之開口部10，吸附、保持藍寶石基板4之後，通過被形成在聚醯亞胺膜2之孔5等，在半導體製造裝置內之特定位置真空吸附固定，並可以進行藍寶石基板4之搬運或製程、加工。再者，通過孔5，可以在半導體製造裝置內冷卻與本發明有關之半導體製程用載具及吸附、保持於開口部10之藍寶石基板4。

聚醯亞胺通常指芳香族化合物直接藉由以聚醯亞胺鍵結連結而呈的芳香族聚醯亞胺，透過芳香族醯亞胺鍵結而具有共軛構造，具有剛硬強固的分子結構，而且醯亞胺鍵結具有強的分子間作用力，於高分子中具有最高級的高熱、機械、化學性質，因此適合用於作為構成本發明之構件。例如，杜邦公司製的Kapton(註冊商標)係聚醯亞胺膜，係藉由芳香族四元酸和芳香族二胺的縮合聚合而獲得，由於具有以下特徵，因此適合使用於作為構成本發明之構件。

1)常溫的機械特性即使在高溫區域亦大致無變化。

2)沒有融點，非500℃以上不會開始碳化，為非延燒性。

3)幾乎不溶解於全部的有機溶劑，於高溫亦具有高耐化學藥品性。

4)在寬廣的溫度範圍具有高的絕緣破壞電壓，小的介電損失等良好電特性。

另外，UpileX(註冊商標)系聚醯亞胺膜為宇部興產(股份有限公司)的製品，係使用與Kapton系不同的芳香系芳香族四元酸二酐為原料，但是具有與Kapton系同樣良好的機械特性、電絕緣性、耐藥品性、耐熱性。再者，由相同原料構成的U-清漆因塗佈於基材，藉由高溫燒結除去溶媒，並且進行醯亞胺化反應，而成為具有與薄膜類似之特性的聚醯亞胺覆膜，故容易形成聚醯亞胺薄膜。由上述可知，薄膜與清漆均適合用於作為構成本發明之構件。

此外，作為表示高耐熱特性之被稱為超級工程塑膠(Super Engineering Plasric)的耐熱性塑膠的代表，例如有聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚碸(PSF)、聚醚碸(PES)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚醯胺醯亞胺(PAI)、聚醚醚酮(PEEK)及液晶聚酯(LCP)，均可當作構成本發明之構件使用。一般而言，短期耐熱性在200℃以上，長期耐熱性為150℃以上之耐熱性塑膠可以當作構成本發明之構件使用。

在此，搬運用基座部1之開口部10之加工係藉由空氣主軸法、超音波法及其他各種方法達成。例如，藉由半導體製造裝置之加工、製程中，要求平坦度、尺寸精度，實現該些以空氣主軸法為有效。藉由該方法之高度方向之尺寸精度為10微米以下，表面粗度為0.2微米以下。再者，藉由超音波的加工也因用途不同而成為有力之方式。

另一方面，在微機器(MEMS)之製造中，係使用在基板之垂直剖面可實現高深寬比的被稱為Bosch法的蝕刻方法，雖然蝕刻速度快，但是關於深度方向之尺寸精度具有形成依存性。一般而言，由於依形狀對於500微米之蝕刻深度會有300微米左右之偏差，故除了蝕刻法之外，可以藉由使用上述空氣主軸法或超音波加工法，一面提升作業效率，一面確保尺寸精度。

(第2實施型態)

再者，與本發明有關之半導體製程用載具之範圍包含圖6所示之構成。即是，與第2實施型態有關之半導體製程用載具例如圖6(b)所示般係由下述構件所構成：搬運用基座部1a，其係由大口徑矽基板所構成；和由基板插入部7a及基板收容部7b所構成之俯視觀看略C字狀之構造體7，其係被形成在該搬運基座部1a上，當作收容且保持小基板(例如藍寶石基板4)之收容部。

作為收容部之構造體7係如圖6(a)、(c)、 (d)、(e)、(f)所示般，具有與搬運用基座部1a接合之第一層71，及被疊層於該第一層71之第二層72之疊層構造。尤其，如圖6(e)、(f)所示般，基板插入部7a成為藍寶石基板4朝向構造體7的插入口，基板收容部7b收容藍寶石基板4之時，成為包圍其周緣部之收容部。而且，如圖6(f)所示般，在基板插入部7a中之第一層71部分形成有剖面觀看下在寬度方向凹陷互不相同的階差構造71a。藉由該階差構造71a，藍寶石基板4以對搬運用基座部1a傾斜之方式被插入至基板插入部7a。之後，藍寶石基板4通過基板插入部7a，接著被收容在基板收容部7b，被保持在以構造體7內之圖6(a)~(d)表示之處。

圖6(e)所示之基板收容部7b中之第二層72 之最大寬度T1較所收容之藍寶石基板4之直徑小。具體而言，較所收容之藍寶石基板4之直徑小400μm以上(較佳為較小基板之直徑小400μm~500μm)。圖6(e)所示之基板收容部7b中之第一層71之最大寬度T2較所收容之藍寶石基板4之直徑大。具體而言，較所收容之藍寶石基板 4之直徑大200μm以下(較佳為較小基板之直徑大100μm~200μm)。

再者，圖6(f)所示之基板插入部7a中之第一層71之寬度T3大於所收容之藍寶石基板4之直徑，具體而言，較所收容之藍寶石基板4之直徑大200μm以下之範圍(較佳為較小基板之直徑大100μm~200μm)。並且，圖6(f)所示之基板插入部7a中之第一層71之階差構造71a之階差高度T4，較所收容之藍寶石基板4之厚度大，具體而言較所收容之藍寶石基板4大100μm以下之範圍(較佳為較小基板之厚度大50μm~100μm)。

除此之外，在圖6中，搬運用基座部1a之厚度T5為600~650μm，第一層71之厚度T6為500~550μm，第二層72之厚度T7為400~450μm。

在第2實施型態中，與第1實施型態中之半導體製程用載具之構成不同的點係不需要聚醯亞胺膜2，不用設置開口部10，構成搬運用基座部1a。與第2實施型態有關之半導體製程用載具因不需要聚醯亞胺膜2，故為了將本發明真空吸附固定於半導體製造裝置內之特定位置，在搬運用基座部1a形成有用以在半導體製造裝置內冷卻本發明之孔5a。

並且，可以以藉由電漿照射之表面活化接合 PB實現第一層71對搬運用基座部1a之接合及第二層72對第一層71的接合。而且，即使藉由空氣主軸方式等之研削手段，從一片晶圓削出第一層71及第二層72而構成構造體7，並且以藉由電漿照射的表面活化接合PB等將該構造體接合至搬運用基座部1a亦可。構造體7可以由與矽不同之化合物半導體材料的藍寶石、GaN、SiC、GaAs等來構成。

而且，與第2實施型態有關之半導體製程用載具係在離子植入裝置、濺鍍或縱型CVD等之半導體製造裝置中，可以簡便當作用以加工小基板之載具使用。

(第3實施型態)

再者，與本發明有關之半導體製程用載具之範圍包含圖7(a)~(d)所示之構成。即是，與第3實施型態有關之半導體製程用載具係如圖7(a)、(b)所示般，由大口徑矽基板所構成之搬運用基座部1b，和可旋轉地被設置在該搬運基座部1b上之中央部的旋轉體91，和被設置複數個在搬運用基座構件1b上之周緣部之作為第一片部的半圓環片部92所構成。在與第3實施型態有關之半導體製程用載具中，以旋轉體91和半圓環片部92構成收容小基板(例如，藍寶石基板4)之收容部。

旋轉體91係如圖7(c)、(d)及圖8所示般，係由下述構件所構成：在搬運基座部1b之中央部朝水平方向旋轉之旋轉部911；和成為該旋轉部911之軸的軸部912；和被安裝在該軸部912，當作響應於旋轉部911之旋轉運動的凸輪而發揮功能，對旋轉軸911，施加成為旋轉之方向(水平方向)之直角的方向(垂直方向)之直線運動的凸輪部913。旋轉部911具有每90度在徑向增大寬度而形成的大寬度部91a，和該大寬度部911a以外之本體部分係寬度較大寬度部911a小的小寬度部。旋轉體911也可以如藉由從小寬度部之本體部分從在徑向每90度突出至外側之突部，形成大寬度部911a。

半圓環片部92係如圖7(a)、(b)所示般，作為半圓環狀之構造體，在搬運用基座構件1b上之周緣部於圓周方向每90度設置一處計4處上。具體而言，半圓環片部92之略U字之開口側(開放側)朝向搬運用基座構件1b之中央部被設置。再者，半圓環片部92係在其環內側形成支撐邊部92a，其係以邊支撐沿著藍寶石基板4之結晶方位而形成之定位平面。而且，半圓環片部92從圖7(c)、(d)可知為由基底部921，和較該基底部921突出至環內側的簷部922所構成之二層構造。如此一來，在半圓環片部92形成有當收容藍寶石基板4之時，其周緣部與簷部922卡合之構造。而且，在第3實施形態中，以旋轉體91和半圓環片部92在搬運基座部1b上收容藍寶石基板4之收容部存在4處。

在與第3實施形態有關之半導體製程用載具中，首先以支撐邊部92a支撐藍寶石基板4之定位平面，使其周緣部與半圓環片部92之簷部922卡合。而且，使旋轉體91之旋轉部911旋轉，使其大寬度部911a卡合與卡合於簷部922不同部分的藍寶石基板4之周緣部。依此，以旋轉體91之大寬度部911a和半圓環片部92保持藍寶石基板4之周緣部。

在第3實施形態中，如圖8所示般，例如可以藉由凸輪部913使旋轉體91之旋轉部911旋轉之動作限制在僅旋轉45度或315度的一定動作。即是，隨著使旋轉部911旋轉，藉由利用凸輪部913使旋轉部911上下等約200μm左右進行直線運動，使旋轉部911之上面抵接於軸部912之頭部下面，可以限制成旋轉部911不會再做更多旋轉(例如，45度或315度以上)。依此，可以迴避於以旋轉體91和半圓環片部92保持藍寶石基板4之後誤使旋轉部911旋轉，周緣部之卡合脫落而無法保持藍寶石基板4之情況。

並且，可以藉由電漿照射的表面活化接合PB 實現半圓環片部92對搬運用基座部1b之接合，及旋轉體91之軸部912對搬運用基座部1b之接合。半圓環片部92除矽之外，可以由與矽不同之化合物半導體材料的藍寶石、GaN、SiC、GaAs等來構成。旋轉體91之旋轉體911、軸部912及凸輪部913之各構件係金屬或合成樹脂、無機材料、有機材料中之任一者，可以由不會對半導體製造裝置之各種操作造成影響之材料所構成。

而且，與第3實施形態有關之半導體製程用載具例如藉由使具有耐熱性以作為全矽(all-silicon)製，可以在離子植入裝置等中簡便當作用以對小基板進行製程的載具使用。

(第4實施型態)

再者，與本發明有關之半導體製程用載具之範圍包含圖9(a)、(b)所示之構成。即是，與第4實施形態有關之半導體製程用載具係由係下述構件所構成：由大口徑矽基板所構成之搬運用基座部1c；被設置在該搬運基座部1c上之周緣部的兩個以上(圖9(a)中三個)之作為第二片部的環片部A1；形成有與該環片部A1卡合之突出外側的環片狀之嵌合突部A2a的略圓形狀之蓋構件A2。在與第4實施型態有關之半導體製程用載具中，以環片部A1和蓋構件A2構成收容小基板(例如，藍寶石基板4)之收容部。具體而言，在環片部A1之間收容藍寶石基板4之狀態下，使蓋構件A2之嵌合突部A2a嵌合於環片部A1，以蓋構件A2覆蓋藍寶石基板4，而將藍寶石基板4保持在搬運用基座部1c上。

環片部A1係作為將環狀之環體分割成幾個而分段化之形狀的構造體，被設置在搬運用基座構件1c上之周緣部於圓周方向每120度一處的合計3處上。若更詳細而言，在搬運用基座構件1c上之周緣部，合計3處之環片部A1若暫時使其兩端部互相延長時，則被設置在形成有環體之位置上。再者，環片部A1係以同心圓狀且一對並列之方式設置有搬運用基座構件1c上之中心側之分段部分A1a和周緣側之分段部分A1b。環片部A1之周緣側之分段部分A1b從圖9(b)可知為由基底部A11，和較該基底部A11更突出至環內側之簷部A12所構成之二層構造，在簷部A12卡合蓋構件A2之嵌合突部A2a。

蓋構件A2具有在外周形成有環片狀之嵌合突部A2a之略圓形狀，尤其具有開口之甜甜圈狀之形狀。嵌合突部A2a係對應於環片部A1之數量，在本實施型態中，設置有三個，以卡合於簷部A12之方式從外周突出至外側。為了將蓋構件A2安裝至搬運用基座構件1c上，若在搬運用基座構件1c上於周緣部每120度被設置在圓周方向之環片部A1之間，設置嵌合突部A2a之方式，將蓋構件A2載置在搬運用基座構件1c之後，使蓋構件A2本身旋轉，在簷部A12卡合嵌合突部A2a即可。

可以藉由電漿照射的表面活化接合PB實現環片部A1對搬運用基座部1c之接合。而且，藉由空氣主軸方式等之研削手段，可以從一片晶圓削出特定形狀之環體，將此加工成3個環片部A1，並將該些接合至搬運用基座部1c。環片部A1除矽之外，可以由與矽不同之化合物半導體材料的藍寶石、GaN、SiC、GaAs等來構成。並且，蓋構件92之上述構造也可以藉由空氣主軸方式等之研削手段，從兩片晶圓分別削出特定形狀之環體，將此接合，接著藉由進行外周研削，可以製作出上述般之構造。藉由使用研削手段，可預見蓋構件92之上述構造之對準之精度從使用接合之時之精度(例如，±0.1mm單位)提升至研削之精度(例如，±10μm單位)。

在本發明中，如上述般，藉由實現第1實施形態~第4實施形態之複數種半導體製程用載具，可以圓滑地對應於曝光、離子植入、蝕刻、沉積、接合等之半導體製造裝置之搬運，還有製程所需之要件。

1)曝光裝置之搬運時之加速度或旋轉雖然小，但是最終要求嚴格的位置精度。因此，相對於作為半導體製程用載具之位置之基準的標記，需要可以達成開口部之位置精度，及其中之小基板之固定方法的位置精度。在本發明中，第1實施形態、第2實施型態、第3實施型態及第4實施型態之半導體製程用載具為有效。

2)離子植入裝置通常為了達成面內均一性，具備於離子植入時可以進行各種旋轉之機構。而且，在其製程中大多被施加加速度及離心力。因此，在開口部載置小基板之構造、藉由構造體強力固定小基板之構造為有效。第2實施型態、第3實施型態、第4實施型態之半導體製程用載具為有效。

3)蝕刻裝置因矽載具之保持使用靜電吸盤，故載具本身需要可以對應於靜電吸盤。而且，即使在加工、製程中也需要維持保持狀態。因此，透過聚醯亞胺膜對小基板實施靜電吸盤吸附的構造為有效，即第1實施型態之半導體製程用載具為有效。

4)CVD、濺鍍等之薄膜沉積裝置需要搬運系統和能耐沉積時之溫度，聚醯亞胺膜的耐高溫特性可以發揮。因此，第1實施型態之半導體製程用載具為有效。

5)高溫退火等之高溫爐係在SiC中導入雜質，於離子植入之後半隨著高溫退火。於GaN中具有高溫之結晶生長製程。即使在矽中，雜質之擴散或氧化膜之形成、結晶生長等也使用高溫爐。為了應付該些高溫製程，在高溫下以無黏著或剝離之材料所形成為有效。因此，第3實施型態、第4實施型態之半導體製程用載具為有效。

再者，半導體製造用之製程中，係採用製造過程之重要處為了測量尺寸而配置電子顯微鏡之觀察、光學顯微鏡之觀察測量，或是X射線螢光分析之計測分析裝置，採用維持品質及早期發現異常之體制。於適用該些計測裝置之時，需要確保搬運用之靜電吸盤和小基板之位置精度，因此，第1實施型態之半導體製程用載具為有效。

[實施例]

以下，舉出幾個實施例詳細說明本發明。因試料之種類與大小，聚醯亞胺膜之種類和厚度，接著劑的種類和接著方法有多種多樣，故本發明並不僅限定於該些實施例。

(實施例1) [製程1]

於製作搬運基座部時，藉由空氣主軸法實施孔加工。此時，基座基板之基準(凹槽或定位平面)與搭載晶圓之基準(定位平面)，在位置精確度上係以可以實現X、Y<±200μm、Θ<1度之方式，於挖空面加工形成至少2個支點。2個支點為定位平面的支點及直通該定位平面的支點(參照圖3)。

[製程2]

於加工聚醯亞胺時，實施雷射加工。

[製程3]

於調整接著劑溶液時，放入溶劑可溶性之聚醯亞胺溶液並進行稀釋，以自轉公轉攪拌器混合而進行聚醯亞胺接著溶液之濃度調整。

[製程4]

於藉由旋轉塗佈法進行接著劑之塗佈(全面擴展)時，在SEMI規格之6吋矽基板上黏貼研磨製程用之兩面膠帶，在其上方黏貼熱剝離薄片，並於其上方將上述所製作出之搬運用基座部洗淨並予以貼合。以旋轉塗佈器塗佈接著用之溶媒可溶聚醯亞胺。於塗佈後，使用熱板進行加熱乾燥，最後進行高溫乾燥。溶媒藉由加熱而揮發。

[製程5]

於空氣中藉由加熱加壓進行沖壓。

[製程6]

針對使用與本實施例有關之半導體製程用載具，在氣體蝕刻裝置進行評估之結果，可以無問題地對小基板進行蝕刻製程。

(實施例2) [製程1]

於製作搬運基座部時，藉由空氣主軸法實施孔加工。

[製程2]

於加工聚醯亞胺膜時，實施雷射加工。

[製程3]

[製程4]

藉由網版印刷法進行接著劑之塗佈(部分擴展)。

[製程5]

於真空中或空氣中藉由加熱加壓進行沖壓。關於聚醯亞胺膜和基座部之接著強度，藉由拉伸試驗機朝180度方向剝離聚醯亞胺膜來測量剝離強度，結果為250gf/cm以上。

[製程6]

針對與本實施例有關之半導體製程用載具，使用以水銀燈之i線(365nm)為光源之曝光裝置(Nikon Corporation製NSR2205i12D)來進行評估。具體而言，將在3吋矽基板全面旋轉塗佈正型光阻劑(AZ公司製GXR602)而構成之小基板予以設置，於曝光裝置內藉由靜電吸盤進行吸附固定，於曝光台上以真空吸盤吸附之狀態下，以曝光量80mJ/cm²之條件進行曝光，燒結圖案。之後，以2.38%濃度之氫氧化四甲銨水溶液進行水坑顯影(puddle development)。其結果，形成目的之光阻圖案，而且無顯影液對暫時固定劑之侵蝕，可以確保對3吋矽基板的接著強度。

再者，測量吸著後之小基板之表面之平坦度之結果，因可得5μm內之平坦度，故可獲得和一般晶圓搬運同等之平坦度。經由微影成像製程之驗證，確認可以良好地形成線寬和間距寬微1.0μm和1.2μm之圖案。再者，在L圖案之驗證中，進行0.6μm、0.5μm、0.4μm、0.3μm、0.2μm之圖案形成，確認可以良好地形成至0.3μm為止的圖案。由該些結果可知不使用矽載具，而具有和使用通常的SEMI規格之8吋矽基板之時同等之結果，使用本發明之曝光製程為有效。

(實施例3) [製程1]

於製作由基板插入部及基板收容部所構成之構造體時，藉由空氣主軸法實施孔加工，將矽基板切空為C型。此時，基座基板之基準(凹槽或定位平面)與搭載晶圓之基準(定位平面)，在位置精確度上係以可以實現X、Y<±200μm、Θ<1度之方式，於挖空面加工形成至少2個支點。2個支點為定位平面的支點及直通該定位平面的支點(例如，參照圖3)。再者，在搬運用基座基板上形成吸附用孔。

[製程2]

為了將構造體接合於搬運用基座部，對搬運用基座部之矽基板、由基板插入部及基板收容部所構成之構造體之表面進行洗淨，洗淨研削時之微粒等。並且，使表面不存在1μm以上之微塵。

[製程3]

於矽表面之離子化時，藉由離子使搬運用基座部之矽基板和構造體尤其係基板收容部之表面活化。

[製程4]

進行搬運用基座基板和基板收容部之加熱加壓，並且進行電漿接合。此時，可以藉由製作專用治具來提升對準精度。

[製程5]

而且，就以使矽表面之離子化而言，係藉由離子使構造體尤其係基板收容部及基板插入部之表面活化。

[製程6]

進行基板收容部和基板插入部之加熱加壓，並且進行電漿接合。此時，可以藉由製作專用治具來提升對準精度。

並且，因為耐熱載具等係導體(矽、化合物晶圓)所構成，故無法由靜電吸盤將小基板吸附至耐熱載具。即是，因當具有導體時電場無法到達至其上的小基板，故無法將小基板吸附至耐熱載具。再者，雖然也考慮並非將導體(矽、化合物晶圓)，而係將具有聚醯亞胺以上之耐熱溫度並且100μm以下之薄膜材(例如，玻璃等)予以貼合之方法，但是因為會龜裂，因此無法使用。

在此，在使用上述第1實施型態等中所說明之聚醯亞胺膜而構成之半導體製程用載具中，具有如靜電吸盤之吸附般能夠使電性試料固定、分離的優點。也能夠藉由外部之移載機進行試料之固定、分離。再者，被電性固定之試料被長時間維持其固定狀態。於適用於蝕刻裝置之時，因屬於電性固定之力的吸附力強，故可以謀求試料之面內溫度分佈之均一性。於適用於曝光裝置之時，可以將試料面之平坦性加工成聚醯亞胺膜之平坦性(Ra=500nm/3mm以下)。於適用於計測裝置之時，因屬於電性固定之力的吸附力強，故能夠進行高速搬運，因如上述般平坦性提升，故可以提升測量精度。

再者，在上述第2實施型態、第3實施型態、第4實施型態等所說明之半導體製程用載具中，因實現耐旋轉或上下離心力之構造，故適用於離子植入裝置等。再者，藉由使成為全矽製可以使用至矽之溶點(約1000℃)，若以化合物材料取代矽來構成時，則有可提供耐更高溫之載具的可能性。再者，若利用藉由電漿照射之表面活化接合時，可以在搬運用基座部上圓滑地形成與裝置對應之構造。

[產業上之利用可能性]

如此一來，於大口徑矽基板用之半導體製造裝置中，藉由與本發明有關之半導體製程用載具，來實現使用小徑半導體基板之化合物半導體基板之製程，不需要改造生產線。而且，可以藉由變更本發明之半導體製程用載具來對應基板尺寸之變更。於生產線改造時，通常需要數千萬至1億日圓以上之大筆費用，以及裝置改造期間從下訂至交貨、動作確認為止需要3個月以上的期間。因此，藉由使用與本發明有關之半導體製程用載具，可以刪減製造期間和大幅度刪減費用。

再者，本發明不僅適用於半導體零件，即使在安裝零件或機械零件等之加工時在不影響加工構件的範圍內均可適用。

以上，雖然說明了本發明幾個實施型態，上述實施型態只不過本發明之例示，本發明若不脫離申請專利範圍記載的事項，可做各種設計變更。例如，構成本發明的由半導體基板所構成之搬運用基座部，除了以大口徑矽基板為基座來構成外，亦可以化合物半導體基板等為基座來構成。

Claims

一種半導體製程用載具，具備由半導體基板所構成之搬運用基座構件，且在該搬運用基座構件上設置有收容部，該收容部係收容較該搬運用基座構件為小口徑，或是與上述搬運用基座構件為異型之小基板，且設為能夠保持，該半導體製程用載具之特徵在於：上述收容部為開口，以覆蓋該開口之方式，在上述搬運用基座構件之一方之表面配設聚醯亞胺膜而構成，藉由電場賦予的吸附力使得上述小基板被保持於上述收容部，並且上述吸附力於上述電場之截斷後，藉由殘留之靜電力被維持。
如請求項1所記載之半導體製程用載具，其中上述小基板從上述收容部的安裝拆卸可在半導體裝置外部藉由電場操作來實施。
如請求項1或2所記載之半導體製程用載具，其中上述聚醯亞胺膜之厚度為100微米以下。
如請求項1或2項所記載之半導體製程用載具，其中上述開口係藉由空氣主軸(air spindle)方式之研削法或超音波加工法形成。
一種半導體製程用載具，具備由半導體基板所構成之搬運用基座構件，且在該搬運用基座構件上設置有收容部，該收容部係收容較該搬運用基座構件為小口徑，或是與上述搬運用基座構件為異型之小基板，且設為能夠保持，該半導體製程用載具之特徵在於：上述收容部被設為與上述搬運用基座構件相接之第一層，及被疊層在該第一層的第二層的疊層構造，由成為上述小基板之插入口的基板插入部，和收容上述小基板之時包圍其周緣部的基板收容部構成俯視觀看下略C字狀，在上述基板插入部中之上述第一層形成剖面觀看下在寬度方向凹陷成互不相同的階差構造，藉由該階差構造，上述小基板以對上述搬運用基座構件傾斜之方式被插入至上述基板插入部之後，被收容至上述基板收容部，依此上述小基板被保持在上述收容部。
如請求項5所記載之半導體製程用載具，其中上述第一層對上述搬運用基座構件的接合，以及上述第二層對上述第一層的接合使用藉由電漿照射的表面活化接合。
一種半導體製程用載具，具備由半導體基板所構成之搬運用基座構件，且在該搬運用基座構件上設置有收容部，該收容部係收容較該搬運用基座構件為小口徑，或是與上述搬運用基座構件為異型之小基板，且設為能夠保持，該半導體製程用載具之特徵在於：上述收容部可旋轉地被設置在上述搬運用基座構件上之中央部，由具有寬度大的大寬度部及寬度較該大寬度部小的小寬度部之旋轉體，和被設置在上述搬運用基座構件上之周緣部的第一片部所構成，藉由上述小基板之周緣部與上述旋轉體之大寬度部和上述第一片部卡合，上述小基板被保持在上述收容部。
如請求項7所記載之半導體製程用載具，其中上述旋轉體及上述第一片部對上述搬運用基座構件的接合，使用藉由電漿照射的表面活化接合。
一種半導體製程用載具，具備由半導體基板所構成之搬運用基座構件，且在該搬運用基座構件上設置有收容部，該收容部係收容較該搬運用基座構件為小口徑，或是與上述搬運用基座構件為異型之小基板，且設為能夠保持，該半導體製程用載具之特徵在於：上述收容部係由被設置在上述搬運用基座構件上之周緣部的兩個以上之第二片部，和形成有與該第二片部嵌合的突出至外側的嵌合突部之略圓形狀之蓋構件所構成，藉由在上述小基板被收容在兩個以上之上述第二片部之間的狀態下，上述蓋構件之嵌合突部與上述第二片部嵌合，上述小基板被保持在上述收容部。
如請求項9所記載之半導體製程用載具，其中上述第二片部對上述搬運用基座構件的接合，使用藉由電漿照射的表面活化接合。