TWI327336B - Arrangement for processing a substrate - Google Patents

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TWI327336B TW092137279A TW92137279A TWI327336B TW I327336 B TWI327336 B TW I327336B TW 092137279 A TW092137279 A TW 092137279A TW 92137279 A TW92137279 A TW 92137279A TW I327336 B TWI327336 B TW I327336B
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Description

1327336 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種基板（尤其是半導體晶圓）之加工裝 置，尤其是一種真空處理裝置，其包括至少一加工站。本 發明尚有關一種此裝置的加工站，一種此裝置的固持與輸 送框體、一種夾緊在框體中的薄膜及一種在真空處理裝置 中加工基板（尤其是半導體晶圓）的方法。 【先前技術】 製造積體電路的半導體晶圓通常在真空處理裝置中進 行加工，該真空處理裝置具一或多個加工站，使晶圓在一 真空室中以例如化學氣相沉積法（C V D )或物理氣相沉積法 (P V D)進行塗佈或蝕刻。此處重要的是，加工時晶圓需被機 械穩固支撐，且需控制其溫度，尤其是可排出晶圓的處理 熱。否則晶圓會被強烈增溫，而導致晶圓受損或被破壞。 為提高生產率使得晶圓有增大的趨勢，例如直徑為3 0 0 mm的晶圓，未來甚至可能出現更大的晶圓。此基板由於面 積大、厚度小（典型為0 . 8 m m或更小），故對加工時晶圓的 固持以及真空處理裝置中晶圓的輸送要求更高，因一極小 的力作用即可能導致晶圓受損或被破壞。為改善溫控部分 晶圓背面被研磨而使得厚度成為2 0 0 // m或更小，部分甚至 只有5 0 - 7 5 /z m。接著使磨薄的晶圓背面金屬化。此種薄基 板對固持及輸送的要求更高。 同時並需確保例如濺射等所出現處理熱的排出，因薄基 板熱容低而會極快速超過1 5 0 °C ，此溫度會使晶圓的塗層 5 312/發明說明書(補件)/93-03/92] 37279 1327336 系統受損。些許的增溫即可能有使基板沉積層產生熱應力 的危險，該熱應力在冷卻時會導致基板變形。處理熱的排 出在真空室中極困難，因熱輸送需以熱輻射進行。 美國專利第4,680,061號及第4, 743, 570號提出一種真 空室中晶圓的溫控方法。晶圓邊緣被承載板開孔中的多個 夾子夾住。冷卻時晶圓需鄰接一冷卻件的平坦表面，冷卻 件與晶圓背面間的狹小縫隙被輸入氬，以藉熱傳導而增強 晶圓對冷卻件的熱輸送。 美國專利第6, 477, 787 B2號（應用材料）提出一種在同 一室中加熱及冷卻基板的方法，而可捨棄分開的冷卻室。 冷卻機構包括一冷卻板，基板可被一輸送機構（例如一設有 朝向内之承載桿或多個支撐銷的輸送環）輸送。冷卻可利用 冷卻板與基板間的氣流而改善。 但這些專利中所提出的輸送及固持機構較不適用於面 積大、厚度小的基板，因固持時力不均勻分散於晶圓會產 生機械應力。背面氣體的壓力及熱的通過有上限，因氣體 壓力超過某一界限時，被邊緣或點狀固持的晶圓會開始變 形。因此無法達到有效的冷卻。 美國專利第5, 880, 924號（應用材料）提出一種靜電緊固 機構（Chuck)，其可快速固持及鬆脫基板，因其縮短靜電緊 固機構的充電及放電時間。該靜電緊固機構包括一上面放 置基板的介電層、一設在介電層内部的充電電極及一與充 電電極絕緣的放電電極，其中放電電極與介電層上的基板 接觸。 6 312/發明說明書(補件)/93-03/92丨37279 1327336 美國專利第6,238,160 B1號（台灣半導體製造 種在加工室中輸送及靜電緊固一半導體晶圓的方 臂在輸送時以靜電力夾住晶圓。其優點為，晶圓 預先充電，使得靜電緊固機構的緊固可簡化，故 工室中有一氣體電漿或充電電極與晶圓接觸。晶 靜電緊固機構上時，可藉一背面氣體，例如氦，ϋ 該氣體被輸送至晶圓與靜電緊固機構的間隙中。 靜電緊固機構可改善基板的固持。尤其是可使 具較高壓力，而不會使基板變形，故處理熱的排 但靜電緊固機構複雜且需要經常維修，尤其需 與基板接觸的元件。且機械敏感基板取離緊固機 有問題。其通常使用有間隔的針，靜電緊固機構 電時會導致基板受損或被破壞。 【發明内容】 本發明之目的在於提供一種上面所述的裝置， 單，維修容易，可加工薄及/或面積大的機械敏感 有受損或被破壞的危險。 本自的由申請專利範圍第1項特徵部分達成。 明，固持及/或輸送基板的機構至少包括一框體及 的承載體，基板大面積地固定在該承載體上。 大面積的固定使得基板被牢固固持而機械穩定 在邊緣或點狀固定的基板所不能達到。基板在加 持在承載體上，故可捨棄昂貴且會造成損傷的夾 工具並簡化裝置的結構。基板較佳在加工前固定 312/發明說明書(補件)/93-03/92 ] 37279 )提出一 法。失取 同時部分 可避免加 圓緊固在 L行控溫， 背面氣體 出較佳。 定期更換 構表面亦 不完全放 其結構簡 基板而沒 依據本發 夾在其中 ，此為只 工時被保 緊或移除 於承載體 7 1327336 上，並在輸送及加工時停留在該處，加工後才在裝置外部 將基板取離承載體。框體與承載體規律地被送出裝置，故 可簡單地進行檢查、維修或更換。 本發明不限於半導體晶圓的加工，而亦可用於多種面積 大及/或薄的工件，例如玻璃或塑膠體。尤其特別適合於進 行電子元件或太陽電池的加工。 基板較佳使用一適合真空且可移除的黏合劑黏在承載 體的第一平坦表面上。如此可確保大面積固定於承載體。 黏合劑較佳具一良好導熱性，以可排出熱。 加工站有利地設一靜電緊固機構，亦即一具一平坦表面 的緊固電極，承載體平行並鄰接電極該表面。對承載體的 大面積固定與對靜電緊固機構的大面積緊固之組合使得基 板的機械支撐極為穩定且可良好地排出熱。該平坦表面至 少等於基板一表面。但基板有效面可小於該基板表面，例 如在圓形晶圓上製出一四角形半導體元件。該平坦表面於 是可不等於基板表面而只等於基板的有效面。 基板固定在夾緊於一框體的承載體上，亦適用不需冷卻 的加工站。 承載體較佳由一不導電介電材料製成且一側設有一導 電層。框體至少一部份導電，夾緊在框體中的承載體以其 導電層與框體導電部分接觸。承載體導電層及介電材料與 緊固電極一起構成一靜電緊固機構，其中導電層與緊固電 極構成一板型電容器的兩板。承載體導電層背向電極而與 基板接觸時，承載體介電材料提高平行板場的吸引力。 8 312/發明說明書(補件)/93-03/9213 7279 1327336 此種由電極與夹緊在框體中的承載體所構成的靜電緊 固機構具一簡單結構。如此，靜電緊固機構一部份隨承載 板規律移出裝置而簡化了裝置的維修，因需維修零件可被 規律進行檢查及更換。留在裝置中的部分，亦即緊固電極， 在基板加工時被其上方的承載體保護，故較不需要維修。 框體導電部分及承載體導電層與該導電部分的接觸使 得緊固機構第二板的連接簡單，只需要接觸框體之一接觸 位置。 承載體材料亦可為一弱摻雜的介電材料，其具半導電 性。如此上述的庫命（C 〇 u 1 〇 m b )吸引被一所謂的約輪遜拉伯 克（Johnsen Rahbek)吸引取代，後者因有效板距較小而明 顯較強。但摻雜介電材料的半導電性通常在較高溫時才出 現，且需一連續的充電電流以補償出現的漏電流，而使得 裝置的結構較複雜。 欲取離基板時可有利地使承載體導電層與緊固電極短 路。由於承載體的支撐而可抬起基板，而不會有使基板受 損的危險，因不存在局部作用於基板的殘餘力。 承載體較佳由一適合真空且溫度穩定的薄膜構成，導 電層則由一蒸鍵的金屬層或一導電聚合物構成。適合薄膜 的材料例如為聚醯亞胺。此種薄膜成本低廉。晶圓在磨薄 時已部分固定在承載膜上。適當選擇薄膜材料可使承載體 可使用於後續的塗佈，而不需將晶圓固定於另一固持工具 上。 承載體亦可由其他不導電的介電材料製成，例如陶瓷或 9 312/發明說明書(補件)/93-03/92137279 1327336 玻璃。 薄旗厚度有利地為5 Ο - 2 Ο Ο " m，較佳約為1 Ο 0 /z m。金屬 層厚度為0.03-0.5/zm，較佳約為Ο.ΐμπι。此種薄膜厚度 可達到高機械穩定及持久性。承載體的戠面同時需夠小， 以在薄膜材料作為介電質時可達到高吸引力，且使材料與 製造成本低廉。上述厚度的金屬層成本低廉並具良好導電 性，可使用於本發明靜電緊固機構。 薄膜及金屬層的厚度當然亦可配合各種用途，尤其是基 板的尺寸、機械特性或加工。同一設備中可採用不同的承 載體，例如某些基板使用薄膜採料，其他基板則使用玻璃。 基板加工，例如蝕刻，需要使用高頻時，緊固電極可設 在一本體上，該本體上有一高頻電極，緊固電極與該高頻 電極電性隔離。緊固電極較佳經一穿過高頻電極的絕緣穿 通管而被接觸。此處靜電緊固機構有利的設作浮動式，即 不與高頻供應源亦不與地電位連接。如此可簡單地使用一 高頻供應源加工固定在承載體上且被靜電緊固機構緊固的 基板。 承載體設在爽緊電極上方且其導電層朝向緊固電極 時，則在緊固電極上方設一介電層，故其位在緊固電極與 承載體之間。藉選擇具高介電常數6,的薄介電層可不受承 載體材料左右而達到高吸引力。該介電層尤其是一具高介 電常數ε「= 10的氧化鋁Al2〇3板。 如已述承載體材料亦可構成緊固電極與導電層間的介 電層。如此可使裝置的結構較簡單且成本較低廉，但由於 10 312/發明說明書(補件)/93-03/9213 7279 1327336 承載體材料通常具較低介電常數，故吸引力較低。然而此 種吸引力已適用多種用途。
加工站有利地包括一電壓供應源，以在框體與緊固電極 間提供一電壓，尤其是一 200-1500V，特別是500-1000V 的直流電壓。由於框體與承 單地構成一靜電緊固機構， 需要一氣體電漿以充電及放 承載體產生一適合半導體晶 緊固電極可具多個極性不 多極靜電緊固機構，其不需 承載體導電層及相應的電性 吸引力一般低於單極結構。 加工站有利地包括一氣體 固電極與承載體間的縫隙中 Pa。如此可藉背面氣體的熱 在邊緣被夾緊的基板所使用 壓力超過該上限時，會使得 曲。半導體晶圓大而薄時， 法達到有效的冷卻。本發明 基板於承載體上可明顯提高 的排熱。 某些加工步驟需要加熱緊 坦表面的溫控。加熱亦可藉 驟則不需要對基板進行溫控 載體導電層電性連接，故可簡 而不需要直接接觸基扳，亦不 電。所述電壓可對通常使用的 圓加工的壓緊力。 同的區域。如此可構成一雙或 要反電極或反板。此處可捨棄 接觸。但雙或多極緊固機構的 輸入道，以將一氣體輸送至緊 ，該氣體壓力較佳高於100 傳導而達到有效的排熱。習知 的氣壓有一上限，因背面氣體 只在邊緣被夾緊的基板強烈彎 氣體壓力如只可達2 0 P a，則無 靜電緊固機構及大面積地固定 背面氣體的壓力，而改善基板 固的基板1例如措緊固電極平 背面氣體而加速。有些加工步 ，此處本發明緊固機構可確保 11 312/發明說明書(補件)/93-03/92137279 1327336 基板的穩固固持，且加工後基板可輕易取離緊固機構。 本發明裝置可包括多個加工站以及將框體與夾緊的承 載體及基板由第一加工站輸送至第二加工站之工具，例如 真空機器人。此種裝置的結構例如為星形，框體垂直並沿 一圓形軌道移動，該圓形軌道的軸平行於框體表面。亦可 使框體水平設置。框體與基板在加工站的配置視目的而 定，並在加工各步驟中保持該種配置。各基板的加工及輸 送同時或個別進行。如此不需要電漿作為導體，故本發明 緊固機構亦可用於沒有電漿的純冷卻站。此種冷卻站可設 在兩加工站之間。 以下將依據附圖及申請專利範圍詳細說明本發明之其 他有利實施例及特徵組合。 圖式中相同元件基本上標示相同符號。 【實施方式】 圖1顯示本發明加工站第一實施例一單極電極及一固持 與輸送框體之示意圖。為清楚顯示，各元件之長度關係（包 括下面各圖）非為實際情形。框體110中設有一承載膜. 120，一大面積的薄基板130被固定於其上。基板130例如 為一直徑為300mm厚度為200yin的圓形薄半導體晶圓。 框體110使基板130可整面固定在框體110中的承載膜 120上。固定方法為使用一種適合真空，尤其是可導熱且 稍後可被移除的黏合劑使基板1 3 0下側1 3 1與承載膜1 2 0 之上表面121連接。框體110由一環形下部件111及一可 與其分離之環形上部件1 1 2構成。承載膜1 2 0被夾緊在下 12 312/發明說明書(補件)/93-03/92丨37279 1327336 部件1 1 1與上部件1 1 2之間。夾緊可純利用夾緊力，另一 輔助或可取代之的夾緊方法為，使承載膜1 2 0邊緣設開 孔，使框體1 1 0上相應的銷穿過該開孔。 框體1 1 0之下部件1 1 1以及上部件1 1 2皆由一導熱金屬 製成。承載膜120則由聚醯亞胺製成，厚度為100/zm。其 上表面121以蒸鍍而設有一厚度為0.1 ym的金屬層122, 該金屬層與框體1 1 0之上部件1 1 2電性接觸。 框體110與夾緊的承載膜120鄰接一金屬電極140的平 坦上表面141，其中承載膜120之下表面123與電極140 之上表面141平行且距離極小。框體110對電極140的定 位藉助一框體110的導引件（未示出）。電極140之上表面 141的面積與形狀基本上與貼附在承載膜120上之基板130 的面積與形狀相符。該電極1 4 0本身亦可固持面積較小或 較大的基板。 電極140在其對稱軸處具有一氣體輸入道142，一氣體 可經由該氣體輸入道被輸至承載膜120與電極140之上表 面141間的縫隙中。該氣體輸入道142連接一（未示出的） 氣體供應源，其輸出一壓力可調整之氣體，例如氬。 金屬電極1 4 0與電性連接金屬層1 2 2的框體1 1 0間設有 一電壓供應源150，其可在金屬層122與電極140之上表 面141之間產生一例如為700V的直流電壓。框體110與金 屬層1 2 2為地電位，上表面1 4 1的電位則維持為7 0 0 V。如 此而在承載膜120金屬層122與電極140之上表面141間 產生一靜電吸引力，故承載膜120與固定於其上的基板1 3.0 13 312/發明說明書(補件)/93-03/92丨37279 1327336 被壓緊在電極140上。每單位面積的力F/A可由下述公式 而得 ： F/A = l /2ε〇εΓυ2/ά2 其中U是電壓，d是介電層厚度。如圖所示，膜厚d = 〗00 //m，電壓U = 700V，承載膜120介電常數6「=2.5時，壓緊 力p = F/ A約為540Pa。該背面氣體的壓力不得超過靜電壓 緊力，以使承載膜120與基板130不會因氣體的壓力而被 推離電極1 4 0。所示實施例中，背面氣體的壓力約可達5 0 0 Pa，其可使基板對靜電緊固裝置的熱傳導極為良好。在此 壓力下，背面氣體的k值至少為50W/m2K。下述情形之熱 傳導： 層體 S i晶圓 黏合劑 承載膜 背面氣體 導熱性[W/mk] 150 0. 1 0. 2 厚度[W m ] 200 20 100 k 值[W/m2K] 7. 5x 105 5χ 103 2χ ΙΟ3 50 熱阻％ =0 =1 =2 =97 靜止狀態下熱負荷為0.3W/cm2，電極表面溫度為21°C 時，晶圓溫度只為83°C 。 與之相較為不使用靜電緊固機構，其背面氣體壓力只可 為2 0 P a，否則會使得基板強烈彎曲。 EL 層體 Si晶圓 黏合劑 承載膜 背面氣體 導熱性[W/mk] 1 50 0. 1 0.2 厚度[W m ] 200 20 100 k 值[W/m2K] 7. 5x ΙΟ5 5χ 1 Ο3 2χ 103 10 熱阻％ =0 =0 =0 >99 由於氣體壓力較小，背面氣體的k值最高為1 0W/m2K。 靜止狀態下熱負荷為0. 3 W/cm2，冷卻表面溫度為2 1 °C時， 晶圓溫度為3 2 3 °C 。如此使得現有的層體結構被破壞且使 新生成的塗層中出現熱應力，故基板受損或被破壞。 14 312/發明說明書(補件)/93-03/92137279 1327336 開關1 5 1可使框體1 1 0與上表面1 4 1短路，使得兩元件 皆成為地電位。隨後可將承載膜120與基板130 —起取離 電極1 4 0。 圖2顯示本發明加工站第二實施例一單極電極及一固持 與輸送框體之示意圖，其中電極與夾緊在框體中的承載膜 間設一介電層。第二實施例之其他部分與圖1第一實施例 相同。 框體210中設一承載膜220，其上固定一大面積的薄基 板230。基板230之下側231被黏在承載膜220之上表面 2 2 1上》框體2 1 0與第一實施例中的框體1 1 0相同，而由 一環形下部件2 1 1及一可與其分離的環形上部件2 1 2構 成，承載膜2 2 0被夾在其間。 第二實施例與第一實施例的第一不同之處為，蒸鍍金屬 層222設在承載膜220之下表面223上，亦即承載膜220 以顛倒方向固定於框體2 1 0。金屬層2 2 2與框體下部件2 1 1 接觸，該下部件同樣由導熱金屬製成。 框體210與夾緊的承載膜220鄰接一介電板243，其覆 蓋一金屬電極240的上側。介電板243由氧化鋁 成，具高介電常數er = 10，厚度約為100#m。承載膜220 設有金屬層222之下表面223與介電板243之上表面244 平行且距離極小。 介電板243之上表面244與電極240的面積與形狀基本 上與貼附在承載膜220上之基板230的面積與形狀相符。 電極240在其對稱軸處亦具有一氣體輸入道242，一氣體 15 3 ] 2/發明說明書(補件)/93-〇3/92】37279 1327336 可經由該氣體輸入道被輸至承載膜220與介電 表面244間的縫隙中。 金屬電極240及與導電金屬層222電性連接 間設有一電壓供應源2 5 0，其可在金屬層2 2 2 之間產生一例如為7 0 0 V的直流電壓。框體2 1 2 2 2為地電位，電極2 4 0的電位維持為7 0 0 V。 載膜220金屬層222與電極240間產生一靜電 承載膜220與固定於其上的基板230被壓緊在 上。依據上面所述公式，介電層厚度相同時， 面積的力F/A，由於介電板243介電常數8^交 一實施例的三倍。即電壓相同時，壓緊力約為 背面氣體壓力可視需求而提高，以進一步改善； 開關2 5 1可使框體2 1 0與電極2 4 0短路，使 成為地電位。隨後可將承載膜2 2 0與基板2 3 0 極 2 4 0。 圖3顯示本發明加工站第三實施例一單極電 與輸送框體之示意圖，其包括一高頻供應源。 式例如使用於基板蝕刻加工站。框體3 1 0的結 圖1第一實施例中之框體相同。框體31 0中夾 醯亞胺製成厚度為lOOym的承載膜320，基板 積地固定在該承載膜上。框體310由一環形下 一可與其分離的環形上部件3 1 2構成，承載膜 其間。框體3 1 0之下部件3 1 1與上部件3 1 2皆 屬製成。厚度為O.lym的金屬層322同樣蒸鍍 312/發明說明書(補件)/93-03/92137279 板2 4 3之上 的框體2 1 0 與電極240 0與金屬層 如此而在承 吸引力，故 電極24 0 每單位單位 高而約為第 1 6 0 0 Pa，故 基板的溫控。 得兩元件皆 一起取離電 極及一固持 此種實施方 構及設置與 緊著一由聚 3 3 0被大面 部件3 1 1及 3 2 0被爽在 由一導電金 在承載膜之 16 1327336 上表面3 2 1上，該金屬層與框體之上部件3 1 2電性接觸。 電極340具一本體，其由一高頻電極345構成，該高頻 電極設有一高頻電壓供應源3 6 0。高頻電極3 4 5的上側覆 蓋一陶瓷絕緣板346，其面積與高頻電極345截面相同。 絕緣板346上設有緊固電極347。一氣體輸入道342穿過 高頻電極3 4 5、絕緣板3 4 6及緊固電極3 4 7。框體 3 4 0的設 置使得承載膜320下表面323與緊固電極347之上表面341 平行且距離極小。 緊固電極347及與導電金屬層322電性連接的框體310 間設有一電壓供應源350，其可在金屬層322與緊固電極 347之上表面341之間產生一直流電壓。此處金屬層322 不同於第一實施例而非為地電位，夾緊電路為浮動式，不 與高頻電路亦不與地電位連接。緊固電極3 4 7的接觸係藉 助一絕緣穿通管3 4 8，其穿過高頻電極3 4 5及絕緣板3 4 6。 框體310上方設一與地電位連接的環形罩體370，其截 面約與框體3 1 0相同。開關3 5 1可使框體3 1 0與上表面3 4 1 短路，使得兩元件皆成為地電位。隨後可將承載膜3 2 0與 基板330 —起取離緊固電極347。 圖4顯示本發明加工站第四實施例一雙極電極及一固持 與輸送框體之示意圖。 框體410的結構及設置與圖1及圖3之第一及第三實施 例中之框體相同。框體41 0中同樣夾緊著一由聚醯亞胺製 成厚度為100/zm的承載膜420，基板430被大面積地固定 在該承載膜上。框體410由一環形下部件411及一可與其 17 312/發明說明書(補件)/93-03/92137279 1327336 分離的環形上部件4 1 2構成，承載膜4 2 0被夾在其間。 框體410與夾緊的承載膜420鄰接一金屬電極440的平 坦上表面441。承載膜420之下表面423與電極440之上 表面441平行且距離極小。電極440之上表面441的面積 與形狀基本上與貼附在承載膜420上之基板430的面積與 形狀相符。 電極440之上表面441中央設有一第二電極449，其上 表面與電極440之上表面441齊平。第二電極449藉一陶 瓷絕緣板44 6而與電極4 4 0電性隔離。第二電極44 9約為 電極440直徑的一半。 電極440在其對稱軸處同樣具有一氣體輸入道442，其 穿過絕緣板446及第二電極449，一氣體可經由該氣體輸 入道被輸至承載膜4 2 0與電極4 4 0之上表面4 4 1間的縫隙 中 。 金屬電極4 4 0及與第二電極4 4 9間設有一電壓供應源 450，其可在兩電極440、449之間產生一直流電壓。第二 電極449的接觸係藉助一絕緣穿通管448,其穿過電極440 及絕緣板446。電極440為地電位，第二電極449的電位 維持為700V。如此產生一雜散電場，而在承載膜420之上 表面421的金屬層及基板430中產生靜電荷。由於此極性 與鄰接電極相反的靜電荷而產生一吸引力，其使得承載膜 420與基板430被壓緊在電極440上。如此實現了雙極靜 電。故承載膜420金屬層或基板430的電性接觸為不必要。 開關4 5 1可使電極4 4 0、4 4 9彼此短路，使得兩元件皆 18 312/發明說明書(補件)/93-03/92137279 1327336 成為地電位。隨後可將承載膜420與基板430 —起取離電 極 4 4 0。 兩電極的設置不限於圖中所示環形二分法，而亦可為其 他方式，例如内側的電極可為星形。此外，亦可以近似方 法設兩極以上的多極電極。例如可將實施例所示環形二分 法再分成兩半而產生四個區域。相鄰區域各具不同的極性。 圖5顯示一具複數個加工站的真空處理裝置示意圖。八 個加工站5 8 1 ... 5 8 8構成一規律的八角形。所有加工站内側 皆具一如四實施例中任一實施例所述之電極5 8 1 a…5 8 8 a， 其中同一裝置中可使用不同的電極（例如單極及雙極電極 或具高頻供應源的電極）。電極58 la…5 8 8a的上表面為垂 直並朝向外。 基板530黏在夾緊在框體510中的承載膜520上，從一 傳輸站5 8 1進入裝置中，加工結束後再由該傳輸站被移 出。傳輸站5 8 1設有例如一真空閘門。框體5 1 0在整個加 工程序中皆為垂直。框體510與基板530放到電極581a 上之後，如四實施例中任一實施例所述供給電極一電壓（必 要時包括框體），使得框體被固持在電極5 8 1 a上。然後將 框體置於一（未示出的）星形輸送裝置上，其使八個各定位 在一加工站上的框體可順時針被送至相鄰的加工站。 第一加工步驟在抽氣站582中進行，加工時框體510被 固持在電極5 8 2 a上，其他加工站5 8 1…5 8 8中亦是如此。 接著是一冷卻站5 8 3 »由於本發明固持裝置中基板的電性 接觸不需要電漿，故電極5 8 3 a上基板的冷卻可以簡單方法 19 312/發明說明書(補件)/93-03/92137279 1327336 進行。接著是一蝕刻站5 8 4，然後是另一冷卻站5 8 5。最後 是三個連續的濺射站586、587、588。加工完成的基板530 再由傳輸站5 8 1被移出裝置。 所示裝置的尺寸只為舉例性質，其可配合電性及機械要 求而調整，例如電極及其組成元件、框體及承載膜的長寬 度及厚度。材料亦可配合使用目的而做不同的選擇。例如 可使承載膜由非為聚醯亞胺的另一種塑膠製成，或以一陶 瓷、玻璃或其他介電材料製成的承載板取代承載膜。 直流電源的電壓可配使用區域及電極與介電層的尺 寸，以使背面氣體壓力足以冷卻基板。 亦可配合調整介電層的材料（第一、三及四實施例中的 承載膜及第二實施例中的介電板）。若不採用不導電介電材 料而使用弱摻雜的介電材料時，會得到一半導電介電層。 使用此種半導電介電層時，電荷由電極表面進入介電層， 兩相吸板間的有效距離較小，故電壓相同時壓緊力明顯高 於使用絕緣的介電層。故庫侖吸引被一所謂的約翰避拉伯 克吸引取代。此種摻雜介電層相對於不導電介電層的缺點 在於，半導電作用通常只在較高溫時才出現，此種高溫為 本發明裝置所需避免。此外，需提供一連續充電電流，以 保持吸引。 所述真空處理裝置只為舉例。其可包含更多或較少的環 形排列加工站，亦可使加工站線形前後排列。本發明裝置 亦可用於承載體為水平設置的裝置。 綜上所述，本發明提供一種基板之加工裝置，其結構簡 20 312/發明說明書(補件)/93-03/92137279 1327336 單，維修容易，可加工薄及/或面積大的機械敏感基板而沒 有受 損 或 被 破 壞 的 危 險 0 【圖 式 簡 單 說 明 ] 說 明 本 發 明 實 施 例 之 圖 式 為 : 圖 1 係 本 發 明 加 工 站 第 一 實 施 例 一 單 極 電 極 及 一 固 持 與 輸送 框 體 之 示 意 圖 〇 圖 2 係 本 發 明 加 工 站 第 二 實 施 例 一 單 極 電 極 及 一 固 持 與 輸送 框 體 之 示 意 圖 其 中 電 極 與 夾 緊 在 框 體 中 的 承 載 體 間 設一 介 電 層 0 圖 3 係 本 發 明 加 工 站 第 三 實 施 例 一 單 極 電 極 及 一 固 持 與 輸送 框 體 之 示 意 圖 其 包 括 一 頻 供 應 源 〇 圖 4 係 本 發 明 加 工 站 第 四 實 施 例 一 雙 極 電 極 及 一 固 持 與 輸送 框 體 之 示 意 圖 0 圖 5 係 — 具 複 數 個 加 工 站 的 真 空 處 理 裝 置 示 意 圖 〇 (元件符號說明） 110 框 體 111 框 體 之 下 部 件 112 框 體 之 上 部 件 1 20 承 載 膜 承 載 體 121 承 載 膜 之 上 表 面 122 金 屬 層 導 電 層 1 23 承 載 膜 之 下 表 面 1 30 基 板 13 1 基 板 之 下 側 312/發明說明書(補件)/93-03/92137279 21 1327336 140 電 極 141 電 極 之 上 表 面 142 氣 體 m 入 道 150 電 壓 供 應 源 1 51 開 關 2 1 0 框 體 211 框 體 之 下 部 件 2 12 框 體 之 上 部 件 220 承 載 膜 221 承 載 膜 之 上 表 面 222 金 屬 層 > 導 電 層 223 承 載 膜 之 下 表 面 230 基 板 231 基 板 之 下 側 240 電 極 242 氣 體 Ψμ 入 道 243 介 電 板 244 介 電 板 之 上 表 面 250 電 壓 供 應 源 25 1 開 關 310 框 體 31 1 框 體 之 下 部 件 312 框 體 之 上 部 件 320 承 載 膜 312/發明說明書(補件)/93-03/92137279
22 1327336 321 承 載 膜 之 上 表 面 322 金 屬 層 、 導 電 層 323 承 載 膜 之 下 表 面 330 基 板 340 電 極 341 電 極 之 上 表 面 342 氣 體 輸 入 道 345 頻 電 極 346 絕 緣 板 347 緊 固 電 極 348 絕 緣 穿 通 管 350 電 壓 供 應 源 3 5 1 開 關 360 尚 頻 電 壓 供 應 源 370 罩 體 4 10 框 體 411 框 體 之 下 部 件 4 12 框 體 飲 上 部 件 420 承 載 膜 42 1 承 載 膜 之 上 表 面 423 承 載 膜 之 下 表 面 430 基 板 440 電 極 441’ 電 極 之 上 表 面 312/發明說明書(補件)/93-03/92137279
23 1327336 442 氣 體 輸 入 道 446 絕 緣 板 448 絕 緣 穿 通 管 449 電 極 450 電 壓 供 應 源 451 開 關 5 10 框 體 5 20 承 載 膜 530 基 板 581 傳 輸 站 581a 電 極 582 抽 氣 站 5 8 2a 電 極 583 冷 卻 站 5 8 3a 電 極 584 4k 刻 站 5 8 4a 電 極 585 冷 卻 站 5 8 5 a 電 極 586 濺 射 站 5 8 6 a 電 極 587 滅 射 站 5 8 7a 電 極 588 濺 射 站 312/發明說明書(補件)/93-03/92137279
24 1327336 588a 電極
312/發明說明書(補件)/93-03/92137279 25

Claims (1)

1327336 Π年3月3>/E|修正本MAR 3 1厕 -— 替換本 拾、申請專利範圍： 1. 一種基板（130;230;330;430;530)(尤其是半導體晶 圓）之加工裝置，尤其是一種真空處理裝置，其包括至少一 力σ工站（582-588)，而該加工站（582-588)包括一緊固電極 (140;240;340;440) ， 其 具 一 平 坦 表 面 (141;244;341;441)，其特徵為：固持及/或輸送基板 (130;230;330;430;530)的機構至少包括一框體 (110;210;310;410;510)及夾在其中的承載體 (120;220;320;420;520)，基板（130;230;330;430;530)整 面地固定在該承載體（120;220;320;420;520)上；承載體 (120;220;320)由一不導電介電材料製成，且一側設有—導 電層（122;222;322);承載體（120:220:320:420:520)^0 並 鄰接緊 固電極 （140;240;340;440) 之表 φ (141;244;341;441)，使得，承載體之導電層與介電材料及 緊固電極構成一靜電緊固裝置。 2. 如申請專利範圍第1項之基板之加工裝置，其中，框 體（110;210;310)至少一部分導電，夾緊在框體 (110;210;310)中的承載體（120;220;320)以其導電層 (122;222;322)與框體（110;210;310)之導電部分接觸。 3. 如申請專利範圍第2項之基板之加工裝置，其中，承 載體（120;220;320)由一適合真空且溫度穩定的薄膜製 成，尤其是聚醯亞胺，導電層（122;222;322)則由一蒸鍍的 金屬層或一導電聚合物構成。 4. 如申請專利範圍第3項之基板之加工裝置，其中，薄 92137279 26 1327336 膜（120;220;320)厚度為5〇_2〇〇/i m，較佳約為i〇〇y『金 屬層（122;222;322)厚度為較佳約為o.i g m。 5. 如申請專利範圍第1項之基板之加工裝置，其中，緊 固電極（347)設在一本體上，該本體上有一高頻電極 (345)’緊固電極（34 7 )與該高頻電極（345)電性隔離，尤其 設一穿過高頻電極（345)的絕緣穿通管（348)以使緊固電極 (3 4 0 )被接觸。 6. 如申請專利範圍第1項之基板之加工裝置，其中，緊 固電極（240)包括一介電層（243)，尤其是一氧化鋁Al2〇3 板，承載體（220)平行並鄰接緊固電極（240)之表面（244) 時，該介電層位在緊固電極（240)與承載體（220)之間。 7. 如申請專利範圍第2項之基板之加工裝置，其中，加 工站（582-588)包括一電壓供應源（150;250;350)，以在框 體（110;210;310)與緊固電極（140;240;340)間提供一電 壓，尤其是一 200-1500V，特別是500-1000V的直流電壓。 8. 如申請專利範圍第1項之基板之加工裝置，其中，緊 固電極（440)具多個極性不同的區域。 9. 如申請專利範圍第1項之基板之加工裝置，其中，加 工站（582-588)包括一氣體輸入道（142;242;342;442)，以 將一氣體輸送至緊固電極（140;240;340;440)與承載體 (120;220;320;420)間的缝隙中，該氣體壓力較佳高於100 P a ° 10. —種使用於申請專利範圍第1項之裝置的基板 27 92137279 1327336 (130;230;330;430)固持及/或輸送框體，其特徵為：框體 可夾緊一承載體（120;220;320;420)，尤其是一薄膜，而 且，框體至少部分導電，該導電部分可與承載體 (120;220;320)之導電層（122:222:322)接觸。 11. 一種在真空處理裝置中加工基板 (130;230;330;430)(尤其是半導體晶圓）之方法，其特徵 為： a) 基板（130;230;330;430)被整面地固定在一夾緊在固 持及/或輸送框體（110;210;310;410)中的承載體 (120;220;320;420)上，而承載體（120;220;320)係由一不 導電介電材料製成，且一側設有一導電層（1 2 2 ; 2 2 2 ; 3 2 2 )， b) 承載體（120;220;320;420;520)平行並鄰接緊固電極 (140;240;340;440)之表面（141;244;341;441)，使得，承載 體導電層與介電材料及緊固電極構成一靜電緊固裝置。 12. 如申請專利範圍第11項之在真空處理裝置中加工基 板之方法，其中，基板（130;230;330;430)使用一適合真空 且可移除的黏合劑黏在承載體（120;220;320;420)的第一 平坦表面（121;221;321;421)上。 13. 如申請專利範圍第12項之在真空處理裝置中加工基 板之方法，其中，緊固電極（140;240;340;440)—平坦表面 (141;244;341;441)平行並鄰接承載體（120;220;320;420) 一第二平坦表面（123;223;323;423)，該第二平坦表面 (123;223;323;423)與第一平坦表面（121;221;321;421)相 對。 28 92137279 1327336 14. 如申請專利範圍第13項之在真空處理裝置中加工基 板之方法，其中，承載體（120;320;420)第一表面 (121:321:421)設有一導電層（122:322:422) » 15. 如申請專利範圍第14項之在真空處理裝置十加工基 板之方法，其中，緊固電極（347)設在一本體上，該本體上 有一高頻電極（345)，緊固電極（347)與該高頻電極（345) 電性隔離，緊固電極（ 347)與框體（310)間的電壓供應尤其 藉助一絕緣穿通管（3 4 8 )。 16. 如申請專利範圍第13項之在真空處理裝置中加工基 板之方法，其中，承載體（220)第二表面（223)設一導電層 (222)，緊固電極（240)與承載體（220)第二表面（223)間設 一介電層（243)。 17. 如申請專利範圍第11項之在真空處理裝置中加工基 板之方法，其中，框體（110; 210; 310)與緊固電極 (140;240;340)之間被供應一電壓。 18. 如申請專利範圍第11項之在真空處理裝置中加工基 板之方法’其中’為進行基板（130;230;330;430)的溫控， 將一具一過壓之氣體輸送至承載體（120;220;320;420)第 二表面（123;223;323;423)與緊固電極（140;240.340.440) 平坦表面（1 4 1 ; 2 4 4 ; 3 4 1 ; 4 4 1 )間的缝隙中。 19. 如申請專利範圍第11項之在真空處理裝置中加工基 板之方法，其中’欲取下基板（130;230;330)時，使承載體 (120;220;320)導電層（122;222;322)與緊固電極 (140;240;340)短路。 92137279 29 1327336 拾壹、圖式： -MAR 3 1 2010 竹年3月3/9修正替換頁替換頁 92137279 30
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004002243A1 (de) * 2003-02-07 2004-09-16 Trikon Technologies Limited, Newport Elektrostatische Klemmhalterung für dünne Wafer in einer Vakuumkammer zur Plasmabearbeitung
KR100964775B1 (ko) * 2005-10-12 2010-06-21 파나소닉 주식회사 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
US20070217119A1 (en) * 2006-03-17 2007-09-20 David Johnson Apparatus and Method for Carrying Substrates
DE102006013517A1 (de) * 2006-03-23 2007-09-27 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zur elektrostatischen Fixierung von Substraten mit polarisierbaren Molekülen
DE102006013516A1 (de) * 2006-03-23 2007-10-25 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zur elektrostatischen Fixierung von Substraten mit leitfähiger Schicht
KR20090107514A (ko) * 2006-12-26 2009-10-13 후지필름 디마틱스, 인크. 전도성 요소를 구비한 인쇄 시스템
ES2345121T3 (es) * 2007-02-02 2010-09-15 Applied Materials, Inc. Camara de proceso, instalacion de recubrimiento en linea y procedimiento para tratar un sustrato.
KR100856019B1 (ko) 2008-02-22 2008-09-02 (주)타이닉스 플라즈마 처리장치의 기판 홀더
TWI475594B (zh) 2008-05-19 2015-03-01 Entegris Inc 靜電夾頭
JP2010010207A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 剥離装置および剥離方法
US8861170B2 (en) 2009-05-15 2014-10-14 Entegris, Inc. Electrostatic chuck with photo-patternable soft protrusion contact surface
CN102449754B (zh) 2009-05-15 2015-10-21 恩特格林斯公司 具有聚合物突出物的静电吸盘
US8859424B2 (en) * 2009-08-14 2014-10-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor wafer carrier and method of manufacturing
KR101731136B1 (ko) 2010-05-28 2017-04-27 엔테그리스, 아이엔씨. 표면저항이 높은 정전 척
JP5591859B2 (ja) * 2012-03-23 2014-09-17 株式会社東芝 基板の分離方法及び分離装置
KR101970301B1 (ko) 2012-07-11 2019-04-18 삼성전자주식회사 웨이퍼 테스트 장치
WO2014039655A1 (en) * 2012-09-07 2014-03-13 Applied Materials, Inc. Portable electrostatic chuck carrier for thin substrates
KR101877339B1 (ko) * 2012-12-20 2018-07-11 주식회사 원익아이피에스 기판처리시스템의 기판캐리어 및 그를 가지는 기판처리시스템
JP5621142B2 (ja) * 2013-04-02 2014-11-05 独立行政法人産業技術総合研究所 半導体プロセス用キャリア
US9460950B2 (en) * 2013-12-06 2016-10-04 Applied Materials, Inc. Wafer carrier for smaller wafers and wafer pieces
JP5959069B2 (ja) * 2014-07-14 2016-08-02 国立研究開発法人産業技術総合研究所 半導体プロセス用キャリア
JP6555656B2 (ja) * 2015-02-17 2019-08-07 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理装置および電子部品の製造方法
TWI582898B (zh) * 2016-06-22 2017-05-11 Linco Technology Co Ltd Movable disk drive for production lines
KR102323877B1 (ko) * 2016-09-28 2021-11-10 한국전자통신연구원 전기 도금 장치
WO2019106979A1 (ja) * 2017-11-28 2019-06-06 東京エレクトロン株式会社 処理装置
GB201815258D0 (en) * 2018-09-19 2018-10-31 Spts Technologies Ltd A support
JP7085968B2 (ja) * 2018-11-15 2022-06-17 株式会社荏原製作所 基板ホルダ、めっき装置および基板のめっき方法
US11094573B2 (en) * 2018-11-21 2021-08-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for thin wafer carrier

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4680061A (en) 1979-12-21 1987-07-14 Varian Associates, Inc. Method of thermal treatment of a wafer in an evacuated environment
US4743570A (en) 1979-12-21 1988-05-10 Varian Associates, Inc. Method of thermal treatment of a wafer in an evacuated environment
JP2767282B2 (ja) * 1989-05-30 1998-06-18 日本真空技術株式会社 基板保持装置
JP3238925B2 (ja) * 1990-11-17 2001-12-17 株式会社東芝 静電チャック
JP3064409B2 (ja) * 1990-11-30 2000-07-12 株式会社日立製作所 保持装置およびそれを用いた半導体製造装置
EP0553612B1 (en) * 1992-01-07 1996-08-21 Hitachi Chemical Co., Ltd. Polyimides, thermosetting resin compositions containing the polyimides, formed articles of the resin compositions, and production process of the polyimides
US5460684A (en) * 1992-12-04 1995-10-24 Tokyo Electron Limited Stage having electrostatic chuck and plasma processing apparatus using same
US5729423A (en) 1994-01-31 1998-03-17 Applied Materials, Inc. Puncture resistant electrostatic chuck
US5886863A (en) * 1995-05-09 1999-03-23 Kyocera Corporation Wafer support member
US5708557A (en) * 1996-08-22 1998-01-13 Packard Hughes Interconnect Company Puncture-resistant electrostatic chuck with flat surface and method of making the same
JPH10303286A (ja) 1997-02-25 1998-11-13 Applied Materials Inc 静電チャック及び半導体製造装置
US5737178A (en) * 1997-03-06 1998-04-07 Applied Materials, Inc. Monocrystalline ceramic coating having integral bonding interconnects for electrostatic chucks
US6276072B1 (en) 1997-07-10 2001-08-21 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for heating and cooling substrates
US5880924A (en) 1997-12-01 1999-03-09 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck capable of rapidly dechucking a substrate
US6117778A (en) * 1998-02-11 2000-09-12 International Business Machines Corporation Semiconductor wafer edge bead removal method and tool
US6259592B1 (en) 1998-11-19 2001-07-10 Applied Materials, Inc. Apparatus for retaining a workpiece upon a workpiece support and method of manufacturing same
US6238160B1 (en) 1998-12-02 2001-05-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd' Method for transporting and electrostatically chucking a semiconductor wafer or the like
JP2000288857A (ja) 1999-03-31 2000-10-17 Shibaura Mechatronics Corp 静電チャック装置及び載置台
TW492135B (en) * 2000-05-25 2002-06-21 Tomoegawa Paper Co Ltd Adhesive sheets for static electricity chuck device, and static electricity chuck device
KR100378187B1 (ko) * 2000-11-09 2003-03-29 삼성전자주식회사 정전척을 구비한 웨이퍼 지지대 및 이를 이용한 웨이퍼 디척킹 방법
JP4663133B2 (ja) * 2001-01-09 2011-03-30 不二越機械工業株式会社 ウェーハの貼付方法及びその装置
US6491083B2 (en) * 2001-02-06 2002-12-10 Anadigics, Inc. Wafer demount receptacle for separation of thinned wafer from mounting carrier
US6837374B2 (en) * 2001-07-15 2005-01-04 Entegris, Inc. 300MM single stackable film frame carrier
KR100890790B1 (ko) * 2001-08-27 2009-03-31 파나소닉 주식회사 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
US6642127B2 (en) * 2001-10-19 2003-11-04 Applied Materials, Inc. Method for dicing a semiconductor wafer
JP4034096B2 (ja) * 2002-03-19 2008-01-16 日本碍子株式会社 半導体支持装置
US6547559B1 (en) * 2002-05-20 2003-04-15 Veeco Instruments, Inc. Clamping of a semiconductor substrate for gas-assisted heat transfer in a vacuum chamber

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Publication number Publication date
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