JP2000288857A

JP2000288857A - 静電チャック装置及び載置台

Info

Publication number: JP2000288857A
Application number: JP9294999A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Tezuka; 塚毅手
Original assignee: Shibaura Mechatronics Corp
Current assignee: Shibaura Mechatronics Corp
Priority date: 1999-03-31
Filing date: 1999-03-31
Publication date: 2000-10-17

Abstract

(57)【要約】【課題】チャック本体の固定に使用される高分子接着
剤又は低融点金属の露出部の腐食を防止し得ると共に処
理の均一性を良好に維持しうる静電チャック装置及びこ
の装置を備えた載置台を提供する。【解決手段】被処理物Ｗを吸着する際に電圧が印加さ
れる導電性膜２５と、この導電性膜２５を両面から挟み
込む一対の絶縁性膜２７ａ、２７ｂと、を有するチャッ
ク本体１６を備える。チャック本体１６は高分子接着剤
又は低融点金属２６によって載置台４の表面４ａに貼着
され、チャック本体１６の周縁位置において露出する高
分子接着剤又は低融点金属２６の露出部４７は、フッ素
系樹脂で形成された保護リング部材７０によって処理室
２の内部空間から気密に隔離される。保護リング部材７
０に形成されたボルト孔７１に挿入される取付ボルト７
２によって保護リング部材７０が処理室２の内部に固定
される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は静電チャック装置及
び載置台に係わり、特に、真空処理装置の処理室の内部
において被処理物を吸着保持するための静電チャック装
置及び載置台に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造工程、液晶表示パネル製造工
程、或いは光ディスク製造工程等の各種の工程におい
て、シリコンウエハ、ガラス基板等の円形又は角形の被
処理物の表面処理を行うために真空処理装置が使用され
ている。すなわち、真空処理装置は、その真空容器の内
部に搬入された被処理物に対してスパッタリング、エッ
チング、ベーキング、或いはアッシング等の処理を行
い、被処理物の表面に薄膜を形成したり、被処理物表面
に形成された薄膜に微細加工を施したりするための装置
である。

【０００３】真空処理装置の一つにダウンフロータイプ
のケミカルドライエッチング装置（ＣＤＥ装置）があ
り、このＣＤＥ装置は、処理室から分離されたプラズマ
発生室においてプロセスガスを活性化した後、このプロ
セスガスを処理室の内部に導入して被処理物の表面に供
給し、プロセスガス中の中性ラジカル（中性活性種）に
よって被処理物表面の薄膜をエッチング処理する装置で
ある。ここで、プロセスガスには、酸素ガス、ＣＦ₄ガ
ス等が使用される。

【０００４】また、真空処理装置の他の例として反応性
イオンエッチング装置（ＲＩＥ装置）があり、このＲＩ
Ｅ装置は、処理室の内部に供給されたプロセスガスを高
周波電圧を利用してプラズマ化し、処理室内部に形成さ
れたプラズマを利用して被処理物のエッチング処理を行
う装置である。

【０００５】さらに、真空処理装置の他の例としてはマ
イクロ波プラズマエッチング装置があり、この装置は、
処理室の内部に供給されたプロセスガスにマイクロ波を
印加してマイクロ波励起プラズマを生成し、このプラズ
マを利用してエッチングを行う装置である。

【０００６】そして、上述した真空処理装置の真空容器
の内部には被処理物を載置するための載置台が設けられ
ており、この載置台の温度は温度制御機構によって調節
される。したがって、載置台に載せられた被処理物は、
温度制御された載置台との熱伝導によってその温度が制
御される。ここで、被処理物の温度制御には加熱制御及
び冷却制御がある。

【０００７】また、載置台には被処理物を吸着固定する
ための静電チャック装置が設けられており、この静電チ
ャック装置に直流電圧を印加することによって被処理物
が静電気力によって静電吸着されて載置台に固定され
る。これによって被処理物の裏面と載置台の表面とが全
面にわたって密着し、熱伝達の面内均一性及び効率が向
上する。さらに、載置台に吸着固定された被処理物の裏
面に熱伝達用のガスを導入し、このガスによって被処理
物と載置台との間の熱伝達効率をさらに向上させ、これ
によって被処理物の温度を適切に制御できるようにされ
ている。

【０００８】なお、一般に静電チャック装置には、プラ
ス電極又はマイナス電極のいずれか一方のみを備えた単
極型の装置と、プラス電極及びマイナス電極を一組備え
た双極型の装置と、二組以上のプラス電極及びマイナス
電極を備えた多極型の装置とがある。

【０００９】次に、従来の真空処理装置の一例として、
ＣＤＥ装置について図２を参照して説明する。図２にお
いて符号１はＣＤＥ装置の真空容器を示し、この真空容
器１の内部に処理室（エッチング室）２が形成されてお
り、真空容器１の底部には、シリコンウエハである被処
理物Ｗの温度を制御するための水冷ジャケット３が気密
に固定されている。

【００１０】水冷ジャケット３の上部には、被処理物Ｗ
を載置するためのアルミニウム金属製の載置台（ウエハ
テーブル）４が設けられており、この載置台４には静電
チャック装置５が組み込まれている。水冷ジャケット３
の内部には温度制御機構の一部を構成する媒体通路６が
形成されており、温度調整された冷却水等の媒体Ｍが媒
体配管７、８を通して媒体通路６の内部に導入され、排
出されている。

【００１１】載置台４の外周部には枠状且つ環状の載置
台固定リング４５が設けられており、この載置台固定リ
ング４５は、図３に示したように取付ボルト４６によっ
て水冷ジャケット３の上面に固設されている。したがっ
て、載置台４は載置台固定リング４５を介して水冷ジャ
ケット３に固設されている。

【００１２】図２に示したように、真空容器１の天板９
を貫通するようにして活性種導入管１０が取り付けられ
ており、この活性種導入管１０の先端部は、処理室２内
に設けられたガス分散板１１に接続されている。このガ
ス分散板１１はシャワー状のノズルを形成しており、こ
のシャワー状のノズルによって、活性種導入管１０を介
して処理室２の内部に導入されたプロセスガスＧが被処
理物Ｗの表面全体にわたって均一に供給される。

【００１３】活性種導入管１０の途中には石英管１２が
設けられており、この石英管１２を取り囲むようにして
プラズマ発生装置１３が設けられている。そして、石英
管１２の内部に供給されたプロセスガスＧに対してプラ
ズマ発生装置１３からマイクロ波が印加される。する
と、石英管１２の内部でグロー放電が生じてプラズマが
生成され、プロセスガスＧが活性化されて活性種が生成
される。ここで、プロセスガスＧとしては例えば、ＣＦ
₄及びＯ₂を含む混合ガスを使用することができる。

【００１４】活性種を含むプロセスガスは活性種導入管
１０を通して処理室２内に導入され、ガス分散板１１を
介して被処理物Ｗの表面の全体に均一に供給される。す
ると、プロセスガス中の中性の活性種（ラジカル）によ
って被処理物Ｗの表面の薄膜がエッチングされる。ここ
で、処理室２は排気管１４を介して真空ポンプ（図示せ
ず）によって真空排気されており、処理室２の内部の圧
力は圧力計１５によって計測されている。

【００１５】また、図２に示したようにＣＤＥ装置は、
被処理物Ｗの裏面側に冷却ガスを供給するための冷却ガ
ス供給機構１９を備えており、この冷却ガス供給機構１
９は、載置台４及びチャック本体１６を貫通して被処理
物Ｗの下方に開口している冷却ガス導入管２０を有して
いる。この冷却ガス導入管２０の途中には圧力計２１及
びガス流量コントロールバルブ２２が設けられている。

【００１６】また、ガス流量コントロールバルブ２２よ
りも下流側の冷却ガス導入管２０の途中から排出配管２
３が分岐しており、この排出配管２３の途中には可変バ
ルブ２４が設けられている。そして、通常、圧力計２１
の計測値をフィードバックしてガス流量コントロールバ
ルブ２２の開度が自動的に調整され、１０００Ｐａ前後
の圧力に維持される。

【００１７】図３は、載置台４及び静電チャック装置５
の一部を拡大して示した縦断面図である。図３に示した
ように、静電チャック装置５はチャック本体１６を備え
ており、チャック本体１６は複数の薄膜状部材によって
多層構造に構成されている。

【００１８】すなわち、チャック本体１６は、金属薄膜
によって形成された導電性膜２５を備えており、この導
電性膜２５は、電圧が印加される電極板として機能す
る。導電性膜２５の両面には、ポリイミド樹脂フィルム
等の高分子有機材料によって形成された絶縁性膜２７
ａ、２７ｂが配置されており、これら一対の絶縁性膜２
７ａ、２７ｂによって導電性膜２５の全面が覆われてい
る。絶縁性膜２７ａ、２７ｂと導電性膜２５とは絶縁性
の高分子接着剤２６ａによって接着されている。

【００１９】さらに、下側の絶縁性膜２７ｂは絶縁性の
高分子接着剤２６ｂによって載置台４の表面４ａに接着
されている。また、上側の絶縁性膜２７ａの表面、すな
わち被処理物Ｗを載置する面にはポリ４フッ化エチレン
（ＰＴＦＥ）フィルム等のフッ素系樹脂からなる保護フ
ィルム２８が高分子接着剤２６ｃを用いて接着されてお
り、ポリイミド樹脂フィルム等の高分子有機材料よりな
る絶縁性膜２７ａ、２７ｂを保護している。

【００２０】また、図４は静電チャック装置５の他の例
を示しており、チャック本体１６の絶縁性膜２７ａ、２
７ｂがセラミック材料によって形成され、これらのセラ
ミック製の絶縁性膜２７ａ、２７ｂと金属製の導電性膜
２５とが、接着剤を用いることなく焼結によって直接接
合されている。この場合には上側の絶縁性膜２７ａの表
面に保護用の保護フィルム２８を設ける必要がない。ま
た、下側のセラミック製絶縁性膜２７ｂの下面は高分子
接着剤又は低融点金属２６によって載置台４の表面４ａ
に接着されている。

【００２１】導電性膜２５には図２に示した直流電源４
３が接続されており、この直流電源４３によって導電性
膜２５に電圧を印加するようになっている。そして、導
電性膜２５に電圧が印加されると、静電気力によって載
置台４に被処理物Ｗが吸着固定される。また、導電性膜
２５と直流電源４３との間に電流計４４を設けることに
よって、導電性膜２５に流れる電流を観測することが可
能であり、これによって被処理物Ｗの有無を検知するこ
とができる。

【００２２】上述した従来の静電チャック装置において
は、チャック本体１６を載置台４の表面４ａに接着する
ための絶縁性の接着剤として、エポキシ系、アクリル
系、シリコーン系等の高分子接着剤が使用されている。

【００２３】また、絶縁性膜２７ａ、２７ｂがセラミッ
ク製の場合には、前記高分子接着剤以外にも低融点金属
によってチャック本体１６を載置台４の表面４ａに固定
する場合があるが、この場合の低融点金属には錫−鉛合
金の半田、インジウム等の融点の低い金属が使用されて
いる。

【００２４】ところが、図３に示したように保護フィル
ム２８と載置台４の表面４ａとの間の高分子接着剤２６
ｃの一部４７は、載置台４の周縁位置において処理室
（エッチング室）２の内部空間に露出している。また、
図４に示したように、セラミック製絶縁性膜２７ｂと載
置台４の表面４ａとの間の高分子接着剤又は低融点金属
２６の一部４７も、載置台４の周縁位置において処理室
（エッチング室）２の内部空間に露出している。

【００２５】このため、高分子接着剤又は低融点金属の
露出部４７は、被処理物Ｗを真空処理する際の反応性ガ
ス（腐食ガス、堆積ガス等）によって短時間のうちに腐
食してしまい、ダスト（パーティクル）の発生、金属汚
染、チャック本体１６の載置台表面４ａからの剥がれ等
が引き起こされる恐れがある。

【００２６】図５（ａ）、（ｂ）は、高分子接着剤又は
低融点金属の露出部４７の腐食を防止するための手段を
備えた静電チャック装置の一例を示している。図５
（ｂ）は（ａ）のＢ部を拡大して示した縦断面図であ
る。

【００２７】図５（ａ）、（ｂ）に示したようにこの静
電チャック装置は、載置台４及びチャック本体１６に圧
接されるフッ素樹脂リング６１と、このフッ素樹脂リン
グ６１を固定するための押さえリング６２と、を備えて
いる。

【００２８】フッ素樹脂リング６１は、チャック本体１
６の表面の保護フィルム２８に圧接される環状の第１圧
接面６３と、載置台４の側周面４ｃに圧接される環状の
第２圧接面６４と、第１圧接面６３と第２圧接面６４と
を連結する断面略Ｃ字状の連結部６５と、から構成され
ている。ここで、フッ素樹脂リング６１は４フッ化樹脂
によって形成されており、好ましくはポリ４フッ化エチ
レン（ＰＴＦＥ）によって形成されている。

【００２９】押さえリング６２は、フッ素樹脂リング６
１の連結部６５の上面に当接されると共に、取付ボルト
６８によって載置台固定リング５０の上面に固定されて
いる。ここで、押さえリング６２は、金属部材の表面に
フッ素系樹脂をコーティングして形成されている。な
お、載置台固定リング５０は取付ボルト５１によって水
冷ジャケット３の上面に固設されている。

【００３０】押さえリング６２によって押圧されたフッ
素樹脂リング６１は、載置台固定リング５０のテーパ面
５３から受ける力の作用も相まって、高分子接着剤又は
低融点金属の露出部４７を処理室２の内部空間から気密
に隔離する。これよって活性種を含むプロセスガスの露
出部４７への回り込みを防止している。

【００３１】

【発明が解決しようとする課題】ところが、図５に示し
た従来の静電チャック装置においては、押さえリング６
２及び載置台固定リング５０が金属材料によって形成さ
れているために、例えばＯ₂リッチの条件の下でエッチ
ング／アッシングを行った場合、押さえリング６２等を
構成する金属材料の影響によって被処理物Ｗの処理の均
一性が劣化するという問題があった。

【００３２】そこで、本発明は、チャック本体の固定に
使用される高分子接着剤又は低融点金属の露出部の腐食
を防止し得ると共に処理の均一性を良好に維持しうる静
電チャック装置及びこの装置を備えた載置台を提供する
ことを目的とする。

【００３３】

【課題を解決するための手段】本発明は、被処理物を静
電気力によって吸着保持するために、処理室の内部の載
置台に設けられる静電チャック装置において、前記被処
理物を吸着する際に電圧が印加される導電性膜と、この
導電性膜を両面から挟み込む一対の絶縁性膜と、を有す
るチャック本体を備え、前記チャック本体は接着剤又は
低融点金属によって前記載置台の表面に貼着され、前記
チャック本体の周縁位置において露出する前記接着剤又
は低融点金属の露出部は、フッ素系樹脂で形成された保
護リング部材によって前記処理室の内部空間から気密に
隔離され、前記保護リング部材にはボルト孔が形成され
ており、前記ボルト孔に挿入される取付ボルトによって
前記保護リング部材が前記処理室の内部に固定されるこ
とを特徴とする。

【００３４】また、前記保護リング部材は、前記チャッ
ク本体の表面の周縁部に対向する第１の環状面と、前記
載置台のベース部に対向する第２の環状面と、を備え、
前記第１の環状面及び前記第２の環状面に第１のＯリン
グ及び第２のＯリングをそれぞれ設け、前記第１及び第
２のＯリング及び前記保護リング部材の内周面によって
前記接着剤又は低融点金属の前記露出部を前記処理室の
内部空間から気密に隔離することが望ましい。

【００３５】また、前記取付ボルトは、過度な締め付け
による前記保護リング部材の破損を防止し得るショルダ
ーボルトであることが望ましい。

【００３６】また、前記保護リング部材を前記取付ボル
トによって前記処理室の内部に固定することによって前
記載置台が前記処理室の内部に固定されるようにするこ
ともできる。

【００３７】前記チャック本体はその表面に貼着された
フッ素系樹脂より成る保護フィルムを備えていても良
い。

【００３８】本発明による被処理物の載置台は、上述し
たいずれかの静電チャック装置を備えており、前記チャ
ック本体が前記接着剤又は低融点金属によって表面に貼
着されていることを特徴とする。

【００３９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態による
静電チャック装置及びこの装置を備えた載置台について
図１（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。なお、本実施
形態による静電チャック装置及び載置台は、例えば図２
に示したダウンフロータイプのケミカルドライエッチン
グ装置（ＣＤＥ装置）に組み込むことができる。また、
ＣＤＥ装置以外にも、既述の各種真空処理装置に本実施
形態による静電チャック装置及び載置台を組み込むこと
ができる。

【００４０】図１（ａ）は本実施形態による静電チャッ
ク装置及び載置台の概略構成を示した縦断面図であり、
図１（ｂ）は（ａ）のＡ部を拡大して示した縦断面図で
ある。

【００４１】図１（ａ）、（ｂ）に示したように本実施
形態による静電チャック装置は、チャック本体１６を備
えており、このチャック本体１６は、図３又は図４に示
した従来の静電チャック装置におけるチャック本体１６
と同じ構成より成り、ウエハ（被処理物）Ｗを吸着する
際に電圧が印加される導電性膜２５（図３、図４参照）
と、この導電性膜２５を両面から挟み込む一対の絶縁性
膜２７ａ、２７ｂとを備えている。

【００４２】チャック本体１６は高分子接着剤又は低融
点金属によって載置台４の表面に貼着されており、チャ
ック本体１６の周縁位置において高分子接着剤又は低融
点金属が露出している。この高分子接着剤又は低融点金
属の露出部４７は、保護リング部材７０によって処理室
２の内部空間から気密に隔離されている。ここで、保護
リング部材７０はその全体が４フッ化樹脂等のフッ素系
樹脂によって形成されている。

【００４３】保護リング部材７０にはボルト孔７１が上
下に貫通して形成されており、このボルト孔７１に挿入
された取付ボルト７２によって、保護リング部材７０が
水冷ジャケット３に固定されている。フッ素系樹脂より
成る保護リング部材７０の締付け固定時の締めすぎによ
る変形を防止するために、取付ボルト７２にはショルダ
ーボルトが使用されている。このショルダーボルトより
成る取付ボルト７２の頭部はボルト孔７１の内部に埋没
している。

【００４４】保護リング部材７０は、逆Ｌ字状の断面形
状を備えており、チャック本体１６の表面の保護フィル
ム２８の周縁部に対向する第１の環状面７３と、載置台
４のベース部４ｂの上面に対向する第２の環状面７４と
を備えている。

【００４５】第１の環状面７３及び第２の環状面７４に
は第１のＯリング溝７５及び第２のＯリング溝７６がそ
れぞれ刻設されており、これらの溝７５、７６には、第
１のＯリング７７及び第２のＯリング７８がそれぞれ填
め込まれている。

【００４６】そして、取付ボルト７２を締め込むことに
よって、第１のＯリング７７がチャック本体１６の表面
の保護フィルム２８の周縁部に圧接されると共に、第２
のＯリング７８が載置台４のベース部４ｂの上面に圧接
される。その結果、第１及び第２のＯリング７７、７８
及び保護リング部材７０の内周面７９によって、高分子
接着剤又は低融点金属の露出部４７が処理室２の内部空
間から気密に隔離される。

【００４７】また、保護リング部材７０を取付ボルト７
２によって水冷ジャケット３に固定することにより、載
置台４が第１及び第２の環状面７３、７４によって下方
に押圧され、これによって載置台４が水冷ジャケット３
の上面に固定される。

【００４８】なお、本実施形態による静電チャック装置
のチャック本体１６は、図３に示した構造のものでも、
図４に示した構造のものでも良く、或いは他の構造のも
のでも良い。要するにチャック本体１６自体の構造は不
問であり、チャック本体１６が載置台４に高分子接着剤
又は低融点金属によって接着されており、しかも高分子
接着剤又は低融点金属がチャック本体１６の周縁位置に
おいて露出している場合に本実施形態を適用することが
できる。

【００４９】以上述べたように本実施形態による静電チ
ャック装置及び載置台によれば、チャック本体１６の周
縁位置において露出している高分子接着剤又は低融点金
属の露出部４７を、第１及び第２のＯリング７７、７８
を有する保護リング部材７０によって処理室２の内部空
間から気密に隔離することができるので、被処理物Ｗの
処理中において露出部４７がプロセスガス（反応性ガ
ス）に接触することがなく、長時間の処理を行った場合
でもプロセスガスによって露出部４７が腐食することが
なく、このため、ダスト（パーティクル）の発生、金属
汚染、チャック本体１６の載置台４の表面４ａからの剥
がれ等を防止することができる。

【００５０】また、本実施形態によれば、保護リング部
材７０はその全体がフッ素系樹脂で形成されており、ウ
エハＷの周囲には金属部材が配置されていないので、例
えばＯ₂リッチのエッチング処理においても、金属部材
の影響により処理の均一性が劣化することがない。

【００５１】さらに、第１及び第２のＯリング７７、７
８を用いて高分子接着剤又は低融点金属の露出部４７を
隔離するようにしたので、気密性が高まり、露出部４７
の保護効果を高めることができる。

【００５２】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、チャ
ック本体の周縁位置において露出している高分子接着剤
又は低融点金属の露出部を保護リング部材によって処理
室の内部空間から気密に隔離することができるので、被
処理物の処理中において露出部がプロセスガスに接触す
ることがなく、長時間の処理を行った場合でもプロセス
ガスによって露出部が腐食することがなく、このため、
ダスト（パーティクル）の発生、金属汚染、チャック本
体の載置台表面からの剥がれ等を防止することができる
と共に、保護リング部材はフッ素系樹脂で形成されてい
るので、金属材料の存在による処理の均一性の劣化を防
止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明の第１実施形態による静電チャ
ック装置及び載置台の概略構成を示した縦断面図であ
り、（ｂ）は（ａ）のＡ部を拡大して示した縦断面図。

【図２】ＣＤＥ装置の概略構成を示した縦断面図。

【図３】従来の静電チャック装置及び載置台の第１例の
一部を拡大して示した縦断面図。

【図４】従来の静電チャック装置及び載置台の第２例の
一部を拡大して示した縦断面図。

【図５】（ａ）は従来の静電チャック装置及び載置台の
第３例の概略構成を示した縦断面図であり、（ｂ）は
（ａ）のＢ部を拡大して示した縦断面図。

【符号の説明】

１真空容器２処理室４載置台４ａ載置台の表面４ｂ載置台のベース部１６チャック本体２５導電性膜２６、２６ａ、２６ｂ、２６ｃ高分子接着剤又は低融
点金属２７ａ、２７ｂ絶縁性膜２８保護フィルム４７露出部７０保護リング部材７１ボルト孔７２取付ボルト７３第１の環状面７４第２の環状面７５第１のＯリング溝７６第２のＯリング溝７７第１のＯリング７８第２のＯリング７９保護リング部材の内周面Ｗ被処理物

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理物を静電気力によって吸着保持する
ために、処理室の内部の載置台に設けられる静電チャッ
ク装置において、前記被処理物を吸着する際に電圧が印加される導電性膜
と、この導電性膜を両面から挟み込む一対の絶縁性膜
と、を有するチャック本体を備え、前記チャック本体は接着剤又は低融点金属によって前記
載置台の表面に貼着され、前記チャック本体の周縁位置
において露出する前記接着剤又は低融点金属の露出部
は、フッ素系樹脂で形成された保護リング部材によって
前記処理室の内部空間から気密に隔離され、前記保護リ
ング部材にはボルト孔が形成されており、前記ボルト孔
に挿入される取付ボルトによって前記保護リング部材が
前記処理室の内部に固定されることを特徴とする静電チ
ャック装置。
【請求項２】前記保護リング部材は、前記チャック本体
の表面の周縁部に対向する第１の環状面と、前記載置台
のベース部に対向する第２の環状面と、を備え、前記第
１の環状面及び前記第２の環状面に第１のＯリング及び
第２のＯリングをそれぞれ設け、前記第１及び第２のＯ
リング及び前記保護リング部材の内周面によって前記接
着剤又は低融点金属の前記露出部を前記処理室の内部空
間から気密に隔離することを特徴とする請求項１記載の
静電チャック装置。
【請求項３】前記取付ボルトは、過度な締め付けによる
前記保護リング部材の破損を防止し得るショルダーボル
トであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載
の静電チャック装置。
【請求項４】前記保護リング部材を前記取付ボルトによ
って前記処理室の内部に固定することによって前記載置
台が前記処理室の内部に固定されるようにしたことを特
徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の
静電チャック装置。
【請求項５】前記チャック本体はその表面に貼着された
フッ素系樹脂より成る保護フィルムを備えていることを
特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載
の静電チャック装置。
【請求項６】請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記
載の静電チャック装置を備え、前記チャック本体が前記
接着剤又は低融点金属によって表面に貼着されている、
被処理物を載置するための載置台。