KR20050084080A - 복합 리드프레임 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조 방법 - Google Patents

복합 리드프레임 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

발광 다이 패키지(10)가 개시된다. 다이 패키지(10)는 리드프레임(20), 하단 열 싱크(30), 상단 열 싱크(40), 리플렉터(60) 및 렌즈(70)를 포함한다. 상단 및 하단 열 싱크(30 및 40)는 리드프레임(20)과 열적으로는 결합되지만, 전기적으로는 절연된다. 리드프레임(20)은 복수의 리드들(22)을 포함하고, LED(50)를 탑재하기 위한 마운팅 패드(28)를 정의한다. 상단 열 싱크(40)는 마운팅 패드(42) 위에 개구(42)를 정의한다. 리플렉터(60)는 상기 개구(42)에서 상단 열 싱크(40)에 결합된다. 렌즈(70)는, 마운팅 패드(28) 위에서 밀폐 공동(44)을 정의하는 개구(42) 위에 위치한다. 공동(44) 내의 마운팅 패드(28) 상에 적어도 하나의 LED(50)가 탑재된다. 광학적 특성을 최대화하기 위해, LED(50)와 그 주변 표면을 밀봉제가 광학적으로 결합시킨다. 전력이 공급되면, LED(50)는 빛과 열을 발생시킨다. 빛은 리플렉터(60)에 의해 반사되고, 렌즈(70)에 의해 동작된다. 상단 및 하단 열 싱크들(30 및 40)에 의해 열이 분산된다.

Description

복합 리드프레임 ＬＥＤ 패키지 및 그 제조 방법{COMPOSITE LEADFRAME LED PACKAGE AND METHOD OF MAKING THE SAME}
본 출원은 2002년 12월 6일자로 미국 특허청에 제출된 "리드프레임 기반 LED 또는 향상된 열 확산 기능을 갖는 반도체 패키지"라는 명칭의 미국 가출원 번호 60/431,523의 우선권의 이익을 주장한다.
본 발명은 반도체 장치의 패키징 분야에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 발광 다이오드를 패키징하는 것에 관한 것이다.
발광 다이오드와 같은 LED(Light Emitting Device)는 종종 리드프레임 패키지 내에 패키징된다. 통상적으로, 리드프레임 패키지는, LED 및 리드들의 대부분이 플라스틱 본체 내에 완전히 포함되는 얇은 금속 리드들에 접속된 LED를 포함한다. 플라스틱 본체의 일부는 렌즈를 정의한다. LED에 접속된 리드들 중의 일부는 플라스틱 본체 외부로 확장된다. 리드프레임 패키지의 금속 리드는 LED에 전력을 공급하는 도체로서 기능하고, 동시에 LED로부터 열을 방출하도록 동작할 수 있다. 빛을 내도록 LED에 전력을 공급하면, LED는 열을 발생시킨다. 패키지 본체 외부로 확장된 리드들 중의 일부는 리드프레임 패키지 외부의 회로들에 접속된다.
LED에 의해 발생된 열 중의 일부는 플라스틱 패키지 본체에 의해 분산된다. 그러나, 대부분의 열은 패키지의 금속 부분들을 통해 LED로부터 제거된다. 통상적으로, 금속 리드들은 매우 얇으며, 작은 단면적을 갖는다. 이러한 이유로, LED로부터 열을 제거하는 금속 리드의 용량이 제한된다. 이는 LED에 공급할 수 있는 전력의 양을 제한한다. 따라서, 이는 LED가 생성할 수 있는 빛의 양도 제한한다.
LED 패키지의 열 분산 용량을 증가시키기 위해, 업계에서는 다양한 디자인을 사용한다. 그러나, 이러한 디자인들의 각각으로 인해, LED 패키지는 그 제조에 따른 복잡도와 비용이 높아지고, 제한된 열 분산 용량을 갖게된다. 예컨대, 한가지 접근 방법에 있어서, 열 싱크(heatsink) 슬러그의 공동 내에 LED가 포함되도록 LED 패키지를 디자인한다. 그 후, 하단 표면을 제외하고 플라스틱 본체로 열 싱크 슬러그를 둘러싼다. 예컨대, Lumileds Lighting, LLC 사의 일부 LUXEONTM LED 패키지는 이러한 디자인을 구현하고 있다. 여기서, 열 싱크 슬러그는 LED 패키지의 열을 분산하는 용량을 증가시킨다. 그러나, 이러한 디자인의 LED 패키지는 상대적으로 제조가 어렵고, 제조에 많은 비용이 소요된다. 또한, 제한된 노출 표면(하단 표면)으로 인해, 열 분산이 제한된다.
다른 LED 패키지 디자인에 있어서, 리드프레임의 리드들은 (다양한 형상 및 구성으로) LED 패키지 본체의 가까운 모서리(immediate edge) 너머로 확장된다. 이는 주변 공기에 노출된 리드 부분의 표면적을 증가시킨다. 확장된 리드들의 증가된 노출 표면적은 LED 패키지의 열 분산 용량을 증가시킨다. 그러나, 확장된 리드들은 LED 패키지의 크기를 증가시키므로, 회로 보드 상의 상대적으로 넓은 면적을 필요로 한다. 많은 애플리케이션에서, 회로 보드 면적은 중요하고도 비용과 직결된 요소이다.
현재의 리드프레임 패키지 디자인의 다른 문제점은 패키지의 열팽창과 관련된 문제이다. 열이 발생하면, LED 패키지는 열팽창을 하게 된다. LED 패키지의 각각의 부분들은 상이한 열팽창 계수(CTE; Coefficient of Thermal Expansion)를 갖는다. 예컨대, LED의 열팽창 계수, 패키지 본체의 열팽창 계수, 리드들의 열팽창 계수 및 렌즈의 열팽창 계수는 서로 상이하다. 이러한 이유로 인해, 이러한 부분들이 가열되면, 이러한 부분들의 각각은 상이한 정도의 열팽창을 하게 되고, 이는 패키지 부분들 간에 역학적 스트레스를 초래하여 패키지의 신뢰성에 부정적으로 작용한다.
결과적으로, 종래 기술에 따른 패키지의 단점들 중의 하나 이상을 극복 또는 경감시키기는, 향상된 LED 패키지에 대한 필요성이 존재한다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이의 사시도.
도 1c는 도 1a의 A-A 선을 따라 절단된 발광 다이의 단면도.
도 2는 도 1a의 반도체 패키지의 분해도.
도 3은 제조 과정 동안의, 도 1a의 발광 다이의 사시도.
본 발명은 이러한 필요성을 만족시킨다. 본 발명의 제1 실시예에 있어서, 발광 다이오드 패키지는 리드프레임, 하단 열 싱크(bottom heatsink) 및 상단 열 싱크(top heatsink)를 포함한다. 리드프레임은 상면 및 하면을 갖고, 복수의 리드들을 포함한다. 리드프레임의 일부는 마운팅 패드(mounting pad)를 정의한다. 하단 열 싱크는 리드프레임의 하면에 결합된다. 상단 열 싱크는 리드프레임의 상면에 결합된다. 상단 열 싱크는, 일반적으로 마운팅 패드를 둘러싸는 개구(opening)를 정의한다.
본 발명의 제2 실시예에 있어서, 발광 다이오드 패키지는 리드프레임, 하단 열 싱크 및 상단 열 싱크를 포함한다. 리드프레임은 상면 및 하면을 갖고, 복수의 리드들을 포함한다. 하단 열 싱크는 마운팅 패드 아래의 리드프레임의 하면에 열적으로 결합된다. 하단 열 싱크는 리드프레임과 전기적으로 절연된다. 상단 열 싱크는 리드프레임의 상면에 열적으로 결합되고, 일반적으로 마운팅 패드를 둘러싸는 개구를 정의한다. 상단 열 싱크는 리드프레임과 전기적으로 절연되고, 역시 마운팅 패드를 둘러싸는 리플렉터(reflector)에 결합된다. 적어도 하나의 LED가 마운팅 패드 상에 탑재되는데, 상기 LED는 전력이 공급되면 빛을 생성하도록 구성된다. 렌즈는 상기 개구 위에서 상단 열 싱크에 결합된다. 렌즈는 개구를 덮음으로써 밀폐 공동(enclosed cavity)을 정의한다.
본 발명의 제3 실시예에 있어서, 발광 다이 패키지를 제조하는 방법이 개시된다. 우선, 리드프레임이 마련된다. 리드프레임 다이는 복수의 리드들 및 다이 프레임을 포함하는데, 각각의 리드 및 다이 프레임은 상면 및 하면을 갖는다. 그 후, 상단 열 싱크가 리드프레임 다이 위로 결합되는데, 상기 상단 열 싱크는 개구를 정의한다. 다음으로, 하단 열 싱크는 리드프레임 다이 아래로 결합된다. 마지막으로, 상기 다이 프레임을 잘라내기 위하여, 리드프레임 다이를 스탬핑한다(stamp).
본 발명의 원리를 예로서 나타내는 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 다른 태양 및 이점들이 이하의 상세한 설명에 명확해질 것이다.
본 발명의 다양한 실시예들을 도시하는 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명에 대해 기술할 것이다. 도면에 도시된 바와 같이, 계층 및 영역의 크기는 도시를 위해 과장되었으며, 본 발명의 일반적인 구조를 나타내도록 제공된다. 또한, 다른 구조 부분들 또는 이들 모두에 대해 형성된 구조 또는 부분을 참조하여 본 발명의 다양한 태양들에 대해 기술한다. 당업자가 인식하는 바와 같이, 다른 구조물 또는 부분 "상"에 또는 그 "위"에 형성된 구조에 대한 참조는 부가적인 구조, 부분 또는 이들 모두가 개입될 수 있음을 의미한다. 구조 또는 부분들을 개입시키지 않으면서, 다른 구조 또는 부분 "상"에 형성된 구조 또는 부분을 참조하는 경우, 본 명세서에서는, 상기 구조 또는 부분의 "직접 상"에 형성된 것으로 기술한다. 또한, 본 명세서에서는, 도면에 도시된 바와 같이 다른 구조 또는 부분에 대한 하나의 구조 또는 부분의 관계를 기술하기 위하여 "상" 또는 "위"와 같은 상대적인 용어를 사용한다. "상" 또는 "위"와 같은 상대적인 용어들은 도면에 도시된 방위 이외에도 장치의 다른 방위들을 포함하는 것을 의도한다. 예컨대, 도면의 장치를 뒤집게 되면, 다른 구조 또는 부분의 "위"로서 기재된 구조 또는 부분은 이제 다른 구조 또는 부분에 대하여 "아래"를 향하게 될 것이다. 마찬가지로, 도면의 장치를 축을 따라 회전시키면, 다른 구조 또는 부분의 "위"로서 기재된 구조 또는 부분은 이제 다른 구조 또는 부분의 "다음" 또는 "왼쪽"을 향하게 될 것이다. 전체에 걸쳐, 유사한 도면 부호는 유사한 요소들을 나타낸다.
예시를 위해 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예들은, 리드들을 갖는 리드프레임, 하단 열 싱크 및 개구를 갖는 상단 열 싱크를 포함하는 발광 다이 패키지를 예로 든다. 발광 다이오드와 같은 LED는 개구 내의 리드프레임 상에 탑재된다. 렌즈는 개구를 덮는다. 실제로, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이 패키지는 리드프레임을 그 사이에 갖는 두 부분의 열 싱크를 포함한다. 하단 및 상단 열 싱크들 모두가 LED로부터 열을 제거하므로, 더 많은 전력을 LED에 전달할 수 있고, LED는 더 많은 빛을 낼 수 있다. 또한, 동일한 이유로 인해, 본 발명의 발광 다이 패키지는 별도의 열 싱크 슬러그 또는 패키지 외부로 확장되는 리드들을 필요로 하지 않는다. 따라서, 종래 기술에 따른 다이 패키지에 비하여, 본 발명의 LED 다이 패키지는 보다 작고, 보다 신뢰성 있으며, 보다 적은 비용으로 제조가 가능하다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이 패키지(10)의 사시도이다. 도 1c는 도 1a의 A-A 선을 따라 절단된 발광 다이 패키지의 단면도이다. 도 2는 도 1a 및 도 1b의 반도체 패키지(10)의 분해 사시도이다. 도 1a 내지 도 2를 참조하면, 반도체 패키지(10)는 리드프레임(20), 하단 열 싱크(30) 및 상단 열 싱크(40)을 포함한다.
리드프레임(20)은 복수의 리드들을 포함한다. 도면에는, 오직 예시적인 목적으로, 리드들(22a, 22b, 22c, 22d 및 22e)이 도시되어 있다. 편의를 위해, 본 문서에서는 리드들(22a, 22b, 22c, 22d 및 22e)을 총괄하여 리드(22)로 지칭한다. 리드들(22a, 22b, 22c, 22d 및 22e)은 서로 전기적으로 절연되어 있다. 복잡을 피하기 위해, 도면에는 리드들(22)의 모든 예가 도면 부호를 이용하여 표시되어 있지 않다. 리드프레임(20)은 상면(24) 및 하면(26)을 포함한다. 또한, 리드프레임(20)의 일부는 마운팅 패드(28)를 정의한다. 마운팅 패드(28)는, LED 어셈블리(50)가 장착되는 (제1 리드(22a)의 일부를 포함하는) 리드프레임(20)의 일부이다. 통상적으로, 마운팅 패드(28)는 리드프레임(20)의 상면(24)의 중앙에 근접하여 위치한다. 본 발명의 대안적인 실시예에서, LED 어셈블리(50)는 다른 반도체 회로 또는 칩으로 대체되 수 있다. 리드프레임(20)은 전기적 도전체로 구성되며, 일반적으로 두께가 얇다. 일 실시예에 있어서, 리드프레임(20)은 수천 분의 1 인치 또는 수백 분의 1 인치 크기의 두께를 갖는데, 예로는 0.005 인치 내지 0.010 인치 범위의 두께를 갖는다.
하단 열 싱크(30)는, 적어도 마운팅 패드(30)의 아래에서 리드프레임(20)의 하면(26)에 결합된다. 하단 열 싱크(30)는 열적 도전체로 구성되며, 리드프레임(20)의 하면(26)에 열적으로 결합되지만, 전기적으로는 리드프레임(20)과 절연된다. 하단 열 싱크(30)는 리드프레임(20)에 열적으로 결합되지만, 전기적으로는 절연되는데, 예컨대, 세라믹 입자로 채워진 접착제와 같은 유전체 층을 리드프레임(20) 및 하단 열 싱크(30) 사이에 사용함으로써 전기적인 절연을 달성할 수 있다. 하단 열 싱크(30)는 발광 다이 패키지(10)를 위한 하단 평면을 규정하는 하부 표면(34)을 갖는다. 하단 열 싱크(30)의 하부 표면(34)은 도 1b에 도시된 바와 같이 금속 하부(metalized bottom)를 포함할 수 있다. 도시된 바와 같이, 리드들(22)은 하단 평면을 향해 구부러져서, 하단 평면 근처에서 끝난다.
상단 열 싱크(40)는 리드프레임(20)의 상면(24)에 결합된다. 상단 열 싱크(40)는 개구(42)를 정의하는데, 상기 개구(42)는 일반적으로 마운팅 패드(28)를 둘러싼다. 상단 열 싱크(40)는 열적 도전체로 구성되고, 리드프레임(20)의 상면(24)에 열적으로 결합되지만, 전기적으로는 리드프레임(20)으로부터 절연되는데, 리드프레임(20)과 하단 열 싱크(40) 사이에 유전체 층을 사용하여 전기 절연을 달성한다. 일반적으로, 하단 싱크(30) 및 상단 싱크(40)는 비슷한 횡측 길이 또는 확장부를 갖고, 그 사이에 리드프레임(20)을 사이에 위치시켜서 서로 실질적으로 중첩된다. 상단 열 싱크(40) 및 하단 열 싱크(30)는, 예컨대 오직 구리, 알루미늄 또는 세라믹 물질과 같은 열적 도전 물질로 구성된다.
발광 다이 패키지(10)는 마운팅 패드 상에 탑재된 적어도 하나의 LED를 포함하는 LED 어셈블리(50)를 포함한다. 도 2에서, LED 어셈블리(50)는 네 개의 발광 다이오드들을 갖는 것으로 도시되어 있다. LED는 전력을 공급받으면 빛을 내도록 구성된다.
발광 다이 패키지(10)는 상단 열 싱크(40)에 결합된 리플렉터(60)를 포함하는데, 상기 리플렉터(60)는 마운팅 패드(28)를 둘러싼다. 대안적인 실시예에서, 리플렉터(60)는 개별 컴포넌트는 아니지만, 상단 열 싱크(40)에 통합되어 그 일부가 된다. 리플렉터(60)는 LED 어셈블리(50)로부터 렌즈(70)를 향해 빛을 반사하도록 구성된다.
발광 다이 패키지(10)는 상단 열 싱크(40)에 결합된 렌즈(70)를 포함하는데, 상기 렌즈(70)는 개구(42) 위의 마운팅 패드(28)에 결합되며 리플렉터(60) 위에 존재한다. 렌즈(70)가 개구(42) 위에 배치된 경우에, 리드프레임(20), 상단 열 싱크(40) 및 렌즈(70)에 의해 밀폐 공동(44)이 정의된다. 렌즈(70)는 LED 어셈블리(50)에 의해 생성된 빛을 예컨대 반사, 복사, 집중시키도록 작용하며, 파장을 변경시킨다. 예컨대, 빛을 확산시키기 위해, 렌즈(70)의 하면(72)을 탄산칼슘으로 코팅할 수 있다. 대안으로, LED 어셈블리(50)로부터의 빛의 파장을 변경시키기 위하여, 렌즈(70)의 하면(72)을 인광 물질(phosphors)로 코팅할 수 있다.
밀폐 공동(44)은 실리콘과 같은 깨끗한 밀봉제(encapsulant)로 채워진다. 밀봉제는 LED 어셈블리(50)를 마운팅 패드(28)에 부착시킨다. 밀폐 공동(44)를 밀봉제로 완전치 채울 필요는 없다. 사실, 공동(44) 내에 간극을 남겨두고 공동을 부분적으로 밀봉제로 채움으로써, (LED 어셈블리(50)에 의해 열이 생성된 경우에) 렌즈(70)가 상단 열 싱크(40)로부터 분리되지 않으면서 밀봉제가 팽창할 수 있게 된다.
도 1a 내지 도 2의 발광 다이 패키지(10)를 제조하는 방법을 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은 조립 전의 도 1a의 발광 다이 패키지(10)를 도시한다. 도면의 발광 다이 패키지(10)를 제조하기 위해서, 리드프레임 다이(80)를 마련한다. 예시적인 목적으로, 도 2에서는, 두 개의 발광 다이 패지를 제조하기 위해 리드프레임 다이(80)를 마련한다. 사실, 리드프레임 다이는, 동시에 여러 개의 발광 다이 패키지들을 제조하도록 마련될 수 있다. 리드프레임 다이(80)는 복수의 리드들, 예컨대, 리드(22a, 22b, 22c, 22d 및 22e; 집합적으로 22) 및 리드들(22)을 둘러싸는 다이 프레임(82)을 포함한다. 리드프레임 다이는 (도 2의 리드프레임(20)의 상면(24)과 동일한 면인) 상면(24) 및 (도 2의 리드프레임(20)의 하면(26)과 동일한 면인) 하면(26)을 갖는다. 리드프레임 다이(80)는 한 장의 금속과 같은 다이 재료를 스탬핑하여 마련된다. 다이 재료의 두께는 원하는 애플리케이션에 따라 크게 달라질 수 있는데, 그 예로 두께는 예컨대, 0.13mm 내지 0.25mm 범위의 소수 mm의 크기가 될 수 있다. 대안으로, 리드프레임 다이(80)는 식각 프로세스를 사용하여 마련될 수도 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상단 열 싱크(40)는 리드프레임 다이(80)에 결합된다. 이미 설명한 바와 같이, 상단 열 싱크(40)는 개구(42)를 정의한다. 하단 열 싱크(30)는 리드프레임 다이(80)의 하면에 결합된다. 하단 열 싱크(30)는 리드프레이 다이(80)에 열적으로는 결합되지만, 전기적으로는 절연된 상부 표면(32)을 갖는다. 도 1b에 도시된 바와 같이, 하단 열 싱크(30)는 발광 다이 패키지(30)에 대한 하단 평면을 정의하는 금속화된 하부 표면(34)을 갖는다. 하단 열 싱크(30)를 리드프레임(20)으로부터 분리하기 위해, 도 3의 유전체이지만, 열적으로는 도전성인 접착제층(38)을 사용할 수 있다.
상단 열 싱크(40) 및 하단 열 싱크(30)는 비슷한 측면 확장부를 갖고, 실질적으로 서로 중첩된다. 예컨대, 하단 열 싱크(30)의 측면 확장부(33 및 35)는, 구현예에 따라 크게 달라질 수 있는데, 오직 예시의 목적으로, 측면 확장부(33 및 35)는 mm 또는 cm 차원이며, 예컨대 7mm 내지 20mm의 범위를 가질 수 있다. 하단 열 싱크(30) 및 상단 열 싱크(40)는 mm 또는 cm 차원이며, 예컨대 1.5mm 내지 3mm의 범위를 가질 수 있다. 이러한 측정치들은, 다양한 원하는 특성 및 애플리케이션에 따라 크게 변화될 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하여, 발광 다이 패키지(10)를 제조하는 방법을 추가로 설명한다. 발광 다이오드와 같은 적어도 하나의 LED를 포함하는 LED 어셈블리(50)는 개구(42) 내에서, 리드(22a)와 같은 적어도 하나의 리드 상에 탑재된다. 그 후, 리플렉터(60) 및 렌즈(70)가 상단 열 싱크(40)에 부착되는데, 상기 렌즈(70)는 개구(42)를 덮는다. 리플렉터(60)는 개구(42)를 둘러싼다. 리플렉터(60)는 상단 열 싱크(40)에 통합될 수 있는데, 이 경우 리플렉터(60)를 상단 열 싱크(40)와 결합시키는 별도의 단계에 대한 필요성이 사라진다.
마지막으로, 리드프레임 다이(80)를 스탬핑하여 다이 프레임(82)을 잘라낸다. 스탬핑 동안, 도 1a 내지 도 2에 도시된 바와 같이 리드들(22)은 하단 평면을 향해 구부러진다.
전술한 사항으로부터, 본 발명은 신규하며 종래 기술에 비해 이점을 제공함이 명확하다. 본 발명의 특정 실시예들이 기술 및 도시되어 있지만, 본 발명은 이제까지 기술 및 도시한 특정한 형태 또는 배열에 제한되지 않는다. 예컨대, 본 발명을 실시하기 위해 상이한 구성, 크기 또는 재료를 사용할 수 있다. 본 발명은 이하의 청구항에 의해 제한된다.

Claims (20)

  1. 복수의 리드들(22)을 포함하는 리드프레임(20) - 상기 리드프레임(20)은 상면(24) 및 하면(26)을 갖고, 상기 리드프레임의 일부는 마운팅 패드(28)를 정의함 -;
    상기 리드프레임(20)의 상기 하면(26)에 결합된 하단 열 싱크(30) 및
    상기 리드프레임(20)의 상기 상면(24)에 결합된 상단 열 싱크(40) - 상기 상단 열 싱크(40)는 개구(42)를 정의하고, 상기 개구(42)는 일반적으로 상기 마운팅 패드(28)를 둘러쌈 -
    를 포함하는 발광 다이 패키지(10).
  2. 제1항에 있어서, 상기 상단 열 싱크(40)는 상기 리드프레임(20)과 전기적으로 절연된 발광 다이 패키지(10).
  3. 제1항에 있어서, 상기 상단 열 싱크(40) 및 상기 하단 열 싱크(30)는 유사한 측면 확장부들(lateral extents)을 갖고, 서로 실질적으로 중첩되는 발광 다이 패키지(10).
  4. 제1항에 있어서, 상기 하단 열 싱크(30)는 상기 리드프레임(20)에 열적으로는 결합되지만, 전기적으로는 절연된 상부 표면(32) 및 상기 발광 다이 패키지(10)를 위한 하단 평면을 정의하는 금속화된 하부 표면(34)을 갖는 상기 하단 열 싱크(30)를 갖는 발광 다이 패키지(10).
  5. 제4항에 있어서, 상기 리드들(22)은 상기 하단 평면을 향해 구부러지고, 상기 리드들(22)은 상기 하단 평면 부근에서 종단되는 발광 다이 패키지(10).
  6. 제1항에 있어서, 상기 마운팅 패드(28) 상에 탑재되는 적어도 하나의 LED(Light Emitting Device; 50)을 더 포함하는 발광 다이 패키지(10).
  7. 제1항에 있어서, 상기 상단 열 싱크(40)에 결합되는 리플렉터(60) - 상기 리플렉터(60)는 상기 마운팅 패드(28)를 둘러쌈 - 를 더 포함하는 발광 다이 패키지(10).
  8. 제1항에 있어서, 상기 마운팅 패드(28) 위에서 상기 상단 열 싱크(40)에 결합되는 렌즈(70)를 더 포함하는 발광 다이 패키지(10).
  9. 복수의 리드들(22)을 포함하는 리드프레임(20) - 상기 리드프레임(20)은 상면(24) 및 하면(26)을 갖고, 상기 리드프레임의 일부는 마운팅 패드(28)를 정의함 - ;
    상기 마운팅 패드(28) 아래에서 상기 리드프레임(20)의 상기 하면(26)에 열적으로 결합되는 하단 열 싱크(30) - 상기 하단 열 싱크(30)는 상기 리드프레임(20)과 전기적으로 절연됨 -;
    상기 리드프레임(20)의 상기 상면(24)에 열적으로 결합된 상단 열 싱크(40) - 상기 상단 열 싱크(40)는 개구(42)를 정의하고, 상기 개구(42)는 일반적으로 상기 마운팅 패드(28)를 둘러싸며, 상기 상단 열 싱크(40)는 상기 리드프레임(20)으로부터 전기적으로 절연되고, 리플렉터(60)에 결합된 상기 상단 열 싱크(40)는 또한 상기 마운팅 패드(28)를 둘러쌈 -;
    상기 마운팅 패드(28) 상에 탑재된 적어도 하나의 LED(50) - 상기 LED(50)는 전력을 공급받으면 빛을 내도록 구성됨 - 및
    상기 개구(42) 위에서 상기 상단 열 싱크(40)에 결합된 렌즈(70) - 상기 렌즈(70)는 상기 LED(50)에 의해 생성된 빛에대해 동작하도록 구성되고, 상기 렌즈(70)는 상기 개구(42)를 덮어서 밀폐 공동(44)을 정의함 -
    을 포함하는 발광 다이 패키지(10).
  10. 제9항에 있어서, 상기 상단 열 싱크(30)는 상기 발광 다이 패키지(10)에 대한 하단 평면을 정의하는 금속화된 하부 표면(34)을 갖는 발광 다이 패키지(10).
  11. 제9항에 있어서, 상기 밀폐 공동(44)은 적어도 부분적으로 밀봉제로 채워지는 발광 다이 패키지(10).
  12. 발광 다이 패키지(10)를 제조하는 방법에 있어서,
    복수의 리드들(22) 및 다이 프레임(82)을 포함하는 리드프레임 다이(80)를 마련하는 단계 - 각각의 리드(22) 및 상기 다이 프레임(82)은 상면(24) 및 하면(26)을 가짐 - ;
    상기 리드프레임 다이(80) 위로, 개구(42)를 정의하는 상단 열 싱크(40)를 결합시키는 단계;
    상기 리드프레임 다이(80) 아래로 하단 열 싱크(30)를 결합시키는 단계 및
    상기 다이 프레임(82)을 잘라내기 위해 상기 리드프레임 다이(82)를 스탬핑하는 단계
    를 포함하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 리드프레임 다이(80)는 한 장의 다이 재료를 스탬핑하여 마련되는 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 리드프레임 다이(80)는 식각 공정에 의해 마련되는 방법.
  15. 제12항에 있어서, 적어도 하나의 리드(22) 상에 적어도 하나의 LED(50) - 상기 LED(50)는 상기 개구(42)에 탑재됨 - 를 탑재하는 단계를 더 포함하는 방법.
  16. 제12항에 있어서, 상기 상단 열 싱크(40) 상에, 개구(42)를 덮는 렌즈(70)를 부착시키는 단계를 더 포함하는 방법.
  17. 제12항에 있어서, 상기 하단 열 싱크(30)는 상기 리드프레임 다이(80)에 열적으로는 결합되지만, 전기적으로는 절연된 상부 표면(32)을 갖고, 상기 하단 열 싱크(30)는 상기 발광 다이 패키지(10)에 대한 하단 표면을 정의하는 금속화된 하부 표면(34)을 갖는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 리드들(22)을 상기 하단 평면을 향해 구부리는 단계를 더 포함하는 방법.
  19. 제14항에 있어서, 상기 상단 열 싱크(40) 상에, 상기 개구(42)를 둘러싸는 리플렉터(60)를 결합시키는 단계를 더 포함하는 방법.
  20. 제14항에 있어서, 상기 상단 열 싱크(40)는 집적형 리플렉터를 포함하는 방법.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100765714B1 (ko) * 2005-12-15 2007-10-11 엘지전자 주식회사 리드프레임, 그를 이용한 발광 소자 패키지 및 그의 제조방법
WO2009005257A2 (en) * 2007-06-29 2009-01-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Method for manufacturing led package
KR100904152B1 (ko) * 2006-06-30 2009-06-25 서울반도체 주식회사 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광다이오드 패키지
KR200447448Y1 (ko) * 2007-11-29 2010-01-25 (주)솔라루체 Ｌｅｄ 소자용 리드프레임 패키지 및 이를 이용한 ｌｅｄ패키지
WO2010123647A2 (en) * 2009-04-22 2010-10-28 Bridgelux, Inc. Substrate based light source package with electrical leads
KR101047705B1 (ko) * 2006-05-10 2011-07-08 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 반도체 발광장치 및 반도체 발광장치의 제조방법
KR101281532B1 (ko) * 2013-01-11 2013-07-03 (주)뉴티스 파워 엘이디 패키지용 히트싱크 일체형 리드 프레임의 제조방법
KR20190082877A (ko) * 2016-11-11 2019-07-10 루미리즈 홀딩 비.브이. 리드 프레임을 제조하는 방법

Families Citing this family (135)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3912607B2 (ja) * 2002-06-19 2007-05-09 サンケン電気株式会社 半導体発光装置の製法
US7244965B2 (en) * 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7775685B2 (en) * 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7692206B2 (en) 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
JP4274935B2 (ja) * 2003-12-26 2009-06-10 トキコーポレーション株式会社 発光ユニット用ケースおよび発光ユニット製造方法
US7280288B2 (en) 2004-06-04 2007-10-09 Cree, Inc. Composite optical lens with an integrated reflector
US7456499B2 (en) 2004-06-04 2008-11-25 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
TWM258416U (en) * 2004-06-04 2005-03-01 Lite On Technology Corp Power LED package module
DE102004045947A1 (de) 2004-06-30 2006-01-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung
KR20060018453A (ko) * 2004-08-24 2006-03-02 삼성전자주식회사 히트 싱크를 갖는 반도체 소자
JP5192811B2 (ja) * 2004-09-10 2013-05-08 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ
CN100347869C (zh) * 2004-09-14 2007-11-07 宏齐科技股份有限公司 发光芯片的封装结构
US7748873B2 (en) * 2004-10-07 2010-07-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Side illumination lens and luminescent device using the same
US20060087866A1 (en) * 2004-10-22 2006-04-27 Ng Kee Y LED backlight
WO2006065007A1 (en) * 2004-12-16 2006-06-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Leadframe having a heat sink supporting ring, fabricating method of a light emitting diodepackage using the same and light emitting diodepackage fabbricated by the method
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US7777247B2 (en) * 2005-01-14 2010-08-17 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device mounting substrates including a conductive lead extending therein
US7939842B2 (en) * 2005-01-27 2011-05-10 Cree, Inc. Light emitting device packages, light emitting diode (LED) packages and related methods
EP1864339A4 (en) * 2005-03-11 2010-12-29 Seoul Semiconductor Co Ltd LIGHT-EMITTING DIODE DIODE WITH PHOTO-EMITTING CELL MATRIX
KR100609784B1 (ko) * 2005-05-20 2006-08-09 럭스피아 주식회사 일체형 방열판을 가지는 발광다이오드 패키지 및 멀티패키지 모듈
US8669572B2 (en) 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
US7980743B2 (en) 2005-06-14 2011-07-19 Cree, Inc. LED backlighting for displays
US20060292747A1 (en) * 2005-06-27 2006-12-28 Loh Ban P Top-surface-mount power light emitter with integral heat sink
KR100629496B1 (ko) * 2005-08-08 2006-09-28 삼성전자주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
US20070126020A1 (en) * 2005-12-03 2007-06-07 Cheng Lin High-power LED chip packaging structure and fabrication method thereof
WO2007081719A2 (en) 2006-01-05 2007-07-19 Illumitex, Inc. Separate optical device for directing light from an led
KR101283182B1 (ko) 2006-01-26 2013-07-05 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
US20070181897A1 (en) * 2006-02-03 2007-08-09 Been-Yu Liaw High heat dissipating package baseplate for a high brightness LED
KR100729439B1 (ko) * 2006-03-23 2007-06-15 (주)싸이럭스 발광소자 패키지 구조체와 그 제조방법 및 이를 적용한발광소자의 제조방법
US7675145B2 (en) * 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US11210971B2 (en) 2009-07-06 2021-12-28 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Light emitting diode display with tilted peak emission pattern
US8748915B2 (en) 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US7635915B2 (en) 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
US7655957B2 (en) * 2006-04-27 2010-02-02 Cree, Inc. Submounts for semiconductor light emitting device packages and semiconductor light emitting device packages including the same
US7718991B2 (en) * 2006-05-23 2010-05-18 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and method of making
US7960819B2 (en) * 2006-07-13 2011-06-14 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state emitting devices
US8044418B2 (en) * 2006-07-13 2011-10-25 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices
US8735920B2 (en) 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US8367945B2 (en) * 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
CN101145592B (zh) * 2006-09-13 2010-09-29 佰鸿工业股份有限公司 高散热性发光二极管装置
KR101241528B1 (ko) 2006-09-25 2013-03-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
WO2008042351A2 (en) 2006-10-02 2008-04-10 Illumitex, Inc. Led system and method
US20080089072A1 (en) * 2006-10-11 2008-04-17 Alti-Electronics Co., Ltd. High Power Light Emitting Diode Package
KR100851183B1 (ko) * 2006-12-27 2008-08-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 패키지
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US7922360B2 (en) * 2007-02-14 2011-04-12 Cree, Inc. Thermal transfer in solid state light emitting apparatus and methods of manufacturing
US7964888B2 (en) 2007-04-18 2011-06-21 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device packages and methods
CN101388161A (zh) * 2007-09-14 2009-03-18 科锐香港有限公司 Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
USD615504S1 (en) * 2007-10-31 2010-05-11 Cree, Inc. Emitter package
DE102008013898A1 (de) * 2007-12-14 2009-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement, Anordnung und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
USD633631S1 (en) 2007-12-14 2011-03-01 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
USD634863S1 (en) 2008-01-10 2011-03-22 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
US7829358B2 (en) 2008-02-08 2010-11-09 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
DE102008011862A1 (de) * 2008-02-29 2009-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Miniaturgehäuse, Trägeranordnung mit mindestens einem Miniaturgehäuse, sowie ein Verfahren zur Herstellung einer Trägeranordnung
TWI360239B (en) * 2008-03-19 2012-03-11 E Pin Optical Industry Co Ltd Package structure for light emitting diode
DE102008021435A1 (de) 2008-04-29 2009-11-19 Schott Ag Gehäuse für LEDs mit hoher Leistung
KR100997198B1 (ko) * 2008-05-06 2010-11-29 김민공 프레스 단조 방식의 발광다이오드 금속제 하우징 및 금속제하우징을 이용한 발광다이오드 금속제 패키지
KR100951779B1 (ko) 2008-05-09 2010-04-08 주식회사 디에스엘시디 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
US8049230B2 (en) 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
WO2010022538A1 (zh) * 2008-08-26 2010-03-04 Pan Dingguo 发光二极管多芯片贴片及装有该贴片的灯条
JP5217800B2 (ja) 2008-09-03 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
DE102008045925A1 (de) * 2008-09-04 2010-03-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
US8791471B2 (en) * 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
KR100888236B1 (ko) 2008-11-18 2009-03-12 서울반도체 주식회사 발광 장치
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US8598602B2 (en) 2009-01-12 2013-12-03 Cree, Inc. Light emitting device packages with improved heat transfer
US7923739B2 (en) * 2009-06-05 2011-04-12 Cree, Inc. Solid state lighting device
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US20110037083A1 (en) * 2009-01-14 2011-02-17 Alex Chi Keung Chan Led package with contrasting face
JP2010182486A (ja) * 2009-02-04 2010-08-19 Koito Mfg Co Ltd 車両用灯具
US8351794B2 (en) * 2009-03-10 2013-01-08 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Parallel optical transceiver module having a heat dissipation system that dissipates heat and protects components of the module from particulates and handling
WO2010108113A1 (en) * 2009-03-19 2010-09-23 Christy Alexander C Apparatus for dissipating thermal energy generated by current flow in semiconductor circuits
US8957435B2 (en) * 2009-04-28 2015-02-17 Cree, Inc. Lighting device
US8860043B2 (en) * 2009-06-05 2014-10-14 Cree, Inc. Light emitting device packages, systems and methods
US8686445B1 (en) 2009-06-05 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods
US9111778B2 (en) 2009-06-05 2015-08-18 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) devices, systems, and methods
US7875970B2 (en) * 2009-06-10 2011-01-25 Green Arrow Asia Limited Integrated circuit package having a castellated heatspreader
CN101936500A (zh) * 2009-06-30 2011-01-05 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管模组
US8415692B2 (en) 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
US8598809B2 (en) 2009-08-19 2013-12-03 Cree, Inc. White light color changing solid state lighting and methods
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8679865B2 (en) * 2009-08-28 2014-03-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Resin application apparatus, optical property correction apparatus and method, and method for manufacturing LED package
US8410371B2 (en) 2009-09-08 2013-04-02 Cree, Inc. Electronic device submounts with thermally conductive vias and light emitting devices including the same
CN102597618A (zh) * 2009-09-10 2012-07-18 哈米什·麦克伦南 改进型发光二极管(led)组件及其制造方法
CN102024882A (zh) * 2009-09-14 2011-04-20 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管装置及其制造方法
US8120056B2 (en) * 2009-10-19 2012-02-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting diode assembly
US7893445B2 (en) * 2009-11-09 2011-02-22 Cree, Inc. Solid state emitter package including red and blue emitters
US8476645B2 (en) * 2009-11-13 2013-07-02 Uni-Light Llc LED thermal management
CN102751426B (zh) * 2010-01-20 2015-08-12 光宝电子(广州)有限公司 封装结构及发光二极管封装结构
US8350370B2 (en) 2010-01-29 2013-01-08 Cree Huizhou Opto Limited Wide angle oval light emitting diode package
US9024350B2 (en) * 2010-02-08 2015-05-05 Ban P Loh LED light module
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
US9240526B2 (en) 2010-04-23 2016-01-19 Cree, Inc. Solid state light emitting diode packages with leadframes and ceramic material
US8269244B2 (en) 2010-06-28 2012-09-18 Cree, Inc. LED package with efficient, isolated thermal path
US8648359B2 (en) 2010-06-28 2014-02-11 Cree, Inc. Light emitting devices and methods
USD643819S1 (en) 2010-07-16 2011-08-23 Cree, Inc. Package for light emitting diode (LED) lighting
US8455882B2 (en) 2010-10-15 2013-06-04 Cree, Inc. High efficiency LEDs
USD679842S1 (en) 2011-01-03 2013-04-09 Cree, Inc. High brightness LED package
US8610140B2 (en) 2010-12-15 2013-12-17 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages, systems, devices and related methods
US11101408B2 (en) 2011-02-07 2021-08-24 Creeled, Inc. Components and methods for light emitting diode (LED) lighting
US8772817B2 (en) 2010-12-22 2014-07-08 Cree, Inc. Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias
TW201251140A (en) 2011-01-31 2012-12-16 Cree Inc High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion
WO2013010389A1 (zh) 2011-07-15 2013-01-24 中国科学院半导体研究所 发光二极管封装结构及其制造方法
CN103782403B (zh) 2011-09-06 2017-06-30 克利公司 具有改进的引线接合的光发射器封装件和装置及相关方法
DE102011113653B4 (de) * 2011-09-19 2016-02-18 Rüdiger Lanz LED-Hochleistungsspot
US8692282B2 (en) 2011-10-27 2014-04-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and light emitting module comprising the same
US8823041B2 (en) 2011-10-27 2014-09-02 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and light emitting module comprising the same
CN102569604B (zh) * 2011-10-27 2013-11-06 深圳市灏天光电有限公司 一种隐脚式大功率led支架及封装结构与封装工艺
US20130120986A1 (en) 2011-11-12 2013-05-16 Raydex Technology, Inc. High efficiency directional light source with concentrated light output
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
US9510425B1 (en) 2012-02-22 2016-11-29 Theodore G. Nelson Driving circuit for light emitting diode apparatus and method of operation
DE202013101190U1 (de) * 2013-03-20 2014-06-24 Zumtobel Lighting Gmbh Anordnung zur Lichtabgabe mit einer LED, einer Platine und einem optischen Element
USD735683S1 (en) 2013-05-03 2015-08-04 Cree, Inc. LED package
TWI559053B (zh) * 2013-05-28 2016-11-21 潘宇翔 適用於直下式背光模組之光源裝置及其顯示器
US9105825B2 (en) 2013-06-03 2015-08-11 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light source package and method of manufacturing the same
US9461024B2 (en) 2013-08-01 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitter devices and methods for light emitting diode (LED) chips
USD758976S1 (en) 2013-08-08 2016-06-14 Cree, Inc. LED package
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
USD790486S1 (en) 2014-09-30 2017-06-27 Cree, Inc. LED package with truncated encapsulant
USD777122S1 (en) 2015-02-27 2017-01-24 Cree, Inc. LED package
US11431146B2 (en) * 2015-03-27 2022-08-30 Jabil Inc. Chip on submount module
USD912303S1 (en) * 2015-04-07 2021-03-02 Flos S.P.A. Table lamp
USD783547S1 (en) 2015-06-04 2017-04-11 Cree, Inc. LED package
US11677059B2 (en) 2017-04-26 2023-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package including a lead frame
KR102335216B1 (ko) 2017-04-26 2021-12-03 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지
US20200357967A1 (en) * 2018-02-05 2020-11-12 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor device package and light emitting device comprising same
CN112514180B (zh) * 2018-07-31 2024-04-30 ams传感器亚洲私人有限公司 包括作为导电引线的引线框架的部分的封装
WO2020066665A1 (ja) * 2018-09-27 2020-04-02 京セラ株式会社 配線基板および電気装置

Family Cites Families (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4267559A (en) 1979-09-24 1981-05-12 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Low thermal impedance light-emitting diode package
JPS5812961U (ja) * 1981-07-16 1983-01-27 株式会社東芝 ハ−メチツクシ−ル型光半導体装置
US4514750A (en) * 1982-01-11 1985-04-30 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit package having interconnected leads adjacent the package ends
JPS60262476A (ja) * 1984-06-08 1985-12-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子
USRE37707E1 (en) 1990-02-22 2002-05-21 Stmicroelectronics S.R.L. Leadframe with heat dissipator connected to S-shaped fingers
US5173839A (en) 1990-12-10 1992-12-22 Grumman Aerospace Corporation Heat-dissipating method and device for led display
JP2966591B2 (ja) 1991-08-02 1999-10-25 三洋電機株式会社 光半導体装置
US5441918A (en) * 1993-01-29 1995-08-15 Lsi Logic Corporation Method of making integrated circuit die package
JP3420612B2 (ja) 1993-06-25 2003-06-30 株式会社東芝 Ｌｅｄランプ
US5789772A (en) 1994-07-15 1998-08-04 The Whitaker Corporation Semi-insulating surface light emitting devices
DE4446566A1 (de) * 1994-12-24 1996-06-27 Telefunken Microelectron Mehrpoliges, oberflächenmontierbares, elektronisches Bauelement
US5874838A (en) 1996-06-13 1999-02-23 Cypress Semiconductor Corporation High voltage-tolerant low voltage input/output cell
US5785418A (en) 1996-06-27 1998-07-28 Hochstein; Peter A. Thermally protected LED array
JP3699783B2 (ja) * 1996-07-23 2005-09-28 株式会社シチズン電子 チップ型半導体及びその製造方法
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
JPH10144965A (ja) 1996-11-11 1998-05-29 Hamamatsu Photonics Kk 光半導体装置及びその製造方法
US6238599B1 (en) 1997-06-18 2001-05-29 International Business Machines Corporation High conductivity, high strength, lead-free, low cost, electrically conducting materials and applications
EP1566846B1 (de) 1997-07-29 2016-02-03 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches Bauelement
JP3472450B2 (ja) 1997-09-04 2003-12-02 シャープ株式会社 発光装置
US5869883A (en) 1997-09-26 1999-02-09 Stanley Wang, President Pantronix Corp. Packaging of semiconductor circuit in pre-molded plastic package
JPH11163412A (ja) 1997-11-25 1999-06-18 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄ照明装置
TW408497B (en) 1997-11-25 2000-10-11 Matsushita Electric Works Ltd LED illuminating apparatus
DE19755734A1 (de) * 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
DE19803936A1 (de) 1998-01-30 1999-08-05 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Ausdehnungskompensiertes optoelektronisches Halbleiter-Bauelement, insbesondere UV-emittierende Leuchtdiode und Verfahren zu seiner Herstellung
JPH11298048A (ja) 1998-04-15 1999-10-29 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄ実装基板
JP2000049184A (ja) 1998-05-27 2000-02-18 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6335548B1 (en) 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
US6274924B1 (en) 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
JP2000183407A (ja) * 1998-12-16 2000-06-30 Rohm Co Ltd 光半導体装置
JP2000208822A (ja) 1999-01-11 2000-07-28 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
US6521916B2 (en) * 1999-03-15 2003-02-18 Gentex Corporation Radiation emitter device having an encapsulant with different zones of thermal conductivity
US6457645B1 (en) 1999-04-13 2002-10-01 Hewlett-Packard Company Optical assembly having lens offset from optical axis
DE19918370B4 (de) 1999-04-22 2006-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit Linse
KR100335480B1 (ko) 1999-08-24 2002-05-04 김덕중 칩 패드가 방열 통로로 사용되는 리드프레임 및 이를 포함하는반도체 패키지
JP2001144333A (ja) 1999-11-10 2001-05-25 Sharp Corp 発光装置とその製造方法
JP2001148514A (ja) 1999-11-18 2001-05-29 Matsushita Electric Works Ltd 照明光源
JP4125848B2 (ja) * 1999-12-17 2008-07-30 ローム株式会社 ケース付チップ型発光装置
US6559525B2 (en) * 2000-01-13 2003-05-06 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Semiconductor package having heat sink at the outer surface
JP4944301B2 (ja) 2000-02-01 2012-05-30 パナソニック株式会社 光電子装置およびその製造方法
US6456766B1 (en) 2000-02-01 2002-09-24 Cornell Research Foundation Inc. Optoelectronic packaging
US6492725B1 (en) 2000-02-04 2002-12-10 Lumileds Lighting, U.S., Llc Concentrically leaded power semiconductor device package
JP2002093206A (ja) 2000-09-18 2002-03-29 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄ信号灯具
JP2002103977A (ja) 2000-09-29 2002-04-09 Johnan Seisakusho Co Ltd 車両のサンルーフ装置
DE10051159C2 (de) * 2000-10-16 2002-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul, z.B. Weißlichtquelle
US6940704B2 (en) 2001-01-24 2005-09-06 Gelcore, Llc Semiconductor light emitting device
US6541800B2 (en) 2001-02-22 2003-04-01 Weldon Technologies, Inc. High power LED
JP2002299698A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
DE10117889A1 (de) 2001-04-10 2002-10-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
DE10118630A1 (de) * 2001-04-12 2002-10-17 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiter-Bauelements
US6429513B1 (en) 2001-05-25 2002-08-06 Amkor Technology, Inc. Active heat sink for cooling a semiconductor chip
USD465207S1 (en) 2001-06-08 2002-11-05 Gem Services, Inc. Leadframe matrix for a surface mount package
US6670648B2 (en) * 2001-07-19 2003-12-30 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device having a reflective case
TW498516B (en) 2001-08-08 2002-08-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Manufacturing method for semiconductor package with heat sink
JP2003100986A (ja) * 2001-09-26 2003-04-04 Toshiba Corp 半導体装置
JP2003152227A (ja) * 2001-11-14 2003-05-23 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄの色補正手段および色補正方法
KR100439402B1 (ko) * 2001-12-24 2004-07-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
US20030148670A1 (en) * 2002-02-06 2003-08-07 Henry Maxwell Electrical wedge connector
JP4211359B2 (ja) 2002-03-06 2009-01-21 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP4172196B2 (ja) 2002-04-05 2008-10-29 豊田合成株式会社 発光ダイオード
US7122884B2 (en) * 2002-04-16 2006-10-17 Fairchild Semiconductor Corporation Robust leaded molded packages and methods for forming the same
US7244965B2 (en) * 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7692206B2 (en) 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
TW560813U (en) 2003-03-06 2003-11-01 Shang-Hua You Improved LED seat

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100765714B1 (ko) * 2005-12-15 2007-10-11 엘지전자 주식회사 리드프레임, 그를 이용한 발광 소자 패키지 및 그의 제조방법
KR101047705B1 (ko) * 2006-05-10 2011-07-08 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 반도체 발광장치 및 반도체 발광장치의 제조방법
KR100904152B1 (ko) * 2006-06-30 2009-06-25 서울반도체 주식회사 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광다이오드 패키지
TWI462251B (zh) * 2006-06-30 2014-11-21 Seoul Semiconductor Co Ltd 具有散熱器支撐部的導線架、使用該導線架之發光二極體封裝的製造方法以及以此方法製造的發光二極體封裝
WO2009005257A2 (en) * 2007-06-29 2009-01-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Method for manufacturing led package
WO2009005257A3 (en) * 2007-06-29 2009-03-05 Seoul Semiconductor Co Ltd Method for manufacturing led package
KR200447448Y1 (ko) * 2007-11-29 2010-01-25 (주)솔라루체 Ｌｅｄ 소자용 리드프레임 패키지 및 이를 이용한 ｌｅｄ패키지
WO2010123647A2 (en) * 2009-04-22 2010-10-28 Bridgelux, Inc. Substrate based light source package with electrical leads
WO2010123647A3 (en) * 2009-04-22 2011-03-24 Bridgelux, Inc. Substrate based light source package with electrical leads
KR101281532B1 (ko) * 2013-01-11 2013-07-03 (주)뉴티스 파워 엘이디 패키지용 히트싱크 일체형 리드 프레임의 제조방법
KR20190082877A (ko) * 2016-11-11 2019-07-10 루미리즈 홀딩 비.브이. 리드 프레임을 제조하는 방법

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