KR20050031906A - 정렬 표시 형성 방법,소자가 형성된 기판 및 기판을이용한 액체 토출 헤드 - Google Patents

정렬 표시 형성 방법,소자가 형성된 기판 및 기판을이용한 액체 토출 헤드 Download PDF

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Abstract

정렬 표시는, 기판의 복수의 소자가 형성된 부분 중에서, 기판에 실시되는 후공정 동안에 기판으로부터 제거되는 영역 내에 형성된다. 소자가 형성된 기판과 기판에 도포된 레지스트를 마스킹하기 위한 포토마스크를 정렬 표시를 이용하여 정렬시켜, 포토리소그래피 공정을 사용한 레지스트의 패터닝이 수행된다. 그러므로, 기판으로 얻게 되는 소자의 수율을 감소시키지 않으면서 기판과 포토마스크를 정렬시키기 위한 정렬 표시가 기판 내에 형성될 수 있다.

Description

정렬 표시 형성 방법,소자가 형성된 기판 및 기판을 이용한 액체 토출 헤드 {ALIGNMENT MARK FORMING METHOD, SUBSTRATE IN WHICH DEVICES ARE FORMED, AND LIQUID DISCHARGING HEAD USING SUBSTRATE}
본 발명은 리소그래피 공정에 이용되는 정렬 표시 형성 방법, 소자가 형성된 기판 및 기판을 이용한 액체 토출 헤드에 관한 것이다.
반도체 소자 제조 공정 등에서 소정 패턴을 형성하기 위해 이용되는 포토리소그래피(photolithography) 기술은, 기판 위에 레지스트(resist)를 도포하여 베이킹(baking)을 수행하고, 기판 위에 형성될 소정 패턴이 형성된 포토마스크(photomask)로 기판 위의 레지스트를 마스킹(masking)하고 노광하며, 레지스트를 현상한 다음, 에칭에 의해 피에칭재를 제거하여 기판 위에 소정 패턴을 형성하는 기술이다. 반도체 소자 제조 공정에서는, 기판 위에 복잡한 패턴이 형성되기 때문에, 여러 가지 포토마스크를 이용하여 노광, 현상 및 에칭이 반복하여 수행된다. 그러므로, 특정 패턴이 이미 형성된 기판과 후속 패턴의 원판인 포토마스크 사이의 정렬을 수행하기 위해서는, 기판의 정렬 표시와 포토마스크가 서로 대향하는 위치에 화상 처리를 이용한 정렬 공정에 필요한 정렬 표시가 배열되어야 한다.
반도체 소자 제조 공정에서는, 도6에 도시된 바와 같이, 웨이퍼라고 지칭되는 기판(1001)으로부터 복수의 소정 제품 소자(1008)를 일괄해서 형성하는 것이 주류이다. 기판(1001)으로부터 복수의 제품 소자(1008)를 일괄 형성하는 경우, 정렬용 정렬 표시는, 제품 소자(1008)로 되는 부분과는 다른 정렬 표시 전용의 영역(1007)에 배열된다.
도7은 도6에 도시된 기판(1001)의 하면측에서 본 도6의 영역A 내에 있는 정렬 표시 전용 영역(1007)을 도시하는 확대도이다. 도7에 도시된 바와 같이, 기판(1001)의 상면 내에 위치된 정렬 표시 전용 영역(1007) 내에는 "십자형" 기판측 정렬 표시(1002)가 형성되어 있다. 또한, 기판(1001)의 하면에는 레지스트 패턴(1005)이 형성되어 있다. 레지스트 패턴(1005)은 십자형 기판측 정렬 표시(1002)의 네 구석에 대응되는 위치에 배열된 정렬 표시 트레이스(1005a)를 포함한다. 도7에 도시된 바와 같이, 정렬 표시 트레이스(1005a)는 정렬 표시(1002)와 중첩되지 않도록 정렬 표시(1002)의 상부 오른쪽, 하부 오른쪽, 상부 왼쪽 및 하부 왼쪽에 형성된다. 도7은 기판(1001) 상면의 기판측 정렬 표시(1002)를 도시하는 사시도이다.
제품 소자로 되는 부분과는 다른 정렬 표시 전용 영역 내에 정렬을 위한 정렬 표시를 배열하는 기술은 기술 참조를 인용할 필요도 없이 널리 알려져 있다.
그러나, 정렬을 위한 정렬 표시(1002)가 제품 소자(1008)로 되는 영역과는 다른 정렬 표시 전용 영역(1007)에 배열되는 경우에, 기판(1001)으로부터 얻어지는 제품 소자(1008)의 수율은 영역(1007)의 크기만큼 감소된다. 복수의 제품 소자(1008)가 형성된 기판(1001)을 절단하여 개개의 제품 소자(1008)가 얻어지므로, 정렬 표시(1002)의 크기가 개개의 제품 소자(1008)의 영역보다 작더라도, 제품 소자(1008)에 이용되지 않는 각 정렬 표시의 영역(1007)은 각 제품 소자(1008)의 영역과 동일하다. 그러므로, 제품 소자(1008)의 영역이 증가함에 따라 수율의 감소가 현저하게 된다.
이와는 달리, 제품 소자에 이용되지 않는 영역을 제거하기 위해서, 정렬을 위한 정렬 표시가 제품 소자로 되는 영역과는 다른 정렬 표시 전용 영역에 배열되지 않고 제품 소자 자체의 영역 내에 구비되는 기술이 잘 알려져 있다.
그러나, 이 기술에서, 개개의 제품 소자의 영역이 정렬 표시를 배열하는 데 필요한 영역만큼 증가되므로, 제품 소자의 수율을 크게 증가되지 않을 수 있다.
그러므로, 정렬 표시를 구비함에 따라 제품 소자의 수율이 감소하는 문제를 해결하기 위한 기술의 하나로서, 최근에는 기판이 절단되는 영역(대개 "스크라이브 라인(scribe line)"이라고 칭함) 내에 정렬 표시를 배열하는 기술이 이용되고 있다. 이러한 기술에서는 절단(dicing) 공정에서 절단되는 위치에 정렬 표시가 부여되므로, 정렬 표시를 배열하기 위한 영역을 기판 위에 별도로 확보할 필요가 없어져서, 제품 소자의 수율을 증가시키도록 기판을 유효하게 이용할 수 있게 된다. 이러한 기술은 예를 들어 일본 특허 출원 공개 제2003-092246호에 기재되어 있다.
도8을 참조하여 이러한 기술을 설명한다. 절단을 위해 이용하는 절단기(절단 블레이드(dicing blade))가 대략 50μm의 두께를 갖는 경우, 최근 포토리소그래피 기술의 미세화 때문에 스크라이브 라인(1006) 상에 정렬 표시(1002)가 배열될 수 있다. 그러나, 이 경우에 정렬 표시를 보다 미세하게 형성할 필요가 있으므로, 높은 정밀도로 미세한 패턴 형성을 수행할 수 있는 장치를 이용할 필요가 있고, 그러한 장치는 비싸다. 정렬 표시를 형성하기 위해 요구되는 정밀도가 제품 소자를 형성하기 위해 요구되는 정밀도보다 높은 경우, 그러한 정밀도로 제품 소자를 제조하는 것은 제품 소자 성능을 오버스펙화(overspecification)하게 된다.
정렬 표시의 배열에 관련된 전술한 문제는, 특히, 제품 소자의 필요 기능으로서 기판을 관통하는 관통 홀이 형성되는 경우에 현저하게 된다. 예를 들면, 잉크젯 기록 헤드의 제조 공정에서, Si 기판 위에 잉크 토출 에너지 생성 요소와 노즐이 형성되고, 외부로부터 각 노즐에 잉크를 공급하기 위한 잉크 공급구에 의해 Si 기판이 관통되게 된다. 관통 구멍은 대개 포토리소그래피 기술에 의해 형성된다. 특히, Si 이방성 에칭이나 반응 가스를 이용한 드라이 에칭을 이용하여 관통 구멍을 형성한다. 두 경우 모두, 기판 내에 배열된 잉크 토출 에너지 생성 요소나 노즐의 구조와 잉크 공급구 사이의 정렬을 수행함으로써 관통 구멍을 형성할 필요가 있다. 그런데, Si 기판을 에칭하여 관통 구멍을 형성하는 경우, Si 기판 위에 형성된 정렬 표시도 에칭된다. 그러므로, Si 기판 내에 정렬 표시가 형성된 부분 내에 오목형 손상이 종종 발생한다.
제품 소자로 되는 영역에 영향을 주지 않는 영역 내에, 즉 제품 소자로부터 독립된 정렬 표시 전용 영역 내에 정렬 표시를 형성함으로써 문제를 해결하려는 경우, 전술한 바와 같이 기판으로부터의 제품 소자의 수율은 정렬 표시 전용 영역만큼 감소하게 된다.
스크라이브 라인(1006) 상에 정렬 표시를 배열하는 기술을 채용하는 경우, 비록 크기와 관련하여 스크라이브 라인(1006) 상에 정렬 표시를 배열할 수 있더라도, 에칭되는 동안에 정렬 표시가 형성된 부분에서 사이드 에칭(실제 레지스트 패턴보다 가로 방향으로 넓어지는 에칭)이 발생하므로, 정렬 표시의 네 구석 주변에 배열된 제품 소자에 결함이 발생하게 된다. 이러한 것은 제품 소자의 품질에 바람직하지 않다.
도9를 참조하여 이러한 현상을 설명한다. Si 기판(1001)이 에칭될 때 기판(1001)의 하면 내의 정렬 표시 트레이스(1005a) 형성 지점에서 발생되는 사이드 에칭량이 한쪽 방향으로 50μm라고 가정하면, 정렬 표시 트레이스(1005a)의 원래의 크기는 50μm x 50μm (도7 참조)이고, Si 이방성 에칭에 의해 Si 기판(1001)의 <111> 표면의 경사각은 54.7˚이므로, 사이드 에칭 이후에, 정렬 표시 트레이스(1005a)가 형성된 부분은 개구부가 150μm x 150μm 이고 깊이(t)가 약 106μm인 사각뿔 형상을 갖는 홈(1009)이 된다.
사이드 에칭의 영향을 감소시키는 기술로는, 스크라이브 라인(1006)의 폭을 넓게 하는 것이나 정렬 표시를 보다 미세하게 형성하는 것이 생각된다. 그러나, 스크라이브 라인(1006)의 폭을 넓게 하면 스크라이브 라인(1006)의 폭만큼 제품 소자의 수율이 감소된다. 정렬 표시를 보다 미세하게 형성하면, 정렬 표시 형성 장치의 비용이 증가하고, 정렬 정밀도를 미세한 정렬 표시로 유지하는 것이 어려운 문제가 있다.
특히, 반도체 소자 제조 공정에서, 웨이퍼 기판으로부터 얻게 되는 제품 소자의 수율이 얼마인 지는 제품 소자의 비용에 크게 영향을 준다. 그러므로, 기판과 포토마스크 사이의 정렬에 이용되는 정렬 표시가 기판 위에 형성될 때, 정렬 표시가 제품 소자의 수율을 줄이지 않도록 정렬 표시를 배열할 필요가 있다.
본 발명의 목적은, 기판과 포토마스크 사이의 정렬에 이용되는 정렬 표시가 제품 소자의 수율을 줄이지 않도록 배열되게 하는 정렬 표시 형성 방법, 그 정렬 표시 형성 방법을 이용하여 소자가 형성된 기판 및 그 기판을 이용한 액체 토출 헤드를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 정렬 표시가 기판의 소자를 형성하는 영역 내에 배열되고 후공정에 의해 제거되므로, 정렬 표시 배열 전용 영역을 구비할 필요가 없고, 소자 자체의 크기가 정렬 표시의 크기에 의해 증가되지 않는 정렬 표시 형성 방법, 그 정렬 표시 형성 방법을 이용하여 소자가 형성된 기판 및 그 기판을 이용한 액체 토출 헤드를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 포토리소그래피 공정에 의해 기판 상에 도포된 레지스트를 패터닝하도록 복수의 소자가 형성된 기판과 레지스트를 마스킹하기 위한 포토마스크 사이의 정렬에 이용되는 정렬 표시를 형성하며 소자가 형성된 기판의 부분 중 기판에 실시되는 후공정에 의해 기판으로부터 제거되는 영역 내에 정렬 표시가 형성되는 정렬 표시 형성 방법, 그 정렬 표시 형성 방법을 이용하여 소자가 형성된 기판 및 그 기판을 이용한 액체 토출 헤드를 제공하는 것이다.
후술하는 본 발명에 따라, 기판에 수행된 공정 이후의 공정 동안에 기판에서 제거되는 영역 내에 정렬 표시가 형성됨으로써, 기판으로부터 소자의 수율을 저하시키지 않으면서 정렬 표시를 배열할 수 있고, 소자 자체의 소형화도 가능하게 된다.
도면을 참조하여 본 발명의 양호한 실시예에 대하여 설명한다.
도1은 본 발명의 정렬 표시 형성 방법을 적용하여 소자가 형성되는 단계에서 소자의 일 실시예의 개략적인 구성을 나타내는 평면도이다. 도2는 도1에 도시된 기판의 상면에 형성된 기판측 정렬 표시와, 기판의 하면 상에 마스킹(masking)된 포토마스크(photomask)의 정렬 표시 트레이스(trace)를 도시하는 사시도이다. 도2는 하면에 레지스트 패턴(5)(도3의 (a) 내지 (f) 참조)이 형성된 기판(1)을 하면측에서 본 도면을 나타내고 있다.
도1 및 도2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 정렬 표시 형성 방법을 적용하여 형성된 소자에서, 기판측 정렬 표시(2)는 기판(1)의 상면에 관통 홀(6)(도3의 (a) 내지 (f) 참조)이 후공정 동안에 형성되는 영역(이하, "관통 홀 형성 영역(6')") 내에 형성된다. 기판(1)의 하면에서, 레지스트 패턴(5)의 일부인 포토마스크의 정렬 표시 트레이스(5a)는 기판측 정렬 표시(2)에 마주 대하는 위치에 형성된다. 기판측 정렬 표시(2)와 포토마스크의 정렬 표시 트레이스(5a)는, 기판(1)의 관통 홀 형성 영역(6')에 관통 홀(6)이 형성되는 동안에 제거된다.
도1은 기판(1)에서 1개의 제품 소자(8)로 되는 부분만을 나타내고 있다. 실제로 기판(1)은 복수의 제품 소자(8)가 형성되는 크기를 갖는다.  도1에 도시된 개개의 제품 소자(8)는 기판(1)에 복수의 제품 소자(8)를 형성한 후에 기판(1)을 절단하여 얻을 수 있다.
기판(1)의 하면에 레지스트 패턴(5) 및 정렬 표시 트레이스(5a)를 형성하기 위해 이용되는 포토마스크(도시되지 않음)에서, 후술하는 바와 같이 기판(1)의 하면측에 도포된 레지스트에 패터닝이 수행되는 동안에 레지스트가 마스킹된다. 기판(1)에 대한 포토마스크의 정렬이 화상 처리를 이용한 위치 제어로 포토마스크를 위치 설정함으로써 수행되어, 4 개의 모서리에 4개의 정사각형 정렬 표시 트레이스(5a)를 각각 배열하여 형성되는 포토마스크의 정렬 표시 내에 기판(1)의 상면 상의 "십자형" 정렬 표시(2)가 배열된다. 구체적으로, 화상 처리를 이용한 위치 제어가 수행되어, 기판(1)의 상면측에서 취한 기판측 정렬 표시(2)의 화상과 기판(1)의 하면측에서 취한 포토마스크의 정렬 표시의 화상이 화상 처리에 의해 서로 중첩되며, 포토마스크의 위치가 조정되어 정렬 표시들이 올바른 위치에 오게 된다.
본 실시예에서 정렬 표시(2)와 포토마스크의 정렬 표시는 전술한 형상으로 형성되었지만, 정렬 표시의 형상들이 실시예에 한정되지 않는다.
도3의 (a) 내지 (f)를 참조하여, 본 발명의 정렬 표시 형성 방법을 적용하여 소자를 형성하는 공정을 설명한다.
도3의 (a)에 도시된 바와 같이, 소자의 기능 요소(도시되지 않음)와 기능 요소를 구동하며 알루미늄과 같은 배선 재료로 이루어진 회로 배선(도시되지 않음)은 실리콘(Si)으로 이루어진 기판(1)의 상면에 형성된다. 기판(1)의 상면에는, 기능 요소와 회로 배선을 형성하는 동안에, 기판(1) 내에 관통 홀(6)이 형성되는 영역인 관통 홀 형성 영역(6')의 범위 내에 기판측 정렬 표시(2)가 형성된다. 기판측 정렬 표시(2)는 회로 배선을 형성하는 배선 재료와 동일한 재료로 이루어진다. 그러므로, 기판(1) 내에 기능 요소 등을 형성할 때에 기판측 정렬 표시(2)도 동시에 형성함으로써, 기판측 정렬 표시(2)를 구비하기 위한 특별 공정의 필요성을 제거할 수 있다. 후술하는 공정에서 기판(1)의 하면 상에 마스킹되는 포토마스크(도시되지 않음)가 화상 처리를 이용한 위치 제어에 의해 기판(1)에 정렬될 때, 기판측 정렬 표시(2)가 이용된다.
또한 도3의 (a) 내지 (f)는 기판(1)에서 1개의 제품 소자(8)로 되는 부분만을 나타내고 있다. 실제로 기판(1)은 복수의 제품 소자(8)가 형성되는 크기를 갖는다.
그런 다음, 도3의 (a)에 도시된 바와 같이, 기판(1)의 상면측에 패시베이션층(3, passivation layer)이 형성되는 동안에, 기판(1)의 하면측에 내에칭층(4, etching-resistant layer)이 형성된다. 패시베이션층(3)은 기판(1)의 상면에 형성된 기능 요소와 회로 배선을 보호하기 위한 보호층 및 습식 에칭에 의해 관통 홀(6)이 형성될 때의 에칭액의 정지층으로서의 기능을 모두 갖는다. 패시베이션층(3)은 SiN이나 P-SiO 와 같은 재료로 이루어진다. 내에칭층(4)은 실리콘 열 산화막으로 형성되고, SiN 및 SiO2와 같은 재료로 이루어진다.
도3의 (b)에 도시된 바와 같이, 포토마스크의 정렬 표시 트레이스(5a)를 포함하는 레지스트 패턴(5)은 기판(1)의 하면 상의 내에칭층(4) 위에 형성된다. 레지스트 패턴(5)의 형성 방법은 아래와 같다.
우선, 레지스트 패턴(5)을 형성하기 위한 포토레지스트가 내에칭층(4) 위에 도포된다. 기판(1) 상에 형성되는 패턴 형상과 정렬 표시를 갖는 포토마스크(도시되지 않음)가 전술한 바와 같이 포토레지스트에 정렬됨으로써, 포토레시스트가 포토마스크에 의해 마스킹된 다음에 노광되어 현상된다. 따라서, 도3의 (b)에 도시된 바와 같이 포토마스크의 정렬 표시 트레이스(5a)를 포함하는 레지스트 패턴(5)이 형성된다. 정렬 표시 트레이스(5a)는 기판(1)의 관통 홀 형성 영역(6')의 범위 내에 위치된다.
도3의 (c)에 도시된 바와 같이, 시판되고 있는 완충된 불화수소산을 이용한 습식 에칭에 의해 내에칭층(4)을 패터닝한다. 내에칭층(4)을 패터닝한 후, 레지스트 패턴(5)과 정렬 표시 트레이스(5a)는 내에칭층(4)으로부터 제거된다(도3의 (d)). 내에칭층(4)에는 레지스트 패턴(5)의 정렬 표시 트레이스(5a)에 대응하는 정렬 표시 패턴(4a)이 형성되어 있다.
그런 다음, 기판(1)을 에칭하여 패터닝이 수행된다. 도3의 (e)에 도시된 바와 같이, 기판(1)의 관통 홀 형성 영역(6')에 관통 홀(6)이 형성된다.
기판(1)을 패터닝하는 에칭 방법으로는, Si의 결정 방향을 이용한 이방성 에칭 기술과 CF4, H2, O2, N2 등을 혼합한 반응 가스를 도입하여 수행되는 플라즈마 에칭 기술이 알려져 있다. 본 실시예에 있어서도 이 기술들을 이용하는 것이 가능하다. 예를 들어, 에칭 방법으로서 이방성 에칭 기술을 이용한 경우를 후술한다.
Si 이방성 에칭 기술은, 알칼리성 에칭액을 이용하여 습식 에칭을 한 경우에 <111> 결정 방향면과 <100> 결정 방향면 사이의 에칭 속도 차이를 이용하여 에칭을 수행하는 기술이다. 본 실시예에서는, 20 중량% KOH 수용액이 사용되며, 20 중량% KOH 수용액이 80˚C의 온도로 가열된 에칭액 탱크에 기판(1)을 침지하여 에칭을 수행했다. 다른 에칭액으로서 테트라메틸 수산화암모늄(tetramethyl ammonium hydroxide: TMAH), NaOH 및 하이드라진(hydrazine)을 이용할 수도 있다.
Si 이방성 에칭 기술을 이용하여 관통 홀(6)을 형성할 때, 정렬 표시 트레이스(5a)의 형상으로 패터닝되는 내에칭층(4)의 정렬 표시 패턴(4a)의 크기는 사이드 에칭(side etching)의 영향을 고려하여 결정된다는 점에 유의해야 한다. 일반적으로, Si 이방성 에칭에서는, 사이드 에칭의 영향에 의해 내에칭층(4)의 마스크의 크기보다도 Si 기판(1)이 크게 에칭된다. 본 실시예의 이방성 에칭에서도 사이드 에칭 현상이 발생하므로, 사이드 에칭량을 미리 파악하여 관통 홀 형성 영역(6') 내에 형성되는 내에칭층(4)의 정렬 표시 패턴(4a)의 크기를 결정할 필요가 있다.
관통 홀 형성 영역(6') 내에 형성되는 내에칭층(4)의 정렬 표시 패턴(4a)의 크기는, 사이드 에칭 이후(post-side etching)의 관통 홀(6)의 개구부의 크기보다 작게 형성된다.  그러므로, 관통 홀 형성 영역(6') 내에 구비된 내에칭층(4)의 정렬 표시 패턴(4a)은, 관통 홀(6)에 아무런 영향을 주지 않으면서 관통 홀(6)의 형성 시에 정렬 표시 패턴(4a)을 동시에 에칭함으로써 제거될 수 있다. 관통 홀(6)의 크기 때문에, 본 실시예에서 관통 홀 형성 영역(6') 내에 형성된 내에칭층(4)의 정렬 표시 패턴(4a)의 크기가 100μm x 100μm보다 크지 않으면, 사이드 에칭의 영향을 받으면서 관통 홀(6)이 형성될 수 있다.
기판(1)의 상면에, 관통 홀 형성 영역(6') 내에 구비되어 있는 기판측 정렬 표시(2)도 관통 홀(6)의 형성 시에 제거된다. 기판(1)의 상면에 형성되어 있는 패시베이션층(3)은 습식 에칭에 의한 관통 홀(6)의 형성 공정에서 에칭 정지층으로 작용한다.
마지막으로, 패시베이션층(3)의 관통 홀(6)에 대향하는 부분은 에칭에 의해서 제거된다. 그러므로, 도3의 (f)에 도시된 바와 같이, 기판(1) 및 기판(1)의 상하면 상의 층(3, 4)을 관통하는 관통 홀(6)이 형성된다. 기판(1)에 형성된 복수의 제품 소자(8)를 스크라이브 라인(도시되지 않음)에 따라 절단함으로써, 개개의 제품 소자(8)가 얻어질 수 있다.
본 실시예에서, 기판측 정렬 표시(2)와 내에칭층(4)의 정렬 표시 패턴(4a)을 관통 홀 형성 영역(6') 내에 배열함으로써, 관통 홀(6)을 형성할 때 관통 홀(6)의 형성에 영향을 주지 않으면서 기판측 정렬 표시(2)와 내에칭층(4)의 정렬 표시 패턴(4a)이 제거될 수 있다. 따라서, 제품 소자(8)가 위치되는 영역과는 다른 영역에 정렬 표시를 배열하기 위한 전용 영역이 구비될 필요가 없다. 또한, 정렬 표시를 배열하기 위한 전용 영역이 제품 소자(8) 내에 구비되지 않고, 관통 홀(6)을 형성할 때 에칭에 의해서 제거되는 영역 내에 정렬 표시가 배열되므로, 제품 소자(8)의 크기가 정렬 표시의 크기에 따라 증가되지 않는다. 따라서, 본 실시예에 따라 제품 소자(8)의 수율이 감소되지 않도록 정렬 표시를 배열할 수 있으며, 제품 소자(8)의 소형화를 도모할 수 있다.
(또다른 실시예)
도4는 본 발명의 정렬 표시 형성 방법을 적용하여 형성된 잉크젯 기록 헤드의 일 실시예가 잉크젯 기록 헤드의 일부를 파단한 상태로 도시된 사시도이다.
도4에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 잉크젯 기록 헤드(100)는 기판(1)과 기판(1)의 상면에 구비된 노즐 채널 벽부재(103)를 구비한다. 잉크 토출 에너지 생성 요소(101), 전극(110) 등은 기판(1)의 상면 상에 형성된다. 기판(1)을 관통하는 잉크 공급구(105)는 기판(1) 내에 형성된다. 잉크 노즐(104) 등은 노즐 채널 벽부재(103) 내에 형성된다.
잉크 공급구(105)는 기판(1)의 길이 방향으로 연장되고, 복수의 잉크 토출 에너지 생성 요소(101)는 기판(1)의 상면 내에 잉크 공급구(105)의 양측으로 2열 배열되어 있다. 복수의 전극(110)은 기판(1)의 길이 방향의 양단부 부근에 구비되고, 전극(110)들은 각 단부의 부근에서 전극군(111)을 각각 형성하고 있다.
노즐 채널 벽부재(103)에 형성된 잉크 노즐(104)은 기판(1)의 잉크 토출 에너지 생성 요소(101) 위에 위치되어 있다. 따라서, 잉크 노즐(104)에 의해 형성된 잉크 노즐군(112)은, 기판(1) 상의 잉크 토출 에너지 생성 요소(101)와 마찬가지로 2열로 형성된다.
기판(1)의 하면측 상에는 잉크 탱크(도시되지 않음)로부터 공급된 잉크를 일시적으로 저장하기 위한 공통 액체실(도시되지 않음)이 설치된다. 공통 액체실에 저장된 잉크는, 잉크 공급구(105)를 통해, 노즐 채널 벽부재(103)에 의해서 형성된 잉크 채널(106)(도5의 (e) 참조) 및 잉크 노즐(104)에 공급되고, 잉크는 각 잉크 채널에 따라 구비된 잉크 토출 에너지 생성 요소(101)의 주위에 공급된다. 잉크 토출 에너지 생성 요소(101)에 의해 생성된 열 에너지가 잉크 토출 에너지 생성 요소(101)의 주위에 공급된 잉크에 부여되면, 잉크 중에 생성된 기포의 성장에 의한 압력에 의해 잉크 노즐(104)로부터 잉크 방울이 토출된다. 토출된 잉크 방울이 기록 매체(도시되지 않음)에 부착되어, 기록 매체에 문자나 화상 등이 기록된다.
도5의 (a) 내지 (e)를 참조하여, 본 발명의 정렬 표시 형성 방법을 적용하여 도4에 도시된 잉크젯 기록 헤드를 형성하는 공정을 후술한다.
도5의 (a)에 도시된 바와 같이, 잉크 토출 에너지 생성 요소(101), 전극(110)(도5의 (a) 내지 (e)에는 도시되지 않음), 및 알루미늄과 같은 배선 재료로 이루어지고 잉크 토출 에너지 생성 요소(101)를 구동시키는 회로 배선(도시되지 않음)은 실리콘으로 이루어진 기판(1)의 상면에 형성된다. 기판(1)의 상면에 잉크 토출 에너지 생성 요소(101), 전극(110) 및 회로 배선이 형성되는 동안에, 기판측 정렬 표시(2)는 잉크 공급구(105)가 형성된 영역인 잉크 공급구 형성 영역(105')의 범위 내에 형성된다. 기판측 정렬 표시(2)는 회로 배선을 구성하는 배선 재료와 동일한 재료로 이루어진다. 기판(1) 내에 잉크 토출 에너지 생성 요소(101) 등을 형성 시에 기판측 정렬 표시(2)를 동시에 형성함으로써, 기판측 정렬 표시(2)를 형성하기 위한 특별한 공정의 필요성을 없앨 수 있다. 기판측 정렬 표시(2)는, 후술하는 공정에서 기판(1)의 하면에 마스킹되는 포토마스크(도시되지 않음)가 화상 처리를 이용한 위치 제어에 의해서 기판(1)에 위치 정렬될 때에 이용된다.
도5의 (a) 내지 (e)는 기판(1) 내에 1개의 잉크젯 기록 헤드(100)로 되는 부분만을 나타내고 있다. 실제로 기판(1)은 복수의 잉크젯 기록 헤드(100)가 형성될 수 있는 크기를 갖는다.
그런 다음, 도5의 (a)에 도시된 바와 같이, 기판(1)의 상면측에 패시베이션층(3)이 형성되는 동안에, 기판(1)의 하면측 상에 내에칭층(4)이 형성된다. 패시베이션층(3)은, 기판(1)의 상면에 형성된 잉크 토출 에너지 생성 요소(101)와 회로 배선을 보호하기 위한 보호층의 기능과 습식 에칭에 의해 잉크 공급구(105)를 형성할 때의 에칭액에 대한 정지층의 기능을 갖는다. 패시베이션층(3)은 SiN 이나 P-SiO와 같은 재료로 이루어진다. 내에칭층(4)은 실리콘 열 산화막으로 형성되고, SiN이나 SiO2과 같은 재료로 이루어진다.
도5의 (a)에 도시된 바와 같이, 포토마스크의 정렬 표시 트레이스(5a)를 포함하는 레지스트 패턴(5)은 기판(1)의 하면 상의 내에칭층(4) 위에 형성된다. 레지스트 패턴(5)의 형성은 아래와 같이 수행된다.
먼저, 레지스트 패턴(5)을 형성하기 위한 포토레지스트가 내에칭층(4) 위에 도포된다. 기판(1) 위에 형성될 패턴 형상과 정렬 표시를 갖는 포토마스크(도시되지 않음)를 전술한 바와 같이 포토레지스트에 정렬시킴으로써, 포토레지스트는 포토마스크에 의해 마스킹된 다음에 노광되어 현상된다. 따라서, 포토마스크의 정렬 표시 트레이스(5a)를 포함하는 도5의 (b)에 도시된 레지스트 패턴(5)이 형성된다. 정렬 표시 트레이스(5a)는 기판(1)의 잉크 공급구 형성 영역(105')의 범위 내에 위치된다.
도5의 (b)에 도시된 바와 같이, 시판되고 있는 완충된 불화수소산을 이용하는 습식 에칭에 의해 내에칭층(4)이 패터닝된다. 내에칭층(4)을 패터닝한 후, 레지스트 패턴(5)과 정렬 표시 트레이스(5a)는 내에칭층(4)으로부터 제거된다. 레지스트 패턴(5)의 정렬 표시 트레이스(5a)에 대응하는 정렬 표시 패턴(4a)이 내에칭층(4)에 형성된다.
도5의 (c)에 도시된 바와 같이, 기판(1) 상면측 위의 패시베이션층(3) 위에 본뜨기 부재(102)가 형성된 다음, 기판(1) 위에 노즐 채널 벽부재(103)가 형성된다. 본뜨기 부재(102)는 잉크 공급구(105)와 잉크 노즐(104)을 노즐 채널 벽부재(103)에 연통시키는 잉크 채널(106)을 형성하는 부재이다. 본뜨기 부재(102)는 후속 공정으로 제거된다.  노즐 채널 벽부재(103)가 구비되어 기판(1) 상에 형성된 본뜨기 부재(102) 전체를 피복한 후, 노즐 채널 벽부재(103) 부분이 포토리소그래피에 의해서 기판(1)의 잉크 토출 에너지 생성 요소(101) 상측으로 개구되어, 잉크 노즐(104)이 형성된다.
그런 다음, 기판(1)을 에칭하여 패터닝이 수행된다. 이 경우, 도5의 (d)에 도시된 바와 같이, 기판(1)의 잉크 공급구 형성 영역(105') 내에 잉크 공급구(105)가 형성된다. 기판(1)을 패터닝하는 에칭 방법으로는, Si의 결정 방향을 이용한 이방성 에칭 기술과 CF4, H2, O2, N2  등이 혼합된 반응 가스를 도입하여 수행되는 플라즈마 에칭 기술이 알려져 있다. 본 실시예에서 이들 기술을 이용할 수도 있다. 에칭 기술에 관한 자세한 설명은 도3의 (e)의 설명과 마찬가지이므로 에칭 기술에 대한 설명을 생략한다.
본 실시예에서, 잉크 공급구 형성 영역(105')에 형성된 내에칭층(4)의 정렬 표시 패턴(4a)의 크기는 후 사이드 에칭(post-side etching)의 잉크 공급구(105)의 개구의 크기보다 작다. 그러므로, 잉크 공급구(105)를 형성하면서 정렬 표시 패턴(4a)을 동시에 에칭함으로써, 잉크 공급구 형성 영역(105') 내에 구비된 내에칭층(4)의 정렬 표시 패턴(4a)은 잉크 공급구(105)에 아무런 영향을 주지 않으면서 제거될 수 있다. 기판(1)의 상면에서, 잉크 공급구 형성 영역(105') 내에 구비된 기판측 정렬 표시(2)도 잉크 공급구(105)를 형성하면서 제거된다. 습식 에칭에 의한 잉크 공급구(105) 형성 공정에서, 기판(1)의 상면에 형성되어 있는 패시베이션층(3)은 에칭 정지층으로서 작용한다.
마지막으로, 패시베이션층(3)의 잉크 공급구(105)에 면하는 부분이 에칭에 의해 제거된다. 그러므로, 도5의 (e)에 도시된 바와 같이, 기판(1) 및 기판(1)의 상하면 상의 층(3, 4)을 관통하는 잉크 공급구(105)가 형성된다. 잉크 공급구(105)가 형성된 후에, 본뜨기 부재(102)는 용해액에 의한 용해에 의해 제거된다. 그러므로, 잉크 공급구(105)와 잉크 노즐(104)을 연통시키는 잉크 채널(106)이 노즐 채널 벽부재(103) 내에 형성된다. 기판(1)에 형성된 복수의 잉크젯 기록 헤드(100)를 스크라이브 라인(도시되지 않음)에 따라 절단함으로써, 개개의 잉크젯 기록 헤드(100)를 얻을 수 있다.
본 실시예에서, 기판측 정렬 표시(2)와 내에칭층(4)의 정렬 표시 패턴(4a)을 잉크 공급구 형성 영역(105') 내에 배열함으로써, 기판측 정렬 표시(2)와 내에칭층(4)의 정렬 표시 패턴(4a)도 잉크 공급구(105) 형성 시에 잉크 공급구(105)를 형성하는 데 아무런 영향을 주지 않으면서 제거될 수 있다. 그러므로, 정렬 표시를 배열하기 위한 전용 영역이 기판(1)의 잉크젯 기록 헤드(100)로 되는 부분과는 다른 영역 내에 구비될 필요는 없다. 또한, 정렬 표시를 배열하기 위한 전용 영역이 제품 소자(8) 내에 구비되지 않고, 잉크 공급구(105) 형성 시에 에칭에 의해 제거되는 영역 내에 정렬 표시가 배열되므로, 잉크젯 기록 헤드(100)의 크기는 정렬 표시의 크기에 의해 증가되지 않는다. 따라서, 본 실시예에서, 잉크젯 기록 헤드(100)의 수율이 감소되지 않도록 정렬 표시가 배열될 수 있고, 잉크젯 기록 헤드(100)의 소형화를 도모할 수도 있다.
본 발명에 따라 기판에 실시되는 후공정에 의해 기판으로부터 제거되는 영역 내에 정렬 표시가 형성되므로, 기판으로부터 소자의 수율이 감소되지 않도록 정렬 표시가 배열될 수 있고, 소자 자체의 소형화를 도모할 수도 있다.
도1은 본 발명의 정렬 표시 형성 방법을 적용하여 소자가 형성되는 단계에서 소자의 일 실시예의 개략적인 구성을 나타내는 평면도이다.
도2는 하면에 레지스트 패턴이 형성된 기판을 하면측에서 본 도면이다.
도3의 (a) 내지 (f)는 본 발명의 정렬 표시 형성 방법을 적용하여 소자를 형성하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도4는 본 발명의 정렬 표시 형성 방법을 적용하여 형성된 잉크젯 기록 헤드의 일 실시예를 그 일부가 절결되어 도시하는 사시도이다.
도5의 (a) 내지(e)는 본 발명의 정렬 표시 형성 방법을 적용하여 도4에 도시된 잉크젯 기록 헤드를 형성하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도6은 종래의 반도체 소자 제조 공정의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도7은 도6의 영역A 내의 정렬 표시 전용 영역을 도6에 도시된 기판의 하면측에서 본 확대도이다.
도8은 스크라이브 라인(scribe line)에 정렬 표시를 배열하는 종래의 기법을 설명하기 위한 도면이다.
도9는 사이드 에칭 현상을 설명하기 위한 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1: 기판
2: 기판측 정렬 표시
3: 패시베이션층
4: 내에칭층(etching-resistant layer)
4a: 정렬 표시 패턴
5: 레지스트 패턴
5a: 포토 마스크의 정렬 표시 트레이스 
6: 관통 홀
6': 관통 홀 형성 영역
8: 제품 소자
101: 잉크 토출 에너지 생성 요소
102: 본뜨기 부재
103: 노즐 채널 벽부재
104: 잉크 노즐
105: 잉크 공급구
106: 잉크 채널
110: 전극
111: 전극군
112: 잉크 노즐군

Claims (10)

  1. 복수의 소자를 형성하기 위한 기판과 상기 기판 위에 도포된 레지스트를 마스킹하기 위한 포토마스크 사이의 정렬에 이용되어 포토리소그래피 공정을 이용하여 상기 레지스트의 패터닝을 수행하기 위한 정렬 표시를 상기 기판 위에 형성하는 정렬 표시 형성 방법이며,
    상기 기판의 소자가 형성되는 부분 중에서, 상기 기판에 실시되는 후공정 동안에 상기 기판으로부터 제거되는 영역 내에 상기 정렬 표시를 형성하는 공정을 포함하는 정렬 표시 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 정렬 표시는 상기 기판의 상기 레지스트가 도포되는 면의 반대면에 형성되는 정렬 표시 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판에 실시되는 후공정은 에칭 공정인 정렬 표시 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판에 실시되는 후공정은 상기 기판의 한 면으로부터 다른 면으로 관통하는 관통 구멍이 상기 기판의 영역 내에 형성되는 단계를 포함하는 정렬 표시 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 소자는 에너지 생성 요소에 의해 생성된 에너지에 의해 노즐로부터 액체를 토출하는 액체 토출 헤드이고, 상기 액체 토출 헤드는, 액체를 토출하기 위한 상기 노즐과, 상기 노즐에 연통되어 노즐에 상기 액체를 공급하는 액체 채널과, 상기 액체 채널에 충전된 액체를 상기 노즐로부터 토출시키기 위한 에너지를 생성하는 에너지 생성 요소를 구비하며, 상기 정렬 표시가 상기 기판 내에 형성되는 상기 후공정은 상기 기판의 한 면으로부터 다른 면을 관통하여 상기 액체 채널에 연통되는 액체 공급구를 상기 기판의 상기 영역 내에 형성하는 것을 포함하는 정렬 표시 형성 방법.
  6. 복수의 소자가 형성된 기판이며,  
    포토리소그래피 공정에 의해 상기 기판 위에 도포된 레지스트의 패터닝을 수행하도록 상기 레지스트와 상기 레지스트를 마스킹하기 위한 포토마스크 사이의 정렬에 이용되는 정렬 표시와,
    상기 소자가 상기 기판 내에 형성되는 영역을 포함하며,
    상기 정렬 표시는, 상기 영역 중에서, 상기 기판에 실시되는 후공정 동안에 상기 기판으로부터 제거되는 범위 내에 형성되는 기판.
  7. 제6항에 있어서, 상기 정렬 표시는 상기 기판의 상기 레지스트가 도포되는 면의 반대면에 형성되는 기판.
  8. 제6항에 있어서, 상기 기판에 실시되는 후공정은 에칭 공정인 기판.
  9. 제6항에 있어서, 상기 기판에 실시되는 후공정에서 상기 기판으로부터 제거되는 영역 내에 상기 기판의 한 면으로부터 다른 면으로 관통하는 구멍이 형성되는 기판.
  10. 액체를 토출하기 위한 노즐과, 상기 노즐에 연통되어 노즐에 액체를 공급하는 액체 채널과, 상기 액체 채널에 충전된 액체를 상기 노즐로부터 토출시키기 위한 에너지를 생성하는 에너지 생성 요소를 구비하는 액체 토출 헤드를 제조하는 방법이며,
    상기 기판의 복수의 소자가 형성된 부분 중에서, 상기 기판에 실시되는 후공정 동안에 상기 기판으로부터 제거되는 영역 내에 정렬 표시를 형성하는 공정을 포함하며, 상기 정렬 표시는, 포토리소그래피 공정에 의해 상기 레지스트의 패터닝을 수행하도록 복수의 소자가 형성된 기판과 상기 기판에 도포된 레지스트를 마스킹하기 위한 포토마스크 사이의 정렬에 이용되는 액체 토출 헤드 제조 방법.
KR1020040076181A 2003-09-30 2004-09-23 정렬 표시 형성 방법,소자가 형성된 기판 및 기판을이용한 액체 토출 헤드 KR100563508B1 (ko)

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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4617150B2 (ja) * 2004-12-09 2011-01-19 キヤノン株式会社 ウエハのダイシング方法
JP4544143B2 (ja) * 2005-06-17 2010-09-15 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法、半導体装置、回路基板及び電子機器
JP2008085118A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP5072384B2 (ja) * 2007-02-20 2012-11-14 株式会社リコー 半導体ウェハ及びレチクルの組並びにそのレチクルの組を用いた露光方法
JP4391545B2 (ja) * 2007-03-30 2009-12-24 日立ビアメカニクス株式会社 ワーク加工機
US8389099B1 (en) 2007-06-01 2013-03-05 Rubicon Technology, Inc. Asymmetrical wafer configurations and method for creating the same
US9188883B2 (en) * 2007-10-16 2015-11-17 Macronix International Co., Ltd. Alignment mark
US8680653B2 (en) * 2007-11-12 2014-03-25 Infineon Technologies Ag Wafer and a method of dicing a wafer
JP2009239247A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Ibiden Co Ltd 多層プリント配線板の製造方法
WO2010070964A1 (ja) * 2008-12-16 2010-06-24 株式会社村田製作所 回路モジュール及びその管理方法
JP5566130B2 (ja) * 2009-02-26 2014-08-06 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッドの製造方法
JP5791368B2 (ja) * 2011-05-20 2015-10-07 キヤノン株式会社 インクジェット記録ヘッドの製造方法
CN103488063B (zh) * 2012-06-11 2016-01-20 无锡华润上华半导体有限公司 一种对位标记及其制作方法
CN102749817A (zh) * 2012-06-27 2012-10-24 中国电子科技集团公司第四十一研究所 一种介质基片零层对准标记结构
US9355964B2 (en) * 2014-03-10 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for forming alignment marks and structure of same
JP6596048B2 (ja) * 2017-09-05 2019-10-23 シャープ株式会社 アライメントマーク付き基板の製造方法
JP2019196511A (ja) * 2018-05-08 2019-11-14 住友重機械工業株式会社 板処理装置及び板処理方法
CN112614803B (zh) * 2020-12-30 2023-01-31 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种集成电路的制备方法
CN113238400B (zh) * 2021-03-29 2023-06-16 绵阳惠科光电科技有限公司 对位标记、显示装置和对位标记的判断方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0543361B1 (en) * 1991-11-20 2002-02-27 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a semiconductor device
JPH08222514A (ja) * 1995-02-17 1996-08-30 Nikon Corp 半導体製造方法
US6790742B2 (en) * 1998-06-03 2004-09-14 United Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing in forming semiconductor device
US6476886B2 (en) * 1999-02-15 2002-11-05 Rainbow Displays, Inc. Method for assembling a tiled, flat-panel microdisplay array
US6633031B1 (en) * 1999-03-02 2003-10-14 Advion Biosciences, Inc. Integrated monolithic microfabricated dispensing nozzle and liquid chromatography-electrospray system and method
JP2001102285A (ja) * 1999-09-28 2001-04-13 Toshiba Corp 位置合わせマーク
JP3548536B2 (ja) * 2000-02-15 2004-07-28 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッドの製造方法
JP3677426B2 (ja) * 2000-02-21 2005-08-03 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 位置合わせ精度計測マーク
US6309943B1 (en) * 2000-04-25 2001-10-30 Amkor Technology, Inc. Precision marking and singulation method
US6492269B1 (en) * 2001-01-08 2002-12-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Methods for edge alignment mark protection during damascene electrochemical plating of copper
US6562691B2 (en) * 2001-03-06 2003-05-13 Macronix International Co., Ltd. Method for forming protrusive alignment-mark
JP2002280295A (ja) * 2001-03-22 2002-09-27 Sony Corp 半導体素子の製造方法および撮像素子の製造方法
JP3603828B2 (ja) * 2001-05-28 2004-12-22 富士ゼロックス株式会社 インクジェット式記録ヘッド及びその製造方法並びにインクジェット式記録装置
JP2003045896A (ja) * 2001-07-26 2003-02-14 Honda Motor Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2003092242A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP2003092246A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Canon Inc アライメントマーク及びアライメント装置とその方法、及び露光装置、デバイスの製造方法
US6750076B2 (en) * 2001-09-17 2004-06-15 Advion Biosciences, Inc. Fabrication of a microchip-based electrospray device
JP4039036B2 (ja) * 2001-11-06 2008-01-30 日立金属株式会社 アライメントマーク作製方法
JP2004304161A (ja) * 2003-03-14 2004-10-28 Sony Corp 発光素子、発光装置、画像表示装置、発光素子の製造方法及び画像表示装置の製造方法
TWI272654B (en) * 2003-07-18 2007-02-01 Asia Pacific Microsystems Inc Method for keeping the precision of photolithography alignment after wafer bonding
US6975040B2 (en) * 2003-10-28 2005-12-13 Agere Systems Inc Fabricating semiconductor chips
JP4753170B2 (ja) * 2004-03-05 2011-08-24 三洋電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP4377300B2 (ja) * 2004-06-22 2009-12-02 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体ウエハおよび半導体装置の製造方法

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