CN1603958A - 对准标记的形成方法、构成器件的基板、以及使用该基板的液体排出头 - Google Patents

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Abstract

将对基板和光掩膜之间进行位置对合的对准标记形成于基板的构成器件的部分中的、并在基板上所施行的以后的工序中可以从基板上被除去的部位上，其中，在上述基板上构成有多个的器件，而上述光掩膜对涂覆在基板上的抗蚀保护层在用照相平版印刷工艺进行图形制作时对该抗蚀保护层进行掩蔽。由此，可以在不减少从基板所得到的器件产额的情况下，在基板上形成用于与光掩膜之间进行位置对合的对准标记。

Description

对准标记的形成方法、构成器件的基板、 以及使用该基板的液体排出头
技术领域
本发明涉及一种在照相平版印刷(フオトリソグラフイ一)工序中所使用的对准标记的形成方法、构成器件(デバイス)的基板、以及使用该基板的液体排出头。
背景技术
在半导体制造工艺等场合，为形成所希望的图形而使用的照相平版印刷技术如下所述：一般地，先在基板上涂覆抗蚀保护层并进行烘干；然后，由形成有希望在基板上所形成的图形的光掩膜对基板上的抗蚀保护层进行掩蔽；对该抗蚀保护层进行曝光和显影；之后，由蚀刻工艺将被蚀刻材料除去；从而在基板上形成所希望的图形。特别是，在半导体制造工艺等中，为了在基板上形成复杂的图形，需要使用多种的光掩膜反复进行爆光、显影、和蚀刻步骤。因此，为了对已经形成有图形的基板与作为下一个图形的原形的光掩膜之间进行位置对合，有必要在基板和光掩膜的分别相对的位置上，配置在进行用图象处理等技术的位置对合时所必需的对准标记。
又，在半导体制造工艺等中，如图6所示，从被称作硅片的基板1001中将所希望的产品器件1008集中地形成多个是主流。这样，在从基板1001上集中地形成多个的产品器件1008时，通常，将用于位置对合的对准标记形成于与构成着产品器件1008的部分为不同的、对准标记专用的区域1007上。
图7为从图6所示的基板1001的下面侧所见到的、并将图6中的A区域内的对准标记专用的区域1007进行了放大显示的图。如图7所示，在位于基板1001的上面的对准标记专用的区域1007上，形成有“十字形”的基板侧对准标记1002。又，在基板1001的下面，形成有包含光掩膜的对准标记痕迹1005a的抗蚀图形1005。其中，该光掩膜的对准标记痕迹1005a被配置在与十字形的基板侧对准标记1002的四个角相对的位置上。如图7所示，该对准标记痕迹1005a以与对准标记1002不相重迭的方式而被配置在其右上、右下、左上、和左下的位置上。又，在图7中，显示了对位于基板1001上面的基板侧对准标记1002进行透视了的状态。
又，象这样的将用于位置对合的对准标记形成于与构成着产品器件的部分为不同的、对准标记专用的区域上的技术(手法)，不用例举以往的技术文献，是众所周知的。
但是，在将用于位置对合的对准标记1002形成于与产品器件1008为不同区域的、对准标记专用区域1007上时，从基板1001中所得到的产品器件1008的产额就会因区域1007的尺寸大小的量而减少。这种现象，随产品器件1008的面积的增大而变得更加显著。这是因为，由于单个的产品器件1008是将构成有多个的产品器件1008的基板1001在切割工序中被切断成围棋的棋子状后分离而得到的，所以，即使对准标记1002自身的大小比单个的产品器件1008的面积要小，产品器件1008所无法利用的各区域1007的面积也具有与各产品器件1008相同的面积。
对这个问题，为消除产品器件所无法利用的区域，下列技术为人们所知：不是将用于位置对合的对准标记形成于与产品器件为不同的、对准标记专用的区域上，而是在产品器件自身的区域内设置对准标记。
但是，在该技术中，通常，由于单个的产品器件的面积会由于为配置对准标记所需的那部分的面积而增大，所以即使由该技术，其结果也不能大幅度地增加产品器件的产额(产量)。
因此近年来，为解决由于设置对准标记而使产品器件的产额减少的课题，使用一种在基板的被切割的区域(一般，被称作‘划线区，)上配置对准标记的技术。依据该技术，由于在切割工序中的被切削着的部位上设有对准标记，所以就没有必要在基板上另外确保用于配置对准标记的区域，可以有效地利用基板，从而增加产品器件的产额。该技术被刊载在例如“特开2003-092246”号公报上。
参照图8对该技术进行说明。如果用于切割的刀具(切割刀片)的厚度是50μm，由于近年来的照相平版印刷技术的微细化，有可能在切割线上配置对准标记1002。但是，由于这时有必要使对准标记更微细化地形成，所以必须使用可以高精度地进行微细的图形加工的装置。但这样的装置价格昂贵。又，在对准标记的加工所需要的精度比产品器件的加工所需要的精度还要高的场合，以这样的精度制造产品器件时会使产品器件的性能超过规格。
以上所述的关于对准标记的配置的问题，特别是在形成作为产品器件的必要功能的、贯通了基板的通孔时会变得更加显著。例如，在喷墨记录头的制造工序中，在硅(Si)基板上构成有墨排出能量产生单元和喷嘴，并将为对各喷嘴供给来自外部的墨所用到的墨供给口以在Si基板上形成贯通口的方式而配置着。为形成贯通口，一般使用照相平版印刷技术，特别是Si的各向异性蚀刻技术和使用反应气体的干法蚀刻技术得到应用。但在所有这几种场合，都必须对配置在基板上的墨排出能量产生单元和喷嘴的构造在与墨排出口之间进行位置对合后进行加工。但是，在对Si基板进行蚀刻而形成贯通口时，形成于Si基板上的对准标记的部分也会同样地受到蚀刻加工。因此，在Si基板的形成对准标记的部分上会产生凹状的损伤。
对于这样的问题，当希望通过在不会对构成着产品器件的区域带来影响的区域上、也即在与产品器件相独立的对准标记的专用区域上形成对准标记从而解决问题时，如上所述，基板上的产品器件的产额就会因此而减少。
又，在采用在划线区1006上配置对准标记的技术的场合，即使在尺寸方面允许在划线区1006上配置对准标记，但由于在蚀刻时自对准标记的形成部分会产生侧向蚀刻(一种与实际的抗蚀图形相比，其蚀刻向横方向扩长的现象)，所以在被配置在对准标记的四角周边上的产品器件上会产生亏损部位，这会不利于产品器件的质量。
对该现象，参照图9进行说明。在由Si所构成的基板1001上进行蚀刻时，当在位于基板1001的下面的对准标记痕迹1005a的形成部位上产生的侧向蚀刻的量在单侧方向为50μm时，由于对准标记痕迹1005a的原来的尺寸是边长为50μm的正方(四方)形(参照图7)，由四方Si的各向异性蚀刻所产生的Si基板1001的<111>面(位于图9所示的基板1001的下面)的倾斜角是54.7°，所以进行侧向蚀刻后的对准标记痕迹1005a的形成部分就成为其开口部是边长为150μm的正方形、且其深度约为106μm
Figure A20041007891200071
的四角锥的形状。
作为为减少由这样的侧向蚀刻所产生的影响的技术，人们考虑扩大划线区1006的宽度，或者更微细地形成对准标记。但是，如果扩大划线区1006的宽度，就会相应地由此而减少产品器件的产额。又，为了更微细地形成对准标记，在增加其装置的成本的同时，还存在在使用微细的对准标记的场合，要保证位置对合时的精度会变得困难这样的问题。
特别地，在半导体制造工艺中，可以在多大程度上从硅片基板上多得到一些产品器件，对产品器件的成本有很大的影响。因此，当在基板上形成用于对基板和光掩膜之间进行位置对合的对准标记时，希望以对准标记的存在不会减少产品器件的产额的方式而对对准标记进行配置。
发明内容
本发明的目的是，提供一种可以在不减少器件产额的情况下，将用于对基板和光掩膜之间进行位置对合的对准标记进行配置的对准标记的形成方法、用该方法形成产品器件的基板、以及使用了该基板的液体排出头。
本发明的另一个目的是，提供一种对准标记的形成方法、用该方法形成产品器件的基板、以及使用了该基板的液体排出头，其中，由于将对准标记形成于在基板的构成有器件的部分中的、并在以后的工序中可以被除去的部位上，于是也没有必要设置用于配置对准标记的专用的区域，并且器件自身的尺寸也不会因对准标记的存在而增大。
本发明的又一个目的是，提供一种对准标记的形成方法、用该方法形成器件的基板、以及使用了该基板的液体排出头，在将对构成有多个器件的基板、和对涂覆在该基板上的抗蚀保护层在用照相平版印刷工艺进行图形制作时对该抗蚀保护层进行掩蔽的光掩膜之间进行位置对合用的对准标记形成于上述基板的方法中，将上述对准标记形成于在上述基板的构成有上述器件的部分中的、并在上述基板上所进行的以后的工序中可以从上述基板中被除去的部位上。
附图说明
图1为显示了应用本发明的对准标记的形成方法而正在形成过程中的器件的一实施形态的大致构成的平面图。
图2显示了对在下面形成有抗蚀图形的基板从其下面侧所见到的状态。
图3A、3B、3C、3D、3E、和3F为对应用本发明的对准标记的形成方法而形成器件的工序进行说明的图。
图4为对应用本发明的对准标记的形成方法而形成的喷墨记录头的一实施形态以其一部为剖开的状态进行显示的立体图。
图5A、5B、5C、5D和5E为对应用本发明的对准标记的形成方法、而形成如图4所示的喷墨记录头的工序进行说明的图。
图6为对以往的半导体制造工艺的一例进行说明的图。
图7为从图6所示的基板的下面侧所见到的、并将图6中的A区域内的对准标记专用的区域进行了放大显示的图。
图8为对以往的在划线区上配置有对准标记的技术进行说明的图。
图9为对侧向蚀刻现象进行说明的图。
具体实施方式
在以下所详述的发明中，由于将对准标记形成在基板的部位上，该部位在基板上所施行的以后的工序中可以从基板上除去，所以，可以在不减少基板的器件产额的情况下对对准标记进行配置，而且还可以实行器件自身的小型化。
对这样的本发明的实施形态，参照图面进行说明。
图1为显示了应用本发明的对准标记的形成方法而正在形成过程中的器件的一实施形态的大致构成的平面图。又，图2为显示了如图1所示的在基板上面形成的基板侧对准标记、和被掩蔽在该基板下面的光掩膜的对准标记痕迹的透视图。而且，图2显示了对在下面形成有抗蚀图形(レジストパタ一ン)5(参照图3A-3F)的基板1从其下面侧所见到的状态。
如图1和图2所示，对应用本发明的对准标记的形成方法而形成的器件，在其形成工序的过程中，在位于基板1的上面的、在以后的工序中形成通孔6(参照图3A-3F)的区域(以下，称作‘通孔形成区域16’)内，形成有基板侧对准标记2。又，在基板1的下面的、与基板侧对准标记2相对应的位置上，形成有作为抗蚀图形5的一部分的、光掩膜的对准标记痕迹5a。基板侧对准标记2和光掩膜的对准标记痕迹5a在基板1的通孔形成区域16上形成通孔6时被除去。
又，图1只显示了在基板1中形成1个产品器件8的部分。基板1实际上具有构成多个的产品器件8的大小(尺寸)；通过在基板1上构成多个产品器件8后对基板1进行切割，可以得到如图1所示大小的单个的产品器件8。
为在基板1的下面形成抗蚀图形5、5a而使用的光掩膜(未图示)在如后所述的对涂覆在基板1的下面侧的抗蚀保护层(レジスト)进行图形制作时对该抗蚀保护层进行掩蔽。相对于基板1的光掩膜的位置对合按如下进行：通过在四个角配置4个正方形(四角形)的对准标记痕迹5a而形成光掩膜的该4个正方形；由用图象处理的位置控制方法，以在由该4个正方形相对向而形成的对准标记之间对光掩膜进行定位使基板1的上面侧的“十字形”的对准标记2得到配置。具体来说，在使用该图象处理的位置控制时，通过将从基板1的上面侧摄影所得到的基板侧对准标记2的图象与从基板1的下面侧摄影所得到的光掩膜的对准标记的图象由图像处理进行重合，由此对光掩膜的位置进行控制，而使这些对准标记的位置相对合。
又，在本实施形态中，对对准标记2和光掩膜的对准标记是分别用形成为如上所述的形状的例子进行说明的，但这些形状并不只限于这样的形状。
下面，参照图3A-3F，对应用本发明的对准标记的形成方法而形成器件的工序进行说明。
首先，如图3A所示，在由Si(硅)所构成的基板1的上面，形状有器件的功能单元(素子)(未图示)和由对该功能单元进行驱动的铝等的配线材料所构成的回路配线(未图示)。而且，在这些形成工序时，在位于基板1的上面的、作为在基板1上形成通孔6的区域的通孔形成区域16的范围内，形成基板侧对准标记2。基板侧对准标记2由与构成回路配线的配线材料相同的材料所构成。这样，由于与在基板上形成功能单元等的同时形成基板侧对准标记2，就可以没必要为形成基板侧对准标记2而设置特别的工序。该基板侧对准标记2用于如下时候：由上述的使用图象处理的位置控制方法，将在后述的工序中被掩蔽在基板1的下面的光掩膜(未图示)与基板1产生位置对合。
又，如上所述，在图3A-3F中，对基板1也只显示了形成有1个产品器件8的部分。但基板1实际上具有构成多个的产品器件8的大小(尺寸)。
接着，也如该图3A所示，在基板1的上面侧形成钝化(パツシベ一シヨン)层3，同时在基板1的下面侧形成耐蚀刻层4。钝化层3在作为对在基板1的上面构成着的功能单元和回路配线进行保护的保护层的同时，还起着在由湿法蚀刻而形成通孔6时作为刻蚀液的停止层的作用。作为钝化层3的材料，由SiN或P-SiO等所构成。又，耐蚀刻层4由硅的热氧化膜所构成；在其材料中，可以使用SiN或SiO2。
下面，如图3B所示，在位于基板1的下面的耐蚀刻层4上，形成有包含光掩膜的对准标记痕迹5a的抗蚀图形5。对该抗蚀图形5的形成过程，按如下所述进行。
首先，在耐蚀刻层4上，涂覆上为形成抗蚀图形5的感光胶(フオトレジスト)。接着，通过如上所述的位置对合，将具有在基板1上形成的图形形状和对准标记的光掩膜(未图示)掩蔽在该感光胶上；然后对感光胶进行曝光和显影。由此，就可以形成如图3B所示的、包含光掩膜的对准标记痕迹5a的抗蚀图形5。又，对准标记痕迹5a位于基板1的通孔形成区域16的范围内。
接着，如图3C所示，进行耐蚀刻层4的图形制作。对耐蚀刻层4的图形制作，由使用了市售的缓冲性氟酸的湿法蚀刻而进行。在对耐蚀刻层4进行图形制作后，将抗蚀图形5和对准标记痕迹5a从耐蚀刻层4上剥离除去(参照图3D)。在耐蚀刻层4上，形成着具有与抗蚀图形5的对准标记痕迹5a相当的形状的对准标记图形4a。
然后，对基板1进行蚀刻而制作图形。这时，如图3E所示，在基板1的通孔形成区域16上形成通孔6。
作为对基板1进行图形制作时的蚀刻方法，以下技术众所周知：利用了Si的结晶方位的各向异性蚀刻技术、和通过导入将CF4、H2、O2、N2等混合而成的反应气体而进行的等离子体蚀刻技术。在本实施形态中，也可以使用这些技术。这里，作为其蚀刻方法，以使用了各向异性蚀刻技术的情况为例进行说明。
Si的各向异性蚀刻技术是一种利用在使用碱性蚀刻液进行湿法蚀刻时Si结晶方位的<111>面和<100>面之间的蚀刻速度的不同而进行蚀刻的技术。在本实施形态上，作为蚀刻液，使用20wt％的KOH水溶液；通过将基板1浸渍到被加热到80℃的该蚀刻液的液槽中而进行蚀刻。又，作为其它的蚀刻液，也可以使用TMAH(氢氧化四甲基胺)、NaOH、和联氨(レドラジン)。
在利用这样的Si的各向异性蚀刻技术而形成通孔6时，对根据对准标记痕迹5a的形状而形成图形的耐蚀刻层4上的对准标记图形4a的大小，有必要注意在考虑到侧向蚀刻的影响后进行决定。一般来说，在进行Si的各向异性蚀刻时，由于受侧向蚀刻的影响，Si基板1要被蚀刻得比由耐蚀刻层4所形成的掩膜的尺寸大一些。由于在本实施形态中的各向异性蚀刻也不例外，也会产生这样的侧向蚀刻现象，所以，有必要预先把握侧向蚀刻的量，决定形成于通孔形成区域16上的耐蚀刻层4的对准标记图形4a的大小。
由于形成于通孔形成区域16上的耐蚀刻层4的对准标记图形4a的大小可以比进行侧向蚀刻后的通孔6的开口部的大小要小，所以不会对形成的通孔6产生任何的影响，并可以使配设在通孔形成区域16内的耐蚀刻层4的对准标记图形4a在形成通孔6的同时由于蚀刻而消失。在本实施形态中，在所形成的通孔6的(尺寸)大小的关系上，如果将配设在通孔形成区域16内的耐蚀刻层4的对准标记图形4a的尺寸设定在边长为100μm的正方形的尺寸以内，就可以在使侧向蚀刻不会对通孔6产生任何影响的情况下形成通孔6。
又，在基板1的上面，配设在通孔形成区域16内的基板侧对准标记2也会在形成通孔6时消失。而且，在由该湿法蚀刻工艺而形成通孔6的工序中，形成于基板1的上面的钝化层3起着作为蚀刻停止层的作用。
最后，钝化层3的面对着通孔6的部分由于蚀刻而被除去。由此，如图3F所示，通孔6形成为一种贯通了基板1、以及位于其上下面上的各层3和4的通孔6。而且，通过将构成在基板1上的多个的产品器件8沿划线区(未图示)进行切割，可以得到单个的产品器件8。
这样，依据本实施形态，由于将基板侧对准标记2和耐蚀刻层4的对准标记图形4a配置在通孔形成区域16内，就不会对形成通孔6产生任何的影响，并可以使基板侧对准标记2和耐蚀刻层4的对准标记图形4a在形成通孔6的同时而消失。因此，就没有必要将用于配置对准标记的专用区域设置在基板1的与产品器件8不同的区域上。又，由于并不是在产品器件8上设置对准标记专用的区域，而是在在形成通孔6的任何时候都可以由蚀刻而被除去的区域上配置对准标记，所以产品器件8的自身的大小也不会增大仅仅对准标记的量。因此，依据本实施形态，可以将对准标记在不减少产品器件8的产额的情况下进行配置；而且，可以实现产品器件8的小型化。
(其它的实施形态)
图4为对应用本发明的对准标记的形成方法而形成的喷墨记录头的一实施形态以其一部为剖开的状态进行显示的立体图。
如图4所示，在本实施形态的喷墨记录头100上，在其上面构成着墨排出能量产生单元101和电极110等；而且，还具有在其上形成有贯通了上面和下面的墨供给口105的基板1、和设在该基板1的上面并形成有墨排出口104等的喷嘴流路壁部件103。
墨供给口105沿基板1的长度方向而延伸着，并且多个的墨排出能量产生单元101在基板1的上面成2列地被配置在墨供给口105的两侧上。又，多个的电极110被设置在基板1的长度方向的两端部附近；这些电极在各端部附近构成各自的电极群111。
又，形成于喷嘴流路壁部件103上的墨排出口104位于基板1的各墨排出能量产生单元101的上方。因此，与基板1上的墨排出能量产生单元101同样地，由墨排出口104所构成的墨排出口群112也具有2列。
在基板1的下面侧，设有对从墨盒(未图示)中所供给的墨暂时进行贮存用的公共液室(未图示)。经墨供给口105，被贮存在该公共液室中的墨被送到由设在基板1上的喷嘴流路壁部件103所形成着的墨流路1 06(参照图5E)和墨排出口104上，然后被供给到与各自的墨流路相对应设置着的墨排出能量产生单元101的周围。而且，当从墨排出能量产生单元101中所产生的热能到达被供给到墨排出能量产生单元101周围的墨上时，由墨中所出现的气泡的成长而产生的压力，从墨排出口104中可以排出墨滴。通过将该被排出的墨滴附着在记录媒介(未图示)上，在记录媒介上就可以记录上文字和图象等。
下面，参照图5A-5E，对应用本发明的对准标记的形成方法、形成如图4所示的喷墨记录头的工序进行说明。
首先，如图5A所示，在由Si(硅)所形成的基板1的上面，形成有墨排出能量产生单元101、电极110(在图5A-5E中未进行图示)、以及由铝等配线材料(未图示)所形成的驱动墨排出能量产生单元101的回路配线(未图示)。而且，在进行这些形成工序时，在基板1的上面的、作为在基板1上形成有墨供给口105的区域的墨供给口形成区域115的范围内，形成有基板侧对准标记2。基板侧对准标记2由与构成回路配线的配线材料相同的材料所构成。这样，通过与在基板1上形成墨排出能量产生单元101等的同时形成基板侧对准标记2，就可以没必要为形成基板侧对准标记2而设置特别的工序。该基板侧对准标记2用在如下时候：由上述的使用图象处理的位置控制方法，将在后述的工序中被掩蔽在基板1的下面的光掩膜(未图示)与基板1之间产生位置对合。
又，在图5A-5E中，只显示了在基板1中形成1个喷墨记录头100的部分。基板1实际上具有构成多个的喷墨记录头100的尺寸(大小)。
接着，同样如图5A所示，在基板1的上面侧形成有钝化层3，同时在基板的下面侧形成有耐蚀刻层4。钝化层3在作为对形成于基板1的上面的能量产生单元101和回路配线进行保护的保护层的同时，还起着在由湿法蚀刻而形成墨供给口105时作为刻蚀液的停止层的作用。作为钝化层3的材料，由SiN或P-SiO等所构成。又，耐蚀刻层4由硅的热氧化膜所构成；在其材料中，可以使用SiN或SiO2。
进一步，同样如图5A所示，在位于基板1的下面的耐蚀刻层4上，形成有包含光掩膜的对准标记痕迹5a的抗蚀图形5。对该抗蚀图形5的形成过程，按如下所示进行。
首先，在耐蚀刻层4上，涂覆上为形成抗蚀图形5的感光胶。接着，通过如上所述的位置对合，将具有在基板1上形成的图形形状和对准标记的光掩膜(未图示)掩蔽在该感光胶上；然后对感光胶进行曝光和显影。由此，就可以形成如图5B所示的、包含光掩膜的对准标记痕迹5a的抗蚀图形5。又，对准标记痕迹5a位于基板1的墨供给口形成区域115的范围内。
接着，如图5B所示，进行耐蚀刻层4的图形制作。对耐蚀刻层4的图形制作，由使用了市售的缓冲性氟酸的湿法蚀刻而进行。在对耐蚀刻层4进行图形制作后，将抗蚀图形5和对准标记痕迹5a从耐蚀刻层4上剥离除去。在耐蚀刻层4上，形成有其形状与抗蚀图形5的对准标记痕迹5a相当的对准标记图形4a。
然后，如图5C所示，在位于基板1的上面侧的钝化层3的上面形成有型材102，并且在基板1的上面形成有喷嘴流路壁部件103。型材102用于如下目的：通过在以后的工序中被除去，而构成在喷嘴流路壁部件103上使墨供给口105和墨排出口104相连通的墨流路106。喷嘴流路壁部件103的构成是，在对形成于基板1上的型材102的全体暂时进行覆盖后，其位于基板1的墨排出能量产生单元101的上方的部分由照相平版印刷工艺而得到开口，并在该处形成墨排出口104。
然后，对基板1进行蚀刻而制作图形。这时，如图5D所示，在基板1的墨供给口形成区域115上形成墨供给口105。作为对基板1进行图形制作时的蚀刻方法，以下技术众所周知：利用了Si的结晶方位的各向异性蚀刻技术、和通过导入将CF4、H2、O2、N2等混合而成的反应气体而进行的等离子体蚀刻技术为人所知。在本实施形态中，也可以使用这些技术。有关蚀刻技术的详细说明，由于同参照图3E所说明了的情况相同，所以这里省略。
在本实施形态中，由于也可以将形成于墨供给口形成区域115上的耐蚀刻层4的对准标记图形4a的尺寸(大小)设置得比在进行湿法蚀刻时所产生的侧向蚀刻后的墨供给口105的开口部的尺寸要小，所以不会对形成的墨供给口105产生任何的影响，并可以使配设在墨供给口形成区域115内的耐蚀刻层4的对准标记图形4a在形成通孔6的同时由于蚀刻而消失。又，在基板1的上面，配设在墨供给口形成区域115内的基板侧对准标记2也会在形成墨供给口105时消失。而且，在由该湿法蚀刻工艺而形成墨供给口105的工序中，形成于基板1的上面的钝化层3起着作为蚀刻停止层的作用。
最后，钝化层3的面对着墨供给口105的部分由于蚀刻而被除去。由此，如图5E所示，就形成一种贯通了基板1、以及位于其上下面上的各层3、4的墨供给口105。进一步，在形成墨供给口105后，用溶解液将型材102溶解去除。由此，就将连通了墨供给口105和墨排出口104的墨流路106构成在喷嘴流路壁部件103上。而且，通过将构成在基板1上的多个的喷墨记录头100沿划线区(未图示)进行切割，可以得到单个的喷墨记录头100。
在本实施形态中，由于将基板侧对准标记2和耐蚀刻层4的对准标记图形4a配置在墨供给口形成区域115内，所以也不会对形成墨供给口105产生任何的影响，并可以使基板侧对准标记2和耐蚀刻层4的对准标记图形4a在形成墨供给口105的同时而消失。因此，就没有必要将用于配置对准标记的专用区域设置在基板1的与喷墨记录头100不同的区域上。又，由于并不是在喷墨记录头100上设置对准标记专用的区域，而是在形成墨供给口105的任何时候都可以由蚀刻而被除去的区域上配置对准标记，所以喷墨记录头100的自身的大小也不会增大仅仅对准标记的量。因此，依据本实施形态，可以将对准标记在不减少喷墨记录头100的产额的情况下进行配置；而且，可以实现喷墨记录头100的小型化。

Claims (10)

1.一种在基板上形成对基板和光掩膜之间进行位置对合的对准标记的形成方法，其中，在该基板上构成有多个的器件，而该光掩膜为了对涂覆在该基板上的抗蚀保护层用照相平版印刷工艺进行图形制作而对该抗蚀保护层进行掩蔽；该形成方法包括如下工序：将上述对准标记形成于如下部位上，该部位是上述基板的构成有上述器件的部分中的、并在上述基板上所施行的以后的工序中可以从基板上被除去的部位。
2.如权利要求项1所述的形成方法，其特征在于：将上述对准标记形成于上述基板的、与涂覆有上述抗蚀保护层的面相反的面上。
3.如权利要求项1所述的形成方法，其特征在于：在上述基板上所施行的上述的以后的工序是指蚀刻工序。
4.如权利要求项1所述的形成方法，其特征在于：在上述基板上所施行的以后的工序包含下列内容：在上述基板的上述区域上，形成有贯通上述基板的一方的面和另一方的面的贯通孔。
5.如权利要求项1所述的形成方法，其特征在于：上述器件是具有下列构成的液体排出口：用于排出液体的排出口，为向该排出口供给液体而与上述排出口相连通的液体流路，和设置在上述基板上的、用于产生能量的能量产生单元，该能量是从上述排出口排出被充填在该液体流路上的上述液体所需的能量；由该单元所产生的能量而使上述液体从上述排出口中排出；在上述基板上所施行的以后的工序包含下列内容：在上述基板的上述区域上，形成有将上述基板的一方的面与另一方的面相贯通的、并与上述液体流路相连通的液体供给口。
6.一种构成有多个器件的基板，该基板具有与光掩膜之间进行位置对合的对准标记和上述基板的构成有上述器件的部分，
该光掩膜为了对涂覆在上述基板上的抗蚀保护层在用照相平版印刷工艺进行图形制作而对该抗蚀保护层进行掩蔽；
上述对准标记形成于上述区域中的、并在上述基板上所施行的以后的工序中可以从基板上被除去的部位上。
7.如权利要求项6所述的基板：其特征在于：上述的对准标记形成于上述基板的、与涂覆有上述抗蚀保护层的面相对的面上。
8.如权利要求项6所述的基板：其特征在于，在上述基板上所施行的上述的以后的工序是指蚀刻工序。
9.如权利要求项6所述的基板：其特征在于，在上述基板的、并在上述基板上所施行的以后的工序中可以从上述基板上被除去的区域上，形成有从上述基板的一方的面贯通另一方的面的孔。
10.一种液体排出头的制造方法，该液体排出头具有下列构成：用于排出液体的排出口，为向该排出口供给液体而与上述排出口相连通的液体流路，和用于产生能量的能量产生单元，该能量是从上述排出口排出被充填在该液体流路上的上述液体所需的能量；该液体排出头的制造方法包含下列内容：
将对基板和光掩膜之间进行位置对合的对准标记形成于如下的部位上，该部位是上述基板的构成上述器件的部分中的、并在上述基板上所施行的以后的工序中可以从上述基板上除去的部位，其中，在上述基板上构成有多个的器件，而上述光掩膜对涂覆在该基板上的抗蚀保护层用照相平版印刷工艺进行图形制作而对该抗蚀保护层进行掩蔽。
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