JP2002280295A - 半導体素子の製造方法および撮像素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 アライメントマークを精確に検出することが
困難になるという問題を解消して、基板とフォトマスク
との精確な位置合わせが可能である半導体装置の製造方
法および撮像素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 アライメントマーク４０以外の所定のパ
ターンを被覆し、かつアライメントマーク４０は露出さ
せるように、フォトレジスト８のパターンを形成する。
そしてそのアライメントマーク４０の表面にエッチング
処理を施すことにより、その表面に付着していた層間膜
５や第２の金属膜６などの残渣７を確実に除去すること
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子の製造方
法および撮像素子の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、例えばＬＳＩ（Large Scale Inte
graded circuit）素子やＣＣＤ（Charge Coupled Devic
e ）撮像素子のような半導体素子の製造工程では、露光
装置によって半導体基板などの基板上のフォトレジスト
にフォトマスク（あるいは縮小露光用のワーキングレチ
クルなど）のパターンを転写するに際して、その基板と
フォトマスクとの位置合わせ（いわゆるアライメント）
を行うために、アライメントマークが用いられている。

【０００３】アライメントマークは、例えば十字形、格
子形、あるいは二重丸形など、所定のパターンとして、
基板上とフォトマスク上との両方にそれぞれ設けられ、
それらの位置を合致させることにより、基板とフォトマ
スクとの位置合わせを行うことができるように設定され
ている。

【０００４】また、基板上とフォトマスク上とで、アラ
イメントマークのパターンをネガ形とポジ形とに互いに
反転したパターンとして設けておき、両者の位置が完全
に合致した状態を検出しやすい設定とすることなども行
われている。

【０００５】このようなアライメントマークを有効に用
いることで、基板とフォトマスクとの精確な位置合わせ
を行うことが可能となることが期待される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の半導
体素子の製造方法では、アライメントマークを精確に検
出することが困難になり、基板とフォトマスクとの精確
な位置合わせができなくなる場合があるという問題があ
った。あるいはパターニングの位置合わせ精度が低下し
てしまい、パターンずれや形状不良が発生する頻度が高
くなるという問題があった。しかも、半導体素子は一般
に、高集積化が進むにつれて、さらにパターンの微細化
が進むので、基板とフォトマスクとのさらに精確な位置
合わせが強く要請されることが予測される。

【０００７】ここで、例えばＣＣＤ撮像素子のような半
導体素子の製造工程では、Ｓｉ基板（シリコン単結晶の
ウェハからなる基板）などの基板上に第１の金属膜を成
膜し、それをエッチング加工して所定のパターンを形成
すると共に、アライメントマークのパターンを形成した
後、絶縁膜や層間膜や第２の金属膜などを積層して行
き、それらの積層膜をエッチング加工して所定のパター
ンを形成するが、このエッチング加工を行う工程で、ア
ライメントマークの表面に、エッチング加工の対象とな
っていた層間膜や第２の金属膜の残渣が残る場合があ
る。

【０００８】このようなアライメントマークの表面上に
残された残渣に起因して、その後の工程で基板とフォト
マスクとの位置合わせを行う際に、アライメントマーク
を光学的に検出するための光が乱反射されてしまい、ア
ライメントマークを精確に検出することが困難になり、
基板とフォトマスクとの精確な位置合わせができなくな
ることを、本発明者は種々の実験や製造工程における実
際の品質管理上の考察の結果、確認した。

【０００９】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、アライメントマークを精確に検出す
ることが困難になるという従来の問題を解消して、基板
とフォトマスクとの精確な位置合わせが可能である半導
体装置の製造方法および撮像素子の製造方法を提供する
ことにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明による半導体素子
の製造方法は、基板上にアライメントマークを形成し、
そのアライメントマークに基づいて基板に対するフォト
マスクの位置合わせを行って、そのフォトマスクのパタ
ーンを基板上に転写する工程を有する半導体素子の製造
方法であって、フォトマスクの位置合わせを行う以前
に、アライメントマークの表面にエッチング処理を施す
工程を含んでいる。

【００１１】また、本発明による撮像素子の製造方法
は、基板上にアライメントマークを形成し、そのアライ
メントマークに基づいて基板に対するフォトマスクの位
置合わせを行って、そのフォトマスクのパターンを基板
上に転写する工程を有する撮像素子の製造方法であっ
て、フォトマスクの位置合わせを行う以前に、アライメ
ントマークの表面にエッチング処理を施す工程を含んで
いる。

【００１２】また、本発明による他の撮像素子の製造方
法は、基板上に、少なくとも第１の金属膜を形成し、そ
の第１の金属膜をパターニングしてアライメントマーク
を形成する工程と、絶縁膜を形成する工程と、層間膜を
形成する工程と、第２の金属膜を形成する工程と、層間
膜および第２の金属膜をエッチング加工して所定のパタ
ーンを形成すると共に、アライメントマークにおける層
間膜および第２の金属膜を除去するためにアライメント
マークをエッチング加工する工程と、そのエッチング加
工が施されたアライメントマークの表面を露出させると
共に、その他の所定のパターンは被覆して、アライメン
トマークの表面のみにエッチング処理を施す工程と、低
反射膜を形成する工程と、遮光膜を形成する工程と、ア
ライメントマークに基づいて、基板に対するフォトマス
クの位置合わせを行って、そのフォトマスクのパターン
を基板上に転写する工程と、その転写されたパターンに
基づいて低反射膜または遮光膜のうち少なくともいずれ
か一方または両方をパターニングする工程とを含んでい
る。

【００１３】また、本発明によるさらに他の撮像素子の
製造方法は、基板上に、少なくとも第１の金属膜を形成
し、その第１の金属膜をパターニングしてアライメント
マークを形成する工程と、絶縁膜を形成する工程と、層
間膜を形成する工程と、第２の金属膜を形成する工程
と、層間膜および第２の金属膜をエッチング加工して所
定のパターンを形成すると共に、アライメントマークに
おける層間膜および第２の金属膜を除去するためにアラ
イメントマークをエッチング加工する工程と、所定のパ
ターンに所定のエッチング加工を行うと共に、エッチン
グ加工が施されたアライメントマークの表面にエッチン
グ処理を施す工程と、低反射膜を形成する工程と、遮光
膜を形成する工程と、アライメントマークに基づいて基
板に対するフォトマスクの位置合わせを行って、そのフ
ォトマスクのパターンを基板上に転写する工程と、その
転写されたパターンに基づいて低反射膜または遮光膜の
うち少なくともいずれか一方または両方をパターニング
する工程とを含んでいる。

【００１４】本発明による半導体素子の製造方法または
撮像素子の製造方法では、基板に対するフォトマスクの
位置合わせを行う以前に、アライメントマークの表面に
エッチング処理を施すことにより、製造工程中でアライ
メントマークの表面に残されていた半導体素子や撮像素
子の材料膜やそれを加工する際に用いられるフォトレジ
ストなどの残渣を除去して、そのような残渣に起因した
アライメントマークを検出する際の光の乱反射等を防
ぐ。

【００１５】なお、アライメントマークの表面にエッチ
ング処理を施す工程は、基板上にアライメントマーク以
外のパターンをエッチング加工する工程でそれと一緒に
行うようにしてもよい。あるいは、アライメントマーク
以外のパターンをエッチング加工する工程とは別にそれ
専用の工程で行うようにしてもよい。

【００１６】また、アライメントマークは、基板の表面
を直接にエッチング加工するなどして形成してもよく、
あるいは基板の表面上に金属膜などの材料膜を形成し、
それをエッチング加工するなどして形成してもよい。

【００１７】本発明による他の撮像素子の製造方法で
は、層間膜および第２の金属膜を除去するエッチング加
工が施されたアライメントマークの表面を露出させると
共に、その他の所定のパターンは被覆して、アライメン
トマークの表面のみにエッチング処理を施した後に、低
反射膜を形成し、遮光膜を形成して、アライメントマー
クに基づいて基板に対するフォトマスクの位置合わせを
行って、そのフォトマスクのパターンを転写し、その転
写されたパターンに基づいて低反射膜または遮光膜のう
ち少なくともいずれか一方または両方をパターニングす
ることにより、層間膜や第２の金属膜の残渣あるいはそ
れらをパターニングする際に用いられたフォトレジスト
の残渣などがアライメントマークの表面上に残ることが
防止され、延いては低反射膜や遮光膜のパターンが精確
な位置に形成される。

【００１８】また、本発明によるさらに他の撮像素子の
製造方法では、上記の撮像素子の製造方法におけるエッ
チング加工が施されたアライメントマークの表面にエッ
チング処理を施す工程を、それ専用の工程として行う代
りに、そのアライメントマーク以外の所定のパターンを
加工するエッチング工程で、そのパターン加工の工程と
共に行うことにより、上記の撮像素子の製造方法よりも
工程がさらに簡易化される。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００２０】図１および図２は、本発明の一実施の形態
に係るＣＣＤ撮像素子の製造方法における主要な工程を
表したものであり、図３はそれに用いられるフォトマス
ク（レチクル）を表した平面図、図４はそのフォトマス
クに形成されたアライメントマークのパターンを表した
平面図、図５はそのアライメントマークの断面図であ
る。また図６は、複数個のＣＣＤ撮像素子のチップが形
成されたＳｉウエハ（Ｓｉ基板）を模式的に表したもの
である。

【００２１】このＣＣＤ撮像素子の製造方法における主
要な製造工程としては、まず、Ｓｉ基板１の表面に酸化
膜２を形成し、その上に、第１の金属膜３を形成する。
そして、例えばＣｒ（クローム）系合金の薄膜からなる
アライメントマーク４０のパターンが例えば合成クォー
ツなどのような透明基板の表面に形成されたフォトマス
ク（図示省略）を用いて、そのアライメントマーク４０
のパターンを、第１の金属膜３の上に塗布されたフォト
レジスト（図示省略）に転写し、そのフォトレジストの
パターンに基づいて、第１の金属膜３をエッチング加工
してアライメントマーク４０の基本的なパターンを形成
する（図１の（Ａ））。

【００２２】このアライメントマーク４０を形成する工
程では、アライメントマーク４０以外にＣＣＤ撮像素子
の所定の部位を構成するパターンについても、第１の金
属膜３をエッチング加工することによって形成する。な
お、このとき用いるエッチング加工法としては、ドライ
エッチング法でもよく、ウェットエッチング法でもよ
い。ただし、より微細なパターンを形成するためにはド
ライエッチング法が好適であることは言うまでもない。

【００２３】続いて、第１の金属膜３の上に絶縁膜４を
形成し（図１の（Ｂ））、さらにその上に層間膜５を形
成し（図１の（Ｃ））、さらにその上に第２の金属膜を
形成する（図１の（Ｄ））。なお、これらの工程では、
アライメントマーク４０以外にＣＣＤ撮像素子を構成す
る各部位にも絶縁膜４、層間膜５、第２の金属膜を形成
する。むしろ、ＣＣＤ撮像素子を構成する各部位の材料
膜として絶縁膜４、層間膜５、第２の金属膜６を形成す
るのであって、それに伴って（付随して）、アライメン
トマーク４０の第１の金属膜３の上にも絶縁膜４、層間
膜５、第２の金属膜６が形成される。

【００２４】このようにして積層された絶縁膜４、層間
膜５、第２の金属膜６等を材料膜として、これにエッチ
ング加工を行って、ＣＣＤ撮像素子の各チップ４６を構
成する各部位の所定のパターンを形成する。ところが、
このとき、アライメントマーク４０における絶縁膜４の
表面上には、層間膜５や第２の金属膜６あるいはそのエ
ッチング加工を行った際に用いたフォトレジストなど
の、残渣７が残留している場合がある（図１の
（Ｅ））。このような残渣７がアライメントマーク４０
の表面上に残留していると、その後の工程でＣＣＤ撮像
素子としての所定のパターン４７を有するフォトマスク
（レチクル）４３とＳｉ基板１との位置合わせを行う際
に、アライメントマーク４０の表面で光が乱反射して、
アライメントマーク４０を光学的に検出することが困難
になる場合がある。しかも、ＣＣＤ撮像素子やＬＳＩな
どの半導体素子では、ますます高集積化が進むにつれ
て、パターンのさらなる微細化が要請されているので、
そのような要請に的確に対応できることが半導体素子の
製造方法に対してますます強く要求される傾向にある。
このため、アライメントマーク４０の表面上に残渣７が
残留することに起因してアライメントマーク４０の光学
的な検出が困難になることを解消することが、さらに重
要な課題となる。そこで、次に述べるような工程によっ
て、この残渣７を確実に除去する。

【００２５】まず、アライメントマーク４０以外の所定
のパターンを被覆し、かつアライメントマーク４０は露
出させるように、フォトレジスト８のパターンを形成す
る（図２の（Ａ））。

【００２６】そして、そのフォトレジスト８で被覆され
ずに露出しているアライメントマーク４０の表面に対し
てエッチング処理を施す。このとき、アライメントマー
ク４０における絶縁膜４や第１の金属膜３の表面を大幅
に蝕刻したりその形状を損傷させたりすることなく、ア
ライメントマーク４０の表面に残留している層間膜５や
第２の金属膜６等の残渣７を除去できるように、このと
きのエッチング条件を設定してエッチング処理を行う
（図２の（Ｂ））。

【００２７】このエッチング処理工程で用いるエッチャ
ントとしては、アライメントマーク４０の表面に残留し
ている層間膜５や第２の金属膜６などの残渣７を確実に
溶融あるいは分解させることができ、かつアライメント
マーク４０の絶縁膜４や第１の金属膜３はできるだけ蝕
刻しないように、層間膜５や第２の金属膜６などの残渣
７のみを選択的にエッチング除去できるものであること
が望ましい。あるいは、このエッチング処理の工程で、
アライメントマーク４０を構成している絶縁膜４や第１
の金属膜３の表面が蝕刻されることが不可避である場合
には、層間膜５や第２の金属膜６などの残渣７を確実に
除去することができ、かつそれに伴ってアライメントマ
ーク４０の表面の絶縁膜４などが蝕刻されても、それを
若干量に抑制すると共に、その蝕刻後のアライメントマ
ーク４０の表面が凹凸を生じたりすることなく平坦なも
のとなるように、このエッチング処理工程におけるエッ
チング継続時間などの諸条件を調節することが望まし
い。

【００２８】このようにアライメントマーク４０の表面
にエッチング処理を施すことにより、その表面に付着し
ていた層間膜５や第２の金属膜６などの残渣７を確実に
除去することができる。

【００２９】続いて、上記のエッチング処理工程で用い
たフォトレジスト８を除去した後、低反射膜９を形成す
る（図２の（Ｃ））。そしてさらに、遮光膜１０を形成
する（図２の（Ｄ））。このとき、アライメントマーク
４０における絶縁膜４の表面は残渣７が除去されて平坦
なものとなっているので、そのような平坦な絶縁膜４の
表面上に低反射膜９や遮光膜１０を積層しても、図２の
（Ｄ）に模式的に示したように、その低反射膜９や遮光
膜１０の表面を平坦に保つことができる。

【００３０】続いて、露光装置にて、上記のようにして
Ｓｉ基板１に設けられたアライメントマーク４０と、低
反射膜９や遮光膜１０のパターニングを行うために用い
られるフォトマスク４３に設けられたアライメントマー
ク４４との位置を合致させることにより、フォトマスク
４３とＳｉ基板１との位置合わせを行う。このとき、Ｓ
ｉ基板１のアライメントマーク４０の表面は、層間膜５
や第２の金属膜６などの残渣７が除去されて、平坦性が
良好な状態に保たれているので、その平面的なパターン
の光学的な検出を精確に行うことが可能となる。これに
より、遮光膜１０や低反射膜９のパターニングを行う工
程で用いられるフォトマスク４３とＳｉ基板１との精確
な位置合わせを行うことが可能となり、延いてはＣＣＤ
撮像素子における低反射膜９や遮光膜１０のパターンの
ずれや形状不良の発生を解消することができる。なお、
このとき用いられるフォトマスク４３については、合成
クォーツのような透明基板４１の表面上にＣｒ薄膜のよ
うな金属膜４２からなるパターンを形成した一般的なも
のを用いることができる。

【００３１】このようにしてフォトマスク４３とＳｉ基
板１との精確な位置合わせを行った後、露光装置（図示
省略）によってフォトマスク４３上の所定のパターンを
Ｓｉ基板１上のフォトレジスト（図示省略）の精確な位
置に転写する。そして、そのフォトレジストのパターン
に基づいてＳｉ基板１上の低反射膜９や遮光膜１０など
を個別あるいは一括してエッチング加工する。このエッ
チング加工でアライメントマーク４０における遮光膜１
０や低反射膜９なども除去してもよい（図示省略）。

【００３２】なお、アライメントマーク４０の表面に残
留している層間膜５や第２の金属膜６等の残渣７を除去
するためのエッチング処理工程は、それ専用の工程とし
て行うことのみには限定されない。この他にも、例えば
ブラインドバイアホール（Blind bia hall）のような浅
いコンタクトホールや、浅いトレンチ溝などの、ＣＣＤ
撮像素子や半導体素子としての構成部位のうち凹凸の浅
いパターンを、いわゆるラフパターンエッチングと呼ば
れるようなエッチング加工あるいはハーフエッチングの
ような浅いエッチング加工によって形成する工程で、そ
れらの構成部位のパターニングと一緒に行うようにして
もよい。ただし、そのような浅いエッチング加工でアラ
イメントマーク４０の絶縁膜４や第１の金属膜３が蝕刻
されたり損傷されたりすることがないようにすることが
必要である。このようなＣＣＤ撮像素子としての構成部
位の精確なパターニングを達成すると共にアライメント
マーク４０の表面を損傷することなく残渣７を確実に除
去するという条件を両立することが容易ではない場合な
どには、上記のように、アライメントマーク４０の表面
の残渣７を除去するための専用のエッチング処理を、そ
の他のＣＣＤ撮像素子としての構成部位をパターニング
するためのエッチング加工工程とは別途に行うことが望
ましい。

【００３３】また、図１の（Ａ）で示したようなアライ
メントマーク４０の基本的なパターンは、凸パターンの
代りに、Ｓｉ基板１（ウェハ）の表面に直接にエッチン
グ加工などにより凹パターンとして刻設することなども
可能であることは言うまでもない。

【００３４】［実施例］上記の実施の形態で説明したよ
うなＣＣＤ撮像素子の製造方法を実際のＣＣＤ撮像素子
の製造ラインで試行した。第１の金属膜３を膜厚４００
［ｎｍ］の多結晶シリコン膜、絶縁膜４を膜厚４００
［ｎｍ］のＰＳＧ膜、層間膜５を膜厚５００［ｎｍ］の
多結晶シリコンナイトライド膜、低反射膜９を膜厚６０
［ｎｍ］のＴｉＯＮ膜、遮光膜１０を６００［ｎｍ］の
Ａｌ（アルミニウム）膜とし、アライメントマーク４０
の表面の残渣７を除去するための専用のエッチング処理
を施した。このときのエッチング処理工程では、エッチ
ャントとしてＣＨＦ₃ ，Ｏ₂を用いた。

【００３５】また、第１の金属膜３を膜厚４００［ｎ
ｍ］のＡｌ−Ｓｉ膜、絶縁膜４を膜厚４００［ｎｍ］の
ＳｉＯ₂ 膜、層間膜５を上記同様の膜厚５００［ｎｍ］
の多結晶シリコンナイトライド膜、低反射膜９を上記同
様の膜厚６０［ｎｍ］のＴｉＯＮ膜、遮光膜１０を６０
０［ｎｍ］のＷ（タングステン）膜とし、エッチング処
理は上記同様にアライメントマーク４０の表面の残渣７
を除去するための専用の工程とした。

【００３６】その結果、いずれの場合も、アライメント
マーク４０の表面に付着していた残渣７を確実に除去し
て、そのような残渣７に起因したアライメントマーク４
０を検出する際の光の乱反射等を防ぐことができ、Ｓｉ
基板１とフォトマスク４３との精確な位置合わせを行う
ことができた。そして、そのような精確な位置合わせを
行ったうえでフォトマスク４３のパターンをＳｉ基板１
上のフォトレジスト（図示省略）に転写することができ
たので、ＣＣＤ撮像素子における低反射膜９や遮光膜１
０のパターンを精確な位置にパターニングすることがで
きた。

【００３７】［比較例］比較例として、図７に示したよ
うに、アライメントマーク４０の表面に残渣を残留させ
たままの状態で、その上に低反射膜９を形成し（図７の
（Ａ））、さらにその上に遮光膜１０を形成し（図７の
（Ｂ））、アライメントマーク４０１を光学的に検出し
てフォトマスク４３とＳｉ基板１との位置合わせを行っ
た。

【００３８】その結果、アライメントマーク４０１にお
ける遮光膜１０の表面での凹凸による光の乱反射等に起
因して、アライメントマーク４０１を精確に検出するこ
とが極めて困難となった。また、そのようにアライメン
トマーク４０１の検出が極めて困難な状態で無理にフォ
トマスク４３とＳｉ基板１との位置合わせを行った結
果、ＣＣＤ撮像素子における低反射膜９や遮光膜１０の
パターンを精確な位置にパターニングすることができな
くなり、低反射膜９や遮光膜１０にパターンずれや形状
不良などが多発した。

【００３９】本発明の製造方法によれば、アライメント
マーク４０の表面における残渣７に起因した光の乱反射
等を解消してアライメントマーク４０の表面を平坦に良
好な形状とすることができ、その結果、Ｓｉ基板１とフ
ォトマスク４３との精確な位置合わせを実現できること
が、上記の比較例と実施例とから確認された。

【００４０】なお、上記の実施の形態および実施例で
は、本発明を撮像素子に適用する場合について説明した
が、本発明は、その他にも、例えばＬＳＩのような半導
体素子の製造方法にも適用可能である。あるいはその他
にも、広義の半導体素子として、例えば薄膜トランジス
タ素子をスイッチング素子に用いた液晶表示素子の製造
方法などにも適用可能であることは言うまでもない。

【００４１】また、上記の実施の形態および実施例で
は、Ｓｉ基板上に第１の金属膜、絶縁膜、層間膜、第２
の金属膜、低反射膜、遮光膜等を形成する場合について
説明したが、ＣＣＤ撮像素子のような半導体素子の各部
位を形成するための材料膜としては、これらのみには限
定されないことは言うまでもない。どのような材料およ
びその組み合わせからなる半導体素子の製造方法であっ
ても、上記のようにその半導体素子の一連の製造プロセ
ス中で、アライメントマークの表面に残渣が残りやすい
傾向にある工程を含んでいる半導体素子の製造方法であ
れば、本発明の技術を適用してアライメントマークの表
面の残渣を除去することができ、延いては精確な位置合
わせを行って、半導体素子の各部位の精確なパターニン
グを実現することができる。

【００４２】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１または２
記載の半導体素子の製造方法または請求項３ないし６の
いずれかに記載の撮像素子の製造方法によれば、基板に
対するフォトマスクの位置合わせを行う以前に、アライ
メントマークの表面にエッチング処理を施すことによ
り、製造工程中でアライメントマークの表面に残されて
いた半導体素子や撮像素子の材料膜やそれを加工する際
に用いられるフォトレジストなどの残渣を除去して、そ
のような残渣に起因したアライメントマークを検出する
際の光の乱反射等を防ぐようにしたので、アライメント
マークを精確に検出することが困難になるという問題を
解消して、基板とフォトマスクとの精確な位置合わせを
実現することができるという効果を奏する。

【００４３】また、特に請求項２記載の半導体素子の製
造方法、あるいは請求項４または６記載の撮像素子の製
造方法によれば、アライメントマークの表面にエッチン
グ処理を施して層間膜やフォトレジストなどの残渣を除
去する工程を、アライメントマーク以外の所定のパター
ンをエッチングにより加工する工程でそれと一緒に行う
ようにしたので、上記の製造方法をさらに簡易化するこ
とが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態に係るＣＣＤ撮像素子の
製造方法における第２の金属膜を形成するまでの主要な
工程を表した図である。

【図２】本発明の一実施の形態に係るＣＣＤ撮像素子の
製造方法における、図１に示した工程に引き続く主要な
工程を表した図である。

【図３】本発明の一実施の形態に係るＣＣＤ撮像素子の
製造方法に用いられるフォトマスクを表した平面図であ
る。

【図４】図３に示したフォトマスクに形成されたアライ
メントマークのパターンを表した平面図である。

【図５】図４に示したアライメントマークの断面図であ
る。

【図６】個々にそれぞれアライメントマスクを備えた複
数個のＣＣＤ撮像素子のチップが配列形成されたＳｉウ
ェハを模式的に表した図である。

【図７】比較例として、アライメントマークの表面に残
渣を残留させたままの状態で低反射膜および遮光膜を形
成した場合の一例を示した図である。

【符号の説明】

１…Ｓｉ基板、２…酸化膜、３…第１の金属膜、４…絶
縁膜、５…層間膜、６…第２の金属膜、８…フォトレジ
スト、９…低反射膜、１０…遮光膜、４０…アライメン
トマーク、４３…フォトマスク

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上にアライメントマークを形成し、
   そのアライメントマークに基づいて前記基板に対するフ
   ォトマスクの位置合わせを行って、そのフォトマスクの
   パターンを前記基板上に転写する工程を有する半導体素
   子の製造方法であって、 前記フォトマスクの位置合わせを行う以前に、前記アラ
   イメントマークの表面にエッチング処理を施す工程を含
   むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
2. 【請求項２】 前記アライメントマークの表面にエッチ
   ング処理を施す工程を、前記基板上に前記アライメント
   マーク以外のパターンをエッチング加工する工程で一緒
   に行うことを特徴とする請求項１記載の半導体素子の製
   造方法。
3. 【請求項３】 基板上にアライメントマークを形成し、
   そのアライメントマークに基づいて前記基板に対するフ
   ォトマスクの位置合わせを行って、そのフォトマスクの
   パターンを前記基板上に転写する工程を有する撮像素子
   の製造方法であって、 前記フォトマスクの位置合わせを行う以前に、前記アラ
   イメントマークの表面にエッチング処理を施す工程を含
   むことを特徴とする撮像素子の製造方法。
4. 【請求項４】 前記アライメントマークの表面にエッチ
   ング処理を施す工程を、前記基板上で前記アライメント
   マーク以外のパターンをエッチング加工する工程で一緒
   に行うことを特徴とする請求項３記載の撮像素子の製造
   方法。
5. 【請求項５】 基板上に、少なくとも第１の金属膜を形
   成し、その第１の金属膜をパターニングしてアライメン
   トマークを形成する工程と、 絶縁膜を形成する工程と、 層間膜を形成する工程と、 第２の金属膜を形成する工程と、 前記層間膜および前記第２の金属膜をエッチング加工し
   て所定のパターンを形成すると共に、前記アライメント
   マークにおける前記層間膜および前記第２の金属膜をエ
   ッチング加工して除去する工程と、 前記エッチング加工が行われたアライメントマークの表
   面を露出させると共に、その他の前記所定のパターンは
   被覆して、前記アライメントマークの表面のみにエッチ
   ング処理を施す工程と、 低反射膜を形成する工程と、 遮光膜を形成する工程と、 前記アライメントマークに基づいて、前記基板に対する
   フォトマスクの位置合わせを行って、そのフォトマスク
   のパターンを前記基板上に転写する工程と、 転写された前記パターンに基づいて、前記低反射膜また
   は前記遮光膜のうち少なくともいずれか一方をパターニ
   ングする工程とを含むことを特徴とする撮像素子の製造
   方法。
6. 【請求項６】 基板上に、少なくとも第１の金属膜を形
   成し、その第１の金属膜をパターニングしてアライメン
   トマークを形成する工程と、 絶縁膜を形成する工程と、 層間膜を形成する工程と、 第２の金属膜を形成する工程と、 前記層間膜および前記第２の金属膜をエッチング加工し
   て所定のパターンを形成すると共に、前記アライメント
   マークにおける前記層間膜および前記第２の金属膜をエ
   ッチング加工して除去する工程と、 前記所定のパターンに所定のエッチング加工を行うと共
   に、前記エッチング加工が行われたアライメントマーク
   の表面にエッチング処理を施す工程と、 低反射膜を形成する工程と、 遮光膜を形成する工程と、 前記アライメントマークに基づいて前記基板に対するフ
   ォトマスクの位置合わせを行って、そのフォトマスクの
   パターンを前記基板上に転写する工程と、 転写された前記パターンに基づいて、前記低反射膜また
   は前記遮光膜のうち少なくともいずれか一方をパターニ
   ングする工程とを含むことを特徴とする撮像素子の製造
   方法。