JP4217434B2 - スルーホールの形成方法及びこれを用いたインクジェットヘッド - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコン基板に貫通口（スルーホール）を形成する方法及び前記形成方法を用いたインクジェットプリンターヘッドに関し、特にスルーホール形成の歩留まりの向上を目的としたものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、シリコン基板に対し、等方性もしくは異方性エッチングを用いてスルーホールを形成しデバイスに応用する研究が盛んになされている。
ここで、本件出願人は、先にシリコン基板上に犠牲層を形成し、スルーホールの大きさ及び位置精度を向上させる方法に関する出願をしている（特開平１０−１８１０３２号公報）。
更に、本件出願人は、前記特開平１０−１８１０３２の方法の改良として、犠牲層上に保護膜を配置し、スルーホール形成の歩留まりを向上させる方法に関する出願、あるいは、シリコン基板に犠牲層を埋め込み、スルーホールの大きさ及び位置精度を向上させる方法等に関する出願をしている。そして、本件出願人は、特開平６−３４７８３０号公報において、スルーホール形成の際のエッチングストップ層として低圧気相合成法による窒化シリコン膜（ＬＰ−ＳｉＮ）が有効である事を開示している。また、本件出願人は、特開平９−１１４７９号公報において、シリコン基板にスルーホールを形成し、インクジェットヘッドのインク供給口に用いる方法を開示している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述のシリコン基板に対し犠牲層を用いる事で、スルーホールの位置精度は著しく向上するものの、シリコン基板が貫通した時点でエッチングストップ層にクラックが生じ、エッチング液が基板表面に回り込む等の不良が発生する場合がある。
【０００４】
つぎに、これらの点を図面を用いて説明する。
図５（ａ）は、シリコン基板４０１の表面に犠牲層４０２（多結晶シリコン、以下ｐｏｌｙ−Ｓｉ）、エッチングストップ層４０３及び基板裏面にエッチングのマスク層４０４を形成したものである。
この方式においては、図５（ｂ）に示すとおり裏面からの貫通口は、貫通時に犠牲層４０２の内側に形成される様に設計される。貫通時には、犠牲層はエッチング液にすぐに溶解し、犠牲層エッジから異方性エッチングが開始され、最終的には図５（ｃ）に示すようなスルーホールが形成される。
【０００５】
＜１００＞面のシリコン基板の異方性エッチングにおいては、原理的には、エッチングは＜１１１＞面で停止し、基板面に対して５４．７°の角度でスルーホールが形成され、スルーホールの大きさ及び位置も一義的に決まるはずであるが、現実的には、シリコン基板はある厚さのバラツキを有し、かつシリコン基板の結晶欠陥により、スルーホールの大きさ及び位置はばらつく場合が多い。特に、シリコン基板上に予め半導体素子を作り込んでからスルーホールを形成する場合、半導体形成時の熱工程履歴によって前述の結晶欠陥が増加し、結果、スルーホールの大きさ及び位置のバラツキが大きくなる場合がある。
【０００６】
ここで、犠牲層を用いる方式によれば、スルーホールの開口形状及び位置は、犠牲層の配置によって決定する事が可能なため、より精度の高い加工が可能となる。しかしながら、上記方式においては、エッチングストップ層は、犠牲層上に形成されるため、図５（ｄ）に示すようにコーナーのカバレジは不利な方向であり、クラックがより発生しやすく、歩留まりが低下する場合があった。クラックよりエッチング液が、基板表面に回り込むと、シリコン基板のエッチングは、通常エッチング時間短縮のためテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液や水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液等の強アルカリ性溶液を８０℃もしくはそれ以上の温度で行うため、深刻なダメージを与える。
【０００７】
本件出願人は、前記不良をなくすために、コーナー部上方に保護膜４１０を形成し（図５（ｅ）参照）、たとえコーナー部にクラックが生じてもエッチング液の基板表面に対する回り込みを防ぐ方法を提案している。しかしながら、保護膜形成の工程が増えるためにコスト的には好ましくなかった。
【０００８】
そこで、本発明は、上記課題を解決し、エッチングストップ層でのクラックの発生を容易に防止することができ、スルホール形成の歩留まりを向上させることを可能とするスルーホールの形成方法及びこれを用いたインクジェットヘッドを提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために、つぎの（１）〜（７）のように構成したスルーホールの形成方法及びこれを用いたインクジェットヘッドを提供するものである。
（１）シリコン基板にスルーホールを形成する方法であって、
前記シリコン基板の表面におけるスルーホールが形成される領域の周囲に、不純物濃度が１×１０ 19 （ｃｍ −３ ）以上の不純物濃度を有する領域を形成する工程と、
前記シリコン基板の前記不純物濃度を有する領域上に、エッチングストップ層を形成する工程と、
前記シリコン基板の裏面に、開口部を有するマスク層を形成する工程と、
前記開口部より前記シリコン基板にエッチングを行い、少なくとも、エッチングされる領域が前記不純物濃度を有する領域に達するまでエッチングする工程と、
前記エッチングストップ層を除去する工程と、
を有することを特徴とするスルーホールの形成方法。
（２）前記不純物濃度が、７×１０19 （ｃｍ −３ ）以上であることを特徴とする上記（１）に記載のスルーホールの形成方法。
（３）前記不純物が、ホウ素、リン、砒素、アンチモンから選ばれることを特徴とする上記（１）または上記（２）に記載のスルーホールの形成方法。
（４）前記不純物濃度を有する領域が、幅１μｍ以上２０μｍ以下、深さ１μｍ以上３μｍ以下とすることを特徴とする上記（１）乃至（３）のいずれかに記載のスルーホールの形成方法。
（５）前記不純物濃度を有する領域は、不純物拡散層をシリコン基板中に形成することにより形成される上記（１）乃至（３）のいずれかに記載のスルーホールの形成方法。
（６）前記エッチングストップ層は、低圧気相合成法による窒化シリコン膜で形成される上記（１）乃至（３）のいずれかに記載のスルーホールの形成方法。
（７）上記（１）乃至（６）のいずれかに記載のスルーホールの形成方法を用いて作成されたインク供給口を有することを特徴とするインクジェットヘッド。
【００１０】
【発明の実施の形態】
上記構成を適用することによって、不純物濃度の高い領域をシリコン基板中に形成する事で、スルーホールの大きさを制御する事が可能となり、従来のシリコン基板上に犠牲層を配置する方法と異なり、エッチングストップ層をフラットに形成することで、クラックの発生しないスルーホールの形成方法を実現することができるが、それは本発明者が鋭意検討した結果、つぎのような知見を得たことに基づくものである。
【００１１】
これらについて、つぎに説明するが、ここでは、＜１００＞の結晶方位を有するシリコン基板に対し、スルーホールが形成される領域の周囲に不純物濃度の高い領域を配置してスルーホールを形成する場合について説明する。
図１（ａ）は、シリコン基板１０１に、スルーホールが形成される領域の周囲に、不純物濃度の高い領域１０５を埋め込む形態で配置し、不純物濃度の高い領域１０５上にエッチングストップ層１０３を配置したものである。また、基板裏面には、エッチングマスク層１０４が配置されている。
エッチング終了時には、前述の通り図１（ｂ）に示すようなスルーホールが形成される。ここでシリコン基板を貫通した時点でのスルーホールは、不純物濃度の高い領域の内側に形成されるように配置する。
ついで、図１（ｃ）に示すように、オーバーエッチングを施す事でスルーホールはサイドエッチングにより広がり、不純物濃度の高い領域１０５に達する。
【００１２】
ここで、本件発明者は、スルーホールのサイドエッチが不純物濃度の高い領域１０５に達すると、極端に遅くなることを見出し本発明に至った。即ち、サイドエッチの速度がおよそ１／５〜１／１０程度まで遅くなるために、図１（ｂ）の段階で基板を貫通した時点でのスルーホールの大きさが、前述のごとくシリコン基板の厚さのバラツキ及び結晶欠陥でバラツキを生じたとしても（図１（ｄ）参照）、オーバーエッチを施し、不純物濃度の高い領域１０５まで広げれば、その時点からのサイドエッチ量が極端に小さくなるため、結果として得られるスルーホールの大きさは、図１（ｃ）に示すようにほぼ一定となる。
このように、不純物濃度の高い領域をシリコン基板中に形成する事で、スルーホールの大きさを制御する事が可能となり、前述のシリコン基板上に犠牲層を配置する方法と異なり、エッチングストップ層がフラットに形成されるため、クラックの問題は発生しない。
【００１３】
前記不純物濃度の高い領域は、不純物濃度として１×１０19（ｃｍ-3）以上の濃度が好ましく、更に７×１０19（ｃｍ-3）以上の濃度が好ましい。
ここで、不純物濃度が、７×１０19（ｃｍ-3）以上の拡散層が、異方性エッチング液でエッチングされない事を利用して、不純物拡散層をエッチングストップ層としてインクジェットノズルを作成する方法が公知である（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ． ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｖｏｌ．ＥＤ−２５，Ｎｏ．１０，１９７８，ｐ１１７８−）が、前記手法においては、エッチングストップ層に不純物拡散層を用いているため、スルーホールの形成に際しては、スルーホール貫通時にエッチングストップ層の応力でクラックが生じるために使用が困難である。また、不純物濃度は、７×１０19（ｃｍ-3）以上でエッチング液に対して完全にエッチングされなくなるが、本発明の場合、不純物拡散層でサイドエッチングの速度を低下させればよく、不純物濃度として１×１０19（ｃｍ-3）以上の濃度でも効果が認められる。
【００１４】
本発明に適用される不純物拡散層は、幅１〜２０μｍ、深さ１〜３μｍ程度が好ましいが、スルーホールの使用形態に応じて適宜決定する事ができる。
また、不純物としては、ホウ素、リン、砒素、アンチモン等が好適に用いられる。また、前記不純物は、通常の半導体素子を形成する際に用いられるもので、半導体素子を形成した基板に対してスルーホールを形成する場合、半導体素子を形成する際の不純物拡散層形成工程で、本発明のスルーホールの大きさを制御するための不純物濃度の高い領域を同時に作り込む事も可能である。
最後に、上述のごとく、スルーホールの大きさが制御された基板に対して、エッチングストップ層を適宜除去する事で、スルーホールが完成する（図１（ｅ）参照）。
ここで、エッチングストップ層には、前述の低圧気相合成法による窒化シリコン膜（ＬＰ−ＳｉＮ）が最適である。
【００１５】
【実施例】
以下に、本発明の実施例について説明する。
［実施例１］
図２は、本発明の実施例１におけるスルーホール形成の工程断面図である。
図２（ａ）は、面方位＜１００＞を有するシリコン基板２０１（厚み６２５μｍ）に不純物拡散層２０５として幅３μｍ／深さ１μｍの領域２０５を内径１００μｍで、更にエッチングストップ層２０３としてＬＰ−ＳｉＮ膜を２５００Åで成膜したものである。不純物拡散層は、ホウ素（Ｂ）を７×１０19（ｃｍ-3）で拡散してある。尚、シリコン基板裏面には、異方性エッチングのマスク２０４（ＳｉＯ2 ４０００Å）を配置してある。また、シリコン基板中には、前記不純物拡散層２０５が３００個配置される。
【００１６】
次いで、前記シリコン基板を濃度２２％ＴＭＡＨ水溶液中で温度８３℃にて９６０ｍｉｎ異方性エッチングを施した。この条件でのエッチングレートは、およそ３９〜４０μｍ／Ｈｒである。尚、基板表面は、治具によりＴＭＡＨ水溶液が回り込まないように保護した。この時点で、異方性エッチングによりシリコン基板は貫通しており、その形成幅は、８０〜９５μｍであった（図２（ｂ）参照）。
【００１７】
次いで、前記基板を更にオーバーエッチするために異方性エッチングを再度３０ｍｉｎ行った。尚、本条件におけるスルーホールのサイドエッチ量は、およそ２０μｍ／Ｈｒ（片側）である。オーバーエッチ終了後は、サイドエッチングによりスルーホールは拡大し、不純物拡散層の近傍で停止しており、スルーホールの幅は、１００〜１０３μｍであった（図２（ｃ）参照）。
【００１８】
以上により、単に、Ｓｉ基板に対して異方性エッチングしただけでは、シリコン基板の厚さ、エッチングレートのバラツキ、基板内の結晶欠陥の分布等の影響でスルーホールの形成幅がおよそ１５μｍのレンジを有するのに対し、本実施例の手法によれば、およそ３μｍのレンジに留まりスルーホールの幅が制御可能な事が理解される。
更に、シリコン基板中の３００個の不純物拡散層２０５において、エッチングストップ層にクラックを生じていたものは皆無であった。即ち、エッチングストップ層がフラットな基板面に対して形成されるために、エッチングストップ層に異方性エッチング終了時点でクラック等不良が発生する事は無い。
【００１９】
［実施例２］
本発明の実施例２においては、本発明のスルーホール形成方法をインクジェットヘッドのインク供給口形成に適用した例を示す。
図３（ａ）及び上面図（ｂ）に示すとおり、面方位＜１００＞を有するシリコン基板３０１（厚み６２５μｍ）に電気熱変換素子３０６としてＴａＮを配置し、更に不純物拡散層３０５として幅３μｍ／深さ１μｍの領域３０５を内径１００×１１５００μｍで、更にエッチングストップ層３０３としてＬＰ−ＳｉＮ膜を３０００Åで成膜したものである。不純物拡散層は、ホウ素（Ｂ）を７×１０19（ｃｍ-3）で拡散してある。尚、シリコン基板裏面には、異方性エッチングのマスク３０４（ＳｉＯ2 ４０００Å）を配置してある。電気熱変換素子３０６は、その素子を動作させるための制御信号配線および駆動回路（半導体素子として基板につくりこんである）が接続されている（不図示）。電気熱変換素子３０６は、不純物拡散層３０５の長辺にそって片側１２８個（両側で２５６個）３００ＤＰＩピッチで配置してある。図３（ｂ）に示す構成を１チップとし、シリコン基板３０１上に１８０チップを配置した。
【００２０】
次いで、図３（ｃ）に示すように、インク流路の型となるポジ型レジスト（東京応化工業製ＯＤＵＲ）３０７をシリコン基板３０１上にパターニングより形成した。
次いで、図３（ｄ）に示すように、下記表１記載のネガ型レジスト３０８をインク流路３０７上に塗布、パターニングによりインク吐出口３０９を形成した。
【００２１】
【表１】
次いで、前記ノズルが形成されたシリコン基板を濃度２２％ＴＭＡＨ水溶液中で温度８３℃にて９９０ｍｉｎ異方性エッチングを施した。尚、基板表面は、治具によりＴＭＡＨ水溶液が回り込まないように保護した。図４（ｅ）は、異方性エッチング終了時の断面形状を示す。
【００２２】
次いで、図４（ｆ）に示すように、シリコン基板表面を保護した状態で、基板裏面よりＣＤＥでＣＦ4ガスを用いて、エッチングストップ層３０３の除去を行い、スルーホールを完成させた。
次いで、図４（ｇ）に示すように、インク流路の型となったポジレジスト８０７を除去し、インクジェットヘッドを完成させた。この時点で全ｃｈｉｐに対して、エッチングストップ層３０３のクラック及び異常を顕微鏡検査を行ったが、不良は発生していなかった。
【００２３】
更に、スルーホールの短手方向の幅を計測した所、１０２〜１０６μｍの範囲で極めて精度良く形成されていた。ここでインクジェットヘッドにおいて、その吐出周波数は、インクのリフィル時間で決定され、スルーホールと吐出ノズルの距離がリフィル時間の支配因子の一つであるため、なるべくスルーホールと吐出ノズルを近づける形態が好ましい。本発明によれば、スルーホールの位置は、不純物拡散層３０５で一義的に決定されるために、安定した吐出性能を有するインクジェットヘッドの作成が可能である。
得られた、インクジェットヘッドに電気的な接続を施し、下記表２記載のインクを用いて印字試験を行ったところ良好な印字結果が得られた。
【００２４】
【表２】
【００２５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、スルーホールの位置精度を極めて精度良く形成できるのと同時に、エッチングストップ層にクラックを生じさせず、結果スルーホールの歩留まりを簡便な手法で向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のスルーホール作成の工程を説明するための断面図。
【図２】本発明の実施例１におけるスルーホール形成の工程断面図。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、実施例２における本発明のスルーホールの形成方法をインクジエットヘッドのインク供給口作成に用いた場合の工程断面図。
【図４】（ｅ）〜（ｇ）は、実施例２における図３の工程に続くインク供給口の作成工程断面図。
【図５】従来例における犠牲層を用いたスルーホール作成の工程断面図。
【符号の説明】
１０１、２０１、３０１、４０１：シリコン基板
１０３、２０３、３０３、４０３：エッチングストップ層
１０４、２０４、３０４、４０４：エッチングマスク
１０５、２０５、３０５、４０５：不純物拡散層
３０６：電気熱変換素子
３０７：インク流路の型となるパターン
３０８：ノズル構成材
３０９：インク吐出口
４１０：保護膜
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコン基板に貫通口（スルーホール）を形成する方法及び前記形成方法を用いたインクジェットプリンターヘッドに関し、特にスルーホール形成の歩留まりの向上を目的としたものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、シリコン基板に対し、等方性もしくは異方性エッチングを用いてスルーホールを形成しデバイスに応用する研究が盛んになされている。
ここで、本件出願人は、先にシリコン基板上に犠牲層を形成し、スルーホールの大きさ及び位置精度を向上させる方法に関する出願をしている（特開平１０−１８１０３２号公報）。
更に、本件出願人は、前記特開平１０−１８１０３２の方法の改良として、犠牲層上に保護膜を配置し、スルーホール形成の歩留まりを向上させる方法に関する出願、あるいは、シリコン基板に犠牲層を埋め込み、スルーホールの大きさ及び位置精度を向上させる方法等に関する出願をしている。そして、本件出願人は、特開平６−３４７８３０号公報において、スルーホール形成の際のエッチングストップ層として低圧気相合成法による窒化シリコン膜（ＬＰ−ＳｉＮ）が有効である事を開示している。また、本件出願人は、特開平９−１１４７９号公報において、シリコン基板にスルーホールを形成し、インクジェットヘッドのインク供給口に用いる方法を開示している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述のシリコン基板に対し犠牲層を用いる事で、スルーホールの位置精度は著しく向上するものの、シリコン基板が貫通した時点でエッチングストップ層にクラックが生じ、エッチング液が基板表面に回り込む等の不良が発生する場合がある。
【０００４】
つぎに、これらの点を図面を用いて説明する。
図５（ａ）は、シリコン基板４０１の表面に犠牲層４０２（多結晶シリコン、以下ｐｏｌｙ−Ｓｉ）、エッチングストップ層４０３及び基板裏面にエッチングのマスク層４０４を形成したものである。
この方式においては、図５（ｂ）に示すとおり裏面からの貫通口は、貫通時に犠牲層４０２の内側に形成される様に設計される。貫通時には、犠牲層はエッチング液にすぐに溶解し、犠牲層エッジから異方性エッチングが開始され、最終的には図５（ｃ）に示すようなスルーホールが形成される。
【０００５】
＜１００＞面のシリコン基板の異方性エッチングにおいては、原理的には、エッチングは＜１１１＞面で停止し、基板面に対して５４．７°の角度でスルーホールが形成され、スルーホールの大きさ及び位置も一義的に決まるはずであるが、現実的には、シリコン基板はある厚さのバラツキを有し、かつシリコン基板の結晶欠陥により、スルーホールの大きさ及び位置はばらつく場合が多い。特に、シリコン基板上に予め半導体素子を作り込んでからスルーホールを形成する場合、半導体形成時の熱工程履歴によって前述の結晶欠陥が増加し、結果、スルーホールの大きさ及び位置のバラツキが大きくなる場合がある。
【０００６】
ここで、犠牲層を用いる方式によれば、スルーホールの開口形状及び位置は、犠牲層の配置によって決定する事が可能なため、より精度の高い加工が可能となる。しかしながら、上記方式においては、エッチングストップ層は、犠牲層上に形成されるため、図５（ｄ）に示すようにコーナーのカバレジは不利な方向であり、クラックがより発生しやすく、歩留まりが低下する場合があった。クラックよりエッチング液が、基板表面に回り込むと、シリコン基板のエッチングは、通常エッチング時間短縮のためテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液や水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液等の強アルカリ性溶液を８０℃もしくはそれ以上の温度で行うため、深刻なダメージを与える。
【０００７】
本件出願人は、前記不良をなくすために、コーナー部上方に保護膜４１０を形成し（図５（ｅ）参照）、たとえコーナー部にクラックが生じてもエッチング液の基板表面に対する回り込みを防ぐ方法を提案している。しかしながら、保護膜形成の工程が増えるためにコスト的には好ましくなかった。
【０００８】
そこで、本発明は、上記課題を解決し、エッチングストップ層でのクラックの発生を容易に防止することができ、スルホール形成の歩留まりを向上させることを可能とするスルーホールの形成方法及びこれを用いたインクジェットヘッドを提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために、つぎの（１）〜（７）のように構成したスルーホールの形成方法及びこれを用いたインクジェットヘッドを提供するものである。
（１）シリコン基板にスルーホールを形成する方法であって、
前記シリコン基板の表面におけるスルーホールが形成される領域の周囲に、不純物濃度が１×１０ 19 （ｃｍ −３ ）以上の不純物濃度を有する領域を形成する工程と、
前記シリコン基板の前記不純物濃度を有する領域上に、エッチングストップ層を形成する工程と、
前記シリコン基板の裏面に、開口部を有するマスク層を形成する工程と、
前記開口部より前記シリコン基板にエッチングを行い、少なくとも、エッチングされる領域が前記不純物濃度を有する領域に達するまでエッチングする工程と、
前記エッチングストップ層を除去する工程と、
を有することを特徴とするスルーホールの形成方法。
（２）前記不純物濃度が、７×１０19 （ｃｍ −３ ）以上であることを特徴とする上記（１）に記載のスルーホールの形成方法。
（３）前記不純物が、ホウ素、リン、砒素、アンチモンから選ばれることを特徴とする上記（１）または上記（２）に記載のスルーホールの形成方法。
（４）前記不純物濃度を有する領域が、幅１μｍ以上２０μｍ以下、深さ１μｍ以上３μｍ以下とすることを特徴とする上記（１）乃至（３）のいずれかに記載のスルーホールの形成方法。
（５）前記不純物濃度を有する領域は、不純物拡散層をシリコン基板中に形成することにより形成される上記（１）乃至（３）のいずれかに記載のスルーホールの形成方法。
（６）前記エッチングストップ層は、低圧気相合成法による窒化シリコン膜で形成される上記（１）乃至（３）のいずれかに記載のスルーホールの形成方法。
（７）上記（１）乃至（６）のいずれかに記載のスルーホールの形成方法を用いて作成されたインク供給口を有することを特徴とするインクジェットヘッド。
【００１０】
【発明の実施の形態】
上記構成を適用することによって、不純物濃度の高い領域をシリコン基板中に形成する事で、スルーホールの大きさを制御する事が可能となり、従来のシリコン基板上に犠牲層を配置する方法と異なり、エッチングストップ層をフラットに形成することで、クラックの発生しないスルーホールの形成方法を実現することができるが、それは本発明者が鋭意検討した結果、つぎのような知見を得たことに基づくものである。
【００１１】
これらについて、つぎに説明するが、ここでは、＜１００＞の結晶方位を有するシリコン基板に対し、スルーホールが形成される領域の周囲に不純物濃度の高い領域を配置してスルーホールを形成する場合について説明する。
図１（ａ）は、シリコン基板１０１に、スルーホールが形成される領域の周囲に、不純物濃度の高い領域１０５を埋め込む形態で配置し、不純物濃度の高い領域１０５上にエッチングストップ層１０３を配置したものである。また、基板裏面には、エッチングマスク層１０４が配置されている。
エッチング終了時には、前述の通り図１（ｂ）に示すようなスルーホールが形成される。ここでシリコン基板を貫通した時点でのスルーホールは、不純物濃度の高い領域の内側に形成されるように配置する。
ついで、図１（ｃ）に示すように、オーバーエッチングを施す事でスルーホールはサイドエッチングにより広がり、不純物濃度の高い領域１０５に達する。
【００１２】
ここで、本件発明者は、スルーホールのサイドエッチが不純物濃度の高い領域１０５に達すると、極端に遅くなることを見出し本発明に至った。即ち、サイドエッチの速度がおよそ１／５〜１／１０程度まで遅くなるために、図１（ｂ）の段階で基板を貫通した時点でのスルーホールの大きさが、前述のごとくシリコン基板の厚さのバラツキ及び結晶欠陥でバラツキを生じたとしても（図１（ｄ）参照）、オーバーエッチを施し、不純物濃度の高い領域１０５まで広げれば、その時点からのサイドエッチ量が極端に小さくなるため、結果として得られるスルーホールの大きさは、図１（ｃ）に示すようにほぼ一定となる。
このように、不純物濃度の高い領域をシリコン基板中に形成する事で、スルーホールの大きさを制御する事が可能となり、前述のシリコン基板上に犠牲層を配置する方法と異なり、エッチングストップ層がフラットに形成されるため、クラックの問題は発生しない。
【００１３】
前記不純物濃度の高い領域は、不純物濃度として１×１０19（ｃｍ-3）以上の濃度が好ましく、更に７×１０19（ｃｍ-3）以上の濃度が好ましい。
ここで、不純物濃度が、７×１０19（ｃｍ-3）以上の拡散層が、異方性エッチング液でエッチングされない事を利用して、不純物拡散層をエッチングストップ層としてインクジェットノズルを作成する方法が公知である（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ． ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｖｏｌ．ＥＤ−２５，Ｎｏ．１０，１９７８，ｐ１１７８−）が、前記手法においては、エッチングストップ層に不純物拡散層を用いているため、スルーホールの形成に際しては、スルーホール貫通時にエッチングストップ層の応力でクラックが生じるために使用が困難である。また、不純物濃度は、７×１０19（ｃｍ-3）以上でエッチング液に対して完全にエッチングされなくなるが、本発明の場合、不純物拡散層でサイドエッチングの速度を低下させればよく、不純物濃度として１×１０19（ｃｍ-3）以上の濃度でも効果が認められる。
【００１４】
本発明に適用される不純物拡散層は、幅１〜２０μｍ、深さ１〜３μｍ程度が好ましいが、スルーホールの使用形態に応じて適宜決定する事ができる。
また、不純物としては、ホウ素、リン、砒素、アンチモン等が好適に用いられる。また、前記不純物は、通常の半導体素子を形成する際に用いられるもので、半導体素子を形成した基板に対してスルーホールを形成する場合、半導体素子を形成する際の不純物拡散層形成工程で、本発明のスルーホールの大きさを制御するための不純物濃度の高い領域を同時に作り込む事も可能である。
最後に、上述のごとく、スルーホールの大きさが制御された基板に対して、エッチングストップ層を適宜除去する事で、スルーホールが完成する（図１（ｅ）参照）。
ここで、エッチングストップ層には、前述の低圧気相合成法による窒化シリコン膜（ＬＰ−ＳｉＮ）が最適である。
【００１５】
【実施例】
以下に、本発明の実施例について説明する。
［実施例１］
図２は、本発明の実施例１におけるスルーホール形成の工程断面図である。
図２（ａ）は、面方位＜１００＞を有するシリコン基板２０１（厚み６２５μｍ）に不純物拡散層２０５として幅３μｍ／深さ１μｍの領域２０５を内径１００μｍで、更にエッチングストップ層２０３としてＬＰ−ＳｉＮ膜を２５００Åで成膜したものである。不純物拡散層は、ホウ素（Ｂ）を７×１０19（ｃｍ-3）で拡散してある。尚、シリコン基板裏面には、異方性エッチングのマスク２０４（ＳｉＯ2 ４０００Å）を配置してある。また、シリコン基板中には、前記不純物拡散層２０５が３００個配置される。
【００１６】
次いで、前記シリコン基板を濃度２２％ＴＭＡＨ水溶液中で温度８３℃にて９６０ｍｉｎ異方性エッチングを施した。この条件でのエッチングレートは、およそ３９〜４０μｍ／Ｈｒである。尚、基板表面は、治具によりＴＭＡＨ水溶液が回り込まないように保護した。この時点で、異方性エッチングによりシリコン基板は貫通しており、その形成幅は、８０〜９５μｍであった（図２（ｂ）参照）。
【００１７】
次いで、前記基板を更にオーバーエッチするために異方性エッチングを再度３０ｍｉｎ行った。尚、本条件におけるスルーホールのサイドエッチ量は、およそ２０μｍ／Ｈｒ（片側）である。オーバーエッチ終了後は、サイドエッチングによりスルーホールは拡大し、不純物拡散層の近傍で停止しており、スルーホールの幅は、１００〜１０３μｍであった（図２（ｃ）参照）。
【００１８】
以上により、単に、Ｓｉ基板に対して異方性エッチングしただけでは、シリコン基板の厚さ、エッチングレートのバラツキ、基板内の結晶欠陥の分布等の影響でスルーホールの形成幅がおよそ１５μｍのレンジを有するのに対し、本実施例の手法によれば、およそ３μｍのレンジに留まりスルーホールの幅が制御可能な事が理解される。
更に、シリコン基板中の３００個の不純物拡散層２０５において、エッチングストップ層にクラックを生じていたものは皆無であった。即ち、エッチングストップ層がフラットな基板面に対して形成されるために、エッチングストップ層に異方性エッチング終了時点でクラック等不良が発生する事は無い。
【００１９】
［実施例２］
本発明の実施例２においては、本発明のスルーホール形成方法をインクジェットヘッドのインク供給口形成に適用した例を示す。
図３（ａ）及び上面図（ｂ）に示すとおり、面方位＜１００＞を有するシリコン基板３０１（厚み６２５μｍ）に電気熱変換素子３０６としてＴａＮを配置し、更に不純物拡散層３０５として幅３μｍ／深さ１μｍの領域３０５を内径１００×１１５００μｍで、更にエッチングストップ層３０３としてＬＰ−ＳｉＮ膜を３０００Åで成膜したものである。不純物拡散層は、ホウ素（Ｂ）を７×１０19（ｃｍ-3）で拡散してある。尚、シリコン基板裏面には、異方性エッチングのマスク３０４（ＳｉＯ2 ４０００Å）を配置してある。電気熱変換素子３０６は、その素子を動作させるための制御信号配線および駆動回路（半導体素子として基板につくりこんである）が接続されている（不図示）。電気熱変換素子３０６は、不純物拡散層３０５の長辺にそって片側１２８個（両側で２５６個）３００ＤＰＩピッチで配置してある。図３（ｂ）に示す構成を１チップとし、シリコン基板３０１上に１８０チップを配置した。
【００２０】
次いで、図３（ｃ）に示すように、インク流路の型となるポジ型レジスト（東京応化工業製ＯＤＵＲ）３０７をシリコン基板３０１上にパターニングより形成した。
次いで、図３（ｄ）に示すように、下記表１記載のネガ型レジスト３０８をインク流路３０７上に塗布、パターニングによりインク吐出口３０９を形成した。
【００２１】
【表１】
【００２２】
次いで、図４（ｆ）に示すように、シリコン基板表面を保護した状態で、基板裏面よりＣＤＥでＣＦ4ガスを用いて、エッチングストップ層３０３の除去を行い、スルーホールを完成させた。
次いで、図４（ｇ）に示すように、インク流路の型となったポジレジスト８０７を除去し、インクジェットヘッドを完成させた。この時点で全ｃｈｉｐに対して、エッチングストップ層３０３のクラック及び異常を顕微鏡検査を行ったが、不良は発生していなかった。
【００２３】
更に、スルーホールの短手方向の幅を計測した所、１０２〜１０６μｍの範囲で極めて精度良く形成されていた。ここでインクジェットヘッドにおいて、その吐出周波数は、インクのリフィル時間で決定され、スルーホールと吐出ノズルの距離がリフィル時間の支配因子の一つであるため、なるべくスルーホールと吐出ノズルを近づける形態が好ましい。本発明によれば、スルーホールの位置は、不純物拡散層３０５で一義的に決定されるために、安定した吐出性能を有するインクジェットヘッドの作成が可能である。
得られた、インクジェットヘッドに電気的な接続を施し、下記表２記載のインクを用いて印字試験を行ったところ良好な印字結果が得られた。
【００２４】
【表２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、スルーホールの位置精度を極めて精度良く形成できるのと同時に、エッチングストップ層にクラックを生じさせず、結果スルーホールの歩留まりを簡便な手法で向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のスルーホール作成の工程を説明するための断面図。
【図２】本発明の実施例１におけるスルーホール形成の工程断面図。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、実施例２における本発明のスルーホールの形成方法をインクジエットヘッドのインク供給口作成に用いた場合の工程断面図。
【図４】（ｅ）〜（ｇ）は、実施例２における図３の工程に続くインク供給口の作成工程断面図。
【図５】従来例における犠牲層を用いたスルーホール作成の工程断面図。
【符号の説明】
１０１、２０１、３０１、４０１：シリコン基板
１０３、２０３、３０３、４０３：エッチングストップ層
１０４、２０４、３０４、４０４：エッチングマスク
１０５、２０５、３０５、４０５：不純物拡散層
３０６：電気熱変換素子
３０７：インク流路の型となるパターン
３０８：ノズル構成材
３０９：インク吐出口
４１０：保護膜
Claims (7)
- シリコン基板にスルーホールを形成する方法であって、
前記シリコン基板の表面におけるスルーホールが形成される領域の周囲に、不純物濃度が１×１０ 19 （ｃｍ −３ ）以上の不純物濃度を有する領域を形成する工程と、
前記シリコン基板の前記不純物濃度を有する領域上に、エッチングストップ層を形成する工程と、
前記シリコン基板の裏面に、開口部を有するマスク層を形成する工程と、
前記開口部より前記シリコン基板にエッチングを行い、少なくとも、エッチングされる領域が前記不純物濃度を有する領域に達するまでエッチングする工程と、
前記エッチングストップ層を除去する工程と、
を有することを特徴とするスルーホールの形成方法。 - 前記不純物濃度が、７×１０19 （ｃｍ −３ ）以上であることを特徴とする請求項１に記載のスルーホールの形成方法。
- 前記不純物が、ホウ素、リン、砒素、アンチモンから選ばれることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のスルーホールの形成方法。
- 前記不純物濃度を有する領域が、幅１μｍ以上２０μｍ以下、深さ１μｍ以上３μｍ以下とすることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のスルーホールの形成方法。
- 前記不純物濃度を有する領域は、不純物拡散層をシリコン基板中に形成することにより形成される請求項１乃至３のいずれか１項に記載のスルーホールの形成方法。
- 前記エッチングストップ層は、低圧気相合成法による窒化シリコン膜で形成される請求項１乃至３のいずれか１項に記載のスルーホールの形成方法。
- 請求項１乃至６のいずれか１項に記載のスルーホールの形成方法を用いて作成されたインク供給口を有することを特徴とするインクジェットヘッド。
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