JP5046819B2 - スルーホールの形成方法およびインクジェットヘッド - Google Patents
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Description
図1は、本発明の好適な第1の実施形態に係るスルーホールの形成方法を説明するための図である。
図2は、本発明の好適な第2の実施形態に係るスルーホールの形成方法を説明するための図である。第2の実施形態に係るスルーホールの形成方法は、第1の実施の形態に係るスルーホールの形成方法の一部を変更したものである。即ち、第1の実施形態では、第1の不純物領域102aの一部が第2の不純物領域102bと重なっていたが、第2の実施形態では、第1の不純物領域202aが第2の不純物領域202bと重ならずに配置されている。他の点については、第1の実施形態と同様であるため、図2では、図1(a)〜(c)に対応する工程を省略し、図1(d)に対応する図2(a)から示している。
図3は、本発明の好適な第3の実施形態として、第1、2の実施形態に係るスルーホール形成方法をインクジェットヘッドのインク供給口の形成に適用した例を示す図である。図3に示すように、本実施形態に係るインクジェットヘッド用の基板には、概略的には、複数の電気熱変換体と、複数の電気熱変換体に電流を流すための複数のスイッチング素子とが集積化される。
102a 第1の不純物領域
102b 第2の不純物領域
103 エッチングストップ層
104 エッチングマスク層
Claims (11)
- シリコン基板の第1の面の側におけるスルーホールの入口孔が形成される領域の周囲に、前記シリコン基板よりも不純物濃度が高い第1の不純物領域を形成する工程と、
前記シリコン基板の深さ方向において前記第1の不純物領域に隣接する位置に、前記第1の不純物領域よりも不純物濃度が高い第2の不純物領域を形成する工程と、
前記第1の不純物領域および前記第2の不純物領域が形成された前記シリコン基板の前記第1の面の上に、エッチングストップ層を形成する工程と、
前記シリコン基板の前記第1の面の反対側の第2の面の上に、前記スルーホールの出口孔が形成される領域に開口部を有するエッチングマスク層を形成する工程と、
前記開口部を通して、少なくとも前記エッチングストップ層が露出するまで、前記シリコン基板をエッチングする工程と、
を含むことを特徴とするスルーホールの形成方法。 - 前記エッチングする工程の後に、前記エッチングストップ層を除去する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載のスルーホールの形成方法。
- 前記第2の不純物領域は、前記第1の不純物領域よりも、前記シリコン基板の前記第1の面の近くに配置されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のスルーホールの形成方法。
- 前記第1の不純物領域の少なくとも一部は、前記第2の不純物領域よりも、前記スルーホールの近くに配置されることを特徴とする請求項3に記載のスルーホールの形成方法。
- 前記第2の不純物領域の少なくとも一部は、熱酸化膜と接していることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載のスルーホールの形成方法。
- 前記第2の不純物領域の内径が前記第1の不純物領域の内径よりも小さいことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のスルーホールの形成方法。
- 前記第1の不純物領域を形成する工程における加速エネルギーと前記第2の不純物領域を形成する工程における加速エネルギーとが互いに異なることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のスルーホールの形成方法。
- 前記第1の不純物領域を形成する工程において、前記第1の不純物領域とともに、半導体素子の第1の部分が形成され、前記第2の不純物領域を形成する工程において、前記第2の不純物領域とともに、前記半導体素子の第2の部分が形成されることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のスルーホールの形成方法。
- 前記シリコン基板は、第1の導電型のシリコン基板の前記第1の面の側に第2の導電型のウェル領域を有し、前記第1の不純物領域および前記第1の部分が第1の導電型であることを特徴とする請求項8に記載のスルーホールの形成方法。
- MIS型電界効果トランジスタのゲート電極を形成する工程を更に含み、
前記第2の不純物領域を形成する工程において、前記第2の部分が前記ゲート電極をマスクとして使用するイオン注入によって形成されることを特徴とする請求項8又は9に記載のスルーホールの形成方法。 - 請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載のスルーホールの形成方法によって形成されたスルーホールがインク供給口として形成されていることを特徴とするインクジェットヘッド。
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