JP2005035281A - 液体吐出ヘッドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ウェハから多数採りされた基板毎の犠牲層の形状を各基板で均一に維持しつつ、作業工程の短縮化を図ることができない。
【解決手段】 液体を吐出口16から吐出させるための電気熱変換体13と、この電気熱変換体13とその駆動素子21〜23とを導通させる電極配線部26と、貫通状態の液体供給口12とを有する基板11を具えた本発明による液体吐出ヘッドの製造方法は、電極配線部26を形成する際に電極配線部26と同じ材料を用いて液体供給口12の形成位置に犠牲層を形成する工程と、犠牲層が被覆される耐エッチング層を形成する工程と、電気熱変換体13が形成された面と反対側の面から基板11をエッチングして犠牲層を除去し、液体供給口12となる部分の耐エッチング層を露出させる工程と、この露出した耐エッチング層を除去して基板11に液体供給口12を形成する工程とを具える。
【選択図】 図9
【解決手段】 液体を吐出口16から吐出させるための電気熱変換体13と、この電気熱変換体13とその駆動素子21〜23とを導通させる電極配線部26と、貫通状態の液体供給口12とを有する基板11を具えた本発明による液体吐出ヘッドの製造方法は、電極配線部26を形成する際に電極配線部26と同じ材料を用いて液体供給口12の形成位置に犠牲層を形成する工程と、犠牲層が被覆される耐エッチング層を形成する工程と、電気熱変換体13が形成された面と反対側の面から基板11をエッチングして犠牲層を除去し、液体供給口12となる部分の耐エッチング層を露出させる工程と、この露出した耐エッチング層を除去して基板11に液体供給口12を形成する工程とを具える。
【選択図】 図9
Description
本発明は、製造工程を簡略化し得る信頼性に優れた液体吐出ヘッドの製造方法に関する。
なお、本明細書において、「プリント」とは、文字、図形など有意の情報を形成する場合のみならず、有意無意を問わず、また人間が視覚で知覚し得るように顕在化したものであるか否かを問わず、広くプリント媒体上に画像、模様、パターンなどを形成する、または媒体の加工を行う場合も言うものとする。また、「プリント媒体」とは、一般的なプリント装置で用いられる紙のみならず、広く、布、プラスチックフィルム、金属板など、ガラス、セラミックス、木材、皮革などのインクを受容可能な物も言うものとする。さらに、「インク」(「液体」と呼称する場合もある)とは、上記「プリント」の定義と同様広く解釈されるべきもので、プリント媒体上に付与されることによって、画像、模様、パターンなどの形成またはプリント媒体の加工、あるいはインクの処理(例えばプリント媒体に付与されるインク中の色材の凝固または不溶化)に供され得る液体を言い、プリントに関して用いる全ての液体を含むものとする。
従来技術としての特許文献1に開示されたインクジェットプリント法は、液滴吐出の原動力を熱エネルギーを液体に作用させて得る点において、他のインクジェットプリント法とは異なる特徴を有している。すなわち、このインクジェットプリント法は、熱エネルギーの作用を受けた液体が加熱による気化に伴って気泡を発生し、この気泡の成長に伴う膨張カによりプリントヘッドの吐出口から液滴がプリント媒体に噴射され、文字やイメージなどの所定の画像情報がプリント媒体にプリントされる。このインクジェットプリント法に用いられるプリントヘッドは、液体を吐出するための吐出口と、この吐出口に連通して噴射するための液体が供給される液室と、この液室に配されて液滴を吐出口から噴射させるための熱エネルギーを発生する吐出エネルギー発生部と、この吐出エネルギー発生部を液体から保護する保護層と、吐出エネルギー発生部によって発生する熱エネルギーを蓄熱するための蓄熱層とを一般に備えている。
また、特許文献2には、上述したプリントヘッドの液室に連通してこの液室に液体を供給するための液体供給口を異方性エッチングにより形成する方法が開示されており、特許文献3には、さらに犠牲層を用いて液体供給口を高精度に形成する方法が開示されている。この特許文献3には、高精度なエッチングを行う際に犠牲層が果たす具体的な工程が、例えば図1〜図3およびその説明に係る第1実施形態に記載されている。
このような従来のプリントヘッドにおける液体供給口の製造手順の一例を特許文献3に開示された技術に基づき、図27〜図34を参照して説明すると、シリコン基板1の表面を熱酸化させてSiO2層2を形成し、さらに、このSiO2層2の上に減圧CVD法によりSi3N4層3を堆積させる(図27参照)。次に、このSi3N4層3が後述する犠牲層4の形成部分近傍にのみ残るようにパターニングする。この時、パターニングの際のエッチングによりシリコン基板1の裏面に体積していたSi3N4層3はすべて除去される(図28参照)。次に、このシリコン基板1をさらに熱酸化してSiO2層2をさらに成長させる。この時、パターニングされたSi3N4層3の直下に位置する部分は酸化されず、その両側に位置するSiO2層2のみが選択的に酸化され、Si3N4層3で覆われていない部分のSiO2層2の厚みが増大することとなる。その後、Si3N4層3をエッチングにて除去する(図29参照)。次に、ポリシリコンによる犠牲層4を形成するため、Si3N4層3が形成されていた膜厚の薄いSiO2層2の部分をパターニングによって除去し、この除去部分にポリシリコンによる犠牲層4を形成する(図30参照)。次に、この犠牲層4を囲むエッチングストップ層5を減圧CVD法により応力を調整したSi3N4にて形成し、この表面全面をホスホシリケートガラス(PSG)層6で被覆する(図31参照)。さらにこのPSG層6の上にプラズマCVD法によって第2のSiO2層7を形成し(図32参照)、このSiO2層7とPSG層6とをパターニングし、エッチングストップ層5に臨む第2のSi3N4層8をプラズマCVD法によりその表面全面に形成する(図33参照)。しかる後、シリコン基板1の裏面側から犠牲層4に達する液体供給口9を異方性エッチングにより形成する(図34参照)。
特許文献4には、犠牲層をポリシリコンで形成し、さらにその犠牲層を駆動回路などのMOSトランジスタのゲート電極の成膜工程やエッチング工程と同じ工程で行うと、犠牲層専用のマスクは不要であることが開示されている。
しかしながら、通常、ポリシリコンは比抵抗が高いため、トランジスタのゲート電極として用いる場合には不純物をドープするなどして、比抵抗を下げる必要がある。他方、ポリシリコンは、不純物をドープするとエッチング速度が低下する傾向があるので、エッチングしようとする材料よりも速いエッチング速度が必要な犠牲層材料としてポリシリコンを用いるには難がある。そのため、同じポリシリコンといっても、電極材料と犠牲層とを同一材料で形成しようとすると、工程は省けるかもしれないが、電極、犠牲層の一方若しくは両方の性能が低下してしまうことになり、単純にそのまま用いることはできない。
さらに、ゲート電極などの配線層上にPSG層を設けたときには、PSG層がエッチング液によって溶けることがあるので、耐エッチング層としては適さない場合がある。例えば、液体供給口9により基板下方から供給された液体を基板上方へ供給するための工程の1つとして、図32から図33にかけてPSG層6の所定の部分をエッチングするが、この際、犠牲層4を覆うエッチングストップ層6を別途設けていないと、犠牲層4が直接エッチング液に晒されてしまうことになる。
従来は、このような問題を回避するためにSi3N4にて形成したエッチングストップ層5を犠牲層4とPSG層6との間に設けていた。そのため、液体供給口周りの構造物に、配線電極の上にPSG層を設けた場合には、PSG層を設ける前にあらかじめ窒化ケイ素からなるエッチングストップ層としての耐エッチング層を形成することにより、ポリシリコン犠牲層4にエッチングの影響を及ぼすことのないPSG層のエッチングを行うようにしている。
また、窒化ケイ素からなる耐エッチング層は、減圧CVD法により形成される際に一定の温度に加熱する必要があるため、配線層と同一工程で形成される犠牲層としてはポリシリコンが使用されている。
従って、従来の構成では、ウェハから多数採りされた基板毎の犠牲層の形状を各基板で均一に維持しつつ、作業工程の短縮化を図れる製造方法は見出されていなかった。
(発明の目的)
本発明の目的は、基板の裏面側からエッチングを進めて絶縁層を貫通する液体供給口の形成工程に先立ち、液体供給口の形成位置に応じて基板の表面に基板よりも早くエッチングが進行する犠牲層と、この犠牲層の少なくとも上面に接してエッチングの進行を止めるエッチングストップ層とを予め形成する液体吐出ヘッドの製造方法において、その製造工程を簡略化しつつ高精度で信頼性の高い液体吐出ヘッドを得る方法を提供することにある。
本発明の目的は、基板の裏面側からエッチングを進めて絶縁層を貫通する液体供給口の形成工程に先立ち、液体供給口の形成位置に応じて基板の表面に基板よりも早くエッチングが進行する犠牲層と、この犠牲層の少なくとも上面に接してエッチングの進行を止めるエッチングストップ層とを予め形成する液体吐出ヘッドの製造方法において、その製造工程を簡略化しつつ高精度で信頼性の高い液体吐出ヘッドを得る方法を提供することにある。
この目的を達成し得る本発明による液体吐出ヘッドの製造方法は、液体を吐出口から吐出させるための吐出エネルギー発生部と、この吐出エネルギー発生部の下層に絶縁層を介して設けられ、当該吐出エネルギー発生部を駆動するための駆動素子と、この駆動素子と前記吐出エネルギー発生部とを導通させ、アルミニウムを主成分とする材料から構成される電極配線部と、前記吐出エネルギー発生部を覆うように前記絶縁層上に形成される保護層と、貫通状態の液体供給口とを有する基板を具えた液体吐出ヘッドの製造方法であって、前記電極配線部を形成する際に前記電極配線部と同じ材料を用いて前記液体供給口の形成位置に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層を被覆し、エッチング液に対して耐性を有する耐エッチング層を形成する工程と、前記吐出エネルギー発生部が形成された面と反対側の面から前記犠牲層が露出するまで前記基板を前記エッチング液にてエッチングする工程と、さらにエッチングを進めて前記犠牲層を除去し、前記液体供給口となる部分の前記耐エッチング層を露出させる工程と、この露出した耐エッチング層を除去して前記基板に前記液体供給口を形成する工程とを具えたことを特徴とするものである。
本発明による液体吐出ヘッドの製造方法において、犠牲層を電極配線部と同一材料、例えばアルミニウムを主成分とする材料にて形成することができる。
絶縁層を構成する材料として酸化ケイ素を用い、保護層を形成する材料として窒化ケイ素を用いることができる。
駆動素子がトランジスタであり、電極配線部はこのトランジスタのソースおよびドレインを含むことができる。
耐エッチング層を犠牲層の上面と側面とを囲むように形成することができ、さらに絶縁層または保護層と同じ材料を用いてこれらと同一工程にて形成することができる。この場合、プラズマCVD法によって3×108dyn/cm2以下の残留応力を有するように形成したり、あるいはプラズマCVD法によって引っ張り応力と圧縮応力とが2層構造で残留するように形成することができる。
吐出エネルギー発生部は、液体に膜沸騰を生じさせて吐出口から液体を吐出させるための熱エネルギーを発生する電気熱変換体を有するものであって良い。
液体吐出ヘッドが、基板の絶縁層上に形成されてこの絶縁層との間に液室を画成すると共にこの液室に連通する吐出口が形成された上板部材をさらに具え、本発明による液体吐出ヘッドの製造方法が、液室に対応した形状の第1の樹脂層を保護層上に形成する工程と、第1の樹脂層上に上板部材に対応した形状の第2の樹脂層を形成する工程と、第2の樹脂層から吐出口に対応した部分を除去する工程と、上板部材の形成後に第1の樹脂層を除去する工程とをさらに具えることができる。
本発明の液体吐出ヘッドの製造方法によると、犠牲層を形成するための単独の工程が省略され、この犠牲層を形成するための工程が電極配線部を形成するための工程と同時に行われるとともに、高精度で信頼性の高い液体吐出ヘッドを得ることができる。
犠牲層を電極配線部と同一材料、例えばアルミニウムを主成分とする材料にて形成した場合、犠牲層の形状を各基板部分で均一に維持しつつ、作業工程の短縮化を図ることができる。
絶縁層を構成する材料として酸化ケイ素を用い、保護層を形成する材料として窒化ケイ素を用いた場合、耐エッチング層を膜状態に形成してもその信頼性が高く、異方性エッチング時の歩留まりをさらに向上させることもできる。
本発明の特徴は、アルミニウムを主成分とする材料を、犠牲層およびPSG層の上層であって、かつ発熱抵抗層の下層に設けられた配線に用いたことにある。
本発明においては、アルミニウムを犠牲層および配線層を構成する材料として用いることが可能であるのに対し、ポリシリコンを犠牲層および配線層を構成する材料として用いることが不可能である。その理由として、以下の4点を挙げることができる。すなわち、
1.通常、ポリシリコンは比抵抗が高いため、トランジスタのゲート電極として用いる場合には、配線抵抗層とするためには不純物をドープするなどして、比抵抗を下げる必要がある。
2.犠牲層に関し、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)を異方性エッチング液として用いる際、TMAHがエッチングしようとする主目的の材料の異方性エッチング速度に対し、このTMAHによって等方性エッチングされる速度の方が速くなければならない。しかしながら、不純物をドープするとエッチング速度が低下する傾向がある。
3.上の1および2の理由から、ポリシリコンでは、配線層および犠牲層に求められるエッチング速度といった観点からは相反する要求のため、配線層および犠牲層として同一工程で成膜することが不可能である。
4.アルミニウムは比抵抗が低く、また、異方性エッチング液であるTMAHによるエッチング速度が速いので、配線層と犠牲層との材料として用いてもいずれも性能の低下は生じない。
1.通常、ポリシリコンは比抵抗が高いため、トランジスタのゲート電極として用いる場合には、配線抵抗層とするためには不純物をドープするなどして、比抵抗を下げる必要がある。
2.犠牲層に関し、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)を異方性エッチング液として用いる際、TMAHがエッチングしようとする主目的の材料の異方性エッチング速度に対し、このTMAHによって等方性エッチングされる速度の方が速くなければならない。しかしながら、不純物をドープするとエッチング速度が低下する傾向がある。
3.上の1および2の理由から、ポリシリコンでは、配線層および犠牲層に求められるエッチング速度といった観点からは相反する要求のため、配線層および犠牲層として同一工程で成膜することが不可能である。
4.アルミニウムは比抵抗が低く、また、異方性エッチング液であるTMAHによるエッチング速度が速いので、配線層と犠牲層との材料として用いてもいずれも性能の低下は生じない。
本発明では、犠牲層として、PSG層の上層であって、かつ発熱抵抗層の下層に設けられた配線材料と同じ材料を用いるが、その理由としては、以下の2点を挙げることができる。すなわち、
1.ゲート電極となる配線層の上には、PSG層があり、この層は耐エッチングマスクとしては好ましくないため、ポリシリコン犠牲層をエッチングすることなくPSG層のエッチングを行うには、厳しい作業条件のもとの管理が必要となる。特に、1枚のウェハから多数の基板を切り出すような作業を行なう場合には、各基板における犠牲層を均一な形状で残すことが非常に困難になる。
2.発熱抵抗層の材料は、耐エッチング層として機能してしまうため、犠牲層の下層に残らないようなパターニング工程が新たに必要となってしまう。
1.ゲート電極となる配線層の上には、PSG層があり、この層は耐エッチングマスクとしては好ましくないため、ポリシリコン犠牲層をエッチングすることなくPSG層のエッチングを行うには、厳しい作業条件のもとの管理が必要となる。特に、1枚のウェハから多数の基板を切り出すような作業を行なう場合には、各基板における犠牲層を均一な形状で残すことが非常に困難になる。
2.発熱抵抗層の材料は、耐エッチング層として機能してしまうため、犠牲層の下層に残らないようなパターニング工程が新たに必要となってしまう。
なお、本発明において、アルミニウムを主成分とする配線材料とは、アルミニウムの純度100%のものを含むほか、アルミニウムにシリコンを1%〜5%含有させた、いわゆるAl−Si合金やアルミニウムに銅を含有させたAl−Cu合金などが包含される。
以下、本発明による液体吐出ヘッドの製造方法に係る実施形態を図1〜図26を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこのような実施形態に限らず、特許請求の範囲に記載された本発明の概念に包含されるべき他の技術にも応用することができる。
第1の実施形態におけるプリントヘッドのプリント素子基板10の破断構造を図1に示す。プリント素子基板10は厚さが0.5mm〜1mmのシリコン基板11の上に成膜技術を用いて吐出エネルギー発生部、液室、吐出口などを形成したものである。
シリコン基板11には、これを貫通する長孔状の液体供給口12が形成されている。この液体供給口12の両側には、液体供給口12の長手方向に沿って所定間隔で配列する複数の電気熱変換体13が相互に半ピッチずらした状態で形成され、吐出エネルギー発生部を構成している。シリコン基板11には、これら電気熱変換体13の他、電気熱変換体13とプリンタ本体側との電気的接続を行うための電極端子14およびアルミニウムなどで形成される図示しない電気配線などが成膜技術によって形成されており、これら電極端子14を介して図示しない駆動ICから電気熱変換体13に対する駆動信号が与えられ、同時に駆動電力がこの電気熱変換体13に供給される。
シリコン基板11上には、液体供給口12に連通する液室15を介して電気熱変換体13とそれぞれ正対する複数の吐出口16を有する上板部材17が形成される。すなわち、この上板部材17とシリコン基板11との間には液体供給口12と個々の液室15とに連通する液流路18が形成され、これらは吐出口16と同様にフォトリソグラフィ技術により上板部材17と共に形成される。
液体供給口12から各液室15内に供給される液体は、対応する液室15内の電気熱変換体13に駆動信号が与えられることにより、電気熱変換体13の発熱に伴って沸騰し、これにより発生する気泡の圧力によって吐出口16から吐出される。
このようなプリント素子基板10の製造過程を図2〜図9を参照して説明すると、まず、結晶面方位が<100>で厚さが625μmのP型シリコン基板11を用意し、その表面を熱酸化して0.01μm〜0.05μmの膜厚のSiO2層19(図27中の符号2に対応する)を形成する。さらに、その上に減圧CVD法により0.1μm〜0.3μmの膜厚のSi3N4層(図27中の符号3に対応する)を堆積させ、このSi3N4層3を後述する犠牲層20が形成される部分にのみ残るようにパターニングする(図28参照)。このパターニングの際のエッチングにより、シリコン基板11の裏面に形成されていたSi3N4層3はすべて除去される。この状態から、シリコン基板11を再度熱酸化することにより、SiO2層19を再成長させて0.6μmから1.1μmの膜厚にする。この時、パターニングされたSi3N4層3で覆われているSiO2層19の直下のシリコン基板11の部分は、熱酸化をそれほど受けないので、Si3N4層3が介在していないシリコン基板11の領域が選択的に酸化を受け、Si3N4層3で覆われた部分よりもその膜厚が増大する。その後、パターニングされたSi3N4層3をエッチングにて除去する(図2参照)。
次に、電気熱変換体13に駆動電力を供給する駆動トランジスタのソース21,ドレイン22,ゲート電極23をポリシリコンにて形成する。この場合、ソース21およびドレイン22は、イオン注入法によって例えば砒素イオンをこれがSiO2層19を貫通するように加速してシリコン基板11内の所定位置に打ち込んだ後、熱処理してシリコン基板11内で拡散させることによりSiO2層19の下側に形成され、ゲート電極23はSiO2層19の上にパターニングにより形成される(図2参照)。
次に、駆動トランジスタのソース電極21およびドレイン電極22に対するコンタクト開口部24をSiO2層19のパターニングおよびエッチングにより形成すると同時に、犠牲層20が形成される部分のSiO2層19の部分にも同じようにして開口部25を形成する(図3参照)。この開口部25には、シリコン基板11の表面が露出した状態となる。
次に、アルミニウムを主成分とする導電材料、例えばAl−Siにて電極配線層26をコンタクト開口部24に導通するようにパターニングにより形成して電気熱変換体13を駆動するための駆動トランジスタを完成する。これと同時に、開口部25に電極配線層26と同一材料を用いた犠牲層20を形成する。この犠牲層20は、電極配線層26と同一材料を用いているため、この電極配線層26の形成工程と同一工程にて同時に形成され、これを形成するための独立した工程を省略することができる。
次に、これらの上にプラズマCVD法により膜厚が1.0μmから1.8μmのSiO2による絶縁層27を堆積させる。この絶縁層27は、電極配線層26の層間膜となる。
次に、この絶縁層27の表面から第1スルーホール28のパターニングおよびエッチングを行う。この第1スルーホール28の深さは、電極配線層26および犠牲層20に到達しないような深さに設定される。この第1スルーホール28のうち、駆動トランジスタのドレイン電極22に導通する電極配線層26および犠牲層20と対向して形成された第1スルーホール28に対し、第2スルーホール29のパターニングおよびエッチングを行い、ドレイン電極22に導通する電極配線層26および犠牲層20を露出させる。
次に、第1スルーホール28および第2スルーホール29の内壁ならびに第2スルーホール29によって露出する電極配線層26および犠牲層20の表面に埋め込み配線層30の下地処理層31およびエッチングストップ層32を電気熱変換体13と同じ材料、すなわちTaN,TaSi3N4などを用いてスパッタリングにより形成する。この下地処理層31およびエッチングストップ層32は、絶縁層27との密着性を向上させるためのものであるが、例えば銅を用いて埋め込み配線層30および埋め込み層33を電解めっき法により形成する場合には、その電極として機能させることができる。あるいは、アルミニウムなどを用いて埋め込み配線層30および埋め込み層33をスパッタリングにより形成することも可能である。
このようにエッチングストップ層32を下地処理層31と同一材料を使用することができるため、エッチングストップ層32を下地処理層31の形成工程と同一工程にて同時に形成することか可能となり、エッチングストップ層32を形成するための独立した工程を省略することができる。
下地処理層31およびエッチングストップ層32を形成した第1スルーホール28および第2スルーホール29内に埋め込み配線層30および埋め込み層33を同時に形成した後、表面全体をCMP法にて研磨して平坦面34を形成する(図5参照)。
次に、電気熱変換体13となるTaNまたはTaSi3N4を0.02μmから0.1μmの膜厚で埋め込み層33を跨ぐようにパターニングにより形成し、さらにプラズマCVD法により第1保護層35をSi3N4にて形成し、さらにこの第1保護層35を介して電気熱変換体13を覆うように第2保護層36をパターニングにより形成する(図6参照)。
しかる後、シリコン基板11に液体供給口12を形成するため、異方性エッチング用マスクとなる樹脂(図示せず)をシリコン基板11の裏面に塗布し、フォトリソグラフィによって所望のパターンに形成する。
これに続き、上板部材17の形成に移行して液流路18および液室15を形成するための中子37となるレジストを表面に塗布し、所定の形状にパターニングする。
次に、上板部材17となる感光性エポキシ樹脂を中子37の上に塗布し、フォトリソグラフィにより所定形状にパターニングして吐出口16を形成する。
次に、TMAHを異方性エッチング液として用い、シリコン基板11の裏面からエッチングを行って犠牲層20に至る液体供給口12を形成する。このエッチングは、シリコン基板11の裏面から55度の角度で進み、SiO2層19とエッチングストップ層32とで囲まれた犠牲層20に至る。犠牲層20は、このエッチング液によって等方エッチングされるため、液体供給口12は、図7に示すように、その上端が犠牲層20の形状に対応し、シリコン基板11の裏面に向けてテーパ状に拡がった状態となる。
次に、エッチングストップ層32と埋め込み層33とをエッチングにて除去した後、液体供給口12に臨む第1保護層35の部分をドライエッチングにより除去し(図8参照)、さらに中子37をエッチングにより除去することにより、プリント素子基板10が製造される(図9参照)。
このように、プリント素子基板10を製造するに際し、犠牲層20およびエッチングストップ層32を形成するために新たに追加される工程が全く不要であり、製造工程を簡略化して製造コストの上昇を抑制することができる上、タクトタイムを短縮化すると同時に高精度な液体供給口12を形成することができる。
上述した実施形態では、液体供給口12を形成するために犠牲層20をエッチングする際、この犠牲層20に臨む絶縁層27の部分がエッチング液によってエッチングされ、液体供給口12を所期の寸法に維持することが困難となる可能性がある。そこで、このような不具合を防止するため、犠牲層20をエッチングストップ層32で覆うようにしてもよい。
このような本発明の第2の実施形態を図10〜図13を参照して説明するが、先の実施形態と同一機能の部分には、これと同一符号を記すに止め、重複する説明は省略するものとする。すなわち、先の実施形態がエッチングストップ層32が犠牲層20の上端面にのみ当接していたのに対し、本実施形態ではエッチングストップ層32が犠牲層20を覆うように、SiO2層19まで延在していることである(図10参照)。これにより、絶縁層27を犠牲層20に対して完全に仕切ることができる。
従って、図10に示す状態において、シリコン基板11の裏面から異方性エッチングを行って犠牲層20に至る液体供給口12を形成する場合、絶縁層27はSiO2層19およびエッチングストップ層32によって犠牲層20から分けられているため、絶縁層27へのエッチング液の浸入を完全に防止することができる(図11参照)。
しかる後、エッチングストップ層32と埋め込み層33とをエッチングにて除去した後、液体供給口12に臨む第1保護層35の部分をドライエッチングにより除去し(図12参照)、さらに中子37をエッチングにより除去することにより、プリント素子基板10が製造される(図13参照)。
上述した実施形態では、下地処理層31の成膜工程の際にこれと同時に同一材料を用いてエッチングストップ層32を形成したが、下地処理層31を形成する必要がない場合には、埋め込み配線層30の形成工程の際にこれと同時に埋め込み配線層30と同一材料にてエッチングストップ層を形成することも可能である。
次に、本発明の第3の実施形態を図14〜図18を参照して説明するが、冗長化を避けるために液体供給口12の部分についてのみ説明する。また、これらの図において先の実施形態と同一機能の部分には、これと同一符号を記してある。すなわち、シリコン基板11上にSiO2層19を形成し、さらにこの上に常温CVD法によりPSG層38を形成した後、液体吐出口12を形成すべき部分のSiO2層19およびPSG層38をエッチングにより同時に除去して開口部39を形成し、この開口部39を介してシリコン基板11を露出させる(図14参照)。
次に、アルミニウム−銅合金などを用いて電極配線層26(図4参照)をPSG層38上に形成して所定のパターニングを行う。この段階で、上述した駆動トランジスタなどの駆動素子が完成する。
次に、SiO2を用いてプラズマCVD法により膜厚が1.0μm〜1.8μmの絶縁層27を堆積させ、所定のパターニングを行う(図15参照)。
次に、TaNを用いて膜厚が0.02μm〜0.1μmの電気熱変換体13(図6参照)と、アルミニウム−銅合金などを用いて膜厚が0.1μm〜0.8μmの図示しない電極層とをスパッタリング法により絶縁層27上に連続して堆積させ、所定のパターニングを行う。これと同時に、同材質の材料を用いて電気熱変換体13および電極層40からなる2層構造の犠牲層20を開口部39に形成する(図16参照)。
次に、プラズマCVD法による保護層35(図6参照)をSi3N4を用いて形成する。この保護層35は、エッチングストップ層32の機能を有することから、その残留応力を例えば3x108dyn/cm2以下になるように低減する。
このようにして形成された保護層35が膜質やステップカバレージ性の点で電気熱変換体13の保護層として不適当な場合、引っ張り応力と圧縮応力とを持つ2層構成とすることにより、保護層35としての機能を確保しつつエッチングストップ層32としての性能を確保することができる。具体的には、プラズマCVD法によって0.4μmの膜厚のエッチングストップ層32を形成する場合、まず最初に引っ張り応力を有する第1層を0.2μmの膜厚で形成し、次いで圧縮応力を有する第2層を0.2μmの膜厚で形成する(図17参照)。
このエッチングストップ層32の堆積条件は、プラズマCVD装置の性能によって異なるが、例えばシリコン基板11に印加する電力を調整することにより、内部残留応力を引っ張り応力から圧縮応力へと変化させることが可能である。つまり、プラズマCVD装置内にシリコン基板11を入れたまま堆積条件の変更のみでエッチングストップ層32が有する内部残留応力の調整を行うことができるので、新たな工程を追加する必要がない。
しかる後、液体供給口12を形成するため、異方性エッチングのマスクとなる樹脂をシリコン基板11の裏面に塗布し、フォトリソグラフィ技術によって所望のパターンに形成する。
一方、上板部材17の成形を先の実施形態と同様に開始する(図7参照)。
次に、TMAHを用いてシリコン基板11の裏面から異方性エッチングを開始し、犠牲層20に至る液体供給口12を形成する(図18参照)。この場合、エッチングストップ後のエッチングストップ層32にふくれや割れなどの発生は見られなかった。
最後に、エッチングストップ層32をドライエッチで除去し、さらに中子37(図7参照)を除去する。
このように、犠牲層20およびエッチングストップ層32を形成するために独立した工程を必要とせず、プリント素子基板10の製造コストを上昇させずに良好な寸法精度の液体供給口12を形成することができる。
上述した実施形態では、犠牲層20として電気熱変換体13および電極層40を採用したが、第1の実施形態と同様に電極配線層26を犠牲層20として利用することも可能である。
次に、本発明による液体吐出ヘッドの製造方法の第4の実施形態を図19〜図26を参照して説明するが、これらの図において先の実施形態と同一機能の部分には、これと同一符号を記してある。
ここで述べる実施形態は、20と同じ工程で同時に形成する電極配線層26をPSG層38の上層(成膜後)であって、かつ電気熱変換体13(発熱抵抗層41)の下層(成膜前)に設ける構造のプリント基板の製造手順であり、上述のようなPSG層をパターニングした後に犠牲層と同一工程で配線層を形成することができるものである。
第1の実施形態における図1〜図4までと同じ工程でプリント素子基板10を製造後、この絶縁層27の表面からパターニングによって第1スルーホール28を形成する(図19参照)。
次に、発熱抵抗層41をTaNスパッタリングにより形成し、その上部に発熱抵抗に導通する電極層42を形成する(図20参照)。電極配線層26は、導電性を有する発熱抵抗層41を介して電極層42と電気的に導通している。そして、電極層42および発熱抵抗層41をパターニングによって所定のパターンに整えて発熱抵抗部43を形成する(図21参照)。
プラズマCVD法によりエッチングストップ層としての機能を有する第1保護層35をSi3N4にて形成し(図22参照)、さらにこの第1保護層35を介して発熱抵抗部43を覆うように第2保護層36をパターニングにより形成する(図23参照)。
しかる後、シリコン基板11に液体供給口12を形成するため、異方性エッチング用マスクとなる樹脂(図示せず)をシリコン基板11の裏面に塗布し、フォトリソグラフィによって所望のパターンに形成する。
これに続き、上板部材17の形成に移行して液流路18および液室15を形成するための中子37となるレジストを表面に塗布し、所定の形状にパターニングする。
次に、上板部材17となる感光性エポキシ樹脂を中子37の上に塗布し、フォトリソグラフィにより所定形状にパターニングして吐出口16を形成する(図24参照)。
次に、TMAHを異方性エッチング液として用い、シリコン基板11の裏面からエッチングを行って犠牲層20に至る液体供給口12を形成する。このエッチングは、シリコン基板11の裏面から55.7度の角度で進み、SiO2層19に囲まれた犠牲層20に至る。犠牲層20は、このエッチング液によって等方エッチングされるため、液体供給口12は、その上端が犠牲層20の形状に対応し、シリコン基板11の裏面に向けてテーパ状に拡がった状態となる(図25参照)。
次に、SiO2層19と第1保護層35とをエッチングにて除去した後、さらに中子37をエッチングにより除去することにより、プリント素子基板10が製造される(図26参照)。
このような実施形態によると、基板の裏面側からエッチングを進めて絶縁層を貫通する液体供給口の形成工程に先立ち、液体供給口の形成位置に応じて基板の表面に基板よりも早くエッチングが進行する犠牲層と、この犠牲層の少なくとも上面に接してエッチングの進行を止めるエッチングストップ層とを予め形成するに際し、犠牲層を形成する工程を電極配線部を形成する工程と同時に行うようにしたので、犠牲層を形成するための独立した工程を無くして製造工程を簡略化することができる。特に、犠牲層を電極配線部と同一材料、例えばアルミニウムを主成分とする材料にて形成した場合には、犠牲層を形成するための独立した工程を完全に無くすことができる。
エッチングストップ層を絶縁層および保護層と同一材料、同一工程にて形成した場合には、エッチングストップ層を形成するための独立した工程を完全に無くすことができる上、このエッチングストップ層の保護層を形成する必要が無くなり、さらに製造工程を簡略化することができる。
エッチングストップ層をプラズマCVD法により3×108dyn/cm2以下の残留応力にて形成した場合や、エッチングストップ層をプラズマCVD法により引っ張り応力と圧縮応力とが2層構造で残留するように形成した場合には、犠牲層を等方エッチングが可能なアルミニウムを主体とする材料で形成可能であり、犠牲層を形成する工程を電極配線部を形成する工程と同時に行うことができる。
10 プリント素子基板
11 シリコン基板
12 液体供給口
13 電気熱変換体
14 電極端子
15 液室
16 吐出口
17 上板部材
18 液流路
19 SiO2層
20 犠牲層
21 ソース
22 ドレイン
23 ゲート電極
24 コンタクト開口部
25 開口部
26 電極配線層
27 絶縁層
28 第1スルーホール
29 第2スルーホール
30 埋め込み配線層
31 下地処理層
32 エッチングストップ層
33 埋め込み層
34 平坦面
35 第1保護層
36 第2保護層
37 中子
38 PSG層
39 開口部
40 電極層
41 発熱抵抗層
10 プリント素子基板
11 シリコン基板
12 液体供給口
13 電気熱変換体
14 電極端子
15 液室
16 吐出口
17 上板部材
18 液流路
19 SiO2層
20 犠牲層
21 ソース
22 ドレイン
23 ゲート電極
24 コンタクト開口部
25 開口部
26 電極配線層
27 絶縁層
28 第1スルーホール
29 第2スルーホール
30 埋め込み配線層
31 下地処理層
32 エッチングストップ層
33 埋め込み層
34 平坦面
35 第1保護層
36 第2保護層
37 中子
38 PSG層
39 開口部
40 電極層
41 発熱抵抗層
42 電極層
43 発熱抵抗部
11 シリコン基板
12 液体供給口
13 電気熱変換体
14 電極端子
15 液室
16 吐出口
17 上板部材
18 液流路
19 SiO2層
20 犠牲層
21 ソース
22 ドレイン
23 ゲート電極
24 コンタクト開口部
25 開口部
26 電極配線層
27 絶縁層
28 第1スルーホール
29 第2スルーホール
30 埋め込み配線層
31 下地処理層
32 エッチングストップ層
33 埋め込み層
34 平坦面
35 第1保護層
36 第2保護層
37 中子
38 PSG層
39 開口部
40 電極層
41 発熱抵抗層
10 プリント素子基板
11 シリコン基板
12 液体供給口
13 電気熱変換体
14 電極端子
15 液室
16 吐出口
17 上板部材
18 液流路
19 SiO2層
20 犠牲層
21 ソース
22 ドレイン
23 ゲート電極
24 コンタクト開口部
25 開口部
26 電極配線層
27 絶縁層
28 第1スルーホール
29 第2スルーホール
30 埋め込み配線層
31 下地処理層
32 エッチングストップ層
33 埋め込み層
34 平坦面
35 第1保護層
36 第2保護層
37 中子
38 PSG層
39 開口部
40 電極層
41 発熱抵抗層
42 電極層
43 発熱抵抗部
Claims (9)
- 液体を吐出口から吐出させるための吐出エネルギー発生部と、この吐出エネルギー発生部の下層に絶縁層を介して設けられ、当該吐出エネルギー発生部を駆動するための駆動素子と、この駆動素子と前記吐出エネルギー発生部とを導通させ、アルミニウムを主成分とする材料から構成される電極配線部と、前記吐出エネルギー発生部を覆うように前記絶縁層上に形成される保護層と、貫通状態の液体供給口とを有する基板を具えた液体吐出ヘッドの製造方法であって、
前記電極配線部を形成する際に前記電極配線部と同じ材料を用いて前記液体供給口の形成位置に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層を被覆し、エッチング液に対して耐性を有する耐エッチング層を形成する工程と、
前記吐出エネルギー発生部が形成された面と反対側の面から前記犠牲層が露出するまで前記基板を前記エッチング液にてエッチングする工程と、
さらにエッチングを進めて前記犠牲層を除去し、前記液体供給口となる部分の前記耐エッチング層を露出させる工程と、
この露出した耐エッチング層を除去して前記基板に前記液体供給口を形成する工程と
を具えたことを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。 - 前記耐エッチング層は、前記絶縁層または前記保護層と同じ材料を用いてこれらと同一工程にて形成されることを特徴とする請求項1に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記絶縁層を構成する材料が酸化ケイ素であり、前記保護層を形成する材料が窒化ケイ素であることを特徴とする請求項2に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記駆動素子がトランジスタであり、前記電極配線部はこのトランジスタのソースおよびドレインを含むことを特徴とする請求項1に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記耐エッチング層はプラズマCVD法により形成され、3×108dyn/cm2以下の残留応力を有することを特徴とする請求項1に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記耐エッチング層はプラズマCVD法により形成され、引っ張り応力と圧縮応力とが2層構造で残留していることを特徴とする請求項1に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記耐エッチング層は、前記犠牲層の上面と側面とを囲むように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記吐出エネルギー発生部は、液体に膜沸騰を生じさせて前記吐出口から液体を吐出させるための熱エネルギーを発生する電気熱変換体を有することを特徴とする請求項1に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記液体吐出ヘッドは、前記基板の前記絶縁層上に形成されてこの絶縁層との間に液室を画成すると共にこの液室に連通する前記吐出口が形成された上板部材をさらに具え、
前記液室に対応した形状の第1の樹脂層を前記保護層上に形成する工程と、
前記第1の樹脂層上に前記上板部材に対応した形状の第2の樹脂層を形成する工程と、
前記第2の樹脂層から前記吐出口に対応した部分を除去する工程と、
前記上板部材の形成後に前記第1の樹脂層を除去する工程と
をさらに具えたことを特徴とする請求項1から請求項8の何れかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
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