JP2004351931A - インクジェットプリントヘッド及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 インクジェットプリントヘッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 吐き出されるインクが充填されるインクチャンバがその表面側に形成され、インクチャンバにインクを供給するためのマニホールドがその背面側に形成され、インクチャンバとマニホールドとを連結するインク流路がその表面に並んで形成された基板と、基板上に積層され、絶縁物質よりなる多数の保護層と、保護層上に積層され、熱伝導性のある金属物質よりなる熱発散層とを含み、インクチャンバと連結されるノズルが貫通されて形成されたノズルプレートと、ノズルプレートの保護層間に設けられるものであって、インクチャンバの上部に位置してインクチャンバの内部のインクを加熱するヒータと、ヒータに電流を印加する導体と、を備えるインクジェットプリントヘッドである。
【選択図】 図4

Description

本発明はインクジェットプリントヘッド及びその製造方法に係り、特にインク流路をインクチャンバと同じ平面上に形成することによって吐出性能を向上させ、基板上に金属ノズル板を設けることによって、ノズルを通じて吐き出される液滴の直進性を向上させ、ヒータから発生した熱を効果的に放熱して駆動周波数を向上させうるインクジェットプリントヘッド及びその製造方法に関する。
一般的に、インクジェットプリントヘッドは、印刷用インクの微小な液滴を記録用紙上の所望の位置に吐き出して所定色相の画像で印刷する装置である。このようなインクジェットプリントヘッドは、インク液滴の吐出メカニズムによって大きく2つの方式に分類されうる。その一つは熱源を利用してインクにバブルを発生させてそのバブルの膨張力によりインク液滴を吐き出す熱駆動方式のインクジェットプリンタヘッドであり、他の一つは圧電体を使用してその圧電体の変形によりインクに加えられる圧力によりインク液滴を吐き出す圧電駆動方式のインクジェットプリントヘッドである。
前記熱駆動方式のインクジェットプリントヘッドでのインク液滴吐出メカニズムをより詳細に説明すれば、次の通りである。抵抗発熱体からなるヒータにパルス状の電流が流れれば、ヒータから熱が発生しつつヒータに隣接したインクは約300℃に瞬間加熱される。これにより、インクが沸騰しつつバブルが生成し、生成されたバブルは膨脹してインクが充填されたインクチャンバの内部に圧力を加える。これにより、ノズル付近にあったインクがノズルを通じて液滴状にインクチャンバの外部に吐き出される。
ここで、バブルの成長方向とインク液滴の吐出方向とによって、前記熱駆動方式は再びトップシューティング、サイドシューティング、バックシューティング方式に分類されうる。トップシューティング方式はバブルの成長方向とインク液滴の吐出方向とが同じ方式であり、サイドシューティング方式はバブルの成長方向とインク液滴の吐出方向とが直角を成す方式であり、そしてバックシューティング方式はバブルの成長方向とインク液滴の吐出方向とが相互反対のインク液滴吐出方式である。
このような熱駆動方式のインクジェットプリントヘッドは、一般的に、次のような要件を満足しなければならない。第一に、可能なかぎり、その製造が簡単で製造コストが低く、量産が可能でなければならない。第二に、高画質の画像を得るためには隣接したノズル間の干渉は抑制しつつも隣接したノズル間の間隔を可能なかぎり狭くしなければならない。すなわち、DPI(DotsPerInch)を高めるためには多数のノズルを高密度に配置できなければならない。第三に、高速印刷のためには、インクチャンバからインクが吐出された後、インクチャンバにインクがリフィルされる周期を可能なかぎり短くしなければならない。すなわち、加熱されたインクの冷却が速くなされて駆動周波数を高められなければならない。
図1は、従来のバックシューティング方式のインクジェットプリントヘッドの一例であって、特許文献1に開示されたインクジェットプリントヘッドの構造を示す斜視図である。図面を参照すれば、インクジェットプリントヘッド24は、インク液滴が吐き出されるノズル10と吐き出されるインクが充填されるインクチャンバ16とが形成された基板11、インクチャンバ16とインク保存庫12とを連結する貫通ホール2が形成されたカバープレート3、及びインクチャンバ16にインクを供給するためのインク保存庫12が順次に積層された構造を有する。ここで、前記基板11のノズル10の周囲にはヒータ42が環状に配置されている。
前記構造で、ヒータ42にパルス状の電流が供給されてヒータ42に熱が発生すれば、インクチャンバ16内のインクが沸騰してバブルが生成される。生成されたバブルは膨脹し続け、これにより、インクチャンバ16内に充填されたインクに圧力が加えられてノズル10を通じてインク液滴が外部に吐き出される。次いで、インク保存庫12からカバープレート3に形成された貫通ホール2を通じてインクチャンバ16の内部にインクが吸入されてインクチャンバ16は再びインクで充填される。
しかし、このようなインクジェットプリントヘッドでは、インクチャンバの高さが基板の厚さとほぼ同じであるので、とても薄い基板を使用しないと、インクチャンバのサイズが大きくなる。したがって、インクの吐出に使用されなければならないバブルの圧力が周囲のインクによって分散される現象が発生することによって、結果的に吐出特性が悪くなる。一方、インクチャンバのサイズを小さくするために薄い基板を使用すれば、その基板の加工が難しくなる。すなわち、現在インクジェットプリントヘッドで一般的に使われるインクチャンバの高さは10〜30μm程度であって、この程度の高さを有するインクチャンバを形成するためには10〜30μmのシリコン基板を使用しなければならない。しかし、半導体工程ではこのような厚さのシリコン基板の加工は不可能である。
一方、前記のような構造のインクジェットプリントヘッドを製造するためには、基板、カバープレート及びインク保存庫を接合しなければならない。したがって、その製作工程が複雑になり、吐出特性に敏感に影響を与える要素であるインク流路を精巧に形成できないという問題点がある。
図2は、従来のバックシューティング方式のインクジェットプリントヘッドの他の例であって、特許文献2に開示されたインクジェットプリントヘッドの構造を示す断面図である。図面を参照すれば、シリコンからなる基板30の上部には半球形のインクチャンバ15が形成されており、その下部にはインクチャンバ15にインクを供給するマニホールド26が形成されており、インクチャンバ15とマニホールド26との間にはインクチャンバ15とマニホールド26とを連結するインクチャンネル13が基板30の表面に垂直して円筒形に形成されている。基板30の表面にはインク液滴18が吐き出されるノズル21が形成されたノズル板20が位置し、インクチャンバ15の上部壁を形成する。前記ノズル板20にはノズル21に隣接してこれを取り囲む環状のヒータ22が形成されており、このヒータ22には電流を印加するための電気線(図示せず)が連結されている。
前記構造で、マニホールド26及びインクチャンネル13を通じて供給されたインクがインクチャンバ15に充填された状態で、環状のヒータ22にパルス状の電流を印加すれば、ヒータ22から発生した熱によってヒータ22の下部のインクが沸騰してバブルが生成される。これにより、インクチャンバ15内に充填されたインクに圧力が加えられてノズル21の付近にあったインクがノズル21を通じて外部にインク液滴18の形態に吐き出される。次いで、インクチャンネル13を通じてインクが吸い込まれつつ、インクチャンバ15内にインクが再び充填される。
このようなインクジェットプリントヘッドでは、基板の一部分だけをエッチングしてインクチャンバを形成するので、インクチャンバのサイズが小さくなり、また接合工程なしに一括工程でプリントヘッドを製造するので、その製造工程が簡単であるという長所がある。
しかし、インクチャンネルがノズルと一直線上に位置するので、バブル生成時にインクがインクチャンネル側に逆流する現象が発生して吐出特性が悪くなる。また、ノズルによって露出された基板をエッチングしてインクチャンバを形成するので、インクチャンバのサイズは小さくできるが、任意の形状を有するインクチャンバを製作できないという短所がある。したがって、最適の形状を有するインクチャンバを作り難い。
図3は、従来のバックシューティング方式のインクジェットプリントヘッドの他の例であって、特許文献3に開示されたインクジェットプリントヘッドの構造を示す概略的な断面図である。図面を参照すれば、インクジェットプリントヘッドは、ノズル51が形成されたノズル板50、インクチャンバ61及びインクチャンネル62が形成された絶縁層60及び前記インクチャンバ61にインクを供給するためのマニホールド55が形成されたシリコン基板70が順次に積層された構造である。
このようなインクジェットプリントヘッドでは、基板上に積層された絶縁層を利用してインクチャンバを形成することによってインクチャンバの形状を任意にでき、逆流現象も減らせる長所がある。
しかし、このようなインクジェットプリントヘッドの製造において、シリコン基板上に厚い絶縁層を蒸着し、これをエッチングしてインクチャンバを形成する方法が一般的に使用されるが、このような方法は、次のような問題がある。第一に、現存する半導体工程では基板上に厚い絶縁層を積層し難く、第二に、厚い絶縁層をエッチングし難い。したがって、このようなインクジェットプリントヘッドではインクチャンバの高さに一定の限界があり、これにより約6μmほどのインクチャンバとノズルとが図3に示されている。しかし、この程度のインクチャンバの高さでは比較的大きなドロップサイズを有するインクジェットプリントヘッドを製作することは不可能である。
米国特許第5,502,471号明細書 米国特許第5,841,452号明細書 米国特許第6,382,782号明細書
本発明は前記問題点を解決するために考案されたものであって、インク流路をインクチャンバと同じ平面上に形成することによって吐出性能を向上させ、基板上に金属ノズル板を設けることによってノズルを通じて吐き出される液滴の直進性を向上させ、ヒータから発生した熱を効果的に放熱して駆動周波数を向上させうる改善された構造のインクジェットプリントヘッド及びその製造方法を提供するのにその目的がある。
前記目的を達成するために、本発明によるインクジェットプリントヘッドは、吐き出されるインクが充填されるインクチャンバがその表面側に形成され、前記インクチャンバにインクを供給するためのマニホールドがその背面側に形成され、前記インクチャンバと前記マニホールドとを連結するインク流路がその表面に並んで形成された基板と、前記基板上に積層され、絶縁物質よりなる多数の保護層と、前記保護層上に積層され、熱伝導性ある金属物質よりなる熱発散層とを含み、前記インクチャンバと連結されるノズルが貫通されて形成されたノズルプレートと、前記ノズルプレートの前記保護層間に設けられるものであって、前記インクチャンバの上部に位置して前記インクチャンバ内部のインクを加熱するヒータと、前記ヒータに電流を印加する導体と、を備える。
前記インク流路は、前記インクチャンバと同一平面上に形成されることが望ましい。ここで、前記インク流路は、前記インクチャンバと連結される少なくとも一つのインクチャンネル、及び、前記インクチャンネルと前記マニホールドとを連結するインクフィードホールを備える。
前記保護層は、前記基板上に順次に積層された第1保護層、第2保護層及び第3保護層を含み、前記ヒータは前記第1保護層と前記第2保護層との間に設けられ、前記導体は前記第2保護層と前記第3保護層との間に設けられる。
前記多数の保護層には前記ノズルの下部が形成され、前記熱発散層には前記ノズルの上部が形成される。
前記熱発散層に形成される前記ノズルの上部は出口側に行くほど断面積が狭くなるテーパ状よりなることが望ましい。
前記熱発散層は少なくとも一つの金属層よりなり、前記金属層各々はニッケル(Ni)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)及び金(Au)よりなる群から選択される何れか一つの金属物質よりなりうる。ここで、前記熱発散層は、電気メッキにより10〜100μmの厚さに形成されることが望ましい。
前記保護層上に前記熱発散層の電気メッキのためのシード層が形成されうる。ここで、前記シード層は少なくとも一つの金属層よりなり、前記金属層各々はCu、クロム(Cr)、チタン(Ti)、Au及びNiよりなる群から選択される何れか一つの金属物質よりなりうる。
一方、本発明によるインクジェットプリントヘッドの製造方法は、基板の表面側に所定深さの犠牲層を形成する段階と、前記犠牲層が形成された前記基板上に多数の保護層を順次に積層しつつ、ヒータと前記ヒータとに連結される導体を前記保護層間に形成する段階と、前記保護層上に金属よりなる熱発散層を形成し、インクが吐き出されるノズルを前記熱発散層と前記保護層とを貫通するように形成して前記犠牲層を露出させる段階と、前記基板の背面側にインクを供給するマニホールドを形成する段階と、前記犠牲層を除去してインクチャンバ及びインク流路を形成する段階と、前記マニホールドと前記インク流路とを連結する段階と、を含む。
前記犠牲層を形成する段階は、前記基板の表面をエッチングして所定深さのグルーブを形成する段階と、前記グルーブが形成された前記基板の表面を酸化させて酸化物層を形成する段階と、前記グルーブの内部に所定の物質を充填した後、前記基板の表面を平坦化させる段階と、を含みうる。ここで、前記グルーブの内部に所定の物質を充填する段階は、前記グルーブの内部にポリシリコンをエピタキシャル成長させて充填する段階であることが望ましい。
前記犠牲層を形成する段階は、SOI基板の上部シリコン基板に絶縁層を露出させる所定形状のトレンチを形成する段階と、前記トレンチの内部に所定物質を充填する段階と、を含みうる。ここで、前記所定物質はシリコン酸化物であることが望ましい。
前記保護層を形成する段階は、前記犠牲層が形成された前記基板の表面に第1保護層を形成する段階と、前記第1保護層上に前記ヒータを形成する段階と、前記第1保護層及び前記ヒータ上に第2保護層を形成する段階と、前記第2保護層上に前記導体を形成する段階と、前記第2保護層及び前記導体上に第3保護層を形成する段階と、を含む。
前記熱発散層は少なくとも一つの金属層よりなり、前記金属層各々はNi、Cu、Al及びAuよりなる群から選択される何れか一つの金属物質を電気メッキすることによって形成されうる。ここで、前記熱発散層は10〜100μmの厚さに形成されることが望ましい。
前記熱発散層及び前記ノズルを形成する段階は、前記犠牲層の上部の前記保護層をエッチングして下部ノズルを形成する段階と、前記下部ノズルの内部に下部メッキ枠を形成する段階と、前記下部メッキ枠上に上部ノズルの形成のための所定形状の上部メッキ枠を形成する段階と、前記保護層上に前記熱発散層を電気メッキにより形成する段階と、前記上部及び下部メッキ枠を除去して前記上部ノズル及び前記下部ノズルよりなるノズルを形成する段階と、を含みうる。ここで、前記下部メッキ枠及び上部メッキ枠は、フォトレジストまたは感光性ポリマーよりなることが望ましい。
前記熱発散層及び前記ノズルを形成する段階は、前記犠牲層の上部の前記保護層をエッチングして下部ノズルを形成する段階と、上部ノズルの形成のための所定形状のメッキ枠を前記下部ノズルの内部から垂直方向に形成する段階と、前記保護層上に前記熱発散層を電気メッキにより形成する段階と、前記メッキ枠を除去して前記上部ノズルと前記下部ノズルとよりなる前記ノズルを形成する段階と、を含みうる。ここで、前記メッキ枠は、フォトレジストまたは感光性ポリマーよりなることが望ましい。
前記下部ノズルは、前記保護層を反応性イオンエッチングによりドライエッチングすることによって形成されうる。
前記保護層上には前記熱発散層の電気メッキのためのシード層を形成することが望ましい。ここで、前記シード層は少なくとも一つの金属層よりなり、前記金属層各々は、Cu、Cr、Ti、Au及びNiよりなる群から選択される何れか一つの金属物質を蒸着することによって形成されうる。
前記熱発散層を形成する段階後には、前記熱発散層の上面を化学機械的研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)工程によって平坦化させることが望ましい。
本発明によるインクジェットプリントヘッド及びその製造方法は、次のような効果を有する。
第一に、インク流路をインクチャンバと同一平面上で基板の表面に並んで形成することによって、インクの逆流現象による吐出不良を防止してプリントヘッドの性能を向上させうる。
第二に、熱発散層が厚く形成されうるので、ノズルを十分に長く確保できる。これにより、ノズルを通じて吐き出されるインク液滴の直進性を向上させうる。
第三に、金属物質よりなる熱発散層を通じてヒータ及びその周辺に残留する熱を基板及び外部に発散させることによって効果的な放熱がなされうる。これにより、ノズル部位の温度上昇を抑制でき、その結果、駆動周波数を向上させうる。
以下、添付された図面を参照して本発明による望ましい実施例を詳細に説明する。図面で同じ参照符号は同じ要素を表し、図面上で各要素のサイズや厚さは説明の明瞭性のために便宜上誇張されていることもある。また、一層が基板や他の層の上に存在すると説明される時、その層は基板や他の層に直接接しつつ上に存在することもあり、その間に第3の層が存在することもある。
図4は、本発明によるインクジェットプリントヘッドの概略的な平面図である。図4を参照すれば、インクジェットプリントヘッドは、インク吐出部103が2列に配置され、各インク吐出部103と電気的に連結されるボンディングパッド101が配置されている。図面ではインク吐出部103が2列に配置されているが、1列に配置されることもあり、解像度をさらに高めるために3列以上に配置されることもある。
図5は図4のA部分を拡大して示す平面図であり、図6は図5のVI−VI′線に沿って見たインクジェットプリントヘッドの垂直構造を示す断面図であり、図7は基板の表面に形成されたインクチャンバ及びインク流路を表す基板の一部斜視図である。
図面を参照すれば、インクジェットプリントヘッドの基板100にはその表面側に吐き出されるインクが充填されるインクチャンバ106が所定深さに形成され、その背面側にはインクチャンバ106にインクを供給するためのマニホールド102が形成される。
ここで、インクチャンバ106及びマニホールド102は各々基板100の表面及び背面をエッチングして形成されるので、その形状が多様に変形されうる。ここで、前記インクチャンバ106は、約10〜80μmの深さに形成されることが望ましい。そして、前記インクチャンバ106の下部に形成されたマニホールド102は、インクを含んでいるインク保存庫(図示せず)と連結される。
インクチャンバ106とマニホールド102との間には、これらを相互連結するインク流路105が基板100の表面側に形成される。ここで、インク流路105は、インクチャンバ106と同様に基板100の表面をエッチングして形成される。したがって、インク流路105の形状も多様に変形されうる。そして、前記インク流路105は、インクチャンバ106と同じ平面上で基板100の表面に並んで形成される。このようなインク流路105は、インクチャンネル105aとインクフィードホール105bとからなり、前記インクチャンネル105aはインクチャンバ106と連結され、前記インクフィードホール105bはマニホールド102と連結される。一方、前記インクチャンネル105aは、吐出特性を考慮して複数に形成されることもある。
前記インクチャンバ106、インク流路105及びマニホールド102が形成された基板100の上部にはノズルプレート120が設けられる。このようなノズルプレート120は、インクチャンバ106及びインク流路105の上部壁をなす。そして、このノズルプレート120にはインクチャンバ106からインクの吐出されるノズル104が垂直に貫通されて形成される。
前記ノズルプレート120は、基板100上に積層された多数の物質層からなる。この物質層は、第1、第2及び第3保護層121,122,126と、金属からなる熱発散層128とを含む。そして、第1保護層121と第2保護層122との間にはヒータ108が設けられ、第2保護層122と第3保護層126との間には導体(図5の112)が設けられる。
前記第1保護層121は、ノズルプレート120をなす多数の物質層のうち最下部の物質層であって基板100の上面に形成される。前記第1保護層121は、ヒータ108と基板100との間の絶縁及びヒータ108の保護のための物質層であってシリコン酸化物又はシリコン窒化物からなりうる。
インクチャンバ106の上部の第1保護層121上にはインクチャンバ106の内部のインクを加熱するヒータ108が形成される。前記ヒータ108は、複数形成され、その形成位置や形状を図面とは異ならせてもよい。したがって、前記ヒータ108は、ノズル104を取り囲む環状に形成されることもある。このようなヒータ108は、不純物がドーピングされたポリシリコン、タンタルアルミニウム合金、タンタル窒化物、チタン窒化物またはタングステンシリサイドのような発熱抵抗体からなる。
前記第2保護層122は、第1保護層121及びヒータ108上に設けられる。前記第2保護層122は、ヒータ108の保護のために設けられるものであって、前記第1保護層121と同様にシリコン窒化物またはシリコン酸化物からなりうる。
一方、図6には示されていないが、第2保護層122上にはヒータ108と電気的に連結されてヒータ108にパルス状の電流を印加する導体(図5の112)が設けられる。前記導体(図5の112)の一端部は、第2保護層122上に形成されたコンタクトホール(図示せず)を通じてヒータ108と接続され、その他端部はボンディングパッド(図4の101)に電気的に連結される。前記導体(図5の112)は電気及び熱伝導性が良い金属、例えば、AlやAl合金またはAuや銀からなりうる。
前記第3保護層126は、導体(図5の112)及び第2保護層122上に設けられる。前記第3保護層126は、TEOS(Tetraethylorthosilicate)酸化物またはシリコン酸化物からなりうる。
前記熱発散層128は、ノズルプレート120をなす多数の物質層のうち最上部の物質層である。前記熱発散層128は、熱伝導性が良好な金属、例えばNi、Cu、AlまたはAuからなりうる。また、前記熱発散層128は、複数の金属層からなることもある。このような熱発散層128は、前記金属物質の電気メッキによって約10〜100μmの厚さに形成されうる。このために、第3保護層126の上面及び基板100表面の両側には前記金属物質の電気メッキのためのシード層127が設けられる。前記シード層127は導電性が良好な金属、例えば、Cu、Cr、Ti、AuまたはNiからなりうる。また、前記シード層127は、複数の金属層からなることもある。
前記熱発散層128は、ヒータ108及びその周辺の熱を外部に発散させる機能を行う。すなわち、インクが吐出された後にヒータ108及びその周辺に残留する熱は熱発散層128を通じて基板100及び外部に発散される。したがって、インクが吐出された後にさらに速く放熱され、ノズル104の周囲の温度が低くなるので、高い駆動周波数で安定した印刷が可能になる。
前記のように熱発散層128は、比較的厚く形成されうるので、ノズル104を十分に長く確保できる。したがって、安定した高速印刷が可能になり、ノズル104を通じて吐き出されるインク液滴の直進性が向上する。すなわち、吐き出されるインク液滴が基板100に対して正確に垂直方向に吐出されうる。
一方、前記ノズル104は、下部ノズル104a及び上部ノズル104bからなる。下部ノズル104aは第1、第2及び第3保護層121,122,126に円筒状に形成され、上部ノズル104bは熱発散層128に出口側に行くほど直径が小さくなるテーパ状に形成される。このように、上部ノズル104bがテーパ状に形成される場合には、インクの吐出後にインクの表面のメニスカスがさらに速く安定される長所がある。
前記のような構造のインクジェットプリントヘッドで、インクがノズル104を通じて吐き出されるメカニズムを説明する。
まず、インクチャンバ106とノズル104との内部にインクが充填された状態で、導体112を通じてヒータ108にパルス状の電流が印加されれば、ヒータ108から熱が発生する。このように発生した熱は、ヒータ108の下部の第1保護層121を通じてインクチャンバ106内のインクに伝えられ、これによりインクが沸騰してバブルが生成される。生成されたバブルは継続的な熱の供給によって膨脹し、これによりノズル104内のインクはノズル104の外部に押し出される。
次いで、印加した電流を遮断すれば、バブルは収縮して消滅する。この時、ノズル104の外部に押されたインクは液滴状に吐き出される。一方、インク液滴の吐出後にヒータ108とその周辺に残留している熱が熱発散層128を通じて基板100及び外部に発散されるので、ヒータ108とその周辺の温度は速く低下する。
次いで、インクチャンバ106の内部は、マニホールド102からインクチャンネル105a及びインクフィードホール105bを通じて供給されるインクで再充填される。インクのリフィルが完了して初期状態に復帰すれば、前記過程が反復される。
前記のような本発明の実施例によるインクジェットプリントヘッドでは、インク流路105がインクチャンバ106と同一平面上で基板100の表面に並んで形成されるので、インクの逆流現象を減らせる。そして、インクチャンバ106及びインク流路105がエッチング方法によって形成されるので、その形状を多様に変形できる。したがって、最適の形状を有するインクチャンバ106及びインク流路105を形成できる。また、金属からなる熱発散層128はメッキ工程によって形成されるので、インクジェットプリントヘッドの他の構成要素と一体に形成され、また比較的厚く形成されうるので効果的に放熱されうる。
以下では、本発明の実施例によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明する。図8ないし図19は、本発明の実施例によるインクジェットプリントヘッドを製造する過程を示す断面図である。
図8は、基板100の表面にグルーブを形成した後、前記基板100を酸化させて基板100の表面及び背面にシリコン酸化物層130,140を形成した状態を示す図面である。
まず、本実施例では、基板100としてはシリコンウェーハを約300〜700μmほどの厚さに加工して使用する。これはシリコンウェーハが半導体素子に広く使われるものであって、量産に効果的であるためである。
一方、図8に示されたものは、シリコンウェーハの極めて一部を示すものであって、本発明の実施例によるインクジェットプリントヘッドは、一つのウェーハに数十ないし数百個のチップ状態で製造されうる。
そして、準備されたシリコン基板100の上面にエッチングされる部位を限定するエッチングマスクを形成する。前記エッチングマスクは、基板100の上面にフォトレジストを所定厚さに塗布した後、これをパターニングすることによって形成されうる。
次いで、前記エッチングマスクを通じて露出された基板100をエッチングして、所定形状のグルーブを形成する。前記基板100のエッチングは、反応性イオンエッチング法(RIE:Reactive Ion Etching)のようなドライエッチング法により行われうる。前記グルーブは、以後にインクチャンバ(図6の106)及びインク流路(図6の105)が形成される部分であって、その深さは約10〜80μmほどが望ましい。一方、このようなグルーブは、基板100の表面のエッチング形態によって多様な形状に形成され、これにより所望の形状のインクチャンバ及びインク流路が得られる。前記グルーブを形成した後には、基板100上のエッチングマスクを除去する。
次いで、前記グルーブが形成された基板100を酸化させて基板100の表面及び背面に各々シリコン酸化物層130,140を形成する。
図9は、基板100に形成されたグルーブの内部に犠牲層250を形成した後、基板100の表面を平坦化させた状態を示す図面である。
具体的に、酸化された基板100の表面に形成されたグルーブの内部にポリシリコンをエピタキシャル方法で成長させて犠牲層250を形成する。次いで、化学機械的研磨によって前記犠牲層250と基板100の表面とを同じ平面に平坦化させる。この時、外部に突出したシリコン酸化物層140も共に除去される。
図10は、図9に示された結果物の全面に第1保護層121を形成し、その上にヒータ108、第2保護層122、導体(図5の112)及び第3保護層126を順次に積層した状態を示す図面である。
具体的に、まず平坦化された基板100の表面に第1保護層121を形成する。前記第1保護層121は、シリコン酸化物又はシリコン窒化物を蒸着することによってなりうる。
次いで、前記第1保護層121上にヒータ108を形成する。前記ヒータ108は、第1保護層121の全面に不純物がドーピングされたポリシリコン、タンタルアルミニウム合金、タンタル窒化物、チタン窒化物またはタングステンシリサイドの発熱抵抗体を所定厚さに蒸着した後、これをパターニングすることによって形成されうる。具体的に、ポリシリコンは不純物であって、例えばリン(P)のソースガスと共に低圧化学気相蒸着法(LPCVD:Low Pressure Chemical Vapor Deposition)によって約0.7〜1μmの厚さに蒸着され、タンタルアルミニウム合金、タンタル窒化物、チタン窒化物またはタングステンシリサイドは、スパッタリング又は化学気相蒸着法(CVD)によって約0.1〜0.3μmの厚さに蒸着されうる。この発熱抵抗体の蒸着厚さは、ヒータ108の幅と長さとを考慮して適正な抵抗値を有するように他の範囲にしうる。第1保護層121の全面に蒸着された発熱抵抗体は、フォトマスク及びフォトレジストを利用した写真工程とフォトレジストパターンをエッチングマスクとしてエッチングするエッチング工程とによってパターニングされうる。
次いで、ヒータ108が形成された第1保護層121の全面にシリコン酸化物またはシリコン窒化物からなる第2保護層122を約0.2〜1μmの厚さに蒸着することによってなりうる。次いで、前記第2保護層122をエッチングして導体(図5の112)と接続される部分のヒータ108を露出させるコンタクトホール(図示せず)を形成する。
次いで、前記第2保護層122の全面に電気及び熱伝導性が良い金属、例えば、AlやAl合金またはAuや銀(Ag)をスパッタリングによって約0.5〜2μmの厚さに蒸着し、これをパターニングすることによって導体(図5の112)を形成する。これにより、導体(図5の112)は前記コンタクトホール(図示せず)を通じてヒータ108と接続される。
次いで、第2保護層122及び導体(図5の112)の上面に第3保護層126を形成する。具体的に、前記第3保護層126は、導体(図5の112)と以後に形成される熱発散層(図6の128)との間の絶縁のためのものであって、TEOS酸化物をプラズマ化学気相蒸着法(PECVD:Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)によって約0.7〜3μmほどの厚さに蒸着することによってなりうる。
図11は、下部ノズル104aを形成した状態を示す図面である。前記下部ノズル104aは、第3保護層126、第2保護層122及び第1保護層121をRIE法によってエッチングすることによって形成されうる。このようなエッチング過程によって基板100の表面側に形成された犠牲層250の一部と基板100の表面の両側が露出される。
図12は、下部ノズル104aの内部に下部メッキ枠350を形成し、その上にシード層127を形成した状態を示す図面である。具体的に、前記下部メッキ枠350は、図11の結果物の全面にフォトレジストを所定厚さに塗布した後、これをパターニングして下部ノズル104aの内部に充填されたフォトレジストだけ残すことによって形成されうる。一方、前記下部メッキ枠350は、フォトレジストだけでなく感光性ポリマーからなることもある。
次いで、前記段階の結果物の全面に電気メッキのためのシード層127を形成する。前記シード層127は、電気メッキのために導電性が良好なCu、Cr、Ti、AuまたはNiのような金属をスパッタリングによって約500〜3000Åの厚さに蒸着することによってなりうる。一方、前記シード層127は、複数の金属層からなることもある。
図13は、上部ノズル(図6の104b)形成のための上部メッキ枠450を形成した状態を示す図面である。前記上部メッキ枠450は、シード層127の全面にフォトレジストを塗布した後、これをパターニングして上部ノズル(図6の104b)が形成される部位にだけフォトレジストを残存させることによって形成されうる。一方、前記上部メッキ枠450はフォトレジストだけでなく、感光性ポリマーからなることもある。上部メッキ枠450は、上側に行くほどその直径が次第に小さくなるテーパ状に形成される。一方、上部ノズルは円筒状になることもあり、この場合に上部メッキ枠は柱状に形成される。
一方、前記下部メッキ枠350及び上部メッキ枠450は、次のような段階を経て形成されることもある。図19を参照すれば、下部メッキ枠350を形成する前に、図11の結果物の全面に電気メッキのためのシード層127′を形成する。次いで、下部メッキ枠350と上部メッキ枠450とを順次に形成する。一方、前記下部及び上部メッキ枠350,450は、一体に共に形成されることもある。
図14は、シード層127の上面に所定厚さの金属物質からなる熱発散層128を形成した状態を示す図面である。前記熱発散層128は、熱伝導性が良好な金属、例えばNi、Cu、AlまたはAuをシード層127の表面に電気メッキさせて約10〜100μmの厚さに形成されうる。この時、前記熱発散層128は、複数の金属層からなることもある。この熱発散層128の厚さは、上部ノズルの断面積と断面形状、基板100及び外部への放熱能力を考慮して適正に決定されうる。
電気メッキが完了した後の熱発散層128の表面は、その下部に形成された物質層によって凹凸を有する。したがって、CMPによって熱発散層128の表面を平坦化しうる。
次いで、上部メッキ枠450と、上部メッキ枠450の下部のシード層127と、下部メッキ枠350とを順次に除去する。前記上部及び下部メッキ枠450,350は、通常的にフォトレジスト除去方法によって除去されうる。前記シード層127は、熱発散層128をなす金属物質とシード層127をなす金属物質とのエッチング選択性を考慮してシード層127のみを選択的にエッチングできるエッチング液を使用するウェットエッチングによってエッチングされうる。例えば、シード層127がCuからなる場合には酢酸ベースエッチング液を、そしてシード層127がTiからなる場合にはHFベースエッチング液を使用できる。それにより、図15に示されたように、下部ノズル104aと上部ノズル104bとが連結されて完全なノズル104が形成され、多数の物質層が積層されたノズルプレート120が完成される。この時、インクチャンバ(図6の106)及びインク流路(図6の105)を形成する空間に充填されている犠牲層250の一部表面がノズル104を通じて露出される。
図16は、基板100の背面にマニホールド102を形成した状態を示す図面である。具体的に、シリコン基板100の背面に形成されたシリコン酸化物層130をパターニングしてエッチングされる領域を限定するエッチングマスクを形成する。次いで、前記エッチングマスクによって露出されたシリコン基板100をエッチング液でTMAH(Tetramethyl Ammonium Hydroxide)または水酸化カルシウム(KOH:potassiumhydroxide)を使用してウェットエッチングすれば、図示されたように側面が傾斜したマニホールド102が形成される。一方、前記マニホールド102は、基板100の背面を異方性ドライエッチングすることによって形成されることもある。
図17は、基板100の表面にインクチャンバ106及びインク流路105を形成した状態を示す図面である。前記インクチャンバ106及びインク流路105は、犠牲層(図16の250)を等方性エッチングすることによって形成できる。具体的に、XeFガスまたはBrFガスをエッチングガスとして使用してノズル104を通じて露出された犠牲層(図16の250)を所定時間ドライエッチングする。この時、犠牲層(図16の250)のエッチングは、等方性エッチングによってなされるので、犠牲層(図16の250)はノズル104を通じて露出された部分から全ての方向に同じ速度でエッチングされる。しかし、エッチング阻止壁としての役割を行うシリコン酸化物層140でこれ以上のエッチングが阻止される。これにより、図示されたようにインクチャンバ106及びインク流路105が同一平面上で基板100の表面に並んで形成される。ここで、基板100の表面に形成されるインクチャンバ106及びインク流路105の深さは約10〜80μmほどとなる。前記インク流路105は、インクチャンバ106と連結されるインクチャンネル105aと、マニホールド102と連結されるインクフィードホール105bとで構成される。
図18は、基板100に形成されたインク流路105とマニホールド102とを連結した状態を示す図面である。具体的に、基板100の表面に形成されたインク流路105と基板100の背面に形成されたマニホールド102との間にあるシリコン酸化物層140をエッチングによって除去すれば、インク流路105とマニホールド102とが連結される。これにより、本発明の実施例によるインクジェットプリントヘッドが完成される。
図20ないし図22は、本発明によるインクジェットプリントヘッドを製造する他の過程を示す断面図である。この製造方法は、犠牲層を形成する段階を除いては、前述したインクジェットプリントヘッドの製造方法と同じであるので、以下では犠牲層を形成する段階だけを説明する。
まず、本製造方法では、図20に示されたように、基板として二つのシリコン基板310,330間に絶縁層320が介在されたSOI(Silicon on Insulator)基板300が使われる。ここで、上部シリコン基板330の厚さは約10〜80μmであり、下部シリコン基板310の厚さは約300〜700μmである。
次いで、図21に示されたように、上部シリコン基板330の表面をエッチングして絶縁層320が露出されるように所定形状のトレンチ340を形成する。上部シリコン基板330のエッチングは、RIE法のようなドライエッチング法によって行われうる。前記トレンチ340は、インクチャンバ(図6の106)及びインク流路(図6の105)が形成される部位を取り囲む形状に形成され、その幅はその内部に所定の物質が容易に充填されうるように数μmほどに形成される。
次いで、図22に示されたように、前記トレンチ340にシリコン酸化物370を充填した後、上部シリコン基板330の表面を平坦化させる。これにより、前記シリコン酸化物370によって取り囲まれた部分がインクチャンバ(図6の106)及びインク流路(図6の105)の形成のための犠牲層250′となる。したがって、本製造方法によって形成された犠牲層250′は、前述したポリシリコンとは異なりシリコンからなる。
以後の段階は、前述した図10ないし図18に示された段階と同じである。
以上、本発明の望ましい実施例が詳細に説明されたが、本発明の範囲はこれに限定されず、多様な変形及び均等な他の実施例が可能である。したがって、本発明によるインクジェットプリントヘッドの各要素は、例示された物質と異なる物質が使用され、各物質の積層及び形成方法も単に例示されたものであって、多様な蒸着方法及びエッチング方法が適用されうる。また、本発明によるインクジェットプリントヘッドの製造方法において、各段階の順序は、場合によって、例示されたものと異にすることもある。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲によって決定されなければならない。
本発明は印刷用インクの微小な液滴を記録用紙上の所望の位置に吐出させて所定色相の画像で印刷するインクジェットプリントヘッドに適用可能である。
従来のインクジェットプリントヘッドの一例を示す斜視図である。 従来のインクジェットプリントヘッドの他の例を示す斜視図である。 従来のインクジェットプリントヘッドのさらに他の例を示す斜視図である。 本発明の実施例によるインクジェットプリントヘッドの概略的な平面図である。 図4のA部分を拡大して示す平面図である。 図5のVI−VI′線に沿って見たインクジェットプリントヘッドを示す断面図である。 インクチャンバ及びインク流路が形成された基板の一部斜視図である。 本発明の実施例によるインクジェットプリントヘッドを製造する過程を示す図面である。 本発明の実施例によるインクジェットプリントヘッドを製造する過程を示す図面である。 本発明の実施例によるインクジェットプリントヘッドを製造する過程を示す図面である。 本発明の実施例によるインクジェットプリントヘッドを製造する過程を示す図面である。 本発明の実施例によるインクジェットプリントヘッドを製造する過程を示す図面である。 本発明の実施例によるインクジェットプリントヘッドを製造する過程を示す図面である。 本発明の実施例によるインクジェットプリントヘッドを製造する過程を示す図面である。 本発明の実施例によるインクジェットプリントヘッドを製造する過程を示す図面である。 本発明の実施例によるインクジェットプリントヘッドを製造する過程を示す図面である。 本発明の実施例によるインクジェットプリントヘッドを製造する過程を示す図面である。 本発明の実施例によるインクジェットプリントヘッドを製造する過程を示す図面である。 本発明の実施例によるインクジェットプリントヘッドを製造する過程を示す図面である。 本発明によるインクジェットプリントヘッドを製造する他の過程を示す断面図である。 本発明によるインクジェットプリントヘッドを製造する他の過程を示す断面図である。 本発明によるインクジェットプリントヘッドを製造する他の過程を示す断面図である。
符号の説明
101 ボンディングパッド
103 インク吐出部

Claims (30)

  1. 吐き出されるインクが充填されるインクチャンバがその表面側に形成され、前記インクチャンバにインクを供給するためのマニホールドがその背面側に形成され、前記インクチャンバと前記マニホールドとを連結するインク流路がその表面に並んで形成された基板と、
    前記基板上に積層され、絶縁物質よりなる多数の保護層と、前記保護層上に積層され、熱伝導性のある金属物質よりなる熱発散層とを含み、前記インクチャンバと連結されるノズルが貫通して形成されたノズルプレートと、
    前記ノズルプレートの前記保護層間に設けられるものであって、前記インクチャンバの上部に位置して前記インクチャンバ内部のインクを加熱するヒータと、前記ヒータに電流を印加する導体と、
    を備えることを特徴とするインクジェットプリントヘッド。
  2. 前記インク流路は、前記インクチャンバと同一平面上に形成されることを特徴とする請求項1に記載のインクジェットプリントヘッド。
  3. 前記インク流路は、前記インクチャンバと連結される少なくとも一つのインクチャンネル、及び、前記インクチャンネルと前記マニホールドとを連結するインクフィードホール、を備えることを特徴とする請求項1に記載のインクジェットプリントヘッド。
  4. 前記保護層は、前記基板上に順次に積層された第1保護層、第2保護層及び第3保護層を含み、前記ヒータは、前記第1保護層と前記第2保護層との間に設けられ、前記導体は、前記第2保護層と前記第3保護層との間に設けられることを特徴とする請求項1に記載のインクジェットプリントヘッド。
  5. 前記多数の保護層には前記ノズルの下部が形成され、前記熱発散層には前記ノズルの上部が形成されることを特徴とする請求項1に記載のインクジェットプリントヘッド。
  6. 前記熱発散層に形成される前記ノズルの上部は出口側に行くほど断面積が狭くなるテーパ状からなることを特徴とする請求項5に記載のインクジェットプリントヘッド。
  7. 前記熱発散層は、少なくとも一つの金属層からなり、前記金属層各々はニッケル、銅、Al及び金からなる群より選択される何れか一つの金属物質からなることを特徴とする請求項1に記載のインクジェットプリントヘッド。
  8. 前記熱発散層は、電気メッキにより10〜100μmの厚さに形成されたことを特徴とする請求項1に記載のインクジェットプリントヘッド。
  9. 前記保護層上に前記熱発散層の電気メッキのためのシード層が形成されたことを特徴とする請求項1に記載のインクジェットプリントヘッド。
  10. 前記シード層は、少なくとも一つの金属層からなり、前記金属層各々は銅、クロム、チタン、金及びニッケルからなる群より選択される何れか一つの金属物質からなることを特徴とする請求項9に記載のインクジェットプリントヘッド。
  11. 基板の表面側に所定深さの犠牲層を形成する段階と、
    前記犠牲層が形成された前記基板上に多数の保護層を順次に積層しつつ、ヒータと前記ヒータに連結される導体とを前記保護層間に形成する段階と、
    前記保護層上に金属からなる熱発散層を形成し、インクが吐き出されるノズルを前記熱発散層と前記保護層とを貫通するように形成して前記犠牲層を露出させる段階と、
    前記基板の背面側にインクを供給するマニホールドを形成する段階と、
    前記犠牲層を除去してインクチャンバ及びインク流路を形成する段階と、
    前記マニホールドと前記インク流路とを連結する段階と、
    を含むことを特徴とするインクジェットプリントヘッドの製造方法。
  12. 前記犠牲層を形成する段階は、
    前記基板の表面をエッチングして所定深さのグルーブを形成する段階と、
    前記グルーブが形成された前記基板の表面を酸化させて酸化物層を形成する段階と、
    前記グルーブの内部に所定の物質を充填した後、前記基板の表面を平坦化させる段階と、
    を含むことを特徴とする請求項11に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
  13. 前記グルーブの内部に所定の物質を充填する段階は、前記グルーブの内部にポリシリコンをエピタキシャル成長させて充填する段階であることを特徴とする請求項12に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
  14. 前記犠牲層を形成する段階は、
    SOI基板の上部シリコン基板に絶縁層を露出させる所定形状のトレンチを形成する段階と、
    前記トレンチ内部に所定物質を充填する段階と、
    を含むことを特徴とする請求項11に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
  15. 前記所定物質は、シリコン酸化物であることを特徴とする請求項14に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
  16. 前記保護層を形成する段階は、
    前記犠牲層が形成された前記基板の表面に第1保護層を形成する段階と、
    前記第1保護層上に前記ヒータを形成する段階と、
    前記第1保護層及び前記ヒータ上に第2保護層を形成する段階と、
    前記第2保護層上に前記導体を形成する段階と、
    前記第2保護層及び前記導体上に第3保護層を形成する段階と、
    を含むことを特徴とする請求項11に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
  17. 前記熱発散層は少なくとも一つの金属層からなり、前記金属層各々はニッケル、銅、Al及び金からなる群より選択される何れか一つの金属物質を電気メッキすることによって形成されることを特徴とする請求項11に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
  18. 前記熱発散層は、10〜100μmの厚さに形成されることを特徴とする請求項11に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
  19. 前記熱発散層及び前記ノズルを形成する段階は、
    前記犠牲層上部の前記保護層をエッチングして下部ノズルを形成する段階と、
    前記下部ノズルの内部に下部メッキ枠を形成する段階と、
    前記下部メッキ枠上に上部ノズル形成のための所定形状の上部メッキ枠を形成する段階と、
    前記保護層上に前記熱発散層を電気メッキにより形成する段階と、
    前記上部及び下部メッキ枠を除去して前記上部ノズルと前記下部ノズルとからなるノズルを形成する段階と、
    を含むことを特徴とする請求項11に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
  20. 前記下部メッキ枠及び上部メッキ枠は、フォトレジストまたは感光性ポリマーからなることを特徴とする請求項19に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
  21. 前記熱発散層及び前記ノズルを形成する段階は、
    前記犠牲層上部の前記保護層をエッチングして下部ノズルを形成する段階と、
    上部ノズル形成のための所定形状のメッキ枠を前記下部ノズルの内部から垂直方向に形成する段階と、
    前記保護層上に前記熱発散層を電気メッキにより形成する段階と、
    前記メッキ枠を除去して前記上部ノズル及び前記下部ノズルからなる前記ノズルを形成する段階と、
    を含むことを特徴とする請求項11に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
  22. 前記メッキ枠は、フォトレジストまたは感光性ポリマーからなることを特徴とする請求項21に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
  23. 前記下部ノズルは、前記保護層を反応性イオンエッチングによりドライエッチングすることによって形成されることを特徴とする請求項19に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
  24. 前記下部ノズルは、前記保護層を反応性イオンエッチングによりドライエッチングすることによって形成されることを特徴とする請求項21に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
  25. 前記保護層上に前記熱発散層の電気メッキのためのシード層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項19に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
  26. 前記保護層上に前記熱発散層の電気メッキのためのシード層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項21に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
  27. 前記シード層は少なくとも一つの金属層からなり、前記金属層各々は銅、クロム、チタン、金及びニッケルからなる群より選択される何れか一つの金属物質を蒸着することによって形成されることを特徴とする請求項25に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
  28. 前記シード層は少なくとも一つの金属層からなり、前記金属層各々は銅、クロム、チタン、金及びニッケルからなる群より選択される何れか一つの金属物質を蒸着することによって形成されることを特徴とする請求項26に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
  29. 前記熱発散層を形成する段階後に、前記熱発散層の上面を化学機械的研磨工程によって平坦化させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項19に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
  30. 前記熱発散層を形成する段階後に、前記熱発散層の上面を化学機械的研磨工程によって平坦化させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項21に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。

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