TWI248116B - Alignment mark forming method, substrate in which devices are formed, and liquid discharging head using substrate - Google Patents

Description

1248116 ⑴ 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係相關於形成用在平版印刷處理的對準標示之 方法、形成有裝置之基底、和使用該基底之液體排放頭。 [先前技術】 用於在半導體裝置製造處理等中形成想要圖型之光微 影技術是一種將抗蝕劑塗敷於基底上以執行烘焙之技術， 基底上的抗蝕劑被標示及利用形成有形成在基底上的想要 圖型之光罩加以曝光，執行抗蝕劑的顯影’然後藉由蝕刻 去除要蝕刻的材料以在基底上形成想要圖型。在半導體裝 置製造處理中，因爲要在基底上形成複雜的圖型’所以利 用各種光罩重複地執行曝光、顯影、及蝕刻。因此’爲了 在已形成有特定圖型的基底和是後來圖型原板的光罩之間 執行對準，必須要使用影像處理的對準處理所需之對準標 示被配置在基底的對準標示和光罩彼此相對之位置上。 如圖6所示，在半導體裝置製造處理中，以集體方式 自稱作晶圓的基底1 0 〇 1形成複數想要的產品裝置1 0 0 8是 一主流。在以集體方式自基底1001形成複數產品裝置 1008的例子中，對準專用的對準標示被配置在對準標示 專用的區域 1007中，區域 1〇〇7不同於變成產品裝置 1 0 0 8的部位。 圖7爲當自圖6所示的基底1 〇〇 1下表面側觀看時， 圖示圖6的區域A中之對準標示專用的區域1 〇 〇 7之放大 (2) 1248116 圖。如圖7所示，”十字形”基底側對準標示1002形成在 位在基底1001上表面的對準標示專用之區域1007中。抗 蝕圖型1005形成在基底1001下表面。抗蝕圖型1005包 括被配置在對應於十字形基底側對準標示1〇〇2的四角位 置之對準標示軌跡1 005 a。如圖7所示，對準標示軌跡 1 0 0 5 a形成在對準標示 1 0 0 2的上右、下右、上左、和下 左位置，以便不會與對準標示1002重疊。圖7爲基底 1 〇 〇 1上表面的基底側對準標示1 〇 〇 2之立體圖。 在不同於變成產品裝置的部位之對準標示專用的區域 配置對準用對準標示之技術是眾所皆知的，無需在詳述。 然而，當對準用對準標示1002被配置在不同於變成 產品裝置1 008的區域之對準標示專用的區域1 007時，由 於區域 1007的尺寸減少自基底 1001獲得的產品裝置 1008產量。因爲個別產品裝置1008係由晶圓切割形成有 複數產品裝置108之基底1001加以獲得，所以即使對準 標示10〇2的尺寸小於個別產品裝置1008的區域，未用於 產品裝置1 008的每一對準標示1007區域變成等於每—產 品裝置1008的區域。因此，當產品裝置1〇〇8的區域減少 時，產量減少就變得相當明顯。 另一方面，爲了去掉未用於產品裝置的區域，__ _ 對準標示被配置在不同於變成產品裝置的區域之胃$胃# 專用的區域中’但是對準標示被設置於產品裝置本身區域 內之技術是眾所皆知的。 然而，在技術中，個別產品裝置的區域由於需要配置' -5 - (3) 1248116 對準標示區域而增加，使得，產品裝置產量也無法大量增 加。 因此，近年來，在切割基底的區域（通常稱作”劃割 線”）中配置對準標示的技術被用作解決由於設置對準標 示而減少產品裝置產量的技術之一。根據該技術，因爲對 準標示被指定於晶圓切割處理中被切割的點，所以無需在 基底上分別保留配置對準標示的區域，如此，使基底被有 效地用於增加產品裝置產量。例如，日本專利申請案先行 公開案號2003 -092246中所說明的技術。 將參照圖8說明該技術。當用於切割的切割刀（晶圓 切割刀片）厚度大約是50 // m時，因爲目前光微影技術 的精密規定，可配置對準標示1002在切割線1 006 .上。然 而，在此例中，因爲當形成的對準標示越精密，越需要使 用能夠高準確地執行該精密圖形形成之裝置，而此種裝置 很昂貴。當形成對準標示所需的準確性高於形成產品裝置 所需的準確性時，製造具有此種準確性的產品裝置會導致 產品裝置性能過於侷限。 在穿過基底的通孔被特別當作產品裝置的必要功能時 ，上述有關對準標示配置的問題會明顯出現。例如，在噴 墨記錄頭的製造處理中，墨水排放能量產生元件和噴嘴形 成在 S i基底上，用以自外部供應墨水到每一噴嘴之墨水 供應口需要穿過S:i基底。通常藉由光微影術製造通孔。 在具有反應氣體之特別S i各向異性蝕刻或乾蝕刻中，被 用於製造通孔。在每一例子中，製造通孔需要藉由在墨水 -6 - 1248116 (4) 供應口和配置在基底之墨水排放能量產生元件或噴嘴的結 構之間執行對準。然而，當S i基底被蝕刻以製造通孔時 ，形成在 S i基底上的對準標示也被蝕刻。因此，有時凹 面破壞會產生在基底中形成有對準標示的部位。 當藉由在不影響變成產品裝置的區域之區域中形成對 準標示解決問題時，即如上述，在與產品裝置無關之對準 標不專用的區域中’自基底的產品裝置產量由於對準標不 專用的區域而減少。 當採用在劃割線1 0 0 6上配置對準標示之技術時，即 使在尺寸方面能夠配置對準標示在劃割線1 0 0 6上，但是 因爲在蝕刻期間會自形成有對準標示的部位出現側蝕刻（ 與實際抗飩圖型比較，蝕刻以交叉方向散開），所以會在 配置於對準標示的四角附近之產品裝置中產生缺陷。如此 ，對產品裝置品質較不好。 將參照圖9說明此現象。假設當Si基底1001被蝕刻 時，產生在基底1001下表面的對準標示軌跡1 005 a之形 成點中的側蝕刻量在某一側方向是5 0 // m，則對準標示軌 跡1005a具有50//m乘50//m的原有尺寸（見圖7)，及 Si基底1001的<11 1>表面和Si各向異性蝕刻的傾斜角是 54·7 °，如此，在側蝕刻後，形成有對準標示軌跡1005a 的部位變成具有四邊形三角錐形狀之溝槽1009，其開口 部位是1 5 0 /i m乘1 5 0 μ ni及深度t大約是1 0 6 // m。 擴大劃割線1 006寬度或形成更精細的對準標示被視 作減少側蝕刻影響的技術。但是，當擴大劃割線1 006寬 (5) 1248116 度時，產品裝置產量會由於劃割線1 006寬度而減少。當 形成更精細的對準標示時，不但增加對準標示形成裝置成 本，而且同時會有對準準確性難以維持在精密的對準標示 之問題。 尤其是，在半導體裝置製造處理中，自晶圓基底獲得 多少產品裝置產量大大影響產品裝置成本。因此，當在基 底和光罩之間對準用的對準標示形成在基底上時，必須配 置對準標示，使得對準標示減少產品裝置產量。 [發明內容】 本發明的目的係提供一對準標示形成方法，該方法使 得在基底和光罩之間對準用的對準標示可被配置成不會減 少產品裝置產量、設置藉由使用對準標示形成方法形成有 裝置之基底、及使用基底的液體排放頭。 本發明的另一目的係提供一對準標示形成方法，該方 法因爲對準標示被配置在形成基底的裝置之區域中並且由 後處理去除，所以無需設置配置對準標示專用的區域，及 裝置本身尺寸也不會由於對準標示尺寸而增加、設置使用 對準標示形成方法形成有裝置之基底、及使用基底的液體 排放頭。 本發明的另一目的係提供一對準標示形成方法，其中 在形成有複數裝置之基底和用以掩蔽抗蝕劑以便藉由光微 影處理執行塗敷在基底上的抗蝕劑之圖型化的光罩之間形 成對準用的對準標示的方法中，對準標示形成在處理形成 -8 - (6) 1248116 有裝置的基底部位之後處理期間自基底去除的區域內、設 直使用對準標示形成方法形成有裝置的基底中、及使用基 底的液體排放頭。 【實施方式】 在下面詳細說明的本發明中，在基底所執行的處理之 後的處理期間，藉由在自基底去除的區域內形成對準標示 ’可配置對準標示卻不會減少來自基底的裝置產量，及也 可達到裝置本身的微型化。 將參照附圖說明本發明的較佳實施例。 圖1爲在藉由應用本發明的對準標示形成方法形成裝 置之步驟中的裝置實施例之槪要配置平面圖。圖2圖示形 成在圖1所示的基底上表面之基底側對準標示的立體圖及 在基底下表面上所掩蔽的光罩之對準標示軌跡。圖2圖示 當自下表面側觀看時之形成在下表面上的抗蝕圖型5 (見 圖3A到3F)之基底1。 如圖1及2所示，在藉由應用本發明的對準標示形成 方法所形成之裝置中，基底側對準標示2形成在於後處理 期間通孔6 (見圖3 A到3 F )被形成於基底上表面中之區 域（下文將稱作”通孔製成區6 ’ ”）內。在基底1下表面中 ，光罩的對準標示軌跡5 a是抗蝕圖型5的一部分，光罩 的對準標示軌跡5 a被形成在與基底側對準標示2相對的 位置。當通孔6被形成在基底1的通孔製成區6 ’中時， 去除基底側對準標示2和光罩的對準標示軌跡5 a。 -9 ^ 1248116 ⑺ 圖1只圖示基底1中變成產品裝置8之部位。事實上 ，基底1具有能夠形成有複數產品裝置8的尺寸。在基底 1中形成複數產品裝置8之後藉由切割基底1可獲得圖1 所示的個別產品裝置8。 在用於形成基底1下表面中的抗蝕圖型5和對準標示 軌跡5 a之光罩（未圖示）中（稍後將說明），當於塗敷 在基底1下表面側的抗蝕劑執行圖型化時，抗蝕劑被掩蔽 。藉由利用影像處理的位置控制加以定位光罩以執行有關 基底1的光罩之對準，使得在基底1的上表面側上之”十 字形”對準標示2被配置在光罩的對準標示中，該光罩的 對準標示係藉由各自在四角配置四個正方形對準標示軌跡 5 a加以形成。尤其是，利用影像處理的位置控制被執行 成自基底1上表面側所取之基底側對準標示2的影像和自 基底1下側所取之光罩的對準標示之影像利用影像處理彼 此重疊，及光罩的位置被調整成對準標示產生在右邊位置 〇 雖然在實施例中以上述形狀形成對準標示2和光罩的 對準標示，但是對準標示的形狀並不侷限於該實施例。 將參照圖3 A到3 F說明藉由應用本發明的對準標示 形成方法形成裝置的處理。 如圖3 A所示，裝置的功能性元件（未圖示）和由諸 如鋁等配線材料製成並且驅動功能性元件之電路配線（未 圖不）被形成在由Si製成的基底1上表面上。在基底1 上表面中，在形成功能性元件和電路配線期間，基底側對 -10 - (8) 1248116 準標示2被形成在通孔製成區6 5範圍內，通孔製成區6 5 係通孔6形成在基底1之處。基底側對準標示2由與形成 電路配線的配線材料相同之材料製成。如此，在基底1中 形成功能性元件等時也同時形成基底側對準標示2可去除 設置基底側對準標示2的特別處理之需要。當在後述處理 的基底1之下表面上所掩蔽的光罩（未圖不）藉由利用影 像處理的位置控制與基底1排成一直線時，使用基底側對 準標示2。 圖3A到3F也只圖示在基底1中變成一產品裝置8 的部位。事實上，基底1具有能夠形成有複數產品裝置8 的尺寸。 然後，如圖3A所示，在鈍化層3形成於基底1上表 面側上的同時，抗蝕層4形成在基底1下表面側上。鈍化 層3具有用以保護形成在基底1上表面上之功能性元件及 電路配線之保護層和在以濕蝕刻形成通孔6中的蝕刻劑之 停止層的功能。鈍化層3由諸如SiN或P-SiO等材料製成 。抗蝕層4由矽熱氧化薄膜形成，及抗蝕層4由諸如S iN 及S i 0 2等材料製成。 如圖3 B所示，包括光罩的對準標示軌跡5 a之抗蝕圖 型5形成在基底1下表面上的抗蝕層4上。抗蝕圖型5的 形成被執行如下： 首先，用以形成抗鈾圖型5的光致抗蝕劑被塗敷於抗 蝕層4上。藉由如上述將光罩和光致抗蝕劑排成一直線， 以具有形成在基底1上的圖型形狀和對準標示之光罩（未 -11 - 1248116 Ο) 圖示）掩蔽光致抗飩劑，然後光致抗蝕劑被曝光以執行顯 影。如此形成圖示在3 B之包括光罩的對準標示軌跡5 a之 抗蝕圖型5。對準標示軌跡5 a位在基底1的通孔製成區 6 7範圍內。 如圖3 C所示，使用市面上買得到的緩衝氫氟酸以濕 蝕刻執行抗蝕層4的圖型化。在抗蝕層4的圖型化之後， 自抗蝕層4去除抗蝕圖型5和對準標示軌跡5 a (圖3 D ) 。對應於抗蝕圖型5的對準標示軌跡5 a之對準標示軌跡 4 a被形成在抗蝕層4中。 然後，藉由蝕刻基底1執行圖型化。在此點，如圖 3 E所示，通孔6被製造於基底1的通孔製成區6，中。 知道有利用S i的晶體取向之各向異性蝕刻技術和藉 由導入混合有CF4, H2, 〇2, N2等反應氣體所執行的電獎鈾 刻技術被當作圖型化基底1的蝕刻方法。在實施例中，可 以使用這些技術。經由例子，下面將說明以各向異性鈾刻 技術當作蝕刻方法的例子。 S 1各向異性蝕刻技術係當利用強鹼蝕刻劑執行濕蝕 刻時’在晶體取向的<111>表面和<1〇〇>表面之間利用触 刻半的不同加以執行之蝕刻。在實施例中，使用2〇wt% KOH水性溶液，及藉由將基底1浸泡到裝有以溫度 加熱的20 wt % KOH水性溶液蝕刻劑箱內加以執行蝕刻。 也可以使用TMAH (氫氧化四甲胺）、NaOH、及聯胺當 作另外的蝕刻劑。 6時，應 當藉由使用S i各向異性蝕刻技術製作通孔 -12 - (10) 1248116 注意以對準標示軌跡5 a的形狀加以圖型化之抗蝕層4的 對準標示軌跡4a尺寸由側蝕刻的影響加以決定。 在S i各向異性蝕刻中，通常，藉由側蝕刻的影響， S i基底1被蝕刻大於抗鈾層4的掩模尺寸。在實施例的 各向異性蝕刻中，因爲也產生側蝕刻現象，所以需要事先 藉由控制側蝕刻量決定形成在抗蝕層4的通孔製成區6 7 之對準標示軌跡4 a尺寸。 形成在抗蝕層4的通孔製成區6’之對準標示軌跡4a 尺寸被形成小於後側蝕刻的通孔6之隙孔尺寸。因此，藉 由在製作通孔6時同時蝕刻對準標示軌跡4a可在對通孔 6沒有影響的情況下加以去除設置在抗飽層4的通？L製成 區6，內的對準標示軌跡4 a。在實施例中’因爲通孔6的 尺寸，當形成在抗蝕層4的通孔製成區6，之對準標示軌 跡4 a尺寸不大於i 〇 〇从m乘1 0 〇 // m時，儘管側蝕刻影響 通孔6，還是可製作通孔6 ° 在基底1上表面中，在形成通孔6時也去除設置在遥 孔製成區6，內的基底側對準標不2 °形成在基底1上表面 上之鈍化層3在藉由濕蝕刻製作通孔6的處理中充作触刻 停止層。 最後，與通孔6相對的純化層3部位由触刻加以去除 。因此，如圖3F所示，形成有在基底1的上及下表面上 之穿過基底1的通孔6和層3及4。藉由沿著劃割線（未 圖示）七刀割形成在基底1的複數產品裝置8可獲得個別產 品裝置8。 -13 - (11) 1248116 在實施例中，藉由在通孔製成區6，內配置基底側對 準標示2和抗蝕層4的對準標示軌跡4 a可在製作通孔6 時在不影響通孔6的形成下去除基底側對準標示2和抗蝕 層4的對準標示軌跡4 a。因此，無需在不同於產品裝置8 所在的區域之區域設置配置對準標示專用的區域。另外， 在產品裝置8中也不設置配置對準標示專用的區域，而是 對準標示被配置於在形成通孔6時藉由蝕刻加以去除的區 域中，使得產品裝置8的尺寸不會由於對準標示的尺寸而 增加。結果，根據實施例，對準標示可被配置成產品裝置 8產量不會減少，並且可達成產品裝置8的微型化。 (另一實施例） 圖4爲在一部分噴墨記錄頭被切掉的同時，藉由應用 本發明的對準標示形成方法所形成之噴墨記錄頭的實施例 立體圖。 如圖4所示，實施例的噴墨記錄頭10 0具有基底1和 設置在基底1上表面上之噴嘴通道牆構件103。墨水排放 能量產生元件101、電極110等等被形成在基底1上表面 上。穿過基底1的墨水供應口 105形成在基底1中。墨水 噴嘴104等被形成在噴嘴通道牆構件1〇3中。 墨水供應口 1 05延伸在基底1的縱長方向，及複數墨 水排放能量產生元件1 0 1成兩列被配置在基底i上表面中 的墨水供應口 1 05兩側。複數電極1 1 〇被設置接近基底1 縱長方向的兩端，及這些電極：L i 〇各自在每端部位附近形 > 14 - (12) 1248116 成電極群111。 形成在墨水通道牆構件1 0 3中的墨水噴嘴1 0 4位在基 底1上的墨水排放能量產生元件10 1上方。因此，類似於 基底1上的墨水排放能量產生元件1 0 1，由墨水噴嘴1 ◦ 4 所形成的墨水噴嘴群1 1 2以兩列形成。 用以暫時儲存自墨水箱（未圖示）供應的墨水之共用 液體室（未圖示）設在基底1下表面側上。儲存在共用液 體室的墨水被饋送到由噴嘴通道牆構件103和經過墨水供 應口 105的墨水噴嘴104所形成之墨水通道106 (見圖5E )，及墨水被供應到根據每一墨水通道所設置的墨水排放 能量產生元件 1〇1的周圍。當由墨水排放能量產生元件 1 〇 1所產生的熱能被供給到被供應到墨水排放能量產生元 件101所供應的墨水時，由於產生在墨水中的氣泡生長之 壓力，故自墨水噴嘴1 〇4排放墨水微滴。排放的墨水微滴 附著於記錄媒體（未圖示）以在記錄媒體中記錄字元、影 像等。 下文中將參照圖5A到5E說明藉由應用本發明的對 準標示形成方法形成圖4之噴墨記錄頭的處理。 如圖5 A所示，墨水排放能量產生元件 101、電極 1 1 0 (未圖示在圖5 A到5 E )、及由諸如鋁等配線材料製 成並且驅動墨水排放目纟夏產生兀件1 〇 1之電路配線（未圖 示）被形成在由si製成的基底1上表面上。在基底1上 表面中，在形成墨水排放能量產生元件1 〇 1、電極110、 及電路配線期間，基底側對準標示2被形成在形成有墨水 -15 - (13) 1248116 供應口 1 Ο 5的區域之墨水供應口形成區1 Ο 5 3範圍內。基 底側對準標示2由與形成電路配線的配線材料相同之材料 製成。如此，在基底1中形成墨水排放能量產生元件1〇1 等時也同時形成基底側對準標示2可去除設置基底側對準 標示2的特別處理之需要。當在後述處理的基底1之下表 面上所掩蔽的光罩（未圖示）藉由利用影像處理的位置控 制與基底1排成一直線時，使用基底側對準標示2。 圖5Α到5Ε只圖示在基底1中變成一墨水噴墨記錄 頭1 0 0的部位。事實上，基底1具有能夠形成複數噴墨記 錄頭100的尺寸。 然後，如圖5 Α所示，在鈍化層3形成於基底1上表 面側上的同時，抗蝕層4形成在基底1下表面側上。鈍化 層3具有用以保護形成在基底1上表面上之墨水排放能量 產生元件1 〇 1及電路配線之保護層和在以濕蝕刻形成墨水 供應口 10 5中的蝕刻劑之停止層的功能。鈍化層3由諸如 SiN或P-SiO等材料製成。抗蝕層4由矽熱氧化薄膜形成 ，及抗蝕層4由諸如S i N及S i Ο 2等材料製成。 如圖5 A所示，包括光罩的對準標示軌跡5 a之抗蝕圖 型5形成在基底1下表面上的抗触層4上。抗飽圖型5的 形成被執行如下： 首先，用以形成抗蝕圖型5的光致抗蝕劑被塗敷於抗 會虫層4上。藉由如上述將光罩和光致抗蝕劑排成一直線， 以具有形成在基底1上的圖型形狀和對準標示之光罩（未 圖示）掩蔽光致抗蝕劑，然後光致抗飩劑被曝光以執行顯 _ 16 - (14) 1248116 影。如此形成圖示在5 B之包括光罩的對準標示軌跡5 a之 抗蝕圖型5。對準標示軌跡5 a位在基底1的墨水供應口 形成區1〇5^範圍內。 如圖5 B所示，使用市面上買得到的緩衝氫氟酸以濕 蝕刻執行抗蝕層4的圖型化。在抗蝕層4的圖型化之後， 自抗蝕層4去除抗蝕圖型5和對準標示軌跡5 a。對應於 抗蝕圖型5的對準標示軌跡5 a之對準標示軌跡4a被形成 在抗蝕層4中。 如圖5 C所示，樣板構件1 〇 2被形成在基底1上表面 側的鈍化層3上，然後噴嘴通道牆構件103被形成在基底 1上。樣板構件102係形成接通墨水供應口 105和墨水噴 嘴104到噴嘴通道牆構件103的墨水通道106之構件。以 下面處理去除樣板構件102。在噴嘴通道牆構件103設置 成覆蓋整個形成在基底1上的樣板構件102之後，藉由光 微影術在基底1的墨水排放能量產生元件1 〇 1上方打開噴 嘴通道牆構件103的部位以形成墨水噴嘴104。 然後，藉由蝕刻基底 1執行圖型化。在此點，如圖 5 D所示，墨水供應口 105被製作於基底1的墨水供應口 形成區 105 ’。 知道有利用 Si的晶體取向之各向異性蝕 刻技術和藉由導入混合有CF45 H2，02, N2等反應氣體所執 行的電漿蝕刻技術被當作圖型化基底1的蝕刻方法。在實 施例中，可以使用這些技術。因爲有關蝕刻技術的詳細說 明類似於圖3 E的說明，所以將省略蝕刻技術的說明。 在實施例中，形成在抗蝕層4的墨水供應口形成區 -17 - 1248116 (15) 105，之對準標示軌跡4a尺寸被形成小於後側蝕刻 供應口 10 5之隙孔尺寸。因此，藉由在製作墨水 1 0 5時同時蝕刻對準標示軌跡4 a可在對墨水供應 沒有影響的情況下加以去除設置在抗鈾層4的墨水 形成區105,內的對準標示軌跡4a。在基底1上表 在形成墨水供應口 1 〇5時也去除設置在墨水供應口 1 05 5內的基底側對準標示2。形成在基底1上表面 化層3在藉由濕蝕刻製作墨水供應口 1 〇 5的處理中 刻停止層。 最後，與墨水供應口 105相對的鈍化層3部位 加以去除。因此，如圖5 E所示，形成有在基底1 下表面上之穿過基底1的墨水供應口 105和層3及 形成有墨水供應口 105之後，利用溶解溶液以溶解 板構件102。因此，接通墨水供應口 105和墨水噴 的墨水通道106形成在噴嘴通道牆構件1〇3中。藉 劃割線（未圖示）切割形成在基底 1的複數噴墨 1〇〇可獲得個別噴墨記錄頭1〇〇。 在貫施例中’錯由在墨水供應口形成區 1 〇 5 ’ 基底側對準標示2和抗蝕層4的對準標示軌跡4 a 作墨水供應口 1 05時在不影響墨水供應口 1 05的形 除基底側對準標示2和抗蝕層4的對準標示軌跡 此，無需在不同於變成基底1的噴墨記錄頭1 〇〇的 置配置對準標示專用的區域。另外，在噴墨記錄頭 也不設置配置對準標示專用的區域，而是對準標示 的墨水 供應口 □ 105 供應口 面中， 形成區 上之鈍 充作蝕 由蝕刻 的上及 4。在 去除樣 嘴 104 由沿著 記錄頭 內配置 可在製 成下去 4 a。因 部位設 100中 被配置 -18 - (16) 1248116 於在形成墨水供應口 1 〇 5時藉由蝕刻加以去除的區域中， 使彳守噴墨記錄頭1 0 0的尺寸不會由於對準標示的尺寸而增 加。結果，根據實施例，對準標示可被配置成噴墨記錄頭 1 0 〇產量不會減少’並且可達成噴墨記錄頭1 0 0的微型化 【圖式簡單說明】 圖1爲在藉由應用本發明的對準標示形成方法形成裝 置之步驟中的裝置實施例之槪要配置平面圖； 圖2爲當自下表面側觀看時之形成在下表面上的抗蝕 圖型之基底圖； 圖3 A，3 Β，3 C , 3 D 5 3 Ε及3 F爲藉由應用本發明的對 準標示形成方法形成裝置之處理說明圖； 圖4爲在一部分噴墨記錄頭被切掉的同時，藉由應用 本發明的對準標示形成方法所形成之噴墨記錄頭的實施例 立體圖； 圖5A，5B, 5C，5D及5E是藉由應用本發明的對準標 示形成方法形成圖4之噴墨記錄頭的處理說明圖； 圖6爲製造半導體裝置的習知處理例子之說明圖； 圖7爲當自圖6所示的基底下表面側觀看時之圖6的 區域A中之對準標示專用區域的放大圖； 圖8爲在劃割線中配置對準標示的習知技術之說明圖 ;及 圖9爲側蝕刻現象的說明圖。 -19- (17) (17)1248116 【主要元件符號說明】 1 :基底 2 :基底側對準標示 3 :鈍化層 4 :抗蝕層 4a :對準標示軌跡 5 :抗蝕圖型 5 a :對準標示軌跡 6 :通孔 6 ’ ：通孔製成區 8 :產品裝置 100 :噴墨記錄頭 1 0 1 :墨水排放能量產生元件 102 :樣板構件 1 0 3 :噴嘴通道牆構件 1 〇 4 :墨水噴嘴 105 :墨水供應口 105^墨水供應口形成區 1 〇 6 :墨水通道 I 1 0 :電極 II 1 :電極 1 1 2 :墨水噴嘴 1 0 0 1 :基底 -20 - (18) (18)1248116 1 002 :基底側對準標示 1 0 0 5 :抗f虫圖型 1 0 0 5 a:對準標示軌跡 1 006 ：晝!|害[J線 10 0/ ·區域 1008·產品裝置 1 0 0 9 :溝槽

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Claims (1)

1. (1) 1248116 十、申請專利範圍 第9 3 1 2 7 7 5 4號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國94年10月19日修正 1 . 一種在基底上形成對準標示之方法，該對準標示 被用於對準在用以形成複數裝置之基底和用以掩蔽塗敷於 基底上的抗蝕劑以便藉由使用光微影處理執行該抗蝕劑的 圖型化之光罩，該方法包含： 在處理該基底的後處理期間，在一部分形成有該裝置 的基底中，由從該基底去除的區域內形成該對準標示之處 理。 2. 如申請專利範圍第1項之在基底上形成對準標示 之方法，其中該對準標示被形成在與塗敷有該抗鈾劑之表 面相對的該基底表面中。 3. 如申請專利範圍第1項之在基底上形成對準標示 之方法，其中處理該基底的該後處理是餓刻處理。 4. 如申請專利範圍第1項之在基底上形成對準標示 之方法，其中處理該基底的該後處理包括形成從該基底一 表面穿過到該基底的該區中之另一表面的通孔。 5 .如申請專利範圍第1項之在基底上形成對準標示 之方法，其中該裝置是藉由能量產生元件所產生的能量從 噴嘴排放液體之液體排放頭，該液體排放頭具有用以排放 液體之噴嘴，一液體通道，其和該噴嘴接通，以供應液體 1248116 (2) 到液體通道而與該噴嘴接通之液體通道，一能量產生元件 ，其產生能量以從該噴嘴排放塡滿在液體通道的液體，及 該對準標示形成在基底中的該後處理包括形成接通到液體 通道並且在該基底的該區域中自該基底一表面穿過到另一 表面之液體供應口。 6. —種基底，其中形成有複數裝置，包含： 一對準標示，用於對準在抗蝕劑和用以掩蔽該抗飩劑 以便藉由使用光微影處理執行圖型化塗敷於該基底上的該 抗蝕劑之光罩；及 一區域，其中該裝置形成在該基底中處， 其中該對準標示形成在處理該基底的後處理期間於該 區域從該基底去除之區域內。 7. 如申請專利範圍第6項之基底，其中該對準標示 被形成在與塗敷有該抗蝕劑之表面相對的該基底表面中。 8. 如申請專利範圍第6項之基底，其中處理該基底 的該後處理是鈾刻處理。 9. 如申請專利範圍第6項之基底，其中在處理該基 底的後處理中從該基底去除之區域中，一通孔從該基底一 表面穿過到另一表面。 1 0 · —種製造液體排放頭之方法，該液體排放頭具有 用以排放液體之噴嘴’以一液體通道，其和該噴嘴接通， 供應液體到液體通道，和一能量產生元件，其產生能量以 以該噴嘴排放塡滿在液體通道的液體，該方法包含： 在處理該基底的後處理期間，在一部分形成有複數裝 -2- 1248116 (3) 置的該基底中，從基底去除的區域內形成對準標示之處理 ，該對準標示係用於對準在用以形成有該裝置之基底和用 以掩蔽塗敷於基底上之抗蝕劑以便藉由使用光微影處理執 行該抗蝕劑的圖型化之光罩。