KR20040085191A - 회로 제조를 위한 인-라인 증착 공정 - Google Patents

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플레밍패트릭알.
하스마이클에이.
켈리토미더블유.
머레스돈브이.
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Abstract

일 실시예에서, 본 발명은 하나 이상의 가요성 피막의 긴 웨브 내에 형성되는 개구 마스크 패턴을 사용하는 개구 마스크 증착 기술에 관한 것이다. 이러한 기술은 회로의 층 또는 층의 일부를 한정하도록 피막 내에 형성되는 마스크 패턴을 통해 재료를 순차적으로 증착하는 단계를 포함한다. 또한, 증착 기판은 긴 웨브로부터 형성될 수 있고, 증착 기판 웨브는 일련의 증착부를 통해 이송될 수 있다. 각각의 증착부는 개구 마스크 패턴이 형성되는 긴 웨브를 가질 수 있다. 긴 웨브의 마스크 패턴은 증착 기판 웨브에 직각 방향으로 이송된다. 이러한 방식으로, 회로 제조 공정은 인-라인으로 수행될 수 있다. 더욱이, 이러한 공정은 인적 과실을 감소시키고 처리량을 증가시키도록 자동화될 수 있다.

Description

회로 제조를 위한 인-라인 증착 공정{IN-LINE DEPOSITION PROCESSES FOR CIRCUIT FABRICATION}
회로는 전기 연결에 의해 서로 연결되는 레지스터, 다이오드, 커패시터 및 트랜지스터의 조합을 포함한다. 박막 집적 회로는 금속층, 유전체층 그리고 전형적으로 실리콘 등의 반도체 재료에 의해 형성되는 활성층 등의 다수개의 층을 포함한다. 전형적으로, 박막 회로 요소 및 박막 집적 회로는 다양한 재료층을 적층하고 다양한 회로 구성 요소를 한정하도록 화학 식각 단계를 포함할 수 있는 부가 또는 삭감 공정에서 사진 공정을 사용하여 재료층을 패터닝함으로써 제조된다. 추가로, 개구 마스크는 식각 단계 또는 임의의 사진 공정 없이 패터닝된 층을 증착하는 데 사용되었다.
본 발명은 회로 및 회로 요소의 제조에 관한 것으로, 특히 개구 마스크를 사용하는 증착 기술에 관한 것이다.
도1은 롤 내로 감겨진 개구 마스크 웨브의 형태로 된 개구 마스크의 사시도이다.
도2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 개구 마스크의 평면도이다.
도2b는 도2a의 개구 마스크의 부분 확대도이다.
도3 내지 도5는 본 발명의 실시예에 따른 개구 마스크의 평면도이다.
도6은 본 발명에 따른 개구 마스크 웨브를 제거하는 데 사용될 수 있는 레이저 제거 시스템의 블록도이다.
도7은 제1 측면 상에 재료가 형성된 중합체 피막의 웨브의 측단면도이다.
도8 및 도9는 인-라인 개구 마스크 증착 기술의 개략도이다.
도10 및 도11은 본 발명에 따른 증착부의 블록도이다.
도12a는 본 발명의 일 실시예에 따른 하나의 예시 인장 장치의 사시도이다.
도12b는 인장 기구의 확대도이다.
도13 내지 도15는 본 발명의 실시예에 따른 예시 인장 장치의 평면도이다.
도16은 본 발명의 일 실시예에 따른 예시 인-라인 증착 시스템의 블록도이다.
도17 및 도18은 본 발명에 따라 제조될 수 있는 예시 박막 트랜지스터의 단면도이다.
일반적으로, 본 발명은 하나 이상의 가요성 피막의 긴 웨브 내에 형성되는 개구 마스크 패턴을 사용하는 증착 기술에 관한 것이다. 이러한 기술은 회로의 층 또는 층의 일부를 한정하도록 피막 내에 형성되는 마스크 패턴을 통해 재료를 순차적으로 증착하는 단계를 포함한다. 또한, 증착 기판은 긴 웨브로부터 형성될 수 있고, 증착 기판 웨브는 일련의 증착부를 통해 이송될 수 있다. 각각의 증착부는 개구 마스크 패턴이 형성되는 자체의 긴 웨브를 가질 수 있다. 일부의 실시예에서, 각각의 긴 웨브의 개구 마스크 패턴은 증착 기판 웨브에 직각 방향으로 이동된다. 이러한 방식으로, 회로 제조 공정은 인-라인으로 수행될 수 있다. 더욱이, 이러한 공정은 인적 과실을 감소시키고 처리량을 증가시키도록 자동화될 수 있다.
일부의 실시예에서, 회로는 집적 회로 패턴을 형성하는 데 전형적으로 사용되는 임의의 식각 또는 사진 단계를 요구하지 않고 개구 마스크 증착 기술을 사용하여서만 제조될 수 있다. 개구 마스크 증착 기술은 고주파 식별(RFID) 회로 등의 저가 집적 회로를 위한 회로 요소를 제조하거나 액정 디스플레이 또는 유기 발광 다이오드 디스플레이 등의 전자 디스플레이를 위한 회로를 제조하는 데 특히 유용하다. 추가로, 이러한 기술은 전형적으로 식각 또는 사진 공정과 양립할 수 없는 유기 반도체를 합체하는 집적 회로의 제조에 유리할 수 있다.
일 실시예에서, 본 발명은 가요성 피막의 긴 웨브와, 피막 내에 형성되고, 피막을 통해 연장되는 증착 개구를 한정하는 증착 마스크 패턴을 포함하는 개구 마스크에 관한 것이다. 긴 웨브는 길이가 대략 50 ㎝보다 크거나, 대략 100 ㎝보다 크거나, 대략 10 m보다 크거나, 대략 100 m보다 클 수 있다. 마스크는 손상 없이 또는 영구 굽힘부를 형성하지 않고 롤 내로 감겨질 수 있을 정도로 충분히 가요성일 수 있다. 또한, 개구 마스크는 재사용 가능할 수 있다. 이러한 형태의 개구 마스크는 인-라인 증착 시스템의 일부로서 사용될 수 있다.
다른 실시예에서, 본 발명은 인-라인 증착 시스템 및 인-라인 증착 방법에 관한 것이다. 예컨대, 시스템은 가요성 피막의 제1 웨브와, 증착 마스크 패턴을 한정하는 가요성 피막의 제2 웨브를 포함할 수 있다. 또한, 시스템은 제1 및 제2 웨브들 중 적어도 하나를 제1 및 제2 웨브들 중 다른 하나에 대해 이동시키는 구동 기구와, 피막의 제2 웨브에 의해 한정되는 증착 마스크 패턴을 통해 피막의 제1 웨브 상으로 증착하는 증착 유닛도 포함할 수 있다. 또한, 다양한 인-라인 증착 방법도 설명된다.
추가의 실시예에서, 본 발명은 인-라인 증착 시스템에서 기판과 증착 마스크 패턴을 정렬하는 인장 장치에 관한 것이다. 예컨대, 이러한 장치는 증착 기판과 피막의 제1 웨브 내에 형성된 증착 마스크 패턴을 정렬하기 위해 하향-웨브 방향, 횡단-웨브 방향 또는 이들 모두의 방향으로 피막의 제1 웨브를 인장하는 제1 인장 기구를 포함할 수 있다. 또한, 증착 기판은 웨브도 형성할 수 있거나, 대신에 일련의 기판을 운반하는 운반 웨브일 수 있다. 또한, 피막의 제2 웨브는 하향-웨브 방향, 횡단-웨브 방향 또는 이들 모두의 방향으로 인장될 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예는 하나 이상의 장점을 제공할 수 있다. 예컨대, 본 발명은 개구 마스크 증착 기술을 사용하여 비교적 작은 회로 요소의 제조를 용이하게 할 수 있다. 예컨대, 본 발명은 대략 1000 ㎛보다 작거나, 대략 50 ㎛보다 작거나, 대략 20 ㎛보다 작거나, 대략 10 ㎛보다 작거나, 심지어 대략 5 ㎛보다 작은 폭을 갖는 회로 요소의 제조를 용이하게 할 수 있다. 추가로, 본 발명은 회로 제조와 관련된 비용을 감소시킬 수 있다. 구체적으로, 증착이 인-라인으로 수행될수 있도록 회로 제조 공정을 합리화함으로써, 회로는 더욱 신속하게 그리고 감소된 개수의 취급 단계로써 제조될 수 있다. 더욱이, 인적 과실을 감소시킴으로써, 자동화된 공정이 다른 공정보다 더욱 신뢰성 있는 회로를 제조할 수 있다. 이러한 방식으로, 인-라인 공정이 수율 증가를 촉진시킬 수 있다.
또한, 긴 웨브는 중합체 재료로부터 형성될 수 있기 때문에, 웨브 내의 개구 마스크는 레이저 제거 기술을 사용하여 제조될 수 있다. 레이저 제거 기술은 다른 마스크 제조 기술보다 더욱 신속하고 덜 비싸다. 또한, 비싸지 않은 중합체 재료는 긴 웨브의 마스크가 일회용이 되게 할 수 있다. 레이저 제거 기술은 작은 증착 개구 즉 대략 1000 ㎛보다 작거나, 대략 50 ㎛보다 작거나, 대략 20 ㎛, 10 ㎛ 또는 심지어 5 ㎛보다 작은 폭을 갖는 증착 개구의 제조를 가능하게 한다. 추가로, 레이저 제거 기술은 작은 간극 즉 대략 1000 ㎛보다 작거나, 대략 50 ㎛보다 작거나, 대략 20 ㎛보다 작거나, 심지어 대략 10 ㎛보다 작은 간극에 의해 분리되는 증착 개구의 제조를 가능하게 한다. 이들 작은 증착 개구 그리고 작은 간극은 작은 회로 요소의 제조를 용이하게 할 수 있다. 추가로, 레이저 제거 기술은 큰 면적의 회로 또는 널리 이격된 회로 요소가 제조되게 하는 큰 표면적에 걸쳐 개구 마스크 패턴의 제조를 용이하게 할 수 있다.
또 다른 장점은 웨브의 개구 마스크를 구성하는 중합체 재료에 자성 재료가 함침되는 데 양호하게 적합하다는 것이다. 이러한 경우에, 자성 재료는 예컨대 자성으로 인한 인력 또는 척력의 인가에 의해 인-라인 증착 공정 중 처짐을 감소시키는 데 사용될 수 있다. 나아가, 중합체 재료는 흔히 인장 가능하며, 이는 증착 기판과 마스크를 양호하게 정렬하기 위해 그리고 처짐을 제어하기 위해 마스크가 인장되게 한다. 하향-웨브 방향, 횡단-웨브 방향 또는 이들 모두의 방향으로의 인장 기술이 긴 웨브의 증착 기판 재료에 대한 긴 웨브의 개구 마스크의 신속하고 정확한 정렬을 달성하는 데 사용될 수 있다.
본 발명의 이들 및 다른 실시예의 세부 사항은 첨부 도면 및 다음의 설명에 기재되어 있다. 본 발명의 다른 특징, 목적 및 장점은 설명 및 도면으로부터 그리고 청구의 범위로부터 분명해진다.
도1은 개구 마스크(10A)의 사시도이다. 도시된 바와 같이, 개구 마스크(10A)는 가요성 피막의 긴 웨브(11A) 그리고 피막 내에 형성된 증착 마스크 패턴(12A)을 포함한다. 증착 마스크 패턴(12A)은 피막을 통해 연장되는 증착 개구(도1에는 도면 부호가 부여되지 않음)를 한정한다. 전형적으로, 개구 마스크(10A)에는 다수개의 증착 마스크 패턴이 형성되지만, 본 발명은 이러한 관점에서 반드시 제한될 필요가 없다. 이러한 경우에, 각각의 증착 마스크 패턴은 실질적으로 동일할 수 있거나, 대신에 2개 이상의 상이한 마스크 패턴이 가요성 피막(11A) 내에 형성될 수 있다.
도시된 바와 같이, 가요성 피막(11A)은 손상 없이 롤(15A)을 형성하도록 감겨질 수 있을 정도로 충분히 가요성일 수 있다. 롤 상으로 가요성 피막(11A)을 감는 능력은 필름의 롤(15A)이 인라인 증착부에서 저장, 운반 및 사용을 위해 실질적으로 작은 크기를 갖는다는 관점에서 분명한 장점을 제공한다. 또한, 가요성 피막(11A)은 정확한 정렬을 달성하기 위해 인장될 수 있도록 인장 가능할 수 있다. 예컨대, 가요성 피막은 횡단-웨브 방향, 하향-웨브 방향 또는 이들 모두의 방향으로인장 가능할 수 있다. 예시 실시예에서, 가요성 피막(11A)은 중합체 피막을 포함할 수 있다. 중합체 피막은 폴리이미드, 폴리에스테르, 폴리스티렌, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리카보네이트 또는 다른 중합체를 함유하는 하나 이상의 광범위한 중합체를 포함할 수 있다. 폴리이미드는 가요성 피막(11A)을 위해 특히 유용한 중합체이다.
개구 마스크(10A)에는 광범위한 형상 및 크기가 적용된다. 예컨대, 예시 실시예에서, 웨브의 가요성 피막(11A)은 길이가 적어도 대략 50 ㎝ 또는 100 ㎝이고, 다수개의 경우에 길이가 적어도 대략 10 m 또는 심지어 100 m일 수 있다. 또한, 웨브의 가요성 피막(11A)은 폭이 적어도 대략 3 ㎝일 수 있고, 두께가 대략 200 ㎛보다 작거나, 대략 30 ㎛보다 작거나, 심지어 대략 10 ㎛보다 작을 수 있다.
도2a는 본 발명에 따른 개구 마스크(10B)의 부분 평면도이다. 예시 실시예에서, 도2a에 도시된 바와 같은 개구 마스크(10B)는 중합체 재료로부터 형성된다. 그러나, 다른 가요성 비중합체 재료도 사용될 수 있다. 개구 마스크(10B)를 위한 중합체 재료의 사용은 개구 마스크(10B)의 제조의 용이, 개구 마스크(10B)의 비용 감소 그리고 다른 장점을 포함하는 다른 재료보다 양호한 장점을 제공할 수 있다. 얇은 금속 개구 마스크에 비해, 중합체 개구 마스크는 주름의 우연한 형성 그리고 영구 굽힘부로 인한 손상에 훨씬 덜 민감하다. 나아가, 일부의 중합체 마스크는 산으로써 세척될 수 있다.
도2a 및 도2b에 도시된 바와 같이, 개구 마스크(10B)에는 다수개의 증착 개구(14)[증착 개구(14A 내지 14E)에만 도면 부호가 부여됨]를 한정하는 패턴(12B)이형성된다. 도2b에서 증착 개구(14A 내지 14E)의 배열 및 형상은 도시의 목적을 위해 단순화되고, 본원에 따른 폭넓은 변형 그리고 사용자에 의해 고려되는 회로 설계가 적용된다. 패턴(12B)은 회로층의 적어도 일부를 한정하고 일반적으로 다수개의 상이한 형태 중 임의의 형태를 취할 수 있다. 바꿔 말하면, 증착 개구(14)는 개구 마스크(10B)를 사용하여 증착 공정에서 제조될 원하는 회로 요소 또는 회로층에 따라 임의의 패턴을 형성할 수 있다. 예컨대, 패턴(12B)이 다수개의 유사한 보조 패턴[보조 패턴(16A 내지 16C)에 도면 부호가 부여됨]을 포함하는 것으로 도시되어 있지만, 본 발명은 이러한 관점에서 제한되지 않는다.
개구 마스크(10B)는 재료가 회로의 적어도 일부를 한정하도록 증착 개구(14)를 통해 증착 기판 상으로 증착되는 기상 증착 공정 등의 증착 공정에서 사용될 수 있다. 유리하게는, 개구 마스크(10B)는 원하는 재료의 증착 그리고 동시에 원하는 패턴으로의 재료의 형성을 가능하게 한다. 따라서, 증착에 후속 또는 선행하는 별도의 패터닝 단계에 대한 필요성이 없다. 개구 마스크(10B)는 상보성(n-채널 및 p-채널 모두) 트랜지스터 요소를 포함하는 집적 회로 등의 광범위한 집적 회로를 제조하는 데 사용될 수 있다. 추가로, 유기(예컨대, 펜타센) 또는 무기(예컨대, 비정질 실리콘) 반도체 재료가 본 발명에 따른 집적 회로를 제조하는 데 사용될 수 있다. 일부의 회로에 대해, 유기 및 무기 반도체 모두가 사용될 수 있다.
개구 마스크(10B)는 액정 디스플레이 또는 유기 발광 디스플레이 등의 전자 디스플레이를 위한 회로, RFID 회로 등의 저가 집적 회로 또는 박막 트랜지스터를 이용하는 임의의 회로를 제조하는 데 특히 유용할 수 있다. 더욱이, 유기 반도체를 이용하는 회로는 다음에 더욱 상세하게 설명된 바와 같은 본 발명의 다양한 태양으로부터 이익을 향유할 수 있다. 추가로, 개구 마스크(10B)는 가요성 웨브의 중합체 재료로부터 형성될 수 있기 때문에, 다음에 더욱 상세하게 설명된 바와 같은 인-라인 공정에서 사용될 수 있다.
하나 이상의 증착 개구(14)는 대략 1000 ㎛보다 작거나, 대략 50 ㎛보다 작거나, 대략 20 ㎛보다 작거나, 대략 10 ㎛보다 작거나, 심지어 대략 5 ㎛보다 작은 폭을 갖도록 형성될 수 있다. 이들 범위 내의 폭을 갖도록 증착 개구(14)를 형성함으로써, 회로 요소의 크기는 감소될 수 있다. 더욱이, 2개의 증착 개구들 사이의 거리(간극)[예컨대 증착 개구(14C, 14D) 사이의 거리 등]는 다양한 회로 요소의 크기를 감소시키도록 대략 1000 ㎛보다 작거나, 대략 50 ㎛보다 작거나, 대략 20 ㎛보다 작거나, 대략 10 ㎛보다 작다.
레이저 제거 기술은 증착 개구(14)의 패턴(12B)을 한정하는 데 사용될 수 있다. 따라서, 웨브의 중합체 피막으로부터의 개구 마스크(10B)의 형성은 실리콘 마스크 또는 금속 마스크 등의 다른 개구 마스크를 위해 일반적으로 요구되는 것보다 덜 비싸고 덜 복잡하고/복잡하거나 더욱 정확할 수 있는 제조 공정의 사용을 가능하게 한다. 더욱이, 레이저 제거 기술은 패턴(12B)을 제조하는 데 사용될 수 있기 때문에, 패턴(12B)의 폭은 종래의 패턴보다 훨씬 크게 제조될 수 있다. 예컨대, 레이저 제거 기술은 패턴(12B)의 폭이 대략 1 ㎝보다 크거나, 대략 25 ㎝보다 크거나, 대략 100 ㎝보다 크거나, 심지어 대략 500 ㎝보다 크도록 된 패턴(12B)의 제조를 용이하게 할 수 있다. 다음에, 이들 큰 마스크는 큰 표면적에 걸쳐 분포되고큰 거리에 의해 분리되는 회로 요소를 제조하는 증착 공정에서 사용될 수 있다. 더욱이, 큰 중합체 웨브 상에 마스크를 형성함으로써, 큰 집적 회로의 제조는 인-라인 공정으로 수행될 수 있다.
도3 및 도4는 비교적 큰 폭에 의해 분리되는 증착 개구를 포함하는 개구 마스크(10C, 10D)의 평면도이다. 아직도, 개구 마스크(10C, 10D)는 증착 공정이 인-라인으로 수행되게 하도록 웨브의 피막으로부터 형성된다. 도3은 증착 개구의 패턴(12C)을 포함하는 개구 마스크(10C)를 도시하고 있다. 패턴(12C)은 대략 1 ㎝보다 크거나, 대략 25 ㎝보다 크거나, 대략 100 ㎝보다 크거나, 심지어 대략 500 ㎝보다 큰 적어도 하나의 치수를 한정할 수 있다. 바꿔 말하면, 거리(X)는 이들 범위 내에 있을 수 있다. 이러한 방식으로, 종래의 거리보다 큰 거리에 의해 분리되는 회로 요소가 증착 공정을 사용하여 제조될 수 있다. 이러한 특징은 예컨대 큰 면적의 평탄 패널 디스플레이 또는 검출기의 제조에서 유리할 수 있다.
일부의 회로층에 대해, 복잡한 패턴이 요구되지 않을 수 있다. 예컨대, 도4의 개구 마스크(10D)는 적어도 2개의 증착 개구(36A, 36B)를 포함한다. 이러한 경우에, 2개의 증착 개구(36A, 36B)는 대략 1 ㎝, 25 ㎝, 100 ㎝보다 크거나, 심지어 대략 500 ㎝보다 큰 거리(X)에 의해 분리될 수 있다. 재차, 레이저 제거 기술은 레이저 제거 시스템이 큰 면적을 용이하게 하도록 용이하게 설계될 수 있기 때문에 비교적 큰 거리(X)를 용이하게 할 수 있다. 더욱이, 레이저 제거 기술은 대략 1000 ㎛보다 작거나, 대략 50 ㎛보다 작거나, 20 ㎛보다 작거나, 10 ㎛보다 작거나, 심지어 5 ㎛보다 작은 폭까지 증착 개구(36A, 36B)의 제조를 용이하게 할 수있다. 이러한 경우에, 증착 공정은 개구 폭 정도로 작은 공차까지 개구 마스크가 정합 또는 정렬될 것을 반드시 요구하는 것은 아니다. 아직도, 요소가 이들 큰 거리에 의해 분리되는 상태의 단일 증착 공정에서 회로층을 증착 및 패터닝하는 능력은 2개 이상의 요소들 사이의 큰 분리를 요구하는 회로를 제조하기 위해 매우 유리할 수 있다. 큰 전자 디스플레이의 화소를 제어 또는 형성하는 회로가 일 예이다.
도5는 개구 마스크(10E)의 평면도이다. 도시된 바와 같이, 개구 마스크(10E)는 중합체 재료 등의 웨브의 가요성 재료(11E)로 형성된다. 개구 마스크(10E)는 다수개의 패턴(12E1내지 12E3)을 한정한다. 일부의 경우에, 상이한 패턴(12E)은 회로의 상이한 층을 한정할 수 있고, 다른 경우에 상이한 패턴(12E)은 동일한 회로층의 상이한 부분을 한정한다. 일부의 경우에, 제1 및 제2 패턴(12E1, 12E2)이 동일한 회로 특징의 상이한 부분을 한정하는 스티칭 기술이 사용될 수 있다. 바꿔 말하면, 2개 이상의 패턴이 단일 회로 특징을 한정하는 별도의 증착을 위해 사용될 수 있다. 스티칭 기술은 예컨대 개구 마스크의 일부가 열악하게 지지되거나 전혀 지지되지 않게 하는 비교적 긴 증착 개구, 폐곡선 또는 임의의 개구 패턴을 회피하는 데 사용될 수 있다. 제1 증착에서, 하나의 마스크 패턴이 특징의 일부를 형성하고, 제2 증착에서 또 다른 마스크 패턴이 특징의 잔여부를 형성한다.
또 다른 경우에, 상이한 패턴(12E)은 실질적으로 동일할 수 있다. 이러한 경우에, 각각의 상이한 패턴(12E)은 상이한 회로에 대해 실질적으로 유사한 증착층을 제조하는 데 사용될 수 있다. 예컨대, 인-라인 웨브 공정에서, 웨브의 증착 기판은 개구 마스크(10E)에 직각으로 통과할 수 있다. 각각의 증착 후, 웨브의 증착 기판은 다음의 증착을 위해 인-라인으로 이동될 수 있다. 이와 같이, 패턴(12E1)은 웨브의 증착 기판 상에 층을 증착하는 데 사용될 수 있고, 패턴(12E2)은 웨브의 증착 기판보다 추가로 아래로 유사한 증착 공정에서 사용될 수 있다. 또한, 패턴을 포함하는 개구 마스크(10E)의 각각의 부분은 증착 기판의 상이한 부분 상에 또는 하나 이상의 상이한 증착 기판 상에 재사용될 수 있다. 인-라인 증착 시스템의 세부 사항이 다음에 설명된다.
도6은 본 발명에 따른 개구 마스크를 제거하는 데 사용될 수 있는 레이저 제거 시스템의 블록도이다. 레이저 제거 기술은 비교적 작은 증착 개구를 달성할 수 있고 종래의 패턴보다 훨씬 큰 단일 개구 마스크 상에 패턴을 한정할 수 있기 때문에 유리하다. 추가로, 레이저 제거 기술은 금속 또는 실리콘 개구 마스크를 제조하는 데 공통적으로 사용되는 다른 종래의 기술보다 상당히 낮은 비용으로 개구 마스크의 제조를 용이하게 할 수 있다.
도6에 도시된 바와 같이, 레이저 제거 시스템(60)은 섀도우 마스크 제거 시스템 또는 위상 마스크 제거 시스템도 사용될 수 있지만 패터닝된 제거 마스크를 이용하는 투사 레이저 제거 시스템일 수 있다. 투사 조사 레이저 제거는 제거될 물체의 표면 상에 매우 작은 부분 또는 매우 작은 구조체를 제조하는 기술이며, 구조체는 1 ㎛ 내지 수 ㎜ 정도의 크기를 갖는다. 이러한 경우에, 광선은 패터닝된 제거 마스크를 통과하고 패턴은 제거될 물체 상으로 조사된다. 재료는 방사선을수용하는 영역 내의 제거 기판으로부터 제거된다. 이러한 시스템은 자외선(UV) 레이저를 사용하여 설명되지만, 레이저에 의해 제공되는 조도는 적외선 또는 가시광선 등의 제거를 위해 충분한 에너지를 갖는 임의의 종류의 방사선일 수 있다. 더욱이, 본 발명은 원칙적으로 레이저 이외의 광원으로부터의 방사선을 사용하여 적용될 수 있다.
레이저(61)는 대략 248 ㎚의 광선의 단파장을 갖는 빔을 방출하는 KrF 엑시머 레이저일 수 있다. 그러나, F2, ArF, KrCl 또는 XeCl 형태의 엑시머 레이저 등의 임의의 형태의 엑시머 레이저가 사용될 수 있다. 엑시머 레이저는 작은 특징부를 분해하고 대략 10,600 ㎚의 파장을 갖는 빔을 방출하는 CO2레이저 등의 레이저보다 적은 평행 손상을 유발시킬 수 있기 때문에 작은 증착 개구를 제조하는 데 특히 유용하다. 또한, 엑시머 레이저는 네오디뮴 도핑된 이트륨 알루미늄 가닛(Nd:YAG) 레이저 등의 일반적으로 금속을 처리하는 데 사용되는 레이저로부터의 광선에 투과성인 대부분의 중합체와 더불어 사용될 수 있다. 또한, 엑시머 레이저는 UV 파장에서 중합체 등의 대부분의 재료가 높은 흡수성을 갖기 때문에 유리하다. 그러므로, 더욱 많은 에너지가 얕은 깊이에서 집중되고 엑시머 레이저는 더욱 청결한 절단을 제공한다. 엑시머 레이저는 5 나노초 내지 300 나노초의 범위를 갖는 펄스형 레이저이다. 또한, 레이저(61)는 3중 또는 4중 Nd:YAG 레이저일 수 있거나, 임의의 레이저는 펨토초 범위 내의 펄스를 갖는다.
제거 마스크(63)는 표준 반도체 사진 마스크 기술을 사용하여 제조된 패턴(62)을 갖는 패터닝된 마스크일 수 있다. 제거 마스크(63)의 패터닝된 부분은 UV 광선에 불투과성이고, 제거 마스크의 지지 기판은 UV 광선에 투과성이다. 일 실시예에서, 패터닝된 부분은 알루미늄을 함유하고 제거 마스크(63)를 위한 지지 기판은 용융 실리카(SiO2)이다. 용융 실리카는 중- 및 원-UV 파장에 투과성인 소수의 재료들 중 하나이기 때문에 유용한 지지 재료이다. 알루미늄은 중-UV 광선을 반사하기 때문에 패터닝 재료로서 유용하다. 패터닝된 유전체 적층체가 알루미늄에 대한 하나의 대체안이다.
조사 렌즈(64)는 단일 렌즈 또는 다수개의 렌즈 그리고 다른 광학 구성 요소로 구성되는 전체의 광학 시스템일 수 있다. 조사 렌즈(64)는 제거 마스크의 화상 구체적으로 제거될 물체(65)의 표면 상으로 제거 마스크를 통과하는 광선의 패턴의 화상을 투사한다. 제거될 물체는 후방 측면 상에 형성되는 재료(67)를 포함할 수 있는 웨브의 중합체 피막(66)이다. 일부이 적절한 중합체는 폴리이미드, 폴리에스테르, 폴리스티렌, 폴리메틸 메타크릴레이트 및 폴리카보네이트를 포함한다. 중합체 피막(66)의 후방 측면 상에 형성되는 재료(67)는 전체의 중합체 피막에 걸쳐 형성되거나, 대신에 제거될 피막의 국부 영역에서만 형성될 수 있다.
도7은 제거될 물체(65)를 형성할 수 있는 유용한 구조체를 도시하고 있다. 구체적으로, 도7은 재료(67)가 후방 측면 즉 시스템(60)에서 레이저에 입사되는 측면에 대향 측면 상에 형성되는 상태로 웨브의 중합체 피막(66)을 포함하는 제거될 물체(65)를 도시하고 있다. 재차, 재료(67)는 전체의 중합체 피막에 걸쳐 형성될수 있거나, 대신에 제거될 피막의 국부 영역 내에만 형성될 수 있다. 재료(67)는 웨브의 중합체 피막(66) 하에서 공기 포획을 회피할 수 있는 제거 공정을 위한 식각 중단을 제공한다. 예컨대, 재료(67)는 구리 등의 금속을 함유할 수 있다.
제거가 완료된 후, 재료(67)는 개구 마스크 웨브를 형성하도록 웨브의 중합체 피막(66)으로부터 식각될 수 있다. 대신에, 일부의 실시예에서, 재료(67)는 박리될 수 있다. 물체(65)는 웨브의 중합체 피막 상에 구리층을 형성함으로써 또는 구리층 상에 웨브의 중합체 피막을 형성함으로써 제조될 수 있다. 일부의 경우에, 물체(65)는 미리 형성된 배치 구성으로 간단하게 구매될 수 있다. 형성되면, 구리층은 전체의 웨브의 중합체 필름에 걸쳐 또는 단순히 제거될 웨브의 부분에 걸쳐 형성될 수 있다. 후자의 경우에, 구리층은 다수개의 증착 패턴이 형성되는 웨브의 중합체 피막을 최종적으로 한정하도록 후속의 제거 공정을 위해 웨브의 상이한 부분에 걸쳐 형성될 수 있다.
도6을 재참조하면, 테이블(69)은 제거될 물체(65)를 지지하고 위치시킨다. 예컨대, 제거될 물체(65)는 진공 척(68) 정전기, 기계 체결구 또는 분동 등에 의해 테이블(69) 상의 소정 위치에 고정될 수 있다. 테이블(69)은 z 축 등을 따라 회전 방식으로뿐만 아니라 x, y 및 z 축 상에서 물체(65)를 이동시킴으로써 제거될 물체(65)를 위치시킬 수 있다. 테이블(69)은 대략 5 ㎚ 그리고 더욱 전형적으로 대략 500 ㎚의 정확도까지 재현 가능한 대략 100 ㎚까지 단계적으로 물체(65)를 이동시킬 수 있다. 테이블(69)의 컴퓨터 제어는 레이저(61)로부터의 발광과 테이블 이동의 가능한 동기화뿐만 아니라 테이블(69)의 이동의 프로그래밍을 가능하게 한다.또한, 테이블은 컴퓨터에 연결된 조이스틱 등으로써 수동으로 제어될 수 있다.
집적 회로 제조를 위한 개구 마스크를 제조하는 데 있어서, 증착 개구가 증착될 재료를 위해 적절하도록 제거되는 증착 개구의 벽 각도를 제어하는 것이 유리할 수 있다. 따라서, 본 발명은 수용 가능한 벽 각도를 달성하도록 제거를 제어할 수 있다. 직선형 벽 각도 즉 0˚ 벽 각도는 웨브의 중합체 피막의 표면에 직각인 벽을 갖는 증착 개구에 대응한다. 일부의 경우에, 레이저가 웨브의 중합체 피막을 통해 제거됨에 따라 구멍이 훨씬 큰 직경을 취하는 심지어 음의 벽 각도가 달성된다.
일반적으로, 개구 벽 각도는 개구들 사이의 가장 근접한 간격을 허용하도록 0에 근접되어야 한다. 그러나, 큰 개구 마스크가 작은 소스를 갖는 증착 공정 예컨대 전자 빔 증발에서 사용되면, 증착 플러스가 직각으로부터 실질적으로 상이한 각도로 증착 기판에 충돌되는 마스크의 영역 내에서의 시차를 최소화하는 0보다 큰 벽 각도가 바람직하다.
다수개의 인자가 벽 각도에 영향을 줄 수 있다. 따라서, 이들 인자는 수용 가능하거나 원하는 벽 각도를 달성하도록 제어될 수 있다. 예컨대, 기판에서의 레이저 방사선의 전력 밀도 그리고 조사 시스템의 개구수는 수용 가능한 벽 각도를 달성하도록 제어될 수 있다. 제어될 수 있는 추가의 인자는 레이저의 펄스 길이 그리고 제거될 물체 또는 재료의 제거 임계치를 포함한다.
도8 및 도9는 인-라인 개구 마스크 증착 기술의 개략도이다. 도9에서, 증착 마스크 패턴(92, 93)이 형성되는 웨브의 중합체 피막(10F)이 증착 기판(98)을 지나이동된다. 웨브의 중합체 피막(10F) 내의 제1 패턴(93)이 증착 기판(98)과 정렬되고, 증착 공정이 제1 패턴(93)에 따라 증착 기판(98) 상에 재료를 증착하도록 수행된다. 다음에, 웨브의 중합체 피막(10F)은 제2 패턴(96)이 증착 기판(98)과 정렬되도록 [화살표(95)에 의해 지시된 바와 같이) 이동될 수 있고, 제2 증착 공정이 수행될 수 있다. 이러한 공정은 웨브의 중합체 피막(10F) 내에 형성되는 임의의 개수의 패턴에 대해 반복될 수 있다. 중합체 피막(10F)의 증착 마스크 패턴은 상이한 증착 기판 또는 동일한 기판의 상이한 부분 상에 전술된 단계를 반복함으로써 재사용될 수 있다.
도9는 또 다른 인-라인 개구 마스크 증착 기술을 도시하고 있다. 도9의 예에서, 증착 기판(101)은 웨브를 포함할 수 있다. 바꿔 말하면, 개구 마스크(10G) 및 증착 기판(101) 모두는 중합체 재료로부터 제조될 수 있는 웨브를 포함할 수 있다. 대신에, 증착 기판 웨브(101)는 일련의 불연속 기판을 운반하는 운반 웨브를 포함할 수 있다. 개구 마스크 웨브(10G) 내의 제1 패턴(105)은 제1 증착 공정을 위해 증착 기판 웨브(101)와 정렬될 수 있다. 다음에, 개구 마스크 웨브(10G) 및 증착 기판 웨브(101) 중 하나 또는 모두는 개구 마스크 웨브(10G) 내의 제2 패턴(107)이 증착 기판 웨브(101)와 정렬되어 제2 증착 공정이 수행되도록 [화살표(102, 103)에 의해 지시된 바와 같이] 이동될 수 있다. 개구 마스크 웨브(10G) 내의 각각의 개구 마스크 패턴이 실질적으로 동일하면, 도9에 도시된 기술은 증착 기판 웨브(101)를 따라 다수개의 순차적 위치에서 유사한 증착층을 증착하는 데 사용될 수 있다.
도10은 본 발명에 따른 증착 공정에서 개구 마스크 웨브를 사용할 수 있는 증착부의 개략 블록도이다. 특히, 증착부(110)는 재료가 증발되어 개구 마스크를 통해 증착 기판 상으로 증착되는 기상 증착 공정을 수행하도록 구성될 수 있다. 증착된 재료는 집적 회로 내에 다양한 요소를 형성하는 데 사용되는 반도체 재료, 유전체 재료 또는 전도체 재료를 포함하는 임의의 재료일 수 있다. 예컨대, 유기 또는 무기 재료가 증착될 수 있다. 일부의 경우에, 유기 및 무기 재료 모두가 회로를 제조하도록 증착될 수 있다. 또 다른 경우에, 비정질 실리콘이 증착될 수 있다. 비정질 실리콘의 증착은 전형적으로 대략 200℃보다 높은 고온을 요구한다. 여기에서 설명된 중합체 웨브의 일부의 실시예는 이들 고온을 견딜 수 있어, 비정질 실리콘이 집적 회로 또는 집적 회로 요소를 제조하도록 증착 및 패터닝되게 한다. 또 다른 예에서, 펜타센이 증착될 수 있다.
개구 마스크 패턴이 형성되는 가요성 웨브(10H)는 마스크가 증착 기판(112)과 근접한 상태로 놓일 수 있도록 증착부(110)를 통과한다. 증착 기판(112)은 제조될 원하는 회로에 따라 임의의 다양한 재료를 포함할 수 있다. 예컨대, 증착 기판(112)은 가능하면 웨브를 형성하는 가요성 중합체 예컨대 폴리이미드 또는 폴리에스테르 등의 가요성 재료를 포함할 수 있다. 추가로, 원하는 회로가 액정 디스플레이 등의 전자 디스플레이를 위한 트랜지스터의 회로이면, 증착 기판(112)은 전자 디스플레이의 후방 평면을 포함할 수 있다. 또한, 유리 기판, 실리콘 기판, 강성 플라스틱 기판, 절연층이 피복된 금속 포일 등의 임의의 증착 기판도 사용될 수 있다. 임의의 경우에, 증착 기판은 이전에 형성된 특징을 포함하거나 포함하지 않을 수 있다.
증착부(110)는 전형적으로 진공 챔버이다. 개구 마스크 웨브(10H) 내의 패턴이 증착 기판(112)에 근접한 상태로 고정된 후, 재료(116)가 증착 유닛(114)에 의해 증발된다. 예컨대, 증착 유닛(114)은 재료를 증발시키도록 가열되는 재료의 보트를 포함할 수 있다. 증발된 재료(116)는 증착 기판(112) 상에 회로층의 적어도 일부를 한정하도록 개구 마스크 웨브(10H)의 증착 개구를 통해 증착 기판(112) 상에 증착된다. 증착 시, 재료(116)는 개구 마스크 웨브(10H) 내의 패턴에 의해 한정된 증착 패턴을 형성한다. 개구 마스크 웨브(10H)는 전술된 바와 같은 증착 공정을 사용하여 작은 회로 요소의 제조를 용이하게 할 정도로 충분히 작은 개구 및 간극을 포함할 수 있다. 추가로, 개구 마스크 웨브(10H) 내의 증착 개구의 패턴은 전술된 바와 같은 큰 치수를 가질 수 있다. 다른 적절한 증착 기술은 e-빔 증발, 다양한 형태의 스퍼터링 그리고 펄스형 레이저 증착을 포함한다.
그러나, 개구 마스크 웨브(10H) 내의 패턴이 예컨대 큰 치수를 갖는 패턴을 포함할 정도로 충분히 크게 제조될 때, 처짐 문제점이 발생될 수 있다. 특히, 개구 마스크 웨브(10H)가 증착 기판(112)에 근접한 상태로 놓일 때, 개구 마스크 웨브(10H)는 인력의 결과로서 쳐질 수 있다. 이러한 문제점은 개구 마스크(10H)가 도10에 도시된 바와 같이 증착 기판 아래에 위치될 때 가장 분명하다. 더욱이, 처짐 문제점은 개구 마스크 웨브(10H)의 치수가 커질수록 악화된다.
본 발명은 증착 공정 중 개구 마스크에서 처짐 문제점을 언급하거나 처짐을 제어하는 다양한 기술들 중 하나를 이용할 수 있다. 예컨대, 웨브의 개구 마스크는 증착 공정 중 개구 마스크와 증착 기판 사이의 밀착을 용이하게 하도록 증착 기판의 표면에 제거 가능하게 부착될 수 있는 제1 측면을 한정할 수 있다. 이러한 방식으로, 처짐이 제어 또는 회피될 수 있다. 특히, 가요성 개구 마스크(10H)의 제1 측면은 감압성 접착제를 포함할 수 있다. 이러한 경우에, 제1 측면은 감압성 접착제를 통해 증착 기판(112)에 제거 가능하게 부착될 수 있고, 증착 공정 후 제거될 수 있거나, 필요에 따라 제거 및 재위치될 수 있다.
처짐을 제어하는 또 다른 방법은 자력을 사용하는 것이다. 예컨대, 도1을 재참조하면, 개구 마스크(10A)는 중합체 및 자성 재료 모두를 포함할 수 있다. 자성 재료는 중합체 상에 피복 또는 적층될 수 있거나, 중합체 내로 함침될 수 있다. 예컨대, 자성 입자는 개구 마스크(10A)를 형성하는 데 사용되는 중합체 재료 내에 분산될 수 있다. 자력이 사용될 때, 자장이 개구 마스크(10A) 내의 처짐을 제어하는 방식으로 자성 재료를 당기거나 밀도록 증착부 내에 인가될 수 있다.
예컨대, 도11에 도시된 바와 같이, 증착부(120)는 자성 구조체(122)를 포함할 수 있다. 개구 마스크(10I)는 자성 재료를 포함하는 개구 마스크 웨브일 수 있다. 자성 구조체(122)는 개구 마스크 웨브(10I) 내의 처짐을 감소, 제거 또는 제어하도록 개구 마스크 웨브(10I)를 당길 수 있다. 대신에, 자성 구조체(122)는 처짐이 개구 마스크 웨브(10I) 내의 자성 재료를 밀어냄으로써 제어되도록 위치될 수 있다. 이러한 경우에, 자성 구조체(122)는 증착 기판(112)에 대향인 개구 마스크(10I)의 측면 상에 위치될 수 있다. 예컨대, 자성 구조체(122)는 영구 자석 또는 전자석의 어레이에 의해 구현될 수 있다.
처짐을 제어하는 또 다른 방법은 정전기의 사용이다. 이러한 경우에, 개구 마스크(10A)는 정전기적으로 피복되는 웨브의 중합체 피막을 포함할 수 있다. 정전기 피복이 처짐을 제어하는 데 사용되면 자성 구조체(122)(도11 참조)가 반드시 필요한 것은 아니지만, 정전기가 사용되는 일부의 경우에 도움이 될 수 있다. 전하가 처짐 감소를 촉진시키는 정전기 인력을 촉진시키도록 개구 마스크 웨브, 증착 기판 웨브 또는 이들 모두에 인가될 수 있다.
처짐을 제어하는 또 다른 방법은 개구 마스크를 인장하는 것이다. 이러한 경우에, 인장 기구는 처짐을 감소, 제거 또는 제어할 정도로 충분한 크기에 의해 개구 마스크를 인장하는 데 이용될 수 있다. 마스크가 단단히 인장됨에 따라, 처짐이 감소된다. 이러한 경우에, 개구 마스크는 수용 가능한 탄성 계수를 가질 필요가 있을 수 있다. 후술된 바와 같이, 횡단-웨브 방향, 하향-웨브 방향 또는 이들 모두의 방향으로의 인장은 처짐을 감소시키고 개구 마스크를 정렬하는 데 사용될 수 있다. 인장을 사용하여 정렬의 용이를 가능하게 하기 위해, 개구 마스크는 손상 없는 탄성 인장을 허용할 수 있다. 하나 이상의 방향으로의 인장의 크기는 0.1%보다 크거나, 심지어 1%보다 클 수 있다. 추가로, 증착 기판이 웨브의 재료이면, 처짐 감소 및/또는 정렬 목적을 위해 과도하게 인장될 수 있다. 또한, 개구 마스크 웨브, 증착 기판 웨브 또는 이들 모두는 더욱 균일한 인장을 용이하게 하는 구멍, 감소 두께 영역, 슬릿 또는 유사한 특징부 등의 비틀림 최소화 특징부를 포함할 수 있다. 슬릿은 웨브의 패터닝된 영역의 모서리 부근에 부가될 수 있고 웨브가 인장될 때 정렬의 더욱 양호한 제어 그리고 더욱 균일한 인장을 제공할 수 있다. 슬릿은 웨브가 인장되는 방향에 평행한 방향으로 연장되도록 형성될 수 있다.
도12a는 본 발명에 따른 개구 마스크 웨브를 인장하는 예시 인장 장치의 사시도이다. 인장은 하향-웨브 방향, 횡단-웨브 방향 또는 이들 모두의 횡단 및 하향-웨브 방향으로 수행될 수 있다. 인장 유닛(130)은 비교적 큰 증착 구멍(132)을 포함할 수 있다. 개구 마스크는 증착 구멍(132)을 덮을 수 있고 증착 기판은 개구 마스크와 근접한 상태로 놓일 수 있다. 재료는 증착 구멍(132)을 통해 위로 증발될 수 있고, 개구 마스크 내에 한정된 패턴에 따라 증착 기판 상에 증착될 수 있다.
인장 장치(130)는 다수개의 인장 기구(135A, 135B, 135C, 135D)를 포함할 수 있다. 각각의 인장 기구(135)는 도12b에 도시된 인장 기구 구멍(139)을 통해 위로 돌출될 수 있다. 하나의 특정예에서, 각각의 인장 기구(135)는 개구 마스크 상에 서로 클램핑할 수 있는 상부 클램프부(136) 및 저부 클램프부(137)를 포함한다. 다음에, 개구 마스크는 인장 기구가 개구 마스크를 클램핑하므로 서로로부터 멀리 인장 기구(135)를 이동시킴으로써 인장될 수 있다. 인장 기구의 이동은 개구 마스크가 하향-웨브 방향, 횡단-웨브 방향 또는 이들 모두의 방향으로 인장되는 지를 한정할 수 있다. 인장 기구(135)는 하나 이상의 축을 따라 이동될 수 있다.
인장 기구(135)는 인장 장치(130)의 상부로부터 돌출되는 것으로 도시되어 있지만, 대신에 인장 장치(130)의 저부로부터 돌출될 수 있다. 특히, 인장 장치(130)가 개구 마스크 내의 처짐을 제어하는 데 사용되면, 인장 기구는 전형적으로 인장 장치(130)의 저부로부터 돌출된다. 또한, 인장 장치의 대체 방법도 증착 공정을 위해 개구 마스크 내의 처짐을 제어하거나 개구 마스크를 적절하게 정렬하는 데 사용될 수 있다. 또한, 유사한 인장 기구도 증착 기판 웨브를 인장하는 데 사용될 수 있다.
도13 및 도14는 하향-웨브 방향(도13 참조) 그리고 횡단-웨브 방향(도14 참조)으로 개구 마스크의 인장을 도시하는 인장 장치의 평면도이다. 도13에 도시된 바와 같이, 인장 기구(135)는 개구 마스크 웨브(10J) 상에 클램핑되고 하향-웨브 방향으로 개구 마스크 웨브(10J)를 인장하도록 화살표에 의해 지시된 방향으로 이동된다. 임의의 개수의 인장 기구(135)가 사용될 수 있다. 도14에서, 인장 기구(135)는 화살표에 의해 지시된 바와 같은 횡단-웨브 방향으로 개구 마스크 웨브(10K)를 인장한다. 추가로, 횡단-웨브 방향 및 하향-웨브 방향 모두로의 인장이 이용될 수 있다. 실제로, 하나 이상의 한정된 축들 중 임의의 축을 따른 인장이 이용될 수 있다.
도15는 개구 마스크 웨브(10L) 및 증착 기판 웨브(162) 모두를 인장하는 데 사용될 수 있는 인장 장치(160)의 평면도이다. 특히, 인장 장치(160)는 개구 마스크 웨브(10L)를 인장하도록 개구 마스크 웨브(10L) 상에 클램핑되는 제1 세트의 인장 기구(165A 내지 165D)를 포함한다. 또한, 인장 장치(160)는 증착 기판 웨브(162)를 인장하도록 증착 기판 웨브(162) 상에 클램핑되는 제2 세트의 인장 기구(167A 내지 167D)를 포함한다. 인장은 웨브(10L, 162) 내의 처짐을 감소시킬 수 있고, 개구 마스크 웨브(10L) 및 증착 기판 웨브(162)의 정확한 정렬을 달성하는 데에도 사용될 수 있다. 화살표는 하향-웨브 방향으로의 인장을 도시하고 있지만,횡단-웨브 방향 또는 하향-웨브 및 횡단-웨브 방향 모두의 방향으로의 인장도 본 발명에 따라 이용될 수 있다.
도16은 본 발명의 일 실시예에 따른 인-라인 증착 시스템(170)의 블록도이다. 도시된 바와 같이, 인-라인 증착 시스템(170)은 다수개의 증착부(171A, 171B)[이하, 증착부(171)]를 포함한다. 증착부(171)는 실질적으로 동시에 증착 기판 웨브 상에 재료를 증착한다. 다음에, 증착 후, 증착 기판(172)은 후속의 증착이 수행될 수 있도록 이동된다. 또한, 각각의 증착부는 증착 기판을 횡단하는 방향으로 이송되는 개구 마스크 웨브를 갖는다. 전형적으로, 개구 마스크 웨브는 증착 기판의 이동 방향에 직각 방향으로 이송된다. 예컨대, 개구 마스크 웨브(10M)는 증착부(171A)에 의해 사용될 수 있고, 개구 마스크 웨브(10N)는 증착부(171B)에 의해 사용될 수 있다. 각각의 개구 마스크 웨브(10)는 전술된 하나 이상의 특징부를 포함할 수 있다. 2개의 증착부를 포함하는 것으로 도시되어 있지만, 임의의 개수의 증착부가 본 발명에 따른 인-라인 시스템에서 이용될 수 있다. 또한, 다수개의 증착 기판도 하나 이상의 증착부를 통과할 수 있다.
증착 시스템(170)은 각각 개구 마스크 웨브(10) 및 증착 기판(172)을 이동시키는 구동 기구(174, 176)를 포함할 수 있다. 예컨대, 각각의 구동 기구(174, 176)는 웨브를 구동시키고 원하는 크기의 인장력을 제공하는 하나 이상의 자성 클러치 기구를 이용할 수 있다. 제어 유닛(175)은 증착 시스템(170) 내에서의 웨브의 이동을 제어하도록 구동 기구(174, 176)에 커플링될 수 있다. 또한, 시스템은 시스템 내의 온도를 제어하는 하나 이상의 온도 제어 유닛을 포함할 수 있다. 예컨대, 온도 제어 유닛은 하나 이상의 증착부 내에서의 증착 기판의 온도를 제어하는 데 사용될 수 있다. 온도 제어는 증착 기판의 온도가 250℃를 초과하지 않거나 125℃를 초과하지 않는 것을 보증한다.
추가로, 제어 유닛(175)은 개구 마스크 웨브(10) 및 증착 기판 웨브(172)의 정렬을 제어하도록 상이한 증착부(171)에 커플링될 수 있다. 이러한 경우에, 광학 센서 및/또는 전동 마이크로미터는 증착 공정 중 정렬을 감지 및 제어하도록 증착부(171) 내의 인장 장치와 더불어 이용될 수 있다. 이러한 방식으로, 시스템은 인적 과실을 감소시키고 처리량을 증가시키도록 완전히 자동화된다. 모든 원하는 층이 증착 기판 웨브(172) 상에 증착된 후, 증착 기판 웨브(172)는 다수개의 회로로 절단되거나 분리된다. 시스템은 고주파 식별(RFID) 회로 등의 저가 집적 회로를 제조하는 데 특히 유용할 수 있다.
도17 및 도18은 본 발명에 따라 제조될 수 있는 예시 박막 트랜지스터의 단면도이다. 본 발명에 따르면, 박막 트랜지스터(180, 190)는 부가 또는 삭감 공정에서 사진 공정을 사용하지 않고 제조될 수 있다. 대신에, 박막 트랜지스터(180, 190)는 여기에 설명된 바와 같은 개구 마스크 증착 기술을 사용하여서만 제조될 수 있다. 대신에, 하나 이상의 저부층이 최상부층들 중 적어도 2개가 여기에 설명된 개구 마스크 증착 기술에 의해 형성되는 상태로 부가 또는 삭감 공정에서 사진 공정으로 패터닝될 수 있다. 중요하게는, 개구 마스크 증착 기술은 박막 트랜지스터 내에 충분히 작은 회로 특징부를 달성한다. 유리하게는, 유기 반도체가 사용되면, 본 발명은 유기 반도체가 회로의 최상층이 아닌 박막 트랜지스터의 제조를 용이하게 할 수 있다. 오히려, 사진 공정이 없으면, 전극 패턴이 유기 반도체 재료에 걸쳐 형성될 수 있다. 개구 마스크(10)의 이러한 장점은 회로 요소의 수용 가능한 크기 그리고 일부의 경우에 개선된 장치 성능을 달성하면서 개발될 수 있다.
본 발명의 추가 장점은 특히 활성층이 종래의 패터닝 공정이 양립될 수 없는 유기 반도체를 포함하는 경우에 개구 마스크가 장치 성능을 향상시킬 수 있는 패터닝된 활성층을 증착하는 데 사용될 수 있다. 일반적으로, 반도체는 비정질(예컨대, 비정질 실리콘) 또는 다정질(예컨대, 펜타센)일 수 있다.
박막 트랜지스터는 예컨대 RFID 회로 및 다른 저가 회로를 포함하는 다양한 상이한 회로에서 공통적으로 이용된다. 추가로, 박막 트랜지스터는 액정 디스플레이 화소 또는 유기 발광 다이오드 등의 다른 평탄 패널 디스플레이 화소를 위한 제어 요소로서 사용될 수 있다. 또한, 박막 트랜지스터를 위한 다수개의 다른 분야도 존재한다.
도17에 도시된 바와 같이, 박막 트랜지스터(180)는 증착 기판(181) 상에 형성된다. 박막 트랜지스터(180)는 모든 층이 개구 마스크를 사용하여 증착되어 어떠한 층도 식각 또는 사진 기술을 사용하여 형성되지 않는 트랜지스터의 일 실시예를 나타낸다. 여기에서 설명된 개구 마스크 증착 기술은 종래의 식각 또는 사진 공정을 회피하면서 전극들 사이의 거리가 대략 1000 ㎛보다 작거나, 대략 50 ㎛보다 작거나, 대략 20 ㎛보다 작거나, 심지어 10 ㎛보다 작은 박막 트랜지스터(180)의 제조를 가능하게 한다.
특히, 박막 트랜지스터(180)는 증착 기판(181)에 걸쳐 형성된 제1 증착 전도체층(182)을 포함한다. 증착 유전체층(183)은 제1 전도체층(182)에 걸쳐 형성된다. 소스 전극(185) 및 드레인 전극(186)을 한정하는 제2 증착 전도체층(184)은 증착 유전체층(183)에 걸쳐 형성된다. 증착 반도체층 또는 증착 유기 반도체층 등의 증착 활성층(187)은 제2 증착 전도체층(184)에 걸쳐 형성된다. 인-라인 증착 시스템을 사용하는 개구 마스크 증착 기술은 박막 트랜지스터(180)를 제조하는 하나의 예시 방법을 나타낸다. 이러한 경우에, 박막 트랜지스터(180)의 각각의 층은 가요성 개구 마스크 웨브(10) 내의 하나 이상의 증착 개구에 의해 한정될 수 있다. 대신에, 박막 트랜지스터의 하나 이상의 층이 개구 마스크 웨브(10) 내의 다수개의 상이한 패턴에 의해 한정될 수 있다. 이러한 경우에, 전술된 바와 같은 스티칭 기술이 사용될 수 있다.
개구 마스크 웨브(10) 내의 증착 개구(14)를 충분히 작게 형성함으로써, 박막 트랜지스터(180)의 하나 이상의 특징부가 대략 1000 ㎛보다 작거나, 대략 50 ㎛보다 작거나, 20 ㎛보다 작거나, 10 ㎛보다 작거나, 심지어 5 ㎛보다 작게 제조될 수 있다. 더욱이, 개구 마스크 웨브(10) 내의 간극을 충분히 작게 형성함으로써, 소스 전극(185)과 드레인 전극(186) 사이의 거리 등의 다른 특징부가 대략 1000 ㎛보다 작거나, 대략 50 ㎛보다 작거나, 20 ㎛보다 작거나, 심지어 10 ㎛보다 작게 제조될 수 있다. 이러한 경우에, 단일 마스크 패턴은 제2 전도체층(184)을 증착하는 데 사용될 수 있고, 각각의 2개의 전극(185, 186)은 대략 1000 ㎛보다 작거나, 대략 50 ㎛보다 작거나, 대략 20 ㎛보다 작은 간극 또는 대략 10 ㎛보다 작은 간극 등의 충분히 작은 간극에 의해 분리되는 증착 개구에 의해 한정된다. 이러한 방식으로, 박막 트랜지스터(180)의 크기는 감소될 수 있어, 박막 트랜지스터(190)의 성능을 개선하면서 작고 높은 밀도의 회로의 제조를 가능하게 한다. 추가로, 도17에 도시된 바와 같이 2개 이상의 트랜지스터를 포함하는 회로는 도3 및 도4에 도시된 바와 같이 큰 거리에 의해 분리되는 패턴의 2개의 증착 개구를 갖는 개구 마스크 웨브에 의해 형성될 수 있다.
도18은 박막 트랜지스터(190)의 또 다른 실시예를 도시하고 있다. 특히, 박막 트랜지스터(190)는 증착 기판(191)에 걸쳐 형성된 제1 증착 전도체층(192)을 포함한다. 증착 유전체층(193)은 제1 전도체층(192)에 걸쳐 형성된다. 증착 반도체층 또는 증착 유기 반도체층 등의 증착 활성층(194)은 증착 유전체층(193)에 걸쳐 형성된다. 소스 전극(196) 및 드레인 전극(197)을 한정하는 제2 증착 전도체층(195)은 증착 활성층(194)에 걸쳐 형성된다.
재차, 개구 마스크 웨브(10) 내의 증착 개구(14)를 충분히 작게 형성함으로써, 박막 트랜지스터(190)의 하나 이상의 특징부가 여기에서 논의된 것과 같은 정도의 폭을 가질 수 있다. 또한, 개구 마스크 웨브(10) 내의 개구들 사이의 간극을 충분히 작게 형성함으로써, 소스 전극(196)과 드레인 전극(197) 사이의 거리는 여기에서 논의된 간극 크기의 정도로 될 수 있다. 이러한 경우에, 단일 마스크 패턴은 제2 전도체층(195)을 증착하는 데 사용될 수 있고, 각각의 2개의 전극(196, 197)은 충분히 작은 간극에 의해 분리되는 증착 개구에 의해 한정된다. 이러한 방식으로, 박막 트랜지스터(190)의 크기는 감소될 수 있고, 박막 트랜지스터(190)의 성능은 개선될 수 있다.
유기 반도체를 이용하는 박막 트랜지스터는 일반적으로 유기 반도체가 유기 반도체 재료의 성능을 손상 또는 악화시키지 않고 식각 또는 사진 패터닝될 수 없기 때문에 도17의 형태를 취한다. 예컨대, 형태 변화가 처리 용매에 노출될 때 유기 반도체층 내에서 일어날 수 있다. 이러한 이유로 인해, 유기 반도체가 상부층으로서 증착되는 제조 기술이 사용될 수 있다. 도18의 배치 구성은 전극에 대한 상부 접촉이 낮은 저항 계면을 제공하기 때문에 유리하다.
개구 마스크 증착 기술을 사용하여 박막 트랜지스터의 적어도 2개의 상부층을 형성함으로써, 본 발명은 활성층(194)이 유기 반도체층이더라도 도18의 배치 구성을 용이하게 한다. 도18의 배치 구성은 도17에 도시된 바와 같이 제2 불연속 전도체층(184)에 걸쳐 증착되는 것과 반대로 유전체층(193)의 비교적 평탄한 표면에 걸쳐 유기 반도체층이 증착되게 함으로써 유기 반도체층의 성장을 촉진시킬 수 있다. 예컨대, 유기 반도체 재료가 비평탄 표면에 걸쳐 증착되면, 성장은 억제될 수 있다. 이와 같이, 억제된 유기 반도체 성장을 회피하기 위해, 도18의 배치 구성은 바람직할 수 있다. 일부의 실시예에서, 모든 층은 전술된 바와 같이 증착될 수 있다. 또한, 도18의 배치 구성은 유기 반도체 상으로의 적절한 소스 및 드레인 전극의 증착이 낮은 저항 계면을 제공하기 때문에 유리하다. 추가로, 큰 거리에 의해 분리되는 2개 이상의 트랜지스터를 갖는 회로도 예컨대 도3 및 도4에 도시된 것과 동일한 개구 마스크 웨브를 사용하여 제조될 수 있다.
본 발명의 다수개의 실시예가 설명되었다. 예컨대, 다수개의 상이한 구조 요소 그리고 상이한 개구 마스크 증착 기술이 인-라인 증착 시스템을 구현하기 위해 설명되었다. 이러한 증착 기술은 임의의 화학적 식각 공정 또는 사진 공정을 회피하면서 증착을 사용하여서만 다양한 회로를 제조하는 데 사용될 수 있으며, 이는 유기 반도체가 포함될 때 특히 유용하다. 더욱이, 이러한 시스템은 인적 과실을 감소시키고 처리량을 증가시키도록 자동화될 수 있다. 그럼에도 불구하고, 다양한 변형예가 본 발명의 사상 및 범주를 벗어나지 않고 수행될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 예컨대, 본 발명의 일부의 태양은 열적 기상 증착 공정에서의 사용을 위해 설명되었지만, 여기에서 설명된 기술 및 구조 장치는 스퍼터링, 열 증발, 전자 빔 증발 및 펄스형 레이저 증착을 포함하는 임의의 증착 공정과 더불어 사용될 수 있다. 이와 같이, 이들 다른 실시예는 다음의 청구의 범위 내에 있다.

Claims (60)

  1. 재위치 가능한 개구 마스크이며,
    가요성 피막의 긴 웨브와,
    피막 내에 형성되고, 집적 회로의 적어도 일부를 한정하는 피막을 통해 연장되는 증착 개구를 한정하는 증착 마스크 패턴을 포함하는 개구 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 피막의 웨브에는 다수개의 증착 마스크 패턴이 형성되는 개구 마스크.
  3. 제2항에 있어서, 각각의 증착 마스크 패턴은 실질적으로 동일한 개구 마스크.
  4. 제2항에 있어서, 피막의 웨브에는 2개 이상의 상이한 마스크 패턴이 형성되는 개구 마스크.
  5. 제1항에 있어서, 피막의 웨브는 롤을 형성하도록 감겨질 수 있을 정도로 충분히 가요성인 개구 마스크.
  6. 제1항에 있어서, 피막의 웨브는 적어도 하향-웨브 방향으로 인장될 수 있도록 인장 가능한 개구 마스크.
  7. 제1항에 있어서, 피막의 웨브는 적어도 횡단-웨브 방향으로 인장 가능한 개구 마스크.
  8. 제1항에 있어서, 피막의 웨브는 중합체 피막을 포함하는 개구 마스크.
  9. 제8항에 있어서, 중합체 피막은 폴리이미드를 포함하는 개구 마스크.
  10. 제1항에 있어서, 하나 이상의 증착 개구는 대략 1000 ㎛보다 작은 폭을 갖는 개구 마스크.
  11. 제10항에 있어서, 하나 이상의 증착 개구는 대략 50 ㎛보다 작은 폭을 갖는 개구 마스크.
  12. 제11항에 있어서, 하나 이상의 증착 개구는 대략 20 ㎛보다 작은 폭을 갖는 개구 마스크.
  13. 제1항에 있어서, 웨브는 길이가 적어도 대략 100 ㎝인 개구 마스크.
  14. 제13항에 있어서, 웨브는 길이가 적어도 대략 10 m인 개구 마스크.
  15. 제1항에 있어서, 웨브는 폭이 적어도 대략 3 ㎝인 개구 마스크.
  16. 제1항에 있어서, 웨브는 두께가 대략 200 ㎛보다 작은 개구 마스크.
  17. 제1항에 있어서, 웨브는 두께가 대략 30 ㎛보다 작은 개구 마스크.
  18. 제1항에 있어서, 가요성 피막에는 자성 재료가 함침되는 개구 마스크.
  19. 제1항에 있어서, 증착 마스크 패턴은 디스플레이의 하나 이상의 회로 요소를 한정하는 개구 마스크.
  20. 제1항에 있어서, 증착 마스크 패턴은 고주파 식별(RFID) 회로의 하나 이상의 회로 요소를 한정하는 개구 마스크.
  21. 가요성 피막의 제1 웨브와,
    집적 회로의 적어도 일부를 한정하는 증착 마스크 패턴을 한정하는 가요성 피막의 제2 웨브와,
    제1 및 제2 웨브들 중 적어도 하나를 제1 및 제2 웨브들 중 다른 하나에 대해 이동시키는 구동 기구와,
    피막의 제2 웨브에 의해 한정되는 증착 마스크 패턴을 통해 피막의 제1 웨브 상으로 증착하는 증착 유닛을 포함하는 시스템.
  22. 제21항에 있어서, 증착 전 피막의 제1 웨브와 피막의 제2 웨브의 증착 마스크 패턴을 정렬하는 정렬 기구를 더 포함하는 시스템.
  23. 제22항에 있어서, 정렬 기구는 피막의 제1 웨브에 대해 증착 마스크 패턴을 정렬하도록 피막의 제2 웨브를 인장하는 인장 장치인 시스템.
  24. 제22항에 있어서, 정렬 기구는 피막의 제1 웨브에 대해 증착 마스크 패턴을 정렬하도록 피막의 제1 웨브를 인장하는 인장 장치인 시스템.
  25. 제22항에 있어서, 정렬 기구는 피막의 제1 웨브에 대해 증착 마스크 패턴을 정렬하도록 피막의 제1 및 제2 웨브 모두를 인장하는 인장 장치인 시스템.
  26. 제21항에 있어서, 피막의 제1 및 제2 웨브는 롤을 형성하도록 감겨질 수 있을 정도로 충분히 가요성인 시스템.
  27. 제21항에 있어서, 피막의 제1 및 제2 웨브는 중합체 피막을 포함하는 시스템.
  28. 제21항에 있어서, 피막의 제2 웨브에는 다수개의 증착 마스크 패턴이 형성되는 시스템.
  29. 제28항에 있어서, 각각의 증착 마스크 패턴은 실질적으로 동일한 시스템.
  30. 제28항에 있어서, 적어도 2개의 증착 마스크 패턴은 실질적으로 상이한 시스템.
  31. 제21항에 있어서, 각각의 증착 마스크 패턴은 증착 개구를 한정하고, 하나 이상의 증착 개구는 1000 ㎛보다 작은 폭을 갖는 시스템.
  32. 제31항에 있어서, 하나 이상의 증착 개구는 대략 50 ㎛보다 작은 폭을 갖는 시스템.
  33. 제21항에 있어서, 증착 마스크 패턴은 고주파 식별(RFID) 회로의 하나 이상의 회로층을 한정하는 개구 마스크.
  34. 제21항에 있어서, 서로에 대해 피막의 제1 및 제2 웨브를 이동시키도록 구동기구에 커플링된 제어기를 더 포함하는 시스템.
  35. 제34항에 있어서, 제어기는 피막의 제1 및 제2 웨브의 이동을 서로 독립적으로 유발시키는 시스템.
  36. 피막의 제2 웨브가 증착 마스크 패턴을 한정하도록 서로에 근접하게 피막의 제1 및 제2 웨브를 위치시키는 단계와,
    집적 회로의 적어도 일부를 제조하도록 피막의 제2 웨브에 의해 한정된 증착 마스크 패턴을 통해 피막의 제1 웨브 상에 재료를 증착하는 단계를 포함하는 방법.
  37. 제36항에 있어서, 서로 근접하게 피막의 제1 웨브의 상이한 영역 그리고 피막의 제2 웨브의 증착 마스크 패턴을 위치시키는 단계와, 증착 마스크 패턴을 통해 피막의 제1 웨브의 상이한 영역 상에 재료를 증착하는 단계를 더 포함하는 방법.
  38. 제36항에 있어서, 서로 근접하게 피막의 제3 웨브 그리고 피막의 제2 웨브의 증착 마스크 패턴을 위치시키는 단계와, 피막의 제3 웨브 상에 집적 회로의 적어도 일부를 제조하도록 피막의 제2 웨브에 의해 한정된 증착 마스크 패턴을 통해 피막의 제3 웨브 상에 재료를 증착하는 단계를 더 포함하는 방법.
  39. 제36항에 있어서, 피막의 제3 웨브에 또 다른 증착 마스크 패턴이 형성되도록 서로 근접하게 피막의 제1 웨브 그리고 피막의 제3 웨브를 위치시키는 단계와, 피막의 제1 웨브 상에 집적 회로의 또 다른 부분을 제조하도록 피막의 제3 웨브 상의 증착 마스크 패턴을 통해 피막의 제1 웨브 상에 또 다른 재료를 증착하는 단계를 더 포함하는 방법.
  40. 제36항에 있어서, 서로 근접하게 피막의 제1 웨브 그리고 증착 마스크 패턴이 형성된 다수개의 피막의 웨브 각각을 위치시키는 단계와, 피막의 제1 웨브 상에 집적 회로를 제조하도록 증착 마스크 패턴을 통해 피막의 제1 웨브 상에 재료를 순차적으로 증착하는 단계를 더 포함하는 방법.
  41. 제40항에 있어서, 피막의 제1 웨브 상에 다수개의 집적 회로를 제조하는 단계를 더 포함하는 방법.
  42. 제41항에 있어서, 다수개의 집적 회로를 분리하는 단계를 더 포함하는 방법.
  43. 제42항에 있어서, 집적 회로는 고주파 식별(RFID) 회로를 포함하는 방법.
  44. 제36항에 있어서, 증착 전 피막의 제1 웨브에 대해 증착 마스크 패턴을 정렬하도록 하향-웨브 방향으로 피막의 제2 웨브를 인장하는 단계를 더 포함하는 방법.
  45. 제36항에 있어서, 증착 전 피막의 제1 웨브에 대해 증착 마스크 패턴을 정렬하도록 횡단-웨브 방향으로 피막의 제2 웨브를 인장하는 단계를 더 포함하는 방법.
  46. 제36항에 있어서, 증착 전 피막의 제1 웨브에 대해 증착 마스크 패턴을 정렬하도록 하향-웨브 방향으로 피막의 제1 웨브를 인장하는 단계를 더 포함하는 방법.
  47. 제36항에 있어서, 증착 전 피막의 제1 웨브에 대해 증착 마스크 패턴을 정렬하도록 횡단-웨브 방향으로 피막의 제1 웨브를 인장하는 단계를 더 포함하는 방법.
  48. 제36항에 있어서, 증착 전 피막의 제1 웨브에 대해 증착 마스크 패턴을 정렬하도록 각각 하향-웨브 방향으로 피막의 제1 웨브 및 피막의 제2 웨브 모두를 인장하는 단계를 더 포함하는 방법.
  49. 집적 회로를 제조하는 방법이며,
    다수개의 진공 증착 챔버를 통해 가요성 피막의 긴 제1 웨브를 지나가게 하는 단계와,
    각각의 진공 증착 챔버 내에 가요성 피막의 웨브 상에 패터닝된 재료층을 순차적으로 증착하는 단계를 포함하는 방법.
  50. 제49항에 있어서, 제2 진공 증착 챔버 내에서의 제2 층에 대응하는 층의 증착이 제1 진공 증착 챔버 내에서의 제1 층에 대응하는 층의 증착과 실질적으로 동시에 일어나는 방법.
  51. 제49항에 있어서, 가요성 피막의 긴 제1 웨브를 다수개의 집적 회로로 분리하는 단계를 더 포함하는 방법.
  52. 제51항에 있어서, 각각의 회로는 고주파 식별(RFID) 회로를 포함하는 방법.
  53. 피막의 제1 웨브와,
    다수개의 증착 마스크 패턴이 형성되는 피막의 제2 웨브와,
    다수개의 증착 마스크 패턴이 형성되는 피막의 제3 웨브와,
    재료가 피막의 제2 웨브의 증착 마스크 패턴을 통해 피막의 제1 웨브 상으로 증착될 수 있도록 피막의 제1 및 제2 웨브가 서로를 지나 이송되는 제1 증착 챔버와,
    재료가 피막의 제3 웨브의 증착 마스크 패턴을 통해 피막의 제1 웨브 상으로 증착될 수 있도록 피막의 제1 및 제3 웨브가 서로를 지나 이송되는 제2 증착 챔버를 포함하는 시스템.
  54. 증착 마스크 패턴이 피막의 제1 웨브 내에 형성되는, 기판과 증착 마스크 패턴을 정렬하는 인장 장치이며,
    기판과 피막의 제1 웨브 내에 형성된 증착 마스크 패턴을 정렬하도록 피막의 제1 웨브를 인장하는 제1 인장 기구를 포함하는 인장 장치.
  55. 제54항에 있어서, 증착 마스크 패턴이 기판과 정렬되는 지를 감지하는 하나 이상의 센서를 더 포함하는 인장 장치.
  56. 제54항에 있어서, 기판과 증착 마스크 패턴을 정렬시키는 하나 이상의 제어기를 더 포함하는 인장 장치.
  57. 제54항에 있어서, 기판은 피막의 제2 웨브의 일부를 형성하고, 기판에 대해 피막의 제1 웨브 내에 형성된 증착 마스크 패턴을 정렬하도록 피막의 제2 웨브를 인장하는 제2 인장 기구를 더 포함하는 인장 장치.
  58. 피막의 제1 웨브와,
    다수개의 증착 마스크 패턴이 형성되는 피막의 제2 웨브와,
    하향-웨브 방향으로 피막의 제1 웨브를 인장하는 제1 인장 기구와,
    피막의 제2 웨브의 하향-웨브 방향이 피막의 제1 웨브의 하향-웨브 방향과 상이하고, 피막의 제1 및 제2 웨브의 인장이 증착 공정을 위해 피막의 제1 웨브와 피막의 제2 웨브의 증착 마스크 패턴을 정렬하도록 하향-웨브 방향으로 피막의 제2 웨브를 인장하는 제2 인장 기구와,
    피막의 제1 웨브 상으로 증착 마스크 패턴을 통해 재료를 증착하는 증착 유닛을 포함하는 시스템.
  59. 제58항에 있어서, 하나 이상의 인장 기구가 횡단-웨브 방향으로 하나 이상의 웨브를 인장하는 시스템.
  60. 피막의 제1 웨브와,
    다수개의 증착 마스크 패턴이 형성되는 피막의 제2 웨브와,
    횡단-웨브 방향으로 피막의 제1 웨브를 인장하는 제1 인장 기구와,
    피막의 제2 웨브의 횡단-웨브 방향이 피막의 제1 웨브의 횡단-웨브 방향과 상이하고, 피막의 제1 및 제2 웨브의 인장이 증착 공정을 위해 피막의 제1 웨브와 피막의 제2 웨브의 증착 마스크 패턴을 정렬하도록 횡단-웨브 방향으로 피막의 제2 웨브를 인장하는 제2 인장 기구와,
    피막의 제1 웨브 상으로 증착 마스크 패턴을 통해 재료를 증착하는 증착 유닛을 포함하는 시스템.
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