本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる。
(実施の形態1)
本発明の半導体装置の構成について、図23、24を参照して説明する。図23(C)は図23(A)の上面図の点Aから点B、図23(D)は図23(B)の上面図の点Aから点B、図24(B)は図24(A)の点Aから点Bの断面図である。
基板200の一方の面上には、導電層201、202が設けられている(図23(A)(C)参照)。導電層201、202は、アンテナや接続用の配線として用いられる。端子部203は導電層201の端の部分であり、端子部204は導電層202の端の部分である。
基板205の一方の面上には、薄膜集積回路208が設けられている(図23(B)(D)参照)。また、基板205の一方の面上には、薄膜集積回路208に接続された端子部206、207が設けられている。薄膜集積回路208は、複数のトランジスタを有する。端子部206、207は、薄膜集積回路208が含むトランジスタのゲート電極と同じ層の導電層、又は、ソース配線とドレイン配線と同じ層の導電層、ソース配線とドレイン配線に接続された配線と同じ層の導電層等により形成されている。
端子部206、207は、薄膜集積回路208が含む複数のトランジスタのいずれかに電気的に接続されている。
基板200と基板205は、基板200の一方の面と、基板205の一方の面とが対向するように設けられる(図24(A)(B)参照)。このとき、端子部203と端子部206は、重なるように配置される。また、端子部204と端子部207も重なるように配置される。そして、基板200、端子部203、端子部206及び基板205を貫通するような導電層209が設けられる。また、基板200、端子部204、端子部207及び基板205を貫通するような導電層210が設けられる。このとき、導電層209、210は、薄膜集積回路208に重ならないように設けられる。
導電層209、210を設けることにより、端子部203と端子部206、端子部204と端子部207を電気的に接続させることができる。また、導電層209、210を設けることにより、基板200と基板205との貼り合わせを強固にすることができる。
なお、基板205から、薄膜集積回路208を含む積層体を分離してもよい。そうすると、小型化、薄型化、軽量化を実現することができる。また、上記の構成では、基板205の一方の面上のみに薄膜集積回路208が設けられているが、本発明はこの形態に制約されない。基板200の一方の面上にも薄膜集積回路を設けてもよい。
(実施の形態2)
本発明の半導体装置の構成について説明するために、半導体装置の作製方法について、図1〜4の断面図と図5、6の上面図を参照して説明する。なお、図1(B)は図5(A)、図2(A)は図5(B)(C)、図2(B)は図5(D)の上面図の点Aから点Bの断面図である。また、図2(C)は図6(A)、図3(B)は図6(B)、図4は図6(C)、図6(D)の上面図の点Aから点Bの断面図である。
まず、基板10の一方の面上に、絶縁層11を形成する(図1(A)参照)。次に、絶縁層11上に剥離層12を形成する。次に、剥離層12上に絶縁層13を形成する。
基板10は、ガラス基板、プラスチック基板、シリコン基板、石英基板等である。好適には、基板10として、ガラス基板やプラスチック基板を用いるとよい。ガラス基板やプラスチック基板は、1辺が1メートル以上のものを作成することが容易であり、また、四角形状等の所望の形状のものを作成することが容易であるからである。そのため、例えば、四角形状で、1辺が1メートル以上のガラス基板やプラスチック基板を用いると、生産性を大幅に向上させることができる。このような利点は、円形で、最大で直径が30センチ程度のシリコン基板を用いる場合と比較すると、大きな優位点である。
絶縁層11、13として、プラズマCVD法やスパッタリング法等により、珪素の酸化物、珪素の窒化物、窒素を含む珪素の酸化物、酸素を含む珪素の窒化物などを形成する。絶縁層11は、基板10からの不純物元素が上層に侵入してしまうことを防止する役目を担う。絶縁層11は、必要がなければ、形成しなくてもよい。
剥離層12として、プラズマCVD法やスパッタリング法等により、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、ジルコニウム(Zr)、亜鉛(Zn)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)、珪素(Si)から選択された元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる層を、単層又は積層して形成する。珪素を含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。
剥離層12が単層構造の場合、好ましくは、タングステン、モリブデン、タングステンとモリブデンの混合物、タングステンの酸化物、タングステンの酸化窒化物、タングステンの窒化酸化物、モリブデンの酸化物、モリブデンの酸化窒化物、モリブデンの窒化酸化物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化窒化物、タングステンとモリブデンの混合物の窒化酸化物のいずれかを含む層を形成する。
剥離層12が積層構造の場合、好ましくは、1層目として、タングステン、モリブデン、タングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、2層目として、タングステンの酸化物、モリブデンの酸化物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化物、タングステンの酸化窒化物、モリブデンの酸化窒化物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化窒化物を形成する。
なお、剥離層12として、タングステンとタングステンの酸化物の積層構造を形成する場合、まず、剥離層12としてタングステンを含む層を形成し、その上層の絶縁層13として、珪素の酸化物を含む層を形成することにより、タングステンを含む層と珪素の酸化物を含む層との間に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。これは、タングステンの窒化物、タングステンの酸化窒化物、タングステンの酸化窒化物窒化酸化物を含む層等を形成する場合も同様であり、タングステンを含む層を形成後、その上層に珪素の窒化物を含む層、酸素を含む窒化珪素層、窒素を含む酸化珪素層を形成するとよい。
次に、絶縁層13上に複数のトランジスタ14を形成する。本実施の形態では、複数のトランジスタ14として、薄膜トランジスタ(Thin film transistor)を形成する。複数のトランジスタ14の各々は、半導体層50、ゲート絶縁層(単に絶縁層ともいう)51、ゲート(ゲート電極ともいう)である導電層52を有する。半導体層50は、ソース又はドレインとして機能する不純物領域53、55、チャネル形成領域54を有する。不純物領域53、55には、N型又はP型を付与する不純物元素を添加する。具体的には、N型を付与する不純物元素(例えばリン(P)、砒素(As))、P型を付与する不純物元素(例えばボロン(B))が添加されている。不純物領域55はLDD(Lightly Doped Drain)領域である。なお、複数のトランジスタ14の各々は、半導体層50上にゲート絶縁層51が設けられ、ゲート絶縁層51上に導電層52が設けられたトップゲート型、導電層52上にゲート絶縁層51が設けられ、ゲート絶縁層51上に半導体層50が設けられたボトムゲート型のどちらのタイプでもよい。
なお、図示する構成では、複数のトランジスタ14のみを形成しているが、本発明はこの構成に制約されない。基板10上に設けられる素子は、半導体装置の用途によって適宜調整するとよい。例えば、半導体装置が非接触でデータの送信と受信を行う機能を有する場合、基板10上に複数のトランジスタのみ、又は基板10上に複数のトランジスタとアンテナとして機能する導電層を形成するとよい。また、半導体装置がデータを記憶する機能を有する場合、基板10上に複数のトランジスタと記憶素子(例えば、トランジスタ、メモリトランジスタ等)も形成するとよい。また、半導体装置が回路を制御する機能や信号を生成する機能等を有する場合(例えば、CPU、信号生成回路等)、基板10上にトランジスタを形成するとよい。また、上記以外にも、必要に応じて、抵抗素子や容量素子などの他の素子を形成するとよい。
次に、複数のトランジスタ14上に絶縁層15〜17を形成する。絶縁層15〜17は、プラズマCVD法、スパッタリング法、SOG(スピン オン グラス)法、液滴吐出法等を用いて、珪素の酸化物、珪素の窒化物、ポリイミド、アクリル、シロキサン等を用いて形成する。シロキサンとは、例えば、シリコンと酸素との結合で骨格構造が構成され、置換基に、少なくとも水素を含む有機基(例えばアルキル基、芳香族炭化水素)、フルオロ基、又は、少なくとも水素を含む有機基とフルオロ基を用いたものである。なお、上記の構成では、複数のトランジスタ14上に3層の絶縁層(絶縁層15〜17)を形成しているが、本発明はこの構成に制約されない。複数のトランジスタ14上に設けられる絶縁層の数は特に制約されない。
次に、絶縁層15〜17に開口部を形成して、複数のトランジスタ14の各々のソース(ソース領域ともいう)又はドレイン(ドレイン領域ともいう)に接続された導電層20〜25を形成する。導電層20〜25は、プラズマCVD法やスパッタリング法等により、チタン(Ti)、アルミニウム(Al)等から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層又は積層で形成する。導電層20〜25は、ソース配線又はドレイン配線として機能する。また、導電層20、25は、端子部としても機能する。
次に、絶縁層17と導電層20〜25上に、絶縁層28を形成する(図1(B)、図5(A)参照)。絶縁層28は、絶縁性の樹脂により、5〜200μm、好適には15〜35μmの厚さで形成する。絶縁性の樹脂とは、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などである。また、絶縁層28は、スクリーン印刷法、液滴吐出法(例えば、インクジェット法)、フォトリソグラフィ法等を用いて、均一に形成する。これらの方法のうち、好適には、スクリーン印刷法を用いるとよい。スクリーン印刷法は、処理時間が短く、装置が安価であるからである。
次に、少なくとも、剥離層12の一部が露出するような開口部29を形成する(図2(A)、図5(B)(C)参照)。この工程は、フォトリソグラフィ法、レーザービームの照射等により行うが、処理時間が短い点から、レーザービームの照射により行うとよい。レーザービームは、基板10、絶縁層11、剥離層12、絶縁層13、15〜17、28に対して照射される。また、レーザービームは、絶縁層28の表面から照射される。開口部29は、少なくとも、剥離層12の一部が露出するように形成される。そのため、少なくとも、絶縁層13、15〜17、28には、開口部29が設けられる。図2(A)、5(B)図示する構成では、レーザービームが、基板10にまで達した場合を示す。また、図5(C)では基板10を6つに分割した場合を示す。
レーザーは、レーザー媒質、励起源、共振器により構成されている。レーザーは、媒質により分類すると、気体レーザー、液体レーザー、固体レーザーがあり、発振の特徴により分類すると、自由電子レーザー、半導体レーザー、X線レーザーがあるが、本発明では、いずれのレーザーを用いてもよい。なお、好ましくは、気体レーザー又は固体レーザーを用いるとよく、さらに好ましくは固体レーザーを用いるとよい。
気体レーザーは、ヘリウムネオンレーザー、炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー、アルゴンイオンレーザーがある。エキシマレーザーは、希ガスエキシマレーザー、希ガスハライドエキシマレーザーがある。希ガスエキシマレーザーは、アルゴン、クリプトン、キセノンの3種類の励起分子による発振がある。アルゴンイオンレーザーは、希ガスイオンレーザー、金属蒸気イオンレーザーがある。
液体レーザーは、無機液体レーザー、有機キレートレーザー、色素レーザーがある。無機液体レーザーと有機キレートレーザーは、固体レーザーに利用されているネオジムなどの希土類イオンをレーザー媒質として利用する。
固体レーザーが用いるレーザー媒質は、固体の母体に、レーザー作用をする活性種がドープされたものである。固体の母体とは、結晶又はガラスである。結晶とは、YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット結晶)、YLF、YVO4、YAlO3、サファイア、ルビー、アレキサンドライドである。また、レーザー作用をする活性種とは、例えば、3価のイオン(Cr3+、Nd3+、Yb3+、Tm3+、Ho3+、Er3+、Ti3+)である。
なお、本発明に用いるレーザーには、連続発振型のレーザービームやパルス発振型のレーザービームを用いることができる。なお、レーザービームの照射条件、例えば、周波数、パワー密度、エネルギー密度、ビームプロファイル等は、複数のトランジスタ14を含む積層体の厚さなどを考慮して適宜調整する。
なお、上記のレーザービームを照射する工程では、アブレーション加工を用いることを特徴としている。アブレーション加工とは、レーザービームを照射した部分に生じる現象、つまり、レーザービームが照射されて該レーザービームを吸収した部分の分子結合が切断されて、光分解し、気化して蒸発する現象を用いた加工である。つまり、本発明では、レーザービームを照射して、基板10、絶縁層11、剥離層12、絶縁層13、15〜17、28のある部分の分子結合を切断し、光分解し、気化して蒸発させることにより、開口部29を形成している。
また、レーザーは、紫外領域である1〜380nmの波長の固体レーザーを用いるとよい。好ましくは、1〜380nmの波長のNd:YVO4レーザーを用いるとよい。その理由は、1〜380nmの波長のNd:YVO4レーザーは、他の高波長側のレーザーに比べ、基板に光が吸収されやすく、アブレーション加工が可能であるからである。また、加工部の周辺に影響を与えず、加工性がよいからである。
次に、絶縁層28上に、絶縁層35を形成する(図2(B)、図5(D)参照)。絶縁層35は、絶縁材料を用いて形成する。また、絶縁層35は、熱硬化樹脂、紫外線硬化樹脂、酢酸ビニル樹脂系接着剤、ビニル共重合樹脂系接着剤、エポキシ樹脂系接着剤、ウレタン樹脂系接着剤、ゴム系接着剤、アクリル樹脂系接着剤等の接着剤を用いて形成する。また、絶縁層35は、接着剤中に導電性フィラーが設けられた異方性導電材料を用いて形成する。接着剤中に導電性フィラーが設けられた材料は、ACP(Anisotropic Conductive Paste)とよばれる。絶縁層35は、スクリーン印刷法、液滴吐出法、フォトリソグラフィ法等を用いて、均一に形成する。
次に、アンテナ(アンテナとして機能する導電層)40、容量素子41が設けられた基板36を準備する(図2(C)、図6(A)参照)。アンテナ40、容量素子41の各々は、スクリーン印刷法、液滴吐出法、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、CVD法などを用いて形成する。図2(C)には、アンテナ40の一部である導電層33、34を図示する。導電層33、34は、アンテナの一部であり、かつ、端子部である。
次に、絶縁層35上に、導電層33、34が設けられた基板36を設置する(図3(A)参照)。このとき、導電層33と導電層20の一部、導電層34と導電層25の一部が重なるように、基板36を設置する。導電層20の一部と、導電層25の一部は、端子部である。
続いて、必要があれば、絶縁層35と基板36とを接着する。この際、フリップチップボンダー、ダイボンダー、ACF貼り付け機、圧着機等により、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行うことにより、接着される。
次に、基板36を用いて、基板10から、複数のトランジスタ14を含む積層体を分離する(図3(B)、図6(B)参照)。なお、基板10からの、複数のトランジスタ14を含む積層体の分離は、剥離層12の内部、又は剥離層12と絶縁層13を境界として行われる。図示する構成では、分離は、剥離層12と絶縁層13を境界として行われた場合を示す。なお、この工程では、基板10からの積層体の分離を、基板36を用いて行うことを特徴としている。上記特徴により、容易にかつ短時間で行うことができる。
次に、絶縁層13、15、16、17、導電層20、絶縁層28、35、導電層33、基板36を貫通するように、導電層18を設ける(図4、図6(C)、図6(D)参照)。また、絶縁層13、15、16、17、導電層25、絶縁層28、35、導電層34、基板36を貫通するように、導電層19を設ける。導電層18、19は、ステンレス鋼線材を伸線したもの、ナマシ鉄線を亜鉛メッキし、常温で伸線したもの等を用いる。また、導電層18、19を設ける手段として、例えば、「コ」の字形の綴じ針を対象物へ挿入し、内側へ折り曲げることで、紙などを綴り合せる道具(綴じ針を対象物に挿入し、綴じ針の先端を折り曲げて、対象物同士を固定する道具、例えば、紙綴器、綴込器、ステープラー)を用いるとよい。また、紙などを縫い合わせる機械(例えば、ミシン)を用いるとよい。
導電層18、19は、複数の薄膜トランジスタ14(複数のトランジスタ14)とは重ならないように設けられている。また、導電層18、19は、「コ」の字形に設けられている。そのため、複数のトランジスタ14を含む積層体と基板36との貼り合わせ(固定)を強固にすることができる。
導電層18、19を設けることにより、導電層20と導電層33、導電層25と導電層34とを電気的に接続させることができる。また、導電層18、19を設けることにより、複数のトランジスタ14を含む積層体と、導電層33、34が設けられた基板36との貼り合わせ(固定)を強固に行うことができる。また、導電層18、19を設けることにより、導電層20と導電層33、導電層25と導電層34の間の抵抗値を低くし、消費電力を低減することができる。
また、複数のトランジスタ14を含む積層体を物品(例えば、紙幣等)に固定する場合がある。そのような場合、絶縁層13、15、16、17、導電層20、絶縁層28、35、導電層33、基板36だけではなく、物品も貫通するように、導電層18、19を設けるとよい。そうすると、複数のトランジスタ14を含む積層体と物品とを固定することができる。
上記に挙げた利点のうち、消費電力を低減することができるという利点は、非接触でデータの送信と受信を行うことが可能な半導体装置にとって、有用な利点である。これは、非接触でデータの送信と受信を行うことが可能な半導体装置は、アンテナから供給される交流の電気信号を用いて電源を生成するため、電源の安定化が難しく、消費電力を極力抑制することが必要であるためである。仮に、消費電力が増加すると、強力な電磁波を入力する必要があるため、リーダ/ライタの消費電力の増加、他の装置や人体への悪影響などの不具合が生じてしまうことがあり、また、半導体装置とリーダ/ライタとの通信距離に制約が生じてしまうことがあるためである。
なお、上記構成の半導体装置(図4参照)において、複数のトランジスタ14を含む積層体を、基板によりさらに封止してもよい(図7(A)参照)。具体的には、基板36と絶縁層13の一方又は両方の表面に、新たに、基板を設けてもよい。図示する構成では、基板36の表面に基板37を設け、絶縁層13の表面に基板38を設けることにより、複数のトランジスタ14を含む積層体を、基板37、38により封止している。基板37、38により封止することにより、強度を向上させることができる。なお、図示する構成では、基板37、38による封止後、導電層18、19を設けているが、本発明はこの構成に制約されない。基板37、38により封止する前に、導電層18、19を設けてもよい。
基板(基体、フィルム、テープとよぶこともできる)37、38の各々は、可撓性を有する基板である。基板37、38の各々は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、AS樹脂、ABS樹脂(アクリルニトリル、ブタジエン、スチレンの三つが重合した樹脂)、メタクリル樹脂(アクリルともいう)、ポリ塩化ビニル、ポリアセタール、ポリアミド、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアミドイミド、ポリメチルペンテン、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ジアリルフタレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド、ポリウレタン等の材料、繊維質の材料(例えば紙)からなる。フィルムは、単層のフィルムでもよいし、複数のフィルムが積層したフィルムでもよい。また、その表面には、接着層が設けられていてもよい。接着層は、接着剤を含む層である。
基板37、38の各々の表面は、二酸化珪素(シリカ)の粉末により、コーティングされていてもよい。コーティングにより、高温で高湿度の環境下においても防水性を保つことができる。また、その表面は、インジウム錫酸化物等の導電性材料によりコーティングされていてもよい。コーティングした材料が静電気をチャージし、薄膜集積回路を静電気から保護することができる。また、その表面は、炭素を主成分とする材料(例えば、ダイヤモンドライクカーボン)によりコーティングされていてもよい。コーティングにより強度が増し、半導体装置の劣化や破壊を抑制することができる。また、基板37、38は、基材の材料(例えば樹脂)と、二酸化珪素や導電性材料や炭素を主成分とする材料とを混ぜ合わせた材料により形成してもよい。
基板37、38による複数のトランジスタ14を含む積層体の封止は、基板37、38の各々の表面の層、又は基板37、38の各々の表面の接着層を加熱処理によって溶かすことにより行われる。また必要に応じて、加圧処理が行われる。
また、上記構成の半導体装置(図7(A)参照)において、導電層20、33と、導電層25、34の間に、導電層18、19がそれぞれ設けられているが、本発明はこの構成に制約されない。導電層20〜25上に絶縁層60を設け、絶縁層60に設けられた開口部を介して、導電層20、25に接続された導電層58、59を設けてもよい。そして、導電層58、33と、導電層59、34の間に、導電層18、19をそれぞれ設けてもよい。
また、上記構成の半導体装置(図7(A)参照)では、導電層20、25と、導電層33、34の間に、2層の絶縁層(絶縁層28、35)が設けられているが、本発明はこの構成に制約されない。導電層20、25と、導電層33、34の間に、1層の絶縁層(絶縁層26)のみを設けてもよい(図8(A)参照)。なお、絶縁層26は、絶縁材料、接着性を有する材料、異方性導電材料等から形成される。このように、1層の絶縁層のみを設けることにより、工程数を削減し、作成費用の低減を実現することができる。また、薄型化を実現することができる。
また、上記構成の半導体装置(図7(A)参照)では、導電層20、25と、導電層33、34とが、それぞれ電気的に接続されるように、導電層18、19が設けられている。導電層20、25は、トランジスタのソース電極又はドレイン電極に接続されるソース配線又はドレイン配線、又は、ソース配線又はドレイン配線と同じ層に設けられた導電層である。しかしながら、本発明はこの構成に制約されない。導電層20、25ではなく、トランジスタのゲート電極と同じ層に設けられた導電層31、32を用いてもよい。そして、導電層31、32と、導電層33、34とが、電気的に接続されるように、導電層18、19を設けてもよい。
また、上記構成の半導体装置(図7(A)参照)では、導電層18、19の各々の貫通孔(孔、穴、開口部ともいう)は、2つ設けられているが、本発明はこの構成に制約されない。導電層18、19の貫通孔を2つ以上設けてもよい(図8(B)参照)。貫通孔を2つ以上設けるためには、紙などを縫い合わせる機械(例えば、ミシン)を用いるとよい。また、導電層18、19として、柔軟性のあるものを用いるとよい。貫通孔を2つ以上設けることにより、複数のトランジスタ14を含む積層体と、導電層33、34が設けられた基板36との貼り合わせ(固定)を強固にすることができる。
また、上記構成の半導体装置(図7(A)参照)とは異なり、絶縁層28、35を選択的に設け、導電層20と導電層33の間にバンプ65を設けてもよい(図9(A)参照)。また、導電層25と導電層34の間にバンプ66を設けてもよい。
また、上記構成の半導体装置(図7(A)参照)とは異なり、絶縁層28を選択的に設け、かつ、絶縁層35を、導電性粒子73を含む樹脂層74に置換してもよい。そして、導電層20と導電層33の間に、バンプ65と樹脂層74を設けてもよい(図9(B)参照)。また、導電層25と導電層34の間に、バンプ66と樹脂層74を設けてもよい。なお、導電性粒子73を含む樹脂層74とは、異方性導電層である。
また、上記構成の半導体装置(図7(A)参照)とは異なり、絶縁層28、35を選択的に設け、導電層20と導電層33の間に、バンプ68、69を設けてもよい(図10(A)参照)。また、導電層25と導電層34の間に、バンプ70、71を設けてもよい。
また、上記構成の半導体装置(図7(A)参照)とは異なり、絶縁層28を選択的に設け、かつ、絶縁層35を、導電性粒子73を含む樹脂層74に置換してもよい。そして、導電層20と導電層33の間に、バンプ68、導電性粒子73を含む樹脂層74、バンプ69を設けてもよい(図10(B)参照)。また、導電層25と導電層34の間に、バンプ70、樹脂層74、バンプ71を設けてもよい。
バンプは、金、銀、銅のいずれかを用いるが、好適には、抵抗値の低い銀を用いるとよい。
(実施の形態3)
上記の実施の形態では、基板10から、複数のトランジスタ14を含む積層体を分離しているが(図3(B)参照)、本発明はこの形態に制約されない。
導電層20〜25を形成した後に(図1(A))、必要に応じて、導電層20〜25上に保護を目的とした層を形成し、その後、基板10の他方の面を、研削装置を用いて研削してもよい。好適には、基板10の厚さが100μm以下になるまで研削する。研削装置は、例えば、研削盤、砥ぎ磨く石である。
続いて、研削した基板10の他方の面を、研磨装置を用いて研磨してもよい。好適には、基板10の厚さが50μm以下、好ましくは20μm以下、より好ましくは5μm以下になるまで研磨する。研磨装置は、例えば、研磨パッド、研磨砥粒(例えば酸化セリウム等)である。研削工程と研磨工程の後は、必要に応じて、ゴミを除去するための洗浄工程、乾燥工程の一方又は両方を行う。
また、研磨後の基板10の厚さは、研削工程と研磨工程に必要な時間、後に行う切断工程に必要な時間、半導体装置の用途、その用途に必要な強度などを考慮して、適宜決めるとよい。例えば、研削工程と研磨工程の時間を短くすることにより生産性を向上させる場合は、研磨後の基板10の厚さは50μm程度にするとよい。また、後に行う切断工程に必要な時間を短くすることにより生産性を向上させる場合、研磨後の基板10の厚さは、20μm以下、より好適には5μm以下とするとよい。また、半導体装置を薄い物品に貼り付けたり、埋め込んだりする場合、研磨後の基板10の厚さは20μm以下、より好適には5μm以下とするとよい。
次に、導電層20〜25上に、絶縁層28を形成する(図1(B)参照)。続いて、開口部29は形成せず、絶縁層28上に、絶縁層35を形成する(図2(B)参照)。次に、導電層33、34が設けられた基板36を準備する。次に、絶縁層35上に、導電層33、34が設けられた基板36を設置する。続いて、導電層20と導電層33、導電層25と導電層34とが電気的に接続されるような導電層18、19を設ける(図22参照)。導電層18、19は、導電層20、33と、導電層25、34が貫通するように設けられる。このように、基板10を複数のトランジスタ14を含む積層体から分離せず、基板10を残しておいてもよい。基板10を残しておくことにより、有害な気体の侵入、水の侵入、不純物元素の侵入を抑制することができる。従って、劣化や破壊を抑制し、信頼性を向上させることができる。
なお、上記の実施の形態2における基板10を分離する工程を、本実施の形態のような基板10を研削研磨する工程に置換してもよい。基板10を研削研磨することで、バリア性を向上させることができる。
(実施の形態4)
上記の実施の形態では、基板10を複数のトランジスタ14を含む積層体から分離し(図3(B)参照)、次に、導電層18、19を設けているが(図4参照)、本発明はこの形態に制約されない。基板10を複数のトランジスタ14を含む積層体から分離し(図3(B)参照)、次に、絶縁層13の表面に、基板42と複数のトランジスタ43を含む積層体44を設けてもよい(図11(A)参照)。そして、必要に応じて、加熱処理と加圧処理の一方又は両方を行うことにより、絶縁層13と絶縁層45を接着させてもよい。絶縁層45は、接着剤又は異方性導電材料からなる。
続いて、基板36を用いて、基板42を複数のトランジスタ43を含む積層体46から分離してもよい(図11(B)参照)。図示する構成では、剥離層47と絶縁層48を境界として、基板42を積層体46から分離している。次に、導電層33、20、56を貫通するような導電層18と、導電層34、25、57を貫通するような導電層19を設けてもよい(図12参照)。
上記構成により、複数のトランジスタを積層した半導体装置を提供することができる。複数のトランジスタを積層することにより、1つの半導体装置に設けるトランジスタの個数を多くすることができるため、高機能化を実現した半導体装置を提供することができる。
本発明の半導体装置が含むトランジスタの作製方法について、図16〜18を参照して説明する。まず、基板551上に絶縁層552を形成する(図16(A)参照)。次に、絶縁層552上に絶縁層553を形成する。次に、絶縁層553上に、半導体層554を形成する。次に、半導体層554上にゲート絶縁層555を形成する。
半導体層554は、例えば、以下の作製工程を経て形成する。まず、スパッタリング法、LPCVD法、プラズマCVD法等により非晶質半導体層を形成する。続いて、非晶質半導体層をレーザー結晶化法、RTA法(Rapid Thermal Anneal)又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法とレーザー結晶化法を組み合わせた方法等により結晶化して、結晶質半導体層を形成する。その後、得られた結晶質半導体層を所望の形状にパターニング(パターン加工)して形成する。
好ましくは、半導体層554は、熱処理を伴った結晶化法と、連続発振レーザー若しくは10MHz以上の周波数で発振するレーザービームを照射する結晶化法とを組み合わせて形成するとよい。連続発振レーザー若しくは10MHz以上の周波数で発振するレーザービームを照射することで、結晶化された半導体層554の表面を平坦なものとすることができる。また、半導体層554の表面を平坦化することにより、ゲート絶縁層555を薄膜化することができる。また、ゲート絶縁層555の耐圧を向上させることができる。
また、ゲート絶縁層555は、半導体層554に対し、プラズマ処理を行うことにより、表面を酸化又は窒化することで形成してもよい。例えば、He、Ar、Kr、Xeなどの希ガスと、酸素、酸化窒素、アンモニア、窒素、水素などの混合ガスを導入したプラズマ処理で形成してもよい。この場合のプラズマの励起は、マイクロ波の導入により行うことが好ましい。マイクロ波の導入により行うと、低電子温度で高密度のプラズマを生成することができるからである。そして、この高密度プラズマで生成された酸素ラジカル(OHラジカルを含む場合もある)や窒素ラジカル(NHラジカルを含む場合もある)によって、半導体層554の表面を酸化又は窒化することにより、ゲート絶縁層555を形成することができる。つまり、このような高密度プラズマを用いた処理により、1〜20nm、代表的には5〜10nmの絶縁層が半導体層554の表面に形成される。この場合の反応は、固相反応であるため、当該絶縁層と半導体層554との界面準位密度はきわめて低くすることができる。
このような、高密度プラズマ処理は、半導体層(結晶性シリコン、或いは多結晶シリコン)を直接酸化(若しくは窒化)するため、該半導体層の表面に形成されるゲート絶縁層の厚さのばらつきをきわめて小さくすることができる。また、結晶性シリコンの結晶粒界において、異常に酸化反応をさせることがないため、非常に好ましい状態となる。すなわち、ここで示す高密度プラズマ処理で、半導体層554の表面を固相酸化することにより、結晶粒界において異常に酸化反応をさせることなく、均一性が良く、界面準位密度が低いゲート絶縁層555を形成することができる。
なお、ゲート絶縁層555は、高密度プラズマ処理によって形成される絶縁層のみを用いてもよいし、それに加えて、プラズマや熱反応を利用したCVD法で酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコンなどの絶縁層を堆積し、積層させても良い。いずれにしても、高密度プラズマで形成した絶縁層をゲート絶縁層555の一部又は全部に含むトランジスタは、特性のばらつきを小さくすることができる。
また、連続発振レーザー若しくは10MHz以上の周波数で発振するレーザービームを照射しながら、一方向に走査して結晶化させた半導体層554には、そのビームの走査方向に結晶が成長する特性がある。その走査方向をチャネル長方向(チャネル形成領域が形成されたときにキャリアが流れる方向)に合わせてトランジスタの活性層を配置し、かつ、ゲート絶縁層の作製方法に上記の方法を採用することにより、特性ばらつきが小さく、しかも電界効果移動度が高いトランジスタを得ることができる。
なお、絶縁層552、553、半導体層554、ゲート絶縁層555等は、プラズマ処理を用いて形成する場合がある。このようなプラズマ処理は、電子密度が1×1011cm−3以上であり、プラズマの電子温度が1.5eV以下で行うことが好ましい。より詳しくは、電子密度が1×1011cm−3以上1×1013cm−3以下で、プラズマの電子温度が0.5eV以上1.5eV以下で行うことが好ましい。
プラズマの電子密度が高密度であり、被処理物(例えば、絶縁層552、553、半導体層554、ゲート絶縁層555等)付近での電子温度が低いと、被処理物に対するプラズマによる損傷を防止することができる。また、プラズマの電子密度が1×1011cm−3以上と高密度であるため、プラズマ処理を用いて、被照射物を酸化または窒化することよって形成される酸化物または窒化物は、CVD法やスパッタ法等により形成された薄膜と比較して膜厚等が均一性に優れ、且つ緻密な膜を形成することができる。また、プラズマの電子温度が1.5eV以下と低いため、従来のプラズマ処理や熱酸化法と比較して低温度で酸化または窒化処理を行うことができる。たとえば、ガラス基板の歪点よりも100度以上低い温度でプラズマ処理を行っても十分に酸化または窒化処理を行うことができる。
次に、ゲート絶縁層555上に、導電層501、導電層503を積層して形成する。導電層501、導電層503の各々は、タングステン、クロム、タンタル、窒化タンタル、モリブデン等の金属や前記金属を主成分とする合金もしくは化合物を用いて形成する。なお、導電層501と導電層503は、互いに異なる材料を用いて形成する。具体的には、後に行うエッチング工程において、エッチングレートに差が生じる材料を用いて形成する。
次に、導電層503上に、レジストからなるマスク506を形成する。マスク506は、遮光膜と半透膜を含む露光マスクを用いて形成される。このマスクの具体的な構成については後述する。
次に、マスク506を用いて、導電層503をエッチングして、マスク507と導電層504を形成する(図16(B)参照)。マスク506は、電界で加速されたイオンによりスパッタされ、2つのマスク507に分割され、かつ、離れて配置される。次に、マスク507と導電層504を用いて、導電層501をエッチングして、導電層502を形成する(図16(C)参照)。
次に、マスク507と導電層504を選択的にエッチングして、マスク508と導電層505を形成する(図16(D)参照)。マスク508は、電界で加速されたイオンによりスパッタされ、サイズが縮小される。この工程では、基板側に印加するバイアス電圧を調節することにより、導電層502がエッチングされないようにする。
次に、半導体層554に、一導電型を付与する不純物元素を添加して、第1の濃度の不純物領域509、516、517を形成する(図17(A)参照)。この際、導電層、505を用いて、自己整合的に、半導体層554に不純物元素を添加する。
次に、半導体層554に、一導電型を付与する不純物元素を添加して、第2の濃度の不純物領域510、511を形成する(図17(B)参照)。なお、導電層505と重なる半導体層554には、一導電型を付与する不純物元素が添加されない。従って、導電層505と重なる半導体層554は、チャネル形成領域として機能する。以上の工程を経て、薄膜トランジスタ520が完成する。
次に、薄膜トランジスタ520を覆うように、絶縁層512、513を形成する(図17(C)参照)。次に、絶縁層512、513に設けられた開口部を介して、第2の濃度の不純物領域510、511に接続された導電層514、515を形成する。
上記の工程では、厚さが異なる複雑な形状のマスク506を用いて、導電層501、503をエッチングすることを特徴とする。マスク506を用いることにより、離れて配置されたマスク507を形成することができる。そして、2つのチャネル形成領域の間隔を狭くすることができる。具体的には、2つのチャネル形成領域の間隔を2μm未満とすることができる。従って、2つ以上のゲート電極を有するマルチゲート型の薄膜トランジスタを形成する場合に、その占有面積を縮小することができる。従って、高集積化を実現し、高精細な半導体装置を提供することができる。
次に、マスク506を形成する方法について、図18を参照して説明する。図18(A)は、露光マスクの一部を拡大した上面図である。また、図18(B)は、図18(A)に対応する露光マスクの一部の断面図と、基板551を含む積層体の断面図である。
露光マスクは、透光性の基板560と、遮光膜561、562と、半透膜563を有する。遮光膜561、562は、クロム、タンタル、CrNx(xは正の整数)などの金属膜からなる。半透膜563は、露光波長に対して材料を適宜選択して形成され、例えば、TaSixOy(x、yは正の整数)、CrOxNy(x、yは正の整数)、CrFxOy(x、yは正の整数)、MoSixNy(x、yは正の整数)、MoSixOy(x、yは正の整数)を用いればよい。半透膜563は、補助パターンとして機能する。
上記の構成の露光マスクを用いて、レジストマスクの露光を行うと、露光されない領域521と露光された領域522とに大別される。この状態で、現像処理を行うと、露光された領域522のレジストが除去され、図16(A)に示すような形状のマスク506が形成される。