KR20040069265A - 박막 소자의 제조 방법, 박막 트랜지스터 회로 기판,액티브 매트릭스형 표시 장치, 전기 광학 장치 및 전자 기기 - Google Patents

박막 소자의 제조 방법, 박막 트랜지스터 회로 기판,액티브 매트릭스형 표시 장치, 전기 광학 장치 및 전자 기기 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 제1 기판 상에 기능 소자가 형성되고, 제2 기판(21)상에 배선이 형성되고, 제1 기판 상으로부터 기능 소자를 하나 이상 포함하는 소자 칩(14)이 박리되어, 제2 기판(21)상에 전사되고, 제2 기판(21)이 구부러져서 사용되는, 전자 회로, 또한, 이 전자 회로에서, 기능 소자가 박막 트랜지스터인 박막 트랜지스터 회로 기판, 또한, 이 박막 트랜지스터 회로 기판에서, 박막 트랜지스터를 액티브 매트릭스 소자로서 사용하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 표시 장치로, 제2 기판(21)이나 배선을 구부릴 수 있는 것으로 형성하여, 구부릴 수 있는 전자 회로나 박막 트랜지스터 회로 기판이나 액티브 매트릭스형 표시 장치를 얻는 경우에, 제2 기판(21)으로부터 소자 칩(14)이 박리되어 버리거나, 소자 칩(14)이 갈라져 버리지 않도록 하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 성취하기 위해, 본 발명의 소자 칩(14)은 직사각형이며, 소자 칩(14)의 짧은 변과, 제2 기판(21)이 구부러지는 방향이 일치해 있다.

Description

박막 소자의 제조 방법, 박막 트랜지스터 회로 기판, 액티브 매트릭스형 표시 장치, 전기 광학 장치 및 전자 기기{METHOD OF MANUFACTURING A THIN FILM ELEMENT, THIN FILM TRANSISTOR CIRCUIT SUBSTRATE, ACTIVE MATRIX TYPE DISPLAY DEVICE, ELECTRIC OPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS}
본 발명은 기능 소자 등의 박막 소자의 기판간 전사 기술을 응용한 박막 소자의 제조 방법, 및 박막 트랜지스터 회로 기판 및 이것을 구비한 액티브 매트릭스형 표시 장치, 전기 광학 장치, 전자 기기에 관한 것이다.
기능 소자, 예를 들면, 박막 트랜지스터나 유기 일렉트로루미네선스 소자와, 이 기능 소자간의 배선이나 지지 기판을 구비한 전자 회로에서는, 기능 소자는 전체의 일부분이며, 그 이외는 배선이나 지지 기판인 경우가 많다. 이 전자 회로를, 기능 소자와 배선이나 지지 기판을 일체로 하여 동일한 제조 프로세스를 거쳐서 제조하는 경우에는, 고기능의 기능 소자를 작성하기 위한 고도로 복잡한 제조 프로세스가 필요하기 때문에, 일반적으로, 제조 비용이 고액으로 된다.
그러나, 배선이나 지지 기판만을 위해서는, 고도로 복잡한 제조 프로세스는 필요하지 않으며, 제조 비용은 염가이다. 만약, 기능 소자와, 배선이나 지지 기판을 별개로 제조하고, 필요한 부분에만 기능 소자를 배치할 수 있으면, 전체로서 평균하면, 이 전자 회로의 제조 비용을 저감할 수 있다.
그런데, 제1 기판 상에 기능 소자가 형성되고, 제2 기판 상에 배선이 형성되고, 제1 기판 상으로부터 기능 소자를 하나 이상 포함하는 소자 칩이 박리되어, 제2 기판 상에 전사되는 전자 회로, 또한, 이 전자 회로에서, 기능 소자가 박막 트랜지스터인 박막 트랜지스터 회로 기판, 또한, 이 박막 트랜지스터 회로 기판에서, 박막 트랜지스터를 액티브 매트릭스 소자로 사용하는 것을 특징으로 하는 액티브매트릭스형 표시 장치가 개발되어 있다.
이 방법에 의하면, 필요한 부분에만 기능 소자를 배치할 수 있으므로, 전체로서 평균하면, 이 전자 회로나 박막 트랜지스터 회로 기판이나 액티브 매트릭스형 표시 장치의 제조 비용을 저감할 수 있다. 또한, 이 때, 박리나 전사 프로세스로는 레이저 어블레이션이나 접착제가 사용된다. (예를 들면, T. Shimoda, et al, Techn. Dig. IEDM 1999, 289, S. Utsunomiya, et al, Dig. Tech. Pap. SID 2000, 916, T. Shimoda, Proc. Asia Display / IDW '01, 327, S. Utsunomiya, et al, Proc. Asia Display / IDW '01, 339 참조)
도 1은 박리 전사 방법의 공정도이다. 제1 기판(11) 상에, 박리층(12)을 거쳐서, 기능 소자(13)가 형성된다. 제2 기판(21)상에, 배선(22)과 패드(23)가 형성된다. 제1 기판(11)상으로부터, 기능 소자(13)를 하나 이상 포함하는 소자 칩(14)이 레이저(31)의 조사로 레이저 어블레이션에 의해 박리된다. 제2 기판(21)상에는 미리 접착제(32)를 도포해 두고, 소자 칩(14)은 제2 기판(21)상에 전사된다.
도 2는 소자 칩의 평면도이다. 소자 칩(14)의 형상은 직사각형이며, 제1 기판(11)상에 배치되어 있다.
제1 기판으로부터, 기능 소자를 하나 이상 포함하는 소자 칩을 박리시켜, 실사용 기판인 제2 기판 상에 전사시킴으로써 제조되는 박막 회로에서는, 그 사용시에, 이 제2 기판을 구부려서 사용하는 경우가 있다.
이러한 사용의 형태에 맞추기 위해서, 제2 기판이나 배선을 구부릴 수 있는것으로 형성하면, 구부릴 수 있는 전자 회로나 박막 트랜지스터 회로 기판이나 액티브 매트릭스형 표시 장치를 용이하게 얻을 수 있다.
그러나 이 경우, 제2 기판을 구부려서 사용할 때에, 제2 기판으로부터 소자 칩이 박리되어 버리거나, 소자 칩이 갈라져버릴 우려가 있다.
그래서 본 발명은, 상술한 박막 회로, 또는 전자 회로, 박막 트랜지스터 회로 기판이나 액티브 매트릭스형 표시 장치 등에서, 제2 기판으로부터 소자 칩이 박리하거나, 소자 칩이 갈라지지 않도록 함을 목적으로 한다.
도 1은 박리 전사 방법의 공정도.
도 2는 소자 칩의 평면도.
도 3은 본 발명의 실시예로서의, 소자 칩의 짧은 변과 기판이 구부러지는 방향이 일치해 있는 전자 회로의, (a)개관도(槪觀圖) (b)소자 칩과 기판의 접착 부분의 확대도.
도 4는 본 발명의 비교예로서의, 소자 칩의 긴 변과 기판이 구부러지는 방향이 일치해 있는 전자 회로의, (a)개관도 (b)소자 칩과 기판의 접착 부분의 확대도.
도 5는 본 발명의 박막 소자의 제조 방법을 응용한 형태(박막 트랜지스터 회로를 갖춘 기판, 액티브 매트릭스형 기판)를 나타낸 도면.
도 6은 본 발명을 사용하여 제조되는 박막 소자의 응용예의 제2 형태(전자 페이퍼)를 나타낸 도면.
도 7은 본 발명을 사용하여 제조되는 박막 소자의 응용예의 제2 형태(전자 북)를 나타낸 도면.
도 8은 본 발명에 의한 액티브 매트릭스 기판을 사용한 액정 전기 광학 장치의 개략 구성을 나타낸 도면.
[부호의 설명]
11 제1 기판
12 박리층
13 기능 소자
14 소자 칩
21 제2 기판
22 배선
23 패드
31 레이져
32 접착제
51 전자 페이퍼
53 바인더
60 소자(기능 소자)
61 배선 62 배선 63 배선 64 배선
70 액정 전기 광학 장치
73 칼라 필터
80 액티브 매트릭스 기판
상기 과제를 해결하기 위해 본 발명에서는, 제1 기판 상에 형성된 복수의 기능 소자의 적어도 하나를 포함하는 소자 칩을, 가곡성(可曲性)을 갖는 제2 기판에 전사하는 공정을 포함하는 박막 소자의 제조 방법으로서, 상기 소자 칩의 외형은 직사각형이고, 상기 소자 칩의 짧은 변과, 상기 제2 기판이 구부러지는 방향이 일치해 있는 것을 특징으로 한다.
이러한 구성으로 제조된 소자 칩을 탑재하는 기판에서는, 소자 칩의 긴 변과, 상기 제2 기판이 구부러지는 방향이 일치해 있을 때에 비해서, 제2 기판으로부터 소자 칩이 박리되거나, 소자 칩이 갈라지기 어렵게 할 수 있다.
또 본 발명에서는, 상기 기능 소자가 박막 트랜지스터인 것이 바람직하고, 이 경우에 있어서 본 발명에서는 상술의 효과를 승계한 박막 트랜지스터 회로 기판이 제공된다.
또 본 발명에서는, 상기의 박막 트랜지스터 회로 기판에서, 박막 트랜지스터를 액티브 매트릭스 소자로 사용하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 표시 장치가 제공된다.
이러한 박막 트랜지스터 회로 기판이라면, 상술한 효과를 계승한 액티브 매트릭스형 표시 장치를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 본 발명의 박막 소자의 제조 방법을 사용하여 제조된 박막 트랜지스터 회로 기판을 탑재한 전기 광학 장치 및 전자 기기가 제공된다.
또한, 본 발명의 사상의 일부는, 소자 칩의 박리나 전사가 다른 방법에 의한 경우에도, 유효함은 말할 필요도 없다.
[발명의 실시 형태]
이하, 본 발명의 바람직한 실시의 형태를 설명한다. 또한, 전사 방법에 관한 일련의 태양에 관해서는, 출원인이 개시한, 일본 특원2001-282423호, 특원2001-282424호 등에도 기재되어 있다.
(제1 실시예)
본 발명의 박막 소자의 제조 방법에서, 종래 기술과 중복되는 부분은 도 1을 사용하여 설명한다.
우선 도 1과 같이, 제1 기판에 형성된 기능 소자(13)를 제2 기판에 전사하여 박막 소자를 형성하는 점에서는 종래와 동일하다.
우선 제1 기판(11)상에, 박리층(12)을 거쳐서, 기능 소자(13)가 형성된다.
여기서 박리층은 후술하는 조사광을 흡수하여, 그 층내 및/또는 계면에서 박리(이하, 「층내 박리」, 「계면 박리」라 함)를 일으키는 성질을 갖는 것이다.또한, 제1 기판(11)상의 전면에 형성되어 있지만, 특히 이것에 한정되지 않으며, 예를 들면 박리층(12)은 소자 칩마다 구분되어 있어도 좋다. 이 박리층(12)은 조성 또는 특성이 다른 적어도 2개의 층을 포함하고 있고, 특히, 조사광을 흡수하는 광흡수층과, 그 광흡수층과는 조성 또는 특성이 상이한 다른 층을 포함하고 있는 것이 바람직하다. 또한, 상기 다른 층은, 조사광을 차광하는 차광층(반사층)인 것이 바람직하다. 이 차광층은 광흡수층에 대해 조사광의 입사 방향과 반대측에 위치하고 있어, 조사광을 반사 또는 흡수하여, 조사광이 피전사층측으로 침입하는 것을 저지 또는 억제하는 기능을 발휘한다.
본 실시예에서는, 차광층으로서, 조사광을 반사하는 반사층을, 박리층에 대해 광의 조사측과 반대측에 형성해도 좋다. 이 반사층은 조사광을 바람직하게는 10%이상, 보다 바람직하게는 30%이상의 반사율로 반사할 수 있는 것이면 좋다. 이러한 반사층으로는 단층 또는 복수의 층으로 되는 금속 박막, 굴절율이 다른 복수의 박막의 적층체로 되는 광학 박막 등을 들 수 있지만, 형성이 용이함 등의 이유로, 주로 금속 박막으로 구성되어 있는 것이 바람직하다.
금속 박막의 구성 금속으로는, 예를 들면, Ta, W, Mo, Cr, Ni, Co, Ti, Pt, Pd, Ag, Au, Al 등, 또는 이들 중의 적어도 1종을 기본 성분으로 하는 합금을 들 수 있다. 합금을 구성하는 바람직한 첨가 원소로는, 예를 들면, Fe, Cu, C, Si, B를 들 수 있다. 이들을 첨가함에 의해, 열전도율이나 반사율을 제어할 수 있다. 또한, 반사층을 물리 증착에 의해 형성하는 경우, 타겟을 간단히 제조할 수 있는 이점도 있다.
또한, 합금화함으로써, 순금속보다 재료의 입수가 용이하고, 또한 저비용인 이점도 있다. 또한, 이러한 반사층(차광층)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 통상, 10nm∼10㎛정도가 바람직하고, 50nm∼5㎛ 정도가 보다 바람직하다. 이 두께가 너무 두꺼우면, 반사층의 형성에 시간이 걸리고, 또한, 뒤에 행해지는 반사층의 제거에도 시간이 걸린다. 또한, 이 두께가 너무 얇으면, 막조성에 따라서는 차광 효과가 불충분해지는 경우가 있다.
광흡수층은 박리층의 박리에 기여하는 층이며, 조사광을 흡수하여, 그 광흡수층을 구성하는 물질의 원자간 또는 분자간의 결합력이 소실 또는 감소하는 것, 현상론적으로는, 어브레이션 등을 일으킴으로써 층내 박리 및/또는 계면 박리에 이른다.
또한, 조사광의 조사에 의해, 광흡수층으로부터 기체가 방출되어, 박리 효과가 발현되는 경우도 있다. 즉, 광흡수층에 함유되어 있던 성분이 기체로 되어 방출되는 경우와, 박리층이 광을 흡수하여 일순간 기체로 되어, 그 증기가 방출되어, 박리에 기여하는 경우가 있다.
이러한 광흡수층의 조성으로는, 예를 들면 다음과 같은 것을 들 수 있다.
① 비정질 실리콘(a-Si)
이 비정질 실리콘 중에는, H(수소)가 함유되어 있어도 좋다. 이 경우, H의 함유량은 2원자% 이상 정도인 것이 바람직하고, 2∼20원자% 정도인 것이 보다 바람직하다. 이와 같이, H가 소정량 함유되어 있으면, 조사광의 조사에 의해, 수소가 방출되어, 박리층에 내압이 발생하고, 그것이 상하의 박막을 박리하는 힘으로 된다.
비정질 실리콘 중의 H의 함유량은 막형성 조건, 예를 들면 CVD에서의 가스 조성, 가스압, 가스 분위기, 가스 유량, 온도, 기판 온도, 투입 파워 등의 조건을 적당히 설정함으로써 조정할 수 있다.
② 산화 규소 또는 규산 화합물, 산화티탄 또는 티탄산 화합물, 산화 지르코늄 또는 지르콘산 화합물, 산화 란탄 또는 란탄산 화합물 등의 각종 산화물 세라믹스, 유전체(강유전체) 또는 반도체, 산화 규소로는 SiO, SiO2, Si3O2를 들 수 있고, 규산 화합물로는, 예를 들면 K2SiO3, Li2SiO3, CaSiO3, ZrSiO4, Na2SiO3를 들 수 있다.
산화 티탄으로는 TiO, Ti2O3, TiO2를 들 수 있고, 티탄 산화합물로는, 예를 들면, BaTiO4, BaTiO3, Ba2Ti9O20, BaTi5O11, CaTiO3, SrTiO3, PbTiO3, MgTiO3, ZrTiO2, SnTiO4, Al2TiO5, FeTiO3를 들 수 있다.
산화 지르코늄으로는 ZrO2를 들 수 있고, 지르콘산 화합물로는, 예를 들면 BaZrO3, ZrSiO4, PbZrO3, MgZrO3, K2ZrO3를 들 수 있다.
③ PZT, PLZT, PLLZT, PBZT 등의 세라믹스 또는 유전체(강유전체)
④ 질화규소, 질화알루미늄, 질화티탄 등의 질화물 세라믹스
⑤ 유기 고분자 재료
유기 고분자 재료로는 -CH-, -CH2-, -CO-(케톤), -CONH-(아미드), -NH-(이미드), -COO-(에스테르), -N=N-(아조), -CH=N-(시프) 등의 결합(조사광의 조사에 의해 이들의 결합이 절단됨)을 갖는 것, 특히 이들 결합을 많이 갖는 것이면 어떠한 것이라도 좋다. 구체적으로는, 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌과 같은 폴리올레핀, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리에스테르, 폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리에테르설폰(PES), 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
⑥ 금속
금속으로는, 예를 들면, Al, Li, Ti, Mn, In, Sn이나, Y, La, Ce, Nd, Pr, Sm, Gd와 같은 희토류 금속, 또는 이들 중 적어도 1종을 포함하는 합금을 들 수 있다.
⑦ 수소 흡장(吸藏) 합금
구체적인 예로는, LaNi5와 같은 희토류 천이 금속 화합물의 수소 흡장 합금 또는 Ti계, Ca계의 수소 흡장 합금에 수소를 흡장시킨 것을 들 수 있다.
⑧ 질소 흡장 합금
구체적인 예로는, Sm-Fe계, Nd-Co계와 같은 희토류 철, 희토류 코발트, 희토류 니켈이나, 희토류 망간 화합물에 질소를 흡장시킨 것을 들 수 있다.
또한, 광흡수층(21)의 두께는 박리 목적이나 박리층의 조성, 층 구성, 형성 방법 등의 여러 조건에 따라 다르지만, 통상은, 1nm∼20㎛ 정도인 것이 바람직하고 10nm∼2㎛ 정도인 것이 보다 바람직하고, 40nm∼1㎛ 정도인 것이 더 바람직하다.
광흡수층의 막두께가 너무 얇으면, 막형성의 균일성이 손상되어, 박리에 불균일이 생기는 경우가 있고, 또한, 막 두께가 너무 두꺼우면, 양호한 박리성을 확보하기 위해서, 조사광의 파워(광량)를 크게 할 필요가 있는 동시에, 뒤에 박리층을 제거할 때에 그 작업에 시간이 걸린다. 또한, 광흡수층 및 반사층의 막두께는 가능한 한 균일한 것이 바람직하다.
또한, 상기와 같은 이유에서, 박리층의 합계 두께는 2nm∼50㎛ 정도인 것이 보다 바람직하고, 20nm∼20㎛ 정도인 것이 더욱 바람직하다.
박리층(12)을 구성하는 층의 형성 방법은, 특별히 한정되지 않고, 막조성이나 막 두께 등의 여러 조건에 따라 적당히 선택된다. 예를 들면, CVD(MOCVD, 저압 CVD, ECR-CVD를 포함함), 증착, 분자선 증착(MB), 스퍼터링, 이온 플레이팅, PVD 등의 각종 기상 막형성법, 전기 도금, 침지 도금(딥핑), 무전해 도금 등의 각종 도금법, 랑그뮤어·블로우 제트(LB)법, 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 롤 코팅 등의 도포법, 각종 인쇄법, 전사법, 잉크젯법, 분말 제트법 등을 들 수 있고, 이들 중의 2이상을 조합하여 형성할 수도 있다. 또한, 광흡수층과 반사층의 형성 방법은 동일해도 달라도 좋고, 그 조성 등에 따라 적당히 선택된다.
예를 들면, 광흡수층의 조성이 비정질 실리콘(a-Si)인 경우에는, CVD, 특히 저압 CVD나 플라즈마 CVD에 의해 막형성하는 것이 바람직하다.
또한, 광흡수층을 졸-겔법에 의한 세라믹스로 구성하는 경우나, 유기 고분자 재료로 구성하는 경우에는, 도포법, 특히 스핀 코팅에 의해 막형성하는 것이 바람직하다.
또한, 금속 박막에 의한 반사층은 증착, 분자선 증착(MB), 레이저 어블레이션 증착, 스퍼터링, 이온 플레이팅, 상기 각종 도금 등에 의해 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 박리층(12)을 구성하는 각층의 형성은, 각각, 2공정 이상의 공정(예를 들면, 층의 형성 공정과 열처리 공정)으로 행해도 좋다.
이것과 평행하여, 또는 별도 공정으로, 제2 기판(21) 상에, 배선(22)과 패드(23)를 형성한다.
또 제1 기판(11)상으로부터, 기능 소자(13)를 1개 이상 포함하는 소자 칩(14)을 레이저(31)의 조사로 레이저 어블레이션에 의해 박리시킨다. 제2 기판(21)상에는, 미리 접착제(32)를 도포해 두고, 소자 칩(14)을 제2 기판(21)상에 전사시킨다.
또한, 제1 기판에 기능 소자를 하나 이상 포함하는 소자 칩(14)이나 박리층(12)을 형성하는 공정과는 별도로, 제2 기판(21) 상에, 배선(22)과 패드(23)를 형성한다.
물론 미리 배선(22)과 패드(23)가 형성된 제2 기판(21)을 별도로 준비해 두어도 좋다.
도 3은 본 발명의 실시예로서의, 소자 칩의 짧은 변과 기판이 구부러지는 방향이 일치해 있는 전자 회로의, (a)개관(槪觀)도와 (b)소자 칩과 기판의 접착 부분의 확대도이다. 여기서는, 소자 칩(14)의 외형의 형상은 직사각형이며, 이 소자 칩(14)의 짧은 변과, 제2 기판(21)이 구부러지는 방향이 일치해 있다.
즉, 상기 구조를 채용함으로써, 제2 기판(21)의 곡률 반경에 대해서, 비교적소자 칩(14)의 접촉 길이가 짧기 때문에, 제2 기판(21)으로부터 소자 칩(14)이 박리되어 버리거나, 소자 칩(14)이 갈라져 버리기 어렵게 할 수 있다.
도 4는 본 발명의 비교예로서의, 소자 칩의 긴 변과 기판이 구부러지는 방향이 일치해 있는 전자 회로의, (a)개관도와 (b)소자 칩과 기판의 접착 부분의 확대도이다.
이러한 구조에서는, 도 4에서도 알 수 있는 바와 같이, 제2 기판(21)의 곡률 반경에 대해서, 소자 칩(14)의 접촉 길이가 길기 때문에, 제2 기판(21)으로부터 소자 칩(14)이 박리되어 버리거나, 소자 칩(14)이 갈라져 버리기 쉬워진다.
(본 발명을 사용하여 제조되는 기능 소자의 응용예)
도 5는 본 발명의 박막 소자의 제조 방법을 응용한 형태(박막 트랜지스터 회로를 갖춘 기판, 액티브 매트릭스형 기판)를 나타낸 도면이다.
본 실시의 형태는 상기한 도 3에서 나타내는 바와 같이 소자 칩이 기판 상에 배치되어, 이것에 소정의 배선이 행해져서 액티브 매트릭스형 기판 등을 구성하는 것이다.
본 실시의 형태에서는, 최종 기판으로서, 액티브 매트릭스형 기판 등의 전자 광학 장치용의 각종 기판 등의, 기판 상에 도체로 되는 배선, 회로 패턴이 형성된 것이 사용된다. 또한, (기능)소자(60)는 TFT 외, 시프트 레지스터, DA 컨버터, SRAM, DRAM, 전류 보상 회로, IC, LSI 등의 각종 회로 단위를 사용할 수도 있다.
미리 최종 기판 상에 형성된 배선(61, 62)과 소자(60)을 전기적으로 접속하기 위해, 소자(60)의 전사 뒤에 형성되는 도체로 되는 배선(63, 64)은, 예를 들면금선 등의 금속선의 본딩; 레지스트 막이나 마스크와 스퍼터링법, 진공 증착법, CVD법, 무전해 도금법 등의 박막 형성법과 조합한 금속 박막이나 ITO 박막 등의 도전 재료의 코팅 기술; 도포 후에 기판을 열처리함에 의해서 금속 도체가 형성되는 도전성 도포액을 소정 위치에 도포하는 인쇄법; 또는 상기 도전성 도포액을 사용하는 잉크젯 코팅법 등의 방법을 사용하여 형성할 수 있고, 특히 도전성 도포액을 잉크젯 코팅법에 의해서 소정 위치에 도포한 뒤, 기판에 열처리를 행하여 금속 도체로 되는 회로를 형성하는 방법이 바람직하다.
또한, 물론 배선(63, 64)은 소자(60)의 전사 전에 형성되어 있어도 좋고, 이 경우는 배선(61,62)과 동일 공정에서 배선(63, 64)을 형성할 수 있기 때문에, 공정의 간략화에도 이어진다.
도 6은 본 발명을 사용하여 제조한 박막 소자의 응용예의 제2 형태(전자 페이퍼)를 나타낸 도면이다.
상기 액티브 매트릭스형 기판 상에, 예를 들면 전기 영동 소자로 되는 표시 영역(100)을 적층하여, 가요성(可撓性)을 구비한 전자 페이퍼를 얻을 수 있다.
예를 들면 상기 도3과 같이 기능 칩을 형성한 기판을 전자 페이퍼로서 적용할 수 있다. 또 본 발명의 전자 페이퍼는, 예를 들면 전자 북으로서 적용할 수 있다. 즉, 복수매의 전자 페이퍼(51)가 케이스(筐體)인 바인더로 철함에 의해, 바인더형 전자북을 실현할 수 있다. 바인더형 전자북의 외관이 도 7(a)에 나타나 있다. 동 도면에서는, 복수매 철해진 전자 페이퍼(51)가 케이스인 바인더(53)에 철해져 있다. 이 경우, 철해진 각 전자 페이퍼(51)에는, 관통공(30a, 30b)이 마련되고, 이들 관통공(30a, 30b)이 바인더(53)에 마련되어 있는 막대 모양 자성체(4a, 4b)에 의해서 관통되어 있다. 막대 모양 자성체(4a, 4b)는 양단부가 바인더(53)에 부착되어 있고, 그 중간 부분을 분할할 수 있는 구조로 되어 있어도 좋다. 이 중간 부분을 분할한 상태에서는, 전자 페이퍼(51)가 바인더(53)로부터 탈착이 자유롭게 된다. 즉, 막대 모양 자성체(4a, 4b)는 분할되어 있는 중간 부분에서 개폐가 자유롭게 하여, 전자 페이퍼(51)의 장착 시에 자기의 닫힌 루프를 형성하도록 구성할 수도 있다.
바인더(53)는 동 도면(b)에 나타내고 있는 바와 같이, 막대 모양 자성체(4a, 4b)에 대응하여 마련된 제어용 코일(3a, 3b)과, 이들 제어용 코일(3a, 3b)에 전류를 흘리기 위한 앰프부(3c)와, 이 앰프부(3c)를 제어하기 위한 CPU부(3d)를 포함하여 구성되어 있다.
동 도면(c)에 나타내고 있는 바와 같이, 전자 페이퍼(51)는 표시 영역(100)과, 이 표시 영역(100) 이외의 위치에, 상술한 막대 모양 자성체(4a, 4b)에 대응하는 위치에 마련된 관통공(30a, 30b)을 가지고 있다. 동 도면(d)에는, 전자 페이퍼(51)의 보다 상세한 구성을 나타내고 있다. 동 도면에 나타내고 있는 바와 같이, 관통공(30a, 30b)의 주위에는 루프 코일(31a, 31b)이 내장되고, 이들 루프 코일의 중심부를 관통공이 관통해 있다. 이들 루프 코일(31a, 31b)에는 앰프부(150a)가 접속되어 있어, 루프 코일(31a, 31b)에서 생기는 전류가 앰프부(150a)에 주어진다. 앰프부(150a)는 표시할 내용에 관한 데이터 등을 비접촉 데이터 통신 집적회로(150)에 보낸다. 집적회로(150)는 스캔 드라이버영역(13) 및 데이터 드라이버 영역(14)을 구동 제어한다. 이것에 의해, 표시 영역(100)에 소망한 데이터를 표시한다.
이상과 같이, 본 예의 전자 페이퍼(51)는 루프 코일(31a, 31b)과 그 중심부를 관통하는 관통공(30a, 30b)으로 되는 비접촉 단자를 갖고, 이 비접촉 단자를 거쳐서 신호의 송수신 및 전력의 공급을 받는다. 루프 코일 및 관통공의 개수는 동 도면에 나타내고 있는 경우에는 2개이지만, 1개 또는 복수개 마련되어 있으면 문제는 없다.
한편, 바인더(53)측에는, 전자 페이퍼(51)의 관통공(30a, 30b)에 대응하는 막대 모양 자성체(4a, 4b)가 마련되어 있고, 이 막대 모양 자성체(4a, 4b)에 의해서 관통공(30a, 30b)을 관통시킴으로써, 열람이나 운반이 가능해진다. 막대 모양 자성체(4a, 4b)에는, 제어용 코일(3a, 3b)이 감겨져 있으므로, 철해져 있는 각 전자 페이퍼의 루프 코일과 케이스의 제어 코일 사이의 전자 유도를 사용함으로써, 케이스로부터 전자 페이퍼에 자기를 거쳐서, 급전 및 양자간에서의 신호의 송수신을 행한다. 이러한 비접촉으로의 급전 및 신호 송수신은, 예를 들면 일본 특개평11-39440호 공보에 개시되어 있는 방법을 적용할 수 있다. 송수신하는 신호에, 특정 ID 코드(식별 코드)를 포함시킴으로써, 철해져 있는 복수의 전자 페이퍼 내의 소망한 전자 페이퍼만을 선택하여 그 내용을 개서할 수 있다.
이러한 바인더형 전자 북에서는, 복수의 전자 페이퍼를 적당히 탈착하면서 인쇄, 열람, 운반 등을 행할 수 있는 효과가 있다. 또한, 급전 및 신호 송수신을 비접촉식으로 행하기 때문에, 전자 페이퍼 및 전자북 케이스부에는 노출된 단자부를 필요로 하지 않고, 따라서 가곡성이 뛰어나고, 또한 신뢰성, 내구성이 뛰어난 바인더형 전자북을 제공할 수 있는 효과가 있다.
도 8은 본 발명에 의한 액티브 매트릭스형 표시 장치의 일례인 액정 전기 광학 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이며, 이 액정 전기 광학 장치(70)는 액티브 매트릭스 기판(80)과 칼라 필터(73)와 그들 사이의 공간(74)에 마련된 액정 재료를 주된 구성 요소로 구비하고 있다. 액티브 매트릭스 기판(80)은 유리 기판의 외측에 편광판(75), 내측에 구동 회로(80A), 그 위에 배향막(도시 생략)이 마련되어 있다. 구동 회로(80A)는 화소 전극(82), 데이터선(83)과 게이트선(84), 소자(81)를 포함하여 형성되어 있다. 칼라 필터(73)는 유리 기판(72)의 외측에 편광판(71), 내측에 상세한 도시는 생략하지만 블랙 매트릭스, RGB 칼라 필터층, 오버코트층, 투명 전극, 배향막의 순서로 적층된 구조로 되어 있다. 하부의 편광판(75)의 외측에는 백 라이트(76)가 마련되어 있다.
본 발명에 의한 전기 광학 장치는 상술한 본 발명에 의한 액티브 매트릭스 기판을 사용하여 제조된 것이므로, 종래품의 액티브 매트릭스 기판을 사용하여 제조한 전기 광학 장치에 비해 비용 저감 및 품질 향상을 도모할 수 있다. 또한, 본 실시의 형태에서는, 액티브 매트릭스형 표시 장치로서 액정 전기 광학 장치를 예시했지만, 유기 일렉트로루미네선스 발광 장치, 전기영동 디스플레이 장치 등의 다른 전기 광학 장치에 적용함도 물론 가능하다. 그리고, 본 발명에 의하면, 미소한 소자를 최종 기판의 소정 위치에 정확하게 배치함으로써 기판의 구부러짐에 대한 추종성이 향상하고, 플렉시블 기판을 사용함으로써, 잘 휘고, 가볍고, 굽힘에 강한 액티브 매트릭스 기판을 제공할 수 있다. 또한, 국면(局面) 디스플레이 등의 국면을 갖는 액티브 매트릭스 기판을 제공할 수도 있다.
또한 이들 전기 광학 장치는, 예를 들면 휴대 전화 등의 전자 기기에 탑재되므로, 본 발명에서는, 상기 이점을 갖는 전자 기기를 제공할 수 있다.

Claims (6)

  1. 제1 기판 상에 형성된 복수의 기능 소자의 적어도 하나를 포함하는 소자 칩을, 가곡성(可曲性)을 갖는 제2 기판에 전사하는 공정을 포함하는 박막 소자의 제조 방법으로서,
    상기 소자 칩의 외형은 직사각형이며,
    상기 소자 칩의 짧은 변과, 상기 제2 기판이 구부러지는 방향이 일치해 있는 것을 특징으로 하는 박막 소자의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기능 소자가 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 박막 소자의 제조 방법.
  3. 제2항 기재의 박막 소자의 제조 방법에 의해서 제조된 박막 트랜지스터를 구비한 박막 트랜지스터 회로 기판.
  4. 제2항 기재의 박막 소자의 제조 방법에 의해서 제조된 박막 트랜지스터를, 액티브 매트릭스 소자로서 사용하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 표시 장치.
  5. 제3항 기재의 박막 트랜지스터 회로 기판을 구비한 전기 광학 장치.
  6. 제5항 기재의 전기 광학 장치를 구비한 전자 기기.
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