KR20040054567A - 고해상도 가스 게이지 근접 센서 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 측정 탐침과 표면 간의 매우 짧은 거리를 정밀하게 검출하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 더 상세하게는, 매우 짧은 거리를 검출하기 위하여, 일정한 가스 흐름을 사용하여 공압 브리지 내에서의 질량 흐름 속도를 감지하는 근접 센서에 관한 것이다. 장치 내에서 다공성 재료로 이루어진 흐름 제한기 및/또는 스너버, 및/또는 질량 흐름 속도 제어기를 사용하면, 나노미터 내지 나노미터 미만의 범위 내로 매우 짧은 거리를 검출할 수 있게 된다. 다른 실시예에서, 근접 센서의 측정 채널은 다수의 측정 분기에 연결된다.

Description

고해상도 가스 게이지 근접 센서{HIGH-RESOLUTION GAS GAUGE PROXIMITY SENSOR}
본 발명은 매우 짧은 거리를 검출하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 가스 흐름을 이용한 근접 감지(proximity sensing)에 관한 것이다.
다수의 자동화 제조 프로세스에서, 제조 도구와 제품 또는 가공되는 재료 표면 간의 거리를 감지할 필요가 있다. 반도체 리소그래피와 같은 일부 상황에서는, 나노미터에 가까운 정확도로 거리가 측정되어야만 한다.
특히 포토리소그래피 시스템과 관련하여, 이러한 정밀도를 갖는 근접 센서의 제조에 관한 도전은 중요하다. 포토리소그래피와 관련하여, 근접 센서는 방해가 되지 않고 매우 짧은 거리를 정확하게 검출하는 능력을 갖는 것에 더하여, 오염 물질을 도입하거나 일반적으로 반도체 웨이퍼와 같은 가공 표면과 접촉해서는 안 된다. 이러한 상황이 발생하면, 반도체 품질은 현저하게 저하 또는 손상될 수 있다.
매우 짧은 거리를 측정하기 위하여 다양한 유형의 근접 센서가 이용 가능하다. 근접 센서의 예로는 정전 용량 및 광학 게이지가 있다. 이러한 근접 센서는, 웨이퍼 상에 적층되는 재료의 물리적 특성이 그 정밀도에 영향을 줄 수 있기 때문에, 포토리소그래피 시스템에서 사용되는 경우에는 심각한 결점을 갖는다. 예를 들어, 전하의 농도에 의존하는 정전 용량 게이지는, 한 종류의 재료(예를 들어, 금속)가 집중되어 있는 위치에서는 잘못된 근접 판독값을 나타낼 수 있다. GaAs 및 InP와 같이 비도전성 및/또는 감광성 재료로 이루어진 특이한 웨이퍼가 사용되는 경우에는 다른 종류의 문제점이 발생한다. 이러한 경우, 정전 용량 및 광학 게이지는 잘못된 결과를 제공할 수 있다.
미국 특허 4,953,388 및 4,550,592는 에어 게이지 센서(air gauge sensor)를 사용하는 근접 감지에 관한 대안적인 접근을 개시한다. 에어 게이지 센서는 전하의 농도, 또는 웨이퍼 표면의 전기, 광학 또는 다른 물리적 특성에 약점을 갖지 않는다. 그러나, 현재의 반도체 제조에서는, 근접도를 나노미터 단위의 정밀도로 게이징할 필요가 있다. 상기의 미국 특허에 개시되어 있는 것보다 더 정밀한 가스 게이지 근접 센서가 필요하다.
도 1a는 본 발명의 실시예에 따른 가스 게이지 근접 센서의 다이어그램.
도 1b는 본 발명의 실시예에 따라 다수의 측정 분기를 갖는 가스 게이지 근접 센서의 다이어그램.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 제한기의 단면도를 제공하는 다이어그램.
도 3a는 노즐의 기본 특성을 나타낸 다이어그램.
도 3b는 본 발명의 실시예에 따라, 기준 탐침 또는 측정 탐침에서 사용될 수 있는 노즐의 투영도를 나타낸 다이어그램.
도 3c는 본 발명의 실시예에 따라, 도 3b에 도시된 노즐의 단면도를 나타낸 다이어그램.
도 3d는 본 발명의 실시예에 따라, 기준 탐침 또는 측정 탐침에서 사용될 수 있는 샤워-헤드 노즐의 투영도를 나타낸 다이어그램.
도 3e는 본 발명의 실시예에 따라, 도 3d에 도시된 노즐의 단면도를 나타낸 다이어그램.
도 4는 본 발명의 실시예에 따라, 매우 짧은 거리를 검출하고 제어 동작을수행하는 가스 게이지 근접 센서를 사용하는 방법을 나타내는 흐름도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따라, 상이한 치수를 갖는 노즐에 대한 테스트 결과를 나타낸 감도 도면.
도 6은 본 발명의 실시예에 따라 브리지 구성을 갖는 가스 게이지 근접 센서의 동작을 1차원 모델로 모사한 개략도.
도 7은 모사 결과를 공기 질량 흐름 속도와 게이지 노즐 스탠드오프의 함수로서 나타낸 감도 도면.
도 8은 시뮬레이션 결과를 노즐 내측 직경(ID)과 다공성 제한기의 길이의 함수로서 나타낸 감도 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 가스 게이지 근접 센서
102 : 가스 공급원
106 : 질량 흐름 제어기
112 : 중앙 채널
116 : 측정 채널
118 : 기준 채널
120 : 측정 채널 제한기
122 : 기준 채널 제한기
128 : 측정 탐침
130 : 기준 탐침
136 : 브리지 채널
138 : 질량 흐름 센서
본 발명은 기존 유형의 근접 센서의 정밀도를 상당히 개선하는 고해상도 가스 게이지 근접 센서 및 방법을 제공한다. 가스 게이지 근접 센서는 측정 및 기준 스탠드오프(standoff) 간의 차이를 검출함으로써 근접도를 결정한다. 스탠드오프는 근접 센서의 노즐과 그 노즐 아래의 표면 간의 거리 또는 갭이다.
스탠드오프 차이를 결정하기 위하여, 일정한 질량 흐름 속도를 갖는 가스의 흐름이 질량 흐름 제어기에 의해 계량되고, 2개의 채널 - 측정 채널과 기준 채널 - 을 통과하게 된다. 본 발명에 따르면, 기준 채널과 측정 채널 내에서는 다공성 제한기(porous restrictor)가 사용된다. 다공성 제한기는 센서의 적합한 동작을 위해 요구되는 저항 기능을 수행하면서도, 난류(turbulence)를 도입하지 않고 공압 잡음(pneumatic noise)을 감소시킨다. 본 발명의 다른 실시예에서, 다공성 스너버(porous snubber)는 질량 흐름 제어기의 뒤에, 그리고 근접 센서가 기준 및 측정 채널로 갈라지기 전에 배치된다. 다공성 스너버는 가스 난류를 진정시키고, 채널을 통해 전파되는 가능한 음향 잡음을 감소시키며, 근접 센서의 정밀도를 향상시킨다.
각각의 채널은 표면 위에 위치된 말단부에 탐침을 갖는다. 가스는 채널을 통과하게 되고, 측정면 및 기준면 각각에 대하여 노즐을 통해 방출된다. 기준 채널과 측정 채널 사이의 브리지 채널은, 기준 및 측정 채널 내의 가스 압력의 차이에 의해 유도된, 2개의 채널 간의 질량 흐름을 감지한다. 감지된 질량 흐름 속도는 기준 및 측정 스탠드오프의 차이를 나타낸다. 즉, 브리지에서 감지된 질량 흐름은, 기준 채널에서의 기준 탐침과 기준면의 기준 스탠드오프와, 측정 채널에서의 측정 탐침과 측정면의 측정 스탠드오프 간의 임의의 차이를 나타낸다. 가스 게이지 근접 센서는 표시를 제공하고, 감지된 질량 흐름 속도를 근거로 한 제어 동작을 야기할 수 있다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 측정 탐침 및 기준 탐침으로서 상이한 노즐 유형이 사용될 수 있다. 이러한 노즐은, 상이한 유형의 작업면에 대하여 센서가 쉽게 적응할 수 있게 한다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 가스 게이지 근접 센서는 다수의 측정 분기에 연결되는 전환 소자에 연결된 측정 채널을 포함할 수 있다. 각각의 측정 분기는, 측정 분기를 포함하지 않는 소자에서의 측정 채널과 동일한 특성을 갖는다. 다수의 측정 분기는, 보다 더 큰 면적의 측정면에 대하여 스탠드오프를 측정하도록 근접 센서의 기능을 향상시킨다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 단일 측정 채널을 갖는 가스 게이지 근접 센서를 위한 방법이 제공된다. 이 방법은 가스 흐름을 측정 및 기준 채널로 분할하는 단계와, 각각의 채널의 단면적에 걸쳐서 가스 흐름을 균일하게 제한하는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 다수의 측정 분기를 갖는 가스 게이지 근접 센서를 위한 방법이 제공된다. 이 방법은, 가스 흐름을 측정 분기와 기준 채널로 분할하는 단계, 기준 채널 또는 측정 분기의 단면 영역 전반에 걸쳐서 가스 흐름을 균일하게 제한하는 단계, 및 측정 분기 간을 전환하는 단계를 포함한다. 추가의 방법은 측정면의 지형(topography)을 맵핑하기 위하여 다수의 측정 분기를 갖는 가스 게이지 근접 센서를 이용하는 것을 기술한다.
본 발명의 실시예는, 다공성 제한기, 질량 흐름 제어기 및/또는 스너버의 사용을 통하여, 가스 흐름을 근거로 하여 나노미터 정밀도의 고해상도로 거리를 측정할 수 있게 한다. 본 발명은 특히 포토리소그래피 시스템 및 도구에서 유리하다. 포토리소그래피 시스템에서, 리소그래피 제조 도구의 적합한 기하학적 기준과 반도체 웨이퍼 간의 거리를 고해상도로 결정할 필요성이 점점 더 증가하고 있다. 고해상도의 가스 흐름 근접 감지 기술을 사용하면, 반도체 제조 동안 웨이퍼 재료 및 웨이퍼 상에 적층된 재료의 물리적 파라미터에 무관하게 고해상도의 성능으로 웨이퍼 근접 측정값을 구할 수 있게 된다.
이하에서는, 첨부된 도면을 참조로 하여, 본 발명의 다양한 실시예의 구조 및 동작은 물론, 본 발명의 다른 실시예, 특징 및 이점이 더 상세하게 설명될 것이다.
본 발명은 첨부 도면을 참조로 하여 설명된다. 도면에서, 동일한 참조 번호는 동일하거나 기능적으로 유사한 구성 요소를 나타낸다.
본 명세서에서는 특정 응용예에 대한 실시예를 참조로 하여 본 발명이 설명되지만, 본 발명이 이에 제한되는 것이 아님을 이해하여야 한다. 여기에 제공된 교시에 접근한 본 기술 분야의 숙련된 기술자들은, 본 발명의 범위 내에 포함되는 그 이외의 변경, 응용 및 실시예, 및 본 발명이 상당한 유용성을 가질 수 있는 다른 분야를 알 수 있을 것이다.
목차
A. 가스 게이지 근접 센서
1. 흐름 제한기
2. 스너버
3. 노즐
B. 방법
C. 모델 및 시뮬레이션 결과
1. 시뮬레이션 파라미터의 선택
2. 결과
D. 결론
A. 가스 게이지 근접 센서
도 1a는 본 발명의 실시예에 따라 가스 게이지 근접 센서(100)를 도시하고 있다. 가스 게이지 근접 센서(100)는 질량 흐름 제어기(106), 중앙 채널(112), 측정 채널(116), 기준 채널(118), 측정 채널 제한기(120), 기준 채널 제한기(122), 측정 탐침(128), 기준 탐침(130), 브리지 채널(136) 및 질량 흐름 센서(138)를 포함한다. 가스 공급원(102)은 가스를 가스 게이지 근접 센서(100)에 원하는 압력으로 주입한다.
중앙 채널(112)은 가스 공급원(102)을 질량 흐름 제어기(106)에 연결하고, 접합점(114)에서 종료된다. 질량 흐름 제어기(106)는 가스 게이지 근접 센서(100) 내에 일정한 흐름 속도를 유지한다. 가스는 채널(112)에 부착된 축압기(accumulator)(108)를 이용하여, 질량 흐름 제어기(106)로부터 다공성 스너버(110)를 통하여 밀려나가게 된다. 스너버(110)는 가스 공급원(102)에 의해 도입되는 가스 난류를 감소시키며, 그 사용은 선택적이다. 가스는 스너버(110)를 빠져나온 후, 중앙 채널(112)을 통해 접합점(114)으로 이동한다. 중앙 채널(112)은 접합점(114)에서 종료되고, 측정 채널(116)과 기준 채널(118)로 분할된다. 질량 흐름 제어기(106)는 원하지 않는 공압 잡음의 생성을 최소화하기 위하여, 시스템에 걸쳐서 층류(laminar)이면서 비압축성인(incompressible) 유체 흐름을 제공하도록충분히 낮은 속도로 가스를 주입한다.
브리지 채널(136)은 측정 채널(116)과 기준 채널(118) 사이에 결합된다. 브리지 채널(136)은 접합점(124)에서 측정 채널(116)에 연결된다. 브리지 채널(136)은 접합점(126)에서 기준 채널(118)에 연결된다. 일례에서, 접합점(114)과 접합점(124) 간의 거리와, 접합점(114)과 접합점(126) 간의 거리는 동일하다.
가스 게이지 근접 센서(100) 내의 모든 채널은 그를 통과하여 가스가 흐르는 것을 허용한다. 채널(112, 116, 118 및 136)은, 가스 흐름을 포함하고 센서(100)를 통하여 유도할 수 있는 도관(튜브, 파이프 등) 또는 임의의 다른 유형의 구조물로 이루어질 수 있다. 채널은, 예를 들어, 국부적인 난류나 흐름의 불안정성을 발생시켜 공압 잡음을 도입할 수 있는 예리한 굴곡부, 불균일부 또는 불필요한 장애물을 갖지 않는다. 측정 채널(116)과 기준 채널(118)의 전체 길이는 동일할 수 있으며, 다른 예에서는 동일하지 않을 수도 있다.
기준 채널(118)은 기준 탐침(130)에서 종료된다. 마찬가지로, 측정 채널(116)은 측정 탐침(128)에서 종료된다. 기준 탐침(130)은 기준면(124) 상에 위치된다. 측정 탐침(128)은 측정면(132) 상에 위치된다. 포토리소그래피와 관련하여, 측정면(132)은 종종 반도체 웨이퍼이거나, 또는 웨이퍼를 지지하는 스테이지이다. 기준면(134)은 평탄한 금속판일 수 있지만, 이러한 예로 한정되는 것은 아니다. 가스 공급원(102)에 의해 주입된 가스는 각각의 탐침(128, 130)으로부터 방출되고, 측정면(132) 및 기준면(134) 상에 충돌한다. 측정 탐침(128)과 기준 탐침(130) 내에는 노즐이 제공된다. 예시적인 노즐은 이하에서 도 3a 내지 3e를참조하여 더 상세하게 설명된다. 전술한 바와 같이, 노즐과 그에 대응하는 측정 또는 기준면 간의 거리는 스탠드오프로 칭해진다.
일 실시예에서, 기준 탐침(130)은 기지(旣知)의 기준 스탠드오프(142)를 갖는 고정된 기준면(134) 상에 위치된다. 측정 탐침(128)은 미지의 측정 스탠드오프(140)를 갖는 측정면(132) 상에 위치된다. 기지의 기준 스탠드오프(142)는 최적의 스탠드오프를 나타내는 원하는 상수값으로 설정된다. 이러한 구성에 의하면, 측정 탐침(128)의 역압 업스트림(backpressure upstream)은 미지의 측정 스탠드오프(140)의 함수이다. 그리고, 기준 탐침(130)의 역압 업스트림은 기지의 기준 스탠드오프(142)의 함수이다. 스탠드오프(140)와 스탠드오프(142)가 동일한 경우, 구성은 대칭이 되며, 브리지는 균형을 이룬다. 결과적으로, 브리지 채널(136)을 통해서는 어떠한 가스 흐름도 없다. 반면에, 측정 스탠드오프(140)와 기준 스탠드오프(142)가 상이한 경우, 측정 채널(116)과 기준 채널(118) 간의 결과적인 압력 차이는 질량 흐름 센서(138)를 통한 가스의 흐름을 유도한다.
질량 흐름 센서(138)는 브리지 채널(136)을 따라, 바람직하게는 중심점에 위치된다. 질량 흐름 센서(138)는 측정 채널(116)과 기준 채널(118) 간의 압력 차에 의해 유도된 가스 흐름을 감지한다. 이러한 압력 차이는 측정면(132)의 수직 위치의 변화의 결과로서 발생한다. 대칭적인 브리지에 대하여, 측정 스탠드오프(140)와 기준 스탠드오프(142)가 동일한 경우, 스탠드오프는 표면(132, 134)과 비교하여 탐침(128, 130) 양자 모두에 대하여 동일하다. 측정 채널과 기준 채널 간에는 어떠한 압력 차이도 존재하지 않으므로, 질량 흐름 센서(138)는 어떠한 질량 흐름도 검출하지 않을 것이다. 측정 스탠드오프(140)와 기준 스탠드오프(142) 간의 차이는 측정 채널(116)과 기준 채널(118)에서 상이한 압력을 발생시킬 것이다. 비대칭적인 구성에 대해서는, 적합한 오프셋이 도입될 수 있다.
질량 흐름 센서(138)는 압력 차이 또는 불균형에 의해 도입된 가스 흐름을 감지한다. 압력 차이는 가스 흐름을 유발하는데, 이 가스 흐름의 속도는 측정 스탠드오프(140)의 고유 함수이다. 즉, 가스 게이지(100)로의 흐름 속도가 일정하다고 가정하면, 측정 채널(116)과 기준 채널(118) 내의 가스 압력 간의 차이는 스탠드오프(140 및 142) 간의 크기 차이의 함수이다. 기준 스탠드오프(142)가 기지의 스탠드오프로 설정되는 경우, 측정 채널(116)과 기준 채널(118)의 가스 압력 간의 차이는 측정 스탠드오프(140)의 크기{즉, 측정면(132)과 측정 탐침(128) 간의 z 방향으로의 미지의 스탠드오프}의 함수이다.
질량 흐름 센서(138)는 브리지 채널(136)을 통한 어느 한 방향의 가스 흐름을 검출한다. 브리지 구성으로 인해, 채널(116, 118) 간에 압력 차이가 발생한 경우에만, 브리지 채널(136)을 통한 가스 흐름이 발생한다. 압력 불균형이 존재하는 경우, 가스 흐름 센서(138)는 그에 의해 발생한 가스 흐름을 검출하고, 적합한 제어 기능을 시작할 수 있다. 질량 흐름 센서(138)는 시각적인 디스플레이 또는 음향 지시를 통해 감지된 흐름의 표시를 제공할 수 있다. 또한, 질량 흐름 센서 대신에, 차동 압력 센서(differential pressure sensor)가 사용될 수 있다. 차동 압력 센서는 2개의 채널 간의 압력의 차이를 측정하는데, 이러한 압력의 차이는 측정과 기준 스탠드오프 간의 차이의 함수이다.
제어 함수는 정확한 갭 차이를 계산하기 위한 것일 수 있다. 다른 실시예에서, 제어 함수는 측정 갭(140)의 크기를 증가 또는 감소시키기 위한 것일 수 있다. 이것은 압력 차이가 제로에 충분히 가까워질 때까지 측정 탐침(128)에 대하여 측정면(132)을 이동시킴으로써 달성할 수 있다. 상기에서, 압력 차이가 제로에 충분히 가까워지는 것은, 측정면(132)과 기준면(134)으로부터의 스탠드오프 간에 더 이상 차이가 존재하지 않을 때에 발생한다.
도 1a는, 본 발명이 나노미터 정밀도를 달성할 수 있도록 하기 위하여 가스 난류 및 다른 공압 잡음을 감소시키는 본 발명의 적어도 3개의 구성 요소를 나타내고 있다. 이러한 구성 요소, 즉 질량 흐름 속도 제어기(106), 스너버(110) 및 제한기(120, 122)는 요구되는 감도에 따라, 본 발명의 일 실시예 내에서 전부 사용될 수도 있고, 또는 임의의 조합으로 사용될 수도 있다. 예를 들어, 매우 정밀한 감도가 요구되는 응용 분야에서는 모든 구성 요소가 사용될 수 있다. 또한, 보다 낮은 감도가 요구되는 응용 분야에서는, 다공성 제한기(120 및 122)는 오리피스(orifice)로 대체되고, 스너버(110)만이 필요할 것이다. 결과적으로, 본 발명은 특정 응용 분야의 요구 조건을 비용 효율적으로 만족시키는 융통성있는 접근 방법을 제공한다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 질량 흐름 속도 제어기(106) 및/또는 스너버(110)의 추가는 미국 특허 제4,953,388호 및 제4,550,592호에 개시된 시스템 내에서 사용되어, 그 감도를 현저하게 향상시킬 수 있다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따라 가스 게이지 근접 센서(150)를 나타내고 있다. 가스 게이지 근접 센서(150)는 가스 게이지 근접 센서(100)와 동일한 구성 요소를 다수 포함하며, 유사한 동작 원리를 갖는다. 두 센서 간의 차이는, 가스 게이지 근접 센서(100) 내에는 하나의 측정 채널이 포함되어 있는 것에 반하여, 가스 게이지 근접 센서(150)는 3개의 측정 분기를 갖는다는 것이다. 이러한 3개의 측정 분기는 편의상 도시된 것이며, 본 발명은 3개의 측정 분기로 제한되지 않는다. 2개 이상의 어떠한 개수의 측정 분기라도 사용될 수 있다.
가스 게이지 근접 센서(150)는 질량 흐름 제어기(153), 중앙 채널(156), 기준 채널(158), 기준 채널 제한기(166), 기준 탐침(174), 브리지 채널(190) 및 질량 흐름 센서(192)를 포함한다. 또한, 가스 게이지 근접 센서(150)는 측정 채널(159)을 포함한다. 측정 채널(159)은 3개의 측정 분기(163, 164, 165)로 분할된다. 측정 분기(163)는 측정 분기 제한기(167) 및 측정 탐침(175)을 포함한다. 측정 분기(164)는 측정 분기 제한기(168) 및 측정 탐침(176)을 포함한다. 측정 분기(165)는 측정 분기 제한기(169) 및 측정 탐침(177)을 포함한다. 마지막으로, 가스 게이지 근접 센서(150)는 측정 채널 전환 소자(switching device)(160), 브리지 채널 전환 소자(161), 및 전환 소자 레버(162)를 포함한다.
가스 공급원(151)은 가스를 가스 게이지 근접 센서(150)에 원하는 압력으로 주입한다. 중앙 채널(156)은 가스 공급원(151)을 질량 흐름 제어기(153)에 연결시키고, 접합점(157)에서 종료된다. 질량 흐름 제어기(153)는 가스 게이지 근접 센서(150) 내에 일정한 흐름 속도를 유지한다. 질량 흐름 제어기(153)는 원하지 않는 공압 잡음의 발생을 최소화하기 위하여, 시스템에 걸쳐서 층류이면서 비압축성인 유체 흐름을 제공하도록 충분히 낮은 속도로 가스를 주입한다. 가스는 채널(156)에 부착된 축압기(154)를 이용하여, 질량 흐름 제어기(153)로부터 다공성 스너버(155)를 통하여 방출된다. 스너버(155)는 가스 공급원(151)에 의해 도입된 가스 난류를 감소시키며, 그 사용은 선택적이다. 가스는 스너버(155)를 빠져나온 후, 중앙 채널(156)을 통해 접합점(157)으로 이동한다. 중앙 채널(156)은 접합점(157)에서 종료되고, 측정 채널(159)과 기준 채널(158)로 분할된다.
측정 채널(159)은 측정 채널 전환 소자(160)에서 종료된다. 측정 채널 전환 소자(160)는, 측정 채널을 측정 채널 전환 소자(160)에 또한 연결되어 있는 수개의 측정 분기 중 하나로 전환하는 기능을 하는 스캐닝 밸브 또는 다른 유형의 전환 소자일 수 있다. 측정 분기의 물리적 특성은 측정 채널의 물리적 특성과 동일하다. 측정 채널 전환 소자(160)는 전환 소자 레버(162)에 의해 조작된다. 전환 소자 레버(162)는 어떤 측정 분기(163, 164, 165)가 측정 채널 전환 소자(160)를 통해 측정 채널(159)에 연결될지를 제어한다.
브리지 채널(190)은 브리지 채널 전환 소자(161)를 통해, 기준 채널(158)과 3개의 측정 분기(163, 164, 165) 중 하나의 사이에서 결합된다. 브리지 채널(190)은 접합점(170)에서 기준 채널(158)에 연결된다. 브리지 채널(190)은 브리지 채널 전환 소자(161)에서 종료된다. 브리지 채널 전환 소자(161)는 브리지 채널을 측정 분기 중 하나로 전환하는 기능을 하는 스캐닝 밸브 또는 다른 유형의 전환 소자일 수 있다. 도 1b에 도시된 일례에서, 3개의 측정 분기(163, 164, 165)는 각각 접합점(171, 172, 173)에서 브리지 채널 전환 소자(161)에 연결된다. 전환 소자 레버(162)는 어느 측정 분기(163, 164, 165)가 브리지 채널 전환 소자(161)를 통하여 브리지 채널에 연결될 지를 제어한다. 전환 레버(switching lever)(162)는 측정 채널(159)과 브리지 채널(190) 둘 다에 동일한 측정 분기가 연결되도록, 측정 채널 전환 소자(160) 및 브리지 채널 전환 소자(161)를 제어한다. 또한, 2개의 독립적인 전환 레버가 사용될 수 있다.
일례에서, 접합점(157)과 접합점(170) 간의 거리와, 접합점(157)과 접합점(171, 172, 173) 간의 거리는 동일하다.
가스 게이지 근접 센서(150) 내의 모든 채널과 분기는, 그를 통하여 가스가 흐르는 것을 허용한다. 채널(156, 158, 159, 190)과 분기(163, 164, 165)는, 가스 흐름을 포함하고 센서(150)를 통하여 유도할 수 있는 도관(튜브, 파이프 등) 또는 임의의 다른 유형의 구조물로 이루어질 수 있다. 채널은, 예를 들어, 국부적인 난류나 흐름의 불안정성을 발생시켜 공압 잡음을 도입할 수 있는 예리한 굴곡부, 불균일부 또는 불필요한 장애물을 갖지 않는다. 기준 채널(158)과, 측정 채널(159)에 측정 분기(163, 164, 165) 중 하나를 더한 것의 전체 길이는 동일할 수 있으며, 다른 예에서는 동일하지 않을 수도 있다.
기준 채널(158)은 기준 탐침(174)으로 종료된다. 마찬가지로, 측정 분기(163, 164, 165)는 각각 측정 탐침(175, 176, 177)에서 종료된다. 기준 탐침(174)은 기준면(178) 상에 위치된다. 측정 탐침(175, 176, 177)은 측정면(179) 상에 위치된다. 포토리소그래피와 관련하여, 측정면(179)은 종종 반도체 웨이퍼이거나, 또는 웨이퍼를 지지하는 스테이지이다. 기준면(178)은 평탄한 금속판일 수 있지만, 이러한 예로 한정되는 것은 아니다. 가스 공급원(151)에 의해 주입된 가스는 기준 탐침(174)으로부터 방출되고, 기준면(178) 상에 충돌한다. 마찬가지로, 가스 공급원(151)에 의해 주입된 가스는 3개의 측정 탐침(175, 176, 177) 중 하나로부터 방출되고, 측정면(179) 상에 충돌한다. 전환 소자 레버(162)의 위치는 어느 측정 탐침으로부터 가스가 방출될지를 결정한다. 탐침(174, 175, 176, 177) 내에는 노즐이 제공된다. 예시적인 노즐은 이하에서 도 3a 내지 3e를 참조하여 더 상세하게 설명된다. 전술한 바와 같이, 노즐과 그에 대응하는 측정 또는 기준면 간의 거리는 스탠드오프로 칭해진다.
일 실시예에서, 기준 탐침(174)은 기지의 기준 스탠드오프(180)를 갖는 고정된 기준면(178) 상에 위치된다. 측정 탐침(175, 176, 177)은 미지의 측정 스탠드오프(181, 182, 183)를 갖는 측정면(179) 상에 위치된다. 측정 스탠드오프(181, 182, 183)는 동일할 수 있고, 또는 측정면의 지형(topography)이 영역마다 달라지는 경우에서는 동일하지 않을 수 있다. 기지의 기준 스탠드오프(180)는 최적의 스탠드오프를 나타내는 원하는 상수값으로 설정된다. 이러한 구성에 의하면, 사용중인 측정 탐침(175, 176, 177)으로부터의 역압 업스트림은 각각 미지의 측정 스탠드오프(181, 182, 183)의 함수이다. 그리고, 기준 탐침(174)의 역압 업스트림은 기지의 기준 스탠드오프(180)의 함수이다. 기준 스탠드오프(180)와 사용중인 측정 스탠드오프(181, 182, 183)가 동일한 경우, 구성은 대칭이 되며, 브리지는 균형을 이룬다. 결과적으로, 브리지 채널(174)을 통해서는 어떠한 가스 흐름도 없다. 반면에, 기준 스탠드오프(180)와 사용중인 측정 분기에 대응하는 측정 스탠드오프(181, 182, 183)가 상이한 경우, 기준 채널(158)과 사용중인 측정 분기(163, 164, 165) 간의 결과적인 압력 차이는 브리지 채널(190)을 통한 가스의 흐름을 유도한다.
질량 흐름 센서(192)는 브리지 채널(190)을 따라 위치되는데, 바람직하게는 중심점에 위치된다. 질량 흐름 센서(192)는 기준 채널(158)과 사용중인 측정 분기(163, 164, 165) 간의 압력 차에 의해 유도된 가스 흐름을 감지한다. 이러한 압력 차이는 측정면(179)의 수직 위치의 변화의 결과로서 발생된다. 대칭적인 브리지에 대하여, 기준 스탠드오프(140)와 사용중인 측정 분기에 대응하는 측정 스탠드오프(181, 182, 183)가 동일한 경우, 사용중인 측정 분기와 기준 채널 간에는 어떠한 압력 차이도 존재하지 않으므로, 질량 흐름 센서(192)는 질량 흐름을 검출하지 않을 것이다. 기준 스탠드오프(180)와 사용중인 측정 분기에 대응하는 측정 스탠드오프(181, 182, 183) 간의 차이는 기준 채널(158)과 사용중인 측정 분기(163, 164, 165)에서 상이한 압력을 발생시킬 것이다. 비대칭적인 구성에 대해서는, 적합한 오프셋이 도입될 수 있다.
질량 흐름 센서(192)는 압력 차이 또는 불균형에 의해 도입된 가스 흐름을 감지한다. 압력 차이는 가스 흐름을 유발하는데, 이 가스 흐름의 속도는 측정 스탠드오프(181, 182, 183)의 고유 함수이다. 즉, 가스 게이지(150)로의 흐름 속도가 일정하다고 가정하면, 측정 분기(163, 164, 165) 또는 기준 채널(158) 내의 가스 압력 간의 차이는 기준 스탠드오프(180)와 사용중인 측정 분기에 대응하는 측정스탠드오프(181, 182, 182) 간의 차이의 함수이다. 기준 스탠드오프(180)가 기지의 스탠드오프로 설정되는 경우, 사용중인 측정 분기(163, 164, 165)와 기준 채널(158)에서의 가스 압력 간의 차이는 측정 스탠드오프의 크기{즉, 측정면(179)과 사용중인 측정 탐침(175, 176, 177) 간의 z 방향으로의 미지의 스탠드오프}의 함수이다.
질량 흐름 센서(192)는 브리지 채널(190)을 통한 어느 한 방향의 가스 흐름을 검출한다. 브리지 구성으로 인해, 기준 채널(158)과 사용중인 측정 분기(163, 164, 165) 간에 압력 차이가 발생한 경우에만, 브리지 채널(190)을 통한 가스 흐름이 발생한다. 압력 불균형이 존재하는 경우, 질량 흐름 센서(192)는 그에 의해 발생한 가스 흐름을 검출하고, 적합한 제어 기능을 시작할 수 있다. 질량 흐름 센서(192)는 시각적인 디스플레이 또는 음향 지시를 통해 감지된 흐름의 표시를 제공할 수 있다. 또는, 질량 흐름 센서 대신에, 차동 압력 센서가 사용될 수 있다. 차동 압력 센서는, 기준 채널과 측정 분기 간의 압력의 차이를 측정하는데, 이러한 압력의 차이는 측정 스탠드오프와 기준 스탠드오프 간의 차이의 함수이다.
제어 함수는 정확한 갭 차이를 계산하기 위한 것일 수 있다. 다른 실시예에서, 제어 함수는 측정 스탠드오프(181, 182, 183)의 크기를 증가 또는 감소시키기 위한 것일 수 있다. 이것은 압력 차이가 제로에 충분히 가까워질 때까지 측정 탐침에 대하여 측정면을 이동시킴으로써 달성할 수 있다. 상기에서, 압력 차이가 제로에 충분히 가까워지는 것은, 측정면과 기준면(178)으로부터의 스탠드오프 간에 더 이상 차이가 존재하지 않을 때에 발생한다.
도 1b는, 본 발명이 나노미터 정밀도를 달성할 수 있도록 하기 위하여 가스 난류 및 다른 공압 잡음을 감소시키는 본 발명의 적어도 3개의 구성 요소를 나타내고 있다. 이러한 구성 요소, 즉 질량 흐름 속도 제어기(153), 스너버(155) 및 제한기(166, 167, 168, 169)는 요구되는 감도에 따라, 본 발명의 실시예 내에서 전부 사용될 수도 있고, 또는 임의의 조합으로 사용될 수도 있다. 예를 들어, 매우 정밀한 감도가 요구되는 응용 분야에서는 모든 구성 요소가 사용될 수 있다. 또한, 보다 낮은 감도가 요구되는 응용 분야에서는, 다공성 제한기(166, 167, 168, 169)는 오리피스로 대체하고, 스너버(155)만이 필요할 것이다. 결과적으로, 본 발명은 특정 응용 분야의 요구 조건을 비용 효율적으로 만족시키는 융통성 있는 접근 방법을 제공한다.
1. 흐름 제한기
본 발명의 일 실시예에 따라 가스 게이지 근접 센서(100)를 참조하면, 측정 채널(116) 및 기준 채널(118)은 제한기(120, 122)를 포함한다. 각각의 제한기(120, 122)는 각각의 측정 채널(116) 및 기준 채널(118)을 통해 이동하는 가스의 흐름을 제한한다. 측정 채널 제한기(120)는 접합점(114)과 접합점(124) 사이의 측정 채널(116) 내에 위치된다. 마찬가지로, 기준 채널 제한기(122)는 접합점(114)과 접합점(126) 사이의 기준 채널(118) 내에 위치된다. 일례에서, 접합점(114)으로부터 측정 채널 제한기(120)까지의 거리와, 접합점(114)으로부터 기준 채널 제한기(122)까지의 거리는 동일하다. 다른 예에서는, 거리가 동일하지 않다. 센서가 대칭이어야 하는 고유의 조건은 존재하지 않지만, 센서는 기하학적으로 대칭인 것이 사용에 더 편리하다.
본 발명의 다른 양상에 따르면, 각 제한기(120, 122)는 폴리에틸렌 또는 소결된(sintered) 스테인레스 스틸과 같은 다공성 재료(porous material)로 이루어진다. 도 2는 가스 흐름(200)이 통과하는 다공성 재료(210)를 갖는 제한기(120)의 단면 이미지를 제공한다. 측정 채널 제한기(120) 및 기준 채널 제한기(122)는 실질적으로 동일한 치수 및 투과 특성(permeability characteristics)을 갖는다. 제한기는 일반적으로 2 내지 15㎜ 범위의 길이를 갖지만, 이러한 길이로 한정되는 것은 아니다. 측정 채널 제한기(120) 및 기준 채널 제한기(122)는 채널(116, 118)의 단면적에 걸쳐서 균일하게 가스 흐름을 제한한다. 본 발명자는, 견고한(solid) 비다공성 재료에 구멍을 낸(bored) 단일 오리피스를 사용하는 제한기에 의해 도입되는 난류 및 잡음의 양에 비하여, 다공성 재료 제한기는 가스 흐름에서의 난류 및 관련 공압 잡음을 상당히 감소시킨다는 것을 발견하였다. 가스 게이지 근접 센서(150) 내에서, 상기에 언급한 특성을 갖는 다공성 제한기(166, 167, 168, 169)는 이러한 이점을 달성하기 위하여 사용된다.
제한기는 2가지 핵심 기능를 제공한다. 첫째로, 제한기는 가스 게이지 근접 센서(100) 내에 존재하는 압력 및 흐름 교란을 완화하는데, 대부분의 현저한 교란은 질량 흐름 제어기(110) 또는 음향 픽업(acoustic pick-up)의 소스에 의해 발생된다. 둘째로, 제한기는 브리지 내에서 필요한 저항성 소자(resistive element)로서 기능한다.
가스 게이지 근접 센서의 예시적인 실시예가 설명되는데, 본 발명은 이러한예로 제한되는 것은 아니다. 이러한 예는 설명의 목적으로 제공된 것이며, 제한을 위한 것이 아니다. 본 기술 분야의 숙련된 기술자는 본 명세서에 포함된 교시를 근거로 하여, (본 명세서에 개시된 것의 등가물, 확장, 변경, 변이 등을 포함하는) 실시예를 분명히 알 수 있을 것이다. 그러한 실시예도 본 발명의 범위 및 취지 내에 포함된다.
2. 스너버
본 발명의 일 실시예에 따라 가스 게이지 근접 센서(100)를 참조하면, 채널(112)은 스너버(110)를 포함한다. 제한기의 동작과 마찬가지로, 스너버(110)는 가스 공급원(102)에 의해 도입되는 가스 난류를 감소시키고, 질량 흐름 센서를 가스 게이지 센서의 업스트림 부분 내의 음향 픽업으로부터 고립시킨다. 스너버(110)는 축압기(108)와 접합점(114) 사이의 채널(112) 내에 위치된다. 본 발명의 다른 특징에 따르면, 스너버(110)는 폴리에틸렌 또는 소결된 스테인레스 스틸과 같은 다공성 재료로 이루어진다. 본 발명자는 다공성 재료로 이루어진 스너버가 가스 흐름 내의 난류와 관련 공압 잡음을 상당히 감소시킨다는 것을 발견하였다. 가스 게이지 근접 센서(150) 내에서 사용되는 스너버(155)는 스너버(110)와 동일한 특성을 가지며, 동일한 이점을 얻기 위하여 사용된다.
3. 노즐
가스 게이지 근접 센서(100)에서, 특정 응용 분야에 따라 상이한 유형의 노즐이 기준 탐침(130) 및 측정 탐침(128)으로서 사용될 수 있다. 마찬가지로, 기준 탐침(174) 및 측정 탐침(181, 182, 183)에 대하여 상이한 유형의 노즐이 가스 게이지 근접 센서(150) 내에서 사용될 수 있다. 다른 노즐 중에서의 노즐 유형의 선택은 요구되는 풋프린트(footprint)(측정 영역)에 따라 달라진다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 가스 게이지 노즐(300)의 기본 구성은 측정면의 표면에 평행한 평탄 단면(flat end surface)에 의해 특징화된다. 노즐의 형태는 게이지 스탠드오프 h와 내측 직경 d에 의해 결정된다. 일반적으로, 노즐 외측 직경 D가 충분히 큰 경우, 노즐 압력 강하의 D에 대한 의존도는 약하다. 그 이외의 물리적인 파라미터는, 가스의 질량 흐름 속도인 Qm과 노즐을 통한 압력 강하인 Δp이다. 가스는 밀도 ρ와 동점성(dynamic vicosity) η에 의해 특징화된다.
무차원 파라미터와 레이놀즈 수(Reynolds Number) Re 및간의 관계가 구해진다. 여기에서, 반경 방향 속도 u는 노즐 전면(前面)과 웨이퍼 표면 간의 원통형 영역의 입구에서 측정된 것이다. 레이놀즈 수는로 정의되고, v는 운동속쓸림 곁수(kinematic coefficient of viscosity)이다.
측정 스탠드오프를 변화시킨 일련의 테스트가, 상이한 d를 갖는 노즐과 상이한 질량 흐름 속도를 사용하여 수행되었다. 도 5는 이러한 테스트에 대한 데이터 포인트를 도시하고 있다. 도 5에 도시된 일련의 측정값으로부터 얻어진 데이터 포인트에 대한 적합한 맞춤(fit)은 다음과 같다.
노즐을 통한 공기의 질량 흐름 속도는 다음과 같이 쓸 수 있다.
속도 u를 질량 흐름 속도 Qm과 내측 노즐 직경 d의 항으로 나타내면 다음과 같다.
그리고 나면, 노즐의 거동은 5개의 물리적 변수 v, Δp, Qm, d 및 h로 기술할 수 있다. 일반적으로, 실제 시스템에 있어서 Δp 및 h 이외의 다른 변수들은 상수이기 때문에, 수학식 3은 2개의 주요 변수 Δp 및 h 간의 관계를 제공한다. 이러한 관계는 상이한 감도를 필요로 하는 상이한 응용 분야에 대한 노즐 유형의 개발을 용이하게 한다.
도 3b 및 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따라 기준 탐침 또는 측정 탐침으로서 사용될 수 있는 노즐(310)을 도시하고 있다. 노즐(310)은 전면(前面)(312), 가스 구멍 전방 개구(gas bore front opening)(314), 및 가스 구멍 후방 개구(gas bore rear opening)(315)를 포함한다.
노즐(310)은 측정 채널(116) 및 기준 채널(118) 모두에 부착된다. 일 실시예에서는, 2개의 동일한 노즐(310)이 측정 탐침(128) 및 기준 탐침(130)으로서 기능한다. 원칙적으로, 노즐이 동일할 필요는 없다. 노즐(310)은 측정 채널(116)에 부착된다. 전면(312)은 측정면(132)에 평행해야 한다. 측정 채널(116)을 통하여 이동하는 가스는 가스 구멍 후방 개구(315)를 통하여 노즐(310)에 진입하고, 가스 구멍 전방 개구(314)를 통하여 빠져나간다. 마찬가지로, 노즐(310)은 기준 채널(118)에 부착된다. 전면(312)은 기준면(134)에 평행해야 한다. 기준 채널(118)을 통하여 이동하는 가스는 가스 구멍 후방 개구(315)를 통해 노즐(310)에 진입하고, 가스 구멍 전방 개구(316)를 통해 빠져나간다. 가스 구멍 전방 개구(314)의 직경은 특정 응용 분야에 따라 달라질 수 있다. 일례에서, 가스 구멍 전방 개구(314)의 내측 직경은 약 0.5 내지 2.5㎜이다. 이하에서는, 다공성 흐름 제한기 및 탐침의 단일 가스 구멍 노즐을 구비하는 가스 게이지 근접 센서 모델의 예시적인 감도 분석 결과가 도 6 내지 8을 참조하여 설명된다.
도 3d 및 3e는 본 발명의 일 실시예에 따라 기준 및 측정 탐침으로서 사용될 수 있는 샤워-헤드 노즐(shower-head nozzle)(350)을 도시하고 있다. 샤워-헤드 노즐(350)은 전면(前面)(355), 복수의 가스 구멍 전방 개구(360), 및 가스 구멍 후방 개구(365)를 포함한다. 복수의 가스 구멍 전방 개구는 노즐(310)보다 더 넓은 면적의 측정면(132)에 걸쳐서 압력을 분산시킨다. 원칙적으로, 샤워-헤드 노즐은 공간 해상도(spatial resolution)를 낮춰서 보다 더 넓은 공간 영역에서 근접 측정값을 균일하게 통합하기 위하여 사용된다. 또 다른 접근 방법은 다공성 필터를 포함하는 노즐을 사용하는 것이다.
샤워-헤드 노즐(350)은 측정 채널(116) 및 기준 채널(118) 모두에 부착된다. 일 실시예에서는, 2개의 동일한 샤워-헤드 노즐(350)이 측정 탐침(128) 및 기준 탐침(130)으로서 기능한다. 원칙적으로, 노즐이 동일할 필요는 없다. 샤워-헤드 노즐(350)은 측정 채널(116)에 부착된다. 전면(355)은 측정면(132)에 평행하다. 측정 채널(116)을 통하여 이동하는 가스는 가스 구멍 후방 개구(365)를 통하여 샤워-헤드 노즐(350)에 진입하고, 복수의 가스 구멍 전방 개구(360)를 통하여 빠져나간다. 마찬가지로, 샤워-헤드 노즐(350)은 기준 채널(118)에 부착된다. 전면(355)은 기준면(134)에 평행하다. 기준 채널(122)을 통하여 이동하는 가스는 가스 구멍 후방 개구(365)를 통해 샤워-헤드 노즐(350)에 진입하고, 복수의 가스 구멍 전방 개구(360)를 통해 빠져나간다. 노즐의 사용은 편의상 가스 게이지 근접 센서(100)를 참조하여 설명되었다. 각각의 노즐 유형은 가스 게이지 근접 센서(150)에서 사용될 수 있는데, 여기에서 노즐은 각각의 측정 분기 탐침과 기준 채널 탐침에 부착될 것이다.
상이한 유형의 노즐에 대한 예시적인 실시예가 설명되었다. 본 발명은 이러한 예로 제한되지 않는다. 본 명세서의 예시는 설명의 목적으로 제공된 것이며 한정을 위한 것이 아니다.
본 기술 분야의 숙련된 기술자는 본 명세서에 포함된 교시를 근거로 하여, (본 명세서에 개시된 것의 등가물, 확장, 변경, 변이 등을 포함하는) 다른 실시예를 분명히 알 수 있을 것이다. 그러한 실시예도 본 발명의 범위 및 취지 내에 포함된다.
B. 방법
도 4에 도시된 프로세스는 가스 흐름을 사용하여 매우 짧은 거리를 검출하고, 제어 동작{단계(410)-단계(470)}을 수행하는 방법(400)을 나타내고 있다. 편의상, 방법(400)은 가스 게이지 근접 센서(100)와 관련하여 설명된다. 그러나, 방법(400)은 반드시 센서(100)의 구조로 한정되어야 하는 것이 아니며, 가스 게이지 근접 센서(150)또는 상이한 구조의 센서에서 구현될 수 있다.
프로세스는 단계(410)에서 시작한다. 단계(410)에서, 조작자 또는 기계적 소자는 기준 탐침을 기준면 상에 위치시킨다. 예를 들어, 조작자 또는 기계적 소자는 기지의 기준 스탠드오프(142)를 이용하여, 기준 탐침(130)을 기준면(134) 상에 위치시킨다. 또한, 기준 스탠드오프는 센서 어셈블리 내에서, 즉 센서 어셈블리 내부적으로 조정될 수 있다. 기준 스탠드오프는 일반적으로 상수로 유지되는 특정값으로 미리 조정된다. 단계(420)에서, 조작자 또는 기계적 소자는 측정 탐침을 측정면 상에 위치시킨다. 예를 들어, 조작자 또는 기계적 소자는 측정 갭(140)을 형성하기 위하여 측정 탐침(128)을 측정면(132) 상에 위치시킨다.
단계(430)에서, 가스가 센서 내로 주입된다. 예를 들어, 측정 가스는 일정한 질량 흐름 속도로 가스 게이지 근접 센서(100)에 주입된다. 단계(440)에서, 센서 내로 일정한 가스 흐름 속도가 유지된다. 예를 들어, 질량 흐름 제어기(106)는 일정한 가스 흐름 속도를 유지한다. 단계(450)에서, 가스 흐름은 측정 채널과 기준 채널 사이에 분배된다. 예를 들어, 가스 게이지 근접 센서(100)는 측정 가스의 흐름이 측정 채널(116)과 기준 채널(118) 간에 균일하게 분배되게 한다.
단계(460)에서, 측정 채널 및 기준 채널 내의 가스 흐름은 채널의 단면적에 걸쳐서 균일하게 제한된다. 측정 채널 제한기(120) 및 기준 채널 제한기(122)는 가스의 흐름을 제한하여 공압 잡음을 감소시키고 가스 게이지 근접 센서(100) 내에서 저항성 소자로서 기능한다.
단계(470)에서, 가스는 기준 및 측정 탐침으로부터 강제로 배출된다. 예를 들어, 가스 게이지 근접 센서(100)는 가스를 측정 탐침(128) 및 기준 탐침(130)으로부터 강제로 배출시킨다. 단계(480)에서, 가스의 흐름은 기준 채널과 측정 채널을 연결시키는 브리지 채널을 통해 모니터링된다. 단계(490)에서, 기준 채널과 측정 채널 간의 압력 차이를 근거로 하여, 제어 동작이 수행된다. 예를 들어, 질량 흐름 센서(138)는 측정 채널(116)과 기준 채널(118) 간의 질량 흐름 속도를 모니터링한다. 질량 흐름 속도를 근거로 하여, 질량 흐름 센서(138)는 제어 동작을 시작한다. 이러한 제어 동작은 감지된 질량 흐름의 표시를 제공하는 것, 감지된 질량 흐름을 나타내는 메시지를 보내는 것, 또는 질량 흐름이 감지되지 않거나 고정된 기준값의 질량 흐름이 감지될 때까지 기준면에 대한 측정면의 위치를 재설정하는 서보 제어 동작을 시작하는 것을 포함할 수 있다.
상기의 방법은 가스 게이지 근접 센서(150)와 같이 다수의 측정 분기를 갖는 센서에서 사용되도록 적응될 수 있다. 가스 게이지 근접 센서(150)가 사용되는 경우, 하나의 측정 분기로부터 다른 측정 분기로 사용 전환하는 것을 포함하는 추가의 단계가 포함될 수 있다.
가스 게이지 근접 센서(150)를 사용하면, 측정면의 지형의 맵핑을 보다 잘활용할 수 있다. 이러한 맵핑은 상기의 방법에서 기술된 원리를 통해 달성될 수 있으며, 측정 분기 중 하나를 사용하여 가공면의 특정 영역 상에서 지형 측정값(topography measurement)이 구해진다. 상이한 영역의 지형 맵핑이 필요한 경우, 상이한 영역의 지형을 맵핑하기 위하여, 가스의 흐름은 상이한 측정 분기로 전환될 수 있다. 측정면을 이동시키는 기능에 제한이 있을 수도 있으므로, 일부 경우에서는 복수의 분기를 갖는 근접 센서가 사용되어, 단 하나의 측정 채널을 갖는 근접 센서보다 더 쉽게 측정면의 지형을 맵핑할 수 있다.
예를 들어, 일 실시예에서, 지형을 맵핑하는 방법은 가스 게이지 근접 센서(150)와 같은 근접 센서에 가스를 주입하는 것과, 측정 분기 중 하나를 사용하여 일련의 측정값을 구함으로써 측정면의 한 영역의 지형을 측정하는 것을 포함한다. 특정한 측정 분기에 의해 맵핑될 수 있는 영역의 맵핑이 완료되면, 근접 센서는 상이한 측정 분기로 전환되어, 해당 측정 분기에 의해 도달되는 영역에 대한 맵핑 프로세스를 반복할 것이다. 프로세스는 지형 맵핑이 필요한 표면에 대한 맵핑이 완료될 때까지 반복될 것이다. 측정면은 반도체 웨이퍼, 또는 지형 맵핑이 필요한 다른 측정면일 수 있다.
본 명세서의 교시를 형성하는 관련 분야의 숙련된 기술자에게 알려져 있는 상기의 단계에 단계를 추가하거나 이를 개선하는 것도 본 발명의 범위 내에 포함된다.
본 발명은 도 1 내지 4를 참조하여 가스와 관련하여 설명되었다. 일 실시예에서, 가스는 공기이다. 본 발명은 공기로 한정되지 않는다. 다른 가스 또는 가스의 조합도 사용될 수 있다. 예를 들어, 측정되는 표면에 따라, 수분 함량이 낮은 가스 또는 불활성 가스가 사용될 수 있다. 수분 함량이 낮은 가스 또는 불활성 가스는 공기에 비하여 측정중인 표면과 반응이 덜 일어난다.
C. 모델 및 모사 결과
본 발명자는 본 발명의 실시예에 따라 브리지 구성의 가스 게이지 근접 센서("가스 게이지")의 동작을 모사하기 위하여 1차원(1-D) 모델을 개발하였으며, 그 시제품(prototype)이 구축되었다. 도 6은 1차원 모델과 관련하여 그 동작이 설명되는 가스 게이지 근접 센서(600){"브리지"(600)로도 칭해짐}의 개략도이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 가스 게이지(600)는 5개의 레그(leg)(11-15), 2개의 다공성 흐름 제한기(630, 635), 측정 노즐(640), 기준 노즐(645) 및 질량 흐름 센서(665)를 포함한다. 레그(11)는 접합점(114)으로부터 접합점(124)으로 연장된다. 레그(12)는 접합점(114)으로부터 접합점(126)으로 연장된다. 레그(13)는 접합점(124)과 접합점(126) 사이에 연장된다. 레그(14)는 접합점(124)으로부터 측정 노즐(640)로 연장된다. 레그(15)는 접합점(126)으로부터 기준 노즐(645)로 연장된다. 다공성 흐름 제한기(630)는 레그(11)를 따라 제공된다. 다공성 흐름 제한기(635)는 레그(12)를 따라 제공된다. 측정 노즐(640)은 레그(14)의 끝에 제공된다. 기준 노즐(645)은 레그(15)의 끝에 제공된다. 질량 흐름 센서(665)는 레그(13)를 따라 제공된다.
가스 게이지의 1-D 모델은 가스 게이지의 개발 프로세스를 돕는다. 모델은 가스 게이지의 물리적 파라미터의 선택을 허용하며, 정상 상태 동작 하에서 가스게이지 성능에 대한 신속한 평가를 제공한다.
브리지(600)의 모든 가스 통로는 동일한 직경의 원형 단면을 갖는 것으로 가정된다. 브리지의 레그 내에서의 압력 강하에 가장 크게 기여하는 것은 흐름 제한기(630, 635) 및 노즐(640, 645)이지만, 레그(11-15)의 튜브 내의 점성 손실로 인하여 분배된 기여가 고려된다. 엘보우(elbow) 및 접합점(114, 124, 126)에서의 국부적인 손실은 상대적으로 작으므로 무시된다.
이러한 가정으로, 도 6에 도시된 것과 같은 브리지(600)를 통한 가스의 정상적인 비압축성 흐름은 아래의 대수식의 집합에 의해 조절된다.
브리지의 접합점에서의 흐름 속도 Qi의 균형을 맞추는 것은 수학식 4-6으로 되는 한편, 브리지의 루프(loop) 내의 레그를 통한 압력 강하 ΔPi값의 균형을 맞추는 것은 수학식 7 및 8로 된다. 수학식 9는 흐름 속도 Q와 각각의 레그(i=1...5)를 통한 압력 강하 ΔP 간의 관계를 정의한다.
상부 레그(11 및 12)에 대한 압력 강하는 튜브 내에서의 점성 손실과 다공성 제한기 내에서의 손실(마찬가지로 점성 손실)의 합이다.
여기에서, li와 di는 튜브 길이와 직경이고, wi는 레그 i에서의 (단면 평균된) 속도이다. 층류의 파이프 흐름에 대하여, 압력 손실 계수는 레이놀즈 수만의 함수이다.
다공성 제한기 내의 압력 손실은 다아시의 법칙(Darcy's law)을 따라 모델링된다. 에이. 베잔(A. Bejan)의 대류 열 전달(Convective Heat Transfer, John Wiley & Sons, 1984)의 10장을 참조하기 바란다. 제한기(630, 635)는 길이 lR을 가지며, 레그(11 및 12) 내의 튜브와 동일한 길이를 가지므로, 동일한 평균 속도 wi를 갖는다. 상수 μ및 K는 각각 유체(공기)의 동점성 및 다공성 재료의 투과도이다.압력 강하는 질량 흐름 속도 Qi의 항으로 표현될 수 있다. 속도 wi는
이고, 이러한 속도 wi를 치환하면,
로 되며, 상수 A 및 C는
이다.
ν및 ρ는 각각 동점성과 가스(공기)의 밀도이고, Θ는 다공성 재료의 전도도이다.
브리지 레그(13)에서의 압력 강하는 다음과 같이 간단하게 모델링된다.
질량 흐름 센서의 실제 거동은 충분한 근사 레벨에서 선형이기 때문에 이와 같이 되는 것이다. 계수 a는 실험적으로 결정되었으며, 질량 흐름 센서의 기술적 사양과 양호한 일치를 보였다.
레그(14 및 15)에 대한 압력 강하는 튜브 내의 점성 손실{레그(11 및 12)에 대한 것과 마찬가지임}과 노즐 내의 손실의 합으로서 모델링된다.
수학식 16의 합의 두번째 항은, 노즐을 통한 압력 강하에 대한 반경험적인 유사성 기반 모델(semi-empirical similarity-based model)을 나타낸다. 변수 ui는 웨이퍼의 표면과 에어 게이지 노즐의 전면(前面) 간의 환형 영역의 입구에서의 반경 방향 속도(radial velocity)의 면 평균값(area-averaged value)을 나타낸다. 이 속도는 다음과 같이 계산될 수 있다.
여기에서, D는 노즐의 내측 직경(ID){두 노즐(640, 645)이 동일함}이고, hi는 게이지 스탠드오프이다. 적절히 치환하면, 다음과 같아진다.
10개의 수학식(4-8, 13, 15, 18)의 시스템은 흐름 속도 Qi에 대하여 선형이다. 층류 흐름을 가정하는 것의 타당성은 전체 시스템의 각각의 섹션에 대하여 레이놀즈 수를 계산함으로써 확인되었다. 소정의 입력 파라미터의 집합에 대하여 상기의 수학식을 수치적으로 풀기 위하여, 매트랩 프로그램(Matlab program)이 사용될 수 있다.
1. 시뮬레이션 파라미터의 선택
게이지(100, 600)의 작업 시제품에 가스로서 공기를 매칭시키기 위하여, 모사를 위한 주요 파라미터가 선택되었다. 주요 파라미터는 이하에 요약된다.
공기의 성질:
밀도 ρ= 1.2003 [㎏/㎥]
동점성(dynamikc viscosity) μ= 1.8189 E-05 [㎏/(ms)]
운동속쓸림(kinematic viscosity) ν= 1.5157 E-05 [㎡/s]
다공성 재료의 성질:
다공성 전도도 Θ= 4327 E02 [㎏/(s㎥)]
유량계 응답(선형):
교정 상수 a = 1144 E04 [1/(ms)]
에어 게이지 기하 파라미터:
레그 # 1 2 3 4 5
직경 [㎜] 3.37 3.37 - 3.37 3.37
길이 [㎜] 38.1 101.6 - 70.9 32.4
다공성 삽입 길이 [㎜] 7.0 7.0 - - -
2. 결과
시뮬레이션의 결과는, 질량 흐름 속도와 게이지 노즐 스탠드오프의 함수로서의 감도 도면(도 7)과, 노즐 ID와 다공성 제한기의 길이의 함수로서의 감도 도면(도 8)으로 나타나 있다.
특히, 도 7은 1.14㎜의 내측 직경(ID)을 갖는 노즐 및 7㎜ 길이의 제한기를 구비하는 게이지에 대하여, 질량 흐름 속도 및 게이지 노즐 스탠드오프의 함수로서 감도 도면을 나타낸 것이다. 도면을 생성하기 위하여, 40 내지 140㎜ 범위의 게이지 스탠드오프, 및 100 내지 500 sccm의 흐름 속도가 사용되었다. 도면에는, 게이지 스탠드오프가 작아질수록, 기준 스탠드오프와 측정 스탠드오프 간의 차이의 변화를 검출하는 게이지의 감도가 증가하는 것으로 나타나 있다. 도면에는, 흐름 속도가 높을수록, 게이지 스탠드오프의 감소에 따른 감도 증가의 비율이 더욱 현저해지는 것으로 나타나 있다. 마찬가지로, 일정한 게이지 스탠드오프에 대하여, 게이지를 통한 가스의 흐름 속도가 증가할수록 감도도 증가한다.
도 8은 측정 스탠드오프가 100㎜이고 흐름 속도가 200 sccm인 경우에서 노즐 ID와 제한기 길이의 함수로서 감도 도면을 나타내고 있다. 도면을 생성하기 위하여, 0.5 내지 2.5㎜ 범위의 ID를 갖는 노즐과, 5 내지 15㎜ 범위의 길이를 갖는 제한기가 사용되었다. 도면에는, 노즐 ID가 작아질수록, 기준 스탠드오프와 측정 스탠드오프 간의 차이의 변화를 검출하는 게이지의 감도는 증가하는 것으로 나타나 있다. 또한, 도면에는, 노즐 ID의 감소에 따른 감도 증가의 비율은 상이한 제한기 길이에 걸쳐서 비교적 일정하게 유지되는 것으로 나타나 있다. 마지막으로, 도면에는, 게이지 감도는 제한기의 길이에 대하여 비교적 낮은 의존도를 나타내고 있다.
도 7 및 도 8로부터 알 수 있는 바와 같이, 흐름 속도 및 스탠드오프에 대한감도 의존도는 상대적으로 중요하다. 이것은 흐름 속도에 따라 (선형적으로) 증가하고, 스탠드오프에 따라 선형 속도보다 빠른 속도로 감소한다. 2개의 다른 파라미터(노즐 ID 및 제한기 길이)의 가변성의 실제 한계 내에서, 이러한 파라미터에 대한 감도 의존도는 상당히 약하다. 이것은 노즐의 ID에 따라 감소하고, 제한기 길이에 따라 증가한다. 데이터에 따르면, 흐름 속도를 증가시키는 것이 공기역학적 잡음의 증가를 야기하지 않는 한, 게이지 감도를 향상시키기 위하여 흐름 속도를 증가시킬 수 있다. 난류로의 변환은, 사용될 수 있는 최대 흐름 속도에 대한 실질적인 제한이 될 수 있다.
D. 결론
상기에서는 본 발명의 다양한 실시예가 설명되었지만, 이것은 단지 예시로서 제공된 것일 뿐 한정을 위한 것이 아님을 알아야 한다. 관련 기술 분야의 숙련된 기술자라면, 본 발명의 취지 및 범위를 벗어나지 않고서 형태 및 세부 사항에 대한 다양한 변화가 이루어질 수 있음을 알 것이다.
본 발명은 지정된 기능 및 그들간의 관계의 실행을 나타내는 방법 단계를 이용하여 설명되었다. 이러한 방법 단계의 경계는 설명의 편의를 위해 임의적으로 정의된 것이다. 지정된 기능 및 그들간의 관계가 적절하게 실행될 수 있는 한, 다른 경계도 정의될 수 있다. 따라서, 이러한 임의의 다른 경계는 청구된 발명의 범위 및 취지 내에 포함된다. 따라서, 본 발명의 범위는 상기의 예시적인 실시예 중 어느 것에 의해서도 제한되어서는 안 되며, 이하의 특허청구범위 및 그 등가물에 따라서만 정의되어야 한다.
본 발명에 따르면, 정밀도를 상당히 개선한 고해상도 가스 게이지 근접 센서가 제공된다.

Claims (39)

  1. 기준면 스탠드오프(standoff)와 측정면 스탠드오프 간의 차이를 감지하는 가스 게이지 근접 센서에 있어서,
    상기 가스 게이지 근접 센서로의 가스 입력을 기준 채널과 측정 채널로 분할하는 접합점;
    상기 기준 채널을 따라 배치되고, 상기 기준 채널을 통한 가스 흐름을 균일하게 제한하는 제1 다공성 흐름 제한기(porous flow restrictor);
    상기 측정 채널을 따라 배치되고, 상기 측정 채널을 통한 가스 흐름을 균일하게 제한하는 제2 다공성 흐름 제한기;
    상기 기준 채널의 말단에 배치된 기준 탐침(probe) - 가스는 상기 기준 탐침을 통해 상기 기준 채널을 빠져나가며, 기준 스탠드오프를 가로질러 이동하여 기준면 상에 충돌함 -;
    상기 측정 채널의 말단에 배치된 측정 탐침 - 가스는 상기 측정 탐침을 통해 상기 측정 채널을 빠져나가며, 측정 스탠드오프를 가로질러 이동하여 측정면 상에 충돌함 -; 및
    상기 기준 채널과 상기 측정 채널 사이에 연결되어 그 사이에서의 가스 흐름의 질량을 감지하는 질량 흐름 센서(mass flow sensor) - 상기 기준면과 상기 측정면 간의 스탠드오프의 차이는 상기 질량 흐름 센서에 의해 고감도로 감지될 수 있음 -
    를 포함하는 센서.
  2. 제1항에 있어서,
    일정한 질량 흐름 속도의 가스를 출력하기 위하여 상기 접합점 전방에 배치된 질량 흐름 제어기를 더 포함하는 센서.
  3. 제2항에 있어서,
    가스 난류(gas turbulence)를 감소시키기 위하여 상기 질량 흐름 제어기 후방에 배치된 스너버(snubber)를 더 포함하는 센서.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 접합점 전방에 배치된 스너버를 더 포함하는 센서.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 상기 제2 다공성 흐름 제한기는 각각 제1 및 제2 다공성 재료로 이루어지고, 상기 제1 및 상기 제2 다공성 재료는 실질적으로 동일한 투과(permeability) 특성을 갖는 센서.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 다공성 재료와 상기 제2 다공성 재료는 동일하며폴리에틸렌(polyethylene)을 포함하는 센서.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1 다공성 재료와 상기 제2 다공성 재료는 동일하며 소결된(sintered) 스테인레스 스틸을 포함하는 센서.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 상기 제2 다공성 흐름 제한기는 각각 대략 2 내지 15㎜의 길이를 갖는 센서.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 기준 탐침 및 상기 측정 탐침은 각각 하나 이상의 가스 구멍(bore)을 갖는 센서.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 기준 탐침, 상기 측정 탐침 및 각각의 가스 구멍은 상기 기준면 및 상기 측정면에 수직한 방향을 따라 연장되는 센서.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 기준 탐침 및 상기 측정 탐침은 각각 대략 0.5 내지 2.5㎜의 내측 직경을 갖는 단일 가스 구멍을 포함하는 센서.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 기준 탐침 및 상기 측정 탐침은 각각 노즐을 포함하는 센서.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 기준 탐침 및 상기 측정 탐침은 각각 샤워 헤드 노즐(shower head nozzle)을 포함하는 센서.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 질량 흐름 센서에 의해 감지되는 가스 흐름의 질량은, 상기 측정 스탠드오프와 상기 기준 스탠드오프 간의 차이를 나노미터 범위로 나타내는 센서.
  15. 기준면 스탠드오프와 측정면 스탠드오프 간의 차이를 감지하는 가스 게이지 근접 센서에 있어서,
    상기 가스 게이지 근접 센서로의 가스 입력을 기준 채널과 측정 채널로 분할하는 접합점;
    상기 측정 채널 및 복수의 측정 분기(branch)에 연결되고, 가스가 한 번에 하나의 측정 분기를 흐르도록 허용하며, 상기 가스의 흐름을 하나의 측정 분기로부터 다른 측정 분기로 전환하는 데에 사용될 수 있는 제1 전환 소자(switchingdevice);
    상기 기준 채널을 따라 배치되고, 상기 기준 채널을 통한 가스 흐름을 균일하게 제한하는 제1 다공성 흐름 제한기;
    상기 복수의 측정 분기를 따라 배치되고, 각각의 측정 분기 다공성 흐름 제한기가 각 측정 분기를 통한 가스 흐름을 균일하게 제한하는 복수의 측정 분기 다공성 흐름 제한기;
    상기 기준 채널의 말단에 배치된 기준 탐침 - 가스는 상기 기준 탐침을 통해 상기 기준 채널을 빠져나가며, 기준 스탠드오프를 가로질러 이동하여 기준면 상에 충돌함 -;
    각 측정 탐침이 상기 측정 분기 각각의 말단에 배치된 복수의 측정 탐침 - 가스는 상기 측정 탐침을 통해 측정 분기를 빠져나가며, 측정 스탠드오프를 가로질러 이동하여 측정면 상에 충돌함 -;
    브리지 채널 및 복수의 측정 분기에 연결되고, 가스가 한 번에 하나의 측정 분기를 흐르도록 허용하며, 상기 가스의 흐름을 하나의 측정 분기로부터 다른 측정 분기로 전환하는 데에 사용될 수 있는 제2 전환 소자; 및
    상기 기준 채널과 상기 제2 전환 소자 사이에 연결되어 그 사이에서의 가스 흐름의 질량을 감지하는 질량 흐름 센서 - 상기 기준면과 측정면 사이의 스탠드오프의 차이는 상기 질량 흐름 센서에 의해 고감도로 감지될 수 있음 -
    를 포함하는 센서.
  16. 제15항에 있어서,
    일정한 질량 흐름 속도의 가스를 출력하기 위하여 상기 접합점 전방에 배치된 질량 흐름 제어기를 더 포함하는 센서.
  17. 제16항에 있어서,
    가스 난류를 감소시키기 위하여 상기 질량 흐름 제어기 후방에 배치된 스너버를 더 포함하는 센서.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 접합점 전방에 배치된 스너버를 더 포함하는 센서.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 제1 다공성 흐름 제한기 및 상기 각각의 측정 분기 다공성 흐름 제한기는 다공성 재료로 이루어지고, 상기 다공성 재료는 실질적으로 동일한 투과 특성을 갖는 센서.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제1 다공성 흐름 제한기 및 상기 각각의 측정 분기 다공성 흐름 제한기의 상기 다공성 재료는 동일하며 폴리에틸렌을 포함하는 센서.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 제1 다공성 흐름 제한기 및 상기 각각의 측정 분기 다공성 흐름 제한기의 상기 다공성 재료는 동일하며 소결된 스테인레스 스틸을 포함하는 센서.
  22. 제15항에 있어서,
    상기 기준 탐침 및 상기 복수의 측정 탐침 각각은 노즐을 포함하는 센서.
  23. 제15항에 있어서,
    상기 기준 탐침 및 상기 복수의 측정 탐침 각각은 샤워 헤드 노즐을 포함하는 센서.
  24. 제15항에 있어서,
    상기 질량 흐름 센서에 의해 감지되는 상기 가스 흐름의 질량은, 상기 측정 스탠드오프와 기준 스탠드오프 간의 차이를 나노미터 범위로 나타내는 센서.
  25. 가스 게이지 근접 센서용 브리지에 있어서,
    가스 흐름을 수용하고, 상기 가스 흐름을 기준 채널과 측정 채널로 분할하는 접합점;
    상기 기준 채널을 따라 배치되고, 상기 기준 채널을 통한 가스 흐름을 균일하게 제한하는 제1 다공성 흐름 제한기; 및
    상기 측정 채널을 따라 배치되고, 상기 측정 채널을 통한 가스 흐름을 균일하게 제한하는 제2 다공성 흐름 제한기
    를 포함하는 브리지.
  26. 기준 스탠드오프와 측정 스탠드오프 간의 차이를 감지하는 방법에 있어서,
    (a) 가스의 흐름을 측정 채널과 기준 채널로 분배하는 단계;
    (b) 상기 가스의 흐름을 상기 측정 채널 및 상기 기준 채널 모두의 단면적에 걸쳐서 실질적으로 균일하게 제한하는 단계;
    (c) 상기 기준 채널 및 상기 측정 채널로부터 가스를 출력하여, 기준면과 측정면 상에 각각 충돌시키는 단계; 및
    (d) 상기 기준 채널과 상기 측정 채널을 연결하는 브리지 채널을 통한 질량 흐름 속도를 감지하는 단계 - 상기 질량 흐름 속도는 측정 스탠드오프와 기준 스탠드오프 간의 차이의 크기를 나타냄 -
    를 포함하는 방법.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 단계 (d)는 상기 기준 채널과 상기 측정 채널을 연결하는 브리지 채널을 통한 상기 질량 흐름 속도를 모니터링하는 단계를 포함하고, 상기 질량 흐름 속도는 상기 측정 스탠드오프와 기준 스탠드오프 간의 차이의 크기를 나타내는 방법.
  28. 제26항에 있어서,
    상기 단계 (d)는 상기 기준 채널과 상기 측정 채널에서의 가스 압력 차이를 모니터링하는 단계를 포함하고, 상기 가스 압력 차이는 상기 측정 스탠드오프와 상기 기준 스탠드오프 간의 차이의 크기를 나타내는 방법.
  29. 제26항에 있어서,
    상기 감지 단계에 응답하여 제어 동작을 수행하는 단계를 더 포함하는 방법.
  30. 제27항에 있어서,
    상기 감지 단계에 응답하여 제어 동작을 수행하는 단계를 더 포함하는 방법.
  31. 제28항에 있어서,
    상기 감지 단계에 응답하여 제어 동작을 수행하는 단계를 더 포함하는 방법.
  32. 기준 스탠드오프와 측정 스탠드오프 간의 차이를 감지하는 방법에 있어서,
    (a) 가스의 흐름을 측정 채널과 기준 채널 간에 분배하는 단계;
    (b) 복수의 측정 분기 간에서 상기 가스의 흐름을 전환하는 단계 - 상기 가스의 흐름은 한 번에 하나의 측정 분기를 통해 흐름 -;
    (c) 상기 가스의 흐름을 상기 측정 분기 및 상기 기준 채널의 단면적에 걸쳐서 실질적으로 균일하게 제한하는 단계;
    (d) 상기 기준 채널 및 측정 분기로부터 가스를 출력하여, 기준면과 측정면 상에 각각 충돌시키는 단계; 및
    (e) 상기 기준 채널과 상기 측정 채널을 연결하는 브리지 채널을 통한 질량 흐름 속도를 감지하는 단계 - 상기 질량 흐름 속도는 측정 스탠드오프와 기준 스탠드오프 간의 차이의 크기를 나타냄 -
    를 포함하는 방법.
  33. 제32항에 있어서,
    상기 단계 (e)는 상기 기준 채널과 측정 분기를 연결하는 브리지 채널을 통한 상기 질량 흐름 속도를 모니터링하는 단계를 포함하고, 상기 질량 흐름 속도는 상기 측정 스탠드오프와 기준 스탠드오프 간의 차이의 크기를 나타내는 방법.
  34. 제32항에 있어서,
    상기 단계 (e)는 상기 기준 채널과 측정 분기에서의 가스 압력 차이를 모니터링하는 단계를 포함하고, 상기 가스 압력 차이는 상기 측정 스탠드오프와 상기 기준 스탠드오프 간의 차이의 크기를 나타내는 방법.
  35. 제32항에 있어서,
    상기 감지 단계에 응답하여 제어 동작을 수행하는 단계를 더 포함하는 방법.
  36. 제33항에 있어서,
    상기 감지 단계에 응답하여 제어 동작을 수행하는 단계를 더 포함하는 방법.
  37. 제34항에 있어서,
    상기 감지 단계에 응답하여 제어 동작을 수행하는 단계를 더 포함하는 방법.
  38. 측정면의 지형(topography)을 맵핑하는 방법에 있어서,
    (a) 복수의 측정 분기를 갖는 가스 게이지 근접 센서에 가스의 흐름을 주입하는 단계;
    (b) 측정 분기를 사용하여, 상기 측정면의 영역의 지형을 맵핑하는 단계;
    (c) 상기 측정면의 영역의 맵핑이 완료된 때, 상기 가스의 흐름을 하나의 측정 분기로부터 다른 측정 분기로 전환하는 단계; 및
    (d) 지형 맵핑이 요구되는 측정면의 모든 영역이 맵핑될 때까지 상기 단계 (a) 내지 (c)를 반복하는 단계
    를 포함하는 방법.
  39. 제38항에 있어서,
    상기 측정면은 반도체 웨이퍼인 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100805581B1 (ko) * 2006-08-14 2008-02-20 삼성에스디아이 주식회사 켄트리버 속도 센서를 구비한 연료전지 시스템

Families Citing this family (145)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7372541B2 (en) * 2002-11-12 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3953460B2 (ja) 2002-11-12 2007-08-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ投影装置
CN100470367C (zh) 2002-11-12 2009-03-18 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
JP4352874B2 (ja) * 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR101085372B1 (ko) * 2002-12-10 2011-11-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
CN101872135B (zh) * 2002-12-10 2013-07-31 株式会社尼康 曝光设备和器件制造法
WO2004053956A1 (ja) * 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
KR20120127755A (ko) * 2002-12-10 2012-11-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
US7948604B2 (en) * 2002-12-10 2011-05-24 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US7242455B2 (en) * 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
EP1431710A3 (en) * 2002-12-19 2004-09-15 ASML Holding N.V. Liquid flow proximity sensor for use in immersion lithography
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
EP2945016B1 (en) * 2003-02-26 2017-09-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
WO2004086470A1 (ja) 2003-03-25 2004-10-07 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
ATE426914T1 (de) * 2003-04-07 2009-04-15 Nikon Corp Belichtungsgerat und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
JP4488004B2 (ja) * 2003-04-09 2010-06-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ流体制御システム
EP2921905B1 (en) * 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
KR20140139139A (ko) 2003-04-10 2014-12-04 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
WO2004090633A2 (en) * 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
CN105700301B (zh) * 2003-04-10 2018-05-25 株式会社尼康 包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境系统
JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
CN101002140B (zh) 2003-04-11 2010-12-08 株式会社尼康 保持平板印刷投射透镜下面的浸没流体的设备和方法
EP1614001B1 (en) * 2003-04-11 2009-11-25 Nikon Corporation Cleanup method for optics in immersion lithography
ATE542167T1 (de) * 2003-04-17 2012-02-15 Nikon Corp Lithographisches immersionsgerät
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100437358C (zh) * 2003-05-15 2008-11-26 株式会社尼康 曝光装置及器件制造方法
TWI421906B (zh) 2003-05-23 2014-01-01 尼康股份有限公司 An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method
TW201806001A (zh) * 2003-05-23 2018-02-16 尼康股份有限公司 曝光裝置及元件製造方法
KR20060009956A (ko) * 2003-05-28 2006-02-01 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317504B2 (en) * 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261742A3 (en) 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method.
EP2738792B1 (en) * 2003-06-13 2015-08-05 Nikon Corporation Exposure method, substrate stage, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101419663B1 (ko) 2003-06-19 2014-07-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US6867844B2 (en) * 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
US6809794B1 (en) * 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
EP1491956B1 (en) 2003-06-27 2006-09-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1639391A4 (en) * 2003-07-01 2009-04-29 Nikon Corp USE OF FLUIDS SPECIFIED ISOTOPICALLY AS OPTICAL ELEMENTS
JP4697138B2 (ja) * 2003-07-08 2011-06-08 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ方法、デバイス製造方法
JP4844123B2 (ja) * 2003-07-09 2011-12-28 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイス製造方法
KR101296501B1 (ko) * 2003-07-09 2013-08-13 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
WO2005006415A1 (ja) * 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
WO2005010960A1 (ja) 2003-07-25 2005-02-03 Nikon Corporation 投影光学系の検査方法および検査装置、ならびに投影光学系の製造方法
US7326522B2 (en) * 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7175968B2 (en) * 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
KR101785707B1 (ko) 2003-07-28 2017-11-06 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7370659B2 (en) * 2003-08-06 2008-05-13 Micron Technology, Inc. Photolithographic stepper and/or scanner machines including cleaning devices and methods of cleaning photolithographic stepper and/or scanner machines
US20050044963A1 (en) * 2003-08-25 2005-03-03 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
TWI263859B (en) * 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG145780A1 (en) * 2003-08-29 2008-09-29 Nikon Corp Exposure apparatus and device fabricating method
KR101238114B1 (ko) 2003-09-03 2013-02-27 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
JP4444920B2 (ja) * 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR101289918B1 (ko) 2003-09-29 2013-07-25 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
EP1672681B8 (en) 2003-10-08 2011-09-21 Miyagi Nikon Precision Co., Ltd. Exposure apparatus, substrate carrying method, exposure method, and method for producing device
EP1672682A4 (en) 2003-10-08 2008-10-15 Zao Nikon Co Ltd SUBSTRATE TRANSPORT DEVICE AND METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
JP2005136364A (ja) * 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
TW200514138A (en) 2003-10-09 2005-04-16 Nippon Kogaku Kk Exposure equipment and exposure method, manufacture method of component
US7352433B2 (en) 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411653B2 (en) * 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7528929B2 (en) 2003-11-14 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW201804262A (zh) * 2003-12-03 2018-02-01 尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法、元件製造方法
KR101547037B1 (ko) 2003-12-15 2015-08-24 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
KR101111363B1 (ko) * 2003-12-15 2012-04-12 가부시키가이샤 니콘 투영노광장치 및 스테이지 장치, 그리고 노광방법
US20070081133A1 (en) * 2004-12-14 2007-04-12 Niikon Corporation Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4843503B2 (ja) * 2004-01-20 2011-12-21 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置
US7589822B2 (en) * 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2005076321A1 (ja) * 2004-02-03 2005-08-18 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR101441777B1 (ko) * 2004-03-25 2014-09-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7272976B2 (en) * 2004-03-30 2007-09-25 Asml Holdings N.V. Pressure sensor
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1747499A2 (en) * 2004-05-04 2007-01-31 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7021121B2 (en) * 2004-05-27 2006-04-04 Asml Holding N.V. Gas gauge proximity sensor with a modulated gas flow
US7796274B2 (en) 2004-06-04 2010-09-14 Carl Zeiss Smt Ag System for measuring the image quality of an optical imaging system
CN108490741A (zh) * 2004-06-09 2018-09-04 株式会社尼康 曝光装置及元件制造方法
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8384874B2 (en) 2004-07-12 2013-02-26 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method to detect if liquid on base member
US7134321B2 (en) 2004-07-20 2006-11-14 Asml Holding N.V. Fluid gauge proximity sensor and method of operating same using a modulated fluid flow
JP4983257B2 (ja) * 2004-08-18 2012-07-25 株式会社ニコン 露光装置、デバイス製造方法、計測部材、及び計測方法
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060044533A1 (en) * 2004-08-27 2006-03-02 Asmlholding N.V. System and method for reducing disturbances caused by movement in an immersion lithography system
US7128427B2 (en) * 2004-11-05 2006-10-31 Sematech, Inc. Method and apparatus for fluid handling in immersion lithography
US7017390B1 (en) * 2004-12-07 2006-03-28 Asml Holding N.V. Proximity sensor nozzle shroud with flow curtain
US7397533B2 (en) * 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20070100864A (ko) * 2004-12-07 2007-10-12 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG124351A1 (en) 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG124359A1 (en) 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101942138B1 (ko) * 2005-01-31 2019-01-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8692973B2 (en) * 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US7282701B2 (en) 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060232753A1 (en) * 2005-04-19 2006-10-19 Asml Holding N.V. Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow
US7286205B2 (en) * 2005-04-25 2007-10-23 Infineon Technologies Ag Closing disk for immersion head
US20060250588A1 (en) * 2005-05-03 2006-11-09 Stefan Brandl Immersion exposure tool cleaning system and method
US7583358B2 (en) * 2005-07-25 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Systems and methods for retrieving residual liquid during immersion lens photolithography
US7369214B2 (en) * 2005-08-11 2008-05-06 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a metrology system with sensors
US7456928B2 (en) * 2005-08-29 2008-11-25 Micron Technology, Inc. Systems and methods for controlling ambient pressure during processing of microfeature workpieces, including during immersion lithography
DE102005041111A1 (de) * 2005-08-30 2007-03-01 BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH Kapazitiver Annäherungsschalter und Haushaltsgerät mit einem solchen
US20070058263A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and methods for immersion lithography
US7357768B2 (en) * 2005-09-22 2008-04-15 William Marshall Recliner exerciser
US7986395B2 (en) * 2005-10-24 2011-07-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography apparatus and methods
US7773195B2 (en) * 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
US20070124987A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-07 Brown Jeffrey K Electronic pest control apparatus
KR100768849B1 (ko) * 2005-12-06 2007-10-22 엘지전자 주식회사 계통 연계형 연료전지 시스템의 전원공급장치 및 방법
US20070151327A1 (en) * 2005-12-29 2007-07-05 Asml Holding N.V. Gas gauge proximity sensor with internal gas flow control
US7649611B2 (en) * 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070151328A1 (en) * 2005-12-30 2007-07-05 Asml Holding N.V. Vacuum driven proximity sensor
DE102006001740B4 (de) * 2006-01-13 2008-01-17 Festo Ag & Co. Abstands-Messeinrichtung
US8472004B2 (en) * 2006-01-18 2013-06-25 Micron Technology, Inc. Immersion photolithography scanner
CA2644591A1 (en) * 2006-03-03 2007-09-07 Philip Koshy Assessment of surface roughness of objects
DE102006021797A1 (de) * 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
KR101501426B1 (ko) * 2006-06-02 2015-03-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 차압 측정들에 의한 가스 유동 제어
US8564759B2 (en) * 2006-06-29 2013-10-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
US7443483B2 (en) * 2006-08-11 2008-10-28 Entegris, Inc. Systems and methods for fluid flow control in an immersion lithography system
US7853067B2 (en) * 2006-10-27 2010-12-14 Asml Holding N.V. Systems and methods for lithographic reticle inspection
US8654305B2 (en) * 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US8817226B2 (en) 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US8237911B2 (en) * 2007-03-15 2012-08-07 Nikon Corporation Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
US7578168B2 (en) * 2007-06-27 2009-08-25 Asml Holding N.V. Increasing gas gauge pressure sensitivity using nozzle-face surface roughness
TWI389551B (zh) * 2007-08-09 2013-03-11 Mstar Semiconductor Inc 迦瑪校正裝置
US7694549B2 (en) * 2007-10-23 2010-04-13 Michel Dechape Pneumatic gauging system A.K.A. air gauging system A.K.A. air electric converter
DE102008010337A1 (de) * 2008-02-14 2009-10-29 Basar Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Geometriemessung an einem Werkstück
KR101448152B1 (ko) * 2008-03-26 2014-10-07 삼성전자주식회사 수직 포토게이트를 구비한 거리측정 센서 및 그를 구비한입체 컬러 이미지 센서
JP4910179B2 (ja) * 2008-05-28 2012-04-04 Ｓｍｃ株式会社 フローセンサ
US9176393B2 (en) * 2008-05-28 2015-11-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus
NL2003266A1 (nl) * 2008-08-11 2010-02-15 Asml Holding Nv Multi nozzle proximity sensor employing common sensing and nozzle shaping.
JP2010098172A (ja) * 2008-10-17 2010-04-30 Canon Inc 液体回収装置、露光装置及びデバイス製造方法
NL2003385A (en) * 2008-10-23 2010-04-26 Asml Holding Nv Fluid assisted gas gauge proximity sensor.
NL2003389A (en) * 2008-11-04 2010-05-06 Asml Holding Nv Reverse flow gas gauge proximity sensor.
US9358696B2 (en) 2009-07-31 2016-06-07 Asml Holding N.V. Low and high pressure proximity sensors
CA2784148A1 (en) * 2009-12-28 2011-07-28 Pioneer Hi-Bred International, Inc. Sorghum fertility restorer genotypes and methods of marker-assisted selection
US8717542B2 (en) * 2009-12-30 2014-05-06 Nikon Corporation Fluid gauge with multiple reference gaps
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
WO2012174273A1 (en) * 2011-06-15 2012-12-20 Nikon Corporation Low-noise fluid gauges
WO2013063104A1 (en) 2011-10-25 2013-05-02 Nikon Corporation Air gauges comprising dual-range differential pressure sensor
US10466045B2 (en) * 2012-01-31 2019-11-05 Nikon Corporation Fluid gauges comprising multiple differential pressure sensors
CN103776399A (zh) * 2014-01-10 2014-05-07 西安交通大学 基于流体力学原理的三坐标测头系统及三坐标测量方法
NL2016877A (en) * 2015-06-18 2016-12-22 Asml Holding Nv An apparatus including a gas gauge and method of operating the same
CN113168120A (zh) * 2018-12-06 2021-07-23 Asml荷兰有限公司 流量限制件、流量限制组件和光刻设备

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2571557A (en) 1947-09-04 1951-10-16 Etavex S A Pneumatic size gauging device
US2986924A (en) * 1955-09-16 1961-06-06 Becker Wilhelm Fritz Kurt Device for location of surfaces
NL100698C (ko) * 1956-04-25
GB1094833A (en) * 1965-09-24 1967-12-13 Burchell James Gladwyn Improvements in or relating to gauges
US3433408A (en) * 1967-11-15 1969-03-18 Corning Glass Works Binary counter
US3792609A (en) * 1971-05-10 1974-02-19 Tylan Corp Flow splitter
GB1399397A (en) 1972-10-05 1975-07-02 Pye Ltd Fluid flow control arrangements
US4041584A (en) * 1976-09-29 1977-08-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Loading apparatus for crimper rolls
US4187715A (en) * 1978-07-07 1980-02-12 The Bendix Corporation Method and apparatus for dimensional gaging with fluid pressure
US4179919A (en) * 1978-09-18 1979-12-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Terrain contour tracking system
JPS57191507A (en) * 1981-05-22 1982-11-25 Hitachi Ltd Distance measuring device
US4583917A (en) * 1983-06-17 1986-04-22 Shah Nayan S Pressure regulating and monitoring device
US4550592A (en) * 1984-05-07 1985-11-05 Dechape Michel L Pneumatic gauging circuit
SU1225634A2 (ru) * 1984-11-19 1986-04-23 Киевский Институт Автоматики Им.25 Съезда Кпсс Бесконтактный датчик неплоскостности полосы
US5181532A (en) 1988-09-16 1993-01-26 Lage Brodefors Flow control
US4971517A (en) * 1988-12-27 1990-11-20 Allied-Signal Inc. Turbine blade clearance controller
US4953388A (en) * 1989-01-25 1990-09-04 The Perkin-Elmer Corporation Air gauge sensor
US5184503A (en) * 1991-05-21 1993-02-09 Northern Telecom Limited Device for measuring change in profile height of articles
CA2078727A1 (en) * 1992-09-21 1994-03-22 Karoly G. Nemeth Method and apparatus for detecting thickness variations in sheet material
DE4344264C2 (de) * 1992-12-28 1995-12-21 Smc Kk Positionsdetektor
US6244121B1 (en) * 1998-03-06 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Sensor device for non-intrusive diagnosis of a semiconductor processing system
US6152162A (en) * 1998-10-08 2000-11-28 Mott Metallurgical Corporation Fluid flow controlling

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100805581B1 (ko) * 2006-08-14 2008-02-20 삼성에스디아이 주식회사 켄트리버 속도 센서를 구비한 연료전지 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
TW200502527A (en) 2005-01-16
CN1510394A (zh) 2004-07-07
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JP2004198429A (ja) 2004-07-15
CN100427881C (zh) 2008-10-22
US7021119B2 (en) 2006-04-04
TWI292032B (en) 2008-01-01
US20040118183A1 (en) 2004-06-24
US20040118184A1 (en) 2004-06-24

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