KR100754043B1 - 고해상도 가스 게이지 근접 센서 - Google Patents
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Abstract
Description
레그 # | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 |
직경 [㎜] | 3.37 | 3.37 | - | 3.37 | 3.37 |
길이 [㎜] | 38.1 | 101.6 | - | 70.9 | 32.4 |
다공성 삽입 길이 [㎜] | 7.0 | 7.0 | - | - | - |
Claims (39)
- 기준면 스탠드오프(standoff)와 측정면 스탠드오프 간의 차이를 감지하는 가스 게이지 근접 센서에 있어서,상기 가스 게이지 근접 센서로의 가스 입력을 기준 채널과 측정 채널로 분할하는 접합점;상기 기준 채널을 따라 배치되고, 상기 기준 채널을 통한 가스 흐름을 균일하게 제한하는 제1 제한기(restrictor);상기 측정 채널을 따라 배치되고, 상기 측정 채널을 통한 가스 흐름을 균일하게 제한하는 제2 제한기;상기 기준 채널의 말단에 배치된 기준 탐침(probe) - 가스는 상기 기준 탐침을 통해 상기 기준 채널을 빠져나가며, 기준 스탠드오프를 가로질러 이동하여 기준면 상에 충돌함 -;상기 측정 채널의 말단에 배치된 측정 탐침 - 가스는 상기 측정 탐침을 통해 상기 측정 채널을 빠져나가며, 측정 스탠드오프를 가로질러 이동하여 측정면 상에 충돌함 -; 및상기 기준 채널과 상기 측정 채널 사이에 연결되어 그 사이에서의 가스 흐름의 질량을 감지하는 질량 흐름 센서(mass flow sensor) - 상기 기준면과 상기 측정면 간의 스탠드오프의 차이는 상기 질량 흐름 센서에 의해 고감도로 감지될 수 있음 -를 포함하는 센서.
- 제1항에 있어서,일정한 질량 흐름 속도의 가스를 출력하기 위하여 상기 접합점 전방에 배치된 질량 흐름 제어기를 더 포함하는 센서.
- 제2항에 있어서,가스 난류(gas turbulence)를 감소시키기 위하여 상기 질량 흐름 제어기 후방에 배치된 스너버(snubber)를 더 포함하는 센서.
- 제1항에 있어서,상기 접합점 전방에 배치된 스너버를 더 포함하는 센서.
- 제1항에 있어서,상기 제1 및 상기 제2 제한기는 각각 제1 및 제2 다공성 재료로 이루어지고, 상기 제1 및 상기 제2 다공성 재료는 실질적으로 동일한 투과(permeability) 특성을 갖는 센서.
- 제5항에 있어서,상기 제1 다공성 재료와 상기 제2 다공성 재료는 동일하며 폴리에틸렌(polyethylene)을 포함하는 센서.
- 제5항에 있어서,상기 제1 다공성 재료와 상기 제2 다공성 재료는 동일하며 소결된(sintered) 스테인레스 스틸을 포함하는 센서.
- 제1항에 있어서,상기 제1 및 상기 제2 제한기는 각각 대략 2 내지 15㎜의 길이를 갖는 센서.
- 제1항에 있어서,상기 기준 탐침 및 상기 측정 탐침은 각각 하나 이상의 가스 구멍(bore)을 갖는 센서.
- 제9항에 있어서,상기 기준 탐침, 상기 측정 탐침 및 각각의 가스 구멍은 상기 기준면 및 상기 측정면에 수직한 방향을 따라 연장되는 센서.
- 제1항에 있어서,상기 기준 탐침 및 상기 측정 탐침은 각각 대략 0.5 내지 2.5㎜의 내측 직경 을 갖는 단일 가스 구멍을 포함하는 센서.
- 제1항에 있어서,상기 기준 탐침 및 상기 측정 탐침은 각각 노즐을 포함하는 센서.
- 제1항에 있어서,상기 기준 탐침 및 상기 측정 탐침은 각각 샤워 헤드 노즐(shower head nozzle)을 포함하는 센서.
- 제1항에 있어서,상기 질량 흐름 센서에 의해 감지되는 가스 흐름의 질량은, 상기 측정 스탠드오프와 상기 기준 스탠드오프 간의 차이를 나노미터 범위로 나타내는 센서.
- 기준면 스탠드오프와 측정면 스탠드오프 간의 차이를 감지하는 가스 게이지 근접 센서에 있어서,상기 가스 게이지 근접 센서로의 가스 입력을 기준 채널과 측정 채널로 분할하는 접합점;상기 측정 채널 및 복수의 측정 분기(branch)에 연결되고, 가스가 한 번에 하나의 측정 분기를 흐르도록 허용하며, 상기 가스의 흐름을 하나의 측정 분기로부터 다른 측정 분기로 전환하는 데에 사용될 수 있는 제1 전환 소자(switching device);상기 기준 채널을 따라 배치되고, 상기 기준 채널을 통한 가스 흐름을 균일하게 제한하는 제1 제한기;상기 복수의 측정 분기를 따라 배치되고, 각각의 측정 분기 제한기가 각 측정 분기를 통한 가스 흐름을 균일하게 제한하는 복수의 측정 분기 제한기;상기 기준 채널의 말단에 배치된 기준 탐침 - 가스는 상기 기준 탐침을 통해 상기 기준 채널을 빠져나가며, 기준 스탠드오프를 가로질러 이동하여 기준면 상에 충돌함 -;각 측정 탐침이 상기 측정 분기 각각의 말단에 배치된 복수의 측정 탐침 - 가스는 상기 측정 탐침을 통해 측정 분기를 빠져나가며, 측정 스탠드오프를 가로질러 이동하여 측정면 상에 충돌함 -;브리지 채널 및 복수의 측정 분기에 연결되고, 가스가 한 번에 하나의 측정 분기를 흐르도록 허용하며, 상기 가스의 흐름을 하나의 측정 분기로부터 다른 측정 분기로 전환하는 데에 사용될 수 있는 제2 전환 소자; 및상기 기준 채널과 상기 제2 전환 소자 사이에 연결되어 그 사이에서의 가스 흐름의 질량을 감지하는 질량 흐름 센서 - 상기 기준면과 측정면 사이의 스탠드오프의 차이는 상기 질량 흐름 센서에 의해 고감도로 감지될 수 있음 -를 포함하는 센서.
- 제15항에 있어서,일정한 질량 흐름 속도의 가스를 출력하기 위하여 상기 접합점 전방에 배치된 질량 흐름 제어기를 더 포함하는 센서.
- 제16항에 있어서,가스 난류를 감소시키기 위하여 상기 질량 흐름 제어기 후방에 배치된 스너버를 더 포함하는 센서.
- 제15항에 있어서,상기 접합점 전방에 배치된 스너버를 더 포함하는 센서.
- 제15항에 있어서,상기 제1 제한기 및 상기 각각의 측정 분기 제한기는 다공성 재료로 이루어지고, 상기 다공성 재료는 실질적으로 동일한 투과 특성을 갖는 센서.
- 제19항에 있어서,상기 제1 제한기 및 상기 각각의 측정 분기 제한기의 상기 다공성 재료는 동일하며 폴리에틸렌을 포함하는 센서.
- 제19항에 있어서,상기 제1 제한기 및 상기 각각의 측정 분기 제한기의 상기 다공성 재료는 동일하며 소결된 스테인레스 스틸을 포함하는 센서.
- 제15항에 있어서,상기 기준 탐침 및 상기 복수의 측정 탐침 각각은 노즐을 포함하는 센서.
- 제15항에 있어서,상기 기준 탐침 및 상기 복수의 측정 탐침 각각은 샤워 헤드 노즐을 포함하는 센서.
- 제15항에 있어서,상기 질량 흐름 센서에 의해 감지되는 상기 가스 흐름의 질량은, 상기 측정 스탠드오프와 기준 스탠드오프 간의 차이를 나노미터 범위로 나타내는 센서.
- 가스 게이지 근접 센서용 브리지에 있어서,가스 흐름을 수용하고, 상기 가스 흐름을 기준 채널과 측정 채널로 분할하는 접합점;상기 기준 채널을 따라 배치되고, 상기 기준 채널을 통한 가스 흐름을 균일하게 제한하는 제1 제한기; 및상기 측정 채널을 따라 배치되고, 상기 측정 채널을 통한 가스 흐름을 균일하게 제한하는 제2 제한기를 포함하는 브리지.
- 리소그래피에서, 기준 스탠드오프와 측정 스탠드오프 간의 차이를 감지하는 방법으로서,(a) 가스의 흐름을 측정 채널과 기준 채널로 분배하는 단계;(b) 다공성 제한기들을 통해 상기 가스의 흐름을 상기 측정 채널 및 상기 기준 채널 모두의 단면적에 걸쳐서 실질적으로 균일하게 강제하는 단계;(c) 상기 기준 채널 및 상기 측정 채널로부터 가스를 출력하여, 리소그래피 기준면과 리소그래피 측정면 상에 각각 충돌시키는 단계; 및(d) 상기 기준 채널과 상기 측정 채널을 연결하는 브리지 채널을 통한 질량 흐름 속도를 감지하는 단계 - 상기 질량 흐름 속도는 측정 스탠드오프와 기준 스탠드오프 간의 차이의 크기를 나타냄 -를 포함하는 방법.
- 제26항에 있어서,상기 단계 (d)는 상기 기준 채널과 상기 측정 채널을 연결하는 브리지 채널을 통한 상기 질량 흐름 속도를 모니터링하는 단계를 포함하고, 상기 질량 흐름 속도는 상기 측정 스탠드오프와 기준 스탠드오프 간의 차이의 크기를 나타내는 방법.
- 제26항에 있어서,상기 단계 (d)는 상기 기준 채널과 상기 측정 채널에서의 가스 압력 차이를 모니터링하는 단계를 포함하고, 상기 가스 압력 차이는 상기 측정 스탠드오프와 상기 기준 스탠드오프 간의 차이의 크기를 나타내는 방법.
- 제26항에 있어서,상기 감지 단계에 응답하여 제어 동작을 수행하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 제27항에 있어서,상기 감지 단계에 응답하여 제어 동작을 수행하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 제28항에 있어서,상기 감지 단계에 응답하여 제어 동작을 수행하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 기준 스탠드오프와 측정 스탠드오프 간의 차이를 감지하는 방법에 있어서,(a) 가스의 흐름을 측정 채널과 기준 채널 간에 분배하는 단계;(b) 복수의 측정 분기 간에서 상기 가스의 흐름을 전환하는 단계 - 상기 가스의 흐름은 한 번에 하나의 측정 분기를 통해 흐름 -;(c) 상기 가스의 흐름을 상기 측정 분기 및 상기 기준 채널의 단면적에 걸쳐서 실질적으로 균일하게 제한하는 단계;(d) 상기 기준 채널 및 측정 분기로부터 가스를 출력하여, 기준면과 측정면 상에 각각 충돌시키는 단계; 및(e) 상기 기준 채널과 상기 측정 채널을 연결하는 브리지 채널을 통한 질량 흐름 속도를 감지하는 단계 - 상기 질량 흐름 속도는 측정 스탠드오프와 기준 스탠드오프 간의 차이의 크기를 나타냄 -를 포함하는 방법.
- 제32항에 있어서,상기 단계 (e)는 상기 기준 채널과 측정 분기를 연결하는 브리지 채널을 통한 상기 질량 흐름 속도를 모니터링하는 단계를 포함하고, 상기 질량 흐름 속도는 상기 측정 스탠드오프와 기준 스탠드오프 간의 차이의 크기를 나타내는 방법.
- 제32항에 있어서,상기 단계 (e)는 상기 기준 채널과 측정 분기에서의 가스 압력 차이를 모니터링하는 단계를 포함하고, 상기 가스 압력 차이는 상기 측정 스탠드오프와 상기 기준 스탠드오프 간의 차이의 크기를 나타내는 방법.
- 제32항에 있어서,상기 감지 단계에 응답하여 제어 동작을 수행하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 제33항에 있어서,상기 감지 단계에 응답하여 제어 동작을 수행하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 제34항에 있어서,상기 감지 단계에 응답하여 제어 동작을 수행하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 측정면의 지형(topography)을 맵핑하는 방법에 있어서,(a) 복수의 측정 분기 및 적어도 하나의 기준 분기를 갖는 가스 게이지 근접 센서에 가스의 흐름을 주입하는 단계;(b) 상기 측정 분기 및 상기 기준 분기의 상대적인 위치에 기초하여, 측정 분기를 이용하여 상기 측정면의 영역의 지형을 맵핑하는 단계;(c) 상기 측정면의 영역의 맵핑이 완료된 때, 상기 가스의 흐름을 하나의 측정 분기로부터 다른 측정 분기로 전환하는 단계; 및(d) 지형 맵핑이 요구되는 측정면의 모든 영역이 맵핑될 때까지 상기 단계 (a) 내지 (c)를 반복하는 단계를 포함하는 방법.
- 제38항에 있어서,상기 측정면은 반도체 웨이퍼인 방법.
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Families Citing this family (147)
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US7372541B2 (en) * | 2002-11-12 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI232357B (en) | 2002-11-12 | 2005-05-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP3953460B2 (ja) * | 2002-11-12 | 2007-08-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ投影装置 |
EP1571698A4 (en) * | 2002-12-10 | 2006-06-21 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
KR20110086130A (ko) * | 2002-12-10 | 2011-07-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
SG158745A1 (en) * | 2002-12-10 | 2010-02-26 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
US7948604B2 (en) * | 2002-12-10 | 2011-05-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
SG171468A1 (en) * | 2002-12-10 | 2011-06-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
US7242455B2 (en) * | 2002-12-10 | 2007-07-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
JP4352874B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
SG107157A1 (en) * | 2002-12-19 | 2004-11-29 | Asml Holding Nv | Liquid flow proximity sensor for use in immersion lithography |
DE10261775A1 (de) * | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems |
KR101288767B1 (ko) | 2003-02-26 | 2013-07-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
KR101345474B1 (ko) | 2003-03-25 | 2013-12-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
DE602004020200D1 (de) | 2003-04-07 | 2009-05-07 | Nippon Kogaku Kk | Belichtungsgerät und verfahren zur herstellung einer vorrichtung |
WO2004093159A2 (en) * | 2003-04-09 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Immersion lithography fluid control system |
KR101409565B1 (ko) | 2003-04-10 | 2014-06-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 |
WO2004090633A2 (en) * | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus |
SG2014015176A (en) * | 2003-04-10 | 2015-06-29 | Nippon Kogaku Kk | Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus |
WO2004093160A2 (en) * | 2003-04-10 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
KR20180054929A (ko) * | 2003-04-11 | 2018-05-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
JP4582089B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
SG10201803122UA (en) | 2003-04-11 | 2018-06-28 | Nikon Corp | Immersion lithography apparatus and device manufacturing method |
SG194246A1 (en) | 2003-04-17 | 2013-11-29 | Nikon Corp | Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography |
TWI295414B (en) * | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN100437358C (zh) * | 2003-05-15 | 2008-11-26 | 株式会社尼康 | 曝光装置及器件制造方法 |
TWI421911B (zh) | 2003-05-23 | 2014-01-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method |
TWI518742B (zh) * | 2003-05-23 | 2016-01-21 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
EP1628330A4 (en) * | 2003-05-28 | 2009-09-16 | Nikon Corp | EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7317504B2 (en) * | 2004-04-08 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2261741A3 (en) | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI409853B (zh) * | 2003-06-13 | 2013-09-21 | 尼康股份有限公司 | An exposure method, a substrate stage, an exposure apparatus, and an element manufacturing method |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
EP2275869B1 (en) | 2003-06-19 | 2014-01-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US6809794B1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
EP1491956B1 (en) | 2003-06-27 | 2006-09-06 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR20060027832A (ko) * | 2003-07-01 | 2006-03-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 광학 엘리먼트로서 동위원소적으로 특정된 유체를 사용하는방법 |
EP2466383B1 (en) * | 2003-07-08 | 2014-11-19 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
WO2005006418A1 (ja) * | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
CN102944981A (zh) * | 2003-07-09 | 2013-02-27 | 株式会社尼康 | 曝光装置、器件制造方法 |
EP1646075B1 (en) * | 2003-07-09 | 2011-06-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
JP4524669B2 (ja) * | 2003-07-25 | 2010-08-18 | 株式会社ニコン | 投影光学系の検査方法および検査装置 |
EP1503244A1 (en) * | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
US7175968B2 (en) * | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
US7326522B2 (en) * | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
EP1653501B1 (en) * | 2003-07-28 | 2012-09-19 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, device producing method, and exposure apparatus controlling method |
US7779781B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7370659B2 (en) * | 2003-08-06 | 2008-05-13 | Micron Technology, Inc. | Photolithographic stepper and/or scanner machines including cleaning devices and methods of cleaning photolithographic stepper and/or scanner machines |
US20050044963A1 (en) * | 2003-08-25 | 2005-03-03 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG145780A1 (en) * | 2003-08-29 | 2008-09-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and device fabricating method |
KR101523180B1 (ko) * | 2003-09-03 | 2015-05-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법 |
WO2005029559A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP2837969B1 (en) | 2003-09-29 | 2016-04-20 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
JP2005136364A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-05-26 | Zao Nikon Co Ltd | 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2005036623A1 (ja) | 2003-10-08 | 2005-04-21 | Zao Nikon Co., Ltd. | 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
WO2005036621A1 (ja) | 2003-10-08 | 2005-04-21 | Zao Nikon Co., Ltd. | 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
TW201738932A (zh) | 2003-10-09 | 2017-11-01 | Nippon Kogaku Kk | 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法 |
US7352433B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7411653B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
JP4295712B2 (ja) | 2003-11-14 | 2009-07-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置製造方法 |
TWI605315B (zh) * | 2003-12-03 | 2017-11-11 | Nippon Kogaku Kk | Exposure device, exposure method, and device manufacturing method |
DE602004030481D1 (de) * | 2003-12-15 | 2011-01-20 | Nippon Kogaku Kk | Bühnensystem, belichtungsvorrichtung und belichtungsverfahren |
US20070081133A1 (en) * | 2004-12-14 | 2007-04-12 | Niikon Corporation | Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method |
WO2005057635A1 (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-23 | Nikon Corporation | 投影露光装置及びステージ装置、並びに露光方法 |
US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4843503B2 (ja) | 2004-01-20 | 2011-12-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置 |
US7589822B2 (en) * | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR101276392B1 (ko) * | 2004-02-03 | 2013-06-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US8111373B2 (en) * | 2004-03-25 | 2012-02-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabrication method |
US7272976B2 (en) * | 2004-03-30 | 2007-09-25 | Asml Holdings N.V. | Pressure sensor |
US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1747499A2 (en) | 2004-05-04 | 2007-01-31 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US7616383B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7021121B2 (en) * | 2004-05-27 | 2006-04-04 | Asml Holding N.V. | Gas gauge proximity sensor with a modulated gas flow |
KR101257960B1 (ko) | 2004-06-04 | 2013-04-24 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 광학적 결상 시스템의 결상 품질을 측정하기 위한 시스템 |
KR101422964B1 (ko) | 2004-06-09 | 2014-07-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
ATE441937T1 (de) | 2004-07-12 | 2009-09-15 | Nikon Corp | Belichtungsgerät und bauelemente- herstellungsverfahren |
US7134321B2 (en) * | 2004-07-20 | 2006-11-14 | Asml Holding N.V. | Fluid gauge proximity sensor and method of operating same using a modulated fluid flow |
EP1801853A4 (en) * | 2004-08-18 | 2008-06-04 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060044533A1 (en) * | 2004-08-27 | 2006-03-02 | Asmlholding N.V. | System and method for reducing disturbances caused by movement in an immersion lithography system |
US7128427B2 (en) * | 2004-11-05 | 2006-10-31 | Sematech, Inc. | Method and apparatus for fluid handling in immersion lithography |
US7397533B2 (en) * | 2004-12-07 | 2008-07-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7017390B1 (en) * | 2004-12-07 | 2006-03-28 | Asml Holding N.V. | Proximity sensor nozzle shroud with flow curtain |
US20080100811A1 (en) * | 2004-12-07 | 2008-05-01 | Chiaki Nakagawa | Exposure Apparatus and Device Manufacturing Method |
US7880860B2 (en) | 2004-12-20 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1681597B1 (en) | 2005-01-14 | 2010-03-10 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG124351A1 (en) | 2005-01-14 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1863070B1 (en) * | 2005-01-31 | 2016-04-27 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for manufacturing device |
US8692973B2 (en) * | 2005-01-31 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
US7282701B2 (en) | 2005-02-28 | 2007-10-16 | Asml Netherlands B.V. | Sensor for use in a lithographic apparatus |
USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060232753A1 (en) * | 2005-04-19 | 2006-10-19 | Asml Holding N.V. | Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow |
US7286205B2 (en) * | 2005-04-25 | 2007-10-23 | Infineon Technologies Ag | Closing disk for immersion head |
US20060250588A1 (en) * | 2005-05-03 | 2006-11-09 | Stefan Brandl | Immersion exposure tool cleaning system and method |
US7583358B2 (en) * | 2005-07-25 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for retrieving residual liquid during immersion lens photolithography |
US7369214B2 (en) * | 2005-08-11 | 2008-05-06 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a metrology system with sensors |
US7456928B2 (en) * | 2005-08-29 | 2008-11-25 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for controlling ambient pressure during processing of microfeature workpieces, including during immersion lithography |
DE102005041111A1 (de) * | 2005-08-30 | 2007-03-01 | BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH | Kapazitiver Annäherungsschalter und Haushaltsgerät mit einem solchen |
US20070058263A1 (en) * | 2005-09-13 | 2007-03-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and methods for immersion lithography |
US7357768B2 (en) * | 2005-09-22 | 2008-04-15 | William Marshall | Recliner exerciser |
US7986395B2 (en) * | 2005-10-24 | 2011-07-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography apparatus and methods |
US7773195B2 (en) * | 2005-11-29 | 2010-08-10 | Asml Holding N.V. | System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography |
US20070124987A1 (en) * | 2005-12-05 | 2007-06-07 | Brown Jeffrey K | Electronic pest control apparatus |
KR100768849B1 (ko) * | 2005-12-06 | 2007-10-22 | 엘지전자 주식회사 | 계통 연계형 연료전지 시스템의 전원공급장치 및 방법 |
US20070151327A1 (en) * | 2005-12-29 | 2007-07-05 | Asml Holding N.V. | Gas gauge proximity sensor with internal gas flow control |
US20070151328A1 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-05 | Asml Holding N.V. | Vacuum driven proximity sensor |
US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102006001740B4 (de) * | 2006-01-13 | 2008-01-17 | Festo Ag & Co. | Abstands-Messeinrichtung |
US8472004B2 (en) * | 2006-01-18 | 2013-06-25 | Micron Technology, Inc. | Immersion photolithography scanner |
CA2644591A1 (en) * | 2006-03-03 | 2007-09-07 | Philip Koshy | Assessment of surface roughness of objects |
DE102006021797A1 (de) | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung |
WO2007142850A2 (en) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Applied Materials | Gas flow control by differential pressure measurements |
US8564759B2 (en) * | 2006-06-29 | 2013-10-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for immersion lithography |
US7443483B2 (en) * | 2006-08-11 | 2008-10-28 | Entegris, Inc. | Systems and methods for fluid flow control in an immersion lithography system |
KR100805581B1 (ko) * | 2006-08-14 | 2008-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 켄트리버 속도 센서를 구비한 연료전지 시스템 |
US7853067B2 (en) * | 2006-10-27 | 2010-12-14 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for lithographic reticle inspection |
US8817226B2 (en) | 2007-02-15 | 2014-08-26 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography |
US8654305B2 (en) * | 2007-02-15 | 2014-02-18 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography |
US8237911B2 (en) * | 2007-03-15 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine |
US7578168B2 (en) * | 2007-06-27 | 2009-08-25 | Asml Holding N.V. | Increasing gas gauge pressure sensitivity using nozzle-face surface roughness |
TWI389551B (zh) * | 2007-08-09 | 2013-03-11 | Mstar Semiconductor Inc | 迦瑪校正裝置 |
US7694549B2 (en) * | 2007-10-23 | 2010-04-13 | Michel Dechape | Pneumatic gauging system A.K.A. air gauging system A.K.A. air electric converter |
DE102008010337A1 (de) * | 2008-02-14 | 2009-10-29 | Basar Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Geometriemessung an einem Werkstück |
KR101448152B1 (ko) * | 2008-03-26 | 2014-10-07 | 삼성전자주식회사 | 수직 포토게이트를 구비한 거리측정 센서 및 그를 구비한입체 컬러 이미지 센서 |
EP2128703A1 (en) * | 2008-05-28 | 2009-12-02 | ASML Netherlands BV | Lithographic Apparatus and a Method of Operating the Apparatus |
JP4910179B2 (ja) * | 2008-05-28 | 2012-04-04 | Smc株式会社 | フローセンサ |
NL2003266A1 (nl) * | 2008-08-11 | 2010-02-15 | Asml Holding Nv | Multi nozzle proximity sensor employing common sensing and nozzle shaping. |
JP2010098172A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Canon Inc | 液体回収装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
NL2003385A (en) * | 2008-10-23 | 2010-04-26 | Asml Holding Nv | Fluid assisted gas gauge proximity sensor. |
NL2003389A (en) * | 2008-11-04 | 2010-05-06 | Asml Holding Nv | Reverse flow gas gauge proximity sensor. |
US9358696B2 (en) | 2009-07-31 | 2016-06-07 | Asml Holding N.V. | Low and high pressure proximity sensors |
MX2012007581A (es) * | 2009-12-28 | 2012-07-30 | Pioneer Hi Bred Int | Genotipos restauradores de la fertilidad de sorgo y metodos de seleccion asistida por marcadores. |
US8717542B2 (en) * | 2009-12-30 | 2014-05-06 | Nikon Corporation | Fluid gauge with multiple reference gaps |
EP2381310B1 (en) | 2010-04-22 | 2015-05-06 | ASML Netherlands BV | Fluid handling structure and lithographic apparatus |
WO2012174273A1 (en) * | 2011-06-15 | 2012-12-20 | Nikon Corporation | Low-noise fluid gauges |
WO2013063104A1 (en) | 2011-10-25 | 2013-05-02 | Nikon Corporation | Air gauges comprising dual-range differential pressure sensor |
US10466045B2 (en) * | 2012-01-31 | 2019-11-05 | Nikon Corporation | Fluid gauges comprising multiple differential pressure sensors |
CN103776399A (zh) * | 2014-01-10 | 2014-05-07 | 西安交通大学 | 基于流体力学原理的三坐标测头系统及三坐标测量方法 |
NL2016877A (en) * | 2015-06-18 | 2016-12-22 | Asml Holding Nv | An apparatus including a gas gauge and method of operating the same |
US20220121124A1 (en) * | 2018-12-06 | 2022-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Flow restriction, flow restriction assembly and lithographic apparatus |
TW202439039A (zh) * | 2023-03-21 | 2024-10-01 | 聯華電子股份有限公司 | 微影機台系統及其液體儲存槽的漏液檢測方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4953388A (en) * | 1989-01-25 | 1990-09-04 | The Perkin-Elmer Corporation | Air gauge sensor |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2571557A (en) | 1947-09-04 | 1951-10-16 | Etavex S A | Pneumatic size gauging device |
US2986924A (en) * | 1955-09-16 | 1961-06-06 | Becker Wilhelm Fritz Kurt | Device for location of surfaces |
NL100698C (ko) * | 1956-04-25 | |||
GB1094833A (en) * | 1965-09-24 | 1967-12-13 | Burchell James Gladwyn | Improvements in or relating to gauges |
US3433408A (en) * | 1967-11-15 | 1969-03-18 | Corning Glass Works | Binary counter |
US3792609A (en) * | 1971-05-10 | 1974-02-19 | Tylan Corp | Flow splitter |
GB1399397A (en) | 1972-10-05 | 1975-07-02 | Pye Ltd | Fluid flow control arrangements |
US4041584A (en) * | 1976-09-29 | 1977-08-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Loading apparatus for crimper rolls |
US4187715A (en) * | 1978-07-07 | 1980-02-12 | The Bendix Corporation | Method and apparatus for dimensional gaging with fluid pressure |
US4179919A (en) * | 1978-09-18 | 1979-12-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Terrain contour tracking system |
JPS57191507A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-25 | Hitachi Ltd | Distance measuring device |
US4583917A (en) * | 1983-06-17 | 1986-04-22 | Shah Nayan S | Pressure regulating and monitoring device |
US4550592A (en) * | 1984-05-07 | 1985-11-05 | Dechape Michel L | Pneumatic gauging circuit |
SU1225634A2 (ru) * | 1984-11-19 | 1986-04-23 | Киевский Институт Автоматики Им.25 Съезда Кпсс | Бесконтактный датчик неплоскостности полосы |
US5181532A (en) | 1988-09-16 | 1993-01-26 | Lage Brodefors | Flow control |
US4971517A (en) * | 1988-12-27 | 1990-11-20 | Allied-Signal Inc. | Turbine blade clearance controller |
US5184503A (en) * | 1991-05-21 | 1993-02-09 | Northern Telecom Limited | Device for measuring change in profile height of articles |
CA2078727A1 (en) * | 1992-09-21 | 1994-03-22 | Karoly G. Nemeth | Method and apparatus for detecting thickness variations in sheet material |
DE4344264C2 (de) * | 1992-12-28 | 1995-12-21 | Smc Kk | Positionsdetektor |
US6244121B1 (en) * | 1998-03-06 | 2001-06-12 | Applied Materials, Inc. | Sensor device for non-intrusive diagnosis of a semiconductor processing system |
US6152162A (en) * | 1998-10-08 | 2000-11-28 | Mott Metallurgical Corporation | Fluid flow controlling |
-
2002
- 2002-12-19 US US10/322,768 patent/US7010958B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-10-14 US US10/683,271 patent/US7021119B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-12 EP EP03028485A patent/EP1431709A3/en not_active Withdrawn
- 2003-12-16 EP EP08018579A patent/EP2023080A2/en not_active Withdrawn
- 2003-12-17 TW TW092135860A patent/TWI292032B/zh active
- 2003-12-17 TW TW092135861A patent/TWI291547B/zh not_active IP Right Cessation
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