TWI292032B - Liquid flow proximity sensor for use in immersion lithography - Google Patents
Liquid flow proximity sensor for use in immersion lithography Download PDFInfo
- Publication number
- TWI292032B TWI292032B TW092135860A TW92135860A TWI292032B TW I292032 B TWI292032 B TW I292032B TW 092135860 A TW092135860 A TW 092135860A TW 92135860 A TW92135860 A TW 92135860A TW I292032 B TWI292032 B TW I292032B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- liquid
- measuring
- channel
- flow
- measurement
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B13/00—Measuring arrangements characterised by the use of fluids
- G01B13/12—Measuring arrangements characterised by the use of fluids for measuring distance or clearance between spaced objects or spaced apertures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D7/00—Control of flow
- G05D7/01—Control of flow without auxiliary power
- G05D7/0186—Control of flow without auxiliary power without moving parts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y35/00—Methods or apparatus for measurement or analysis of nanostructures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Measuring Arrangements Characterized By The Use Of Fluids (AREA)
- Measuring Volume Flow (AREA)
Description
1292032 (1) 玖、發明說明 【發明所屬技術領域】 本發明關係於用以檢測很小距離之設備與方法,更明 確地說,關係於液體流之接近感應。 【先前技術】 很多自動製程需要感應於一製造工具與產品或被加工 材料表面間之距離。於例如半導體微影之某些狀況中,距 離必須以接近奈米之正確性加以量測。 用以建立此正確性之接近感應器的相關挑戰係相當地 大,特別是在光微影系統之領域更是如此。於光微影領域 中,除了爲非侵入式並具有能力以精確檢測很小距離外, 接近感應器並不能引入污染物或與典型爲半導體晶圓之加 工面接觸。這兩情形之發生均會使半導體品質嚴重劣化或 損毀。 很多類型之接近感應器均可以用以量測很小距離。接 近感應器之例子包含電容及光學測量儀器。當這些接近感 應器用於光微影系統中,因爲沉積於晶圓上之材料的物理 特性可能衝擊這些裝置之精確性,所以這些接近感應器具 有嚴重的缺點。例如,取決於電荷之濃度之電容可能在一 類型之材料(例如金屬)集中之位置處’會得到假的接近讀 値。而當使用由例如砷化鎵(GaAs)及磷化銦(InP)之非透 光及/或感光材料所作成之晶圓,則會有另一類型之問題 發生。於這些情形下,電容及光學測量儀器均可能提供假 -4- 1292032 (2) 結果。 美國專利第4,953’ 388及4,550,592號揭示另一種 使用氣壓計感應器方式,以作接近感應。一氣壓計感應器 易受到電荷濃度或晶圓表面電氣、光學及其他物理特性之 影響。然而,現行半導體製造需要接近度被以奈米級之高 精確度加以計量。 再者’由於在微影方法內之成像要求變得愈有挑戰性 ,被使用之另一方式爲浸入式微影法。在浸入式微影法中 ,於投影光學盒之最後透鏡及晶圓間之間隙係被塡充以液 體,以加強系統效能。此一方式支援更小特性尺寸之印刷 。於這些系統中,予以加工之晶圓爲一液體池所包圍。例 如美國專利第4,9 5 3,3 8 8及4,5 5 0,5 92號所揭示之氣壓 計感應器將不能有效地應用至浸入式微影系統中。 浸入式微影系統能在微微影(microlithography)區域內 產生相當多優點。該技術使得於像空間中之折射率,即投 影系統之數値孔徑大於1。結果,該技術具有潛力以將用 以微影中之193奈米工具向下延伸至45奈米’甚至可能更 低。然而,爲了更有效之浸入式微影系統’包圍在工作面 旁之液體的折射率必須保持恆定。例如液體中之發泡及溫 度改變之變動可能影響折射率。因此,一接近感應器必須 不會造成發泡或溫度改變,理想上要能降低這些影響。 因此,有需要一液體流接近感應器,其可以在浸入式 微影系統中,精確地感應距離。 1292032 (3) 【發明內容】 [發明目的] 本發明提供一高解析度液體流接近感應器及方法,其 可以精確地感應於浸入式微影系統中之距離。該液體流接 近感應器藉由檢測於量測與參考間距(standoff)間之差, 而決定接近度。一間距係爲在接近感應器之噴嘴與噴嘴下 之表面間之距離或間隙。 爲了決定間距,具有定流體質流率之液體流係被以一 質流控制器加以量測並被強迫通過兩通道-一量測通道與 一參考通道。依據本發明,多孔限制器被用於參考通道與 量測通道中。多孔限制器不會引入渦流,同時執行感應器 適當操作所需之抗擋功能。於本發明之其他實施例中,一 多孔緩衝器被放置於接近感應器內通過液體質流控制器並 在接近感應器前分叉爲參考及量測通道。多孔緩衝器減少 渦流並降低傳遞經這些通道之可能噪音,並加強接近感應 器之精確度。 每一通道在一末端有一探棒,其係定位於一表面上。 一液體被強迫經通道並由噴嘴射向相關量測與參考面。一 在參考與量測通道間之橋通道感應於兩通道間之液體質流 ,其係爲參考與量測通道中之液體壓力差所造成者。所感 應之液體質流率係爲參考與量測間距中之差的代表値。換 句話說,通過橋之感應液體質流係爲參考探棒與在參考通 道中參考面之參考間距與量測探棒與量測通道之量測表面 間之量測間距間之差的代表値。液體流接近感應器可以提 -6- 1292032 (4) 供一指示以基於所感應之質流率,而喚起一控制動作。 依據本發明之另一態樣’不同噴嘴類型可以用作爲量 測與參考探棒。這些噴嘴使得感應器可以迅速地適用至不 同類型之加工面上。 依據本發明之另一態樣,一液體流接近感應器可以包 含一量測通道,其被連接至一連接至多數量測分支之開關 裝置。每一量測分支具有與一不包含量測分支之裝置中之 毚測通道同樣之特徵。多數量測分支加強了接近感應器以 量測在一量測面之較大區域上之間距的能力。 依據本發明另一態樣,一方法被提供用於具有單一量 測通道之液體流接近感應器。該方法包含步驟有:將液體 流分成量測與參考通道,並限制液體流均勻地流經每一通 道之剖面區域。 依據本發明另一實施例,一方法提供用於具有多數量 測分支之液體流接近感應器。該方法包含步驟有··將液體 流分爲一量測分支與一參考通道;均勻地限制液體流至參 ^通道或量測分支之剖面積;及切換於量測分支之間。另 〜方法說明具有多數量測分支之液體流接近感應器被用以 映圖·一量測面之構形。 經過多孔限制器、液體質流控制器及/或緩衝器之使 $ ’本發明之實施例允許基於液體流之具有奈米正確度之 胃解析度之距離量測。本發明係特別有利於浸入式光微影 系統與工具中。於光微影系統中,特別想要以高解析度, 決定於一微影生產工具之適當幾何參考與半導體晶圓間之 -7- 1292032 (5) 距離。使用一高解析度液體流接近感應器技術更提供與晶 圓材料之物理參考及於半導體製造所沉積於晶圓上之材料 無關高解析度效能的晶圓接近量測。 本發明之其他實施例、特點及優點及本發明之各種實 施例之結構與操作將參考附圖詳述如下。 本發明將參考附圖加以說明。於圖式中,相同參考數 係表示相同或功能類似之元件。 【實施方式】 雖然,本發明係參考特定應用之實施例加以說明,但 可以了解的是,本發明並不限定於此。熟習於本技藝者可 以取用於此所提供之技術,而得知在本案範圍內之其他修 改、應用及實施例,其中本發明係特別適用。 A.液體流接近感應器 第1 A圖例示依據本發明一實施例之液體流接近感應 器1〇〇。液體流接近感應器1〇〇包含液體質流控制器106、 中央通道1 1 2、量測通道1 1 6、參考通道1 1 8、量測通道限 制器1 20、參考通道限制器1 22、量測探棒1 2 8、參考探棒 130、橋通道136及液體質流感應器138。液體供給1〇2將一 液體以想要壓力射入液體流接近感應器1 〇〇。用於液體供 給1 02之感應器液體可以爲任何適用於液體浸入式微影之 液體,例如去離子水、環辛烷及Krytox。感應器液體應 與用於包圍住加工面之浸入式液體相容。 -8- 1292032 (6) 中央通道112將102連接至液體質流控制器i〇6然後終 止於接合點1 1 4。液體質流控制器1 〇6在液體流接近感應器 1 〇 〇內維持一定流率。於另一實施例中,一壓力調節器可 以用以替換液體質流控制器1 06。液體被強迫流出液體質 流控制器106通過一多孔緩衝器1 1〇,並以一累積器1〇8固 定至通道1 12。緩衝器1 10降低了爲液體供給1〇2所引入渦 流’且其使用爲可選擇的。於離開緩衝器1 1 〇時,液體行 經中央通道II2至接合點114。中央通道112終止於接合點 1 1 4並分成量測通道丨1 6與參考通道1 1 8。液體質流控制器 106以足夠低速率噴出液體,以提供層流與不可壓縮之液 體流於整個系統上,以最小化不想要之液體噪音之產生。 橋通道1 3 6係連接於量測通道1 1 6與參考通道1 1 8之間 。橋通道136將量測通道1 16接連至接合點124。橋通道136 將參考通道1 1 8接連至接合點]26。於一例子中,於接合點 接合點114與接合點124之距離與接合點接合點114與接合 點1 2 6間之距離係相等的。 在液體流接近感應器1 00內之所有通道允許液體流經 其間。通道1 1 2、1 1 6、1 1 8、及1 3 6可以由導管(例如硬管 、軟管等)作成,或者,其他類型之結構作成,其可以包 含並導引液體流經感應器100。通過並不具有急彎、不規 則或不必要之阻礙,其可能引起液體噪音者,例如藉由產 生局部渦流或流動不穩定。量測通道1 1 6及參考通道1 1 8之 整個長度可以等於或於其他例子中也可不相等。 參考通道1 1 8終結爲參考探棒1 3 0。同樣地,量測通道 -9- 1292032 (7) 1 1 6終結爲量測探棒1 2 8。參考探棒1 3 0被定位於參考面1 3 4 上。量測探棒128定位於量測面132上。於光微影領域中, 量測面1 3 2經常係爲一半導體晶圓或一支撐晶圓之平台。 參考面1 3 4可以爲一平面金屬板,但並不限定於此例子。 參考探棒130及量測探棒128均定位成使得流出液體之孔係 在覆蓋被加工晶圓之浸入液體1 44池之下面。爲液體供給 102所噴射之液體係由每一探棒128、130所射出並碰撞在 量測面1 3 2及參考面1 3 4上。噴嘴係被提供於量測探棒1 2 8 及參考探棒130中。例示噴嘴係進一步參考第3A-3E圖所 說明如下。如上所述,於一噴嘴與一相關量測或參考面間 之距離被稱爲間距。 於一實施例中,參考探棒1 3 0係以一已知參考間距1 42 定位於一固定參考面134上。量測探棒128係以一未知量測 間距1 4 0定位於量測面1 3 2上。已知參考間距1 4 2係被設定 相對應於最佳間距之想要定値。以此一配置,量測探棒 1 2 8之背壓流係爲未知量測間距1 4 0之函數;及參考探棒 130之背壓流係爲已知參考間距142之函數。若140及參考 間距1 42相等,則架構係對稱及橋爲平衡。因此,並沒有 液體流經橋通道1 3 6。另一方面,當量測間距1 4 0與參考間 距]42有差時,於量測通道1 1 6與參考通道1 1 8間之所得壓 力差引入一液體流,經過液體質流感應器1 3 8。 液體質流感應器138係沿著橋通道136定位,較佳係在 一中心點。液體質流感應器1 3 8感應由量測通道1 1 6與參考 通道Π 8間之壓力差所造成之液體流。這些壓力差係由於 -10 - 1292032 (8) 量測面1 3 2之垂直定位之變化所造成。對於一對稱橋,當 量測間距1 4 0及參考間距1 4 2相等時,相較於表面1 3 2、1 3 4 ’兩者探棒量測探棒1 2 8、1 3 0之間距係相同。因爲在量測 與參考通道間沒有壓力差,所以液體質流感應器1 3 8將不 會檢測出液體質流。於量測間距140及參考間距142間之差 將造成於量測通道1 1 6與參考通道1 1 8間之壓力差。適當偏 移可能造成非對稱配置。 液體質流感應器1 3 8感應由壓力差或不平衡所造成之 液體流。壓力差造成一液體流,其流率係爲量測間距140 之特有函數。換句話說,假設一定流率進入液體量測器 1〇〇,則於量測通道1 16及參考通道1 1 8中之液體壓力係爲 間距140及142間之差之函數。若參考間距142係被設定爲 一已知間距,則於量測通道U 6與參考通道1 1 8中之液體差 間之差將爲量測間距140之大小(即於量測面132與量測探 棒1 2 8間之z方向中之未知間距)之函數。 液體質流感應器1 3 8檢測流經橋通道1 3 6中之液體流。 因爲橋架構,所以只有當於通道1 1 6、1 1 8間有壓力差發生 時,液體流才會發生於橋通道1 3 6中。當一壓力不平衡存 在時,液體質流感應器1 3 8檢測出一所得液體流,並可以 啓始一適當控制功能。液體質流感應器1 3 8可以提供一指 示,以經由視訊顯示或一音訊指示,而指出感應流通過。 或者,除了液體質流感應器外,也可使用一差動壓力感應 器。差動壓力感應器量測於兩通道中之壓力之差’其係爲 量測與參考間距間之差的函數。 -11 - 1292032 (ίο) 174、橋通道190及液體質流感應器192。 另外,液體流接近感應器150包含量測通道159。量測 通道159分成三個量測分支163、164及165。量測分支163 包含量測分支限制器167及量測探棒175。量測分支164包 含量測分支限制器1 6 8及量測探棒1 7 6。量測分支1 6 5包含 量測分支限制器1 69及量測探棒1 77。最後,液體流接近感 應器150包含量測通道開關裝置160、橋通道開關裝置161 ,及開關裝置槓桿162。 液體供給1 5 1以一想要壓力將液體噴入液體流接近感 應器1 5 0。如同於液體流接近感應器1 00之例子,用於液體 供給1 5 1之感應器液體可以爲用於液體浸入式微影之液體 ,例如去離子水、環辛烷、及 Krytox。感應器液體應與 用於包圍加工面之浸入液體相容。 中央通道1 56將液體供給連接至液體質流控制器153, 然後,終止於接合點1 5 7。液體質流控制器1 5 3維持在液體 流接近感應器150內之定流率。液體質流控制器153以足夠 低流率噴出,以提供層流及不可壓縮流於整個系統,以最 小化不想要液體噪音之產生。於另一實施例中,一壓力調 節器可以用以換代液體質流控制器1 5 3。液體被由液體質 流控制器1 5 3強迫流出經過多孔緩衝器1 5 5,並具有累積器 154固定至通道156。緩衝器155降低由液體供給151所引入 之液體渦流,其使用可以免除。於離開緩衝器1 5 5時,液 體行經中央通道1 5 65至接合點157。中央通道156終止於接 合點157並分成量測通道159與參考通道158。 1292032 (11) 量測通道1 5 9終止於量測通道開關裝置l 6 0。量測通道 開關裝置1 6 0可以爲一掃描閥或其他類型之開關裝置,其 係用以切換一量測通道至幾個量測分支之一,這些量測分 支也是連接至一量測通道切換裝置1 6 0。量測分支之物理 特徵係相同於一量測通道之物理特徵。量測通道開關裝置 160可以切換一開關裝置槓桿162加以操作。開關裝置槓桿 162控制哪一量測分支163、164或165係經由量測通道切換 裝置160連接至量測通道159。 橋通道190經由該橋通道開關裝置161連接於參考通道 158與三個量測分支163、164或165之一之間。橋通道190 於接合點1 7 0連接參考通道1 5 8。橋通道1 9 0終止於橋通道 開關裝置1 6 1。橋通道開關裝置1 6 1可以爲一掃描閥或其他 類型之開關裝置,其係作用以切換一橋通道至量測分支之 一。於第1 Β圖所示之例子中,三個量測分支1 6 3、1 6 4及 165係分別於接合點171、172及173連接至橋通道開關裝置 161。開關裝置槓桿162控制哪一量測分支163、164或165 被經由橋通道開關裝置1 6 1連接至橋通道。開關槓桿1 62控 制量測通道開關裝置1 60及橋通道開關裝置1 6 1,使得相同 量測分支將連接至量測通道159與橋通道190。或者,也可 使用兩獨立開關槓桿。 於一例子中,於接合點157與接合點170間之距離及於 接合點157與接合點171、172或173間之距離爲相等。 在液體流接近感應器1 5 0內所有通道與分支允許液體 流經其間。通道1 5 6、1 5 8、1 5 9及1 9 0與分支1 6 3、1 6 4及 -14 - 1292032 (12) 165可以由導管(硬管、軟管等)或其他類型結構所作成, 其可以包含並導通液體流經液體流接近感應器1 5 0。通道 及分支並沒有急彎曲、不規則或不必要阻礙,其可能引入 液體噪音,藉由例如產生局部渦流或流動不穩定性。參考 通道158與量測通道159之整個長度加上量測分支163、164 或1 6 5之一可以相等,於其他例子可以不相等。 參考通道158終止有一參考探棒174。同樣地,量測分 支163、164及165分別終止有量測探棒175、176及177。參 考探棒174係定位於參考面IN上。量測探棒175、17 6及 1 7 7係定位於量測面1 7 9上。於光微影之領域中,量測面 179經常爲一半導體晶圓或一支撐一晶圓之平台。參考面 1 7 8可以是一平金屬板,但並不限定於此例。由液體供給 1 5 1所噴出之液體係由參考探棒1 74所發射並碰撞於參考面 1 7 8上。同樣地,爲液體供給1 5 1所噴出之液體係由三個探 棒175、176或177之一所射出並碰撞在量測面179上。所有 參考探棒與量測探棒均定位使得液體流出之孔係在浸入液 體194池之下,該液體覆蓋被加工之晶圓。開關裝置槓桿 1 62之位置決定哪一量測探棒液體正射出。噴嘴係被提供 於探棒174、175、176及177之中。例示噴嘴係進一步說明 於第3 A-3E圖中。如上所述,於噴嘴與相關量測或參考面 間之距離係被稱爲一間距。 於一實施例中,參考探棒1 74係定位於一固定參考面 178上之一已知參考間距180處。量測探棒175、176及177 係定位於量測面1 7 9上之未知量測間距處1 8 1、1 8 2及1 8 3。 1292032 (13) 量測間距1 8 1、1 82及1 83可以相等或不等,其中一量測面 之構形於每一區域中均有所不同。已知參考間距1 8 〇係被 設定爲一想要定値,其代表一最佳間距。以此一配置,來 自使用中之量測探棒1 7 5、1 7 6或1 7 7之上游背壓力係分別 爲未知量測間距181、182及183之函數;及參考探棒174之 上游背壓係爲已知參考間距180之函數。若參考間距180及 量測間距181、182或183相等,則架構係對稱及橋被平衡 。因此,並沒有液體流經橋通道1 90。另一方面,當參考 間距180及對應使用中之量測分支之量測間距181、182或 183不同時,於參考通道158與量測分支163、164或165間 之所得壓力差造成一液體流經橋通道190。 液體質流感應器192係沿著橋通道190定位,較佳係於 中央圖。液體質流感應器192感應由參考通道158與被使用 之量測分支163、164或165所造成壓力差所造成之液體流 。這些壓力差發生爲量測面1 79之垂直定位之變化。對於 一對稱橋,當參考間距1 8 0與正使用之量測分支之量測間 1 8 1、1 8 2或1 8 3相等時,液體質流感應器1 92將不會檢出液 體質流,因爲在所用量測分支與參考通道間並沒有壓力差 。於參考間距1 8 0與對於使用中之量測分支之量測間距1 8 1 、182或183間之差將造成於參考通道〗58與被使用之量測 分支163、164或165間之不同壓力。適當調整可以引入於 非對稱配置中。 液體質流感應器192藉由一壓力差或不平衡所造成而 感應液體流。一壓力差造成液體流,其流率係爲量測間距 -16- 1292032 (14) 181、182或183之特有函數。換句話說,假設一定流率流 入液體量測計1 5 0,於量測分支丨6 3、1 6 4或1 6 5與參考通道 1 5 8間之液體壓力差係爲於參考間距1 8 〇與對應於使用中之 量測分支之量測間距1 8 1 v 1 8 2或1 8 3間差的函數。若參考 間距1 80係被設定爲已知間距,則於被使用之量測分支1 63 、164或165與參考通道158間之液體壓力差係爲量測間距 之函數(即於量測面1 7 9及被使用之量測探棒1 7 5、1 7 6或 1 7 7間之z方向中之未知間距)。 液體質流感應器192檢測經過橋通道190兩方向中之液 體流。因爲橋架構,所以液體流發生只當參考通道1 5 8與 被使用之量測分支1 6 3、1 6 4或1 6 5間之壓力差發生時才會 發生。當一壓力不平衡存在時,液體質流感應器192檢測 所得液體流’並可以啓始一適當控制函數。液體質流感應 器Γ92可以經由一視訊顯示器或音響指示,來提供指示一 感應流之指示。或者,除了液體質流控制器外,也可以使 用一差動壓力感應器。差動壓力感應器量測於參考通道與 釁測分支間之壓力差,其係爲量測間距與參考間距間之差 的函數。 控制函數可以被計算精確之間隙差。於其他實施例中 ,控制函數可以增加或減少量測間距1 8 1、1 8 2或1 8 3之尺 寸。這可以藉由相對於量測探棒移動量測面,直到壓力差 係足夠接近零而加以完成,這會發生於當由量測面與參考 面1 7 8間之間距間不再有差之情形下。 於另一實施例中,液體流接近感應器1 5 0具有多數參 -17- 1292032 (15) 考分支,其可以用以作爲參考通道’但只有一量測分支用 作爲量測通道。這是液體流接近感應器1 5 0之相反配置’ 其具有多數量測分支,但只有一參考分支。一具有多重參 考分支之液體流接近感應的設計可以爲熟習於本技藝者基 於本案之教導而加以決定。每一參考分支之參考間距可以 被調整至不同高度。當參考間距被設定至不同高度時’量 測間距也可以基於所需靈敏度,而容易地調整至不同高度 。以此方式,當量測探棒與量測面間需要一額外間隙時’ 量測探棒可以容易地升高。 第1B圖例示本發明之至少三個元件,其降低液體渦 流及其他液體噪音,以使得本發明完成奈米正確性。包含 液體質流率控制器153、緩衝器155及限制器166、.167、 ]68及169之這些元件可以用於本發明之一實施例中,或取 決於想要之靈敏性而是任一組合。例如,若一應用需要很 精確靈敏度,則所有元件均可被使用。或者,若一應用需 要較低之靈敏度,則也許只要緩衝器1 5 5,以多孔限制器 166、167、168及169被小孔所替代。結果,本發明提供一 彈性方式,以有效成本配合特定應闱需求。 第1 C圖例示一依據本發明實施例之連接至一浸入液 體供給系統之液體流接近感應器之參考及量測探棒之示意 圖。量測探棒128及參考探棒130係浸入於浸入液體144中 。k入室1 4 3提供一室,以包含浸入液體} 4 4於量測面工3 2 及參考面1 3 4旁。浸入液體供給1 4 6經由一或多數輸入點, fen供一浸入液體流進入浸入室1 4 3。同樣地,浸入液體栗 -18- 1292032 (16) 148由浸入室143經由一或多數輸入點移除浸入液體。控制 感應器及電路被用以維持在量測面132旁之浸入液體144的 固定溫度及體積。 1 .流體限制器 依據本發明一實施例參考液體質接近感應器1 〇〇,量 測通道1 1 6及參考通道1 1 8包含限制器1 2 0、1 2 2。每一限 制器120、122限制行經個別量測通道1 16及參考通道1 18之 液體流。量測通道限制器1 20係位在接合點1 1 4及接合點 124間之量測通道1 16內。同樣地,參考通道限制器122係 位在接合點1 1 4及接合點1 2 6間之參考通道1 1 8內。於一例 子中,由接合點1 1 4至量測通道限制器1 20之距離與由接合 點U 4至參考通道限制器122間之距離係相等的。於其他例 子中,距離也可以不相等。其中並不需要感應器爲對稱, 然而,感應器若幾何對稱則容易使用。 依據本發明另一特性,每一限制器1 2 0、1 2 2包含一多 孔材料,例如聚乙烯或燒結不鏽鋼。第2圖提供一具有多 孔材料2 1 0之限制器1 2 0之剖面圖,多孔係使液體流2 0 0通 過。量測通道限制器120及參考通道限制器122具有實質相 同尺寸及滲透特性。限制器典型長度範圍由2至15mm,但 並不限定於這些長度。量測通道限制器120及參考通道限 制器1 22均勻地限制流過通道1 1 6及1 1 8剖面之液體。在液 體流接近感應器150內,具有上述特徵之多孔限制器166、 167、168及169同時也用以完成這些優點。 1292032 (17) 限制器具有兩主要功能。首先,它們放大於液體流接 近感應器1 〇〇內之壓力及流體渦流,多數渦流係由液體質 流控制器106或拾音源所產生。第二,它們作爲橋內之所 需抵抗元件。 雖然,已經顯示一液體流接近感應器之實施例,但本 發明並不限定於此例子。於此所示之例子係作爲例示目的 並不是作限制用。其他(於此所述之包含等效、擴充、變 化等)對於熟習於本技藝者在本案之教導下係爲明顯的。 此等變化仍在本發明之精神與範圍內。 2.緩衝器 依據本發明一實施例並參考液體流接近感應器1 0 0, 通道1 1 2包含緩衝器1 1 0。類似於限制器之操作,緩衝器 1 1 〇降低由液體供給1 02所引入之液體渦流並將液體質流感 應器與液體流接近感應器之上游部份中之拾音部分隔。緩 衝器11 0係位於累積器1 〇 8與接合點丨丨4間之通道1 1 2內。依 據本發明另一特性,緩衝器1 1 0包含一多孔材料,例如聚 乙烯或燒結不鏽鋼。用於液體流接近感應器1 5 0內之緩衝 器1 5 5具有與緩衝器〗1 〇相同之特性,並用以完成相同之優 點。 3 ·噴嘴 於液體流接近感應器1 0 〇中,也可以使用不同類型之 噴嘴作爲參考探棒130與量測探棒128,這係取決於特定應 -20 - 1292032 (18) 用而定。同樣不同類型之噴嘴也可以用於液體流接近感應 益1 5 0 ’用爲寥考採棒1 7 4及星測探棒量測間距1 8 1、1 8 2或 183、182及183。噴嘴類型之選擇等等係取決於所需之足 跡(量測區域)而定。 液體流接近感應器噴嘴3 00之基本架構係特徵在於一 平端面,其係平行於量測面之表面,如第3 A圖所示。噴 嘴之幾何形狀係由量測計間距h及內徑d所決定。一般而 言,如果噴嘴外徑D足夠大,則噴嘴壓力降與噴嘴外徑D 之依附關係很弱。 第3 B及3 C圖例示一噴嘴3 1 0,其可以用以作爲依據 本發明一實施例之參考探棒或量測探棒。噴嘴3 1 0包含前 面3 1 2、液體孔前開口 3 1 4及液體孔後開口 3 1 5。 噴嘴3 1 Q係固定至量測通道1 1 6與參考通道1 1 8。於一 實施例中,兩相同噴嘴3 1 0作爲量測探棒1 2 8與參考探棒 130。原則上,噴嘴並不一定要完全相同。噴嘴3 10被固定 至量測通道1 1 6。前面3 1 2應平行於量測面1 3 2。行經量測 通道1 1 6之液體經由液體孔後開口 3 1 5進入噴嘴3 1 0並經由 液體孔前開口 3 1 4離開。同樣地,噴嘴3 1 0固定至參考通道 1 1 8。前面3 1 2平行參考面1 3 4。行經參考通道1 1 8之液體經 由液體孔後開口 3 1 5進入噴嘴3 1 0並經由液體孔前開口 3 1 4 離開。液體孔前開口 3 1 4之直徑可以取決於一特定應用而 加以改變。於一例子中,液體孔前開口 3 1 4之內徑係於約 〇·5至2·5毫米(mm)之間。 第3D及3E圖例示噴氣頭噴嘴350,其可以依據本發 1292032 (19) 明之實施例用作爲參考探棒與量測探棒。噴氣頭噴嘴3 5 0 包含前面3 5 5、多數液體孔前開口 3 6 0、及一液體孔後開口 3 6 5。多數液體孔前開口分佈壓力於較噴嘴3〗〇爲寬之量測 面1 3 2區域上。一噴氣頭噴嘴係主要被用作以降低空間解 析度,以均勻地在較寬空間區域內,集積接近量測。另一 方式將爲使用包含多孔過濾器之噴嘴。 一噴氣頭噴嘴350被固定至量測通道116及參考通道 1 1 8。於一實施例中,兩相同噴氣頭噴嘴3 5 0作爲量測探棒 1 2 8及參考探棒1 3 0。原則上,噴嘴並不需要相同。噴氣頭 噴嘴3 5 0被固定至量測通道1 1 6。前面3 5 5係平行於量測面 1 3 2。行經量測通道1 1 6之液體經由液體孔後開口 3 6 5進入 噴氣頭噴嘴3 5 0,以及,經由多數液體孔前開口 3 6 0離開。 同樣地,噴氣頭噴嘴3 5 0被周定至參考通道1 1 8。前面3 5 5 係平行於參考面1 3 4。行經參考通道1 1 8之液體經由液體孔 後開口 3 6 5進入噴氣頭噴嘴35〇並經由多數液體孔前開口 3 6 0離開。噴嘴之使用已經參考液體流接近感應器1 〇 〇加以 解釋。每一噴嘴類型可以與液體流接近感應器1 50—起使 用,其中,噴嘴可以固定至每一量測分支探棒及參考通道 探棒。 不同類型噴嘴之例示實施例已經加以說明。本發明並 不限定於這些例子。於此所述之例子係作爲例示目的,而 不作限定用。其他替代物(於此所述之等效、擴充、變化 等)對於熟習於本技藝者參考本案教導後即可明顯了解。 此等替代物仍在本案之精神及範圍內。 -22- 1292032 (20) B.方法 例示於第4圖之程序顯示一用以使用液體流以檢測很 小距離並執行一控制動作(步驟410至470)之方法4 00、。爲 方便起見,方法係針對液體流接近感應器1 〇〇加以說明。 然而,方法4 0 0並不限定於感應器1 〇 〇之結構,其可以液體 流接近感應器1 5 0或具有不同結構之感應器加以實施。 該程序開始於步驟4 1 0。於步驟4 1 0中,一作業員或機 械裝置放置一參考探棒於一參考面上。例如,一作業員或 機械裝置以一已知參考間距1 4 2,放置參考探棒3 1 0放參考 面1 3 4上。或者,參考間距可以安排於感應器組件內,即 在感應器組件內部。參考間距係預先調整至一特定値,其 典型被保持爲定値。於步驟420中,一作業員或機械裝置 放置量測探棒於一量測面上。例如,一作業員或機械裝置 放置量測探棒128於量測面132上,以形成量測間隙140。 於步驟43 0中,液體被注入感應器內。例如,一量測 液體被以一定液體質流率注入液體流接近感應器1 00。於 步驟44〇中,保持進入感應器爲一定液體流率。例如,液 體質流控制器1 0 6維持一定液體流率。於步驟4 5 0中,液體 流分配於量測與參考通道之間。例如,液體流接近感應器 1 〇〇使得量測液體流予以均勻地分佈於量測通道1丨6及參考 通道1 1 8之間。 於步驟460中,於量測通道與參考通道中之液體流被 均勻地限制於通道之剖面區域上。量測通道限制器1 2 〇及 1292032 (21) 參考通道限制器1 22限制液體流,以降低液體噪音並作爲 在液體流接近感應器1 00中之抵抗元件。 於步驟470中,液體被強迫由一參考及量測探棒離開 。例如,液體流接近感應器1 00強迫液體離開量測探棒1 28 及參考探棒1 3 0。於步驟4 8 0中,一液體流被經由一連接至 一參考通道與量測通道之橋通道加以監視。於步驟490中 ,基於在參考與量測通道間之壓力差,而執行一控制動作 。例如,液體質流感應器138監視於量測通道1 16及參考通 道1 1 8間之液體質流。基於液體質流率,液體質流感應器 1 3 8啓始一控制動作。此控制作用可以包含提供一感應液 體質流之指示、送出一信息,以指示所感應之液體質流、 或啓始一伺服控制動作,以相對於參考面重新定位量測面 之位置,直到沒有液體質流或者感應到一液體質流之固定 參考値。 上述方法可以適用於一感應器,其具有多數量測分支 ,例如液體流接近感應器1 50者。當液體流接近感應器150 被使用時,一額外步騾可以被加入,其包含將一量測分支 切換至另一量測分支。 液體流接近感應器1 5 0之使用也可以促成一量測面之 構形之映圖。此映圖可以經由上述方法之原理加以完成’ 其中構形量測可以使用一量測分支採一加工面之特定區域 。若構形映圖想要不同區域,則液體流可以切換至不同量 測分支,以映圖不同區域之構形。因爲可以移動一量測面 之能力的限制,所以於部份例子中,可以使用具有多數分 -24- 1292032 (22) 支之接近感應器,以較具單一量測通道之接近感應器,更 爲迅速之方式映圖一量測面之構形。 例如’於一實施例中,映圖構形之方法包含將液體注 入一接近感應器中,例如液體流接近感應器1 5 0,並藉由 使用一量測分支,來採一序列之量測値,以量測一量測面 之區域之構形。於完成以一特定量測分支來映圖之區域的 映圖時,接近感應器將切換至不同量測分支,以重覆用於 該量測分支所到達之區域之映圖程序。該程序將重覆,直 到想要構形映圖之表面被完成爲止。量測面可以爲一半導 體晶圓或其他量測面,其上想要有一構形映圖者。 對上述爲熟習於本技藝者由前述教導所知之其他步驟 及加強也是爲本案所包含。 本發明已經針對第1至4圖參考液體加以說明。於一實 施例中,液體爲水。本發明並不限定於使用水。特定液體 的選擇使用將爲基於液體’其中,晶圓被浸入作爲浸入式 微影製程之一部份。於很多例子中,於液體流接近感應器 所用之液體將與用於浸入式微影製程者相同,但也不全然 都是如此。 D.結論 本發明之各種實施例已經說明如上,可以了解的是, 其係作爲例示而非限制用。熟習於本技藝者可以了解各種 形式及細節上之變化,仍可以在不脫離本發明之精神與範 圍下完成。 -25- 1292032 (23) 本發明已經以例示本發明之功能及關係之方法步驟爲 目的加以說明。這些方法步驟的邊界爲任意界定。其他邊 界也可以定義’只要其特定功能與關係可以被執行即可。 因此’此等邊界係在本發明申請專利範圍之精神及範圍內 。因此,本發明之範圍應不爲上述實施例所限定,但應依 以下之申請專利範圍與其等效加以界定。 〔圖式簡單說明】 第1 A圖爲依據本發明之一實施例之液體流接近感應 第1 B圖爲依據本發明一實施例之具有多數量測分支 之液體流接近感應器。 第1 C圖爲依據本發明一實施例之連接至一浸入式液 _供給系統之液體流接近感應器之參考與量測探棒之示意 _。 第2圖爲一圖,其提供依據本發明一實施例之限制器 之剖面圖。 弟3 A圖爲一噴嘴之基本特徵圖。 第3 B圖爲一顯示用於依據本發明之一實施例之參考 _棒與一量測探棒中之噴嘴之立體圖。 第3 C圖爲依據本發明之一實施例之用於第3 B圖之噴 嘴之剖面圖。 第3 D圖爲可以用於依據本發明實施例之參考探棒與 \量測探棒之噴氣頭噴嘴之立體圖。 -26- 1292032 (24) 第3 E圖爲依據本發明實施例之例示於第3 D圖之噴嘴 之剖面圖。 第4圖爲一流程圖,其顯示依據本發明一實施例,以 使用一液體流接近感應器以檢測很小距離並執行一控制動 作之方法。 [圖號說明] 100 液體 102 液體 106 流控 108 累積 110 緩衝 112 中央 114 接合 116 量測 1 1 8 參考 120 量測 122 參考 124 接合 1 2 6 接合 128 量測 130 參考 132 量測 134 參考 流接近感應器 供給 制器 器 器 通道 點 通道 通道 通道限制器 通道限制器 點 點 探棒 探棒 面 面
-27- 1292032 (25) 136 橋通 13 8 液體 140 量測 142 參考 144 浸入 150 液體 15 1 液體 153 液體 154 累積 155 多孔 1 56 通道 157 接合 1 5 8 參考 1 5 9 量測 160 開關 16 1 開關 1 62 裝置 163 分支 164 分支 165 分支 166 通道 167 分支 168 分支 169 分支 限制器 限制器 限制器 限制器 道 質流感應器 面 間距 液體 流接近感應器 供給 質流控制器 器 緩衝器 點 通道 通道 裝置 裝置 槓桿
-28- (26) 1292032 170 接合點 17 1 接合點 172 接合點 173 接合點 174 參考探棒 175 量測探棒 176 量測探棒
177 量測探棒 178 參考面 179 量測面 180 參考間距 181 量測間距 1 8 2 量測間距 1 8:3 量測間距 190 橋通道
192 液體質流感應器 194 浸入液體 143 浸入室 146 液體供給 14 8 液體栗 200 液體流 2 10 多孔材料 3 00 液體流接近感應器噴嘴 3 10 噴嘴 -29- 1292032 (27) 3 12 前面 3 14 前開口 3 15 後開口 3 5 0 噴氣頭噴嘴 355 前面 360 液體孔前開口 365 液體孔後開口
Claims (1)
- 月V%修(更)正替換I 1292032 (1) 拾、申請專利範圍 附件2A: 第92 1 35 860號專利申請案 中文申請專利範圍替換本 民國96年4月25日修正 1 . 一種用以感應於參考面間距與量測面間距間之差之 液體流接近感應器,包含:一接合點,其將輸入至液體流接近感應器之液體分成 至一參考通道與一量測通道; 一第一多孔流限制器,沿著該參考通道放置,其中該 第一多孔流限制器均勻地限制流經參考通道之液體流; 一第二多孔流限制器,沿著該量測通道放置,其中該 第二多孔流限制器均勻地限制流經該量測通道之液體流; 一參考探棒,於該參考通道之一端,藉以液體經由該 參考探棒離開參考通道及行經一參考間距,以碰撞於一參 考面上;一量測探棒,於該量測通道之一端,藉以液體經由該 量測探棒離開量測通道並行經一量測間距,以碰撞於一量 測表面上;及 一液體質流感應器,連接於參考與量測通道之間,用 以感應其間之液體流,藉以在參考與量測面間之間距的差 可以以高靈敏度加以感應。 2.如申請專利範圍第1項所述之感應器,更包含一液 體質流控制器位於該接合點之前,以輸出液體之固定液體 質流率。 1292032 (2)>fB ^3 ·如申請專利範圍第2項所述之感應器,更包含一緩 衝器,位在該液體質流控制器之後,以降低液體渦流。 4.如申請專利範圍第1項所述之感應器,更包含一壓 力調節器位在該等接合點之前,以輸出液體之固定液體質 流率。 5 ·如申請專利範圍第1項所述之感應器,更包含一緩 衝器,位於該接合點之前。6.如申請專利範圍第1項所述之感應器,其中該第一 及第二多孔流限制器係分別由第一及第二多孔材料作成, 該等第一及第二多孔材料具有實質相同之滲透特性。 7 ·如申請專利範圍第6項所述之感應器,其中該第一 多孔材料及第二多孔材料爲相同並包含聚乙烯。 8 ·如申請專利範圍第6項所述之感應器,其中該第一 多孔材料及第二多孔材料爲相同並包含燒結不鏽鋼。9 ·如申請專利範圍第1項所述之感應器,其中該第一 及第二多孔流限制器均具有約2至15mm之長度。 1 〇 ·如申請專利範圍第1項所述之感應器,其中該參考 探棒及該量測探棒均包含一或多數液體孔。 1 1 .如申請專利範圍第1 〇項所述之感應器,其中該參 考探棒與該量測探棒及每一液體孔沿著垂直於參考面與量 測面之方向延伸。 1 2 ·如申請專利範圍第1項所述之感應器,其中該參考 探棒與該量測探棒均包含一單一液體孔,其具有於約0.5 至2.5mm間之內徑。 -2- 1292032 1 ο) 年m命巧ϋ替換買 1 3 ·如申請專利範圍第1項所述之感應器,其中該參考 探棒與該量測探棒均包含一噴嘴。 14.如申請專利範圍第1項所述之感應器,其中該參考 探棒與該量測探棒均包含一噴氣頭噴嘴。 1 5 ·如申請專利範圍第丨項所述之感應器,其中該爲液 體質流感應器所感應之液體流係爲量測間距與該參考間距 間於奈米範圍內之差的指示。 1 6 . —種液體流接近感應器,用以感應於一參考面間 距與一量測面間距間之差,該感應器包含: 一接合點,其將輸入至液體流接近感應器之液體分成 至一參考通道及一量測通道; 一第一開關裝置,連接至該量測通道與多數量測分支 ,其中該第一開關裝置允許液體於一次流動於一量測分支 中,並可以用以將液體流由一量測分支切換至另一量測分 支; 一第一多孔流限制器,沿著參考通道放置,其中該第 一多孔流限制器均勻地限制通過參考通道之液體流; 多數量測分支多孔流限制器,沿著多數量測分支放置 ,其中每一量測分支多孔流限制器均勻地限制流經一個別 量測分支之液體流; 一參考探棒,在該參考通道之一端,藉以液體經由該 參考探棒離開參考通道及行經一參考間距,以碰撞在一參 考面上; 多數量測探棒,其中一量測探棒放置於每一量測分支 -3- 1292032 (4) )〇rn f4色替換頁 之一端,藉以液體經由一量測探棒離開一量測分支並行經 一量測間距,以碰撞於一量測面上;及 一第二開關裝置,連接至一橋通道及多數量測分支, 其中該第二開關裝置一次允許液體流動於一量測分支並可 以用以將液體流由一量測分支切換至另一量測分支;一液體質流感應器,連接於該參考通道與該第二開關 裝置之間,用以感應其間之液體流,藉以在參考面與量測 面間之間距的差可以以高靈敏度感應。 1 7 .如申請專利範圍第1 6項所述之感應器,更包含一 液體質流控制器位於該接合點之前,以輸出液體之固定液 體質流率。 1 8 .如申請專利範圍第1 7項所述之感應器,更包含一 緩衝器,位在該液體質流控制器之後,以降低液體渦流。1 9 .如申請專利範圍第1 6項所述之感應器,更包含一 壓力調節器位在該接合點之前,以輸出液體之固定液體質 流率。 2 0.如申請專利範圍第16項所述之感應器,更包含一 緩衝器,位於該接合點之前。 21.如申請專利範圍第16項所述之感應器,其中該第 一及每一量測分支多孔流限制器係由多孔材料作成’該等 多孔材料具有實質相同之滲透特性。 22·如申請專利範圍第21項所述之感應器,其中該等 用於第一多孔流限制器及每一量測分支流限制器之多孔材 料爲相同並包含聚乙烯。 -4 - 外年¢:月日衝幻正供瞎 1292032 k狀日賊)正π (5) Γ _____ 23 .如申請專利範圍第2 1項所述之感應器’其中該等 用於第一多孔流限制器及每一量測分支多孔流限制器之多 孔材料爲相同並包含燒結不鏽鋼。 24.如申請專利範圍第1 6項所述之感應器’其中該參 考探棒與每一量測探棒均包含一噴嘴。 2 5 .如申請專利範圍第1 6項所述之感應器,其中該參 考探棒與每一量測探棒均包含一噴氣頭噴嘴。 26 .如申請專利範圍第1 6項所述之感應器,其中該爲 液體質流感應器所感應之液體流的質量係爲量測間距與該 參考間距間於奈米範圍內之差的指示。 2 7.—種液體流接近感應器,用以感應於一參考面間 距與一量測面間距間之差,該感應器包含: 一接合點,其將輸入至液體流接近感應器之液體分成 至一參考通道及一量測通道; 一第一開關裝置,連接至該量測通道與多數參考分支 ,其中該第一開關裝置允許液體於一次流動於一參考分支 中,並可以用以將液體流由一參考分支切換至另一參考分 支; 一第一多孔流限制器,沿著量測通道放置,其中該第 一多孔流限制器均勻地限制通過量測通道之液體流; 多數參考分支多孔流限制器,沿著多數參考分支放置 ,其中每一參考分支多孔流限制器均勻地限制流經一個別 參考分支之液體流; 一量測探棒,在該量測通道之一端,藉以液體經由該 -5- 1292032 r——I ⑹ 作年k月/r日修< Jt)正替换買1 量測探棒離開量測通道及行經一量測間距,以碰撞在一量 測面上; 多數參考探棒,其中一參考探棒放置於每一參考分支 之一端,藉以液體經由一參考探棒離開一參考分支並行經 一參考間距,以碰撞於一參考面上;及 一第二開關裝置’連接至一橋通道及多數參考分支, 其中該第二開關裝置一次允許液體流動於一參考分支並可 以用以將液體流由一參考分支切換至另一參考分支; 一液體質流感應器’連接於該量測通道與該第二開關 裝置之間,用以感應其間之液體流,藉以在參考面與量測 面間之間距的差可以以高靈敏度感應。 28.如申請專利範圍第27項所述之感應器,更包含一 液體質流控制器位於該接合點之前,以輸出液體之固定液 體質流率。 29·如申請專利範圍第28項所述之感應器,更包含一 緩衝器,位在該液體質流控制器之後,以降低液體渦流。 30.如申請專利範圍第27項所述之感應器,更包含一 S力調節器位在該接合點之前,以輸出液體之固定液體質 流率。 3 1 ·如申請專利範圍第2 7項所述之感應器,更包含一 M ,位於該接合點之前。 3 2 ·如申請專利範圍第2 7項所述之感應器’其中該第 一及每〜量測分支多孔流限制器係由多孔材料作成,該等 多孔材料具有實質相同之滲透特性。 -6- 1292032 () i W年M Aa修(¾正替換頁 1,. 3 3 種於微影術中感應於一參考間距及一量測間距 中之差的方法 , J力法,包含步驟: (a) 將—* flea、办 攸體Η分佈於一量測通道與一參考通道之間 (b) 強迫液體流通過多孔限制器,以實質均勻地通過 里測與參考通道之剖面區域; (C)經由噴嘴輸出來自參考與量測通道之液體,以分 別碰撞於一微影參考面及一微影量測面上·,及 (d)感應一通過橋通道之液體質流率,該橋通道連接 該參考及量測通道,該液體質流率係爲於一量測間距與一 參考間距間之差大小的代表。 34·如申請專利範圍第3S項所述之方法,其中該步驟 (d)包含監視連接至該參考與量測通道之橋通道之液體質 流率的步驟’該液體質流率係爲量測間距與該參考間距間 之差大小之代表。 3 5 ·如申請專利範圍第3 3項所述之方法,其中該步驟 (d)包含監視於參考與量測通道中之液體壓力差,該液體 壓力差係爲量測間距與該參考間距間之差大小之代表。 3 6.如申請專利範圍第33項所述之方法,更包含反應 於該感應步驟’而執行一控制動作。 3 7 .如申請專利範圍第3 4項所述之方法,更包含反應 於該感應步驟’而執行一控制動作。 3 8 .如申請專利範圍第3 5項所述之方法,更包含反應 於該感應步驟,而執行一控制動作。 (8) (8) 1292032 〜-ΆΛ '-«rw.,.w... ________________ l A修(更)正制ϋ 3 9 . —種用以感應於一參考間距及一量測間距中之差 的方法,包含步驟: 與一參考通道之間 (a)將一液體流: (b) 將液體流切換於多數量測分支間,其中液體流一 次流經一量測分支; (c) 實質均勻地限制液體流於一量測分支與參考通道 之剖面區域上; (d) 經由噴嘴輸出來自參考通道與一量測分支之液體 ,以分別碰撞於一參考面及一量測面上;及 (e) 感應一通過橋通道之液體質流率,該橋通道連接 該參考及該等量測通道,該液體質流率係爲於一量測間距 與一參考間距間之差大小的代表。 40.如申請專利範圍第39項所述之方法,其中步驟(e) 包含監視連接至該參考通道與一量測分支之一橋通道之液 體質流率的步驟,該液體質流率係爲量測間距與該參考間 距間之差大小之代表。 4 1 ·如申請專利範圍第3 9項所述之方法,其中該步驟 (e)包含監視於參考通道與一量測分支中之液體壓力差的 步驟,該液體壓力差係爲量測間距與該參考間距間之差大 小之代表。 42 .如申請專利範圍第3 9項所述之方法,更包含反應 於該感應步驟,而執行一控制動作。 43 ·如申請專利範圍第40項所述之方法,更包含反應 -8 - 1292032 v 月 π:修,更)j£潜^頁 /Q) 」 l\J J ♦ t. e t 、. v.·,-· -.^»/-1—Wilf »1 1¾^ III -r-,--*4 於該感應步驟’而執行一控制動作。 44 ·如申請專利範圍第4 1項所述之方法,更包含反應 於該感應步驟’而執行一控制動作。 4 5 . —種用以映圖一量測面之構形之方法,包含步驟 - (a) 將一液體流注入一液體流接近感應器,其具有多 數量測分支; (b) 使用一量測分支,映圖該量測面之區域的構形; (c) 當完成該量測面之區域的映圖時,將液體流由一 量測分支切換至另一量測分支;及 (d) 重覆步驟(a)至(c),直到該量測面之所有區域中之 想要構形映圖均被映圖完成爲止。 46·如申請專利範圍第45項所述之方法,其中該量測 面係爲一半導體晶圓。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/322,768 US7010958B2 (en) | 2002-12-19 | 2002-12-19 | High-resolution gas gauge proximity sensor |
US10/683,271 US7021119B2 (en) | 2002-12-19 | 2003-10-14 | Liquid flow proximity sensor for use in immersion lithography |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200502527A TW200502527A (en) | 2005-01-16 |
TWI292032B true TWI292032B (en) | 2008-01-01 |
Family
ID=32393023
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW092135860A TWI292032B (en) | 2002-12-19 | 2003-12-17 | Liquid flow proximity sensor for use in immersion lithography |
TW092135861A TWI291547B (en) | 2002-12-19 | 2003-12-17 | High-resolution gas gauge proximity sensor |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW092135861A TWI291547B (en) | 2002-12-19 | 2003-12-17 | High-resolution gas gauge proximity sensor |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7010958B2 (zh) |
EP (2) | EP1431709A3 (zh) |
JP (1) | JP3975195B2 (zh) |
KR (1) | KR100754043B1 (zh) |
CN (1) | CN100427881C (zh) |
TW (2) | TWI292032B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI744732B (zh) * | 2018-12-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 流量限制器、流量限制器總成、微影設備、製造流量限制器之方法及製造流量限制器總成之方法 |
Families Citing this family (145)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100568101C (zh) * | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7372541B2 (en) * | 2002-11-12 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121818A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101101737B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2012-01-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법 |
KR20120127755A (ko) * | 2002-12-10 | 2012-11-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
US7948604B2 (en) * | 2002-12-10 | 2011-05-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
JP4352874B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7242455B2 (en) * | 2002-12-10 | 2007-07-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
EP1571694A4 (en) * | 2002-12-10 | 2008-10-15 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE DEVICE |
CN101424883B (zh) * | 2002-12-10 | 2013-05-15 | 株式会社尼康 | 曝光设备和器件制造法 |
EP1431710A3 (en) * | 2002-12-19 | 2004-09-15 | ASML Holding N.V. | Liquid flow proximity sensor for use in immersion lithography |
DE10261775A1 (de) | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems |
KR101506408B1 (ko) * | 2003-02-26 | 2015-03-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
KR20050110033A (ko) * | 2003-03-25 | 2005-11-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
EP1612850B1 (en) * | 2003-04-07 | 2009-03-25 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for manufacturing a device |
KR20110104084A (ko) * | 2003-04-09 | 2011-09-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
JP4488005B2 (ja) | 2003-04-10 | 2010-06-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用の液体を捕集するための流出通路 |
KR101364889B1 (ko) * | 2003-04-10 | 2014-02-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템 |
JP4656057B2 (ja) * | 2003-04-10 | 2011-03-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子 |
EP1611486B1 (en) * | 2003-04-10 | 2016-03-16 | Nikon Corporation | Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus |
JP4582089B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
SG10201803122UA (en) * | 2003-04-11 | 2018-06-28 | Nikon Corp | Immersion lithography apparatus and device manufacturing method |
KR101861493B1 (ko) | 2003-04-11 | 2018-05-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
WO2004095135A2 (en) * | 2003-04-17 | 2004-11-04 | Nikon Corporation | Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography |
TWI295414B (en) * | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2004102646A1 (ja) * | 2003-05-15 | 2004-11-25 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
TWI474380B (zh) | 2003-05-23 | 2015-02-21 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
TWI421911B (zh) | 2003-05-23 | 2014-01-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method |
KR101915914B1 (ko) * | 2003-05-28 | 2018-11-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2261741A3 (en) | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7317504B2 (en) * | 2004-04-08 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101940892B1 (ko) * | 2003-06-13 | 2019-01-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
KR101686762B1 (ko) | 2003-06-19 | 2016-12-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
US6867844B2 (en) * | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
DE60308161T2 (de) | 2003-06-27 | 2007-08-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
US6809794B1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
JP2007527615A (ja) * | 2003-07-01 | 2007-09-27 | 株式会社ニコン | 同位体特定流体の光学素子としての使用方法 |
WO2005010611A2 (en) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
EP1643543B1 (en) * | 2003-07-09 | 2010-11-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for manufacturing device |
WO2005006418A1 (ja) * | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP2264531B1 (en) | 2003-07-09 | 2013-01-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
EP3346485A1 (en) | 2003-07-25 | 2018-07-11 | Nikon Corporation | Projection optical system inspecting method and inspection apparatus, and a projection optical system manufacturing method |
EP1503244A1 (en) * | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
US7175968B2 (en) * | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
US7326522B2 (en) * | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
KR101343720B1 (ko) * | 2003-07-28 | 2013-12-20 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의제어 방법 |
US7779781B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7370659B2 (en) * | 2003-08-06 | 2008-05-13 | Micron Technology, Inc. | Photolithographic stepper and/or scanner machines including cleaning devices and methods of cleaning photolithographic stepper and/or scanner machines |
US20050044963A1 (en) * | 2003-08-25 | 2005-03-03 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
WO2005022616A1 (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-10 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4288426B2 (ja) | 2003-09-03 | 2009-07-01 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP4444920B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2010-03-31 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101323396B1 (ko) | 2003-09-29 | 2013-10-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법 |
JP2005136364A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-05-26 | Zao Nikon Co Ltd | 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
KR101203028B1 (ko) | 2003-10-08 | 2012-11-21 | 가부시키가이샤 자오 니콘 | 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법 |
JP4335213B2 (ja) | 2003-10-08 | 2009-09-30 | 株式会社蔵王ニコン | 基板搬送装置、露光装置、デバイス製造方法 |
TW201738932A (zh) | 2003-10-09 | 2017-11-01 | Nippon Kogaku Kk | 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法 |
US7352433B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7411653B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
JP4295712B2 (ja) | 2003-11-14 | 2009-07-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置製造方法 |
KR101682884B1 (ko) | 2003-12-03 | 2016-12-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 그리고 광학 부품 |
KR101681852B1 (ko) * | 2003-12-15 | 2016-12-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법 |
US20070081133A1 (en) * | 2004-12-14 | 2007-04-12 | Niikon Corporation | Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method |
JPWO2005057635A1 (ja) * | 2003-12-15 | 2007-07-05 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及びステージ装置、並びに露光方法 |
US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN1938646B (zh) * | 2004-01-20 | 2010-12-15 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 曝光装置和用于投影透镜的测量装置 |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR101377815B1 (ko) | 2004-02-03 | 2014-03-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
TW201816844A (zh) * | 2004-03-25 | 2018-05-01 | 日商尼康股份有限公司 | 曝光裝置、曝光方法、及元件製造方法 |
US7272976B2 (en) * | 2004-03-30 | 2007-09-25 | Asml Holdings N.V. | Pressure sensor |
US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8054448B2 (en) | 2004-05-04 | 2011-11-08 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US7616383B2 (en) * | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7021121B2 (en) * | 2004-05-27 | 2006-04-04 | Asml Holding N.V. | Gas gauge proximity sensor with a modulated gas flow |
KR101257960B1 (ko) | 2004-06-04 | 2013-04-24 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 광학적 결상 시스템의 결상 품질을 측정하기 위한 시스템 |
KR101421915B1 (ko) | 2004-06-09 | 2014-07-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE602005016429D1 (de) * | 2004-07-12 | 2009-10-15 | Nippon Kogaku Kk | Hren |
US7134321B2 (en) * | 2004-07-20 | 2006-11-14 | Asml Holding N.V. | Fluid gauge proximity sensor and method of operating same using a modulated fluid flow |
KR20070048164A (ko) * | 2004-08-18 | 2007-05-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060044533A1 (en) * | 2004-08-27 | 2006-03-02 | Asmlholding N.V. | System and method for reducing disturbances caused by movement in an immersion lithography system |
US7128427B2 (en) * | 2004-11-05 | 2006-10-31 | Sematech, Inc. | Method and apparatus for fluid handling in immersion lithography |
KR20070100864A (ko) * | 2004-12-07 | 2007-10-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7017390B1 (en) * | 2004-12-07 | 2006-03-28 | Asml Holding N.V. | Proximity sensor nozzle shroud with flow curtain |
US7397533B2 (en) * | 2004-12-07 | 2008-07-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7880860B2 (en) * | 2004-12-20 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG124359A1 (en) | 2005-01-14 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG124351A1 (en) * | 2005-01-14 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8692973B2 (en) * | 2005-01-31 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
KR20180125636A (ko) * | 2005-01-31 | 2018-11-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7282701B2 (en) * | 2005-02-28 | 2007-10-16 | Asml Netherlands B.V. | Sensor for use in a lithographic apparatus |
USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060232753A1 (en) * | 2005-04-19 | 2006-10-19 | Asml Holding N.V. | Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow |
US7286205B2 (en) * | 2005-04-25 | 2007-10-23 | Infineon Technologies Ag | Closing disk for immersion head |
US20060250588A1 (en) * | 2005-05-03 | 2006-11-09 | Stefan Brandl | Immersion exposure tool cleaning system and method |
US7583358B2 (en) * | 2005-07-25 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for retrieving residual liquid during immersion lens photolithography |
US7369214B2 (en) * | 2005-08-11 | 2008-05-06 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a metrology system with sensors |
US7456928B2 (en) * | 2005-08-29 | 2008-11-25 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for controlling ambient pressure during processing of microfeature workpieces, including during immersion lithography |
DE102005041111A1 (de) * | 2005-08-30 | 2007-03-01 | BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH | Kapazitiver Annäherungsschalter und Haushaltsgerät mit einem solchen |
US20070058263A1 (en) * | 2005-09-13 | 2007-03-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and methods for immersion lithography |
US7357768B2 (en) * | 2005-09-22 | 2008-04-15 | William Marshall | Recliner exerciser |
US7986395B2 (en) * | 2005-10-24 | 2011-07-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography apparatus and methods |
US7773195B2 (en) * | 2005-11-29 | 2010-08-10 | Asml Holding N.V. | System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography |
US20070124987A1 (en) * | 2005-12-05 | 2007-06-07 | Brown Jeffrey K | Electronic pest control apparatus |
KR100768849B1 (ko) * | 2005-12-06 | 2007-10-22 | 엘지전자 주식회사 | 계통 연계형 연료전지 시스템의 전원공급장치 및 방법 |
US20070151327A1 (en) * | 2005-12-29 | 2007-07-05 | Asml Holding N.V. | Gas gauge proximity sensor with internal gas flow control |
US20070151328A1 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-05 | Asml Holding N.V. | Vacuum driven proximity sensor |
US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102006001740B4 (de) * | 2006-01-13 | 2008-01-17 | Festo Ag & Co. | Abstands-Messeinrichtung |
US8472004B2 (en) * | 2006-01-18 | 2013-06-25 | Micron Technology, Inc. | Immersion photolithography scanner |
WO2007098587A1 (en) * | 2006-03-03 | 2007-09-07 | Philip Koshy | Assessment of surface roughness of objects |
DE102006021797A1 (de) | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung |
KR101501426B1 (ko) * | 2006-06-02 | 2015-03-11 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 차압 측정들에 의한 가스 유동 제어 |
US8564759B2 (en) * | 2006-06-29 | 2013-10-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for immersion lithography |
US7443483B2 (en) * | 2006-08-11 | 2008-10-28 | Entegris, Inc. | Systems and methods for fluid flow control in an immersion lithography system |
KR100805581B1 (ko) * | 2006-08-14 | 2008-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 켄트리버 속도 센서를 구비한 연료전지 시스템 |
US7853067B2 (en) * | 2006-10-27 | 2010-12-14 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for lithographic reticle inspection |
US8654305B2 (en) * | 2007-02-15 | 2014-02-18 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography |
US8817226B2 (en) | 2007-02-15 | 2014-08-26 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography |
US8237911B2 (en) | 2007-03-15 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine |
US7578168B2 (en) * | 2007-06-27 | 2009-08-25 | Asml Holding N.V. | Increasing gas gauge pressure sensitivity using nozzle-face surface roughness |
TWI389551B (zh) * | 2007-08-09 | 2013-03-11 | Mstar Semiconductor Inc | 迦瑪校正裝置 |
US7694549B2 (en) * | 2007-10-23 | 2010-04-13 | Michel Dechape | Pneumatic gauging system A.K.A. air gauging system A.K.A. air electric converter |
DE102008010337A1 (de) * | 2008-02-14 | 2009-10-29 | Basar Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Geometriemessung an einem Werkstück |
KR101448152B1 (ko) * | 2008-03-26 | 2014-10-07 | 삼성전자주식회사 | 수직 포토게이트를 구비한 거리측정 센서 및 그를 구비한입체 컬러 이미지 센서 |
JP5097166B2 (ja) * | 2008-05-28 | 2012-12-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置の動作方法 |
JP4910179B2 (ja) * | 2008-05-28 | 2012-04-04 | Smc株式会社 | フローセンサ |
NL2003266A1 (nl) * | 2008-08-11 | 2010-02-15 | Asml Holding Nv | Multi nozzle proximity sensor employing common sensing and nozzle shaping. |
JP2010098172A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Canon Inc | 液体回収装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
NL2003385A (en) * | 2008-10-23 | 2010-04-26 | Asml Holding Nv | Fluid assisted gas gauge proximity sensor. |
NL2003389A (en) * | 2008-11-04 | 2010-05-06 | Asml Holding Nv | Reverse flow gas gauge proximity sensor. |
KR101929864B1 (ko) | 2009-07-31 | 2018-12-17 | 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. | 저압 및 고압 근접 센서 |
US8946514B2 (en) * | 2009-12-28 | 2015-02-03 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Sorghum fertility restorer genotypes and methods of marker-assisted selection |
US8717542B2 (en) * | 2009-12-30 | 2014-05-06 | Nikon Corporation | Fluid gauge with multiple reference gaps |
EP2381310B1 (en) | 2010-04-22 | 2015-05-06 | ASML Netherlands BV | Fluid handling structure and lithographic apparatus |
WO2012174273A1 (en) * | 2011-06-15 | 2012-12-20 | Nikon Corporation | Low-noise fluid gauges |
WO2013063104A1 (en) | 2011-10-25 | 2013-05-02 | Nikon Corporation | Air gauges comprising dual-range differential pressure sensor |
US10466045B2 (en) * | 2012-01-31 | 2019-11-05 | Nikon Corporation | Fluid gauges comprising multiple differential pressure sensors |
CN103776399A (zh) * | 2014-01-10 | 2014-05-07 | 西安交通大学 | 基于流体力学原理的三坐标测头系统及三坐标测量方法 |
NL2016877A (en) * | 2015-06-18 | 2016-12-22 | Asml Holding Nv | An apparatus including a gas gauge and method of operating the same |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2571557A (en) | 1947-09-04 | 1951-10-16 | Etavex S A | Pneumatic size gauging device |
US2986924A (en) * | 1955-09-16 | 1961-06-06 | Becker Wilhelm Fritz Kurt | Device for location of surfaces |
NL100698C (zh) * | 1956-04-25 | |||
GB1094833A (en) * | 1965-09-24 | 1967-12-13 | Burchell James Gladwyn | Improvements in or relating to gauges |
US3433408A (en) * | 1967-11-15 | 1969-03-18 | Corning Glass Works | Binary counter |
US3792609A (en) * | 1971-05-10 | 1974-02-19 | Tylan Corp | Flow splitter |
GB1399397A (en) | 1972-10-05 | 1975-07-02 | Pye Ltd | Fluid flow control arrangements |
US4041584A (en) * | 1976-09-29 | 1977-08-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Loading apparatus for crimper rolls |
US4187715A (en) * | 1978-07-07 | 1980-02-12 | The Bendix Corporation | Method and apparatus for dimensional gaging with fluid pressure |
US4179919A (en) * | 1978-09-18 | 1979-12-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Terrain contour tracking system |
JPS57191507A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-25 | Hitachi Ltd | Distance measuring device |
US4583917A (en) * | 1983-06-17 | 1986-04-22 | Shah Nayan S | Pressure regulating and monitoring device |
US4550592A (en) * | 1984-05-07 | 1985-11-05 | Dechape Michel L | Pneumatic gauging circuit |
SU1225634A2 (ru) * | 1984-11-19 | 1986-04-23 | Киевский Институт Автоматики Им.25 Съезда Кпсс | Бесконтактный датчик неплоскостности полосы |
US5181532A (en) | 1988-09-16 | 1993-01-26 | Lage Brodefors | Flow control |
US4971517A (en) * | 1988-12-27 | 1990-11-20 | Allied-Signal Inc. | Turbine blade clearance controller |
US4953388A (en) * | 1989-01-25 | 1990-09-04 | The Perkin-Elmer Corporation | Air gauge sensor |
US5184503A (en) * | 1991-05-21 | 1993-02-09 | Northern Telecom Limited | Device for measuring change in profile height of articles |
CA2078727A1 (en) * | 1992-09-21 | 1994-03-22 | Karoly G. Nemeth | Method and apparatus for detecting thickness variations in sheet material |
DE4344264C2 (de) * | 1992-12-28 | 1995-12-21 | Smc Kk | Positionsdetektor |
US6244121B1 (en) * | 1998-03-06 | 2001-06-12 | Applied Materials, Inc. | Sensor device for non-intrusive diagnosis of a semiconductor processing system |
US6152162A (en) * | 1998-10-08 | 2000-11-28 | Mott Metallurgical Corporation | Fluid flow controlling |
-
2002
- 2002-12-19 US US10/322,768 patent/US7010958B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-10-14 US US10/683,271 patent/US7021119B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-12 EP EP03028485A patent/EP1431709A3/en not_active Withdrawn
- 2003-12-16 EP EP08018579A patent/EP2023080A2/en not_active Withdrawn
- 2003-12-17 TW TW092135860A patent/TWI292032B/zh active
- 2003-12-17 TW TW092135861A patent/TWI291547B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-12-18 KR KR1020030093098A patent/KR100754043B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-12-18 JP JP2003421214A patent/JP3975195B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-19 CN CNB2003101232012A patent/CN100427881C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-08-08 US US11/198,278 patent/US7124624B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI744732B (zh) * | 2018-12-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 流量限制器、流量限制器總成、微影設備、製造流量限制器之方法及製造流量限制器總成之方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7010958B2 (en) | 2006-03-14 |
US7021119B2 (en) | 2006-04-04 |
TW200422585A (en) | 2004-11-01 |
EP1431709A2 (en) | 2004-06-23 |
JP3975195B2 (ja) | 2007-09-12 |
CN100427881C (zh) | 2008-10-22 |
TW200502527A (en) | 2005-01-16 |
JP2004198429A (ja) | 2004-07-15 |
US20040118184A1 (en) | 2004-06-24 |
KR20040054567A (ko) | 2004-06-25 |
CN1510394A (zh) | 2004-07-07 |
EP1431709A3 (en) | 2004-09-15 |
TWI291547B (en) | 2007-12-21 |
KR100754043B1 (ko) | 2007-08-31 |
US20040118183A1 (en) | 2004-06-24 |
EP2023080A2 (en) | 2009-02-11 |
US20050268698A1 (en) | 2005-12-08 |
US7124624B2 (en) | 2006-10-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI292032B (en) | Liquid flow proximity sensor for use in immersion lithography | |
US7472579B2 (en) | Liquid flow proximity sensor for use in immersion lithography | |
US20070151327A1 (en) | Gas gauge proximity sensor with internal gas flow control | |
JP4695061B2 (ja) | 圧力センサ | |
JP4186831B2 (ja) | 質量流量制御装置 | |
US20080034888A1 (en) | High-Resolution Gas Gauge Proximity Sensor | |
JP2008523588A (ja) | フローカーテンを形成する、近接センサのノズルシュラウド | |
JP6302711B2 (ja) | リニアゲージ | |
JP4394067B2 (ja) | 機構の不安定性の自己補償が行われる近接センサ | |
JP7127247B2 (ja) | 粒子センサ、および粒子濃度を測定する方法 | |
EP3227756B1 (en) | Wireless flow restrictor of a flowmeter | |
JP2005208047A (ja) | 部材の次元的パラメータ決定方法 | |
JP6181568B2 (ja) | 台上ウェット路面形成装置 | |
JP2001091315A (ja) | 流体振動形流量センサにおける流量計測範囲拡大方法及び、流体振動形流量計 |