KR20040036800A - 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 소자분리막 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20040036800A KR20040036800A KR1020020065150A KR20020065150A KR20040036800A KR 20040036800 A KR20040036800 A KR 20040036800A KR 1020020065150 A KR1020020065150 A KR 1020020065150A KR 20020065150 A KR20020065150 A KR 20020065150A KR 20040036800 A KR20040036800 A KR 20040036800A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- trench
- forming
- film
- pad
- semiconductor substrate
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000002955 isolation Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 10
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/76224—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials
- H01L21/76232—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials of trenches having a shape other than rectangular or V-shape, e.g. rounded corners, oblique or rounded trench walls
- H01L21/76235—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials of trenches having a shape other than rectangular or V-shape, e.g. rounded corners, oblique or rounded trench walls trench shape altered by a local oxidation of silicon process step, e.g. trench corner rounding by LOCOS
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/266—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation using masks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
Description
Claims (9)
- 소자 분리 영역 및 액티브 영역이 정의된 반도체 기판 상에 패드 산화막 및 패드 질화막을 순차적으로 형성하는 단계;상기 소자 분리 영역의 상기 패드 질화막, 패드 산화막 및 반도체 기판의 일부를 제거하여 상기 반도체 기판 내에 트랜치를 형성하는 단계;트랜치 라운딩 산화 공정을 실시하여 상기 트랜치 내측으로 산화막을 형성하는 단계;전체 구조 상부에 HDP 산화막을 증착하는 단계:CMP 공정을 실시하는 단계;N2이온 주입 공정을 실시하는 단계;어닐 공정을 실시하는 단계를 포함하여 이루어 진 것을 특징으로 하는 소자 분리막 형성방법.
- 제 1항에 있어서,상기 트랜치 형성 후 SC-1(NH4OH : H2O2:H2O = 1 : 5 : 50)용액을 이용하여 약 50 ℃ 대략 10분 동안 전 세정 공정을 실시한 후 [HF : H2O = 1 : 99]용액에서 약 180초 동안 세정 공정을 실시하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로하는 반도체 소자의 소자분리막 형성방법.
- 제 1항에 있어서,상기 트랜치 라운딩 산화 공정은 1000~1200 ℃의 고온 건식 산화(dry oxidation)분위기에서 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 산화막은 50~150Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자 분리막 형성방법.
- 제 1항에 있어서,상기 N2이온 주입의 Rp는 상기 패드 질화막의 2/3~5/6 지점에 위치되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 형성방법.
- 제 1항에 있어서,상기 N2이온 주입 조건은 40-70KeV, 1.0e14~1.0e15 atoms.Cm2 인것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 CMP 공정의 타겟은 패드 질화막이 0~50 % 제거되도록 설정하는 것을 특징으로하는 반도체 소자의 소자 분리막 형성방법.
- 제 1항에 있어서,상기 패드 산화막은 50 내지 200Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 형성방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 패드 질화막은 1000 내지 2000 Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자 분리막 형성방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0065150A KR100473732B1 (ko) | 2002-10-24 | 2002-10-24 | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0065150A KR100473732B1 (ko) | 2002-10-24 | 2002-10-24 | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040036800A true KR20040036800A (ko) | 2004-05-03 |
KR100473732B1 KR100473732B1 (ko) | 2005-03-10 |
Family
ID=37335440
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2002-0065150A KR100473732B1 (ko) | 2002-10-24 | 2002-10-24 | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100473732B1 (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100563733B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2006-03-28 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 소자의 소자 분리막 형성방법 |
KR100976669B1 (ko) * | 2008-07-17 | 2010-08-18 | 주식회사 동부하이텍 | 플래시 메모리 소자의 제조방법 |
KR101024335B1 (ko) * | 2004-06-14 | 2011-03-23 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 소자 분리막 형성방법 및 이를 이용한게이트 산화막 형성방법 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0183886B1 (ko) * | 1996-06-17 | 1999-04-15 | 김광호 | 반도체장치의 트렌치 소자분리 방법 |
KR20000003352A (ko) * | 1998-06-27 | 2000-01-15 | 김영환 | 반도체 장치 제조방법 |
KR20000045299A (ko) * | 1998-12-30 | 2000-07-15 | 김영환 | 반도체 소자의 제조방법 |
KR20030001941A (ko) * | 2001-06-28 | 2003-01-08 | 동부전자 주식회사 | 반도체소자의 제조방법 |
-
2002
- 2002-10-24 KR KR10-2002-0065150A patent/KR100473732B1/ko active IP Right Grant
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101024335B1 (ko) * | 2004-06-14 | 2011-03-23 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 소자 분리막 형성방법 및 이를 이용한게이트 산화막 형성방법 |
KR100563733B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2006-03-28 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 소자의 소자 분리막 형성방법 |
KR100976669B1 (ko) * | 2008-07-17 | 2010-08-18 | 주식회사 동부하이텍 | 플래시 메모리 소자의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100473732B1 (ko) | 2005-03-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5811347A (en) | Nitrogenated trench liner for improved shallow trench isolation | |
JP2001332615A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
KR100473732B1 (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 | |
US6333218B1 (en) | Method of etching contacts with reduced oxide stress | |
KR100950749B1 (ko) | 반도체소자의 소자분리막 형성방법 | |
KR20010068644A (ko) | 반도체장치의 소자격리방법 | |
KR20070002945A (ko) | 반도체 소자의 트렌치형 소자분리막 형성방법 | |
KR100501641B1 (ko) | 반도체 소자의 웰 형성방법 | |
KR100400301B1 (ko) | 반도체소자의 소자분리막 형성방법 | |
KR100444607B1 (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 | |
KR100663609B1 (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 제조 방법 | |
KR100469761B1 (ko) | 소자분리막 형성 방법 | |
KR100588643B1 (ko) | 셀로우 트렌치 소자 분리막 제조 방법 | |
KR100520512B1 (ko) | 질소 이온 주입 공정을 포함한 반도체 제조 방법 | |
KR20050028573A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
KR100431087B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
KR20030050199A (ko) | 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법 | |
KR20050069519A (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
KR20030054743A (ko) | 반도체 소자의 격리영역 형성방법 | |
KR20010061041A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 형성방법 | |
KR20040053439A (ko) | 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법 | |
KR20010066342A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 형성방법 | |
KR20040046514A (ko) | 반도체 소자의 소자 분리막 형성방법 | |
KR20030086839A (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 | |
KR20010027434A (ko) | 에스오아이 반도체 소자 분리 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130122 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140116 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150116 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160119 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170117 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180116 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190117 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200116 Year of fee payment: 16 |