KR20030023454A - 포지티브 감광성 조성물 - Google Patents
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Abstract
Description
수지 | 반복단위1(mol%) | 반복단위2(mol%) | 반복단위3(mol%) | 반복단위4(mol%) | 분자량 |
2 | 53 | 40 | 7 | 13400 | |
3 | 46 | 34 | 20 | 9400 | |
4 | 42 | 31 | 27 | 8300 | |
5 | 49 | 42 | 9 | 9900 | |
6 | 42 | 30 | 28 | 10300 | |
7 | 39 | 35 | 26 | 8900 | |
8 | 46 | 22 | 30 | 2 | 12900 |
9 | 42 | 20 | 32 | 6 | 11600 |
10 | 46 | 42 | 12 | 9200 | |
11 | 38 | 32 | 30 | 11300 | |
12 | 42 | 18 | 38 | 2 | 13800 |
13 | 38 | 31 | 29 | 2 | 11100 |
14 | 50 | 31 | 19 | 11700 | |
15 | 35 | 6 | 16 | 43 | 13200 |
수지 | 지환올레핀단위 1(mol%) | 지환올레핀단위 2(mol%) | 지환올레핀단위 3(mol%) | 무수말레인산(mol%) | 분자량 |
17 | 35 | 15 | 50 | 8200 | |
18 | 20 | 30 | 50 | 8600 | |
19 | 36 | 14 | 50 | 9100 | |
20 | 31 | 19 | 50 | 7900 | |
21 | 35 | 5 | 10 | 50 | 8300 |
22 | 33 | 17 | 50 | 8500 | |
23 | 38 | 12 | 50 | 8900 | |
24 | 31 | 6 | 13 | 50 | 8100 |
25 | 33 | 7 | 10 | 50 | 9100 |
26 | 40 | 10 | 50 | 9300 | |
27 | 34 | 16 | 50 | 8800 |
수지 | 노르보르넨류 | 산무수물 | (메타)아크릴레이트 | Mw |
29 | 20/15 | 40 | 15/10 | 11900 |
30 | 32 | 37 | 20/8/3 | 10500 |
31 | 16 | 21 | 36/27 | 13900 |
32 | 15 | 22 | 34/29 | 12300 |
33 | 17 | 20 | 33/30 | 12400 |
34 | 18 | 24 | 32/26 | 13000 |
35 | 15 | 19 | 36/30 | 12700 |
36 | 15 | 20 | 29/10/26 | 13100 |
37 | 17 | 21 | 31/31 | 12800 |
38 | 18 | 17/3 | 30/32 | 13300 |
39 | 16 | 19 | 31/12/11/11 | 12600 |
40 | 20 | 22 | 58 | 14700 |
41 | 23 | 28 | 35/14 | 13300 |
Claims (20)
- (A1) 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 α위치가 불소원자로 치환된 알칸술폰산을 발생하는 화합물, (A2) α위치가 불소원자로 치환되어 있지 않은 알칸술폰산의 오늄염, 및 (B) 단환 또는 다환의 지환식 탄화수소 구조를 갖고, 산의 작용에 의해 분해되어, 알칼리 현상액 중에서 용해속도가 증가하는 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 조성물.
- 제 1항에 있어서, 성분(B)의 수지는 락톤 구조를 갖는 반복단위를 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 조성물.
- 제 1항에 있어서, 성분(A1)의 화합물은 술포늄염인 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 조성물.
- 제 1항에 있어서, 성분(A2)의 오늄염은 술포늄염, 요오드늄염, 또는 암모늄염인 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 조성물.
- 제 1항에 있어서, 성분(A1)의 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 α위치가불소원자로 치환된 알칸술폰산을 발생하는 화합물은 하기 일반식(A1)에 의해 나타내어지는 음이온 부분 및 양이온 부분으로 구성되는 술포늄염인 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 조성물.(여기서, R1, R2및 R3은 같거나 달라도 좋고, 각각 독립적으로 유기잔기, 또는 R1, R2및 R3중 두개가 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 좋고, 상기 환은 산소원자, 황원자, 에스테르 결합, 아미도 결합 또는 카르보닐기를 나타내고; Z-는 쌍음이온을 나타낸다.)
- 제 5항에 있어서, 쌍음이온은 α위치의 탄소원자가 불소원자로 치환된 알칸술폰산 음이온인 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 조성물.
- 제 5항에 있어서, 술포늄염은 일반식(A1)에 의해 나타내어지는 화합물로서, R1, R2및 R3은 같거나 달라도 좋고, 각각 아릴기를 나타내는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 조성물.
- 제 5항에 있어서, 술포늄염은 일반식(A1)에 의해 나타내어지는 화합물로서,R1, R2및 R3은 같거나 달라도 좋고, 각각 독립적으로 방향환을 함유하지 않는 유기잔기를 나타내는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 조성물.
- 제 5항에 있어서, 술포늄염은 하기 일반식(A1-3)에 의해 나타내어지는 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 조성물.(여기서, R1c∼R5c는 같거나 달라도 좋고, 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 알콕시기, 또는 할로겐원자를 나타내고; R6c및 R7c는 같거나 달라도 좋고, 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고; Rx및 Ry는 같거나 달라도 좋고, 각각 독립적으로 알킬기, 2-옥소알킬기, 알콕시카르보닐메틸기, 알릴기 또는 비닐기를 나타내고, 각각의 R1c∼R7c및 Rx과 Ry중 두개 이상이 서로 결합하여 환 구조를 형성하여도 좋고, 상기 환 구조는 산소원자, 황원자, 에스테르 결합 또는 아미도 결합을 함유하여도 좋고; Zc -는 α위치의 탄소원자가 불소원자로 치환된 알칸술폰산 음이온을 나타낸다.)
- 제 1항에 있어서, 성분(A2)의 α위치가 불소원자로 치환되어 있지 않은 알칸술폰산의 오늄염은 하기 일반식(A2-1), (A2-2) 또는 (A2-3)에 의해 나타내어지는 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 조성물.(여기서, R1d, R2d및 R3d는 같거나 달라도 좋고, 각각 독립적으로 유기잔기를 나타내고, R1d, R2d및 R3d중 두개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 좋고, 상기 환은 산소원자, 황원자, 에스테르 결합, 아미도 결합 또는 카르보닐기를 함유하여도 좋다; R1e, R2e, R1f, R2f, R3f및 R4f는 같거나 달라도 좋고, 각각 독립적으로 치환 또는 미치환의 알킬기, 또는 치환 또는 미치환의 아릴기를 나타내고; R1f, R2f, R3f및 R4f는 각각 수소원자를 나타내어도 좋고; X-는 α위치의 탄소원자가 불소원자로 치환되어 있지 않은 알칸술폰산 음이온을 나타낸다.)
- 제 1항에 있어서, 성분(B)의 수지는 하기 일반식(pI), (pII), (pIII), (pIV), (pV) 또는 (pVI)에 의해 나타내어지는 지환식 탄화수소를 함유하는 반복구조를 갖는 반복단위와 하기 일반식(II)에 의해 나타내어지는 반복단위로부터 선택되는 반복단위를 한개 이상 함유하는 수지인 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 조성물.(여기서, R11은 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소부틸기 또는 sec-부틸기를 나타낸다; Z는 탄소원자와 함께 지환식 탄화수소기를 형성하기 위해 필요한 원자단을 나타낸다; R12∼R16은 각각 독립적으로 탄소수 1∼4를 갖는 직쇄상, 또는 분기상 알킬기 또는 지환식 탄화수소기를 나타내고, 단, R12∼R14중 한개 이상과 R15또는 R16중 어느 하나는 지환식 탄화수소기를 나타낸다; R17∼R21은 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1∼4를 갖는 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 또는 지환식 탄화수소기를 나타내고, 단, R17∼R21중 한개 이상은 지환식 탄화수소기를 나타내고, R19또는 R21중 어느 하나는 탄소수 1∼4를 갖는 직쇄상 또는 분기상 알킬기 또는 지환식 탄화수소기를 나타내며; R22∼R25는 각각 독립적으로 탄소수 1∼4를 갖는 직쇄상 또는 분기상 알킬기 또는 지환식 탄화수소기를 나타내고, 단, R22∼R25중 한개 이상은 지환식 탄화수소기를 나타내고, R23및 R24는 서로 결합하여 환을 형성하여도 좋다.(II)여기서, R11' 및 R12'는 같거나 달라도 좋고, 각각 독립적으로 수소원자, 시아노기, 할로겐원자 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기를 나타내고; Z'는 연결된 두개 탄소원자(C-C)와 함께 치환기를 갖고 있어도 좋은 지환식 구조를 형성하기 위해 필요한 원자단을 나타낸다.)
- 제 1항에 있어서, 일반식(II)에 의해 나타내어지는 반복단위는 하기 일반식(II-A) 또는 (II-B)에 의해 나타내어지는 반복단위인 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 조성물.(여기서, R13'∼R16'는 같거나 달라도 좋고, 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 시아노기, -COOH, -COOR5, 산의 작용에 의해 분해될 수 있는 기, -C(=O)-X-A'-R17', 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 환상 탄화수소기를 나타내고; R5는 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 환상 탄화수소기 또는 Y에 의해 나타내어지는 기를 나타낸다; X는 산소원자, 황원자, -NH-, -NHSO2- 또는 -NHSO2NH-를 나타내고; A'는 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, R13'∼R16' 중 두개 이상은 서로 결합하여 환을 형성하여도 좋다; n은 0 또는 1을 나타낸다; R17'은 -COOH, -COOR5, -CN, 히드록시기, 치환기를 갖고 있어도좋은 알콕시기, -CO-NH-R6, -CO-NH-SO2-R6또는 Y에 의해 나타내어지는 기를 나타낸다; R6은 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 환상 탄화수소기를 나타내고; Y에 의해 나타내어지는 기는 하기 일반식을 갖는다.여기서, R21'∼R30'은 같거나 달라도 좋고, 각각 독립적으로 수소원자 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기를 나타내고; a 및 b는 1 또는 2를 나타낸다.)
- 제 1항에 있어서, 락톤 구조를 갖는 반복단위는 하기 일반식(IV)에 의해 나타내어지는 것임을 특징으로 하는 포지티브 감광성 조성물.(여기서, R1a는 수소원자 또는 메틸기를 나타내고; W1은 단결합, 알킬렌기, 에테르기, 티오에테르기, 카르보닐기, 에스테르기 또는 그들의 두개 이상의 결합을 나타낸다; Ra1, Rb1, Rc1, Rd1및 Re1은 같거나 달라도 좋고, 각각 독립적으로 수소원자 또는 탄소수 1∼4를 갖는 알킬기를 나타내고; m 및 n은 같거나 달라도 좋고, 각각 독립적으로 0∼3의 정수를 나타낸다. 단, m 및 n의 총합은 2∼6이다)
- 제 1항에 있어서, 성분(B)의 수지는 하기 일반식(V-1)∼(V-4) 중 어느 하나에 의해 나타내어지는 기를 갖는 반복단위를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 조성물.(여기서, R1b, R2b, R3b, R4b및 R5b는 같거나 달라도 좋고, 각각 독립적으로 수소원자, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 시클로알킬기 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 알케닐기를 나타내고, R1b, R2b, R3b, R4b및 R5b중 두개는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 좋다.)
- 제 1항에 있어서, 성분(B)의 수지는 하기 일반식(VI)에 의해 나타내어지는 기를 갖는 반복단위를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 조성물.(여기서, A6은 단결합, 알킬렌기, 시클로알킬렌기, 에테르기, 티오에테르기, 카르보닐기, 에스테르기 또는 그들의 두개 이상의 결합을 나타낸다; R6a는 수소원자, 탄소수 1∼4를 갖는 알킬기, 시아노기 또는 할로겐원자를 나타낸다.)
- 제 1항에 있어서, 성분(B)의 수지는 하기 일반식(VII)에 의해 나타내어지는 기를 갖는 반복단위를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 조성물.(여기서, R2c, R3c및 R4c는 같거나 달라도 좋고, 각각 수소원자 또는 히드록시기를 나타내고, 단, R2c, R3c및 R4c중 한개 이상은 히드록시기를 나타낸다.)
- 제 1항에 있어서, 성분(B)의 수지는 하기 일반식(VIII)에 의해 나타내어지는 기를 갖는 반복단위를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 조성물.(여기서, Z2는 -O- 또는 -N(R41)-을 나타내고; R41은 수소원자, 히드록시기, 알킬기, 할로알킬기, 또는 -O-SO2-R42를 나타내고; R42는 알킬기, 할로알킬기, 시클로알킬기 또는 장뇌잔기를 나타낸다.)
- 제 1항에 있어서, 염기성 화합물을 더 함유하는 것을 특징로 하는 포지티브 감광성 조성물.
- 제 18항에 있어서, 염기성 화합물은 하기 일반식(A)∼(E) 중 어느 하나에 의해 나타내어지는 구조를 갖는 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 조성물.(여기서, R250, R251및 R252는 같거나 달라도 좋고, 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1∼6을 갖는 알킬기, 탄소수 1∼6을 갖는 아미노알킬기, 탄소수 1∼6을 갖는 히드록시알킬기 또는 탄소수 6∼20을 갖는 치환 또는 미치환의 아릴기를 나타내고, R250및 R251은 서로 결합하여 환을 형성하여도 좋다.여기서, R253, R254, R255및 R256는 같거나 달라도 좋고, 각각 독립적으로 탄소수 1∼6을 갖는 알킬기를 나타낸다.)
- 제 1항에 있어서, 불소계 및/또는 실리콘계 계면활성제를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 조성물.
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