KR20020093584A - 전해 구리 도금법 - Google Patents
전해 구리 도금법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20020093584A KR20020093584A KR1020020031561A KR20020031561A KR20020093584A KR 20020093584 A KR20020093584 A KR 20020093584A KR 1020020031561 A KR1020020031561 A KR 1020020031561A KR 20020031561 A KR20020031561 A KR 20020031561A KR 20020093584 A KR20020093584 A KR 20020093584A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- bath
- electrolytic copper
- copper plating
- anode
- dummy
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/10—Electrodes, e.g. composition, counter electrode
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/16—Regeneration of process solutions
- C25D21/18—Regeneration of process solutions of electrolytes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/18—Electroplating using modulated, pulsed or reversing current
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/423—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
Description
Claims (14)
- 도금될 기판을 구리 전기도금액과 접촉시키고; 구리 전기도금액에 전류 밀도를 적용하여 기판상에 구리를 침착시킨 후; 불용성 양극을 사용하여 구리 전기도금액을 더미 전기분해(dummy electrolysis)시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하여 구리를 도금하는 방법.
- 구리 전기도금액 및 가용성 양극을 포함하는 구리 전기도금조를 사용하여 기판상에 구리를 전해적으로 침착시키고; 구리 침착후 가용성 양극을 불용성 양극으로 대체시킨 후; 불용성 양극을 사용하여 구리 전기도금액을 더미 전기분해시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하여 구리를 도금하는 방법.
- 구리 전기도금액, 가용성 양극 및 불용성 양극을 포함하는 구리 도금조를 사용하여 가용성 양극에 전류 밀도를 적용함으로써 기판상에 구리를 전해적으로 침착시킨 후; 불용성 양극을 사용하여 구리 전기도금액을 더미 전기분해시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하여 구리를 도금하는 방법.
- 가용성 양극을 갖는 주 조(main bath), 불용성 양극을 갖는 더미 전기분해조, 및 주 조와 더미 전기분해조 사이로 유체가 전달되도록 주 조와 더미 전기분해조를 연결하는 순환 파이프를 포함하는 다중조 구리 전기도금 장치를 제공하고; 주조 및 더미 전기분해조에 구리 전기도금액을 제공하며; 도금될 기판을 주 조에서 구리 전기도금액과 접촉시킨 후; 주 조와 더미 전기분해조 사이의 구리 전기도금액을 순환 파이프를 통해 순환시키면서 가용성 양극 및 불용성 양극에 전류 밀도를 적용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하여 구리를 도금하는 방법.
- 가용성 양극을 갖는 주 조, 불용성 양극을 갖는 더미 전기분해조, 및 주 조와 더미 전기분해조 사이로 유체가 전달되도록 주 조와 더미 전기분해조를 연결하는 순환 파이프를 포함하는 다중조 구리 전기도금 장치를 제공하고; 주 조에 구리 전기도금액을 제공하며; 도금될 기판을 주 조에서 구리 전기도금액과 접촉시킨 후; 가용성 양극에 전류 밀도를 적용하여 기판상에 구리를 침착시키며; 주 조로부터의 구리 전기도금액을 순환 파이프를 사용하여 더미 전기분해조에 공급하며; 구리 전기도금액을 더미 전기분해시킨 다음; 더미 전기분해조로부터의 구리 전기도금액을 순환 파이프를 사용하여 주 조에 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하여 구리를 도금하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 구리 전기도금액이 -X-S-Y-(여기에서, X 및 Y는 수소, 탄소, 황 및 질소로 구성된 그룹중에서 독립적으로 선택된 원자이며, 이들 X 및 Y는 둘 다 탄소인 경우에만 동일할 수 있다) 구조를 가진 화합물을 포함하는 방법.
- 제 6 항에 있어서, -X-S-Y- 구조를 가진 화합물이 하기 (1) 내지 (8)로 구성된 그룹중에서 선택된 화합물인 방법:(1) M-SO3-(CH2)a-S-(CH2)b-SO3-M;(2) M-SO3-O-CH2-S-CH2-O-(CH2)b-SO3-M;(3) M-SO3-(CH2)a-S-S-(CH2)b-SO3-M;(4) M-SO3-(CH2)a-O-CH2-S-S-CH2-O-(CH2)b-SO3-M;(5) M-SO3-(CH2)a-S-C(=S)-S-(CH2)b-SO3-M;(6) M-SO3-(CH2)a-O-CH2-S-C(=S)-CH2-O-(CH2)b-SO3-M;(7) A-S-(CH2)a-SO3-M; 및(8) A-S-CH2-O-(CH2)b-SO3-M.상기 식 (1) 내지 (8)에서,a 및 b는 3 내지 8의 정수이고;M은 수소 또는 알칼리 금속이며;A는 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬 그룹, 아릴 그룹, 1 내지 6개의 질소 및 1 내지 20개의 탄소로 구성된 직쇄 또는 사이클릭 아민 화합물, 또는 1 내지 2개의 황, 1 내지 6개의 질소 및 1 내지 20개의 탄소로 구성된 헤테로사이클릭 화합물이다.
- 제 6 항에 있어서, 구리 전기도금액중 -X-S-Y- 구조를 가진 화합물의 양이0.1 내지 100 mg/ℓ인 방법.
- 제 1 항에 있어서, 가용성 양극 및 불용성 양극의 표면적비가 1:100 내지 100:1인 방법.
- 제 1 항에 있어서, 불용성 양극이 산화이리듐, 백금-도포된(clad) 티탄, 이산화납-코팅된 티탄, 납 합금, 페라이트 및 스테인레스강으로 구성된 그룹중에서 선택되는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 기판이 관통홀(through-hole) 또는 비어-홀(via-hole)을 포함하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 전류 밀도가 직류, PPR 전류 또는 교류 타입을 사용하여 적용되는 방법.
- 가용성 양극 및 불용성 양극을 갖는 전해 구리 도금조.
- 가용성 양극을 갖는 주 조, 불용성 양극을 갖는 더미 전기분해조, 및 주 조와 더미 전기분해조 사이의 유체 전달로 전해 구리 도금액이 순환되는 순환 파이프로 구성된 다중조 전해 구리 도금 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2001-00172312 | 2001-06-07 | ||
JP2001172312 | 2001-06-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020093584A true KR20020093584A (ko) | 2002-12-16 |
KR100877923B1 KR100877923B1 (ko) | 2009-01-12 |
Family
ID=19013952
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020020031561A KR100877923B1 (ko) | 2001-06-07 | 2002-06-05 | 전해 구리 도금법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6835294B2 (ko) |
EP (1) | EP1264918B1 (ko) |
KR (1) | KR100877923B1 (ko) |
CN (1) | CN1244720C (ko) |
TW (1) | TWI268966B (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101255548B1 (ko) * | 2011-02-24 | 2013-04-17 | 한양대학교 에리카산학협력단 | 나노쌍정 구조가 형성된 구리재료의 형성방법 |
WO2014030779A1 (ko) * | 2012-08-22 | 2014-02-27 | 한양대학교 에리카산학협력단 | 나노쌍정 구조가 형성된 구리재료의 형성방법 및 이에 의해 제조된 구리재료 |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050109627A1 (en) * | 2003-10-10 | 2005-05-26 | Applied Materials, Inc. | Methods and chemistry for providing initial conformal electrochemical deposition of copper in sub-micron features |
AU2001294204A1 (en) * | 2000-10-10 | 2002-04-22 | Learonal Japan Inc. | Copper electroplating using insoluble anode |
EP1219729B1 (en) * | 2000-12-20 | 2012-01-18 | Shipley Co. L.L.C. | Electrolytic copper plating solution and method for controlling the same |
JP2002192648A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-10 | Learonal Japan Inc | 接合強度が向上された複合材料およびその形成方法 |
EP1310582A1 (en) * | 2001-11-07 | 2003-05-14 | Shipley Company LLC | Process for electrolytic copper plating |
JP2003213489A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-30 | Learonal Japan Inc | ビアフィリング方法 |
US20030187920A1 (en) * | 2002-04-01 | 2003-10-02 | Tejaswi Redkar | Communication management system |
JP3789107B2 (ja) * | 2002-07-23 | 2006-06-21 | 株式会社日鉱マテリアルズ | 特定骨格を有するアミン化合物及び有機硫黄化合物を添加剤として含む銅電解液並びにそれにより製造される電解銅箔 |
JP4115240B2 (ja) | 2002-10-21 | 2008-07-09 | 日鉱金属株式会社 | 特定骨格を有する四級アミン化合物及び有機硫黄化合物を添加剤として含む銅電解液並びにそれにより製造される電解銅箔 |
DE60336539D1 (de) * | 2002-12-20 | 2011-05-12 | Shipley Co Llc | Methode zum Elektroplattieren mit Umkehrpulsstrom |
US20040118691A1 (en) * | 2002-12-23 | 2004-06-24 | Shipley Company, L.L.C. | Electroplating method |
US20050072683A1 (en) * | 2003-04-03 | 2005-04-07 | Ebara Corporation | Copper plating bath and plating method |
WO2004107422A2 (en) * | 2003-05-27 | 2004-12-09 | Ebara Corporation | Plating apparatus and plating method |
DE10325101A1 (de) * | 2003-06-03 | 2004-12-30 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zum Auffüllen von µ-Blind-Vias (µ-BVs) |
TWI336220B (en) * | 2003-06-20 | 2011-01-11 | Japan Circuit Ind Co Ltd | A method of forming a high density printed wiring board for mounting a semiconductor |
US20050157475A1 (en) * | 2004-01-15 | 2005-07-21 | Endicott Interconnect Technologies, Inc. | Method of making printed circuit board with electroplated conductive through holes and board resulting therefrom |
DE102004045451B4 (de) * | 2004-09-20 | 2007-05-03 | Atotech Deutschland Gmbh | Galvanisches Verfahren zum Füllen von Durchgangslöchern mit Metallen, insbesondere von Leiterplatten mit Kupfer |
DE102005014748B4 (de) | 2005-03-31 | 2007-02-08 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Technik zum elektrochemischen Abscheiden einer Legierung mit chemischer Ordnung |
US20070178697A1 (en) * | 2006-02-02 | 2007-08-02 | Enthone Inc. | Copper electrodeposition in microelectronics |
DE502007005345D1 (de) | 2006-03-30 | 2010-11-25 | Atotech Deutschland Gmbh | Elektrolytisches verfahren zum füllen von löchern und vertiefungen mit metallen |
US8914493B2 (en) * | 2008-03-10 | 2014-12-16 | Oracle International Corporation | Presence-based event driven architecture |
JP4957906B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2012-06-20 | 上村工業株式会社 | 連続電気銅めっき方法 |
JP5110269B2 (ja) * | 2007-08-09 | 2012-12-26 | 上村工業株式会社 | 電気銅めっき方法 |
US8303792B1 (en) * | 2007-08-29 | 2012-11-06 | Magnecomp Corporation | High strength electrodeposited suspension conductors |
US7905994B2 (en) | 2007-10-03 | 2011-03-15 | Moses Lake Industries, Inc. | Substrate holder and electroplating system |
ITTO20070704A1 (it) * | 2007-10-05 | 2009-04-06 | Create New Technology S R L | Sistema e metodo di placcatura di leghe metalliche mediante tecnologia galvanica |
US9512012B2 (en) | 2007-12-08 | 2016-12-06 | Comsats Institute Of Information Technology | Sonoelectrolysis for metal removal |
US8262894B2 (en) | 2009-04-30 | 2012-09-11 | Moses Lake Industries, Inc. | High speed copper plating bath |
JP5471276B2 (ja) * | 2009-10-15 | 2014-04-16 | 上村工業株式会社 | 電気銅めっき浴及び電気銅めっき方法 |
JP2011127172A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | Nitto Denko Corp | めっき装置および配線回路基板の製造方法 |
JP5376168B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2013-12-25 | 三菱マテリアル株式会社 | 電気銅めっき用高純度銅アノード、その製造方法および電気銅めっき方法 |
SG186173A1 (en) * | 2010-06-11 | 2013-01-30 | Alchimer | Copper-electroplating composition and process for filling a cavity in a semiconductor substrate using this composition |
JP5851233B2 (ja) | 2011-12-22 | 2016-02-03 | ローム・アンド・ハース電子材料株式会社 | 電解銅めっき液及び電解銅めっき方法 |
US20140262794A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Electrochemical deposition processes for semiconductor wafers |
EP2821530A1 (en) * | 2013-07-04 | 2015-01-07 | ATOTECH Deutschland GmbH | Device and method for conditioning of a galvanic electrolyte and activation of electrodes prior to the start of a galvanic metal deposition process |
CN104470260B (zh) * | 2013-09-13 | 2018-03-06 | 珠海方正科技高密电子有限公司 | 盲孔电镀填孔方法和电路板 |
JP6641717B2 (ja) * | 2015-04-08 | 2020-02-05 | 日立化成株式会社 | 多層配線基板の製造方法 |
WO2016174705A1 (ja) * | 2015-04-27 | 2016-11-03 | 株式会社Jcu | 硫酸銅めっき液の管理方法 |
US10345254B2 (en) * | 2017-06-22 | 2019-07-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Detection method for electroplating process |
JP6653799B2 (ja) * | 2017-07-31 | 2020-02-26 | メルテックス株式会社 | 電解銅めっき用陽極、及びそれを用いた電解銅めっき装置 |
DE102018133532A1 (de) * | 2018-12-21 | 2020-06-25 | Maschinenfabrik Kaspar Walter Gmbh & Co Kg | Elektrolyt und Verfahren zur Herstellung von Chromschichten |
CN109920798B (zh) * | 2019-02-01 | 2021-04-09 | 云谷(固安)科技有限公司 | 阵列基板及其制作方法和显示面板 |
US11713720B2 (en) | 2019-08-09 | 2023-08-01 | Hamilton Sundstrand Corporation | Turbomachine dual spool transmission systems |
US12063751B2 (en) | 2019-08-19 | 2024-08-13 | Atotech Deutschland GmbH & Co. KG | Manufacturing sequences for high density interconnect printed circuit boards and a high density interconnect printed circuit board |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4376685A (en) * | 1981-06-24 | 1983-03-15 | M&T Chemicals Inc. | Acid copper electroplating baths containing brightening and leveling additives |
AU575037B2 (en) * | 1983-01-03 | 1988-07-21 | Omi International Corp. | Cyanide-free copper plating electrolyte and process |
US4933051A (en) * | 1989-07-24 | 1990-06-12 | Omi International Corporation | Cyanide-free copper plating process |
JPH04284691A (ja) * | 1991-03-13 | 1992-10-09 | Arumetsukusu:Kk | プリント配線板の電気めっき方法 |
JPH05339800A (ja) * | 1992-06-09 | 1993-12-21 | Nec Corp | 可溶性アノードと不溶性アノードを持つ噴流めっき装置 |
JPH07336017A (ja) | 1994-06-08 | 1995-12-22 | Hitachi Ltd | 電流反転電解法による薄膜回路製造方法ならびにそれを用いた薄膜回路基板、薄膜多層回路基板および電子回路装置 |
DE19539865A1 (de) * | 1995-10-26 | 1997-04-30 | Lea Ronal Gmbh | Durchlauf-Galvanikanlage |
JP4132273B2 (ja) * | 1998-08-25 | 2008-08-13 | 日本リーロナール有限会社 | 充填されたブラインドビアホールを有するビルドアッププリント配線板の製造方法 |
JP2000087300A (ja) * | 1998-09-08 | 2000-03-28 | Ebara Corp | 基板メッキ装置 |
JP3293598B2 (ja) | 1999-07-23 | 2002-06-17 | 日本電気株式会社 | めっき装置とその置換析出防止方法 |
EP1219729B1 (en) * | 2000-12-20 | 2012-01-18 | Shipley Co. L.L.C. | Electrolytic copper plating solution and method for controlling the same |
EP1310582A1 (en) | 2001-11-07 | 2003-05-14 | Shipley Company LLC | Process for electrolytic copper plating |
JP3976564B2 (ja) | 2001-12-20 | 2007-09-19 | 日本リーロナール有限会社 | ビアフィリング方法 |
-
2002
- 2002-06-05 TW TW091112064A patent/TWI268966B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-06-05 EP EP02253891A patent/EP1264918B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-05 KR KR1020020031561A patent/KR100877923B1/ko active IP Right Grant
- 2002-06-07 US US10/165,437 patent/US6835294B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-07 CN CNB021286256A patent/CN1244720C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101255548B1 (ko) * | 2011-02-24 | 2013-04-17 | 한양대학교 에리카산학협력단 | 나노쌍정 구조가 형성된 구리재료의 형성방법 |
WO2014030779A1 (ko) * | 2012-08-22 | 2014-02-27 | 한양대학교 에리카산학협력단 | 나노쌍정 구조가 형성된 구리재료의 형성방법 및 이에 의해 제조된 구리재료 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1264918B1 (en) | 2011-11-23 |
KR100877923B1 (ko) | 2009-01-12 |
US20030015433A1 (en) | 2003-01-23 |
EP1264918A1 (en) | 2002-12-11 |
TWI268966B (en) | 2006-12-21 |
CN1244720C (zh) | 2006-03-08 |
CN1392294A (zh) | 2003-01-22 |
US6835294B2 (en) | 2004-12-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100877923B1 (ko) | 전해 구리 도금법 | |
TWI516643B (zh) | 用於電解沈積銅的水性酸浴 | |
US6881319B2 (en) | Electrolytic copper plating solution and method for controlling the same | |
JP4221064B2 (ja) | 銅層の電解析出方法 | |
JP4932370B2 (ja) | 電解めっき方法、プリント配線板及び半導体ウェハー | |
KR20030061692A (ko) | 비어 충전법 | |
JP3976564B2 (ja) | ビアフィリング方法 | |
KR20030038475A (ko) | 전해 구리 도금방법 | |
KR102381835B1 (ko) | 전해 구리 도금용 양극 및 그것을 이용한 전해 구리 도금 장치 | |
KR102150878B1 (ko) | 전해 구리 도금액 및 전해 구리 도금 방법 | |
KR20030055278A (ko) | 불용성 양극을 사용하는 전해구리도금 방법 | |
JP3853671B2 (ja) | 電解銅めっき方法 | |
US20040118691A1 (en) | Electroplating method | |
KR20030051325A (ko) | 전기도금법 | |
KR102028357B1 (ko) | 구리 전기도금액 및 구리 전기도금 방법 | |
KR20130079233A (ko) | 구리 전기도금액 및 구리 전기도금 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121226 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131219 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141231 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151217 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161220 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171219 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181226 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191217 Year of fee payment: 12 |