KR20020027352A - 조절가능하게 분해가능한 헤테로원자 탄소환 또는 에폭시수지 조성물과 경화제 - Google Patents

조절가능하게 분해가능한 헤테로원자 탄소환 또는 에폭시수지 조성물과 경화제 Download PDF

Info

Publication number
KR20020027352A
KR20020027352A KR1020017016219A KR20017016219A KR20020027352A KR 20020027352 A KR20020027352 A KR 20020027352A KR 1020017016219 A KR1020017016219 A KR 1020017016219A KR 20017016219 A KR20017016219 A KR 20017016219A KR 20020027352 A KR20020027352 A KR 20020027352A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
composition
imidazole
circuit board
epoxy
semiconductor device
Prior art date
Application number
KR1020017016219A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100372211B1 (ko
Inventor
도바다카히사
Original Assignee
유진 에프. 밀러
록타이트 코오포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 유진 에프. 밀러, 록타이트 코오포레이션 filed Critical 유진 에프. 밀러
Publication of KR20020027352A publication Critical patent/KR20020027352A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100372211B1 publication Critical patent/KR100372211B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/02—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule
    • C08G59/12—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule of polycarboxylic acids with epihalohydrins or precursors thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/22—Di-epoxy compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/98—Methods for disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01016—Sulfur [S]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01018—Argon [Ar]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01055—Cesium [Cs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01073—Tantalum [Ta]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01077—Iridium [Ir]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Polyethers (AREA)
  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)

Abstract

반도체 장치(32)를 캐리어 기판(31)에 부착시키기 위한 재작업가능한 언더필 밀봉 재료(33)는 (a) (티오)에테르 또는 탄산염의 중심 구조 및 헤테로 원자 함유 탄소환 구조를 갖는 수지, 적어도 하나의 산화 알킬렌 잔기를 갖는 에폭시 수지 또는 모노에폭시드 (티오)에스테르 또는 탄산염 공반응 희석제를 갖는 에폭시 수지인 경화가능한 수지; 그리고 (b) 선택적으로 무수물을 갖는, 폴리아민, 에폭시-또는 노볼락-변형 아민, 아미드 화합물 또는 이미다졸을 포함하는 경화제를 포함하는, 조성물로 제조된다.

Description

조절가능하게 분해가능한 헤테로원자 탄소환 또는 에폭시 수지 조성물과 경화제{CONTROLLABLY DEGRADABLE COMPOSITION OF HETEROATOM CARBOCYCLIC OR EPOXY RESIN AND CURING AGENT}
최근에, 카메라-집적된 비디오 테이프 레코더("VTR")와 휴대용 전화기 세트와 같은 소형 전자 제품의 인기로 인해 LSI 장치의 크기의 축소가 바람직하게 되었다. 이러한 축소에 대한 바램의 결과로, 포장의 크기를 칩들만의 크기와 실질적으로 같도록 축소하는데 CSP, BGA 그리고 LGA가 이용된다. 그러한 CSP, BGA 그리고 LGA는 전자 장치의 많은 작동 특징을 간직하면서 그들의 특성을 향상시키므로, LSI와 같은 반도체 베어 칩을 보호하게 하며, 그들의 시험을 쉽게 한다.
통상적으로, CSP/BGA/LGA 어셈블리는 땜납 연결등을 이용하여 회로판 위의전기적 도체에 연결된다. 그러나, 결과 CSP/BGA/LGA/회로판 구조가 열 주기(thermal cycling), 진동, 뒤틀림에 노출되거나 떨어뜨렸을 때, 회로판과 CSP/BGA/LGA 사이의 땜납 연결의 신뢰도가 종종 의심스러워 진다. 최근에, CSP/BGA/LGA 어셈블리가 회로판에 장착된 후, CSP/BGA/LGA 어셈블리와 회로판사이의 공간은 열 주기에 의해 유발되는 스트레스를 경감시키기 위해 이제 종종 밀봉 수지(보통 언더필(underfill)밀봉이라고 말한다)로 채워지며, 그럼에 의해 열 충격 성질을 향상시키며 그 구조의 신뢰도를 높인다.
그러나, 경화될 때 교차 결합된 망상구조를 형성하는 열경화성 수지가 전형적으로 언더필 밀봉 물질로 이용되기 때문에, CSP/BGA/LGA 어셈블리가 회로판에 장착된 후 고장시에는, CSP/BGA/LGA 어셈블리-회로판 구조 전체를 훼손하거나 긁어내지 않고 CSP/BGA/LGA 어셈블리를 교환하기 어렵다.
그러한 목적을 위해서, 회로판에 반도체 칩을 장착하는 기술은 CSP/BGA/LGA 어셈블리를 회로판에 장착하는 것과 실질적으로 유사한 것으로 여겨진다. 일본 특허 공보 제102343/93호에 개시된 그러한 기술중의 하나는 광경화가능한 접착제를 이용하여 반도체 칩을 회로판에 고정시키고 연결시키는 장착 과정을 포함한다. 고장시 이 반도체 칩은 제거될 수 있다. 그러나, 이 기술은 회로판이 뒷면에서 빛이 노출되게 하는 예를들면 유리와 같은 투명한 기판일 것을 요구한다. 회로판이 그러한 기판으로 구성되었기 때문에, 결과 건조물은 종종 낮은 열충격 저항을 보인다.
일본 특허 공보 제69280/94호는 반도체 칩을 미리 설정된 온도에서 단단해 질 수 있는 수지를 이용하여 기판에 고정하고 연결하는 과정을 개시한다. 고장의경우에는, 미리 설정된 온도 보다 높은 온도에서 수지를 연화시켜 반도체 칩을 기판으로부터 제거한다. 구체적인 수지가 개시되지는 않았고, 기판에 남는 수지를 처리하는 것에 관하여는 아무런 검토가 없다. 그러므로, 개시된 과정은 기껏해야 불완전하다.
미국 특허 제5,423,931호(Inoue)에 지적되었듯이 회로판으로부터 잔여 수지를 제거하기 위해 용매를 사용하는 것은 종래의 기술이다. 그러나, 수지를 용매와 팽윤시키는 것은 시간을 소모하는 과정이며 부식성 유기 산을 용매로 보통 사용하므로 회로판의 신뢰도가 감소된다. 대신에, '931 특허는 전자기 방출로 방사하여 잔여 수지를 제거하는 방법에 대해 말한다.
일본 특허 공보 제251516/93호는 또한 비스페놀 A 타입 에폭시 수지 (Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.에 의해 제조된 CV5183 또는 CV5183S)를 이용하는 장착 과정을 개시한다. 그러나, 그 개시된 제거 공정은 일관되게 용이한 칩의 제거를 허용하지 않으며, 경화단계가 상승된 온도에서 길며, 그 과정은 일반적으로 낮은 생산성으로 이른다.
물론, 칩이 제거/교환되도록 절단하는 것과 같이, 기판으로부터/에서 반도체 칩을 제거/교환하는 기계적인 방법이 알려져 있다. 미국 특허 제5,355,580호(Tsukada) 참조.
열가소성 언더필 수지를 반도체 칩 부착에 이용하는 것이 알려져 있다. 미국 특허 제5,783,867호(Belke, Jr.) 참조. 그러나, 그러한 열가소성 수지는 상대적으로 온화한 온도 조건하에서 누출되는 경향이 있다. 대조적으로, 열경화성 수지는보통 최종 용도 조작 온도하에서 뛰어난 열적 안정성을 갖는 매트릭스로 경화된다.
미국 특허 제5,512,613호(Afzali-Ardakani), 제5,560,934호(Afzali-Ardakani), 그리고 제5,932,682호(Buchwalter)는 각각 디에폭시드의 두개의 에폭시기를 연결하는 유기 결합 부분이 산 분해 비고리 아세틸기를 포함하는 재작업가능한 디에폭시드 성분기재 열경화성 조성물을 언급한다. 그러한 산에 의해 절단가능한 비고리 아세틸기가 재작업가능한 조성물의 염기를 형성하므로, 경화된 열경화성 수지를 연화시키고 그것의 접착성의 대부분을 잃게 하기 위해 단지 산 분위기로 도입되게 하는 것이 필요하다.
미국 특허 제5,872,158호(Kuczynski)는 화학 방사선(actinic radiation)에 노출시 경화성이 있는 열경화성 조성물을 언급하는데, 그것은 아세틸 디아크릴레이트를 기재로 하며, 그것의 반응 생성물은 묽은산에 용해성인 것으로 보고되어 있다.
미국 특허 제5,760,337호(Iyer)는 반도체 장치와 그것이 붙어 있는 기판사이에 형성된 간격을 채우기 위해 열적으로 재작업가능한 교차결합 수지들을 언급한다. 이들 수지들은 친디엔체(1 보다 큰 작용성을 가짐)를 2.5-디알킬 치환 푸란함유 고분자와 반응시켜 제조된다.
국제 특허 공보 제PCT/US98/00858호는 캐리어 기판에 장착된 반도체 칩을 포함하는 반도체 장치와 상기 반도체 장치가 전기적으로 연결된 회로판사이의 언더필을 밀봉할 수 있는 열경화성 수지 조성물을 언급한다. 그 조성물은 에폭시 수지의 100 중량부, 경화제 약 3 내지 약 60 중량부, 그리고 가소제 약 1 내지 약 90 중량부를 포함한다. 거기에서는, 경화된 열경화성 수지 주변 부분을 약 10 초 내지 약 1 분의 시간동안 약 190 내지 약 260℃의 온도에서 가열하여 연화 및 그것의 접착성의 대부분의 상실을 가져오게 한다.
미국 특허 제5,948,922호(Ober)와 제5,973,033호(Ober)는 각각 터셔리 옥시카르보닐 결합을 갖는 어떤 화합물 부류와 그러한 화합물에 기초한 조성물을 언급하는데, 그것은 경화시 재작업될 수 있는 열적으로 분해가능한 조성물을 제공한다.
이러한 최신기술들에도 불구하고, 기판에 남아 있는 반도체 장치 또는 기판 그 자체의 일체성을 해치는 극단의 조건없이 쉽게 가공되며 반도체 장치로부터 잘 분리되도록 이용될 수 있는 기판을 허용하는 한편 높은 생산성과 열충격 저항성을 제공하는 언더필 밀봉 재료가 바람직할 것이다.
발명의 개요
본 발명은 언더필 밀봉 수지로 유용한 열경화성 수지 조성물을 제공한다. 그 조성물은 캐리어 기판위에 장착된 반도체 칩을 포함하는 CSP/BGA/LGA 어셈블리와 같은 반도체 장치가 단시간의 열 경화와 좋은 생산성으로 회로판에 안전하게 연결되게 하는데, 그것은 뛰어난 열 충격 성질(또는 열 주기 성질)을 증명하며, 반도체 장치 또는 연결부 고장의 경우에는 CSP/BGA/LGA 어셈블리가 회로판에서 쉽게 제거되게 한다. 유사하게는, 반도체 칩을 발명의 조성물을 이용하여 회로판에 안전하게 연결되게 하며, 필요시에는 회로판에서 제거된다.
열경화성 수지 조성물은 경화가능한 수지 성분과 경화제를 포함한다.
경화가능한 수지 성분은 중심구조에 매달린 탄소환 구조를 함유하는 적어도두개의 헤테로 원자를 갖는 것들로부터 선택될 것이다. 그 중심 구조는 적어도 하나의 에테르, 티오에테르, 탄산염 그리고 그들의 조합으로부터 선택되는 적어도 하나의 결합을 함유하며, 결합은 적당한 조건하에서 재작업하여 그것의 접착성을 잃도록 할 수 있다. 한가지 그러한 재작업 기술은 경화된 반응 생성물 조성물을 상승된 온도 조건 및/또는 산성 조건에 노출시 분해하는 것을 포함한다. 추가적으로, 그 경화가능한 수지는 적어도 일부분이 적어도 하나의 말단 에폭시기에 인접해 위치해 있는 적어도 하나의 산화 알킬렌 잔기를 갖는 에폭시 수지일 수도 있다. 경화가능한 수지가 에폭시 수지가 아닐때에는, 발명의 조성물은 별도의 성분으로서 에폭시 수지 성분을 포함할 수도 있다.
그 조성물은 또한 다음식으로 나타내는 단일작용성 에폭시 공반응물 희석제
(여기에서 X는 헤테로원자, 산소 또는 황을 나타내고; Y는 존재하거나 존재하지 않을 수 있는데, 존재할 때에는 알킬, 알케닐, 아릴등을 나타내며; 그리고 R은 알킬, 알케닐, 아릴 등을 나타낸다)는 물론 무기 충전제 성분을 포함할 수도 있다.
추가적으로, 경화제는 무수물이 아니며, 본 발명 조성물은 별도의 무수물 성분을 또한 포함할 수도 있다.
이들 조성물들의 반응 생성물들은 조성물을 경화하는데 이용된 것들을 과잉으로 온도조건에 노출시키는 것에 의해서와 같이 연화 및 그것들의 접착성 상실을 통해 조절가능하게 재작업될 수 있다.
비록 본 발명의 열경화성 수지 조성물은 짧은 시간내에 비교적 낮은 온도에서 경화가능하지만, 그것들의 경화된 반응 생성물은 뛰어난 열 충격 성질을 가지며, 더우기, 가열된 상태하에서 힘의 인가에 의해 쉽게 쪼개질 수 있다. 즉, 본 발명의 열경화성 수지 조성물의 경화된 반응 생성물에 의해 회로판에 부착된 반도체 장치 또는 반도체 칩은 그 반응 생성물을 가열함에 의해 그것을 용매로 팽윤시키거나 가열된 상태 하에서 용매로 팽윤시켜서 쉽게 제거될 수 있다.
본 발명의 열경화성 수지 조성물을 이용하여, CSP/BGA/LGA 어셈블리와 같은 반도체 장치 또는 반도체 칩을 단시간 열 경화에 의해 좋은 생산성으로 회로판에 안전하게 연결할 수 있으며, 결과적인 장착 구조물은 뛰어난 열 충격 성질(또는 열 주기 성질)을 보인다. 더우기, 고장시 반도체 장치 또는 반도체 칩을 쉽게 제거할 수 있다. 이것은 회로판의 재사용을 가능케 하고, 그럼에 의해 생산 공정의 생산량에서의 개선을 이루며, 생산 비용을 감소시킨다.
본 발명의 혜택과 이점은 도면을 참조하여 발명의 상세한 설명을 읽은 후 좀더 명확해 질 것이다.
본 발명은 캐리어 기판에 대규모 집적회로("LSI")와 같은 반도체 칩을 각각 갖는 칩 사이즈 또는 칩 스케일 패키지("CSP"), 볼 그리드 어레이("BGA"), 랜드 그리드 어레이("LGA")등과 같은 반도체 장치를 회로판에 장착하는데 유용한 열경화성 수지 조성물에 관계한다. 유사하게, 그 조성물들은 반도체 칩 회로판에 그 자체를 장착하는데 유용하다. 본 발명의 조성물의 반응 생성물은 적절한 조건을 거쳐 조절가능하게 재작업할 수 있다.
도 1 은 본 발명의 열경화성 수지 조성물이 이용되는 반도체 장치의 예를 보여주는 단면도를 묘사한다.
도 2 는 수선의 목적으로 회로판에서 제거된 반도체 장치의 단면도를 묘사한다.
도 3 은 본 발명의 열경화성 수지 조성물이 이용되는 반도체 플립 칩 어셈블리의 예를 보여주는 단면도를 묘사한다.
도 4 는 반도체 장치가 부착된 회로판에서 반도체 장치를 제거하기 위한 본 발명에 따른 경화된 열경화성 수지 조성물을 재작업하는데 유용한 과정의 흐름도를 묘사한다.
도 5 는 비스페놀-F-타입 에폭시 수지 기재 조성물( ●)이 열분해로 중량을 잃는 온도와 대조하여 본 발명에 따른 조성물( ■)이 열분해로 중량을 잃는 온도를 증명하는 온도와 열 중량 분석의 중량 미량 손실과의 관계를 묘사한다.
도 6 은 비스페놀-F-타입 에폭시 수지 기재 조성물( □)이 열분해로 중량을 잃는 온도와 대조하여 본 발명에 따른 조성물( ■)이 열분해로 중량을 잃는 온도를 증명하는 온도와 열 중량 분석의 중량 미량 손실과의 관계를 묘사한다.
도 7 은 비스페놀-F-타입 에폭시 수지 기재 조성물( ◇ )이 열분해로 중량을 잃는 온도와 대조하여 본 발명에 따른 조성물( ◆ )이 열분해로 중량을 잃는 온도를 증명하는 온도와 열 중량 분석의 중량 미량 손실과의 관계를 묘사한다.
도 8 은 "ANCAMINE"2337S의13C NMR 스펙트럼을 묘사한다.
도 9 은 "ANCAMINE"2337S의 FT-IR 스펙트럼을 묘사한다.
열경화성 수지 조성물은 넓게는 경화가능한 수지 성분과 경화제를 포함한다.
경화가능한 수지 성분은 중심구조에 매달린 적어도 두개의 헤테로 원자를 함유하는 탄소환 구조를 갖는 것들로부터 선택될 수 있다. 그 중심 구조는 에테르,티오에테르, 탄산염 그리고 그들의 조합으로부터 선택되는 적어도 하나의 결합을 함유하며, 결합은 적당한 조건하에서 재작업가능하여 그것의 접착성을 잃게 할 수 있다. 한가지 그러한 재작업 기술은 경화된 반응 생성물 조성물을 상승된 온도 조건 및/또는 산성 조건에 노출시 분해하는 것을 포함한다. 추가적으로, 그 경화가능한 수지는 적어도 일부분이 적어도 하나의 말단 에폭시기에 인접해 위치해 있는 적어도 하나의 산화 알킬렌 잔기를 갖는 에폭시 수지일 수도 있다. 경화가능한 수지가 에폭시 수지가 아닐때에는, 발명의 조성물은 별도의 성분으로서 에폭시 수지 성분을 포함할 수도 있다.
발명의 한가지 양상에서, 경화가능한 수지는 다음 구조로 나타내질 것이다:
네모는 하나 또는 그 이상의 헤테로 원자에 의해 개재되거나 개재되지 않은 또는 치환되거나 치환되지 않은 방향족 고리(들)이나 고리계(들)을 함유하는 하나 또는 그 이상의 구조적인 결합을 나타낸다. 그런 것들의 예들은 아래에 주어진다.
X1, X2그리고 Xa와 Xb는 같거나 다를 수도 있고, 헤테로원자, 산소 그리고 황을 나타낸다. m과 m1은 1 내지 3 범위내의 정수를 나타내며, n과 n1은 0 내지 8 범위내의 정수를 나타내며, o 와 o1은 1 내지 3 범위내의 정수를 나타낸다.
구조 화학식 1의 경화가능한 수지내의 방향족 고리의 중심 구조의 네모는 개개의 방향족 고리 또는 융합 고리계로 접합되거나, 비-아릴(예, 비페닐) 또는 비스-아릴(예, 비스페놀 A 또는 비스페놀 F, 또는 헤테로원자에 의해 결합한 비스페놀 화합물)계로 접합되거나, 지환족-방향족 혼성 고리계로 접합되거나, 또는 올리고머(예, 노볼락-타입)계으로 접합된 다중 방향족 단위를 갖는 방향족 고리계가 될 수 있다. 그러한 것들의 예는 특히 나프탈렌, 안트라센, 페난트라센 그리고 플루오렌을 포함한다.
예를 들어, 네모는 다음 구조의 결합을 나타낸다.
여기에서 Y는 존재하거나 존재하지 않을 수 있고 존재할 때에는 탄소이거나 헤테로원자, 산소 또는 황이다. 또는 네모는 페닐렌기를 나타낼 수도 있다. 이들 표시기들은 알킬, 알케닐, 할로, 니트로, 카르복실, 아미노, 히드록실, 티오등과 같은 방향족 고리(들)에 보통 존재하는 작용기를 갖는 방향족 고리(들)상의 하나 또는 그 이상의 지점에서의 치환기를 지닐 수도 있다.
예를들면, 구조 화학식 1내의 특히 바람직한 경화가능한 수지는 Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd., Osaka, Japan으로부터 상업적으로 이용가능한 MPG, [비스 [4 (2,3-에폭시-프로필티오) 페닐]-황화물(CAS 등록 번호 84697-35-8) 그리고, UBE Industries, Ltd., Tokyo, Japan으로부터 상업적으로 이용가능한 XBO, 크실렌 비스옥세탄 (CAS 등록 번호 142627-97-2)을 포함한다.
발명의 다른 양상에서, 경화가능한 수지는 다음 구조로 나타내진다:
X1과 X2는 위에서와 같다; Xa와 Xb는 같거나 다를 수 있으며, 존재하거나 존재하지 않을 것이며, 존재할 때에는 알킬, 알케닐, 아릴 등을 나타낸다; 그리고 m과 m1은 위에서와 같다.
중심 구조에 매달린 헤테로원자 함유 탄소환 구조는 산소 및/또는 황 원자인 헤테로원자를 갖는 3, 4 또는 5원 고리일 수도 있다. 이들 고리 구조는 적당한 조건하에서 서로 교차결합하여 본 발명의 조성물의 반응 생성물을 형성한다.
탄산염 결합은 산이 존재하거나 존재함 없이 상승된 온도에 노출시 분해가능하다. 이 결합은 분해하여, 이산화탄소 가스를 방출할 수 있다.
본 발명의 범주내의 조성물의 그러한 분해를 실행하기 위해 이용되는 온도는, 보통 약 300℃ 또는 그 이상 근처의 온도인 비스페놀-A-타입 에폭시 수지 또는 비스페놀-F-타입 에폭시 수지 기재 조성물과 같은 보통의 에폭시 기재 조성물을 이 목적을 위해 분해하기 위해 요구되는 온도보다 50℃ 낮은 만큼 높을 수도 있다(실시예 부분 참조).
구조 화학식 2 내에 속하는 특히 바람직한 경화가능한 수지는 UBE Industries, Ltd., Tokyo, Japan으로부터 상업적으로 이용가능한 CBO, 탄산염 비스옥세탄(CAS 등록 번호 60763-95-3)을 포함한다.
발명의 또 다른 양상에서, 경화가능한 수지는 에폭시 수지이다. 여기에서 그러한 에폭시 수지의 적어도 일부는 적어도 하나의 말단 에폭시기에 인접한 적어도 하나의 산화 알킬렌 잔기를 갖는 에폭시 수지를 포함한다. 에폭시 수지는 단일- 또는 다작용성 지방족 에폭시, 시클로지방족 고리 구조 또는 계를 갖는 에폭시, 또는 방향족 고리 구조 또는 계를 갖는 에폭시, 그리고 그들의 조합에 기초할 수도 있다.
예를들면, 에폭시 수지는 다작용성 에폭시 수지와 같은 보통의 에폭시 수지를 포함할 수도 있다. 보통, 다작용성 에폭시 수지는 총 에폭시 수지 성분의 약 15 중량% 내지 약 75 중량% 범위내의 양으로 포함되어야 한다. 비스페놀-F-타입 에폭시 수지의 경우, 바람직하게는 그 양은 총 에폭시 수지 성분의 약 40 중량% 내지 약 50 중량%와 같이 약 35 중량% 내지 약 65 중량%의 범위내에 있어야 한다.
다작용성 에폭시 수지의 예는 비스페놀-A-타입 에폭시 수지, 비스페놀-F-타입 에폭시 수지 (Nippon Kayaku, Japan로부터의 RE-404-S와 같은 것), 페놀 노볼락-타입 에폭시 수지, 그리고 크레졸 노볼락-타입 에폭시 수지(Ciba Specialty Chemicals, Hawthorne, New York로부터의 "ARALDITE" ECN 1871와 같은 것)를 포함한다.
다른 적당한 에폭시 수지들은 N,N,N',N'-테트라글리시딜-4,4'-디아미노디페닐 메탄; N-디글리시딜-4-아미노페닐 글리시딜 에테르; 그리고 N,N,N',N'-테트라글리시딜-1,3-프로필렌 비스-4-아미노벤조에이트와 같은 방향족 아민과 에피클로로히드린 기재 폴리에폭시 화합물을 포함한다.
여기에서 이용되는데 적합한 에폭시 수지 중에는 또한 Shell Chemical Co.의 "EPON" 828, "EPON" 1001, "EPON" 1009, 그리고 "EPON" 1031과 같은 "EPON"; Dow Chemical Co.의 "DER" 331, "DER" 332, "DER" 334, 그리고 "DER" 542; 그리고 Nippon Kayaku의 BREN-S 등과 같은 상표로 상업적으로 이용가능한 것들과 같은 페놀 화합물의 폴리글리시딜 유도체를 포함한다. 다른 적당한 에폭시 수지는 폴리올 등과 Dow Chemical의 "DEN" 431, "DEN" 438, 그리고 "DEN" 439와 같은 페놀-포름알데히드 노볼락의 폴리글리시딜 유도체로부터 제조된 폴리에폭시드를 포함한다. 크레졸 유사체들은 또한 Ciba Specialty Chemicals Corporation의 "ARALDITE" ECN 1235, "ARALDITE" ECN 1273, 그리고 "ARALDITE" ECN 1299와 같은 상표명 "ARALDITE"으로 상업적으로 이용가능하다. SU-8은 Interez, Inc.로부터 이용가능한 비스페놀-A-타입 에폭시 노볼락이다. 아민, 아미노알코올 그리고 폴리카르복실산의 폴리글리시딜 애덕트 또한 본 발명에서 유용하다. 이들의 상업적으로 이용가능한 수지는 F. I. C. Corporation의 GLYAMINE" 135, "GLYAMINE" 125, 및 "GLYAMINE" 115; Ciba Specialty Chemicals의 "ARALDITE" MY-720, "ARALDITE" 0500, 그리고 "ARALDITE" 0510 그리고 Sherwin-Williams Co.의 PGA-X 와 PGA-C를 포함한다.
물론 다른 에폭시 수지들의 조합도 또한 본원에의 이용에 바람직하다.
적어도 하나의 말단 에폭시기에 인접한 적어도 하나의 산화 알킬렌 잔기를 갖는 에폭시 수지 성분 부분은 총 에폭시 수지 성분의 적어도 5 중량%의 양으로 존재하는 것이 특히 바람직 하다.
산화알킬렌 잔기를 갖는 지방족 에폭시의 예는 일차, 이차 그리고 삼차 알킬렌 디올 디글리시딜 에테르와 같은 에테르 결합을 함유하는 단일-, 2-, 또는 다작용성 에폭시와 단일- 또는 폴리-산화알킬렌 잔기를 함유하는 에폭시(산화에틸렌, 산화프로필렌, 산화부틸렌, 산화펜틸렌, 그리고 산화헥실렌 잔기와 같은 것)를 포함하지만 이에 한정되지는 않는다.
예를들면,
여기에서 n은 1 내지 18의 정수이며, 각각은 개별적으로 또는 조합하여 에폭시 수지 성분의 적어도 일부로서의 이용에 적합하다.
산화알킬렌 잔기를 갖는 지방족고리 에폭시의 예는 단일-, 2- 또는 다작용성 시클로헥실 에폭시; 수화 비스페놀 A-타입 에폭시; 그리고 알킬렌 에테르 잔기를 함유하는 수화 비스페놀 F-타입 에폭시를 포함한다. 아래에 보인 것과 같은 DME-100(New Japan Chemical Co., Ltd.로부터 상업적으로 이용가능한 1,4-시클로헥산디메탄올 디글리시딜 에테르)이 한가지 그러한 예이다.
산화알킬렌 잔기를 갖는 방향족 에폭시의 예는 비스페놀 A 타입 에폭시; 비스페놀 F 타입 에폭시; 페놀 노볼락 타입 에폭시; 그리고 알킬렌 에테르 잔기를 함유하는 크레졸 노볼락 타입 에폭시와 같은 단일-, 2-, 또는 다작용성 에폭시를 포함한다.
그러한 에폭시의 예는 아래에 보이는 BEO-60E (New Japan Chemical Co., Ltd.로부터 상업적으로 이용가능한 에톡실화된 비스페놀 A 디-글리시딜 에테르), 그리고 BPO-20E (New Japan Chemical Co., Ltd.로부터 상업적으로 이용가능한, 프로필 옥실화된 비스페놀 A 디-글리시딜 에테르)를 포함한다:
여기에서 n은 약 1 내지 20 사이의 정수인데, BPO-60E에 대해서 n 은 1이며,
여기에서 n은 약 1 내지 20 사이의 정수인데, BEO-60E에 대해서 n 은 3이다.
경화가능한 수지 성분은 조성물에 약 60 중량%와 같은 10 중량% 내지 약 95중량%, 바람직하게는 약 20 중량% 내지 약 80 중량% 범위의 양으로 존재 해야 한다.
또 다른 발명의 양태에서, 에폭시 수지는 단일작용성 에폭시 공반응물 희석제와 조합되어 이용된다.
여기에서 이용되는 적당한 단일작용성 에폭시 공반응물 희석제는 에폭시 수지 성분보다 낮은, 보통은 약 250cps보다 작은 점도를 갖는 것들을 포함한다.
단일작용성 에폭시 공반응물 희석제는 탄소수 약 6 내지 약 28의 알킬기를 갖는 에폭시기를 가져야 한다. 그것의 예는 C6-28알킬 글리시딜 에테르, C6-28지방산 글리시딜 에스테르 그리고 C6~28알킬페놀 글리시딜 에테르이다.
특히 바람직한 공반응물 희석제는 화학식 III으로 표시된다:
여기에서 X는 헤테로원자, 산소 또는 황을 나타내며; Y는 존재하거나 존재하지 않을 것이고, 존재할 때에는 탄소수 1 내지 약 20개의 알킬(직쇄, 분지, 시클로 또는 비시클로), 또는 알케닐(직쇄, 분지, 시클로 또는 비시클로) 등의 결합, 결합 그리고 탄소수 6 내지 약 20개의 아릴(하나 또는 그 이상의 방향족 고리(들) 또는 고리계(들))결합을 나타낸다.
상업적으로 이용가능한 단일작용성 에폭시 공반응물 희석제는 Pacific EpoxyPolymers, Richmond, Michigan의 상표명 PEP-6770 (네오데칸도산의 글리시딜 에스테르), PEP-6740 (페닐 글리시딜 에테르) 그리고 PEP-6741 (부틸 글리시딜 에테르)을 포함한다.
그러한 단일작용성 에폭시 공반응물 희석제가 포함되는 경우, 그러한 공반응물 희석제의 양은 조성물의 총 중량에 기초하여 약 8 중량% 내지 약 12 중량% 와 같이 약 5 중량% 내지 약 15 중량%까지이어야 한다.
경화제로서, 아민 화합물, 아미드 화합물, 이미다졸 화합물, 변형된 아민 화합물 그리고 변형된 이미다졸 화합물 (변형된 화합물은 또한 그것의 유도체라고도 불린다)을 포함하는 다양한 물질이 선택된다.
아민 화합물의 예는 디에틸렌테트리아민, 트리에틸렌테트라민 그리고 디에틸아미노프로필아민과 같은 지방족 폴리아민; m- 크실렌디아민 그리고 디아미노디페닐아민과 같은 방향족 폴리아민; 그리고 이소포론디아민 그리고 멘텐디아민과 같은 지환족 폴리아민을 포함한다.
물론, 이들 아민 화합물의 조합은 본 발명의 조성물에서의 이용을 위해 또한 바람직하다.
아미드 화합물의 예는 디시안디아미드와 같은 시아노작용화된 아미드를 포함한다.
이미다졸 화합물의 예는 이미다졸, 이소이미다졸, 알킬-치환된 이미다졸(예를들면 2-메틸 이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2,4-디메틸이미다졸, 부틸이미다졸, 2-헵타데세닐-4-메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-운데세닐이미다졸, 1-비닐-2-메틸이미다졸, 2-n-헵타데실이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2-에틸 4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-프로필-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-구안아미노에틸-2-메틸이미다졸 그리고 이미다졸과 트리멜리트산의 부가생성물, 2-n-헵타데실-4-메틸이미다졸 등. 여기에서 일반적으로 각각의 알킬 치환물은 탄소수 약 17까지의, 바람직하게는 약 6까지를 함유한다), 그리고 아릴-치환 이미다졸 [예를들면, 페닐이미다졸, 벤질이미다졸, 2-메틸-4,5-디페닐이미다졸, 2,3,5-트리페닐이미다졸, 2-스티릴이미다졸, 1-(도데실 벤질)-2-메틸이미다졸, 2-(2-히드록실-4-t-부틸페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 2-(2-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 2-(3-히드록시페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 2-(p-디메틸아미노페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 2-(2-히드록시페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 디(4,5-디페닐-2-이미다졸)-벤젠-1,4,2-나프틸-4,5-디페닐이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 2-p-메톡시스티릴이미다졸등. 여기에서 일반적으로 각각의 아릴 치환물은 탄소수 약 10개 까지의 바람직하게는 약 8개 까지를 함유한다]과 같은 치환 이미다졸을 포함한다.
상업적인 이미다졸 화합물의 예는 Air Products, Allentown, Pennsylvania의 상표명 "CUREZOL" lB2MZ와, Synthron, Inc., Morganton, North Carolina의 상표명 "ACTIRON" NXJ-60으로부터 이용가능하다.
물론, 이들 이미다졸 화합물의 조합 또한 본 발명의 조성물에서의 사용에 바람직하다.
변형된 아민 화합물의 예는 아민 화합물을 에폭시 화합물에 첨가하여 형성된 에폭시 아민 애덕트를 포함하며, 변형된 이미다졸 화합물의 예는 이미다졸 화합물을 에폭시 화합물에 첨가하여 형성된 이미다졸 애덕트를 포함한다.
상업적으로 이용가능한 본원에서 특히 유용한 변형된 아민 화합물은 "NOVACURE" HX-3722 (Asahi-Ciba Ltd.로부터 상업적으로 이용가능한 비스페놀 A 에폭시 수지에 분산된 이미다졸/비스페놀 A 에폭시 애덕트), 그리고 "MY-24" (Ajinomoto Co., Ltd.로부터 상업적으로 이용가능한 이미다졸/비스페놀 A 에폭시 애덕트)이다.
또 다른 그러한 변형된 본원에서 특히 유용한 아민 화합물은 Air Products and Chemicals, Inc., Allentown, Pennsylvania로부터 상업적으로 이용 가능한 상표명 "ANCAMINE" 2337S이다. "ANCAMINE" 2337S는 Air Products에 의해 변형된 지방족 아민으로 설명되는데, 그것은 90%의 입자의 크기는 ≤10μ인 노란색 분말이며, 그것의 녹는 점은 145-172℉이다. "ANCAMINE" 2337S는 260(mg KOH/g)의 아민값을 가지며, 158℉ 이상의 온도에서 빠른 반응성을 보인다. "ANCAMINE" 2337S는 폴리아민, 피라진, 피리딘, 피롤 그리고 피라졸과 같은 지방족 아민과의 반응을 통해 변형된 노볼락-타입 수지라고 생각된다.(특성화 자료를 위해 도 8-9 참조). "ANCAMINE" 2337S 자체는 비록 피리딘에는 용해성으로 밝혀졌지만, 실온에서 종래의 비-염기성 유기 용매내에서는 실질적으로 불용성이다.
경화제는 총 조성물의 50 중량%와 같이 약 5 중량% 내지 약 90 중량%, 바람직하게는 약 20 중량% 내지 약 60 중량%의 범위의 양이 존재해야 한다.
조성물은 그 조성물의 경화제가 무수물 반응성에 기초하지 않은 무수물 성분은 물론 무기 충전제 성분을 또한 포함할 수도 있다.
본원에서의 이용을 위한 적당한 무수물 화합물은 헥사히드로프탈산 무수물("HHPA")과 메틸 헥사히드로프탈산 무수물 ("MHHPA") (Lindau Chemicals, Inc., Columbia, South Carolina로부터 상업적으로 이용가능하며, 개별적으로 또는 조합하여 이용되는데, 그 조합은 상표명 "LINDRIDE" 62C로 이용가능하다.)과 같은 단일-그리고 폴리-무수물, 그리고 5-(2,5-디옥소테트라히드롤)-3-메틸-3-시클로헥센-1,2-디카르복실 무수물(ChrisKev Co., Leewood, Kansas로부터 상표명 B-4400으로 상업적으로 이용가능함)을 포함한다. 추가적으로, "MTA-15"(New Japan Chemical Co., Ltd.로부터 상업적으로 이용가능한 글리콜 트리스-안히드로트리메리테이트와 MHHPA의 혼합물)와 "MH-700"(New Japan Chemical Co., Ltd.로부터 상업적으로 이용가능한 MHHPA)이 특히 바람직하다.
물론, 이들 무수물 화합물의 조합 또한 본 발명의 조성물에의 이용에 바람직하다. 이용될 때 그 무수물 화합물은 총 조성물의 중량의 약 40 중량%와 같은, 약 5 중량% 내지 약 90 중량%, 바람직하게는 약 10 중량% 내지 약 60 중량%의 범위내의 양으로 존재해야 한다.
무기 충전제 성분으로서, 많은 물질들이 매우 유용하다. 예를들면, 무기 충전제 성분은 용융된 실리카와 같은 강화 실리카를 포함할 것이며, 그것의 표면의 화학적 성질을 바꾸기 위해 처리되거나 처리되지 않을 수도 있다. 사실상 어떠한 강화 용융 실리카라도 이용될 것이다.
특히 바람직한 것은 낮은 이온 농도를 갖고 입자크기가 상대적으로 작은(예를 들면 약 2-10 미크론 범위내의, 약 2 미크론 정도와 같은), Admatechs, Japan으로부터 상업적으로 이용가능한 상표명 SO-E5와 같은 실리카이다.
무기 충전제 성분으로 이용을 위한 다른 바람직한 물질은 산화알루미늄, 질화규소, 질화알루미늄, 실리카 코팅된 질화알루미늄, 질화붕소 그리고 그들의 조합으로 구성되거나 함유하는 것들을 포함한다. 이용시, 무기 충전제 성분은 총 조성물의 약 40 중량%와 같은 약 5 중량% 내지 약 95 중량%, 바람직하게는 약 20 중량% 내지 약 60 중량%의 범위 이내의 양으로 존재하여야 한다.
추가적으로, 그 조성물은 실란 및/또는 티타네이트와 같은 유동성제를 또한 포함한다.
본원에서의 이용을 위한 적당한 실란은 옥틸 트리메톡시 실란(상표명 A-137으로 OSI Specialties Co., Danbury, Connecticut로부터 상업적으로 이용가능함)과 메타크릴옥시 프로필 프리메톡시 실란(상표명 A-174로 OSI로부터 상업적으로 이용가능함)을 포함한다.
본원에서의 이용을 위한 적당한 티타네이트는 티타늄 IV 테트라키스 [2,2-비스[(2-프로페닐옥시)메틸]-1-부타노레이토-0][비스(디트리데실포스피토-0), 디히드로젠]2(상표명 KR-55으로 Kenrich Petrochemical Inc., Bayonne, New Jersey로부터 상업적으로 이용가능함)을 포함한다.
이용시, 유동성제가 에폭시수지 100부당 0 내지 약 2 중량부의 양으로 이용될 수도 있다.
추가적으로, 실란, 글리시딜 트리메톡시실란(상표명 A-187으로 OSI으로부터 상업적으로 이용가능한)또는 감마-아미노 프로필 트리에톡시실란(상표명 A-1100으로 OSI으로부터 상업적으로 이용가능한)과 같은 접착 촉진제가 이용될 수도 있다.
시아네이트 에스테르가 발명의 조성물에서 이용될 것이다. 발명의 조성물 성분으로 유용한 시아네이트 에스테르는 디시아네이토벤젠, 트리시아네이토벤젠, 디시아네이토나프탈렌, 트리시아네이토나프탈렌, 디시아네이토-비페닐, 비스(시아네이토페닐)메탄 그리고 그들의 알킬유도체, 비스(디할로시아네이토페닐)프로판, 비스(시아네이토페닐)에테르, 비스(시아네이토페닐)황화물, 비스(시아네이토페닐)프로판, 트리스(시아네이토페닐)아인산염, 트리스(시아네이토페닐)인산염, 비스(할로시아네이토페닐)메탄, 시아네이트화된 노볼락, 비스[시아네이토페닐(메틸에틸리덴)]벤젠, 시아네이트화된 비스페놀-종결된 열가소성 올리고머, 그리고 그들의 조합으로부터 선택된다.
좀더 구체적으로, 각 분자에 적어도 하나의 시아네이트 에스테르기를 갖는 아릴 화합물은 일반적으로 화학식 Ar(OCN)m으로 나타내는데, 여기서 Ar은 방향족 라디칼이며, m은 2 내지 5 사이의 정수이다. 방향족 라디칼 Ar은 적어도 6개의 탄소 원자를 함유해야 하며, 예를들면 벤젠, 비페닐, 나프탈렌, 안트라센, 피렌 등과 같은 방향족 탄화수소로부터 유도될 수도 있다. 방향족 라디칼 Ar은 적어도 두개의 방향족 고리가 다리기를 통해 서로 부착되어 있는 다핵 방향족 탄화수소로부터 또한 유도될 수도 있다. 노볼락 -타입 페놀 수지- 즉, 이들 페놀 수지의 시아네이트 에스테르로부터 유도된 방향족 라디칼을 또한 포함한다. 방향족 라디칼 Ar은 또한 고리-부착, 비-반응성 치환물을 더 함유한다.
그러한 시아네이트 에스테르의 예로, 예를들면, 1,3-디시아네이토벤젠; 1,4-디시아네이토벤젠; 1,3,5-트리시아네이토벤젠; 1,3-, 1,4-, 1,6-, 1,8-, 2,6- 또는 2,7-디시아네이토나프탈렌; 1,3,6-트리시아네이토나프탈렌; 4,4'-디시아네이토-비페닐; 비스(4-시아네이토페닐)메탄 그리고 3,3',5,5'-테트라메틸 비스(4-시아네이토페닐)메탄; 2,2-비스(3,5-디클로로-4-시아네이토페닐)프로판; 2,2-비스(3,5-디브로모-4-디시아네이토페닐)프로판; 비스(4-시아네이토페닐)에테르; 비스(4-시아네이토페닐)황화물; 2,2-비스(4-시아네이토페닐)프로판; 트리스(4-시아네이토페닐)-아인산염; 트리스(4-시아네이토페닐)인산염; 비스(3-클로로-4-시아네이토페닐)메탄; 시아네이트화된 노볼락; 1,3-비스[4-시아네이토페닐-1-(메틸에틸리덴)]벤젠 그리고 시아네이트화된 비스페놀-종결된 폴리탄산염 또는 다른 열가소성 올리고머를 포함한다.
다른 시아네이트 에스테르는 미국 특허 제4,477,629호와 제4,528,366호(각각은 본원의 참고문헌으로 포함된다)에 개시된 시아네이트; 영국 특허 제1,305,702호에 개시된 시아네이트 에스테르와 국제 특허 출원 WO 85/02184 에 개시된 시아네이트 에스테르(각각 본원의 참고 문헌으로 포함된다)를 포함한다. 물론 본 발명의 화합물의 이미다졸 성분내의 이들 시아네이트 에스테르의 조합 또한 바람직하게는 본원에서 사용된다.
특히 바람직한 본원에서 이용되는 시아네이트 에스테르는 Ciba Specialty Chemicals, Tarrytown, New York 으로부터의 상표명 "AROCY" L10 [1,1-디(4-시아네이토페닐에탄)]으로 상업적으로 이용가능한다.
이용시, 시아네이트 에스테르는 총 에폭시 수지 성분의 양을 기준으로 약 1 내지 약 20 중량%의 양으로 이용될 수 있다.
종래의 첨가제들이 조성물, 경화된 반응 생성물 또는 둘다의 원하는 어떤 물리적 성질을 얻기 위해 본 발명의 조성물에 이용될 수 있다.
예를들면, 어떤 예에서(특히 많은 양의 무기 충전제 성분이 이용될 때) 다작용성 에폭시 수지 반응성 희석제를 포함하는 것이 바람직할 수도 있다. 그런 것들의 예는 Pacific Epoxy Polymers로부터의 상표명 PEP-6752 (트리 메틸올프로판 트리글리시딜 에테르) 그리고 PEP-6760 (디글리시딜 아닐린)을 포함한다.
본 발명의 열경화성 수지 조성물은 거품제거제, 평준화제, 염료와 안료와 같은 다른 첨가제를 더 함유할 수도 있다. 더우기 광 중합 개시제 또한 만일 그러한 개시제가 조성물 또는 거기서 형성된 반응 생성물의 성질에 불리하게 영향을 미치지 않는다면 거기에 포함될 수 있다.
본 발명의 열경화성 수지 조성물은 모든 성분들이 함께 혼합되는 한부분 조성물로서 또는 에폭시 수지와 경화제를 분리하여 보관하고 사용전에 혼합하는 2-부분 조성물로서 조제될 수도 있다. 따라서, 본 발명에서 이용되는 경화제는 일반적으로 한부분 및 2부분 에폭시 수지 조제물, 특히 위에서 언급한 것에서 이용되는 경화제중 어떤 것도 될 수 있고, 구체적으로는 상기한 것들이다.
본 발명에 따른 열경화성 수지 조성물은 회로판과 반도체 장치사이의 공간으로 침투할 수 있다. 이들 발명 조성물들은 적어도 상승된 온도하에서 감소된 점도를 또한 보이며 그러므로 그 공간으로 침투할 수 있다. 회로판과 반도체 장치사이의 공간(예를들면 50 내지 500㎛)으로의 침투 능력을 향상시키기 위해 25℃에서 3,000-4,000 mPa·s와 같이 10,000 mPa·s 또는 그 이하의 점도를 만들기 위해 다양한 성분의 타입과 비율을 선택함에 의해 열경화성 수지 조성물을 제조하는 것이 바람직하다.
도 1은 CSP와 같은 반도체 장치 장착 구조의 예를 보여주는데 본 발명의 열경화성 수지 조성물이 이용되었다.
반도체 장치(4)는 LSI와 같은 반도체 칩(이른바 베어 칩)(2)을 캐리어 기판(1)에 연결하고 그 사이의 공간을 수지(3)로 알맞게 밀봉함에 의해 형성되는 것이다. 이 반도체 장치는 회로판(5)의 미리 결정된 위치에 장착되며, 전극(8과 9)은 용접과 같은 적당한 연결 수단에 의해 전기적으로 연결된다. 신뢰도를 향상시키기 위해, 캐리어 기판(1)과 회로판(5) 사이의 공간은 경화된 열경화성 수지 조성물의 경화생성물(10)로 밀봉된다. 열경화성 수지 조성물의 경화된 생성물(10)이 캐리어 기판(1)과 회로판(5) 사이의 공간을 완전하게 채울 필요는 없지만 열주기에 의해 발생되는 스트레스를 덜 수 있는 정도로 그것을 채운다.
캐리어 기판은 A1203, SiN3그리고 뮬라이트(A1203-SiO2)로 만들어진 세라믹기판; 폴리이미드와 같은 내열성 수지로 만들어진 기판 또는 테입; 일반적으로 회로판으로 또한 이용되는 유리-강화 에폭시, ABS 그리고 페놀 기판; 등으로부터 형성된다.
플립칩 어셈블리에 대해서는, 도 3은 반도체 칩이 회로판에 장착되어 있고, 본 발명의 열경화성 수지 조성물로 언더필링 밀봉된 플립칩 어셈블리를 보여준다.
플립칩 어셈블리(34)는 반도체(베어 칩)(32)를 회로판(31)에 연결하고 그 사이의 공간을 열경화성 수지 조성물(33)로 적당하게 밀봉함에 의해 형성된다. 이 반도체 장치는 회로판(31) 위의 미리결정된 위치에 장착되고, 전극(35와 36)이 땜납과 같은 적당한 전기적 연결수단(37과 38)에 의해 전기적으로 연결된다. 신뢰도를 향상시키기 위해, 반도체 칩(32)과 회로판(31) 사이의 공간은 열경화성 수지 조성물(33)로 밀봉되고 그후 경화된다. 열경화성 수지 조성물의 경화된 생성물은 그 공간을 완전히 채워야 한다.
반도체 칩을 캐리어 기판에 전기적으로 연결하기 위한 수단에는 제한이 없으며, 고 용융 땜납이나 전기적으로(또는 비등방성으로) 전도성 접착제, 와이어 본딩등에 의한 연결이 사용될 수 있다. 연결을 용이하게 하기 위해, 전극은 범프로 형성될 수도 있다. 더우기, 연결의 신뢰도와 내구력을 향상시키기 위해, 반도체 칩과 캐리어 기판사이의 공간은 적당한 수지로 밀봉될 수 있다. 본 발명에서 이용될 수 있는 반도체 장치는 CSP, BGA, 그리고 LGA를 포함한다.
본 발명에 이용되는 회로판의 타입에는 특별한 제한이 없으며, 유리강화 에폭시, ABS 그리고 페놀 보드와 같은 다양한 보통의 회로판이 이용될 수 있다.
다음으로, 장착 과정이 아래에 기술된다. 초기에, 회로판의 필요한 위치에크림 땜납을 프린트하고 용매를 없애기 위해 적당히 건조한다. 그후, 회로판 위의 패턴에 따라 반도체 장치를 장착한다. 땜납을 녹이기 위해 리플로잉 노를 통해 이 회로판을 통과시키고 그럼에 의해 반도체 장치를 땜납한다. 반도체 장치와 회로판사이의 전기적 연결은 크림 땜납의 이용에 한정되지 않고, 땜납 볼을 이용하여 만들어질 것이다. 선택적으로 이 연결은 전기적 전도성이 있는 접착제나 비등방성으로 전도성인 접착제를 통해 만들어 질 수도 있다. 더우기, 크림 땜납 등은 회로판이나 반도체 장치에 도포되거나 형성될 수 있다. 그후의 수선을 쉽게 하기 위해, 사용되는 땜납, 전기적 또는 비등방성의 전도성 접착제는 그것의 녹는점과 결합세기 등을 유념하면서 선택하여야 한다.
이러한 방식으로 반도체 장치를 회로판에 전기적으로 연결한후, 결과 구조물은 연속성 시험과 같은 것을 통상적으로 받게 한다. 그러한 시험을 거친후, 반도체 장치가 거기에 수지 조성물로 고정될 것이다. 이러한 방식으로, 고장의 경우에, 반도체 장치를 수지 조성물로 고정하기 전에 그것을 제거하기 쉽다.
그후, 분배기와 같은 적당한 도포기를 이용하여, 열경화성 수지 조성물을 반도체 장치의 표면에 도포한다. 이 조성물이 반도체 장치에 도포될 때, 그것은 회로판과 반도체 장치의 캐리어 기판 사이의 공간으로 모세관 작용에 의해 침투한다.
다음으로, 열경화성 수지 조성물을 가열하여 경화시킨다. 이 가열의 초기단계중에 열경화성 수지 조성물은 점도가 현저하게 감소됨을 보이고 유동성이 증가하여, 회로판과 반도체 장치사이의 공간으로 좀더 쉽게 침투한다. 더우기, 회로판에 적당한 통풍구를 주어 열경화성 수지 조성물을 회로판과 반도체 장치사이의 전체공간으로 완전히 침투하게 한다.
도포되는 열경화성 수지 조성물의 양은 회로판과 반도체 장치 사이의 공간을 거의 완전하게 채울 수 있도록 적당히 조절되어야 한다.
위에 기술된 열경화성 수지 조성물 이용시, 그것은 보통 약 5 내지 약 60 분의 시간동안 약 80℃ 내지 약 150℃의 온도로 가열하여 경화한다. 그러므로, 본 발명은 저온과 단시간의 경화조건을 적용할 수 있어 매우 좋은 생산성을 얻는다. 도 1에 보인 반도체 장치 장착 구조물은 이러한 방식으로 완성된다.
본 발명의 열경화성 수지 조성물을 이용하는 장착 공정에서, 위에 기술한 대로 반도체 장치를 회로판에 장착후, 결과 구조물을 반도체 장치의 특성, 반도체 장치와 회로판사이의 연결, 다른 전기적 특성, 그리고 밀봉의 상태에 대하여 시험한다. 고장의 경우, 다음의 방식으로 수선할 수 있다.
고장난 반도체 장치의 부위를 약 10 초 내지 약 60 초의 시간동안 약 190℃ 내지 약 260℃의 온도로 가열한다. 가열 수단에는 특별한 제한이 없지만, 국부 가열이 바람직하다. 고장 부위에 뜨거운 공기를 가하는 것과 같은 비교적 간단한 수단이 적용될 수 있다.
땜납이 녹자마자 수지가 부드러워지고 결합 세기가 약해지며, 반도체 장치가 분리된다.
반도체 장치(4)가 도 2에 보이는 것처럼 제거된 후, 열경화성 수지 조성물의 경화된 반응 생성물의 잔기(12)와 땜납 잔기(14)가 회로판(5)에 남겨진다. 열경화성 수지 조성물의 경화된 생성물의 잔기가 예를들면 잔기를 미리 정해진 온도로 가열하여 부드럽게 하고, 용매를 이용하여 팽윤시키거나 미리 정해진 온도로 가열하면서 용매를 이용하여 팽윤시킨후 그것을 문질러 제거할 수 있다.
잔기는 가열과 용매를 모두 이용하여 가장 쉽게 제거될 수 있다. 예를 들면, 전체 회로판을 약 100℃(통상적으로는 약 80℃ 내지 약 120℃의 범위에서)의 온도로 유지하면서 잔여 수지를 용매로 팽윤되게 하여 부드러워 진후 문질러 제거할 수 있다.
이 목적을 위해 이용되는 용매는 열경화성 수지 조성물의 경화된 반응 생성물을 팽윤되게 하는 것이다. 그럼에 의해 경화된 물질이 회로판에서 문질러 제거할 수 있는 정도까지 결합력을 약화시킨다. 유용한 용매는 예를들면, 염화메틸렌과 같은 염화알킬; 에틸 셀룰로오스와 부틸 셀룰로오스와 같은 글리콜 에테르; 디에틸 숙시네이트와 같은 이염기산의 디에스테르; 그리고 N-메틸피롤리딘과 같은 유기물을 포함한다. 물론, 적당한 조합이 또한 사용될 수 있다.
회로-보호 레지스트 회로판에 이미 결합되었을때, 선택된 용매가 레지스트에 해를 일으끼지 않아야 한다. 바람직한 용매는 글리콜 에테르와 N-메틸피롤리돈을 포함한다.
땜납의 잔기를 예를 들면 땜납-흡수 브레이디드 와이어를 이용하여 제거할 수 있다.
마지막으로, 상기 절차에 따라 깨끗해진 회로판위에, 새로운 반도체 장치를 앞서 설명한 것과 같은 방식으로 장착한다. 이와 같이, 고장 부위의 수선이 완성된다.
회로판에서 고장이 발견되었을때, 반도체 장치를 열경화성 수지 조성물의 경화 반응 생성물의 잔기(13)와 반도체 장치의 바닥에 남겨진 땜납의 잔기(15)를 위에서와 같은 방식으로 제거하여 재사용할 수 있다.(도 4 참조)
발명은 다음의 무-제한의 실시예에 의해 더욱 설명될 것이다.
열경화성 수지 조성물
본 발명에 따른 열경화성 수지 조성물은 아래의 표 1a-1f에 열거된 성분들로부터 제조될 수 있다.
비교를 위해, 샘플 번호 24-30를 경화 가능한 수지를 비교할만한 양의 에폭시 수지(비스페놀-A-타입 에폭시 수지 또는 비스페놀-F-타입 에폭시 수지)로 대체한 것을 제외하고는 실질적으로 샘플 번호 17-23처럼 제조하였다. 표 1d 참조.
비교를 위해, 샘플 번호 40-48을 경화 가능한 수지를 비교할만한 양의 에폭시 수지(비스페놀-A-타입 에폭시 수지 또는 비스페놀-F-타입 에폭시 수지)로 대체한 것을 제외하고는 실질적으로 샘플 번호 31-39처럼 제조하였다. 비교예들이 표 1f에 주어진다.
물리적 성질
경화되지 않은 상태에서, 조성물들은 표 2에 제시한 것과 같은 점도치 mPa를 갖는 것으로 관찰되었다.
경화된 상태에서, 조성물의 반응 생성물들은 표 2a-2d에 제시한 것과 같은 열 기계 분석("TMA")으로 측정되는 유리 전이 온도, α1, α2와, 약 0℃ 내지 약 140℃ 사이의 극도의 온도에서 순환시 팽창도를 갖는 것으로 관찰되었다.
이들 샘플들의 대부분의 점도는 언더필링 밀봉제로의 이용에 적합하다. 즉 점도가 약 10,000 mPa s보다 작다. 나열된 샘플의 Tg값은 언더필링 밀봉제로의 이용에 적합하다. 비록 표 2a-2d에 주어지진 않았지만, 샘플에 대한 열 팽창값의 계수는 약 0℃ 내지 약 140℃이며, 그것은 언더필링 밀봉제로의 이용에 적합하다.
장착공정
크림 땜납을 이용하여 (Harima Chemicals, Inc.에 의해 제조된 PS10R-350A-F92C), 겉포장 10mm2, 전극 지름 0.5mm, 전극 피치 1.Omm, 그리고 알루미나 캐리어 기판을 갖는 CSP를 거기에 형성된 회로가 있는 두께 1.6mm 유리-강화 에폭시 판에 장착하였다.
그후, 분배기로 CSP의 표면에 열경화성 수지 조성물을 도포하였다. 그후 약 60 분동안 약 150℃로 온도가 유지되는 환경하에서 가열하여 경화하였다. 열경화성 수지 조성물이 경화전에 반도체 장치와 회로판 사이의 공간으로 완전히 침투하였다.
열 충격 시험
위에서 기술된 대로 제조된 샘플 번호 2와 8의 4개의 모사물을 약 10분동안 -40℃의 온도로 유지하면서 열 충격 시험을 하였고, 그후 약 10분동안 약 125℃로 온도를 상승시켰다. 미리 정해진 회수의 열 주기에 달한후, 그 모사물을 CSP와 회로판사이의 전기적 연결을 확실하게 하기 위해 연속성 시험을 한다. 연속성이 적어도 800주기인 것이 확인되었을 때 그 모사물이 허용가능한 것으로 하고, 이 수의 주기에 이르기 전에 선이 끊기는 등으로 인해 연속성을 상실할 때 허용가능하지 않은 것으로 한다. 이 실시예의 장착 구조물에 대해서, 모든 모사물은 900주기 이상에서도 허용가능하였다.
수선
고온 공기 발생기를 이용하여, 상기와 같은 열경화성 수지를 갖는 회로판에고정된 CSP 주변 부위를 1분동안 250℃로 고온 공기로 가열한후, CSP와 유리강화 에폭시 판사이에 금속조각을 넣어 CSP를 쉽게 제거하고, CSP를 들어낼 수 있었다.
유리-강화 에폭시 판을 핫 플레이트에 두어(또는 원-적외선 히터등으로 가열하여)약 100℃의 온도로 유지하면서, 유리-강화 에폭시 판에 남겨진 수지를 PS-1 (Dai-ichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.에 의해 제조됨) 또는 7360 (Loctite Corporation에 의해 제조됨)와 같은 용매로 팽창시킨후 주걱으로 벗겨낸다. 유리 강화 에폭시 판에 남은 땜납을 땜납-흡수 브레이디드 와이어를 이용하여 제거한다. 유리-강화 에폭시 판에 남아있는 잔여 미량의 수지를 아세톤을 적신 천으로 제거하였다. 이 수선 조작을 위해 필요한 시간은 3분 이내이었고, 그것은 실용적인 관점에서 볼때 충분히 짧은 시간이었다.
경화된 접착제의 손쉬운 수선과 재작업성을 아래의 표 3a-3d에 1 내지 5의 상대적인 스케일로 표현하였다. 1은 비재작업성 경화 접착제이며 따라서 수선할 수 없는 것이며, 5는 재작업성 경화 접착제이며 따라서 앞서의 과정을 이용하여 쉽게 수선가능한 것이다.
도 5는 발명에 따른 양이온 경화 메커니즘을 통해 경화 가능한 XBO-기재 조성물의 경화된 반응 생성물(샘플 번호 23)을 양이온 경화 메카니즘을 통해 경화가능한 비스페놀-F-타입 에폭시 수지 기재 조성물(샘플 번호 30)의 경화된 반응 생성물에 비해 높은 온도에 노출시 열분해에 의한 중량 손실의 온도 범위를 보여준다.
도 6은 발명에 따른 MPG-기재 조성물(샘플 번호 17)의 경화된 반응 생성물을비스페놀-F-타입 에폭시 수지 기재 조성물(샘플 번호 29)의 경화된 반응 생성물에 비해 높은 온도에 노출시 열분해에 의한 중량 손실의 온도 범위를 보여준다.
도 7은 발명에 따른 양이온 경화 메커니즘을 통해 경화 가능한 CBO-기재 조성물의 경화된 반응 생성물(샘플 번호 32)을 양이온 경화 메카니즘을 통해 경화가능한 비스페놀-F-타입 에폭시 수지 기재 조성물(샘플 번호 40)의 경화된 반응 생성물에 비해 높은 온도에 노출시 열분해에 의한 중량 손실의 온도 범위를 보여준다.
발명의 모든 범위를 청구범위에 의해 결정된다.

Claims (30)

  1. 열경화성 수지 조성물의 반응 생성물이 조절가능하게 분해되며, 상기 조성물이
    (a) 상승된 온도 조건 및/또는 산성 조건에의 노출시 분해될 수 있는 적어도 하나의 에테르, 티오에테르, 탄산염 결합을 함유하는 중심구조를 가지며, 그 중심구조에 매달린 적어도 두개의 헤테로원자 함유 탄소환 구조를 갖는 경화가능한 수지, 적어도 하나의 말단 에폭시기에 인접하여 위치된 적어도 하나의 산화 알킬렌 잔기를 적어도 일부분이 갖는 에폭시 수지, 그리고 에폭시 수지와 다음의 구조
    (여기에서 X는 헤테로원자, 산소 또는 황을 나타내고; Y는 존재하거나 존재하지 않을 수 있는데, 존재할 때에는 알킬, 알케닐, 아릴을 나타내며; 그리고 R은 알킬, 알케닐, 아릴을 나타낸다)로 표시되는 공반응 희석제의 조합으로 구성되는 군으로부터 선택되는 경화가능한 수지 성분, 그리고
    (b) 경화제 성분을 포함하는 열경화성 수지 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서, 무수물 성분을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서, 무기 충전제 성분을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서, 경화가능한 수지 성분은 다음의 구조로 표시되는 것을 특징으로 하는 조성물.
    여기에서 네모는 하나 또는 그 이상의 헤테로 원자에 의해 개재되거나 개재되지 않은 또는 치환되거나 치환되지 않은 방향족 고리(들)이나 고리계(들)을 나타내며; X1, X2,Xa와 Xb는 같거나 다를 수도 있으며, 산소 그리고 황을 나타내며; m과 m1은 1 내지 3 범위내의 정수를 나타내며; n과 n1은 0 내지 8 범위내의 정수를 나타내며; o 와 o1은 1 내지 3 범위내의 정수를 나타낸다.
  5. 제 4 항에 있어서, 네모를 다음으로 표시되는 것을 특징으로 하는 조성물.
    여기에서 Y는 존재하거나 존재하지 않을 수 있고 존재할 때에는 탄소, 산소, 황, 그리고 페닐렌으로 구성되는 군으로부터 선택된다.
  6. 제 4 항에 있어서, 네모가 개개의 방향족고리, 올리고머계, 그리고 융합 고리계로 접합된, 비-아릴 고리계, 비스-아릴 고리계로 접합된, 또는 지환족-방향족 혼성 고리계로 접합된 다중 방향족 단위를 갖는 방향족 고리계로 구성되는 군으로부터 선택되는 구조의 결합을 나타낸다.
  7. 제 1 항에 있어서, 경화가능한 수지 성분은 다음의 구조로 표시되는 것을 특징으로 하는 조성물:
    여기에서 X1과 X2는 같거나 다를 수 있으며 산소와 황을 나타내며; Xa와 Xb는 같거나 다를 수 있으며, 존재하거나 존재하지 않을 것이며, 탄소수 1 내지 약 20개의 알킬, 알케닐, 그리고 아릴, 또는 하나 또는 그 이상의 헤테로원자에 의해 개재되거나 개재되지 않은 또는 치환되거나 치환되지 않은 하나 또는 그 이상의 방향족 고리(들) 또는 고리계(들)을 나타내며; 그리고 m과 m1은 1 내지 3의 정수를 나타낸다.
  8. 제 1 항에 있어서, 경화가능한 수지 성분이 MPG[비스[4-(2,3-에폭시-프로필티오)페닐]-황화물], XBO[크실렌 비스옥세탄], CBO(탄산염 비스옥세탄), 그리고 그들의 조합으로 구성되는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  9. 제 1 항에 있어서, 에폭시 수지 성분이 단일- 또는 다작용성 지방족 에폭시, 지환족고리 구조 또는 계를 갖는 에폭시, 또는 방향족 고리 구조 또는 계를 갖는 에폭시, 그리고 그들의 조합인 것을 특징으로 하는 조성물.
  10. 제 1 항에 있어서, 에폭시 수지 성분이
    (여기에서 n은 1 내지 약 18 사이의 정수이다)
    (여기에서 n은 위에서 정의된 것과 같다)
    그리고 그들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  11. 제 1 항에 있어서, 공반응물 희석제는 다음의 구조로 표시되는 것을 특징으로 하는 조성물:
    여기에서 X는 헤테로원자, 산소 또는 황을 나타내며; Y는 존재하거나 존재하지 않을 것이고, 존재할때에는 각각 탄소수 하나 또는 둘 내지 약 20개의 직쇄, 분지, 시클로 또는 비시클로 알킬 또는 알케닐, 그리고 탄소수 약 6 내지 약 20의 하나 또는 그 이상의 방향족 고리(들) 또는 고리계(들)의 아릴로 구성되는 군으로부터 선택되는 결합을 나타낸다.
  12. 제 1 항에 있어서, 공반응물 희석제가 글리시딜 네오데카노에이트인 것을 특징으로 하는 조성물.
  13. 제 1 항에 있어서, 경화제 성분이 아민 화합물, 아미드 화합물, 이미다졸 화합물 그리고 그들의 유도체와 그들의 조합으로 구성되는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  14. 제 13 항에 있어서, 아민 화합물이 지방족 폴리아민, 방향족 폴리아민, 지환족 폴리아민 그리고 그들의 조합으로 구성되는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  15. 제 13 항에 있어서, 아민 화합물이 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 디에틸아미노프로필아민, 크실렌디아민, 디아미노디페닐아민, 이소포론디아민, 멘텐디아민 그리고 그들의 조합으로 구성되는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  16. 제 13 항에 있어서, 아미드 화합물이 시아노-작용성 아미드를 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  17. 제 13 항에 있어서, 이미다졸 화합물이 이미다졸, 이소이미다졸, 알킬-치환 이미다졸, 그리고 그들의 조합으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물.
  18. 제 13 항에 있어서, 이미다졸 화합물이 2-메틸 이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2,4-디메틸이미다졸, 부틸이미다졸, 2-헵타데세닐-4-메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-운데세닐이미다졸, 1-비닐-2-메틸이미다졸, 2-n-헵타데실이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-프로필-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-구안아미노에틸-2-메틸이미다졸 그리고 이미다졸과 트리멜리트산의 부가생성물, 2-n-헵타데실-4-메틸이미다졸, 아릴-치환 이미다졸, 페닐이미다졸, 벤질이미다졸, 2-메틸-4,5-디페닐이미다졸, 2,3,5-트리페닐이미다졸, 2-스티릴이미다졸, 1-(도데실 벤질)-2-메틸이미다졸, 2-(2-히드록실-4-t-부틸페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 2-(2-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 2-(3-히드록시페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 2-(p-디메틸아미노페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 2-(2-히드록시페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 디(4,5-디페닐-2-이미다졸)-벤젠-1,4,2-나프틸-4,5-디페닐이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 2-p-메톡시스티릴이미다졸, 그리고 그들의 조합으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  19. 제 13 항에 있어서, 변형된 아민 화합물이 아민 화합물을 에폭시 화합물에 첨가하여 형성된 에폭시 아민 애덕트를 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  20. 제 13 항에 있어서, 변형된 아민 화합물이 "ANCAMINE"2337S을 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  21. 제 13 항에 있어서, 변형된 아민 화합물이 지방족 아민과의 반응을 통해 변형된 노볼락-타입 수지인 것을 특징으로 하는 조성물.
  22. 제 13 항에 있어서, 변형된 이미다졸 화합물이 이미다졸 화합물을 에폭시 화합물에 첨가하여 형성된 이미다졸 애덕트를 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  23. 제 2 항에 있어서, 무수물 성분은 헥사히드로프탈산 무수물, 메틸 헥사히드로프탈산 무수물, 5-(2,5-디옥소테트라히드롤)-3-메틸-3-시클로헥센-1,2-디카르복실 무수물, 그리고 그들의 조합으로 구성되는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  24. 제 3 항에 있어서, 무기 충전제 성분은 실리카, 산화알루미늄, 질화규소, 질화알루미늄, 실리카 코팅된 질화알루미늄, 질화붕소 그리고 그들의 조합으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  25. 캐리어 기판에 장착된 반도체 칩을 포함하는 반도체 장치와 상기 반도체 장치가 전기적으로 연결되어 있는 회로판 사이 또는 반도체 칩과 상기 반도체 칩이 전기적으로 연결되어 있는 회로판사이의 언더필을 밀봉할 수 있는 열경화성 수지 조성물로서, 그것의 반응 생성물은 약 20 중량% 내지 약 60 중량% 범위의 청구항 1의 경화가능한 수지 성분, 약 1 내지 약 10 중량% 범위의 양의 경화제 성분, 그리고 선택적으로 약 10 내지 약 60 중량%의 범위의 양의 무수물 성분, 그리고 선택적으로 약 60 중량%까지의 무기 충전제 성분을 포함하며, 연화하고 접착성을 잃을 수있는 것을 특징으로 하는 열경화성 수지 조성물.
  26. 제 1 항 내지 제 25 항중 어느 한 항에 따르는 조성물의 반응 생성물.
  27. 반도체 장치와 회로판 또는 반도체 칩과 회로판 사이를 각각 언더필링 밀봉제로서 제 1 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 따르는 열경화성 수지 조성물을 이용하여 조립된, 반도체 장치와 상기 반도체 장치가 전기적으로 연결되어 있는 회로판 또는 반도체 칩과 상기 반도체 칩이 전기적으로 연결되어 있는 회로판을 포함하는 전자 장치로서, 조성물의 반응 생성물은 조성물을 경화하는데 이용되는 온도조건을 초과하는 온도 조건에의 노출하에 연화하고 그것의 접착성을 잃을 수 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  28. 캐리어 기판에 장착된 반도체 칩을 포함하는 반도체 장치와 상기 반도체 장치가 전기적으로 연결되어 있는 회로판 사이 또는 반도체 칩과 상기 반도체 칩이 전기적으로 연결되어 있는 회로판 사이의 언더필링 밀봉하는 방법으로서,
    (a) 반도체 장치와 회로판 또는 반도체 칩과 회로판사이에 제 1 항 내지 제 25 항중 어느 한 항에 따르는 조성물을 언더필링으로 분배하는 단계; 그리고
    (b) 그렇게 분배된 조성물을 조성물이 반응 생성물을 형성하게 하기에 적당한 조건에 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  29. 제 1 항 내지 제 25 항중 어느 한 항에 따르는 조성물의 반응 생성물을 재작업하는 방법으로서, (a) 반응 생성물이 연화하고 접착성을 잃을 수 있게 하는 적당한 조건에 반응 생성물을 노출시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  30. 제 29 항에 있어서,
    (b) 회로판으로부터 반도체 칩 또는 반도체 장치를 제거하는 단계;
    (c) 선택적으로, 남아 있는 경화된 반응 생성물을 제거하기 위해 회로판의 표면을 깨끗이 하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
KR10-2001-7016219A 1999-06-17 2000-06-16 조절가능하게 분해가능한 열경화성 수지 조성물, 상기 조성물을 사용하여 반도체 칩과 회로판 사이를 밀봉 언더필링하는 방법, 및 상기 조성물을 사용하여 제조한 전자 장치 KR100372211B1 (ko)

Applications Claiming Priority (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13948699P 1999-06-17 1999-06-17
US60/139,486 1999-06-17
US19339200P 2000-03-31 2000-03-31
US19339100P 2000-03-31 2000-03-31
US60/193,392 2000-03-31
US60/193,391 2000-03-31
US21047000P 2000-06-09 2000-06-09
US60/210,470 2000-06-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020027352A true KR20020027352A (ko) 2002-04-13
KR100372211B1 KR100372211B1 (ko) 2003-02-14

Family

ID=27495368

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-7016219A KR100372211B1 (ko) 1999-06-17 2000-06-16 조절가능하게 분해가능한 열경화성 수지 조성물, 상기 조성물을 사용하여 반도체 칩과 회로판 사이를 밀봉 언더필링하는 방법, 및 상기 조성물을 사용하여 제조한 전자 장치

Country Status (8)

Country Link
EP (1) EP1194953A4 (ko)
JP (1) JP4718070B2 (ko)
KR (1) KR100372211B1 (ko)
CN (1) CN1178287C (ko)
AU (1) AU5722700A (ko)
CA (1) CA2374187A1 (ko)
MX (1) MXPA01013054A (ko)
WO (1) WO2000079582A1 (ko)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4609617B2 (ja) * 2000-08-01 2011-01-12 日本電気株式会社 半導体装置の実装方法及び実装構造体
JP2004523893A (ja) 2000-11-14 2004-08-05 ヘンケル　ロックタイト　コーポレイション ウェーハ塗布用融剤兼アンダーフィル材、ならびにそれを用いて製造された積層電子組立体
US6800371B2 (en) * 2001-03-07 2004-10-05 3M Innovative Properties Company Adhesives and adhesive compositions containing thioether groups
EP1674495A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-28 Huntsman Advanced Materials (Switzerland) GmbH Coating system
KR100671137B1 (ko) 2004-12-30 2007-01-17 제일모직주식회사 재작업이 가능한 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지조성물 및 이를 이용한 반도체 소자
WO2007050611A1 (en) * 2005-10-25 2007-05-03 Henkel Corporation Low exothermic thermosetting resin compositions useful as underfill sealants and having reworkability
KR101148051B1 (ko) * 2005-12-26 2012-05-25 에스케이케미칼주식회사 에폭시 수지 조성물
JP4923946B2 (ja) * 2006-10-24 2012-04-25 ダイソー株式会社 ポリエーテル系多元共重合体およびその架橋物
JP4931079B2 (ja) * 2007-12-21 2012-05-16 パナソニック株式会社 アンダーフィル用液状熱硬化性樹脂組成物とそれを用いた半導体装置
JP5098997B2 (ja) * 2008-12-22 2012-12-12 富士通株式会社 半導体装置とそのリペア方法、及び半導体装置の製造方法
KR101266540B1 (ko) 2008-12-31 2013-05-23 제일모직주식회사 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자
CN102153724A (zh) * 2010-02-11 2011-08-17 中国科学院化学研究所 芳香族聚醚缩水甘油醚环氧树脂及其制备方法
US9480164B2 (en) 2011-05-31 2016-10-25 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resin composition, prepreg, and laminate
CN104837922B (zh) 2012-11-28 2019-05-10 三菱瓦斯化学株式会社 树脂组合物、预浸料、层叠板、覆金属箔层叠板、以及印刷电路板
EP2976380B1 (en) 2013-03-22 2018-10-10 Henkel IP & Holding GmbH Diene/dienophile couples and thermosetting resin compositions having reworkability
JP6097815B1 (ja) 2015-12-18 2017-03-15 古河電気工業株式会社 接着剤組成物、これを用いた被着体の接合方法および積層体の製造方法
CN106117518A (zh) * 2016-06-22 2016-11-16 柳州市强威锻造厂 一种咪唑类环氧树脂固化配方
CN108530661B (zh) * 2018-02-14 2020-09-25 苏州大学 一种超疏水电热环氧树脂复合材料及其制备与自修复方法
CN110213905B (zh) * 2019-05-27 2021-01-08 维沃移动通信有限公司 一种组装电路板的封装方法、组装电路板及终端
KR20220085616A (ko) 2020-12-15 2022-06-22 삼성전자주식회사 에폭시 화합물, 이로부터 얻어지는 조성물, 반도체 장치, 전자 장치, 물품 및 에폭시 화합물 제조 방법

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5842290A (ja) * 1981-09-07 1983-03-11 日立化成工業株式会社 可撓性印刷回路用基板
JPS62295029A (ja) * 1986-06-16 1987-12-22 Hitachi Ltd 液晶表示素子
JPS63159426A (ja) * 1986-12-23 1988-07-02 Sumitomo Bakelite Co Ltd 可撓性エポキシ樹脂組成物
JPH0218412A (ja) * 1988-07-07 1990-01-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd 可撓性エポキシ樹脂組成物
JP2728106B2 (ja) * 1991-09-05 1998-03-18 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 電子パッケージングにおける除去可能なデバイス保護のための開裂性ジエポキシド
JP3193112B2 (ja) * 1992-03-25 2001-07-30 株式会社タイルメント 一液系可撓性エポキシ樹脂組成物並びにそれからなるシーリング材または接着剤
JP3339083B2 (ja) * 1992-10-27 2002-10-28 新日本理化株式会社 エポキシ樹脂組成物
JP2742190B2 (ja) * 1992-12-18 1998-04-22 株式会社トクヤマ 硬化性導電組成物
JPH06256468A (ja) * 1993-03-08 1994-09-13 Toray Chiokoole Kk 透水性舗装用バインダー樹脂
JP3399095B2 (ja) * 1994-07-04 2003-04-21 新日本理化株式会社 液状エポキシ樹脂組成物
US5932682A (en) * 1995-12-19 1999-08-03 International Business Machines Corporation Cleavable diepoxide for removable epoxy compositions
JPH09316421A (ja) * 1996-03-27 1997-12-09 Sumitomo Seika Chem Co Ltd 接着剤
US6008266A (en) * 1996-08-14 1999-12-28 International Business Machines Corporation Photosensitive reworkable encapsulant
JPH10120753A (ja) * 1996-10-17 1998-05-12 Hitachi Chem Co Ltd 封止用成形材料及び電子部品
JPH10152554A (ja) * 1996-11-21 1998-06-09 Nippon Kayaku Co Ltd エネルギー線硬化性組成物及びその硬化物
JPH1117074A (ja) * 1997-06-26 1999-01-22 Jsr Corp 半導体封止用組成物および半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR100372211B1 (ko) 2003-02-14
MXPA01013054A (es) 2003-08-20
CN1384975A (zh) 2002-12-11
EP1194953A4 (en) 2002-09-04
JP4718070B2 (ja) 2011-07-06
JP2003502484A (ja) 2003-01-21
EP1194953A1 (en) 2002-04-10
WO2000079582A1 (en) 2000-12-28
CA2374187A1 (en) 2000-12-28
AU5722700A (en) 2001-01-09
WO2000079582A9 (en) 2001-03-15
CN1178287C (zh) 2004-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100372211B1 (ko) 조절가능하게 분해가능한 열경화성 수지 조성물, 상기 조성물을 사용하여 반도체 칩과 회로판 사이를 밀봉 언더필링하는 방법, 및 상기 조성물을 사용하여 제조한 전자 장치
US7109061B2 (en) Wafer applied fluxing and underfill material, and layered electronic assemblies manufactured therewith
KR101900534B1 (ko) 반도체 인캡슐레이션용 에폭시 수지 조성물, 이를 이용한 반도체 소자 및 반도체 소자의 제조방법
US6674016B2 (en) Electronic component
JP2001506313A (ja) アンダーフィル密封材として有用な熱硬化性樹脂組成物
US6657031B1 (en) Reworkable thermosetting resin compositions
KR20000070203A (ko) 열경화성 수지 조성물
US6492438B1 (en) Electrically connectable adhesive agent for semiconductor
US7288161B2 (en) Reworkable adhesives containing thermally labile groups
US8075721B2 (en) Low exothermic thermosetting resin compositions useful as underfill sealants and having reworkability
EP1090057A1 (en) Reworkable thermosetting resin compositions
JP3644340B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
US20040155364A1 (en) Reworkable thermosetting resin compositions
KR20020046941A (ko) 사용 시 발열량이 적은 새로운 고온 언더필링 물질
US20050171301A1 (en) Reworkable thermosetting resin compositions
US7108920B1 (en) Reworkable compositions incorporating episulfide resins
US6627683B1 (en) Reworkable thermosetting resin compositions and compounds useful therein
KR20110069393A (ko) 에폭시 수지 조성물과 이를 포함하는 밀봉제
US6572980B1 (en) Reworkable thermosetting resin compositions
JP2012044155A (ja) 半導体チップ実装体の製造方法及び封止樹脂
JP2008189760A (ja) アンダーフィル剤、それを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
J204 Request for invalidation trial [patent]
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR INVALIDATION REQUESTED 20030804

Effective date: 20041126

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080305

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee