JP3644340B2 - エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＬＳＩやベアＩＣチップ等の半導体素子をキャリア基材上にのせたチップサイズ（スケール）パッケージ（ＣＳＰ）やボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）等の半導体装置を配線基板上へ実装するときに用いられるアンダーフィル封止剤に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話機やカメラ一体型ＶＴＲやノート型パーソナルコンピューター等の小型電子機器が普及するにつれＬＳＩ装置やＩＣチップの小型化が求められている。そして、ＬＳＩ等の半導体ベアチップを保護したり、テストを容易にするパッケージの特徴を生かしながら、ベアチップ並に小型化し、特性の向上を図る目的でＣＳＰやＢＧＡが普及しつつある。
【０００３】
このＣＳＰやＢＧＡは半田等によって配線基板上の配線と接続される。しかし、実装後に温度サイクルを受けると基板とＣＳＰやＢＧＡとの接続信頼性を保てない場合があり、通常、ＣＳＰやＢＧＡを配線基板上に実装した後に、ＣＳＰやＢＧＡと基板との隙間に封止樹脂を入れて（アンダーフィル封止）、温度サイクルによる応力を緩和し、耐ヒートショック性を向上させて電気的接続の信頼性を向上させている。また、落下等の衝撃によるＣＳＰやＢＧＡの脱落防止の補強剤としてもアンダーフィル封止剤が用いられている。
【０００４】
そして、従来から使用されているアンダーフィル封止剤としては熱硬化型のエポキシ樹脂、アクリル樹脂（特許第２７４６０３５、特開平１０−１０１９０６、特開平１０−１５８３６６、特開平１０−６４９３２）等が使用されてきた。しかし、封止材料として熱硬化性樹脂を用いるために、配線基板にＣＳＰやＢＧＡを実装した後に、ＣＳＰやＢＧＡ上のＬＳＩの不良、ＣＳＰやＢＧＡと配線基板との接続の不良等が発見されたときに、これらの熱硬化性樹脂を剥離してＣＳＰやＢＧＡを交換することが極めて困難であるという問題があった。
【０００５】
また、この他にも特開平５−１０２３４３には、光硬化性接着剤を用いてベアチップを配線基板上に固定接続し、不良の際にはこれを取り除く実装方法が記載されているが、光硬化性接着剤を用いているため光照射が可能なガラス等の透明基板に限られる等の問題点がある。
【０００６】
さらに、特開平６−６９２８０には、ベアチツプと基板との固定接続を所定温度で硬化する樹脂を用いて行い、不良の際にこの所定温度より高い温度で樹脂を軟化させてベアチップを取り外す方法が記載されている。しかしながら、この公報には接着剤についての具体的な開示がなく、信頼性とリペア特性の両方を満足する方法は依然として知られていなかった。
【０００７】
そこで、前述したような硬化性樹脂を基板から剥離するために、有機溶剤等に浸漬して剥離を行うことが行われてきたが、剥離性（リペア性）を向上させると接着剤本来の性能が低下し、接着剤の接着性や耐久性を向上させると剥離性が低下するといった状況にあり、本来の接着剤としての機能と剥離性を両立するものは未だに知られていない。そのため、特開平６−７７２６４では、溶剤を使用しての膨潤や溶解による剥離に代わって電磁波を照射して樹脂残さを取り除く方法を採用しているが、この方法では設備が大がかりになるばかりか接着剤の残さを取り除くことが精一杯で接着剤の剥離性そのものを大幅に改良するものではない。
【０００８】
また、特開平５−２５１５１６には、ビスフエノールＡ型エポキシ樹脂を用いて、ベアチップを配線基板上に接続固定し、不良の際にはこれを取り除く実装方法が記載されている。しかし、この方法ではチップの取り外しが必ずしも容易ではなく、ミリング加工でチツプを切削する方法を採った場合には、チップが正常である場合でもチップ自体を機械的に切除してしまうための再利用ができないという問題があった。
【０００９】
そこで、前述したような問題点を改良した剥離性（リペア性）を付与された接着剤として特開平１０−２０４２５９には、一液性または二液性エポキシ樹脂に可塑剤を添加することによって短時間の熱硬化が可能で、かつ、ＣＳＰやＢＧＡ等の半導体装置を配線基盤に接続でき、耐ヒートショック性（温度サイクル性）に優れ、かつ不良が発見されたときに容易にＣＳＰやＢＧＡを取り外すことが可能なアンダーフィル封止用熱硬化性樹脂組成物が記載されている。しかしながら、この方法では可塑剤を用いるので樹脂強度、すなわち耐久性や耐熱性、耐ヒートサイクル性が低下したり、硬化物中からの可塑剤のブリードによって周囲を汚染するといった問題点があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は前述の課題を解決するもので、すなわち、短時間の熱硬化が可能で生産性がよく、また比較的低温での熱硬化で配線基板上の各部品に悪影響を及ぼさずに、配線基板上にＣＳＰやＢＧＡ等の半導体装置を確実に接続し、硬化後の耐ヒートショック性（温度サイクル性）、耐衝撃性に優れ、また、硬化物中からの汚染物質のブリードがなく、かつ、不良が発見された際には容易にＣＳＰやＢＧＡを配線基板から取り外すことができ、正常な配線基盤、または半導体装置の再利用が可能なアンダーフィル封止用のエポキシ樹脂組成物を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明では、チップサイズ（スケール）パッケージ（ＣＳＰ）やボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）と、これらが電気的に接続される配線基板との間を封止するアンダーフィル封止剤に用いられる熱硬化性樹脂組成物であって、
ａ．常温で液状であり、かつ分子内に２個以上のグリシジル基を持った多官能性エポキシ樹脂１００重量部、
ｂ．硬化剤３〜８０重量部、
ｃ．植物油変性エポキシ樹脂とダイマー酸変性エポキシ樹脂を、重量比で７：３〜３：７の割合で混合した混合物１〜１００重量部
上記ａ〜ｃを主成分とするエポキシ樹脂組成物により前述の課題を解決した。
【００１２】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、短時間、または比較的低温で硬化するにも関わらず、硬化物の耐ヒートショック性（温度サイクル性）、耐衝撃性に優れ、しかもこの硬化物は加熱して力を加えると容易に引き裂くことが可能であり、さらに配線基板等に付着した硬化物も加熱することにより、容易に取り除くことができる性質を有している。
【００１３】
この熱硬化性樹脂組成物を用いることによって、短時間の熱硬化が可能で生産性がよく、比較的低温での熱硬化で配線基板上の各部品に悪影響を及ぼさずに、ＣＳＰやＢＧＡ等の半導体装置を確実に配線基板に接続することが可能であり、接続後の半導体の実装構造は耐ヒートショック性（温度サイクル性）、耐衝撃性に優れ、また硬化物中からの汚染物質のブリードを生じない。そして電気的接続等に不良が発見されたときに容易に半導体装置を取り外すことが可能であるので、半導体装置や配線基板等を再度利用することができ、生産工程の歩留まり向上、生産コストの低減を図ることができる。
【００１４】
本発明で用いるエポキシ樹脂は、常温で液状であり、かつ分子内に２個以上のグリシジル基をもつ一般的な多官能エポキシ樹脂を使用することができ、必要に応じて反応性希釈剤として、単官能エポキシ樹脂を０〜３０重量％、好ましくは０〜２０重量％（いずれも全エポキシ樹脂中の重量％）程度含んでもよい。ここで常温で液状であり、かつ分子内に２個以上のグリシジル基をもつ一般的な多官能エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等を挙げることができる。これらのエポキシ樹脂は２種以上を混合して使用してもよい。これらは粘度や物性を考慮して選択することができる。好ましくは、粘度を考慮するとビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂であり、特に好ましくはビスフェノールＦ型エポキシ樹脂である。また、エポキシ樹脂の分子量は３２０〜３８０の範囲が適当である。
【００１５】
本発明で用いる変性エポキシ樹脂は、樹脂硬化物のガラス転移点を低下させ、かつ、硬化したときに架橋構造の一部として組み込まれるための反応基を有していることが好ましい。こうすることにより、均一な硬化物ができ、未反応成分がブリードするという問題も生じない。このような変性エポキシ樹脂としては、具体的には植物油変性エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂、ダイマー酸変性エポキシ樹脂が好ましいが、上記した性質を有する変性エポキシ樹脂であればこれらに限定されない。これらの変性エポキシ樹脂は２種以上を混合して使用してもよい。
【００１６】
植物油変性エポキシ樹脂としては、例えばひまし油変性物、亜麻仁油変性物、大豆油変性物等で、分子中に１個以上のグリシジル基をもつ植物油類を挙げることができる。また、液状ゴム変性エポキシ樹脂としては、例えば液状ポリイソプレン変性物、液状ポリクロロプレン変性物、液状ポリブタジエン変性物、液状アクリロニトリル−ブタジエン共重合体変性物等で、分子中に１個以上のグリシジル基をもつ液状ゴム変性物類を挙げることができる。その他に、分子中にグリシジル基をもつダイマー酸変性エポキシ樹脂等を挙げることができる。これら変性エポキシ樹脂のうち、特に好ましいものとして粘度を考慮すると、植物油変性エポキシ樹脂類では５０，０００ｃｐｓ（センチポイズ）以下、ダイマー酸変性エポキシ樹脂類では２０，０００ｃｐｓ以下、液状ゴム変性エポキシ樹脂類では１００，０００ｃｐｓ以下のものが挙げられる。
【００１７】
また、上記変性エポキシ樹脂の最も好ましい例としては、植物油変性エポキシ樹脂と、ダイマー酸変性エポキシ樹脂を混合して使用すると、耐ヒートショック性が更に向上し、性能的にバランスのとれた組成物が得られる。また、この時の植物油変性エポキシ樹脂とダイマー酸変性エポキシ樹脂の混合比は、重量部で７：３〜３：７が好ましい。
【００１８】
これら変性エポキシ樹脂の使用量は、エポキシ樹脂１００重量部に対して、通常１〜１００重量部、好ましくは３〜５０重量部である。１重量部より少ない場合はリペア性が十分に発揮されない恐れがあり、１００重量部よりも多い場合は硬化物の強度が不十分となる恐れがある。
【００１９】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、構成成分がすべて混合された一液性であっても、エポキシ樹脂と硬化剤とを別々に保存し使用時に混合して用いる二液性であってもよい。従って、本発明に用いられる硬化剤としては、硬化剤として一般的に一液性のエポキシ樹脂に用いられるもの、及び二液性のエポキシ樹脂に用いられるものが使用できるが、作業性を考慮すると一液性が好ましく、具体的にはジシアンジアミド等のアミン系化合物、イミダゾール化合物、変性アミン化合物、変性イミダゾール化合物、酸無水物等の潜在性硬化剤を挙げることができる。
【００２０】
イミダゾール化合物としては、例えば２−メチルイミダソール、２−エチル−４ーメチルイミダゾール、２−フエニルイミダソール等を挙げることができる。
【００２１】
変性アミン化合物としては、エポキシ化合物にアミン化合物を付加させたエポキシ化合物付加ポリアミンや変性脂肪族ポリアミン等を挙げることができる。
【００２２】
変性イミダソール化合物としては、エポキシ化合物にイミダソール化合物を付加させたイミダゾール付加物等を挙げることができる。
【００２３】
酸無水物としては、例えばヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸等を挙げることができる。
【００２４】
これらの潜在性硬化剤の中でも、低温での熱硬化性を考慮すると変性イミダゾール化合物が好ましく、硬化条件に応じて２種類以上の潜在性硬化剤を併用してもよい。
【００２５】
硬化剤の配合量は、通常エポキシ樹脂１００重量部に対して３〜８０重量部であり、好ましくは５〜５０重量部である。３重量部より少ない場合は硬化が不十分となる恐れがあり、８０重量部よりも多い場合は硬化物中に未反応の硬化剤が残留し耐湿性等の物性に悪影響を与える恐れがある。
【００２６】
このようにして配合されるエポキシ樹脂組成物は、配線基板と半導体装置の隙間の間に容易に浸透するか、少なくとも加熱時に粘度が低下して容易に浸透するような物性を考慮して選択して使用することができる。
【００２７】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、必要に応じてさらに、脱泡剤、レベリング剤、染料、顔料、充填剤、防錆剤等のその他の添加物を本発明の目的を達成できる範囲で少量配合することができる。例えば、光重合開始剤を添加して光硬化性を付与したりすることも可能である。また、本発明のエポキシ樹脂組成物を製造するには、従来公知の混合方法により容易に製造できるが、組成物中に気泡を抱き込まないようにするため、減圧下で混合するか、もしくは混合した組成物を減圧して脱泡することが望ましい。
【００２８】
【発明の実施の形態】
次に、本発明を実施例を用いて詳述する。本発明のエポキシ樹脂を用いた実装構造を、図１に示す。
【００２９】
半導体装置１は、配線基板２上の所定位置に搭載されており、半導体装置１側の半田バンプ３により配線基板２側の電極４と電気的に接続されている。この半導体装置１と配線基板２の間は、信頼性を高めるために本発明のエポキシ樹脂組成物の硬化物５によりアンダーフィル封止されている。エポキシ樹脂組成物の硬化物５による封止は、半導体装置１と配線基板２の隙間をすべて充填していなければならないものではなく、温度サイクルや衝撃による応力を緩和できる程度充填されていれば良い。
【００３０】
このような、本発明のエポキシ樹脂の特徴を生かして使用できる半導体装置は、ＣＳＰ及びＢＧＡを含むものである。
【００３１】
本発明で用いられる配線基板は、特に制限はなく、ガラスエポキシ、ＡＢＳ、フェノール等の配線基板として通常用いられる基板が用いられる。
【００３２】
次に実装方法について説明する。まず配線基板２の必要箇所に半田ペーストを印刷し、適宜溶剤を乾燥した後、基板上のパターンに合わせて半導体装置１を搭載する。この基板をリフロー炉に通すことにより半田を溶融させて半田付けを行う。ここで、半導体装置１と配線基板２との電気的な接続は、半田ペーストに限られることはなく、半田バンプ３（半田ボール）を用いた接続でもよい。また、導電性接着剤または異方導電性接着剤を用いて接続してもよい。また、半田ペースト等の塗布または形成は、配線基板側及び半導体装置側のどちらに行ってもよい。ここで用いる半田、（異方性）導電接着剤は、後にリペアする場合を考慮し適宜融点、接着強度等を選択して使用する。
【００３３】
このように半導体装置と配線基板とを電気的に接続した後、通常は導通試験等の検査を行い、合格した場合に次の樹脂組成物を用いて固定することが好ましい。不良が発見された場合には樹脂で固定する前に取り外した方が簡単であるからである。
【００３４】
次に、ディスベンサ等の適当な塗布手段を用いて半導体装置の周囲にエポキシ樹脂組成物を塗布する。この樹脂組成物を塗布した際に樹脂組成物は毛細管現象により配線基板と半導体装置のキャリア基材とのすき間に浸透する。
【００３５】
次に、加熱しエポキシ樹脂組成物を硬化させる。この加熱の初期において粘度が大きく低下して流動性が高まり、配線基板と半導体装置との間にさらに浸透しやすくなる。また、基板に適当な空気抜け穴を設けるか、樹脂を一部塗布しない箇所を設けることによって、配線基板と半導体装置との間に十分に浸透させることができる。エポキシ樹脂組成物の塗布量は、半導体装置と配線基板との間をほぼ充填するように適宜調整する。
【００３６】
ここで硬化条件は、上述のエポキシ樹脂組成物を使用した場合、通常７０℃〜１５０℃で、１〜６０分程度である。硬化条件は、配線基板等への熱の影響が心配なときは低温硬化、生産性を上げたいときは高温短時間硬化というように、作業性に合わせて各成分の選定、配合比によって適宜調整する。このようにして図１に示す実装構造が完成する。
【００３７】
次に、リペア作業について説明する。本発明のエポキシ樹脂組成物を用いた実装方法においては、上記のように半導体装置を配線基被上に実装した後に、半導体装置の特性、半導体装置と配線基板との接続、その他の電気的特性を検査する。このときに、万一不良が発見されたときには次のようにリペアすることができる。
【００３８】
不良個所の半導体装置の部分を１００〜３００℃程度にて数秒〜１分程度加熱する。加熱手段は特に制限はないが、部分的に加熱することが好ましく、例えば熱風を不良個所に当てる等の比較的簡単な手段を用いることができる。
【００３９】
半田が溶融し、かつ樹脂が軟化して接着強度が低下したところでピンセット等を用いて半導体装置を引き剥がす。この時の状態を図２に示す。
【００４０】
図２に示すように半導体装置１を取り外した後、配線基板２上にはエポキシ樹脂組成物の硬化物の残さ６と半田の残さ８が残っている。エポキシ樹脂組成物の硬化物の残さ６は、所定温度に加熱し、スクレイパー、ブラシ等を用いてかき取って取り除くことができるが、２００〜３５０℃に加熱した平たい金属片（ホットナイフ、半田ゴテ（先端形状が平面なもの）等）のようなものを用いると、最も容易に取り除くことができる。尚、硬化物の残さを取り除く際は、配線基板上のパターンを剥がしてしまう恐れがあるので、充分慎重に行う必要がある。また、半田の残さ８は、例えば半田吸い取り用の編組線等を用いて除去することができる。
【００４１】
配線基板上のエポキシ樹脂組成物の残さ及び半田の残さを取り除いた後、アルコール等にてはく離面の仕上げを行う。このような操作によりきれいになった配線基板上に前述と同じ操作により再度半導体装置を実装することで不良個所のリペアが完了する。
【００４２】
尚、配線基板側に不良があった場合は、半導体装置側に残ったエポキシ樹脂組成物の硬化物残さ７、及び半田の残さ９を同様にして除去することで、半導体装置を再度利用することができる。
【００４３】
【実施例１、参考例１、２】
以下に具体例を示しながら本発明をさらに詳細に説明する。
（１）使用したエポキシ樹脂組成物
下記のＡ）エポキシ樹脂、Ｂ１）、Ｂ２）硬化剤及びＣ１）、Ｃ２）、Ｃ３）エポキシ変性物を表１の割合で混合し、脱泡してエポキシ樹脂組成物を得た。
Ａ） エポキシ樹脂：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂
（油化シェルエポキシ社製 商品名：エピコート８０７）
Ｂ１） 硬化剤：変性イミダゾール化合物
（味の素社製 商品名：アミキュアＰＮ−２３）
Ｂ２） 硬化剤：変性脂肪族ポリアミン
（富士化成工業社製 商品名：フジキュアー ＦＸＥ−１０００）
Ｃ１）変性エポキシ樹脂：ダイマー酸変性物
（油化シェルエポキシ社製 商品名：エピコート８７１）
Ｃ２）変性エポキシ樹脂：大豆油変性物
（ダイセル化学工業社製 商品名：ダイマックＳ−３００Ｋ）
Ｃ３）変性エポキシ樹脂：ひまし油変性物
（三井化学社製 商品名：エポミック Ｒ１５１）
【００４４】
【比較例１】
実施例１、参考例１、２で用いたＣ１）、Ｃ２）、Ｃ３）変性エポキシ樹脂を添加しない配合とした。（表１参照）
【比較例２、３】
参考例１、２で用いたＣ１）、Ｃ２）変性エポキシ樹脂の添加量を増加した配合とした。（表１参照）
【比較例４】
実施例１、参考例１、２で用いたＣ１）、Ｃ２）、Ｃ３）変性エポキシ樹脂の変わりにＤ）フタル酸ジオクチルを加えた配合。（表１参照）
【００４５】
【表１】
【００４６】
（２）実装方法
検討に用いたＣＳＰは外径□１２ｍｍ（一辺の長さ）で端子数１７６ピンのものを用いた。半田ペーストを配線基板（ガラスエポキシ）の電極上に印刷供給し、ＣＳＰを搭載し、リフロー炉により半田接合を行った。
【００４７】
その後、エポキシ樹脂組成物をディスペンサを用いてＣＳＰの周囲に塗布し、引き続き８０℃で６０分間加熱してエポキシ樹脂組成物を硬化させた。このときエポキシ樹脂組成物は、完全に硬化する前に半導体装置と配線基板の間に浸透した。
【００４８】
（３）耐ヒートショック試験
低温側−４０℃、高温側８０℃で、各々の保持時間を３０分とした１サイクル１時間の条件で行い、１００サイクル毎に試料の導通試験を行い、ＣＳＰと基板との電気的接続を確認した。１０００サイクル以上でも導通があったものを合格とし、この回数より前に断線等で非導通となったものを不合格とした。
【００４９】
（４）耐衝撃性試験
高さ１．８ｍからコンクリート上に１０回落下させた後に導通試験を行い、ＣＳＰと基板との電気的接続を確認し、導通があったものを合格とし、この回数より前に断線等で非導通となったものを不合格とした。
【００５０】
（５）リペア
配線基板にエポキシ樹脂組成物で固着されたＣＳＰの付近を、熱風発生器を用いて、２６０℃程度の熱風を１０秒間あてて加熱し、ＣＳＰとガラスエポキシ基板の間にピンセットによりつまんで持ち上げ、ＣＳＰを取り外した。
【００５１】
次に、３５０℃に熱した半田ゴテ（先端形状が平面なもの）を用いてガラスエポキシ基板上に残っている樹脂と半田を取り除いた。また、それだけでは完全に取り除くことができなかったガラスエポキシ基板上に残っている半田を半田吸い取り用編組線で除去し、アルコール等を用いて基板表面の洗浄を行った。
【００５２】
このようにしてＣＳＰが取り除かれたガラスエポキシ基板上に再度、半田ペーストを塗布し、新たなＣＳＰを実装した。尚、このとき新しいＣＳＰ側に半田ペーストを印刷しても良い。
【００５３】
前記と同様に、エポキシ樹脂組成物をＣＳＰの周囲に塗布し、引き続き８０℃で６０分間加熱してエポキシ樹脂組成物を硬化させた。
【００５４】
このようにリペアされたＣＳＰ実装基板が、電気的接続も確実になされており、耐ヒートショック試験、耐衝撃性試験においても、リペアしない場合と同様の特性を示したものを合格とした。これらの結果を表２にまとめた。
【００５５】
【表２】
【００５６】
【発明の効果】
本発明によれば、短時間の熱硬化が可能で生産性がよく、比較的低温での熱硬化で配線基板上の各部品に悪影響を及ぼさずに、配線基板上にＣＳＰやＢＧＡ等の半導体装置を確実に接続し、耐ヒートショック性（温度サイクル性）、耐衝撃性に優れ、また、硬化物中からの汚染物質のブリードがなく、かつ、不良が発見された際には容易にＣＳＰやＢＧＡを配線基板から取り外すことができ、正常な配線基盤、または半導体装置の再利用が可能なアンダーフィル封止用のエポキシ樹脂組成物を提供することができる。
【００５７】
特に、変性エポキシ樹脂として、植物油変性エポキシ樹脂とダイマー酸変性エポキシ樹脂を混合して使用すると、耐ヒートショック性、耐衝撃性が更に向上し、性能的にバランスのとれたエポキシ樹脂組成物が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のエポキシ樹脂組成物を用い、半導体装置を配線基板上に固着させた実装構造の例である。
【図２】エポキシ樹脂を硬化した後、リペアのために半導体装置を配線基板から引き剥がした際の例である。
【符号の説明】
１ 半導体装置
２ 配線基板
３ 半田バンプ（半導体装置側）
４ 電極（配線基板側）
５ エポキシ樹脂組成物の硬化物
６ エポキシ樹脂組成物の硬化物の残さ（配線基板側）
７ エポキシ樹脂組成物の硬化物の残さ（半導体装置側）
８ 半田の残さ（配線基板側）
９ 半田の残さ（半導体装置側）
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＬＳＩやベアＩＣチップ等の半導体素子をキャリア基材上にのせたチップサイズ（スケール）パッケージ（ＣＳＰ）やボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）等の半導体装置を配線基板上へ実装するときに用いられるアンダーフィル封止剤に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話機やカメラ一体型ＶＴＲやノート型パーソナルコンピューター等の小型電子機器が普及するにつれＬＳＩ装置やＩＣチップの小型化が求められている。そして、ＬＳＩ等の半導体ベアチップを保護したり、テストを容易にするパッケージの特徴を生かしながら、ベアチップ並に小型化し、特性の向上を図る目的でＣＳＰやＢＧＡが普及しつつある。
【０００３】
このＣＳＰやＢＧＡは半田等によって配線基板上の配線と接続される。しかし、実装後に温度サイクルを受けると基板とＣＳＰやＢＧＡとの接続信頼性を保てない場合があり、通常、ＣＳＰやＢＧＡを配線基板上に実装した後に、ＣＳＰやＢＧＡと基板との隙間に封止樹脂を入れて（アンダーフィル封止）、温度サイクルによる応力を緩和し、耐ヒートショック性を向上させて電気的接続の信頼性を向上させている。また、落下等の衝撃によるＣＳＰやＢＧＡの脱落防止の補強剤としてもアンダーフィル封止剤が用いられている。
【０００４】
そして、従来から使用されているアンダーフィル封止剤としては熱硬化型のエポキシ樹脂、アクリル樹脂（特許第２７４６０３５、特開平１０−１０１９０６、特開平１０−１５８３６６、特開平１０−６４９３２）等が使用されてきた。しかし、封止材料として熱硬化性樹脂を用いるために、配線基板にＣＳＰやＢＧＡを実装した後に、ＣＳＰやＢＧＡ上のＬＳＩの不良、ＣＳＰやＢＧＡと配線基板との接続の不良等が発見されたときに、これらの熱硬化性樹脂を剥離してＣＳＰやＢＧＡを交換することが極めて困難であるという問題があった。
【０００５】
また、この他にも特開平５−１０２３４３には、光硬化性接着剤を用いてベアチップを配線基板上に固定接続し、不良の際にはこれを取り除く実装方法が記載されているが、光硬化性接着剤を用いているため光照射が可能なガラス等の透明基板に限られる等の問題点がある。
【０００６】
さらに、特開平６−６９２８０には、ベアチツプと基板との固定接続を所定温度で硬化する樹脂を用いて行い、不良の際にこの所定温度より高い温度で樹脂を軟化させてベアチップを取り外す方法が記載されている。しかしながら、この公報には接着剤についての具体的な開示がなく、信頼性とリペア特性の両方を満足する方法は依然として知られていなかった。
【０００７】
そこで、前述したような硬化性樹脂を基板から剥離するために、有機溶剤等に浸漬して剥離を行うことが行われてきたが、剥離性（リペア性）を向上させると接着剤本来の性能が低下し、接着剤の接着性や耐久性を向上させると剥離性が低下するといった状況にあり、本来の接着剤としての機能と剥離性を両立するものは未だに知られていない。そのため、特開平６−７７２６４では、溶剤を使用しての膨潤や溶解による剥離に代わって電磁波を照射して樹脂残さを取り除く方法を採用しているが、この方法では設備が大がかりになるばかりか接着剤の残さを取り除くことが精一杯で接着剤の剥離性そのものを大幅に改良するものではない。
【０００８】
また、特開平５−２５１５１６には、ビスフエノールＡ型エポキシ樹脂を用いて、ベアチップを配線基板上に接続固定し、不良の際にはこれを取り除く実装方法が記載されている。しかし、この方法ではチップの取り外しが必ずしも容易ではなく、ミリング加工でチツプを切削する方法を採った場合には、チップが正常である場合でもチップ自体を機械的に切除してしまうための再利用ができないという問題があった。
【０００９】
そこで、前述したような問題点を改良した剥離性（リペア性）を付与された接着剤として特開平１０−２０４２５９には、一液性または二液性エポキシ樹脂に可塑剤を添加することによって短時間の熱硬化が可能で、かつ、ＣＳＰやＢＧＡ等の半導体装置を配線基盤に接続でき、耐ヒートショック性（温度サイクル性）に優れ、かつ不良が発見されたときに容易にＣＳＰやＢＧＡを取り外すことが可能なアンダーフィル封止用熱硬化性樹脂組成物が記載されている。しかしながら、この方法では可塑剤を用いるので樹脂強度、すなわち耐久性や耐熱性、耐ヒートサイクル性が低下したり、硬化物中からの可塑剤のブリードによって周囲を汚染するといった問題点があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は前述の課題を解決するもので、すなわち、短時間の熱硬化が可能で生産性がよく、また比較的低温での熱硬化で配線基板上の各部品に悪影響を及ぼさずに、配線基板上にＣＳＰやＢＧＡ等の半導体装置を確実に接続し、硬化後の耐ヒートショック性（温度サイクル性）、耐衝撃性に優れ、また、硬化物中からの汚染物質のブリードがなく、かつ、不良が発見された際には容易にＣＳＰやＢＧＡを配線基板から取り外すことができ、正常な配線基盤、または半導体装置の再利用が可能なアンダーフィル封止用のエポキシ樹脂組成物を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明では、チップサイズ（スケール）パッケージ（ＣＳＰ）やボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）と、これらが電気的に接続される配線基板との間を封止するアンダーフィル封止剤に用いられる熱硬化性樹脂組成物であって、
ａ．常温で液状であり、かつ分子内に２個以上のグリシジル基を持った多官能性エポキシ樹脂１００重量部、
ｂ．硬化剤３〜８０重量部、
ｃ．植物油変性エポキシ樹脂とダイマー酸変性エポキシ樹脂を、重量比で７：３〜３：７の割合で混合した混合物１〜１００重量部
上記ａ〜ｃを主成分とするエポキシ樹脂組成物により前述の課題を解決した。
【００１２】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、短時間、または比較的低温で硬化するにも関わらず、硬化物の耐ヒートショック性（温度サイクル性）、耐衝撃性に優れ、しかもこの硬化物は加熱して力を加えると容易に引き裂くことが可能であり、さらに配線基板等に付着した硬化物も加熱することにより、容易に取り除くことができる性質を有している。
【００１３】
この熱硬化性樹脂組成物を用いることによって、短時間の熱硬化が可能で生産性がよく、比較的低温での熱硬化で配線基板上の各部品に悪影響を及ぼさずに、ＣＳＰやＢＧＡ等の半導体装置を確実に配線基板に接続することが可能であり、接続後の半導体の実装構造は耐ヒートショック性（温度サイクル性）、耐衝撃性に優れ、また硬化物中からの汚染物質のブリードを生じない。そして電気的接続等に不良が発見されたときに容易に半導体装置を取り外すことが可能であるので、半導体装置や配線基板等を再度利用することができ、生産工程の歩留まり向上、生産コストの低減を図ることができる。
【００１４】
本発明で用いるエポキシ樹脂は、常温で液状であり、かつ分子内に２個以上のグリシジル基をもつ一般的な多官能エポキシ樹脂を使用することができ、必要に応じて反応性希釈剤として、単官能エポキシ樹脂を０〜３０重量％、好ましくは０〜２０重量％（いずれも全エポキシ樹脂中の重量％）程度含んでもよい。ここで常温で液状であり、かつ分子内に２個以上のグリシジル基をもつ一般的な多官能エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等を挙げることができる。これらのエポキシ樹脂は２種以上を混合して使用してもよい。これらは粘度や物性を考慮して選択することができる。好ましくは、粘度を考慮するとビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂であり、特に好ましくはビスフェノールＦ型エポキシ樹脂である。また、エポキシ樹脂の分子量は３２０〜３８０の範囲が適当である。
【００１５】
本発明で用いる変性エポキシ樹脂は、樹脂硬化物のガラス転移点を低下させ、かつ、硬化したときに架橋構造の一部として組み込まれるための反応基を有していることが好ましい。こうすることにより、均一な硬化物ができ、未反応成分がブリードするという問題も生じない。このような変性エポキシ樹脂としては、具体的には植物油変性エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂、ダイマー酸変性エポキシ樹脂が好ましいが、上記した性質を有する変性エポキシ樹脂であればこれらに限定されない。これらの変性エポキシ樹脂は２種以上を混合して使用してもよい。
【００１６】
植物油変性エポキシ樹脂としては、例えばひまし油変性物、亜麻仁油変性物、大豆油変性物等で、分子中に１個以上のグリシジル基をもつ植物油類を挙げることができる。また、液状ゴム変性エポキシ樹脂としては、例えば液状ポリイソプレン変性物、液状ポリクロロプレン変性物、液状ポリブタジエン変性物、液状アクリロニトリル−ブタジエン共重合体変性物等で、分子中に１個以上のグリシジル基をもつ液状ゴム変性物類を挙げることができる。その他に、分子中にグリシジル基をもつダイマー酸変性エポキシ樹脂等を挙げることができる。これら変性エポキシ樹脂のうち、特に好ましいものとして粘度を考慮すると、植物油変性エポキシ樹脂類では５０，０００ｃｐｓ（センチポイズ）以下、ダイマー酸変性エポキシ樹脂類では２０，０００ｃｐｓ以下、液状ゴム変性エポキシ樹脂類では１００，０００ｃｐｓ以下のものが挙げられる。
【００１７】
また、上記変性エポキシ樹脂の最も好ましい例としては、植物油変性エポキシ樹脂と、ダイマー酸変性エポキシ樹脂を混合して使用すると、耐ヒートショック性が更に向上し、性能的にバランスのとれた組成物が得られる。また、この時の植物油変性エポキシ樹脂とダイマー酸変性エポキシ樹脂の混合比は、重量部で７：３〜３：７が好ましい。
【００１８】
これら変性エポキシ樹脂の使用量は、エポキシ樹脂１００重量部に対して、通常１〜１００重量部、好ましくは３〜５０重量部である。１重量部より少ない場合はリペア性が十分に発揮されない恐れがあり、１００重量部よりも多い場合は硬化物の強度が不十分となる恐れがある。
【００１９】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、構成成分がすべて混合された一液性であっても、エポキシ樹脂と硬化剤とを別々に保存し使用時に混合して用いる二液性であってもよい。従って、本発明に用いられる硬化剤としては、硬化剤として一般的に一液性のエポキシ樹脂に用いられるもの、及び二液性のエポキシ樹脂に用いられるものが使用できるが、作業性を考慮すると一液性が好ましく、具体的にはジシアンジアミド等のアミン系化合物、イミダゾール化合物、変性アミン化合物、変性イミダゾール化合物、酸無水物等の潜在性硬化剤を挙げることができる。
【００２０】
イミダゾール化合物としては、例えば２−メチルイミダソール、２−エチル−４ーメチルイミダゾール、２−フエニルイミダソール等を挙げることができる。
【００２１】
変性アミン化合物としては、エポキシ化合物にアミン化合物を付加させたエポキシ化合物付加ポリアミンや変性脂肪族ポリアミン等を挙げることができる。
【００２２】
変性イミダソール化合物としては、エポキシ化合物にイミダソール化合物を付加させたイミダゾール付加物等を挙げることができる。
【００２３】
酸無水物としては、例えばヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸等を挙げることができる。
【００２４】
これらの潜在性硬化剤の中でも、低温での熱硬化性を考慮すると変性イミダゾール化合物が好ましく、硬化条件に応じて２種類以上の潜在性硬化剤を併用してもよい。
【００２５】
硬化剤の配合量は、通常エポキシ樹脂１００重量部に対して３〜８０重量部であり、好ましくは５〜５０重量部である。３重量部より少ない場合は硬化が不十分となる恐れがあり、８０重量部よりも多い場合は硬化物中に未反応の硬化剤が残留し耐湿性等の物性に悪影響を与える恐れがある。
【００２６】
このようにして配合されるエポキシ樹脂組成物は、配線基板と半導体装置の隙間の間に容易に浸透するか、少なくとも加熱時に粘度が低下して容易に浸透するような物性を考慮して選択して使用することができる。
【００２７】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、必要に応じてさらに、脱泡剤、レベリング剤、染料、顔料、充填剤、防錆剤等のその他の添加物を本発明の目的を達成できる範囲で少量配合することができる。例えば、光重合開始剤を添加して光硬化性を付与したりすることも可能である。また、本発明のエポキシ樹脂組成物を製造するには、従来公知の混合方法により容易に製造できるが、組成物中に気泡を抱き込まないようにするため、減圧下で混合するか、もしくは混合した組成物を減圧して脱泡することが望ましい。
【００２８】
【発明の実施の形態】
次に、本発明を実施例を用いて詳述する。本発明のエポキシ樹脂を用いた実装構造を、図１に示す。
【００２９】
半導体装置１は、配線基板２上の所定位置に搭載されており、半導体装置１側の半田バンプ３により配線基板２側の電極４と電気的に接続されている。この半導体装置１と配線基板２の間は、信頼性を高めるために本発明のエポキシ樹脂組成物の硬化物５によりアンダーフィル封止されている。エポキシ樹脂組成物の硬化物５による封止は、半導体装置１と配線基板２の隙間をすべて充填していなければならないものではなく、温度サイクルや衝撃による応力を緩和できる程度充填されていれば良い。
【００３０】
このような、本発明のエポキシ樹脂の特徴を生かして使用できる半導体装置は、ＣＳＰ及びＢＧＡを含むものである。
【００３１】
本発明で用いられる配線基板は、特に制限はなく、ガラスエポキシ、ＡＢＳ、フェノール等の配線基板として通常用いられる基板が用いられる。
【００３２】
次に実装方法について説明する。まず配線基板２の必要箇所に半田ペーストを印刷し、適宜溶剤を乾燥した後、基板上のパターンに合わせて半導体装置１を搭載する。この基板をリフロー炉に通すことにより半田を溶融させて半田付けを行う。ここで、半導体装置１と配線基板２との電気的な接続は、半田ペーストに限られることはなく、半田バンプ３（半田ボール）を用いた接続でもよい。また、導電性接着剤または異方導電性接着剤を用いて接続してもよい。また、半田ペースト等の塗布または形成は、配線基板側及び半導体装置側のどちらに行ってもよい。ここで用いる半田、（異方性）導電接着剤は、後にリペアする場合を考慮し適宜融点、接着強度等を選択して使用する。
【００３３】
このように半導体装置と配線基板とを電気的に接続した後、通常は導通試験等の検査を行い、合格した場合に次の樹脂組成物を用いて固定することが好ましい。不良が発見された場合には樹脂で固定する前に取り外した方が簡単であるからである。
【００３４】
次に、ディスベンサ等の適当な塗布手段を用いて半導体装置の周囲にエポキシ樹脂組成物を塗布する。この樹脂組成物を塗布した際に樹脂組成物は毛細管現象により配線基板と半導体装置のキャリア基材とのすき間に浸透する。
【００３５】
次に、加熱しエポキシ樹脂組成物を硬化させる。この加熱の初期において粘度が大きく低下して流動性が高まり、配線基板と半導体装置との間にさらに浸透しやすくなる。また、基板に適当な空気抜け穴を設けるか、樹脂を一部塗布しない箇所を設けることによって、配線基板と半導体装置との間に十分に浸透させることができる。エポキシ樹脂組成物の塗布量は、半導体装置と配線基板との間をほぼ充填するように適宜調整する。
【００３６】
ここで硬化条件は、上述のエポキシ樹脂組成物を使用した場合、通常７０℃〜１５０℃で、１〜６０分程度である。硬化条件は、配線基板等への熱の影響が心配なときは低温硬化、生産性を上げたいときは高温短時間硬化というように、作業性に合わせて各成分の選定、配合比によって適宜調整する。このようにして図１に示す実装構造が完成する。
【００３７】
次に、リペア作業について説明する。本発明のエポキシ樹脂組成物を用いた実装方法においては、上記のように半導体装置を配線基被上に実装した後に、半導体装置の特性、半導体装置と配線基板との接続、その他の電気的特性を検査する。このときに、万一不良が発見されたときには次のようにリペアすることができる。
【００３８】
不良個所の半導体装置の部分を１００〜３００℃程度にて数秒〜１分程度加熱する。加熱手段は特に制限はないが、部分的に加熱することが好ましく、例えば熱風を不良個所に当てる等の比較的簡単な手段を用いることができる。
【００３９】
半田が溶融し、かつ樹脂が軟化して接着強度が低下したところでピンセット等を用いて半導体装置を引き剥がす。この時の状態を図２に示す。
【００４０】
図２に示すように半導体装置１を取り外した後、配線基板２上にはエポキシ樹脂組成物の硬化物の残さ６と半田の残さ８が残っている。エポキシ樹脂組成物の硬化物の残さ６は、所定温度に加熱し、スクレイパー、ブラシ等を用いてかき取って取り除くことができるが、２００〜３５０℃に加熱した平たい金属片（ホットナイフ、半田ゴテ（先端形状が平面なもの）等）のようなものを用いると、最も容易に取り除くことができる。尚、硬化物の残さを取り除く際は、配線基板上のパターンを剥がしてしまう恐れがあるので、充分慎重に行う必要がある。また、半田の残さ８は、例えば半田吸い取り用の編組線等を用いて除去することができる。
【００４１】
配線基板上のエポキシ樹脂組成物の残さ及び半田の残さを取り除いた後、アルコール等にてはく離面の仕上げを行う。このような操作によりきれいになった配線基板上に前述と同じ操作により再度半導体装置を実装することで不良個所のリペアが完了する。
【００４２】
尚、配線基板側に不良があった場合は、半導体装置側に残ったエポキシ樹脂組成物の硬化物残さ７、及び半田の残さ９を同様にして除去することで、半導体装置を再度利用することができる。
【００４３】
【実施例１、参考例１、２】
以下に具体例を示しながら本発明をさらに詳細に説明する。
（１）使用したエポキシ樹脂組成物
下記のＡ）エポキシ樹脂、Ｂ１）、Ｂ２）硬化剤及びＣ１）、Ｃ２）、Ｃ３）エポキシ変性物を表１の割合で混合し、脱泡してエポキシ樹脂組成物を得た。
Ａ） エポキシ樹脂：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂
（油化シェルエポキシ社製 商品名：エピコート８０７）
Ｂ１） 硬化剤：変性イミダゾール化合物
（味の素社製 商品名：アミキュアＰＮ−２３）
Ｂ２） 硬化剤：変性脂肪族ポリアミン
（富士化成工業社製 商品名：フジキュアー ＦＸＥ−１０００）
Ｃ１）変性エポキシ樹脂：ダイマー酸変性物
（油化シェルエポキシ社製 商品名：エピコート８７１）
Ｃ２）変性エポキシ樹脂：大豆油変性物
（ダイセル化学工業社製 商品名：ダイマックＳ−３００Ｋ）
Ｃ３）変性エポキシ樹脂：ひまし油変性物
（三井化学社製 商品名：エポミック Ｒ１５１）
【００４４】
【比較例１】
実施例１、参考例１、２で用いたＣ１）、Ｃ２）、Ｃ３）変性エポキシ樹脂を添加しない配合とした。（表１参照）
【比較例２、３】
参考例１、２で用いたＣ１）、Ｃ２）変性エポキシ樹脂の添加量を増加した配合とした。（表１参照）
【比較例４】
実施例１、参考例１、２で用いたＣ１）、Ｃ２）、Ｃ３）変性エポキシ樹脂の変わりにＤ）フタル酸ジオクチルを加えた配合。（表１参照）
【００４５】
【表１】
（２）実装方法
検討に用いたＣＳＰは外径□１２ｍｍ（一辺の長さ）で端子数１７６ピンのものを用いた。半田ペーストを配線基板（ガラスエポキシ）の電極上に印刷供給し、ＣＳＰを搭載し、リフロー炉により半田接合を行った。
【００４７】
その後、エポキシ樹脂組成物をディスペンサを用いてＣＳＰの周囲に塗布し、引き続き８０℃で６０分間加熱してエポキシ樹脂組成物を硬化させた。このときエポキシ樹脂組成物は、完全に硬化する前に半導体装置と配線基板の間に浸透した。
【００４８】
（３）耐ヒートショック試験
低温側−４０℃、高温側８０℃で、各々の保持時間を３０分とした１サイクル１時間の条件で行い、１００サイクル毎に試料の導通試験を行い、ＣＳＰと基板との電気的接続を確認した。１０００サイクル以上でも導通があったものを合格とし、この回数より前に断線等で非導通となったものを不合格とした。
【００４９】
（４）耐衝撃性試験
高さ１．８ｍからコンクリート上に１０回落下させた後に導通試験を行い、ＣＳＰと基板との電気的接続を確認し、導通があったものを合格とし、この回数より前に断線等で非導通となったものを不合格とした。
【００５０】
（５）リペア
配線基板にエポキシ樹脂組成物で固着されたＣＳＰの付近を、熱風発生器を用いて、２６０℃程度の熱風を１０秒間あてて加熱し、ＣＳＰとガラスエポキシ基板の間にピンセットによりつまんで持ち上げ、ＣＳＰを取り外した。
【００５１】
次に、３５０℃に熱した半田ゴテ（先端形状が平面なもの）を用いてガラスエポキシ基板上に残っている樹脂と半田を取り除いた。また、それだけでは完全に取り除くことができなかったガラスエポキシ基板上に残っている半田を半田吸い取り用編組線で除去し、アルコール等を用いて基板表面の洗浄を行った。
【００５２】
このようにしてＣＳＰが取り除かれたガラスエポキシ基板上に再度、半田ペーストを塗布し、新たなＣＳＰを実装した。尚、このとき新しいＣＳＰ側に半田ペーストを印刷しても良い。
【００５３】
前記と同様に、エポキシ樹脂組成物をＣＳＰの周囲に塗布し、引き続き８０℃で６０分間加熱してエポキシ樹脂組成物を硬化させた。
【００５４】
このようにリペアされたＣＳＰ実装基板が、電気的接続も確実になされており、耐ヒートショック試験、耐衝撃性試験においても、リペアしない場合と同様の特性を示したものを合格とした。これらの結果を表２にまとめた。
【００５５】
【表２】
【発明の効果】
本発明によれば、短時間の熱硬化が可能で生産性がよく、比較的低温での熱硬化で配線基板上の各部品に悪影響を及ぼさずに、配線基板上にＣＳＰやＢＧＡ等の半導体装置を確実に接続し、耐ヒートショック性（温度サイクル性）、耐衝撃性に優れ、また、硬化物中からの汚染物質のブリードがなく、かつ、不良が発見された際には容易にＣＳＰやＢＧＡを配線基板から取り外すことができ、正常な配線基盤、または半導体装置の再利用が可能なアンダーフィル封止用のエポキシ樹脂組成物を提供することができる。
【００５７】
特に、変性エポキシ樹脂として、植物油変性エポキシ樹脂とダイマー酸変性エポキシ樹脂を混合して使用すると、耐ヒートショック性、耐衝撃性が更に向上し、性能的にバランスのとれたエポキシ樹脂組成物が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のエポキシ樹脂組成物を用い、半導体装置を配線基板上に固着させた実装構造の例である。
【図２】エポキシ樹脂を硬化した後、リペアのために半導体装置を配線基板から引き剥がした際の例である。
【符号の説明】
１ 半導体装置
２ 配線基板
３ 半田バンプ（半導体装置側）
４ 電極（配線基板側）
５ エポキシ樹脂組成物の硬化物
６ エポキシ樹脂組成物の硬化物の残さ（配線基板側）
７ エポキシ樹脂組成物の硬化物の残さ（半導体装置側）
８ 半田の残さ（配線基板側）
９ 半田の残さ（半導体装置側）
Claims (4)
- チップサイズ（スケール）パッケージ（ＣＳＰ）やボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）と、これらが電気的に接続される配線基板との間を封止するアンダーフィル封止剤に用いられる熱硬化性樹脂組成物であって、
ａ．常温で液状であり、かつ分子内に２個以上のグリシジル基を持った多官能性エポキシ樹脂１００重量部、
ｂ．硬化剤３〜８０重量部、
ｃ．植物油変性エポキシ樹脂とダイマー酸変性エポキシ樹脂を、重量比で７：３〜３：７の割合で混合した混合物１〜１００重量部
上記ａ〜ｃを主成分とするエポキシ樹脂組成物。 - 前記ａ多官能エポキシ樹脂がビスフェノールＦ型エポキシ樹脂である請求項１に記載のエポキシ樹脂組成物。
- 前記ｂ硬化剤が、アミン化合物、イミダゾール化合物、変性アミン化合物及び変性イミダゾール化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種からなる請求項１に記載のエポキシ樹脂組成物。
- 前記ｂ硬化剤が、変性脂肪族ポリアミンを主成分とするアミン化合物である請求項３に記載のエポキシ樹脂組成物。
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| JP2006057021A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Nec Corp | 電子部品装置 |
| US7390859B2 (en) * | 2005-02-08 | 2008-06-24 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Compositions and methods of making compositions exhibiting fuel resistance |
| JP2006303192A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置及びチップの再生方法 |
| US9061450B2 (en) * | 2007-02-12 | 2015-06-23 | Cree, Inc. | Methods of forming packaged semiconductor light emitting devices having front contacts by compression molding |
| JP2008247974A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 一液型エポキシ樹脂組成物 |
| JP5869911B2 (ja) * | 2012-02-23 | 2016-02-24 | 株式会社タムラ製作所 | 熱硬化性樹脂組成物 |
| KR20190077219A (ko) * | 2017-12-25 | 2019-07-03 | 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤 | 디스플레이용 봉지제 및 그것을 이용한 액정 디스플레이 |
| KR20190077220A (ko) * | 2017-12-25 | 2019-07-03 | 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤 | 디스플레이용 봉지제 및 그것을 이용한 액정 디스플레이 |
| WO2023079753A1 (ja) * | 2021-11-08 | 2023-05-11 | 株式会社レゾナック | エポキシ樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法 |
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| JPS62128160A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-10 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置 |
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