WO2023079753A1 - エポキシ樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to an epoxy resin composition, an electronic component device, and a method for manufacturing an electronic component device.
- bare-chip mounting in which the chip is mounted on a substrate such as a silicon substrate (silicon nitride substrate), has become mainstream.
- flip chip mounting which is a type of bare chip mounting and connects the active surface of a semiconductor chip to the substrate side, a liquid called underfill material is used to fill the space between the semiconductor chip and the substrate connected via bumps.
- Epoxy resin compositions are used as encapsulants (see, for example, Patent Document 1).
- mounting techniques for electronic component devices are changing from planar mounting to 2.5D (2.5-dimensional) mounting and further to 3D (three-dimensional) mounting from the viewpoint of increasing the degree of integration.
- elements such as logic and memory are arranged on a substrate, and the memory has a structure in which a plurality of semiconductor chips are stacked.
- An electronic component device employing 3D mounting has a structure in which not only memory but also logic is divided into a plurality of semiconductor chips.
- an epoxy resin composition or the like is filled as a sealing material between a substrate and an element and cured.
- a plurality of thin semiconductor chips forming elements are electrically connected at high density, and an insulating material is filled around the connection locations and cured. It is conceivable to apply an epoxy resin composition or the like as this insulating material.
- the part of the electronic component device to which the epoxy resin composition is applied is warped, and the cured product of the epoxy resin composition is damaged. may peel off from the silicon substrate, silicon nitride substrate, or the like, and further improvement in reliability is required.
- one aspect of the present disclosure provides an epoxy resin composition capable of suppressing peeling from at least one of a silicon substrate and a silicon nitride substrate, an electronic component device including a cured product of the epoxy resin composition, and
- An object of the present invention is to provide a method of manufacturing an electronic component device.
- An epoxy resin composition containing an epoxy resin, a curing agent, and an inorganic filler An epoxy resin composition whose cured product has at least one of an adhesive strength to a silicon substrate of 6.0 MPa or more and an adhesive strength to a silicon nitride substrate of 7.0 MPa or more.
- An epoxy resin composition containing an epoxy resin and a curing agent An epoxy resin composition whose cured product has at least one of an adhesive strength to a silicon substrate of 22.0 MPa or more and an adhesive strength to a silicon nitride substrate of 19.0 MPa or more.
- ⁇ 3> The epoxy resin composition according to ⁇ 1> or ⁇ 2> above, wherein the cured product has a storage modulus at 25° C. of 6.5 GPa or less.
- ⁇ 4> The epoxy resin composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 3> above, wherein the cured product has a storage modulus at 240° C. of 0.070 GPa or less.
- ⁇ 5> The epoxy resin composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 4>, wherein the cured product has a thermal expansion coefficient of 65 ppm/°C or less at 50°C.
- ⁇ 6> The epoxy resin composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 5> above, wherein the cured product has a thermal expansion coefficient of 180 ppm/°C or less at 150°C.
- the epoxy resin is The above ⁇ 1> to ⁇ 6>, comprising an epoxy compound having one or more epoxy groups and one or more branched divalent saturated hydrocarbon groups having 20 to 60 carbon atoms.
- Epoxy resin composition according to any one of. ⁇ 8> The epoxy resin composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 7> above, which is a resin composition for encapsulant.
- An electronic component device comprising a cured product of the epoxy resin composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 8> above.
- An electronic component disposed on a substrate having a circuit layer and electrically connected to the circuit layer is manufactured using the epoxy resin composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 8> above.
- an electronic component device including an epoxy resin composition, a cured product of the epoxy resin composition, and an electronic component device capable of suppressing peeling from at least one of a silicon substrate and a silicon nitride substrate is provided.
- FIG. 1 is a schematic diagram showing one embodiment of a universal bond tester used for measuring the adhesive strength of a cured product of an epoxy resin composition to a silicon substrate.
- each component may contain multiple types of applicable substances.
- the content of each component means the total content of the multiple types of substances present in the composition unless otherwise specified.
- Particles corresponding to each component in the present disclosure may include a plurality of types.
- the particle size of each component means a value for a mixture of the multiple types of particles present in the composition, unless otherwise specified.
- the term “layer” or “film” refers to the case where the layer or film is formed in the entire region when observing the region where the layer or film is present, and only a part of the region. It also includes the case where it is formed.
- silicon nitride substrate means a substrate having a silicon nitride film thereon.
- the first epoxy resin composition contains an epoxy resin, a curing agent, and an inorganic filler,
- the cured product has at least one of an adhesion strength to a silicon substrate of 6.0 MPa or more and an adhesion strength to a silicon nitride substrate of 7.0 MPa or more.
- the first epoxy resin composition preferably has a cured product with an adhesive strength of 6.0 MPa or more to a silicon substrate and a cured product with an adhesive strength of 7.0 MPa or more to a silicon nitride substrate.
- the adhesive strength of the cured product of the first epoxy resin composition to the silicon substrate is preferably 10.0 MPa or more.
- the adhesive strength of the cured product of the first epoxy resin composition to the silicon nitride substrate is preferably 10.0 MPa or more.
- the adhesive strength of the cured product of the first epoxy resin composition to silicon substrates and silicon nitride substrates can be adjusted by changing the composition of the epoxy resin contained in the epoxy resin composition.
- the adhesion strength of the cured product of the epoxy resin composition to the silicon substrate is measured as follows. First, an epoxy resin composition is used to form a cured product having a diameter of 3 mm and a height of 1 mm on the surface of a silicon substrate. The cured product is formed by coating the surface of the silicon substrate with the epoxy resin composition and curing it at 165° C. for 120 minutes. A silicon substrate 13 with a cured product 12 formed thereon is placed on a stage 11 provided in a universal bond tester 10 shown in FIG. The stage temperature is set at 260°C.
- the tool 14 provided in the universal bond tester 10 is moved in the direction of the arrow at a tool speed of 50 ⁇ m/sec, and the maximum value of shear adhesive strength is measured.
- a distance d between the tool 14 and the silicon substrate 13 (hereinafter also referred to as tool height) was set to 50 ⁇ m.
- reference numeral 15 denotes a stopper for restricting movement of the silicon substrate 13.
- the maximum value of the shear adhesive strength is measured five times, and the average value is taken as the adhesive strength of the present disclosure.
- the adhesion strength of the cured product of the epoxy resin composition to the silicon nitride substrate is measured by preparing a silicon substrate having a silicon nitride film on its surface and forming the cured product on the silicon nitride film surface of the silicon substrate. Other than that, it is carried out in the same manner as the above method.
- the bond tester for example, a universal bond tester (trade name DS100) manufactured by DAGE or a similar device can be used.
- the cured product of the first epoxy resin composition has a storage modulus of 6 at 25°C. It is preferably 0.5 GPa or less, more preferably 6.3 GPa or less, and even more preferably 2.5 GPa or less.
- the lower limit of the storage modulus at 25° C. of the cured product of the first epoxy resin composition is not particularly limited, and can be, for example, 0.5 GPa or more.
- the storage elastic modulus of the cured product of the first epoxy resin composition at 240° C. is 0. It is preferably 0.070 GPa or less, more preferably 0.060 GPa or less, and even more preferably 0.045 GPa or less.
- the lower limit of the storage modulus at 240° C. of the cured product of the first epoxy resin composition is not particularly limited, and can be, for example, 0.010 Gpa or more.
- the storage modulus of the cured product of the epoxy resin composition is measured as follows.
- the epoxy resin composition is cured at 165° C. for 120 minutes to obtain a cured product.
- a sample of 30 mm ⁇ 5 mm ⁇ 2 mm is prepared from the obtained cured product, and the storage elastic modulus of the sample is measured using a dynamic viscoelasticity measuring device.
- the measurement was performed by a tensile test, the distance between chucks was 20 mm, the frequency was 1 Hz, the temperature increase rate from 20 ° C. to 250 ° C. was 5 ° C./min, and the storage elastic modulus (GPa) at 25 ° C. Elastic modulus (GPa) is measured.
- the dynamic viscoelasticity measuring device for example, Rpheogel-E400 manufactured by UBM Co., Ltd. or a similar device can be used.
- the thermal expansion coefficient at 50° C. of the cured product of the first epoxy resin composition is 65 ppm. /° C. or less, more preferably 62 ppm/° C. or less, and even more preferably 40 ppm/° C. or less.
- the lower limit of the coefficient of thermal expansion at 50° C. of the cured product of the first epoxy resin composition is not particularly limited, and can be, for example, 10 ppm/° C. or higher.
- the thermal expansion coefficient at 150° C. of the cured product of the first epoxy resin composition is 180 ppm. /° C. or less, more preferably 170 ppm/° C. or less, and even more preferably 130 ppm/° C. or less.
- the lower limit of the coefficient of thermal expansion at 150° C. of the cured product of the first epoxy resin composition is not particularly limited, and can be, for example, 90 ppm/° C. or higher.
- the thermal expansion coefficient of the cured epoxy resin composition is measured as follows.
- the epoxy resin composition is cured at 150° C. for 2 hours to prepare a test piece having a diameter of 8 mm and a thickness of 20 mm.
- the coefficient of thermal expansion of this test piece is measured using a thermomechanical analyzer by a compression method while increasing the temperature from 0° C. to 300° C. at a rate of 5° C./min.
- CTE1 (ppm/°C) is the slope of the tangent line at 50°C
- CTE2 (ppm/°C) is the slope of the tangent line at 150°C.
- a thermomechanical analyzer a TA Instruments TMA2940 or equivalent can be used.
- the first epoxy resin composition is preferably liquid at room temperature.
- “normal temperature” means 25° C.
- “liquid” means a substance that exhibits fluidity and viscosity and has a viscosity that is a measure of viscosity of 0.0001 Pa s to 100 Pa s. .
- “liquid” means being in a liquid state.
- viscosity is defined as a value obtained by multiplying a measured value obtained by rotating an EHD rotational viscometer at 25°C for 1 minute at a predetermined number of revolutions by a predetermined conversion factor.
- the above measured values are obtained for a liquid maintained at 25 ⁇ 1° C. using an EHD rotational viscometer equipped with a cone rotor having a cone angle of 3° and a cone radius of 14 mm.
- the number of rotations and the conversion factor differ depending on the viscosity of the liquid to be measured. Specifically, the viscosity of the liquid to be measured is roughly estimated in advance, and the rotational speed and the conversion factor are determined according to the estimated value.
- the rotation speed is 10 times per minute, the conversion factor is 0.5, and the estimated viscosity is 1 . If the viscosity is 25 Pa s or more and less than 2.5 Pa s, the rotation speed is 5 times per minute, and the conversion factor is 1. If the estimated viscosity value is 2.5 Pa s or more and less than 6.25 Pa s, the rotation speed is 2.5 times per minute and the conversion factor is 2. When the estimated value of the viscosity is 6.25 Pa ⁇ s or more and less than 12.5 Pa ⁇ s, the rotation speed is 1 time per minute and the conversion factor is 5.
- the viscosity of the first epoxy resin composition at 25° C. is preferably 100.0 Pa ⁇ s or less, more preferably 50.0 Pa ⁇ s or less, and more preferably 30.0 Pa ⁇ s. More preferably: From the viewpoint of handleability, the viscosity of the first epoxy resin composition at 25° C. is preferably 0.1 Pa ⁇ s or more.
- the viscosity of the first epoxy resin composition at 110° C. is preferably 0.20 Pa ⁇ s or less, more preferably 0.15 Pa ⁇ s or less.
- the viscosity of the first epoxy resin composition at 110° C. is measured using a rheometer AR2000 (manufactured by TA Instruments, aluminum cone 40 mm, shear rate 32.5/sec).
- the epoxy resin composition is measured at 25° C. using an E-type viscometer, which is the ratio of the viscosity at a rotation speed of 2.5 rotations/minute to the viscosity at a rotation speed of 10 rotations/minute.
- the variable index [(viscosity at 2.5 revolutions/minute)/(viscosity at 10 revolutions/minute)] is preferably 0.5 to 1.5, more preferably 0.8 to 1.2. preferable.
- the first epoxy resin composition can be used as an adhesive, an insulating material, a sealing material, etc., and can be applied to various electronic component devices. More specifically, the first epoxy resin composition can be used as a so-called underfill material for filling gaps between a substrate and an element.
- the first epoxy resin composition can also be suitably applied to the internal structure of elements divided into a plurality of semiconductor chips in electronic component devices highly integrated by 2.5D or 3D packaging technology.
- the first epoxy resin composition contains an epoxy resin. From the viewpoint of suppressing peeling of the cured product from at least one of the silicon substrate and the silicon nitride substrate, the epoxy resin has one or more epoxy groups and one or more branches, and has 20 to 20 carbon atoms. It preferably contains an epoxy compound (hereinafter also referred to as a specific epoxy compound) having 60 divalent saturated hydrocarbon groups.
- the specific epoxy resin may have two or more epoxy groups.
- the epoxy resin may contain two or more specific epoxy compounds.
- the epoxy resin may contain epoxy compounds other than the specific epoxy compound.
- the content of the specific epoxy compound with respect to the total mass of the epoxy resin is 5.0% from the viewpoint of suppressing the peeling of the cured product from at least one of the silicon substrate and the silicon nitride substrate. It is preferably 0% by mass or more, more preferably 7.0% by mass or more, still more preferably 9.0% by mass or more, and particularly preferably 15.0% by mass or more.
- the content of the specific epoxy compound A with respect to the total weight of the epoxy resin is 40% by mass or less from the viewpoint of reducing the coefficient of thermal expansion of the cured product of the epoxy resin composition. is preferably 30% by mass or less, and even more preferably 20% by mass or less.
- the content of the epoxy resin relative to the total mass of the epoxy resin composition is not particularly limited, and can be, for example, 30% by mass to 80% by mass.
- the weight average molecular weight of the epoxy resin is not particularly limited. For example, it is preferably from 500 to 30,000, more preferably from 1,000 to 20,000, even more preferably from 1,500 to 10,000.
- the weight average molecular weight of the epoxy resin is measured by gel permeation chromatography (GPC).
- the epoxy equivalent (molecular weight/number of epoxy groups) of the epoxy resin is not particularly limited. For example, it is preferably 100 g/eq to 1000 g/eq, more preferably 150 g/eq to 500 g/eq.
- the epoxy equivalent of the epoxy resin shall be the value measured by the method according to JIS K 7236:2009.
- the purity of the epoxy resin is high.
- the amount of hydrolyzable chlorine is as small as possible because it is related to the corrosion of aluminum wiring on elements such as ICs. From the viewpoint of obtaining a sealing material having excellent moisture resistance, it is preferably, for example, 500 ppm or less.
- the amount of hydrolyzable chlorine is obtained by dissolving 1 g of a sample epoxy resin in 30 mL of dioxane, adding 5 mL of 1 mol / L-KOH (potassium hydroxide) methanol solution and refluxing for 30 minutes, and then potentiometric titration. The value obtained by is used as a scale.
- the specific epoxy compound has one or more branches and a divalent saturated hydrocarbon group having 20 to 60 carbon atoms in its molecule.
- a divalent saturated hydrocarbon group having 20 to 60 carbon atoms and having one or more branches in the molecule of a specific epoxy compound is also referred to as a "specific saturated hydrocarbon group”.
- a "divalent saturated hydrocarbon group” refers to a divalent hydrocarbon group (alkylene group) containing no double bond.
- branched refers to a monovalent saturated hydrocarbon group bonded to a tertiary carbon atom or a quaternary carbon atom (a carbon atom serving as the base of a branch) contained in a specific saturated hydrocarbon group.
- the number of carbon atoms in the specific saturated hydrocarbon group is preferably 25 or more, more preferably 30 or more, and more preferably 35. It is more preferable that it is above. From the viewpoint of ensuring the strength of the cured product of the epoxy resin composition, the number of carbon atoms in the specific saturated hydrocarbon group is preferably 55 or less, more preferably 50 or less, and even more preferably 45 or less. . In the present disclosure, the number of carbon atoms in the specific saturated hydrocarbon group includes the number of branched carbon atoms in the specific saturated hydrocarbon group.
- Certain saturated hydrocarbon groups have one or more branches. Since the specific saturated hydrocarbon group has a branch, it is possible to effectively suppress peeling of the cured epoxy resin composition containing the specific epoxy compound from the silicon substrate and the silicon nitride substrate, and to prevent the epoxy resin composition from being cured. It can be liquid.
- the number of branches possessed by the specific saturated hydrocarbon group is not particularly limited. For example, it may be 1 to 10, 1 to 5, or 2.
- the number of carbon atoms per branch is preferably 3-15, more preferably 5-12, even more preferably 6-10.
- the specific saturated hydrocarbon group has two or more branches, the number of carbon atoms in the two or more branches may be the same or different.
- the branched monovalent hydrocarbon group may or may not be branched, and is preferably unbranched.
- the specific saturated hydrocarbon group preferably contains a ring structure.
- the specific saturated hydrocarbon group contains a ring structure, it tends to be possible to more effectively suppress peeling of the cured product of the epoxy resin composition from the silicon substrate and the silicon nitride substrate.
- the ring structures contained in the specific saturated hydrocarbon group include cyclohexane structure, decahydronaphthalene structure, cyclopropane structure, cyclobutane structure, cyclopentane structure, cycloheptane structure, cyclooctane structure, tetrahydrodicyclopentadiene structure, adamantane structure, and norbornane. structure, bicyclo[2.2.2]octane structure, and the like.
- a cyclohexane structure and a decahydronaphthalene structure are preferred, and a cyclohexane structure is more preferred.
- the number of ring structures contained in the specific saturated hydrocarbon group is preferably 1 to 3, more preferably 1 or 2, even more preferably 1.
- the specific saturated hydrocarbon group contains two or more ring structures, the two or more ring structures may be the same or different.
- the specific saturated hydrocarbon group contains a ring structure
- at least one branch of the specific saturated hydrocarbon group is preferably bonded to the ring structure.
- the number of branches bonded to one ring structure is preferably 1 or 2, more preferably 2.
- the number of carbon atoms in the shortest route between the ends of the specific saturated hydrocarbon group is preferably 10 to 30, preferably 12 to 25. is more preferred, and 15 to 20 is even more preferred.
- the shortest route between the ends of the specific saturated hydrocarbon group means the route with the minimum number of carbon atoms among the routes connecting carbon atoms at both ends of the specific saturated hydrocarbon group.
- the number of carbon atoms in the shortest route between the ends of the specific saturated hydrocarbon group includes the number (2) of carbon atoms located at both ends.
- the specific saturated hydrocarbon group may be represented by the following general formula (1).
- R 1 and R 3 each independently represents an optionally branched chain alkylene group having 5 to 20 carbon atoms, and R 2 has a branch having 4 to 20 carbon atoms. represents a cyclic alkylene group which may be substituted, and * represents a bonding site with an adjacent atom.
- the specific saturated hydrocarbon group may be represented by the following general formula (2).
- each R 4 independently represents an alkyl group having 3 to 15 carbon atoms
- each n independently represents an integer of 5 to 20
- m represents an integer of 0 to 2
- * indicates a binding site with an adjacent atom.
- the specific saturated hydrocarbon group may be represented by the following general formula (2').
- each n in the formula independently represents an integer of 6 to 8, and * represents a bonding site with an adjacent atom.
- the specific epoxy compound may be a reaction product of a compound A1 having a functional group capable of reacting with two or more epoxy groups and a specific saturated hydrocarbon group, and a compound A2 having two or more epoxy groups. .
- a carboxy group, an amino group, a hydroxyl group, etc. are mentioned as a functional group which can react with the epoxy group which compound A1 has, A carboxy group is preferable.
- the number of functional groups capable of reacting with epoxy groups in compound A1 is preferably 2 to 4, more preferably 2 or 3, and still more preferably 2.
- Examples of the compound A1 having two carboxyl groups as functional groups capable of reacting with an epoxy group include hydrogenated dimer acids.
- dimer acid refers to a dicarboxylic acid compound obtained by dimerizing an unsaturated fatty acid having 10 or more carbon atoms.
- hydrogenated dimer acid refers to a product in which the unsaturated double bond contained in the unsaturated fatty acid constituting the dimer acid is changed to a single bond by addition of hydrogen.
- unsaturated fatty acids used as raw materials for dimer acid include unsaturated fatty acids having 18 carbon atoms such as oleic acid, linoleic acid and linolenic acid; unsaturated fatty acids having 20 carbon atoms such as eicosenoic acid and eicosadienoic acid; Unsaturated fatty acids having 22 carbon atoms such as erucic acid are included.
- the hydrogenated dimer acid may or may not contain a ring structure.
- the hydrogenated dimer acid preferably contains a ring structure, and more preferably contains a cyclohexane structure or a decahydronaphthalene structure. More preferably, it contains a cyclohexane structure.
- a known epoxy resin can be used as the compound A2 having two or more epoxy groups, and can be selected according to the desired physical properties of the epoxy resin composition.
- An epoxy resin may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.
- epoxy resins include novolac type epoxy resins such as phenol novolac type epoxy resins and cresol novolak type epoxy resins, bisphenol type epoxy resins such as bisphenol A type epoxy resins and bisphenol F type epoxy resins, and N,N-diglycidyl.
- alicyclic epoxy resins alkylene glycol diglycidyl ethers, poly(alkylene glycol) diglycidyl ethers, alkenylene glycol diglycidyl ethers, and other bifunctional aliphatic epoxy compounds having two epoxy groups in the molecule.
- epoxy resins bisphenol-type epoxy resins, aromatic glycidylamine-type epoxy resins, and naphthalene-type epoxy resins are preferable, and bisphenol F-type epoxy resins and aminophenol-type glycidylamine are more preferable.
- the specific epoxy compound when the specific epoxy compound is a reaction product of compound A1 and compound A2, the specific epoxy compound preferably has 1 to 3 structures derived from compound A1, and 2 to 4 structures derived from compound A2. It is preferable to have When there are two or more structures derived from compound A1 and two or more structures derived from compound A2 contained in the specific epoxy compound, each structure may be the same or different.
- the structure derived from compound A2 is a diphenylmethane structure
- the structure derived from compound A2 is a 2,2'-diphenylpropane structure
- aminophenol-type glycidylamine is used as compound A2
- the structure derived from compound A2 is an aminophenyl structure.
- the reaction ratio of compound A1 and compound A2 is not particularly limited.
- the ratio of the total number A1' of active hydrogens in the functional groups of compound A1 to the total number A2' of epoxy groups of compound A2 is within the range of 1:1 to 1:200.
- compound A2 may be reacted. The reaction may be carried out such that a portion of compound A1 or compound A2 remains unreacted.
- the epoxy resin may contain the specific epoxy compound and either or both of unreacted compound A1 and compound A2.
- the epoxy resin may contain epoxy compounds other than the specific epoxy compound (hereinafter also referred to as other epoxy compounds).
- Other epoxy compounds include the epoxy resins described above that can be used as compound A2 with two or more epoxy groups.
- the specific epoxy compound and other epoxy compounds may have the same structure.
- the epoxy resin may contain a specific epoxy compound A and other epoxy compounds having a bisphenol structure.
- the coefficient of thermal expansion of the cured product can be reduced.
- the content of other epoxy compounds with respect to the total mass of the epoxy resin is 70.0. It is preferably at least 80.0% by mass, more preferably at least 80.0% by mass.
- the upper limit of the content of other epoxy compounds is not particularly limited, and can be 99.0% by mass or less.
- curing agent The type of curing agent contained in the first epoxy resin composition is not particularly limited. Curing agents may be used alone or in combination of two or more.
- curing agents examples include amine-based curing agents, phenol-based curing agents, acid anhydride-based curing agents, and the like.
- an amine-based curing agent is preferable as the curing agent.
- the amine-based curing agent is a compound containing two or more of one or more selected from the group consisting of primary amino groups and secondary amino groups (hereinafter also simply referred to as "amino groups") in one molecule. Compounds having 2 to 4 amino groups per molecule are preferred, and compounds having 2 amino groups per molecule (diamine compounds) are even more preferred.
- the compound having an amino group is preferably a compound having an aromatic ring (aromatic amine compound), more preferably an aromatic amine compound that is liquid at room temperature, is liquid at room temperature, and contains More preferably, it is an aromatic amine compound having two amino groups.
- diethyltoluenediamine triethyldiaminobenzene such as 1,3,5-triethyl-2,6-diaminobenzene, 3,3′-diethyl-4,4′-diaminodiphenylmethane, 3,5,3′,5′- and diaminodiphenylmethane such as tetramethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane.
- diaminodiphenylmethane and diethyltoluenediamine are preferable from the viewpoint of storage stability.
- the total content thereof relative to the total mass of the curing agent is preferably 50% by mass or more, more preferably 70% by mass or more, and 80% by mass. % by mass or more is more preferable.
- the content of the curing agent relative to the total mass is preferably 50% by mass or more, and 70% by mass or more, from the viewpoint of sufficiently exhibiting its performance. It is more preferable that the content is 80% by mass or more.
- the active hydrogen equivalent of the curing agent is not particularly limited. From the viewpoint of further suppressing the occurrence of bleeding, for example, it is preferably 10 g/mol to 200 g/mol, more preferably 20 g/mol to 100 g/mol, and 30 g/mol to 70 g/mol. More preferred.
- the active hydrogen equivalent of the curing agent is a value calculated based on the amine value measured according to JIS K7237:1995.
- the equivalent ratio of the epoxy resin to the curing agent in the first epoxy resin composition (the number of moles of epoxy groups in the epoxy resin/the number of moles of active hydrogen in the curing agent) is not particularly limited.
- the number of moles of epoxy groups in the epoxy resin/the number of moles of active hydrogen in the curing agent is preferably, for example, 0.7 to 1.6, more preferably 0.8 to 1, from the viewpoint of suppressing each unreacted amount. 0.4 is more preferred, and 0.9 to 1.2 is even more preferred.
- the first epoxy resin composition contains an inorganic filler, which can reduce the coefficient of thermal expansion of the cured product while maintaining excellent adhesion to silicon substrates and silicon nitride substrates. can be reduced, the peeling of the cured product from the silicon substrate and the silicon nitride substrate can be suppressed.
- inorganic filler is not particularly limited.
- Inorganic fillers include silica such as fused silica and crystalline silica, calcium carbonate, alumina, silicon nitride, silicon carbide, boron nitride, calcium silicate, potassium titanate, aluminum nitride, beryllia, zirconia, zircon, fosterite, steatite, Examples include powders of spinel, mullite, titania and the like, beads obtained by spheroidizing these powders, and glass fibers.
- inorganic fillers having a flame retardant effect include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, zinc borate, zinc molybdate, and the like.
- An inorganic filler may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type.
- the particle shape of the inorganic filler is not particularly limited, and may be amorphous or spherical, but from the viewpoint of fluidity and permeability, a spherical shape is preferable. From the same point of view, the inorganic filler is preferably, for example, spherical silica, and more preferably spherical fused silica.
- the volume average particle size of the inorganic filler is not particularly limited. For example, it is preferably 0.1 ⁇ m to 10 ⁇ m, more preferably 0.3 ⁇ m to 5 ⁇ m.
- the volume average particle size of the inorganic filler is 0.1 ⁇ m or more, the dispersibility in the epoxy resin composition tends to be improved, and the flow characteristics tend to be improved.
- the thickness is 10 ⁇ m or less, sedimentation of the inorganic filler tends to be suppressed, and the permeability and fluidity of the epoxy resin composition tend to improve.
- the inorganic filler may be top-cut to remove particles having a particle size outside the predetermined range.
- the volume average particle diameter of the inorganic filler is the particle diameter (D50%) when the accumulation from the small diameter side is 50% in the volume-based particle size distribution obtained using a laser diffraction particle size distribution analyzer. .
- the content of the inorganic filler is not particularly limited.
- the content of the inorganic filler with respect to the total mass of the epoxy resin composition is preferably 20% by mass to 90% by mass, more preferably 30% by mass to 80% by mass, and 40% by mass to 75% by mass. more preferably 50% by mass to 75% by mass, particularly preferably 60% by mass to 75% by mass.
- the coefficient of thermal expansion tends to decrease. tend to improve.
- the first epoxy resin composition may optionally contain a curing agent other than an amine-based curing agent, a curing accelerator, a coupling agent, an ion trapping agent, an oxidation inhibitor, an organic solvent, a release agent, a coloring agent, a rubber It may also contain particles, leveling agents, antifoaming agents, and the like.
- Curing accelerators include 1,8-diaza-bicyclo[5.4.0]undecene-7, 1,5-diaza-bicyclo[4.3.0]nonene, 5,6-dibutylamino-1,8 - Cycloamidine compounds such as diaza-bicyclo[5.4.0]undecene-7; Cycloamidine compounds such as maleic anhydride, 1,4-benzoquinone, 2,5-toluquinone, 1,4-naphthoquinone, 2,3- quinone compounds such as dimethylbenzoquinone, 2,6-dimethylbenzoquinone, 2,3-dimethoxy-5-methyl-1,4-benzoquinone, 2,3-dimethoxy-1,4-benzoquinone, phenyl-1,4-benzoquinone; Compounds having intramolecular polarization obtained by adding compounds having ⁇ bonds such as diazophenylmethane and
- the content of the curing accelerator is preferably 0.1% by mass to 8% by mass with respect to the total content of the epoxy resin and the curing agent. .
- the type of coupling agent is not particularly limited.
- silanes such as aminosilanes, epoxysilanes, mercaptosilanes, alkylsilanes, ureidosilanes, and vinylsilanes having one or more selected from the group consisting of a primary amino group, a secondary amino group and a tertiary amino group.
- compounds titanium-based compounds, aluminum chelates, aluminum/zirconium-based compounds, and the like.
- silane compounds are preferred, and epoxysilane is more preferred.
- Epoxysilanes include ⁇ -(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, ⁇ -glycidoxypropyltrimethoxysilane, ⁇ -glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, and the like. Among these, ⁇ -glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, for example, is preferred from the viewpoint of filling properties.
- a coupling agent may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more types.
- the first epoxy resin composition contains a coupling agent
- its content is not particularly limited. From the viewpoint of strengthening the interfacial adhesion between the resin component and the inorganic filler and the interfacial adhesion between the resin component and the constituent members of the electronic component, and from the viewpoint of improving the filling property, for example, coupling with respect to the total mass of the epoxy resin composition
- the content of the agent is preferably 0.05% by mass to 10% by mass, more preferably 0.2% by mass to 5% by mass, and 0.4% by mass to 1% by mass. More preferred.
- the second epoxy resin composition contains an epoxy resin and a curing agent,
- the cured product has at least one of an adhesion strength to a silicon substrate of 22.0 MPa or more and an adhesion strength to a silicon nitride substrate of 19.0 MPa or more.
- the second epoxy resin composition preferably has a cured product with an adhesive strength of 22.0 MPa or more to a silicon substrate and a cured product with an adhesive strength of 19.0 MPa or more to a silicon nitride substrate.
- the adhesive strength of the cured product of the second epoxy resin composition to the silicon substrate is preferably 23.0 MPa or more, and is preferably 25.0 MPa or more. is more preferable.
- the adhesive strength of the cured product of the second epoxy resin composition to the silicon nitride substrate is preferably 20.0 MPa or more, and preferably 22.0 MPa or more. is more preferable.
- the adhesive strength of the cured product of the second epoxy resin composition to the silicon substrate and the silicon nitride substrate can be adjusted by changing the composition of the epoxy resin contained in the epoxy resin composition.
- the second epoxy resin composition of the present disclosure is preferably liquid at room temperature. Preferred numerical ranges for the viscosity at 25° C. of the second epoxy resin composition and the viscosity at 110° C. of the second epoxy resin composition are the same as those of the first epoxy resin composition, and therefore description thereof is omitted here. .
- the second epoxy resin composition can be used as an adhesive, an insulating material, a sealing material, etc., and can be applied to various electronic component devices. More specifically, the second epoxy resin composition can be used as a so-called underfill material for filling gaps between a substrate and an element.
- the second epoxy resin composition can also be suitably applied to the internal structure of elements divided into a plurality of semiconductor chips in electronic component devices highly integrated by 2.5D or 3D packaging technology.
- the second epoxy resin composition contains an epoxy resin. Preferred aspects of the epoxy resin are the same as those of the first epoxy resin composition, and therefore are omitted here.
- the second epoxy resin composition contains a curing agent. Preferred aspects of the curing agent and the like are the same as those of the first epoxy resin composition, so description thereof is omitted here.
- the second epoxy resin composition may contain an inorganic filler. Except for the content rate, preferred aspects of the inorganic filler are the same as those of the first epoxy resin composition, and thus description thereof is omitted here.
- the content of the inorganic filler with respect to the total mass of the second epoxy resin composition is preferably 30% by mass or less. , is more preferably 20% by mass or less, more preferably 10% by mass or less, particularly preferably 5% by mass or less, and most preferably not contained.
- the second epoxy resin composition may optionally contain a curing agent other than an amine-based curing agent, a curing accelerator, a coupling agent, an ion trapping agent, an oxidation inhibitor, an organic solvent, a release agent, a coloring agent, a rubber It may also contain particles, leveling agents, antifoaming agents, and the like.
- An electronic component device of the present disclosure includes a cured product of the first epoxy resin composition or the second epoxy resin composition.
- the electronic component device of the present disclosure further includes a substrate having a circuit layer, and an electronic component disposed on the substrate and electrically connected to the circuit layer, and
- the electronic component provided in the electronic component device includes a plurality of semiconductor chips to be electrically connected, and the above A hardener is placed.
- first epoxy resin composition or a second epoxy resin composition As electronic component devices, semiconductor chips, transistors, diodes, active elements such as thyristors, capacitors, etc. , resistors, resistor arrays, coils, passive elements such as switches, etc. are mounted, and necessary parts are sealed with a first epoxy resin composition or a second epoxy resin composition. apparatus.
- the first epoxy resin composition or the second epoxy resin composition is applied to an electronic component device in which a semiconductor chip is flip-chip bonded to wiring formed on a rigid wiring board, flexible wiring board, or glass by bump connection. This is one of the possible targets.
- Specific examples include electronic component devices such as flip chip BGA (Ball Grid Array), LGA (Land Grid Array), and COF (Chip On Film).
- the method of manufacturing an electronic component device of the present disclosure includes the step of sealing, with the epoxy resin composition, an electronic component placed on a substrate having a circuit layer and electrically connected to the circuit layer.
- the step of sealing the electronic component using the epoxy resin composition There is no particular limitation on the step of sealing the electronic component using the epoxy resin composition. For example, after connecting an electronic component and a substrate having a circuit layer, the epoxy resin composition is applied to the gap between the electronic component and the substrate using capillary action, and then the curing reaction of the epoxy resin composition is performed.
- Methods for applying the epoxy resin composition include a casting method, a dispensing method, a printing method, and the like.
- the curing conditions of the epoxy resin composition are not particularly limited, and for example, it is preferable to heat at 80° C. to 165° C. for 1 minute to 150 minutes.
- Epoxy resin 1 Liquid bifunctional epoxy resin with an epoxy equivalent of 160 g/mol obtained by epoxidizing bisphenol F
- Epoxy resin 2 Liquid trifunctional epoxy resin with an epoxy equivalent of 95 g/mol obtained by epoxidizing p-aminophenol
- Epoxy resin 3 Epoxy resin containing a reaction product of epoxy resin 1 (100 parts by mass) and a dicarboxylic acid compound (30 parts by mass) represented by the following general formula (5)
- Epoxy resin 4 Epoxy resin 2 (100 parts by mass) and an epoxy resin containing a reaction product of a dicarboxylic acid compound (30 parts by mass) represented by the following general formula (5)
- n in the formula is each independently an integer of 6-8.
- Epoxy resin 3 and epoxy resin 4 were synthesized as follows. A mixture of an epoxy resin and a dicarboxylic acid compound was heated to a reaction temperature (100° C. to 120° C.) in a nitrogen atmosphere in the presence of TPP (triphenylphosphine) as a curing accelerator. The mixture was maintained at the reaction temperature for 8 hours while tracking the reaction between the epoxy resin and the dicarboxylic acid compound by gel permeation chromatography (GPC) and infrared spectroscopy (IR). After cooling to room temperature, epoxy resin 3 and epoxy resin 4 containing a reaction product of the epoxy resin and the dicarboxylic acid compound were obtained.
- GPC gel permeation chromatography
- IR infrared spectroscopy
- Curing agent 1 2,6-diethyltoluene-3,5-diamine with an active hydrogen equivalent of 45 g/mol
- Curing agent 2 3,3′-diethyl-4,4′-diaminodiphenylmethane with an active hydrogen equivalent of 63 g/mol
- Inorganic filler Spherical silica surface-treated with a silane compound (volume average particle diameter 0.5 ⁇ m, top-cut treatment to remove particles with a particle diameter of 1 ⁇ m or more)
- the adhesive strength of the cured epoxy resin compositions prepared in Examples and Comparative Examples to a silicon substrate (Si) was measured. Specifically, the epoxy resin composition was applied onto a silicon substrate and cured at 165° C. for 120 minutes to prepare a cured product having a diameter of 3 mm and a height of 1 mm. Next, using a universal bond tester, the maximum value of the shear adhesive strength was measured under conditions of a tool height of 50 ⁇ m, a tool speed of 50 ⁇ m/sec, and 25°C. The silicon substrate on which the cured product was formed was placed on a stage of a universal bond tester and fixed with a stopper, and the stage temperature was set to 260°C.
- the tool provided in the universal bond tester was moved in the direction of the cured product at a tool speed of 50 ⁇ m/sec, and the maximum value of the shear adhesive strength between the cured product and the silicon substrate was measured.
- the maximum value of the shear adhesive strength was measured five times for each example and comparative example, and the average value was determined as the adhesive strength.
- each silicon substrate and the cured product were visually observed and classified into the following four peeling patterns.
- Peeling form A (chip breakage): The cured product and the silicon substrate were not separated, and the silicon substrate was broken.
- the silicon substrate was changed to a silicon substrate having a silicon nitride film on the surface, and the silicon nitride film was cured at 165° C. for 120 minutes to produce a cured product with a diameter of 3 mm and a height of 1 mm.
- the adhesion strength was measured in the same manner as the adhesion strength to the silicon substrate, and is shown in Table 1. After the measurement of the adhesive strength, the silicon substrate having the silicon nitride film on the surface and the cured product were visually observed and classified into the four types of peeling.
- CTE coefficient of thermal expansion
- the epoxy resin compositions of Examples 1 to 3 are superior to the epoxy resin composition of Comparative Example 1 in adhesive strength to the silicon substrate of the cured product, and cause chip failure or cohesive failure. In many cases, it can be seen that peeling of the cured product from the silicon substrate can be suppressed. Further, as shown in Table 1, the epoxy resin compositions of Examples 1 to 3 are superior to the epoxy resin composition of Comparative Example 1 in adhesive strength to the silicon nitride substrate of the cured product, and chip breakage or agglomeration. Breakage often occurs, and it can be seen that peeling of the cured product from the silicon nitride substrate can be suppressed.
- the epoxy resin compositions containing inorganic fillers of Examples 4 and 5 are superior to the epoxy resin composition of Comparative Example 2 in adhesive strength to the silicon substrate of the cured product. Chip breakage or cohesive failure occurs in many cases, and it can be seen that peeling of the cured product from the silicon substrate can be suppressed. Further, as shown in Table 1, the epoxy resin compositions containing inorganic fillers of Examples 4 and 5 are superior to the epoxy resin composition of Comparative Example 2 in adhesive strength to the silicon nitride substrate of the cured product. , chip breakage or cohesive breakage often occurs, and peeling of the cured product from the silicon nitride substrate can be suppressed.
- the epoxy resin compositions containing inorganic fillers of Examples 4 and 5 were compared to the epoxy resin compositions containing no inorganic filler of Examples 1 to 3, and the cured products Although the adhesion strength to silicon substrates and silicon nitride substrates is inferior, the coefficient of thermal expansion of the cured product is low.
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Abstract
エポキシ樹脂と、硬化剤とを含む、エポキシ樹脂組成物であって、硬化物が、6.0MPa以上のシリコン基板に対する接着強度及び7.0MPa以上の窒化シリコン基板に対する接着強度の少なくとも一方を有する、エポキシ樹脂組成物。
Description
本発明は、エポキシ樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法に関する。
半導体チップ等の素子を内蔵した電子部品装置の小型化及び薄型化に伴い、電子部品装置の実装技術としては、パッケージ化していない状態の半導体チップ(ベアチップ)を、シリコン基板、表面に窒化ケイ素膜を備えるシリコン基板(窒化シリコン基板)等の基板上に実装する、いわゆるベアチップ実装が主流となっている。
ベアチップ実装の一種である半導体チップの能動面を基板側に向けて接続するフリップチップ実装では、バンプを介して接続した半導体チップと基板との間を充填するためのアンダーフィル材と称される液状の封止材として、エポキシ樹脂組成物が使用されている(例えば、特許文献1参照)。
ベアチップ実装の一種である半導体チップの能動面を基板側に向けて接続するフリップチップ実装では、バンプを介して接続した半導体チップと基板との間を充填するためのアンダーフィル材と称される液状の封止材として、エポキシ樹脂組成物が使用されている(例えば、特許文献1参照)。
近年の電子部品装置の実装技術は、集積度を高める観点から、平面実装から2.5D(2.5次元)実装、さらには3D(3次元)実装へと変化しつつある。
2.5D実装を採用した電子部品装置では、基板の上にロジック、メモリ等の素子が配置され、メモリが複数の半導体チップが積層した構造を有している。3D実装を採用した電子部品装置では、メモリに加えてロジックも複数の半導体チップに分割された構造を有している。
2.5D実装を採用した電子部品装置では、基板の上にロジック、メモリ等の素子が配置され、メモリが複数の半導体チップが積層した構造を有している。3D実装を採用した電子部品装置では、メモリに加えてロジックも複数の半導体チップに分割された構造を有している。
2.5D実装を採用した電子部品装置では、基板と素子との間にエポキシ樹脂組成物等が封止材として充填され、硬化される。
3D実装を採用した電子部品装置では、素子を構成する複数の薄型の半導体チップが高密度で電気的に接続され、接続箇所の周囲に絶縁材料が充填され、硬化される。この絶縁材料として、エポキシ樹脂組成物等を適用することが考えられる。
3D実装を採用した電子部品装置では、素子を構成する複数の薄型の半導体チップが高密度で電気的に接続され、接続箇所の周囲に絶縁材料が充填され、硬化される。この絶縁材料として、エポキシ樹脂組成物等を適用することが考えられる。
エポキシ樹脂組成物及び基板間の熱膨張係数の差等に起因して発生する熱応力のため、上記電子部品装置のエポキシ樹脂組成物を適用した箇所に反りが生じ、エポキシ樹脂組成物の硬化物がシリコン基板、窒化シリコン基板等から剥離してしまうおそれがあり、その信頼性にはさらなる改善が求められている。
上記事情を鑑み、本開示の一態様は、シリコン基板及び窒化シリコン基板の少なくとも一方からの剥離を抑制することができる、エポキシ樹脂組成物、上記エポキシ樹脂組成物の硬化物を備える電子部品装置及び電子部品装置の製造方法を提供することを課題とする。
上記課題を達成するための具体的手段は以下の通りである。
<1> エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機フィラーとを含む、エポキシ樹脂組成物であって、
硬化物が、6.0MPa以上のシリコン基板に対する接着強度及び7.0MPa以上の窒化シリコン基板に対する接着強度の少なくとも一方を有する、エポキシ樹脂組成物。
<2> エポキシ樹脂と、硬化剤とを含む、エポキシ樹脂組成物であって、
硬化物が、22.0MPa以上のシリコン基板に対する接着強度及び19.0MPa以上の窒化シリコン基板に対する接着強度の少なくとも一方を有する、エポキシ樹脂組成物。
<3> 硬化物の25℃における貯蔵弾性率が6.5GPa以下である、上記<1>又は<2>に記載のエポキシ樹脂組成物。
<4> 硬化物の240℃における貯蔵弾性率が0.070GPa以下である、上記<1>~<3>のいずれか1つに記載のエポキシ樹脂組成物。
<5> 硬化物の50℃における熱膨張率が65ppm/℃以下である、上記<1>~<4>のいずれか1つに記載のエポキシ樹脂組成物。
<6> 硬化物の150℃における熱膨張率が180ppm/℃以下である、上記<1>~<5>のいずれか1つに記載のエポキシ樹脂組成物。
<7> 上記エポキシ樹脂が、
1つ以上のエポキシ基と、1つ以上の分岐を有し、且つ炭素数が20~60の2価の飽和炭化水素基と、を有する、エポキシ化合物
を含む、上記<1>~<6>のいずれか1つに記載のエポキシ樹脂組成物。
<8> 封止材用樹脂組成物である、上記<1>~<7>のいずれか1つに記載のエポキシ樹脂組成物。
<9> 上記<1>~<8>のいずれか1つに記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物を備える、電子部品装置。
<10> 回路層を有する基板と、
上記基板上に配置され、上記回路層と電気的に接続された電子部品と、
をさらに備え、且つ
上記基板と上記電子部品との間隙に、上記硬化物が配置される、上記<9>に記載の電子部品装置。
<11> 回路層を有する基板上に配置され、上記回路層と電気的に接続された電子部品を、上記<1>~<8>のいずれか1つに記載のエポキシ樹脂組成物を用いて封止する工程を有する、電子部品装置の製造方法。
<1> エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機フィラーとを含む、エポキシ樹脂組成物であって、
硬化物が、6.0MPa以上のシリコン基板に対する接着強度及び7.0MPa以上の窒化シリコン基板に対する接着強度の少なくとも一方を有する、エポキシ樹脂組成物。
<2> エポキシ樹脂と、硬化剤とを含む、エポキシ樹脂組成物であって、
硬化物が、22.0MPa以上のシリコン基板に対する接着強度及び19.0MPa以上の窒化シリコン基板に対する接着強度の少なくとも一方を有する、エポキシ樹脂組成物。
<3> 硬化物の25℃における貯蔵弾性率が6.5GPa以下である、上記<1>又は<2>に記載のエポキシ樹脂組成物。
<4> 硬化物の240℃における貯蔵弾性率が0.070GPa以下である、上記<1>~<3>のいずれか1つに記載のエポキシ樹脂組成物。
<5> 硬化物の50℃における熱膨張率が65ppm/℃以下である、上記<1>~<4>のいずれか1つに記載のエポキシ樹脂組成物。
<6> 硬化物の150℃における熱膨張率が180ppm/℃以下である、上記<1>~<5>のいずれか1つに記載のエポキシ樹脂組成物。
<7> 上記エポキシ樹脂が、
1つ以上のエポキシ基と、1つ以上の分岐を有し、且つ炭素数が20~60の2価の飽和炭化水素基と、を有する、エポキシ化合物
を含む、上記<1>~<6>のいずれか1つに記載のエポキシ樹脂組成物。
<8> 封止材用樹脂組成物である、上記<1>~<7>のいずれか1つに記載のエポキシ樹脂組成物。
<9> 上記<1>~<8>のいずれか1つに記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物を備える、電子部品装置。
<10> 回路層を有する基板と、
上記基板上に配置され、上記回路層と電気的に接続された電子部品と、
をさらに備え、且つ
上記基板と上記電子部品との間隙に、上記硬化物が配置される、上記<9>に記載の電子部品装置。
<11> 回路層を有する基板上に配置され、上記回路層と電気的に接続された電子部品を、上記<1>~<8>のいずれか1つに記載のエポキシ樹脂組成物を用いて封止する工程を有する、電子部品装置の製造方法。
本開示の一態様によれば、シリコン基板及び窒化シリコン基板の少なくとも一方からの剥離を抑制することができる、エポキシ樹脂組成物、上記エポキシ樹脂組成物の硬化物を備える電子部品装置及び電子部品装置の製造方法が提供される。
以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素(要素ステップ等も含む)は、特に明示した場合を除き、必須ではない。数値及びその範囲についても同様であり、本発明を制限するものではない。
本開示において「工程」との語には、他の工程から独立した工程に加え、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の目的が達成されれば、当該工程も含まれる。
本開示において「~」を用いて示された数値範囲には、「~」の前後に記載される数値がそれぞれ最小値及び最大値として含まれる。
本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
本開示において各成分は該当する物質を複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、各成分の含有率は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計の含有率を意味する。
本開示において各成分に該当する粒子は複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する粒子が複数種存在する場合、各成分の粒子径は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の粒子の混合物についての値を意味する。
本開示において「層」又は「膜」との語には、当該層又は膜が存在する領域を観察したときに、当該領域の全体に形成されている場合に加え、当該領域の一部にのみ形成されている場合も含まれる。
本開示において、「窒化シリコン基板」とは、基板上に窒化シリコン膜を有する基板を意味する。
本開示において「工程」との語には、他の工程から独立した工程に加え、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の目的が達成されれば、当該工程も含まれる。
本開示において「~」を用いて示された数値範囲には、「~」の前後に記載される数値がそれぞれ最小値及び最大値として含まれる。
本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
本開示において各成分は該当する物質を複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、各成分の含有率は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計の含有率を意味する。
本開示において各成分に該当する粒子は複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する粒子が複数種存在する場合、各成分の粒子径は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の粒子の混合物についての値を意味する。
本開示において「層」又は「膜」との語には、当該層又は膜が存在する領域を観察したときに、当該領域の全体に形成されている場合に加え、当該領域の一部にのみ形成されている場合も含まれる。
本開示において、「窒化シリコン基板」とは、基板上に窒化シリコン膜を有する基板を意味する。
<第1のエポキシ樹脂組成物>
本開示において、第1のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機フィラーとを含み、
硬化物が、6.0MPa以上のシリコン基板に対する接着強度及び7.0MPa以上の窒化シリコン基板に対する接着強度の少なくとも一方を有する。
本開示において、第1のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機フィラーとを含み、
硬化物が、6.0MPa以上のシリコン基板に対する接着強度及び7.0MPa以上の窒化シリコン基板に対する接着強度の少なくとも一方を有する。
第1のエポキシ樹脂組成物は、硬化物のシリコン基板に対する接着強度が6.0MPa以上であり、且つ硬化物の窒化シリコン基板に対する接着強度が7.0MPa以上であることが好ましい。
硬化物のシリコン基板からの剥離を抑制するという観点からは、第1のエポキシ樹脂組成物の硬化物のシリコン基板に対する接着強度は、10.0MPa以上であることが好ましい。
硬化物の窒化シリコン基板からの剥離を抑制するという観点からは、第1のエポキシ樹脂組成物の硬化物の窒化シリコン基板に対する接着強度は、10.0MPa以上であることが好ましい。
第1のエポキシ樹脂組成物の硬化物のシリコン基板及び窒化シリコン基板に対する接着強度は、エポキシ樹脂組成物に含有されるエポキシ樹脂の組成等を変更することにより調整することができる。
本開示において、エポキシ樹脂組成物の硬化物のシリコン基板に対する接着強度の測定は、以下のようにして行う。
まず、シリコン基板の表面に、エポキシ樹脂組成物を使用して、直径3mm、高さ1mmの硬化物を形成する。
硬化物の形成は、シリコン基板の表面にエポキシ樹脂組成物を塗布し、165℃、120分間の条件で硬化させることにより行う。
硬化物12を形成したシリコン基板13を、図1に示す万能型ボンドテスタ10が備えるステージ11上に配置する。ステージ温度は、260℃に設定する。
25℃の環境下において、万能型ボンドテスタ10が備えるツール14を矢印の方向へツール速度50μm/secの条件で移動させ、せん断接着力の最大値を測定する。
ツール14と、シリコン基材13との距離d(以下、ツール高さともいう)は、50μmとした。なお、図1において、符号15は、シリコン基板13の移動を制限するためのストッパを示す。
上記せん断接着力の最大値の測定を5回実施し、その平均値を本開示の接着強度とする。
本開示において、エポキシ樹脂組成物の硬化物の窒化シリコン基板に対する接着強度の測定は、窒化ケイ素膜を表面に有するシリコン基板を用意し、このシリコン基板の窒化ケイ素膜表面に上記硬化物を形成する以外は、上記方法と同様にして行う。
ボンドテスタとしては、例えば、DAGE社製の万能型ボンドテスタ(商品名DS100)又はこれと同程度の装置を使用することができる。
まず、シリコン基板の表面に、エポキシ樹脂組成物を使用して、直径3mm、高さ1mmの硬化物を形成する。
硬化物の形成は、シリコン基板の表面にエポキシ樹脂組成物を塗布し、165℃、120分間の条件で硬化させることにより行う。
硬化物12を形成したシリコン基板13を、図1に示す万能型ボンドテスタ10が備えるステージ11上に配置する。ステージ温度は、260℃に設定する。
25℃の環境下において、万能型ボンドテスタ10が備えるツール14を矢印の方向へツール速度50μm/secの条件で移動させ、せん断接着力の最大値を測定する。
ツール14と、シリコン基材13との距離d(以下、ツール高さともいう)は、50μmとした。なお、図1において、符号15は、シリコン基板13の移動を制限するためのストッパを示す。
上記せん断接着力の最大値の測定を5回実施し、その平均値を本開示の接着強度とする。
本開示において、エポキシ樹脂組成物の硬化物の窒化シリコン基板に対する接着強度の測定は、窒化ケイ素膜を表面に有するシリコン基板を用意し、このシリコン基板の窒化ケイ素膜表面に上記硬化物を形成する以外は、上記方法と同様にして行う。
ボンドテスタとしては、例えば、DAGE社製の万能型ボンドテスタ(商品名DS100)又はこれと同程度の装置を使用することができる。
発生する反りを低減し、硬化物のシリコン基板及び窒化シリコン基板の少なくとも一方からの剥離を抑制するという観点からは、第1のエポキシ樹脂組成物の硬化物の25℃における貯蔵弾性率は、6.5GPa以下であることが好ましく、6.3GPa以下であることがより好ましく、2.5GPa以下であることがさらに好ましい。
第1のエポキシ樹脂組成物の硬化物の25℃における貯蔵弾性率の下限値は特に制限はなく、例えば、0.5GPa以上とすることができる。
第1のエポキシ樹脂組成物の硬化物の25℃における貯蔵弾性率の下限値は特に制限はなく、例えば、0.5GPa以上とすることができる。
発生する反りを低減し、硬化物のシリコン基板及び窒化シリコン基板の少なくとも一方からの剥離を抑制するという観点からは、第1のエポキシ樹脂組成物の硬化物の240℃における貯蔵弾性率は、0.070GPa以下であることが好ましく、0.060GPa以下であることがより好ましく、0.045GPa以下であることがさらに好ましい。
第1のエポキシ樹脂組成物の硬化物の240℃における貯蔵弾性率の下限値は特に制限はなく、例えば、0.010Gpa以上とすることができる。
第1のエポキシ樹脂組成物の硬化物の240℃における貯蔵弾性率の下限値は特に制限はなく、例えば、0.010Gpa以上とすることができる。
本開示において、エポキシ樹脂組成物の硬化物の貯蔵弾性率の測定は、以下のようにして行う。
エポキシ樹脂組成物を165℃、120分間の条件で硬化させて硬化物を得る。得られた硬化物から30mm×5mm×2mmのサンプルを作製し、動的粘弾性測定装置を用いてサンプルの貯蔵弾性率を測定する。
測定は引張試験にて行い、チャック間距離を20mm、周波数を1Hz、20℃から250℃までの昇温速度を5℃/分とし、25℃における貯蔵弾性率(GPa)と、240℃における貯蔵弾性率(GPa)を測定する。
動的粘弾性測定装置としては、例えば、株式会社UBM製のRpheogel-E400又はこれと同程度の装置を使用することができる。
エポキシ樹脂組成物を165℃、120分間の条件で硬化させて硬化物を得る。得られた硬化物から30mm×5mm×2mmのサンプルを作製し、動的粘弾性測定装置を用いてサンプルの貯蔵弾性率を測定する。
測定は引張試験にて行い、チャック間距離を20mm、周波数を1Hz、20℃から250℃までの昇温速度を5℃/分とし、25℃における貯蔵弾性率(GPa)と、240℃における貯蔵弾性率(GPa)を測定する。
動的粘弾性測定装置としては、例えば、株式会社UBM製のRpheogel-E400又はこれと同程度の装置を使用することができる。
発生する反りを低減し、硬化物のシリコン基板及び窒化シリコン基板の少なくとも一方からの剥離を抑制するという観点からは、第1のエポキシ樹脂組成物の硬化物の50℃における熱膨張率は、65ppm/℃以下であることが好ましく、62ppm/℃以下であることがより好ましく、40ppm/℃以下であることがさらに好ましい。
第1のエポキシ樹脂組成物の硬化物の50℃における熱膨張率の下限値は特に制限はなく、例えば、10ppm/℃以上とすることができる。
第1のエポキシ樹脂組成物の硬化物の50℃における熱膨張率の下限値は特に制限はなく、例えば、10ppm/℃以上とすることができる。
発生する反りを低減し、硬化物のシリコン基板及び窒化シリコン基板の少なくとも一方からの剥離を抑制するという観点からは、第1のエポキシ樹脂組成物の硬化物の150℃における熱膨張率は、180ppm/℃以下であることが好ましく、170ppm/℃以下であることがより好ましく、130ppm/℃以下であることがさらに好ましい。
第1のエポキシ樹脂組成物の硬化物の150℃における熱膨張率の下限値は特に制限はなく、例えば、90ppm/℃以上とすることができる。
第1のエポキシ樹脂組成物の硬化物の150℃における熱膨張率の下限値は特に制限はなく、例えば、90ppm/℃以上とすることができる。
本開示において、エポキシ樹脂組成物の硬化物の熱膨張率の測定は、以下のようにして行う。
エポキシ樹脂組成物を150℃で2時間硬化させて、直径8mm、厚さ20mmのサイズの試験片を作製する。この試験片の熱膨張率を、熱機械分析装置を用いて、圧縮法にて0℃から300℃まで5℃/minで昇温しながら測定する。測定により得られた50℃における接線の傾きをCTE1(ppm/℃)、150℃における接線の傾きをCTE2(ppm/℃)とする。
熱機械分析装置としては、TA Instruments社のTMA2940又はこれと同程度の装置を使用することができる。
エポキシ樹脂組成物を150℃で2時間硬化させて、直径8mm、厚さ20mmのサイズの試験片を作製する。この試験片の熱膨張率を、熱機械分析装置を用いて、圧縮法にて0℃から300℃まで5℃/minで昇温しながら測定する。測定により得られた50℃における接線の傾きをCTE1(ppm/℃)、150℃における接線の傾きをCTE2(ppm/℃)とする。
熱機械分析装置としては、TA Instruments社のTMA2940又はこれと同程度の装置を使用することができる。
第1のエポキシ樹脂組成物は、常温で液体であることが好ましい。本開示において「常温」とは25℃を意味し、「液体」とは流動性と粘性を示し、且つ粘性を示す尺度である粘度が0.0001Pa・s~100Pa・sである物質を意味する。また、「液状」とは液体の状態であることを意味する。
本開示において、粘度は、EHD型回転粘度計を25℃で1分間、所定の回転数で回転させた際の測定値に、所定の換算係数を乗じた値と定義する。上記測定値は、25±1℃に保たれた液体について、コーン角度3゜、コーン半径14mmのコーンロータを装着したEHD型回転粘度計を用いて得られる。回転数及び換算係数は、測定対象の液体の粘度によって異なる。具体的には、測定対象の液体の粘度を予め大まかに推定し、推定値に応じて回転数及び換算係数を決定する。
粘度の測定において、測定対象の液体の粘度の推定値が0Pa・s以上1.25Pa・s未満の場合は回転数を10回毎分、換算係数を0.5とし、粘度の推定値が1.25Pa・s以上2.5Pa・s未満の場合は回転数を5回毎分、換算係数を1とし、粘度の推定値が2.5Pa・s以上6.25Pa・s未満の場合は回転数を2.5回毎分、換算係数を2とし、粘度の推定値が6.25Pa・s以上12.5Pa・s未満の場合は回転数を1回毎分、換算係数を5とする。
流動性の観点からは、第1のエポキシ樹脂組成物の25℃における粘度は100.0Pa・s以下であることが好ましく、50.0Pa・s以下であることがより好ましく、30.0Pa・s以下であることがさらに好ましい。
取り扱い性の観点からは、第1のエポキシ樹脂組成物の25℃における粘度は0.1Pa・s以上であることが好ましい。
取り扱い性の観点からは、第1のエポキシ樹脂組成物の25℃における粘度は0.1Pa・s以上であることが好ましい。
高温条件下での充填性の観点からは、第1のエポキシ樹脂組成物の110℃における粘度は0.20Pa・s以下であることが好ましく、0.15Pa・s以下であることがより好ましい。
第1のエポキシ樹脂組成物の110℃における粘度は、レオメーターAR2000(TAインストルメント製、アルミコーン40mm、せん断速度32.5/sec)を用いて測定される。
第1のエポキシ樹脂組成物の110℃における粘度は、レオメーターAR2000(TAインストルメント製、アルミコーン40mm、せん断速度32.5/sec)を用いて測定される。
本開示において、エポキシ樹脂組成物は、E型粘度計を用いて25℃で測定される回転数が2.5回転/分における粘度と回転数が10回転/分における粘度との比である揺変指数[(2.5回転/分における粘度)/(10回転/分における粘度)]が、0.5~1.5であることが好ましく、0.8~1.2であることがより好ましい。
第1のエポキシ樹脂組成物は、接着剤、絶縁材料、封止材等として使用することができ、種々の電子部品装置に適用することができる。
より具体的には、第1のエポキシ樹脂組成物は、基板と素子の間のギャップの充填等に用いられる、いわゆるアンダーフィル材として使用することができる。
また、第1のエポキシ樹脂組成物は、2.5D又は3D実装技術により高集積化された電子部品装置における複数の半導体チップに分割された素子の内部構造にも好適に適用することができる。
より具体的には、第1のエポキシ樹脂組成物は、基板と素子の間のギャップの充填等に用いられる、いわゆるアンダーフィル材として使用することができる。
また、第1のエポキシ樹脂組成物は、2.5D又は3D実装技術により高集積化された電子部品装置における複数の半導体チップに分割された素子の内部構造にも好適に適用することができる。
(エポキシ樹脂)
第1のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂を含有する。
硬化物のシリコン基板及び窒化シリコン基板の少なくとも一方からの剥離を抑制するという観点からは、エポキシ樹脂は、1つ以上のエポキシ基と、1つ以上の分岐を有し、且つ炭素数が20~60の2価の飽和炭化水素基と、を有する、エポキシ化合物(以下、特定エポキシ化合物ともいう)を含むことが好ましい。
特定エポキシ樹脂は、エポキシ基を2つ以上有していてもよい。
エポキシ樹脂は、2種以上の特定エポキシ化合物を含んでいてもよい。
第1のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂を含有する。
硬化物のシリコン基板及び窒化シリコン基板の少なくとも一方からの剥離を抑制するという観点からは、エポキシ樹脂は、1つ以上のエポキシ基と、1つ以上の分岐を有し、且つ炭素数が20~60の2価の飽和炭化水素基と、を有する、エポキシ化合物(以下、特定エポキシ化合物ともいう)を含むことが好ましい。
特定エポキシ樹脂は、エポキシ基を2つ以上有していてもよい。
エポキシ樹脂は、2種以上の特定エポキシ化合物を含んでいてもよい。
エポキシ樹脂は、特定エポキシ化合物以外のエポキシ化合物を含んでいてもよい。
エポキシ樹脂が、特定エポキシ化合物を含む場合、硬化物のシリコン基板及び窒化シリコン基板の少なくとも一方からの剥離を抑制するという観点からは、エポキシ樹脂の総質量に対する特定エポキシ化合物の含有率は、5.0質量%以上であることが好ましく、7.0質量%以上であることがより好ましく、9.0質量%以上であることがさらに好ましく、15.0質量%以上であることが特に好ましい。
エポキシ樹脂が、特定エポキシ化合物を含む場合、エポキシ樹脂組成物の硬化物の熱膨張率を低減する観点からは、エポキシ樹脂の総質量に対する特定エポキシ化合物Aの含有率は、40質量%以下であることが好ましく、30質量%以下であることがより好ましく、20質量%以下であることがさらに好ましい。
エポキシ樹脂が、特定エポキシ化合物を含む場合、エポキシ樹脂組成物の硬化物の熱膨張率を低減する観点からは、エポキシ樹脂の総質量に対する特定エポキシ化合物Aの含有率は、40質量%以下であることが好ましく、30質量%以下であることがより好ましく、20質量%以下であることがさらに好ましい。
エポキシ樹脂組成物の総質量に対するエポキシ樹脂の含有率は、特に限定されるものではなく、例えば、30質量%~80質量%とすることができる。
エポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に制限されない。例えば、500~30,000であることが好ましく、1,000~20,000であることがより好ましく、1,500~10,000であることがさらに好ましい。
エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)で測定される。
エポキシ樹脂のエポキシ当量(分子量/エポキシ基数)は、特に制限されない。例えば、100g/eq~1000g/eqであることが好ましく、150g/eq~500g/eqであることがより好ましい。
エポキシ樹脂のエポキシ当量は、JIS K 7236:2009に準じた方法で測定される値とする。
エポキシ樹脂の純度は、高いことが好ましい。具体的には、特に加水分解性塩素量は、IC等の素子上のアルミニウム配線の腐食に係わるため少ない方が好ましい。耐湿性に優れる封止材を得る観点からは、例えば、500ppm以下であることが好ましい。
本開示において、加水分解性塩素量とは、試料のエポキシ樹脂1gをジオキサン30mLに溶解し、1mol/L-KOH(水酸化カリウム)メタノール溶液5mLを添加して30分間還流させた後、電位差滴定により求めた値を尺度としたものである。
(特定エポキシ化合物)
特定エポキシ化合物は、その分子中に、1つ以上の分岐を有し、且つ炭素数が20~60の2価の飽和炭化水素基を有する。
以下、特定エポキシ化合物が分子中に有する1つ以上の分岐を有し、且つ炭素数が20~60である2価の飽和炭化水素基を「特定飽和炭化水素基」ともいう。
特定エポキシ化合物は、その分子中に、1つ以上の分岐を有し、且つ炭素数が20~60の2価の飽和炭化水素基を有する。
以下、特定エポキシ化合物が分子中に有する1つ以上の分岐を有し、且つ炭素数が20~60である2価の飽和炭化水素基を「特定飽和炭化水素基」ともいう。
本開示において「2価の飽和炭化水素基」とは、二重結合を含まない2価の炭化水素基(アルキレン基)をいう。
本開示において「分岐」とは、特定飽和炭化水素基に含まれる3級炭素原子又は4級炭素原子(分岐の基部となる炭素原子)に結合する1価の飽和炭化水素基をいう。
本開示において「分岐」とは、特定飽和炭化水素基に含まれる3級炭素原子又は4級炭素原子(分岐の基部となる炭素原子)に結合する1価の飽和炭化水素基をいう。
硬化物のシリコン基板及び窒化シリコン基板の少なくとも一方からの剥離を抑制するという観点からは、特定飽和炭化水素基の炭素数は25以上であることが好ましく、30以上であることがより好ましく、35以上であることがさらに好ましい。
エポキシ樹脂組成物の硬化物の強度を確保する観点からは、特定飽和炭化水素基の炭素数は55以下であることが好ましく、50以下であることがより好ましく、45以下であることがさらに好ましい。
本開示において、特定飽和炭化水素基の炭素数には、特定飽和炭化水素基が有する分岐の炭素数が含まれる。
エポキシ樹脂組成物の硬化物の強度を確保する観点からは、特定飽和炭化水素基の炭素数は55以下であることが好ましく、50以下であることがより好ましく、45以下であることがさらに好ましい。
本開示において、特定飽和炭化水素基の炭素数には、特定飽和炭化水素基が有する分岐の炭素数が含まれる。
特定飽和炭化水素基は1つ以上の分岐を有する。特定飽和炭化水素基が分岐を有することで、特定エポキシ化合物を含むエポキシ樹脂組成物の硬化物のシリコン基板及び窒化シリコン基板からの剥離を効果的に抑制でき、且つ硬化前のエポキシ樹脂組成物を液状とすることができる。
特定飽和炭化水素基が有する分岐の数は、特に制限されない。例えば、1~10であってもよく、1~5であってもよく、2であってもよい。
特定飽和炭化水素基が有する分岐の数は、特に制限されない。例えば、1~10であってもよく、1~5であってもよく、2であってもよい。
分岐の1つあたりの炭素数は3~15であることが好ましく、5~12であることがより好ましく、6~10であることがさらに好ましい。
特定飽和炭化水素基が2つ以上の分岐を有する場合、2つ以上の分岐の炭素数は同じであっても異なっていてもよい。
分岐となる1価の炭化水素基は、さらに分岐していても分岐していなくてもよく、分岐していないことが好ましい。
特定飽和炭化水素基が2つ以上の分岐を有する場合、2つ以上の分岐の炭素数は同じであっても異なっていてもよい。
分岐となる1価の炭化水素基は、さらに分岐していても分岐していなくてもよく、分岐していないことが好ましい。
特定飽和炭化水素基は環構造を含むことが好ましい。特定飽和炭化水素基が環構造を含むことで、エポキシ樹脂組成物の硬化物のシリコン基板及び窒化シリコン基板からの剥離をより効果的に抑制することができる傾向にある。
特定飽和炭化水素基に含まれる環構造としては、シクロヘキサン構造、デカヒドロナフタレン構造、シクロプロパン構造、シクロブタン構造、シクロペンタン構造、シクロヘプタン構造、シクロオクタン構造、テトラヒドロジシクロペンタジエン構造、アダマンタン構造、ノルボルナン構造、ビシクロ[2.2.2]オクタン構造等が挙げられる。これらの中でもシクロヘキサン構造及びデカヒドロナフタレン構造が好ましく、シクロヘキサン構造がより好ましい。
特定飽和炭化水素基に含まれる環構造の数は1~3であることが好ましく、1又は2であることがより好ましく、1であることがさらに好ましい。
特定飽和炭化水素基が2つ以上の環構造を含む場合、2つ以上の環構造は同じであっても異なっていてもよい。
特定飽和炭化水素基が2つ以上の環構造を含む場合、2つ以上の環構造は同じであっても異なっていてもよい。
特定飽和炭化水素基が環構造を含む場合、特定飽和炭化水素基が有する分岐の少なくとも1つは環構造に結合していることが好ましい。
1つの環構造に結合している分岐の数は1又は2であることが好ましく、2であることがより好ましい。
1つの環構造に結合している分岐の数は1又は2であることが好ましく、2であることがより好ましい。
硬化物のシリコン基板及び窒化シリコン基板の少なくとも一方からの剥離を抑制するという観点からは、特定飽和炭化水素基の末端間の最短経路の炭素数は10~30であることが好ましく、12~25であることがより好ましく、15~20であることがさらに好ましい。
本開示において特定飽和炭化水素基の末端間の最短経路とは、特定飽和炭化水素基の両末端における炭素原子を結ぶ経路のうち、炭素数が最小となるときの経路を意味する。特定飽和炭化水素基の末端間の最短経路の炭素数には、両末端に位置する炭素原子の数(2)が含まれる。
本開示において特定飽和炭化水素基の末端間の最短経路とは、特定飽和炭化水素基の両末端における炭素原子を結ぶ経路のうち、炭素数が最小となるときの経路を意味する。特定飽和炭化水素基の末端間の最短経路の炭素数には、両末端に位置する炭素原子の数(2)が含まれる。
特定飽和炭化水素基は、下記一般式(1)で表されるものであってもよい。
一般式(1)中、R1及びR3はそれぞれ独立して炭素数5~20の分岐を有していてもよい鎖状アルキレン基を示し、R2は炭素数4~20の分岐を有していてもよい環状アルキレン基を示し、*は隣接する原子との結合部位を示す。
特定飽和炭化水素基は、下記一般式(2)で表されるものであってもよい。
一般式(2)中、R4はそれぞれ独立して炭素数3~15のアルキル基を示し、nはそれぞれ独立して、5~20の整数を示し、mは0~2の整数を示し、*は隣接する原子との結合部位を示す。
特定飽和炭化水素基は、下記一般式(2’)で表されるものであってもよい。
一般式(2’)中、式中のnはそれぞれ独立に6~8の整数を示し、*は隣接する原子との結合部位を示す。
特定エポキシ化合物は、2つ以上のエポキシ基と反応し得る官能基及び特定飽和炭化水素基を有する化合物A1と、2つ以上のエポキシ基を有する化合物A2と、の反応生成物であってもよい。
化合物A1が有するエポキシ基と反応し得る官能基としては、カルボキシ基、アミノ基、水酸基等が挙げられ、カルボキシ基が好ましい。
化合物A1が有するエポキシ基と反応し得る官能基の数は2~4であることが好ましく、2又は3であることがより好ましく、2であることがさらに好ましい。
化合物A1が有するエポキシ基と反応し得る官能基の数は2~4であることが好ましく、2又は3であることがより好ましく、2であることがさらに好ましい。
エポキシ基と反応し得る官能基としてカルボキシ基を2つ有する化合物A1としては、ダイマー酸の水素添加物が挙げられる。
本開示において「ダイマー酸」とは、炭素数が10以上の不飽和脂肪酸を二量化して得られるジカルボン酸化合物をいう。
本開示において「ダイマー酸の水素添加物」とは、ダイマー酸を構成する不飽和脂肪酸に含まれる不飽和二重結合を水素の付加により単結合に変化させたものをいう。
本開示において「ダイマー酸」とは、炭素数が10以上の不飽和脂肪酸を二量化して得られるジカルボン酸化合物をいう。
本開示において「ダイマー酸の水素添加物」とは、ダイマー酸を構成する不飽和脂肪酸に含まれる不飽和二重結合を水素の付加により単結合に変化させたものをいう。
ダイマー酸の原料となる不飽和脂肪酸として具体的には、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸等の炭素数が18の不飽和脂肪酸、エイコセン酸、エイコサジエン酸等の炭素数が20の不飽和脂肪酸、エルカ酸等の炭素数22の不飽和脂肪酸などが挙げられる。
ダイマー酸の水素添加物は環構造を含んでいても、環構造を含まなくてもよい。
硬化物のシリコン基板及び窒化シリコン基板の少なくとも一方からの剥離を抑制するという観点からは、ダイマー酸の水素添加物は環構造を含むことが好ましく、シクロヘキサン構造又はデカヒドロナフタレン構造を含むことがより好ましく、シクロヘキサン構造を含むことがさらに好ましい。
硬化物のシリコン基板及び窒化シリコン基板の少なくとも一方からの剥離を抑制するという観点からは、ダイマー酸の水素添加物は環構造を含むことが好ましく、シクロヘキサン構造又はデカヒドロナフタレン構造を含むことがより好ましく、シクロヘキサン構造を含むことがさらに好ましい。
2つ以上のエポキシ基を有する化合物A2としては公知のエポキシ樹脂を用いることができ、エポキシ樹脂組成物の所望の物性等に応じて選択できる。エポキシ樹脂は、1種を単独で用いても2種以上を併用してもよい。
エポキシ樹脂として具体的には、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、N,N-ジグリシジルアニリン、N,N-ジグリシジルトルイジン、ジアミノジフェニルメタン型グリシジルアミン、アミノフェノール型グリシジルアミン等の芳香族グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェニレン骨格又はビフェニレン骨格の少なくとも一方を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格又はビフェニレン骨格の少なくとも一方を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のアラルキル型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリフェノールプロパン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビニルシクロヘキセンジオキシド、ジシクロペンタジエンオキシド、アリサイクリックジエポキシ-アジペイド等の脂環式エポキシ樹脂、アルキレングリコールジグリシジルエーテル、ポリ(アルキレングリコール)ジグリシジルエーテル、アルケニレングリコールジグリシジルエーテル等の分子内にエポキシ基を2つ有する二官能脂肪族エポキシ化合物などが挙げられる。
上記エポキシ樹脂の中でも、ビスフェノール型エポキシ樹脂、芳香族グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールF型エポキシ樹脂及びアミノフェノール型グリシジルアミンがより好ましい。
特定エポキシ化合物が化合物A1と化合物A2との反応生成物である場合、特定エポキシ化合物は化合物A1に由来する構造を1つ~3つ有することが好ましく、化合物A2に由来する構造を2つ~4つ有することが好ましい。
特定エポキシ化合物に含まれる化合物A1に由来する構造及び化合物A2に由来する構造がそれぞれ2以上である場合、それぞれの構造は同じであっても異なっていてもよい。
特定エポキシ化合物に含まれる化合物A1に由来する構造及び化合物A2に由来する構造がそれぞれ2以上である場合、それぞれの構造は同じであっても異なっていてもよい。
化合物A2としてビスフェノールF型エポキシ樹脂を用いる場合、化合物A2に由来する構造はジフェニルメタン構造となり、化合物A2としてビスフェノールA型エポキシ樹脂を用いる場合、化合物A2に由来する構造は2,2’-ジフェニルプロパン構造となり、化合物A2としてアミノフェノール型グリシジルアミンを用いる場合、化合物A2に由来する構造はアミノフェニル構造となる。
特定エポキシ化合物が化合物A1と化合物A2との反応生成物である場合、化合物A1と化合物A2の反応比率は特に制限されない。例えば、化合物A1の官能基中の活性水素の総数A1’と化合物A2のエポキシ基の総数A2’との比(A1’:A2’)が1:1~1:200となる範囲内で化合物A1と化合物A2とを反応させてもよい。反応は、化合物A1又は化合物A2の一部が反応せずに残存するように実施してもよい。
特定エポキシ化合物が化合物A1と化合物A2との反応生成物である場合、エポキシ樹脂は、特定エポキシ化合物と、未反応の化合物A1及び化合物A2のいずれか又は両方を含んでいてもよい。
(特定エポキシ化合物以外のエポキシ化合物)
エポキシ樹脂は、特定エポキシ化合物以外のエポキシ化合物(以下、その他のエポキシ化合物ともいう。)を含んでいてもよい。
その他のエポキシ化合物としては、2つ以上のエポキシ基を有する化合物A2として使用することができる上述のエポキシ樹脂が挙げられる。
特定エポキシ化合物と、その他のエポキシ化合物とは、同じ構造を有していてもよい。
例えば、エポキシ樹脂は、ビスフェノール構造を有する、特定エポキシ化合物A及びその他のエポキシ化合物を含んでいてもよい。
エポキシ樹脂は、特定エポキシ化合物以外のエポキシ化合物(以下、その他のエポキシ化合物ともいう。)を含んでいてもよい。
その他のエポキシ化合物としては、2つ以上のエポキシ基を有する化合物A2として使用することができる上述のエポキシ樹脂が挙げられる。
特定エポキシ化合物と、その他のエポキシ化合物とは、同じ構造を有していてもよい。
例えば、エポキシ樹脂は、ビスフェノール構造を有する、特定エポキシ化合物A及びその他のエポキシ化合物を含んでいてもよい。
エポキシ樹脂がその他のエポキシ化合物を含むことにより、硬化物の熱膨張率を低減することができる。
硬化物のシリコン基板及び窒化シリコン基板に対する接着性の向上と、硬化物の熱膨張率の低減とを両立する観点からは、エポキシ樹脂の総質量に対するその他のエポキシ化合物の含有率は、70.0質量%以上であることが好ましく、80.0質量%以上であることがより好ましい。
その他のエポキシ化合物の含有率の上限は特に制限されず、99.0質量%以下とすることができる。
硬化物のシリコン基板及び窒化シリコン基板に対する接着性の向上と、硬化物の熱膨張率の低減とを両立する観点からは、エポキシ樹脂の総質量に対するその他のエポキシ化合物の含有率は、70.0質量%以上であることが好ましく、80.0質量%以上であることがより好ましい。
その他のエポキシ化合物の含有率の上限は特に制限されず、99.0質量%以下とすることができる。
(硬化剤)
第1のエポキシ樹脂組成物に含まれる硬化剤の種類は特に制限されない。硬化剤は、1種を単独で用いても2種以上を併用してもよい。
第1のエポキシ樹脂組成物に含まれる硬化剤の種類は特に制限されない。硬化剤は、1種を単独で用いても2種以上を併用してもよい。
硬化剤としては、アミン系硬化剤、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等が挙げられる。これらの中でも、硬化剤としては、アミン系硬化剤が好ましい。
アミン系硬化剤は、1分子中に1級アミノ基及び2級アミノ基からなる群から選ばれる1種以上(以下、単に「アミノ基」とも称する。)を2個以上含む化合物であることが好ましく、1分子中にアミノ基を2個~4個有する化合物であることがより好ましく、1分子中にアミノ基を2個有する化合物(ジアミン化合物)であることがさらに好ましい。
アミン系硬化剤は、1分子中に1級アミノ基及び2級アミノ基からなる群から選ばれる1種以上(以下、単に「アミノ基」とも称する。)を2個以上含む化合物であることが好ましく、1分子中にアミノ基を2個~4個有する化合物であることがより好ましく、1分子中にアミノ基を2個有する化合物(ジアミン化合物)であることがさらに好ましい。
アミノ基を有する化合物は、芳香環を有する化合物(芳香族アミン化合物)であることが好ましく、常温で液状の芳香族アミン化合物であることがより好ましく、常温で液状であり、且つ1分子中にアミノ基を2個有する芳香族アミン化合物であることがより好ましい。
常温で液状の芳香族アミン化合物としては、2,6-ジエチルトルエン-3,5-ジアミン、3,5-ジエチルトルエン-2,4-ジアミン、3,5-ジエチルトルエン-2,6-ジアミン等のジエチルトルエンジアミン、1,3,5-トリエチル-2,6-ジアミノベンゼン等のトリエチルジアミノベンゼン、3,3’-ジエチル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,5,3’,5’-テトラメチル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン等のジアミノジフェニルメタンなどが挙げられる。
上記化合物の中でも、保存安定性の観点からは、ジアミノジフェニルメタン及びジエチルトルエンジアミンが好ましい。硬化剤としてジアミノジフェニルメタン及びジエチルトルエンジアミンの少なくとも一方を用いる場合、硬化剤の総質量に対するその合計含有率は、50質量%以上であることが好ましく、70質量%以上であることがより好ましく、80質量%以上であることがさらに好ましい。
硬化剤として常温で液状の芳香族アミン化合物を用いる場合、その性能を充分に発揮する観点から、硬化剤の総質量に対する含有率は、50質量%以上であることが好ましく、70質量%以上であることがより好ましく、80質量%以上であることがさらに好ましい。
硬化剤として芳香族アミン化合物を用いる場合、硬化剤の活性水素当量は、特に制限されない。ブリードの発生をより抑制する観点から、例えば、10g/mol~200g/molであることが好ましく、20g/mol~100g/molであることがより好ましく、30g/mol~70g/molであることがさらに好ましい。
硬化剤の活性水素当量は、JIS K7237:1995に準拠して測定されたアミン価に基づいて算出された値をいう。
第1のエポキシ樹脂組成物におけるエポキシ樹脂と硬化剤との当量比(エポキシ樹脂のエポキシ基のモル数/硬化剤の活性水素のモル数)は、特に制限はない。エポキシ樹脂のエポキシ基のモル数/硬化剤の活性水素のモル数は、それぞれの未反応分を少なく抑える観点から、例えば、0.7~1.6であることが好ましく、0.8~1.4であることがより好ましく、0.9~1.2であることがさらに好ましい。
(無機フィラー)
第1のエポキシ樹脂組成物は、無機フィラーを含み、これにより、硬化物のシリコン基板及び窒化シリコン基板に対する優れた接着性を維持しつつ、硬化物の熱膨張率を低減することができ、反りの発生を低減することができるため、硬化物のシリコン基板及び窒化シリコン基板からの剥離を抑制することができる。
第1のエポキシ樹脂組成物は、無機フィラーを含み、これにより、硬化物のシリコン基板及び窒化シリコン基板に対する優れた接着性を維持しつつ、硬化物の熱膨張率を低減することができ、反りの発生を低減することができるため、硬化物のシリコン基板及び窒化シリコン基板からの剥離を抑制することができる。
無機フィラーの種類は特に制限されない。無機フィラーとしては、溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ、炭酸カルシウム、アルミナ、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化ホウ素、珪酸カルシウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム、ベリリア、ジルコニア、ジルコン、フォステライト、ステアタイト、スピネル、ムライト、チタニア等の粉体、又はこれらを球形化したビーズ、ガラス繊維などが挙げられる。さらに、難燃効果のある無機フィラーとして水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硼酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛等が挙げられる。無機フィラーは、1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
無機フィラーの粒子形状は、特に制限はなく、不定形であっても球状であってもよいが、流動性及び浸透性の観点からは、球状であることが好ましい。同様の観点から、無機フィラーとしては、例えば、球状シリカが好ましく、球状溶融シリカがより好ましい。
無機フィラーの体積平均粒子径は、特に制限されない。例えば、0.1μm~10μmであることが好ましく、0.3μm~5μmであることより好ましい。無機フィラーの体積平均粒子径が0.1μm以上であると、エポキシ樹脂組成物への分散性が向上し、流動特性が向上する傾向にある。10μm以下であると、無機フィラーの沈降が抑制され、且つエポキシ樹脂組成物の浸透性及び流動性が向上する傾向にある。
無機フィラーは、所定範囲外の粒子径を有する粒子を取り除くトップカット処理が施されたものであってもよい。
本開示において無機フィラーの体積平均粒子径は、レーザー回折式粒度分布測定装置を用いて得られる体積基準の粒度分布において小径側からの累積が50%となるときの粒子径(D50%)である。
無機フィラーの含有率は、特に制限されない。エポキシ樹脂組成物の総質量に対する無機フィラーの含有率は、20質量%~90質量%であることが好ましく、30質量%~80質量%であることがより好ましく、40質量%~75質量%であることがさらに好ましく、50質量%~75質量%であることが特に好ましく、60質量%~75質量%であることが特に好ましい。無機フィラーの含有率が20質量%以上であると、熱膨張係数が低減する傾向にあり、90質量%以下であると、エポキシ樹脂組成物の粘度が低減し、流動性、浸透性及びディスペンス性が向上する傾向にある。
(その他の成分)
第1のエポキシ樹脂組成物は、必要に応じて、アミン系硬化剤以外の硬化剤、硬化促進剤、カップリング剤、イオントラップ剤、酸化抑制剤、有機溶剤、離型剤、着色剤、ゴム粒子、レベリング剤、消泡剤等を含んでいてもよい。
第1のエポキシ樹脂組成物は、必要に応じて、アミン系硬化剤以外の硬化剤、硬化促進剤、カップリング剤、イオントラップ剤、酸化抑制剤、有機溶剤、離型剤、着色剤、ゴム粒子、レベリング剤、消泡剤等を含んでいてもよい。
(硬化促進剤)
硬化促進剤の種類は特に制限されない。硬化促進剤としては、1,8-ジアザ-ビシクロ[5.4.0]ウンデセン-7、1,5-ジアザ-ビシクロ[4.3.0]ノネン、5,6-ジブチルアミノ-1,8-ジアザ-ビシクロ[5.4.0]ウンデセン-7等のシクロアミジン化合物;シクロアミジン化合物に無水マレイン酸、1,4-ベンゾキノン、2,5-トルキノン、1,4-ナフトキノン、2,3-ジメチルベンゾキノン、2,6-ジメチルベンゾキノン、2,3-ジメトキシ-5-メチル-1,4-ベンゾキノン、2,3-ジメトキシ-1,4-ベンゾキノン、フェニル-1,4-ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂などのπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物;ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール等の3級アミン化合物;3級アミン化合物の誘導体;2-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物;イミダゾール化合物の誘導体;トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス(4-メチルフェニル)ホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィン等の有機ホスフィン化合物;有機ホスフィン化合物に無水マレイン酸、上記キノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂等のπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有するリン化合物;テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート、2-エチル-4-メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、N-メチルモルホリンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩;テトラフェニルボロン塩の誘導体;トリフェニルホスホニウム-トリフェニルボラン、N-メチルモルホリンテトラフェニルホスホニウム-テトラフェニルボレート等のホスフィン化合物とテトラフェニルボロン塩との付加物などが挙げられる。硬化促進剤は、1種類を単独で使用しても、2種類以上を併用してもよい。
硬化促進剤の種類は特に制限されない。硬化促進剤としては、1,8-ジアザ-ビシクロ[5.4.0]ウンデセン-7、1,5-ジアザ-ビシクロ[4.3.0]ノネン、5,6-ジブチルアミノ-1,8-ジアザ-ビシクロ[5.4.0]ウンデセン-7等のシクロアミジン化合物;シクロアミジン化合物に無水マレイン酸、1,4-ベンゾキノン、2,5-トルキノン、1,4-ナフトキノン、2,3-ジメチルベンゾキノン、2,6-ジメチルベンゾキノン、2,3-ジメトキシ-5-メチル-1,4-ベンゾキノン、2,3-ジメトキシ-1,4-ベンゾキノン、フェニル-1,4-ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂などのπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物;ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール等の3級アミン化合物;3級アミン化合物の誘導体;2-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物;イミダゾール化合物の誘導体;トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス(4-メチルフェニル)ホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィン等の有機ホスフィン化合物;有機ホスフィン化合物に無水マレイン酸、上記キノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂等のπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有するリン化合物;テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート、2-エチル-4-メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、N-メチルモルホリンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩;テトラフェニルボロン塩の誘導体;トリフェニルホスホニウム-トリフェニルボラン、N-メチルモルホリンテトラフェニルホスホニウム-テトラフェニルボレート等のホスフィン化合物とテトラフェニルボロン塩との付加物などが挙げられる。硬化促進剤は、1種類を単独で使用しても、2種類以上を併用してもよい。
第1のエポキシ樹脂組成物が硬化促進剤を含む場合、硬化促進剤の含有率は、エポキシ樹脂と硬化剤の合計含有率に対して、0.1質量%~8質量%であることが好ましい。
(カップリング剤)
カップリング剤の種類は特に制限されない。カップリング剤としては、1級アミノ基、2級アミノ基及び3級アミノ基からなる群から選ばれる1種以上を有するアミノシラン、エポキシシラン、メルカプトシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等のシラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレート類、アルミニウム/ジルコニウム系化合物等が挙げられる。これらの中でも、充填性の観点からは、シラン系化合物が好ましく、エポキシシランがより好ましい。
カップリング剤の種類は特に制限されない。カップリング剤としては、1級アミノ基、2級アミノ基及び3級アミノ基からなる群から選ばれる1種以上を有するアミノシラン、エポキシシラン、メルカプトシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等のシラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレート類、アルミニウム/ジルコニウム系化合物等が挙げられる。これらの中でも、充填性の観点からは、シラン系化合物が好ましく、エポキシシランがより好ましい。
エポキシシランとしては、β-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。これらの中でも、充填性の観点からは、例えば、γ-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシランが好ましい。カップリング剤は、1種を単独で用いても2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
第1のエポキシ樹脂組成物がカップリング剤を含む場合、その含有率は、特に制限されない。樹脂成分と無機フィラーとの界面接着及び樹脂成分と電子部品の構成部材との界面接着を強固にする観点、並びに充填性を向上させる観点からは、例えば、エポキシ樹脂組成物の総質量に対するカップリング剤の含有率は、0.05質量%~10質量%であることが好ましく、0.2質量%~5質量%であることがより好ましく、0.4質量%~1質量%であることがさらに好ましい。
<第2のエポキシ樹脂組成物>
本開示において、第2のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤とを含み、
硬化物が、22.0MPa以上のシリコン基板に対する接着強度及び19.0MPa以上の窒化シリコン基板に対する接着強度の少なくとも一方を有する。
本開示において、第2のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤とを含み、
硬化物が、22.0MPa以上のシリコン基板に対する接着強度及び19.0MPa以上の窒化シリコン基板に対する接着強度の少なくとも一方を有する。
第2のエポキシ樹脂組成物は、硬化物のシリコン基板に対する接着強度が22.0MPa以上であり、且つ硬化物の窒化シリコン基板に対する接着強度が19.0MPa以上であることが好ましい。
硬化物のシリコン基板からの剥離を抑制するという観点からは、第2のエポキシ樹脂組成物の硬化物のシリコン基板に対する接着強度は、23.0MPa以上であることが好ましく、25.0MPa以上であることがより好ましい。
硬化物の窒化シリコン基板からの剥離を抑制するという観点からは、第2のエポキシ樹脂組成物の硬化物の窒化シリコン基板に対する接着強度は、20.0MPa以上であることが好ましく、22.0MPa以上であることがより好ましい。
第2のエポキシ樹脂組成物の硬化物のシリコン基板及び窒化シリコン基板に対する接着強度は、エポキシ樹脂組成物に含有されるエポキシ樹脂の組成等を変更することにより調整することができる。
第2のエポキシ樹脂組成物の硬化物の25℃における貯蔵弾性率、第2のエポキシ樹脂組成物の硬化物の240℃における貯蔵弾性率、第2のエポキシ樹脂組成物の硬化物の50℃における熱膨張率及び第2のエポキシ樹脂組成物の硬化物の150℃における熱膨張率の好ましい数値範囲は、第1のエポキシ樹脂組成物と同様であるため、ここでは記載を省略する。
また、第2の本開示エポキシ樹脂組成物は、常温で液体であることが好ましい。
第2のエポキシ樹脂組成物の25℃における粘度及び第2のエポキシ樹脂組成物の110℃における粘度の好ましい数値範囲は、第1のエポキシ樹脂組成物と同様であるため、ここでは記載を省略する。
また、第2の本開示エポキシ樹脂組成物は、常温で液体であることが好ましい。
第2のエポキシ樹脂組成物の25℃における粘度及び第2のエポキシ樹脂組成物の110℃における粘度の好ましい数値範囲は、第1のエポキシ樹脂組成物と同様であるため、ここでは記載を省略する。
第2のエポキシ樹脂組成物は、接着剤、絶縁材料、封止材等として使用することができ、種々の電子部品装置に適用することができる。
より具体的には、第2のエポキシ樹脂組成物は、基板と素子の間のギャップの充填等に用いられる、いわゆるアンダーフィル材として使用することができる。
また、第2のエポキシ樹脂組成物は、2.5D又は3D実装技術により高集積化された電子部品装置における複数の半導体チップに分割された素子の内部構造にも好適に適用することができる。
より具体的には、第2のエポキシ樹脂組成物は、基板と素子の間のギャップの充填等に用いられる、いわゆるアンダーフィル材として使用することができる。
また、第2のエポキシ樹脂組成物は、2.5D又は3D実装技術により高集積化された電子部品装置における複数の半導体チップに分割された素子の内部構造にも好適に適用することができる。
(エポキシ樹脂)
第2のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂を含有する。エポキシ樹脂の好ましい態様等は、第1のエポキシ樹脂組成物と同様であるため、ここでは記載を省略する。
第2のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂を含有する。エポキシ樹脂の好ましい態様等は、第1のエポキシ樹脂組成物と同様であるため、ここでは記載を省略する。
(硬化剤)
第2のエポキシ樹脂組成物は、硬化剤を含有する。硬化剤の好ましい態様等は、第1のエポキシ樹脂組成物と同様であるため、ここでは記載を省略する。
第2のエポキシ樹脂組成物は、硬化剤を含有する。硬化剤の好ましい態様等は、第1のエポキシ樹脂組成物と同様であるため、ここでは記載を省略する。
(無機フィラー)
第2のエポキシ樹脂組成物は、無機フィラーを含有していてもよい。含有率を除き、無機フィラーの好ましい態様等は、第1のエポキシ樹脂組成物と同様であるため、ここでは記載を省略する。
第2のエポキシ樹脂組成物は、無機フィラーを含有していてもよい。含有率を除き、無機フィラーの好ましい態様等は、第1のエポキシ樹脂組成物と同様であるため、ここでは記載を省略する。
硬化物のシリコン基板及び窒化シリコン基板の少なくとも一方からの剥離を抑制するという観点からは、第2のエポキシ樹脂組成物の総質量に対する無機フィラーの含有率は、30質量%以下であることが好ましく、20質量%以下であることがより好ましく、10質量%以下であることがさらに好ましく、5質量%以下であることが特に好ましく、含まないことが最も好ましい。
(その他の成分)
第2のエポキシ樹脂組成物は、必要に応じて、アミン系硬化剤以外の硬化剤、硬化促進剤、カップリング剤、イオントラップ剤、酸化抑制剤、有機溶剤、離型剤、着色剤、ゴム粒子、レベリング剤、消泡剤等を含んでいてもよい。
第2のエポキシ樹脂組成物は、必要に応じて、アミン系硬化剤以外の硬化剤、硬化促進剤、カップリング剤、イオントラップ剤、酸化抑制剤、有機溶剤、離型剤、着色剤、ゴム粒子、レベリング剤、消泡剤等を含んでいてもよい。
<電子部品装置>
本開示の電子部品装置は、第1のエポキシ樹脂組成物又は第2のエポキシ樹脂組成物の硬化物を備える。
一実施形態において、本開示の電子部品装置は、回路層を有する基板と、基板上に配置され、回路層と電気的に接続された電子部品と、をさらに備え、且つ基板と電子部品との間隙に、上記硬化物が配置される
一実施形態において、上記電子部品装置が備える電子部品は、電気的に接続される複数の半導体チップを含み、且つ半導体チップ同士の接続箇所の周囲に、上記硬化剤が配置される。
本開示の電子部品装置は、第1のエポキシ樹脂組成物又は第2のエポキシ樹脂組成物の硬化物を備える。
一実施形態において、本開示の電子部品装置は、回路層を有する基板と、基板上に配置され、回路層と電気的に接続された電子部品と、をさらに備え、且つ基板と電子部品との間隙に、上記硬化物が配置される
一実施形態において、上記電子部品装置が備える電子部品は、電気的に接続される複数の半導体チップを含み、且つ半導体チップ同士の接続箇所の周囲に、上記硬化剤が配置される。
電子部品装置としては、リードフレーム、配線済みのテープキャリア、リジッド配線板、フレキシブル配線板、ガラス、シリコンウエハ等の回路層を有する基板に、半導体チップ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子、コンデンサ、抵抗体、抵抗アレイ、コイル、スイッチ等の受動素子などの電子部品を搭載し、必要な部分を第1のエポキシ樹脂組成物又は第2のエポキシ樹脂組成物により封止して得られる電子部品装置が挙げられる。
特に、リジッド配線板、フレキシブル配線板又はガラス上に形成した配線に、半導体チップをバンプ接続によりフリップチップボンディングした電子部品装置が、第1のエポキシ樹脂組成物又は第2のエポキシ樹脂組成物を適用しうる対象の1つとして挙げられる。具体的な例としては、フリップチップBGA(Ball Grid Array)、LGA(Land Grid Array)、COF(Chip On Film)等の電子部品装置が挙げられる。
特に、リジッド配線板、フレキシブル配線板又はガラス上に形成した配線に、半導体チップをバンプ接続によりフリップチップボンディングした電子部品装置が、第1のエポキシ樹脂組成物又は第2のエポキシ樹脂組成物を適用しうる対象の1つとして挙げられる。具体的な例としては、フリップチップBGA(Ball Grid Array)、LGA(Land Grid Array)、COF(Chip On Film)等の電子部品装置が挙げられる。
<電子部品装置の製造方法>
本開示の電子部品装置の製造方法は、回路層を有する基板上に配置され、回路層と電気的に接続された電子部品を、上記エポキシ樹脂組成物を用いて封止する工程を有する。
エポキシ樹脂組成物を用いて電子部品を封止する工程に特に限定はない。例えば、電子部品と回路層を有する基板とを接続した後に、電子部品と基板とのギャップに毛細管現象を利用してエポキシ樹脂組成物を付与し、次いでエポキシ樹脂組成物の硬化反応を行う後入れ方式、並びに、先に回路層を有する基板及び電子部品の少なくとも一方の表面にエポキシ樹脂組成物を付与し、熱圧着して電子部品を基板に接続する際に、電子部品及び基板の接続とエポキシ樹脂組成物の硬化反応とを一括して行う先塗布方式が挙げられる。
エポキシ樹脂組成物の付与方法としては、注型方式、ディスペンス方式、印刷方式等が挙げられる。
本開示の電子部品装置の製造方法は、回路層を有する基板上に配置され、回路層と電気的に接続された電子部品を、上記エポキシ樹脂組成物を用いて封止する工程を有する。
エポキシ樹脂組成物を用いて電子部品を封止する工程に特に限定はない。例えば、電子部品と回路層を有する基板とを接続した後に、電子部品と基板とのギャップに毛細管現象を利用してエポキシ樹脂組成物を付与し、次いでエポキシ樹脂組成物の硬化反応を行う後入れ方式、並びに、先に回路層を有する基板及び電子部品の少なくとも一方の表面にエポキシ樹脂組成物を付与し、熱圧着して電子部品を基板に接続する際に、電子部品及び基板の接続とエポキシ樹脂組成物の硬化反応とを一括して行う先塗布方式が挙げられる。
エポキシ樹脂組成物の付与方法としては、注型方式、ディスペンス方式、印刷方式等が挙げられる。
エポキシ樹脂組成物の硬化条件は特に限定されず、例えば、80℃~165℃で、1分間~150分間加熱することが好ましい。
以下に、本開示を実施例に基づいて説明するが、本開示は下記実施例に限定されるものではない。
[エポキシ樹脂組成物の調製]
表1に示す各成分を表1に示す量(質量部)で配合し、三本ロール及び真空らい潰機にて混練し分散して、実施例及び比較例のエポキシ樹脂組成物を調製した。表1に示す各材料の詳細は、下記のとおりである。表1中の空欄(-)は未配合であることを示す。
なお、各実施例及び比較例では、エポキシ樹脂組成物におけるエポキシ樹脂と硬化剤との当量比(エポキシ樹脂のエポキシ基のモル数/硬化剤の活性水素のモル数)は、1.0とした。
表1に示す各成分を表1に示す量(質量部)で配合し、三本ロール及び真空らい潰機にて混練し分散して、実施例及び比較例のエポキシ樹脂組成物を調製した。表1に示す各材料の詳細は、下記のとおりである。表1中の空欄(-)は未配合であることを示す。
なお、各実施例及び比較例では、エポキシ樹脂組成物におけるエポキシ樹脂と硬化剤との当量比(エポキシ樹脂のエポキシ基のモル数/硬化剤の活性水素のモル数)は、1.0とした。
・エポキシ樹脂1:ビスフェノールFをエポキシ化して得られるエポキシ当量160g/molの液状2官能エポキシ樹脂
・エポキシ樹脂2:p-アミノフェノールをエポキシ化して得られるエポキシ当量95g/molの液状3官能エポキシ樹脂
・エポキシ樹脂2:p-アミノフェノールをエポキシ化して得られるエポキシ当量95g/molの液状3官能エポキシ樹脂
・エポキシ樹脂3:エポキシ樹脂1(100質量部)と、下記一般式(5)で表されるジカルボン酸化合物(30質量部)との反応生成物を含むエポキシ樹脂
・エポキシ樹脂4:エポキシ樹脂2(100質量部)と、下記一般式(5)で表されるジカルボン酸化合物(30質量部)との反応生成物を含むエポキシ樹脂
・エポキシ樹脂4:エポキシ樹脂2(100質量部)と、下記一般式(5)で表されるジカルボン酸化合物(30質量部)との反応生成物を含むエポキシ樹脂
一般式(5)中、式中のnはそれぞれ独立に6~8の整数である。
エポキシ樹脂3及びエポキシ樹脂4は、下記のようにして合成した。
エポキシ樹脂と、ジカルボン酸化合物との混合物を、硬化促進剤としてのTPP(トリフェニルホスフィン)の存在下で、窒素雰囲気中で反応温度(100℃~120℃)まで昇温した。ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)及び赤外分光法(IR)でエポキシ樹脂とジカルボン酸化合物との反応追跡を行いながら、混合物を反応温度で8時間維持した。その後室温まで冷却し、エポキシ樹脂とジカルボン酸化合物との反応生成物を含むエポキシ樹脂3及びエポキシ樹脂4を得た。
エポキシ樹脂と、ジカルボン酸化合物との混合物を、硬化促進剤としてのTPP(トリフェニルホスフィン)の存在下で、窒素雰囲気中で反応温度(100℃~120℃)まで昇温した。ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)及び赤外分光法(IR)でエポキシ樹脂とジカルボン酸化合物との反応追跡を行いながら、混合物を反応温度で8時間維持した。その後室温まで冷却し、エポキシ樹脂とジカルボン酸化合物との反応生成物を含むエポキシ樹脂3及びエポキシ樹脂4を得た。
・硬化剤1:活性水素当量45g/molの2,6-ジエチルトルエン-3,5-ジアミン
・硬化剤2:活性水素当量63g/molの3,3’-ジエチル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン
・硬化剤2:活性水素当量63g/molの3,3’-ジエチル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン
・無機フィラー:シラン化合物を用いた表面処理が施された球状シリカ(体積平均粒子径0.5μm、粒子径1μm以上の粒子を除去するトップカット処理済み)
[接着強度の測定]
実施例及び比較例で調製したエポキシ樹脂組成物の硬化物のシリコン基板(Si)に対する接着強度を測定した。
具体的には、シリコン基板上に、エポキシ樹脂組成物を塗布し、165℃、120分間の条件で硬化させ、直径3mm、高さ1mmの硬化物を作製した。
次いで、万能型ボンドテスタを用いて、ツール高さ50μm、ツール速度50μm/sec、25℃の条件で、せん断接着力の最大値を測定した。
硬化物を形成したシリコン基板を万能型ボンドテスタが備えるステージ上に配置すると共にストッパにより固定し、ステージ温度を260℃に設定した。
25℃の環境下において、万能型ボンドテスタが備えるツールを、ツール速度50μm/secの条件で硬化物方向へ移動させ、硬化物とシリコン基板とのせん断接着力の最大値を測定した。
上記せん断接着力の最大値の測定を各実施例及び比較例について5回実施し、その平均値を接着強度として求め、結果を表1に示す。
上記5回の接着強度の測定後、各シリコン基板及び硬化物を目視により観察し、下記4種類の剥離形態に分類し、結果を表1に示す。
(剥離形態)
A(チップ破壊):硬化物とシリコン基板とが剥離せず、シリコン基板が破壊された。
B(凝集破壊):硬化物とシリコン基板とが剥離したが、硬化物が凝集剥離を起こし、シリコン基板上に硬化物が多く残存した。
C(薄膜剥離):硬化物とシリコン基板とが剥離したが、硬化物の薄膜がシリコン基板上に残存した。
D(界面剥離):硬化物とシリコン基板とが剥離し、且つ硬化物がシリコン基板上に残存しなかった。
実施例及び比較例で調製したエポキシ樹脂組成物の硬化物のシリコン基板(Si)に対する接着強度を測定した。
具体的には、シリコン基板上に、エポキシ樹脂組成物を塗布し、165℃、120分間の条件で硬化させ、直径3mm、高さ1mmの硬化物を作製した。
次いで、万能型ボンドテスタを用いて、ツール高さ50μm、ツール速度50μm/sec、25℃の条件で、せん断接着力の最大値を測定した。
硬化物を形成したシリコン基板を万能型ボンドテスタが備えるステージ上に配置すると共にストッパにより固定し、ステージ温度を260℃に設定した。
25℃の環境下において、万能型ボンドテスタが備えるツールを、ツール速度50μm/secの条件で硬化物方向へ移動させ、硬化物とシリコン基板とのせん断接着力の最大値を測定した。
上記せん断接着力の最大値の測定を各実施例及び比較例について5回実施し、その平均値を接着強度として求め、結果を表1に示す。
上記5回の接着強度の測定後、各シリコン基板及び硬化物を目視により観察し、下記4種類の剥離形態に分類し、結果を表1に示す。
(剥離形態)
A(チップ破壊):硬化物とシリコン基板とが剥離せず、シリコン基板が破壊された。
B(凝集破壊):硬化物とシリコン基板とが剥離したが、硬化物が凝集剥離を起こし、シリコン基板上に硬化物が多く残存した。
C(薄膜剥離):硬化物とシリコン基板とが剥離したが、硬化物の薄膜がシリコン基板上に残存した。
D(界面剥離):硬化物とシリコン基板とが剥離し、且つ硬化物がシリコン基板上に残存しなかった。
シリコン基板を、表面に窒化ケイ素膜を有するシリコン基板に変更し、且つ窒化ケイ素膜上に、165℃、120分間の条件で硬化させ、直径3mm、高さ1mmの硬化物を作製した以外は、シリコン基板に対する接着強度と同様にして、接着強度を測定し、表1に示す。
上記接着強度の測定後、表面に窒化ケイ素膜を有するシリコン基板及び硬化物を目視により観察し、上記4種類の剥離形態に分類し、結果を表1に示す。
上記接着強度の測定後、表面に窒化ケイ素膜を有するシリコン基板及び硬化物を目視により観察し、上記4種類の剥離形態に分類し、結果を表1に示す。
[貯蔵弾性率の測定]
実施例及び比較例で調製したエポキシ樹脂組成物を165℃、120分間の条件で硬化させて硬化物を得た。得られた硬化物から30mm×5mm×2mmのサンプルを作製し、動的粘弾性測定装置(Rpheogel-E400、株式会社UBM)を用いてサンプルの貯蔵弾性率を測定した。測定は引張試験にて行い、チャック間距離を20mm、周波数を1Hz、20℃から250℃までの昇温速度を5℃/分とし、25℃における貯蔵弾性率(GPa)と、240℃における貯蔵弾性率(GPa)を測定した。結果を表1に示す。
実施例及び比較例で調製したエポキシ樹脂組成物を165℃、120分間の条件で硬化させて硬化物を得た。得られた硬化物から30mm×5mm×2mmのサンプルを作製し、動的粘弾性測定装置(Rpheogel-E400、株式会社UBM)を用いてサンプルの貯蔵弾性率を測定した。測定は引張試験にて行い、チャック間距離を20mm、周波数を1Hz、20℃から250℃までの昇温速度を5℃/分とし、25℃における貯蔵弾性率(GPa)と、240℃における貯蔵弾性率(GPa)を測定した。結果を表1に示す。
[熱膨張率(CTE)の測定]
実施例及び比較例で調製したエポキシ樹脂組成物を150℃で2時間硬化させて、直径8mm、厚さ20mmのサイズの試験片を作製した。この試験片の熱膨張率を、熱機械分析装置(商品名:TMA2940、TA Instruments社)を用いて、圧縮法にて0℃から300℃まで5℃/minで昇温しながら測定した。測定により得られた50℃における接線の傾きをCTE1(ppm/℃)、150℃における接線の傾きをCTE2(ppm/℃)とした。結果を表1に示す。
実施例及び比較例で調製したエポキシ樹脂組成物を150℃で2時間硬化させて、直径8mm、厚さ20mmのサイズの試験片を作製した。この試験片の熱膨張率を、熱機械分析装置(商品名:TMA2940、TA Instruments社)を用いて、圧縮法にて0℃から300℃まで5℃/minで昇温しながら測定した。測定により得られた50℃における接線の傾きをCTE1(ppm/℃)、150℃における接線の傾きをCTE2(ppm/℃)とした。結果を表1に示す。
[粘度の測定]
実施例及び比較例で調製したエポキシ樹脂組成物の25℃及び110℃における粘度を、コーン角度3゜、コーン半径14mmのコーンロータを装着したEHD型回転粘度計を用いて、上記した方法により測定した。結果を表1に示す。
また、E型粘度計を用いて25℃で測定される回転数が2.5回転/分における粘度と回転数が10回転/分における粘度との比である揺変指数[(2.5回転/分における粘度)/(10回転/分における粘度)]を求め、表1に示す。
実施例及び比較例で調製したエポキシ樹脂組成物の25℃及び110℃における粘度を、コーン角度3゜、コーン半径14mmのコーンロータを装着したEHD型回転粘度計を用いて、上記した方法により測定した。結果を表1に示す。
また、E型粘度計を用いて25℃で測定される回転数が2.5回転/分における粘度と回転数が10回転/分における粘度との比である揺変指数[(2.5回転/分における粘度)/(10回転/分における粘度)]を求め、表1に示す。
表1に示すように、実施例1~実施例3のエポキシ樹脂組成物は、比較例1のエポキシ樹脂組成物に比べ、硬化物のシリコン基板に対する接着強度に優れ、チップ破壊又は凝集破壊を起こす場合が多く、シリコン基板からの硬化物の剥離を抑制できることが分かる。
また、表1に示すように、実施例1~実施例3のエポキシ樹脂組成物は、比較例1のエポキシ樹脂組成物に比べ、硬化物の窒化シリコン基板に対する接着強度に優れ、チップ破壊又は凝集破壊を起こす場合が多く、窒化シリコン基板からの硬化物の剥離を抑制できることが分かる。
また、表1に示すように、実施例4~実施例5の、無機フィラーを含むエポキシ樹脂組成物は、比較例2のエポキシ樹脂組成物に比べ、硬化物のシリコン基板に対する接着強度に優れ、チップ破壊又は凝集破壊を起こす場合が多く、シリコン基板からの硬化物の剥離を抑制できることが分かる。
また、表1に示すように、実施例4~実施例5の、無機フィラーを含むエポキシ樹脂組成物は、比較例2のエポキシ樹脂組成物に比べ、硬化物の窒化シリコン基板に対する接着強度に優れ、チップ破壊又は凝集破壊を起こす場合が多く、窒化シリコン基板からの硬化物の剥離を抑制できることが分かる。
さらに、表1に示すように、実施例4~実施例5の、無機フィラーを含むエポキシ樹脂組成物は、実施例1~実施例3の無機フィラーを含まないエポキシ樹脂組成物に比べ、硬化物のシリコン基板及び窒化シリコン基板に対する接着強度は劣るものの、硬化物の熱膨張率が低いことが分かる。
また、表1に示すように、実施例1~実施例3のエポキシ樹脂組成物は、比較例1のエポキシ樹脂組成物に比べ、硬化物の窒化シリコン基板に対する接着強度に優れ、チップ破壊又は凝集破壊を起こす場合が多く、窒化シリコン基板からの硬化物の剥離を抑制できることが分かる。
また、表1に示すように、実施例4~実施例5の、無機フィラーを含むエポキシ樹脂組成物は、比較例2のエポキシ樹脂組成物に比べ、硬化物のシリコン基板に対する接着強度に優れ、チップ破壊又は凝集破壊を起こす場合が多く、シリコン基板からの硬化物の剥離を抑制できることが分かる。
また、表1に示すように、実施例4~実施例5の、無機フィラーを含むエポキシ樹脂組成物は、比較例2のエポキシ樹脂組成物に比べ、硬化物の窒化シリコン基板に対する接着強度に優れ、チップ破壊又は凝集破壊を起こす場合が多く、窒化シリコン基板からの硬化物の剥離を抑制できることが分かる。
さらに、表1に示すように、実施例4~実施例5の、無機フィラーを含むエポキシ樹脂組成物は、実施例1~実施例3の無機フィラーを含まないエポキシ樹脂組成物に比べ、硬化物のシリコン基板及び窒化シリコン基板に対する接着強度は劣るものの、硬化物の熱膨張率が低いことが分かる。
10:万能型ボンドテスタ、11:ステージ、12:硬化物、13:シリコン基板、14:ツール、15:ストッパ
Claims (11)
- エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機フィラーとを含む、エポキシ樹脂組成物であって、
硬化物が、6.0MPa以上のシリコン基板に対する接着強度及び7.0MPa以上の窒化シリコン基板に対する接着強度の少なくとも一方を有する、エポキシ樹脂組成物。 - エポキシ樹脂と、硬化剤とを含む、エポキシ樹脂組成物であって、
硬化物が、22.0MPa以上のシリコン基板に対する接着強度及び19.0MPa以上の窒化シリコン基板に対する接着強度の少なくとも一方を有する、エポキシ樹脂組成物。 - 硬化物の25℃における貯蔵弾性率が6.5GPa以下である、請求項1又は請求項2に記載のエポキシ樹脂組成物。
- 硬化物の240℃における貯蔵弾性率が0.070GPa以下である、請求項1~請求項3のいずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物。
- 硬化物の50℃における熱膨張率が65ppm/℃以下である、請求項1~請求項4のいずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物。
- 硬化物の150℃における熱膨張率が180ppm/℃以下である、請求項1~請求項5のいずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物。
- 前記エポキシ樹脂が、
1つ以上のエポキシ基と、1つ以上の分岐を有し、且つ炭素数が20~60の2価の飽和炭化水素基と、を有する、エポキシ化合物
を含む、請求項1~請求項6のいずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物。 - 封止材用樹脂組成物である、請求項1~請求項7のいずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物。
- 請求項1~請求項8のいずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物を備える、電子部品装置。
- 回路層を有する基板と、
前記基板上に配置され、前記回路層と電気的に接続された電子部品と、
をさらに備え、且つ
前記基板と前記電子部品との間隙に、前記硬化物が配置される、請求項9に記載の電子部品装置。 - 回路層を有する基板上に配置され、前記回路層と電気的に接続された電子部品を、請求項1~請求項8のいずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物を用いて封止する工程を有する、電子部品装置の製造方法。
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2021
- 2021-11-08 WO PCT/JP2021/041025 patent/WO2023079753A1/ja unknown
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Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
NUMATA, SHUNICHI ET AL.: "Dynamic Viscoelastic Behavior of Epoxy Resin Addition of Flexibilizer", JAPANESE JOURNAL OF POLYMER SCIENCE AND TECHNOLOGY, vol. 45, no. 6, 1988, pages 463 - 471, XP009545395 * |
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