JP5493327B2 - 封止充てん用樹脂組成物、並びに半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
(a)熱可塑性樹脂として、フェノキシ樹脂FX293(東都化成株式会社製、製品名)25重量部、(b)エポキシ樹脂として、固形多官能エポキシ樹脂EP1032H60(ジャパンエポキシレジン製、製品名)30重量部及び液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂EP828(ジャパンエポキシレジン製、製品名)45重量部、(d)アルコール性水酸基を有する化合物として、表1に示す化合物を5重量部、球状シリカフィラーとしてSE6050(株式会社アドマテックス製、製品名、平均粒径2μm)100重量部を、トルエン−酢酸エチル溶媒中に固形分濃度が60〜70重量%になるように溶解して、ワニスを作製した。このワニスをセパレータフィルム(PETフィルム)上にナイフコーターを用いて塗布し、その後70℃のオーブンで10分間乾燥させることによって、厚さ40〜45μmの参考例1〜12のフィルム状樹脂組成物を作製した。得られたフィルム状樹脂組成物をホットロールラミネータにて2枚重ね合わせることにより合計の厚さが80〜90μmとなるように調整し、これを下記評価において使用した。
25mm角に切断した両面銅はく付きガラスエポキシ基板(MCL−E−679F、日立化成工業株式会社製、製品名、厚み0.3mm、脱脂及び酸洗処理済み)の銅表面に、10mm角に切り出したフィルム状樹脂組成物を貼り付け、セパレータフィルムをはく離した。次いで、フィルム状樹脂組成物の上に、はんだボール(M705(Sn−3Ag−0.5Cu)、千住金属工業株式会社製、製品名、ボール径0.4mm、融点217〜220℃)を5個配置し、さらに、カバーガラス(サイズ18mm角、厚み0.17mm)を置いて評価用サンプルを得た。各参考例のフィルム状樹脂組成物について評価用サンプルを2個ずつ準備した。この評価用サンプルを、160℃に加熱した熱板上に30秒置き、引き続いて260℃に加熱した熱板上に30秒置いてから室温(25℃)に戻した。その後、評価用サンプルをメチルエチルケトン中に浸漬して、フィルム状樹脂組成物を溶解により除去した。フィルム状樹脂組成物の除去後、ガラスエポキシ基板の表面に残ったはんだボールの数および直径を計測した。計測結果から、「はんだ濡れ広がり率」を次式(2)に従って算出した。
はんだ濡れ広がり率(%)=(基板表面に残ったはんだボールの直径−初期はんだボール直径)/初期はんだボール直径×100 ・・・式(2)
化合物の揮発終了温度(熱重量変化率が0%となる最低温度)の測定は、セイコーインスツルメント社製TG/DTA6300(製品名)を用いて、昇温速度10℃/min、エア流量200ml/min、測定温度範囲30〜300℃、サンプル重量5〜10mgで行った。
(a)熱可塑性樹脂として、フェノキシ樹脂FX293(東都化成株式会社製、製品名)25重量部、(b)エポキシ樹脂として、固形多官能エポキシ樹脂EP1032H60(ジャパンエポキシレジン製、製品名)30重量部及び液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂EP828(ジャパンエポキシレジン製、製品名)45重量部、(c)硬化剤として、2,4−ジヒドロキシメチル−5−フェニルイミダゾール2PHZ(四国化成株式会社製、製品名)3重量部、(d)表2に示すアルコール化合物又は有機酸を5重量部、球状シリカフィラーとしてSE6050(株式会社アドマテックス製、製品名)100重量部を、トルエン−酢酸エチル溶媒中に固形分濃度が60〜70重量%になるように溶解して、ワニスを作製した。このワニスをセパレータフィルム(PETフィルム)上にナイフコーターを用いて塗布し、その後70℃のオーブンで10分間乾燥させることによって、厚さ40〜45μmの実施例1〜4及び比較例1〜3のフィルム状樹脂組成物を作製した。得られたフィルム状樹脂組成物をホットロールラミネータにて2枚重ね合わせることにより合計の厚さが80〜90μmとなるように調整し、これを下記評価において使用した。
フィラーの配合量を220重量部にしたこと以外は比較例3と同様にして、フィルム状樹脂組成物を作製した。
(平均線膨張係数の測定)
フィルム状樹脂組成物を200℃、1時間の加熱条件で硬化し、硬化後のフィルムから3.0mm×25mmの大きさを有する試験片を切り出した。セイコーインスツルメント社製TMA/SS6000(製品名)を用いて、チャック間距離15mm、測定温度範囲20〜300℃、昇温速度5℃/min、試験片断面積に対して0.5MPaとなる引っ張り荷重の条件で測定を行なった。測定結果から、40〜100℃の温度範囲における平均線膨張係数を算出した。
フィルム状樹脂組成物を200℃、1時間の加熱条件で硬化し、硬化後のフィルムから5.0mm×45mmの大きさを有する試験片を切り出した。セイコーインスツルメント社製DMS6100(製品名)を用いて、チャック間距離20mm、周波数1Hz、測定温度範囲20〜300℃、昇温速度5.0℃/minの条件で、貯蔵弾性率、損失弾性率、及びtanδの測定を行い、40℃での貯蔵弾性率、およびTg(tanδのピーク温度)を読み取った。
15mm角(厚さ0.7mm)のガラス板の上に直径4mmの円形に打ち抜いたフィルム状樹脂組成物を貼り付け、セパレーターフィルムをはく離し、そこに、フィルム状樹脂組成物を覆うカバーガラス(サイズ18mm角、厚さ0.17mm)を載せて、評価用サンプルを準備した。これを、フリップチップボンダーFCB3(パナソニックファクトリーソリューションズ製、製品名)に配置し、ヘッド温度185℃、ステージ温度50℃、荷重12.6N、加圧時間1s(到達150℃)の条件で加熱及び加圧した。樹脂体積を一定と仮定すると式(3)の関係が成立することから、加圧後の半径を顕微鏡で測定し、前述した式(1)に従い、150℃での粘度を算出した。
Z/Z0=(r0/r)2 式(3)
Z0:加圧前の樹脂厚み
Z:加圧後の樹脂厚み
r0:加圧前の樹脂の半径(直径4mmで打ち抜いているので、2mm)
r:加圧後の樹脂の半径
260℃の熱板上にセパレーターをはく離したフィルム状樹脂組成物を置き、スパチュラで攪拌した。フィルム状樹脂組成物を置いてからスパチュラで攪拌不能になるまでの時間をゲル化時間とした。
銅配線表面にSn−3.0Ag−0.5Cuの受けはんだ層が形成されたプリント基板JKIT TYPE III(日立超LSIシステムズ製、製品名)のチップ搭載領域に、10mm角に切り出したフィルム状樹脂組成物を80℃/50N/5sの条件で貼り付け、セパレータフィルムをはく離した。次いで、高融点はんだバンプ(95Pb−5Sn)が形成されたチップPhase2E175(日立超LSIシステムズ製、製品名、サイズ10mm角、厚み550μm、バンプ数832、バンプピッチ175μm)とプリント基板とを、荷重5Nで加圧しながら、180℃/5〜30s+230〜280℃/5sの温度プロファイルで加熱して接続した。位置合わせはフリップチップボンダーFCB3(パナソニックファクトリーソリューションズ製、製品名)を用いて行った。その後、さらに165℃のオーブンで2時間加熱処理を行い、接続サンプルを作製した。
接続サンプルの導通検査を行い、導通が確認されたものについて、接続部の断面を観察した。バンプと受けはんだ層が均一に濡れて接合されているものを合格と判定した(合格:A、不合格:B)。
接続サンプルを温度130℃/相対湿度85%に設定した試験槽内に100時間放置した後、導通検査を行い、放置前の接続抵抗と比較して、抵抗変化率が±10%以内であるものを合格とした(合格:A)。
配線幅20μm、配線間距離40μmで形成された銅配線の櫛型パターンを有するポリイミド基板に、フィルム状樹脂組成物を80℃/100N/5sの条件で櫛型パターンを覆うように貼り付けて、セパレータフィルムをはがした。次いで165℃のオーブンで2時間加熱処理を行い、評価用サンプルを作製した。このサンプルを温度130℃/相対湿度85%に設定した試験槽内に5Vの直流電圧を印加しながら放置し、IMV社製マイグレーションテスターMIG−8600(製品名)にて試験槽内における絶縁抵抗を連続測定した。100時間の測定中に106Ω以上の絶縁抵抗を保持しているものを合格とした(合格:A)。
Claims (12)
- 基板、半導体チップ又は半導体ウエハに貼り付けて用いられる半導体装置封止充てん用フィルム状樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂と、
硬化剤と、
2以上のアルコール性水酸基を有するアルコール化合物と、
熱可塑性樹脂と、
を含有し、前記熱可塑性樹脂がフェノキシ樹脂又はポリイミド樹脂であり、前記アルコール化合物の配合量が、前記エポキシ樹脂及び前記熱可塑性樹脂の合計量100重量部に対して0.5〜20重量部であり、前記エポキシ樹脂及び前記熱可塑性樹脂の合計量100重量部に対して、前記エポキシ樹脂の配合量が50〜90重量部であり、かつ前記熱可塑性樹脂の配合量が10〜50重量部である、半導体装置封止充てん用フィルム状樹脂組成物。 - 前記熱可塑性樹脂が、フルオレン骨格を有するフェノキシ樹脂である、請求項1に記載の半導体装置封止充てん用フィルム状樹脂組成物。
- 前記アルコール化合物が三級窒素原子を有する、請求項1又は2に記載の半導体装置封止充てん用フィルム状樹脂組成物。
- 前記硬化剤がイミダゾール化合物を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置封止充てん用フィルム状樹脂組成物。
- 無機フィラーを更に含有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置封止充てん用フィルム状樹脂組成物。
- 前記無機フィラーの配合量が、前記熱可塑性樹脂及び前記エポキシ樹脂の合計量100重量部に対して200重量部以下である、請求項5に記載の半導体装置封止充てん用フィルム状樹脂組成物。
- 基板とこれにフリップチップ接続される半導体チップとの間を、請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体装置封止充てん用フィルム状樹脂組成物によって封止充てんする工程を含む、半導体装置の製造方法。
- 前記半導体装置封止充てん用フィルム状樹脂組成物を前記基板又は前記半導体チップに貼り付ける工程を含む、請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体チップが、半導体ウエハに前記半導体装置封止充てん用フィルム状樹脂組成物を貼り付け、ダイシングによって個片化して得られる前記半導体装置封止充てん用フィルム状樹脂組成物を貼り付けた半導体チップである、請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板とこれに接続される半導体パッケージとの間を、請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体装置封止充てん用フィルム状樹脂組成物によって封止充てんする工程を含む、半導体装置の製造方法。
- 前記半導体パッケージが回路基板及び半導体チップを有し、
前記半導体装置封止充てん用フィルム状樹脂組成物を前記基板又は前記回路基板に貼り付ける工程を含む、請求項10に記載の半導体装置の製造方法。 - 請求項7〜11のいずれか一項に記載の製造方法によって得ることのできる半導体装置。
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